JP7482339B1 - 受け取り基板、レーザリフトオフ方法、リフト方法、保持方法、及び微小構造体の洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記微小構造体が移載される面には硬化性の樹脂層を有する受け取り基板を提供する。
一種類目の硬化反応を行うことで前記樹脂を部分的に硬化させる工程
を有する硬化性の樹脂層を有する受け取り基板の製造方法を提供する。
前記微小構造体の前記受け取り基板と対向する面は突起を有し、
前記受け取り基板の前記微小構造体が移載される面は硬化性の樹脂層を有し、
前記微小構造体を前記硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、
前記突起が前記硬化性の樹脂層に埋まった状態で前記硬化性の樹脂層を硬化することで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させ、
前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させた状態でレーザリフトオフを行うリフト方法を提供する。
前記受け取り基板は微小構造体を保持する面に硬化性の樹脂層を有し、
前記微小構造体を前記硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、
前記突起が前記硬化性の樹脂層に埋まった状態で前記硬化性の樹脂層を硬化することで前記微小構造体を受け取り基板に保持する保持方法を提供する。
本発明のリフト方法により前記微小構造体を前記受け取り基板に移載した後に、前記微小構造体を酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する、微小構造体の洗浄方法を提供する。
前記微小構造体を硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、
前記硬化性の樹脂層を硬化した後で、前記微小構造体の前記突起が樹脂層に隙間なく覆われており、かつ前記突起の周囲5μm以内の前記樹脂層に気泡が存在しない状態で、前記微小構造体を、酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する洗浄方法を提供する。
前記微小構造体が移載される面には硬化性の樹脂層を有する受け取り基板である。
一種類目の硬化反応を行うことで前記樹脂を部分的に硬化させる工程
を有する硬化性の樹脂層を有する受け取り基板の製造方法である。
前記微小構造体の前記受け取り基板と対向する面は突起を有し、
前記受け取り基板の前記微小構造体が移載される面は硬化性の樹脂層を有し、
前記微小構造体を前記硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、
前記突起が前記硬化性の樹脂層に埋まった状態で前記硬化性の樹脂層を硬化することで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させ、
前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させた状態でレーザリフトオフを行うリフト方法である。
前記受け取り基板は微小構造体を保持する面に硬化性の樹脂層を有し、
前記微小構造体を前記硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、
前記突起が前記硬化性の樹脂層に埋まった状態で前記硬化性の樹脂層を硬化することで前記微小構造体を受け取り基板に保持する保持方法である。
本発明のリフト方法により前記微小構造体を前記受け取り基板に移載した後に、前記微小構造体を酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する、微小構造体の洗浄方法である。
前記微小構造体を硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、
前記硬化性の樹脂層を硬化した後で、前記微小構造体の前記突起が樹脂層に隙間なく覆われており、かつ前記突起の周囲5μm以内の前記樹脂層に気泡が存在しない状態で、前記微小構造体を、酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する洗浄方法である。
図1に、本発明の受け取り基板の一例を概略的に示す。
本発明で用いる硬化性の樹脂層12の樹脂は、硬化性であれば特に限定されないが、例えば、光硬化性又は熱硬化性である。
受け取り基板10に用いられる支持基板11としては、例えば、合成石英ガラス基板、フロートガラス等が挙げられ、特に平坦性の観点、透明性の観点から、合成石英ガラス基板が好ましい。
本発明の受け取り基板は、例えば、図2を参照しながら以下に説明する、本発明の受け取り基板の製造方法で製造できる。ただし、本発明の受け取り基板は、以下に説明する本発明の受け取り基板の製造方法以外の方法によって製造することもできる。
本発明のリフト方法は、供給基板上に形成された微小構造体をレーザリフトオフにより受け取り基板に移載するリフト方法である。本発明のリフト方法の例を、図3~図8を参照しながら説明する。
図4(B)及び図4(C)並びに図5に示す貼り合わせ及び二次硬化は、本発明の保持方法ということもできる。すなわち、本発明の突起130を有する微小構造体100を受け取り基板10に保持する保持方法は、受け取り基板10が微小構造体100を保持する面に硬化性の樹脂層12を有し、微小構造体100を硬化性の樹脂層12に押し当てることで、突起130を硬化性の樹脂層12に埋まった状態にし、突起130が硬化性の樹脂層12に埋まった状態で硬化性の樹脂層12を硬化することで微小構造体100を受け取り基板10に保持する保持方法である。
本発明の洗浄方法の一側面では、以上に説明した本発明のリフトオフ方法により微小構造体100を受け取り基板10に移載した後に、微小構造体100を酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する。
<供給基板Aおよび微小構造体A>
