JP7481624B2 - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

特許文献１には、半導体ウエーハにレーザー光を照射することでレーザー加工溝を形成し、そのレーザー加工溝に沿って切削することで半導体ウエーハを分割する製造方法が開示されている。 Patent Document 1 discloses a manufacturing method in which a semiconductor wafer is divided by irradiating the wafer with a laser beam to form a laser groove and then cutting along the laser groove.

特開２００５－１５０５２３号公報JP 2005-150523 A

レーザー光の照射によって金属部分の除去を行う場合、半導体部がレーザー光の反射光によりダメージを受ける虞がある。 When removing metal parts by irradiating them with laser light, there is a risk that the semiconductor parts will be damaged by the reflected laser light.

そこで、本発明は、金属部分をレーザー光の照射により除去する際に生じる半導体部や半導体部を覆う絶縁膜へのダメージを低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can reduce damage to the semiconductor part and the insulating film covering the semiconductor part that occurs when removing the metal part by irradiating it with laser light.

本発明の半導体装置の製造方法は、
複数の半導体部と、複数の前記半導体部を支持する支持基板と、前記半導体部の側面に設けられた絶縁膜と、前記半導体部と前記支持基板との間に設けられた第１領域と上面視において複数の前記半導体部の間における前記支持基板の上部に設けられた第２領域とを有する金属部分と、を備えた半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体部の側面に設けられた前記絶縁膜の少なくとも一部に形成され、前記第２領域の上部に開口部を有する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の前記開口部を介してレーザー光を前記金属部分の前記第２領域に照射し、前記第２領域の一部を除去する工程と、
前記第２領域を除去した部分に沿って前記支持基板を割断する工程と、を備えている。 The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes the steps of:
A step of preparing a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor portions, a support substrate supporting the plurality of semiconductor portions, an insulating film provided on a side surface of the semiconductor portions, and a metal portion having a first region provided between the semiconductor portions and the support substrate and a second region provided on an upper portion of the support substrate between the plurality of semiconductor portions in a top view;
forming a metal film formed on at least a part of the insulating film provided on a side surface of the semiconductor portion, the metal film having an opening above the second region;
irradiating the second region of the metal portion with laser light through the opening of the metal film to remove a portion of the second region;
and breaking the support substrate along the portion from which the second region has been removed.

本発明の一実施形態に係る製造方法によれば、レーザー光の照射に際して、半導体部や半導体部を覆う絶縁膜へのダメージを低減できる。 The manufacturing method according to one embodiment of the present invention can reduce damage to the semiconductor part and the insulating film covering the semiconductor part when irradiated with laser light.

本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において「開口部を有する金属膜」を示す模式的断面図である。3 is a schematic cross-sectional view showing a "metal film having an opening" in a manufacturing method of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention. FIG. 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において開口部を介してレーザー光を照射する工程を示す模式的断面図である。4 is a schematic cross-sectional view showing a step of irradiating laser light through an opening in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において開口部を介してレーザー光を照射する工程を示す模式的断面図である。4 is a schematic cross-sectional view showing a step of irradiating laser light through an opening in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において支持基板を割断する工程を示す模式的断面図である。5 is a schematic cross-sectional view showing a step of cleaving a support substrate in a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法において支持基板を割断する工程を示す模式的断面図である。5 is a schematic cross-sectional view showing a step of cleaving a support substrate in a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 本発明の他の態様を説明するための模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the present invention. 本発明の他の態様を説明するための模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the present invention. 本発明の他の態様を説明するための模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining another embodiment of the present invention. 評価試験の結果を示すグラフである。13 is a graph showing the results of an evaluation test. 評価試験の結果を示すグラフである。1 is a graph showing the results of an evaluation test. 半導体ウエハの構成を示す模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor wafer. 本発明の創出過程で見出された事象を説明するための模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view for explaining a phenomenon discovered in the process of creating the present invention. 本発明の創出過程で見出された事象を説明するための模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view for explaining a phenomenon discovered in the process of creating the present invention.

以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための実施形態や実施例を説明する。なお、以下に説明する半導体装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。
各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態や実施例に分けて示す場合があるが、異なる実施形態や実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。後述の実施形態や実施例では、前述と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態や実施例ごとには逐次言及しないものとする。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合もある。 Hereinafter, embodiments and examples for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the semiconductor device described below is intended to embody the technical concept of the present invention, and unless otherwise specified, the present invention is not limited to the following.
In each drawing, components having the same function may be given the same symbol. In consideration of the explanation or ease of understanding of the main points, the embodiments and examples may be shown separately for convenience, but partial replacement or combination of the configurations shown in different embodiments and examples is possible. In the embodiments and examples described below, descriptions of matters common to the above will be omitted, and only the differences will be described. In particular, similar effects due to similar configurations will not be mentioned in each embodiment or example. The size and positional relationship of the components shown in each drawing may be exaggerated to clarify the explanation.

図面に示される「断面視」は、半導体装置の積層構成が分かる見取図に相当し、当該積層構成が分かるように半導体装置を切り取って見た場合の断面視である。本明細書で直接的または間接的に用いる“上下方向”は、それぞれ断面視の図面における上下方向に相当する。 The "cross-sectional view" shown in the drawings corresponds to a diagram showing the layered structure of the semiconductor device, and is a cross-sectional view when the semiconductor device is cut out so that the layered structure can be seen. The "vertical direction" used directly or indirectly in this specification corresponds to the vertical direction in the cross-sectional view drawings.

半導体装置は、半導体部を備えている。例えば発光ダイオードとして用いられる半導体部は、ｎ型のｎ側窒化物半導体層と、ｐ型のｐ側窒化物半導体層と、ｎ側窒化物半導体とｐ側窒化物半導体の間に設けられた発光層と、を有する。このような半導体装置は、支持基板上に複数の半導体部を備える半導体ウエハに対して分割工程を施すことで得られる。例えば、半導体ウエハの半導体部間に位置する分割領域に沿って分割することで半導体装置を得ることができる。 A semiconductor device has a semiconductor part. For example, a semiconductor part used as a light-emitting diode has an n-type n-side nitride semiconductor layer, a p-type p-side nitride semiconductor layer, and a light-emitting layer provided between the n-side nitride semiconductor and the p-side nitride semiconductor. Such a semiconductor device can be obtained by performing a division process on a semiconductor wafer having multiple semiconductor parts on a support substrate. For example, the semiconductor device can be obtained by dividing the semiconductor wafer along the division regions located between the semiconductor parts.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、
複数の半導体部と、複数の前記半導体部を支持する支持基板と、前記半導体部の側面に設けられた絶縁膜と、前記半導体部と前記支持基板との間に設けられた第１領域と上面視において複数の前記半導体部の間における前記支持基板の上部に設けられた第２領域とを有する金属部分と、を備えた半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体部の側面に設けられた前記絶縁膜の少なくとも一部に形成され、前記第２部分の上部に開口部を有する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の前記開口部を介してレーザー光を前記金属部分の前記第２領域に照射し、前記第２領域の一部を除去する工程と、
前記第２領域を除去した部分に沿って前記支持基板を割断する工程と、を備えている。 The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of:
A step of preparing a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor portions, a support substrate supporting the plurality of semiconductor portions, an insulating film provided on a side surface of the semiconductor portions, and a metal portion having a first region provided between the semiconductor portions and the support substrate and a second region provided on an upper portion of the support substrate between the plurality of semiconductor portions in a top view;
forming a metal film formed on at least a part of the insulating film provided on a side surface of the semiconductor portion, the metal film having an opening above the second portion;
irradiating the second region of the metal portion with laser light through the opening of the metal film to remove a portion of the second region;
and breaking the support substrate along the portion from which the second region has been removed.

以下、本発明の一実施形態に係る製造方法について詳細に説明する。 The manufacturing method according to one embodiment of the present invention is described in detail below.