90×140μm、全体厚み19μm、このうちBump高さ7μmのミニLED素子を搭載し、1.5cm角に切断されたサファイア基板
<供給基板Bおよび微小構造体B>
18×36μm、全体厚み9μm、このうちBump高さ4μmのマイクロLED素子を搭載し、1.5cm角に切断されたサファイア基板
<受け取り基板に用いる支持基板>
外径15.24cm(6インチ)、厚さ1mm、かつ厚みバラつき(TTV)が0.8μmの合成石英基板
[受け取り基板の作製]
支持基板上に以下に示す2段階硬化型シリコーン樹脂組成物(シリコーンA又はB)を3g滴下し、スピンコーターを用いて、膜厚30μmとなるように支持基板上に均一に塗布した。得られた塗膜を以下に示す第一硬化の条件に付して、シリコーン樹脂組成物をゲル状に一次硬化させて、硬化性シリコーン樹脂を有する受け取り基板を作製した。
以下の表1にそれぞれ示す供給基板上の微小構造体と、受け取り基板上の硬化性シリコーン樹脂とが接するように、供給基板及び受け取り基板を0.5MPaにて加圧を行いながら貼り合わせた。その後、硬化性シリコーン樹脂の二次硬化を、以下に示す条件で行った。その後、レーザ顕微鏡を用いて供給基板および微小構造体と二次硬化したシリコーン樹脂との間に、最長1μm以上の空気層が存在しないか、及び突起の周辺5μm以内の樹脂内に気泡がない状態であるかを確認した。
次に、KrFエキシマレーザ光を供給基板の裏面から微小構造体に照射してLLOを行った。その後、受け取り基板から供給基板を引き剥がした。
アルカリ性洗浄液・・・5質量%の水酸化カリウム水溶液
本発明におけるシリコーン系ゲル硬化物の動的粘弾性特性は、特定周波数、および特定温度における貯蔵弾性率G‘によって規定され、測定はティー・エイ・インスツルメント社製の粘弾性測定装置ARES G-IIを用いて行った。3cm角および500μmの厚みで硬化、および成形したシリコーン樹脂を同試験機の円形状測定部、および直径20mmのパラレルプレートの間に気泡がかまないように挟み、25℃の温度を保ちながら、ひずみ値を4%、および周波数を1Hzの条件にて10分間測定した。測定開始から10分後の数値を貯蔵弾性率G‘として読み取った。第二硬化後のシリコーン樹脂についても同様の手順および条件にて測定を行った。その結果を以下に示す。
単一の硬化条件のみによって以下に示すシリコーン組成物(シリコーンC)をゴム状に硬化させて受け取り基板を作製した以外は実施例と同様の工程によって、微小構造体のLLO工程における転写率、破損率および位置ずれ、また、洗浄工程における微小構造体の傾き、脱落有無をそれぞれ確認した。すなわち、比較例1~4で用いた受け取り基板は、硬化性の樹脂層を有するものではなかった。
[1]供給基板上に形成された微小構造体をレーザリフトオフにより移載して受け取るための受け取り基板であって、前記微小構造体が移載される面には硬化性の樹脂層を有する受け取り基板。
[2]前記硬化性の樹脂層は、光硬化性又は熱硬化性である[1]記載の受け取り基板。
[3]前記硬化性の樹脂層は、Bステージ状である[1]又は[2]記載の受け取り基板。
[4]前記硬化性の樹脂層は、ゲル状である[1]~[3]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[5]前記硬化性の樹脂層は、シリコーン系ゲル層である[1]~[4]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[6]前記硬化性の樹脂層は、前記微小構造体に対するタック性を有するものである[1]~[5]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[7]前記硬化性の樹脂層は、硬化により硬度が上昇するものである[1]~[6]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[8]前記硬化性の樹脂層は、硬化により前記微小構造体への接着力が上昇する、又は、前記微小構造体の保持力が上昇するものである[1]~[7]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[9]前記硬化性の樹脂層は、硬化によりゴム状となるものである[1]~[8]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[10]前記硬化性の樹脂層の貯蔵弾性率は、25℃において10~1000Paであり、硬化によって1MPa~30GPaとなるものである[1]~[9]のいずれか1つ記載の受け取り基板。
[11]受け取り基板作製用基板の一方の面に、少なくとも二種類の硬化反応が可能な樹脂の層を形成する工程、及び一種類目の硬化反応を行うことで前記樹脂を部分的に硬化させる工程を有する硬化性の樹脂層を有する受け取り基板の製造方法。
[12]前記少なくとも二種類の硬化反応は、光硬化反応と熱硬化反応との組合せ、異なる硬化開始温度を有する熱硬化反応の組合せ、又は異なる硬化波長を有する光硬化反応の組合せを含む[11]記載の受け取り基板の製造方法。
[13]前記少なくとも二種類の硬化反応は、ラジカル硬化系、カチオン硬化系、アニオン硬化系、付加硬化系及び縮合硬化系からなる群から選ばれる少なくとも二つの組合せを含む[11]又は[12]記載の受け取り基板の製造方法。
[14]供給基板上に形成された微小構造体をレーザリフトオフにより受け取り基板に移載するリフト方法であって、前記微小構造体の前記受け取り基板と対向する面は突起を有し、前記受け取り基板の前記微小構造体が移載される面は硬化性の樹脂層を有し、前記微小構造体を前記硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、前記突起が前記硬化性の樹脂層に埋まった状態で前記硬化性の樹脂層を硬化することで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させ、前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させた状態でレーザリフトオフを行うリフト方法。