半導体装置は、半導体ウエハを半導体部間で分割する工程を経ることによって得られる。図８に半導体ウエハ１００’の模式的断面図を示す。 The semiconductor device is obtained by dividing the semiconductor wafer into semiconductor portions. Figure 8 shows a schematic cross-sectional view of the semiconductor wafer 100'.

図示されるように、半導体ウエハ１００’は、複数の半導体部１を備えている。半導体ウエハ１００’では、複数の半導体部１が支持基板２により支持されている。支持基板２上には、複数の半導体部１と、半導体部１に接続される部材が設けられている。隣り合う半導体部１間の距離は、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下である。 As shown in the figure, the semiconductor wafer 100' includes multiple semiconductor parts 1. In the semiconductor wafer 100', the multiple semiconductor parts 1 are supported by a support substrate 2. The multiple semiconductor parts 1 and members connected to the semiconductor parts 1 are provided on the support substrate 2. The distance between adjacent semiconductor parts 1 is, for example, 50 μm or more and 200 μm or less.

図８に示すように、半導体ウエハ１００’を分割して得られる発光素子４は、発光層１３を含む半導体部１を備えている。半導体部１は、第１半導体層１１と、第２半導体層１２と、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられた発光層１３とを含む。第１半導体層１１は、例えば、ｎ型半導体層を含む。第２半導体層１２は、例えば、ｐ型半導体層を含む。半導体部１には、例えば窒化物半導体を用いる。発光層１３に用いる半導体層の材料や混晶比を調整することによって発光波長を種々に選択できる。半導体部１の表面には絶縁膜５が設けられている。より具体的には、半導体部１の表面には、第１半導体層１１、第２半導体層１２および発光層１３を覆うように絶縁膜５が設けられている。 As shown in FIG. 8, the light-emitting element 4 obtained by dividing the semiconductor wafer 100' includes a semiconductor section 1 including a light-emitting layer 13. The semiconductor section 1 includes a first semiconductor layer 11, a second semiconductor layer 12, and a light-emitting layer 13 provided between the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 12. The first semiconductor layer 11 includes, for example, an n-type semiconductor layer. The second semiconductor layer 12 includes, for example, a p-type semiconductor layer. For example, a nitride semiconductor is used for the semiconductor section 1. By adjusting the material and mixed crystal ratio of the semiconductor layer used for the light-emitting layer 13, various light-emitting wavelengths can be selected. An insulating film 5 is provided on the surface of the semiconductor section 1. More specifically, an insulating film 5 is provided on the surface of the semiconductor section 1 so as to cover the first semiconductor layer 11, the second semiconductor layer 12, and the light-emitting layer 13.

本実施形態の半導体装置の一例である発光素子４は、半導体部１に電気的に接続された電極を備えている。例えば、発光素子４の第１半導体層１１および第２半導体層１２には、それぞれ、コンタクト電極が設けられている。具体的には、第１半導体層１１には第１コンタクト電極３１が接続され、第２半導体層１２には第２コンタクト電極３２が接続されている。第１コンタクト電極３１は、例えば、ｎ側コンタクト電極として機能する。第２コンタクト電極３２は、例えば、ｐ側コンタクト電極として機能する。第１コンタクト電極３１及び第２コンタクト電極３２は、発光素子４の発光面となる第１半導体層１１の上面とは反対側に設けられている。 The light-emitting element 4, which is an example of a semiconductor device of this embodiment, has an electrode electrically connected to the semiconductor part 1. For example, the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 12 of the light-emitting element 4 are each provided with a contact electrode. Specifically, a first contact electrode 31 is connected to the first semiconductor layer 11, and a second contact electrode 32 is connected to the second semiconductor layer 12. The first contact electrode 31 functions, for example, as an n-side contact electrode. The second contact electrode 32 functions, for example, as a p-side contact electrode. The first contact electrode 31 and the second contact electrode 32 are provided on the opposite side to the upper surface of the first semiconductor layer 11, which is the light-emitting surface of the light-emitting element 4.

発光素子４の下面側は、金属層３８および接合層３３を介して支持基板２に接合されている。第２コンタクト電極３２は、図８に示されるように、配線層３５に接続されている。配線層３５の一部は、半導体部１が設けられた領域の外側に位置している。配線層３５のうち半導体部１の外側に位置している部分に接続部３４が接続されている。第２コンタクト電極３２は、配線層３５を介して接続部３４に電気的に接続されている。接続部３４には例えばワイヤーが接合され、外部と半導体部１における第２半導体層１２との電気的な接続を担う。また、配線層３５と半導体部１との間の一部には第１保護層３６が設けられている。第１保護層３６と半導体部１の間に、第２半導体層１２と第２コンタクト電極３２の一部とを覆う第２保護層３７を設けてもよい。第１コンタクト電極３１は、第１半導体層１１にオーミック接触するように設けられている。第１保護層３６は、第１コンタクト電極３１と、発光層１３、第２半導体層１２、および配線層３５との間にも設けられている。また保護層３６は、半導体部１間にも設けられている。支持基板２と、接合層３３との間には金属層３８が設けられている。金属層３８は、支持基板２と発光素子４を含む部材との密着性を向上させるための層として機能し得る。また、支持基板２の裏面２ａには裏面電極２１が設けられている。裏面電極２１は、支持基板２およびその上に配置されている各層を介して第１コンタクト電極３１と導通している。 The lower surface side of the light-emitting element 4 is bonded to the support substrate 2 via the metal layer 38 and the bonding layer 33. The second contact electrode 32 is connected to the wiring layer 35 as shown in FIG. 8. A part of the wiring layer 35 is located outside the region in which the semiconductor portion 1 is provided. The connection portion 34 is connected to the part of the wiring layer 35 located outside the semiconductor portion 1. The second contact electrode 32 is electrically connected to the connection portion 34 via the wiring layer 35. For example, a wire is bonded to the connection portion 34, which serves to electrically connect the outside to the second semiconductor layer 12 in the semiconductor portion 1. In addition, a first protective layer 36 is provided in a part between the wiring layer 35 and the semiconductor portion 1. A second protective layer 37 that covers the second semiconductor layer 12 and a part of the second contact electrode 32 may be provided between the first protective layer 36 and the semiconductor portion 1. The first contact electrode 31 is provided so as to be in ohmic contact with the first semiconductor layer 11. The first protective layer 36 is also provided between the first contact electrode 31 and the light emitting layer 13, the second semiconductor layer 12, and the wiring layer 35. The protective layer 36 is also provided between the semiconductor parts 1. A metal layer 38 is provided between the support substrate 2 and the bonding layer 33. The metal layer 38 can function as a layer for improving the adhesion between the support substrate 2 and the member including the light emitting element 4. In addition, a back electrode 21 is provided on the back surface 2a of the support substrate 2. The back electrode 21 is electrically connected to the first contact electrode 31 via the support substrate 2 and each layer disposed thereon.

半導体ウエハ１００’において、支持基板２上に複数の半導体部１が設けられている。絶縁膜５は、半導体部１の側面１ａを少なくとも覆うように設けられている。このような絶縁膜５は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮおよびＡｌ２Ｏ３から成る群から選択される少なくとも１種を含む絶縁性の材料から構成されていてよい。半導体部１の側面１ａに設けられた絶縁膜５は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。なお、このような絶縁膜５は、透光性膜であってよい。 In the semiconductor wafer 100', a plurality of semiconductor portions 1 are provided on a support substrate 2. An insulating film 5 is provided so as to cover at least the side surface 1a of the semiconductor portion 1. Such an insulating film 5 may be made of an insulating material including at least one selected from the group consisting of SiO 2 , SiN, SiON, and Al 2 O 3. The insulating film 5 provided on the side surface 1a of the semiconductor portion 1 is, for example, 0.1 μm or more and 10 μm or less. Note that such an insulating film 5 may be a light-transmitting film.