[15]突起を有する微小構造体を受け取り基板に保持する保持方法であって、前記受け取り基板は微小構造体を保持する面に硬化性の樹脂層を有し、前記微小構造体を前記硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、前記突起が前記硬化性の樹脂層に埋まった状態で前記硬化性の樹脂層を硬化することで前記微小構造体を受け取り基板に保持する保持方法。
[16]微小構造体の洗浄方法であって、[14]記載のリフト方法により前記微小構造体を前記受け取り基板に移載した後に、前記微小構造体を酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する、微小構造体の洗浄方法。
[17]突起を有する微小構造体の洗浄方法であって、前記微小構造体を硬化性の樹脂層に押し当てることで、前記突起を前記硬化性の樹脂層に埋まった状態にし、前記硬化性の樹脂層を硬化した後で、前記微小構造体の前記突起が樹脂層に隙間なく覆われており、かつ前記突起の周囲5μm以内の前記樹脂層に気泡が存在しない状態で、前記微小構造体を、酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する洗浄方法。
Claims (13)
- 供給基板上に形成された微小構造体をレーザリフトオフにより移載して受け取るための受け取り基板であって、
前記微小構造体が移載される面には硬化性の樹脂層を有し、
前記硬化性の樹脂層は、ゲル状であり、
前記硬化性の樹脂層は、硬化によりゴム状となるものである受け取り基板。 - 基板上に設けられた微小構造体をレーザによりリフトして受け取るための受け取り基板であって、
前記微小構造体が移載される面には硬化性の樹脂層を有し、
前記硬化性の樹脂層は、ゲル状であり、
前記硬化性の樹脂層は、硬化によりゴム状となるものである受け取り基板。 - 前記硬化性の樹脂層は、光硬化性又は熱硬化性である請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 前記硬化性の樹脂層は、Bステージ状である請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 前記硬化性の樹脂層は、シリコーン系ゲル層である請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 前記硬化性の樹脂層は、前記微小構造体に対するタック性を有するものである請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 前記硬化性の樹脂層は、硬化により硬度が上昇するものである請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 前記硬化性の樹脂層は、硬化により前記微小構造体への接着力が上昇する、又は、前記微小構造体の保持力が上昇するものである請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 前記硬化性の樹脂層の貯蔵弾性率は、25℃において10~1000Paであり、硬化によって1MPa~30GPaとなるものである請求項1又は2記載の受け取り基板。
- 供給基板上に形成された微小構造体をレーザリフトオフにより請求項1に記載の受け取り基板に移載するレーザリフトオフ方法であって、
前記ゲル状の硬化性の樹脂を硬化させてゴム状とすることで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させ、
前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させた状態でレーザリフトオフにより移載するレーザリフトオフ方法。 - 基板上に設けられた微小構造体をレーザにより請求項2に記載の受け取り基板に移載するリフト方法であって、
前記ゲル状の硬化性の樹脂を硬化させてゴム状とすることで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させ、
前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させた状態でレーザにより移載するリフト方法。 - 微小構造体を請求項1又は2に記載の受け取り基板に保持する保持方法であって、
前記ゲル状の硬化性の樹脂を硬化させてゴム状とすることで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持する保持方法。 - 請求項1又は2に記載の受け取り基板に保持された微小構造体の洗浄方法であって、
前記ゲル状の硬化性の樹脂を硬化させてゴム状とすることで前記微小構造体を前記受け取り基板に保持させ、
前記微小構造体を、酸またはアルカリ性洗浄液で洗浄する洗浄方法。
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002185039A (ja) | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Sony Corp | 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板 |
JP2013077611A (ja) | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2014130918A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Nitto Denko Corp | 封止層被覆光半導体素子、その製造方法および光半導体装置 |
US20190181122A1 (en) | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Innolux Corporation | Electronic device and method of manufacturing the same |
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