支持基板２は、例えば、シリコン基板などであってよい。半導体ウエハ１００’では、かかる支持基板２が、例えば、熱圧着工法などによって、ニッケル（Ｎｉ）やスズ（Ｓｎ）などを含む接合層３３を介して半導体部１と接合されている。 The support substrate 2 may be, for example, a silicon substrate. In the semiconductor wafer 100', the support substrate 2 is bonded to the semiconductor portion 1 via a bonding layer 33 containing nickel (Ni) or tin (Sn) by, for example, a thermocompression bonding method.

半導体ウエハ１００’の個片化工程では、まず半導体部１間に位置する分割領域にレーザー光Ｌを照射して金属部分を昇華させる。このレーザー光Ｌを照射する工程では、レーザー光Ｌの照射部からの光反射に起因して、半導体部１や半導体部１の側面１ａに設けられた絶縁膜５を変質させる虞がある。半導体部１や半導体部１の側面１ａの保護膜５が変質すると、保護膜５と半導体部１との界面で発光層１３を介さずに流れるリーク電流が発生する場合がある。そのため、図９Ａに示すように、半導体部１の側面１ａの絶縁膜５上に金属膜６’を設け、かかる金属膜６’によってレーザー光Ｌの反射の影響を低減することが考えられる。しかしながら、金属膜６’を単に設けるだけでは、レーザー光Ｌの照射に起因する熱の影響を無視し難い。金属膜６’が半導体部１の側面上だけでなく分割領域上にまで形成されていると、分割領域で生じた熱が半導体部１に伝搬してしまう虞があるからである。特に、レーザー光Ｌの照射に際して、分割領域上に設けられた金属膜６’にレーザー光Ｌが照射されると、図９Ｂに示すように、レーザー光Ｌの照射部で発生する熱Ｈが、金属膜６’を介して半導体部１の側面１ａに伝搬してしまう。 In the process of dividing the semiconductor wafer 100', first, the division area located between the semiconductor parts 1 is irradiated with laser light L to sublimate the metal part. In this process of irradiating the laser light L, there is a risk that the semiconductor part 1 and the insulating film 5 provided on the side surface 1a of the semiconductor part 1 may be altered due to light reflection from the irradiated area of the laser light L. If the protective film 5 on the semiconductor part 1 and the side surface 1a of the semiconductor part 1 is altered, a leakage current may occur at the interface between the protective film 5 and the semiconductor part 1 without passing through the light emitting layer 13. Therefore, as shown in FIG. 9A, it is possible to provide a metal film 6' on the insulating film 5 on the side surface 1a of the semiconductor part 1, and reduce the influence of the reflection of the laser light L by the metal film 6'. However, it is difficult to ignore the influence of heat caused by the irradiation of the laser light L by simply providing the metal film 6'. This is because if the metal film 6' is formed not only on the side surface of the semiconductor part 1 but also on the division area, there is a risk that the heat generated in the division area will propagate to the semiconductor part 1. In particular, when the laser light L is irradiated onto the metal film 6' provided on the division region, as shown in FIG. 9B, heat H generated in the area irradiated with the laser light L propagates to the side surface 1a of the semiconductor portion 1 via the metal film 6'.

そこで、本発明の一実施形態に係る製造方法では、レーザー光Ｌが照射される半導体ウエハ１００’の分割領域を避けて金属膜６を形成する。換言すれば、半導体部１の側面１ａに半導体部１間を覆うとともに、分割領域上に位置する開口部６０を有する金属膜６を形成する。 Therefore, in a manufacturing method according to one embodiment of the present invention, the metal film 6 is formed to avoid the division region of the semiconductor wafer 100' to be irradiated with the laser light L. In other words, the metal film 6 is formed on the side surface 1a of the semiconductor portion 1, covering the space between the semiconductor portions 1 and having an opening 60 located on the division region.

例えば、図１および図２Ａに示すように、実質的に半導体部１の側面１ａのみを覆う金属膜６を形成する。金属膜６は、互いに隣り合う半導体部１の各側面１ａ１および１ａ２を覆っている。金属膜６は、隣り合う半導体部１の間の領域に設けられておらず、その領域において開口部６０を有する。半導体ウエハ１００’の分割領域は、開口部６０の領域に含まれる。 1 and 2A, a metal film 6 is formed so as to substantially cover only the side surface 1a of the semiconductor portion 1. The metal film 6 covers the side surfaces 1a1 and 1a2 of the semiconductor portions 1 adjacent to each other. The metal film 6 is not provided in the region between the adjacent semiconductor portions 1, and has an opening 60 in that region. The division region of the semiconductor wafer 100′ is included in the region of the opening 60.

半導体ウエハ１００’は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、支持基板２上に複数の半導体部１と、金属部分３とを有している。金属部分３は、第１領域３Ａと第２領域３Ｂとを有する。第１領域３Ａは、半導体部１と支持基板２との間に位置する領域である。第２領域３Ｂは、複数の半導体部１の間における支持基板２の上部に位置する領域である。第１領域３Ａと第２領域３Ｂとは互いに隣接して金属部分３を成している。金属部分３のうち、半導体部１の下側に位置する領域が第１領域３Ａに相当し、隣り合う半導体部１の間に位置する領域が第２領域３Ｂに相当する。なお、金属部分３の第２領域３Ｂ上には、絶縁材料からなる部材が設けられていてもよい。 As shown in FIG. 2A and FIG. 2B, the semiconductor wafer 100' has a plurality of semiconductor parts 1 and a metal part 3 on a support substrate 2. The metal part 3 has a first region 3A and a second region 3B. The first region 3A is a region located between the semiconductor part 1 and the support substrate 2. The second region 3B is a region located on the upper part of the support substrate 2 between the plurality of semiconductor parts 1. The first region 3A and the second region 3B are adjacent to each other to form the metal part 3. Of the metal part 3, the region located below the semiconductor part 1 corresponds to the first region 3A, and the region located between the adjacent semiconductor parts 1 corresponds to the second region 3B. Note that a member made of an insulating material may be provided on the second region 3B of the metal part 3.

本実施形態に係る製造方法において、金属膜６は、半導体部１の側面１ａの絶縁膜５に設けられ、第２領域３Ｂの上部において開口部６０を備えるように形成される。つまり、半導体ウエハ１００’では、半導体部１の側面１ａに設けられた絶縁膜５を覆う金属膜６が第２領域３Ｂの上部において開口部６０を有する。第２領域３Ｂは、金属膜６が設けられておらず、金属膜６から露出している。 In the manufacturing method according to this embodiment, the metal film 6 is provided on the insulating film 5 on the side surface 1a of the semiconductor portion 1, and is formed so as to have an opening 60 in the upper portion of the second region 3B. That is, in the semiconductor wafer 100', the metal film 6 covering the insulating film 5 provided on the side surface 1a of the semiconductor portion 1 has an opening 60 in the upper portion of the second region 3B. The second region 3B is exposed from the metal film 6, as no metal film 6 is provided therein.

本実施形態に係る製造方法では、このような金属膜６の開口部６０を介して半導体ウエハ１００’の個片化工程を行う。個片化工程ではレーザー光Ｌの照射と支持基板２の割断とを行う。具体的には、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、金属膜６の開口部６０を介してレーザー光Ｌを金属部分３の第２領域３Ｂに照射し、第２領域３Ｂの一部を除去する。次いで、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第２領域３Ｂの一部が除去された部分に沿って支持基板２を割断する。 In the manufacturing method according to this embodiment, the semiconductor wafer 100' is singulated through the openings 60 in the metal film 6. In the singulation process, the laser light L is irradiated and the support substrate 2 is cut. Specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, the laser light L is irradiated to the second region 3B of the metal portion 3 through the openings 60 in the metal film 6 to remove a portion of the second region 3B. Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the support substrate 2 is cut along the portion where the portion of the second region 3B has been removed.

このような開口部６０を介したレーザー光Ｌの照射および支持基板２の割断によって、半導体ウエハ１００’が好適に個片化され、図３Ｂに示すような半導体装置１００が得られる。 By irradiating the laser light L through the opening 60 and fracturing the support substrate 2, the semiconductor wafer 100' is appropriately divided into individual pieces, and the semiconductor device 100 as shown in FIG. 3B is obtained.

レーザー光Ｌを開口部６０を介して照射し、分割領域Ｐ上に位置する金属部分３を除去する際、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、支持基板２上の金属部分３を略全て除去することが好ましい。これにより、支持基板２の割断工程において、金属部分３により支持基板２の割断が阻害されることが抑制され、個片化時のクラックやチッピングなどを抑制できる。 When laser light L is irradiated through the opening 60 to remove the metal portion 3 located on the division region P, it is preferable to remove substantially all of the metal portion 3 on the support substrate 2, as shown in Figures 2A and 2B. This prevents the metal portion 3 from interfering with the cutting of the support substrate 2 during the cutting process of the support substrate 2, and can prevent cracks and chipping during individual division.

本実施形態に係る製造方法は、金属部分３を除去する際に照射されるレーザー光Ｌに起因して半導体ウエハ１００’で発生する熱が半導体部１の側面１ａの絶縁膜５にまで伝わることが抑制されている。そのため、レーザー光Ｌの照射に起因する熱が半導体部１の側面１ａの絶縁膜５にまで及びにくく、半導体部１や絶縁膜５のダメージを低減できる。金属膜６の開口部６０を介してレーザー光Ｌの照射がなされるからである。仮に半導体部１の側面１ａと半導体部１の間とに連続して設けられた金属膜６’に対してレーザー光Ｌが直接照射されると、金属膜６’で発生する熱Ｈは金属膜６’を介して半導体部１の側面１ａへと伝ってしまう。つまり、個片化工程では、レーザー光Ｌの照射箇所に位置する金属膜６’は最終的に除去されるといえども、レーザー光Ｌが照射された直後や完全に除去されるまでの間に照射された箇所で生じる熱Ｈが金属膜６’を介して半導体部１の側面１ａまで伝搬しやすい。 In the manufacturing method according to this embodiment, the heat generated in the semiconductor wafer 100' due to the laser light L irradiated when removing the metal portion 3 is suppressed from being transmitted to the insulating film 5 on the side surface 1a of the semiconductor portion 1. Therefore, the heat caused by the irradiation of the laser light L is unlikely to reach the insulating film 5 on the side surface 1a of the semiconductor portion 1, and damage to the semiconductor portion 1 and the insulating film 5 can be reduced. This is because the laser light L is irradiated through the opening 60 of the metal film 6. If the laser light L is directly irradiated to the metal film 6' provided continuously between the side surface 1a of the semiconductor portion 1 and the semiconductor portion 1, the heat H generated in the metal film 6' will be transmitted to the side surface 1a of the semiconductor portion 1 through the metal film 6'. In other words, in the singulation process, even though the metal film 6' located at the irradiated portion of the laser light L is finally removed, the heat H generated at the irradiated portion immediately after the laser light L is irradiated or until it is completely removed is likely to be transmitted to the side surface 1a of the semiconductor portion 1 through the metal film 6'.

このように、半導体部１や絶縁膜５のダメージを低減できるので、本実施形態に係る製造方法は、半導体部１におけるリーク電流の発生を好適に抑制できる。つまり、個片化工程で得られる半導体装置１００において第１半導体層１１と第２半導体層１２との間で生じるリーク電流が好適に抑制される。 In this way, damage to the semiconductor portion 1 and the insulating film 5 can be reduced, and therefore the manufacturing method according to this embodiment can effectively suppress the occurrence of leakage current in the semiconductor portion 1. In other words, the leakage current occurring between the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 12 in the semiconductor device 100 obtained in the singulation process is effectively suppressed.

金属膜６は、例えば、レーザー光の波長に対して光反射性を有する金属材料からなる。金属部分３の除去に用いるレーザー光の発光ピーク波長は２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下程度、例えば３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。このようなレーザー光Ｌの発光ピーク波長に対して光反射性を有する金属膜６を設ける。ここでいう「光反射性」は、そのようなレーザー光の波長に対する反射率が６０％以上、好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上となっていることを指す。また、金属膜６は、例えば、発光層１３からの光の波長に対して光反射性を有する金属材料からなる。ここでいう「光反射性」とは、発光素子４の発光ピーク波長に対する反射率が６０％以上、好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上となっていることを指す。 The metal film 6 is made of, for example, a metal material that is optically reflective to the wavelength of the laser light. The emission peak wavelength of the laser light used to remove the metal portion 3 is about 200 nm to 600 nm, for example, 300 nm to 400 nm. A metal film 6 that is optically reflective to the emission peak wavelength of such laser light L is provided. The "optical reflectivity" here refers to a reflectance of 60% or more, preferably 70% or more, and more preferably 80% or more to the wavelength of such laser light. In addition, the metal film 6 is made of, for example, a metal material that is optically reflective to the wavelength of light from the light-emitting layer 13. The "optical reflectivity" here refers to a reflectance of 60% or more, preferably 70% or more, and more preferably 80% or more to the emission peak wavelength of the light-emitting element 4.

金属膜６がレーザー光Ｌに対して光反射性を有することで、レーザー光Ｌからの反射光を好適に反射させることができ、レーザー光Ｌを照射する時の光の影響を好適に低減できる。つまり、レーザー光照射時の反射光が半導体部１の側面１ａに向かったとしても、半導体部１の側面１ａの金属膜６が光を反射し、絶縁膜５に対するレーザー光Ｌの影響を低減できる。また、光反射性を有する金属膜６は、発光層１３からの光を反射できるので、所望の光取り出し効率を備える半導体装置１００を得やすくなる。 The metal film 6 has optical reflectivity to the laser light L, so that the reflected light from the laser light L can be appropriately reflected, and the influence of light when the laser light L is irradiated can be appropriately reduced. In other words, even if the reflected light when irradiated with the laser light is directed toward the side surface 1a of the semiconductor part 1, the metal film 6 on the side surface 1a of the semiconductor part 1 reflects the light, and the influence of the laser light L on the insulating film 5 can be reduced. In addition, the optically reflective metal film 6 can reflect light from the light emitting layer 13, so that it becomes easier to obtain a semiconductor device 100 with the desired light extraction efficiency.

金属膜６の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、および白金（Ｐｔ）などから成る群から選択される少なくとも１種を含む金属材料を挙げることができる。 Examples of the material for the metal film 6 include metal materials containing at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), gold (Au), nickel (Ni), and platinum (Pt).

金属膜６の膜厚は、例えば、０．０５μｍ以上５μｍ以下とすることが好ましく、０．１μｍ以上２．５μｍ以下とすることがより好ましい。これにより、個片化に用いるレーザー光Ｌの影響を好適に低減できる。また、金属膜６の形成コストおよび／または形成時間が過度にならない。金属膜６の膜厚が０．０５μｍ未満になると、レーザー光Ｌに対する光反射が不充分になり易い。一方、金属膜６の膜厚が５μｍよりも大きくなると、金属膜６を形成するためのコストがかかり易い。 The thickness of the metal film 6 is preferably, for example, 0.05 μm or more and 5 μm or less, and more preferably 0.1 μm or more and 2.5 μm or less. This makes it possible to suitably reduce the influence of the laser light L used for singulation. In addition, the cost and/or time required for forming the metal film 6 are not excessive. If the thickness of the metal film 6 is less than 0.05 μm, the light reflection of the laser light L is likely to be insufficient. On the other hand, if the thickness of the metal film 6 is greater than 5 μm, the cost of forming the metal film 6 is likely to be high.

金属膜６に形成される開口部６０は、パターニング加工により設けることができる。開口部６０の形成には、例えば、フォトリソグラフィおよびリフトオフ法などのパターニング技術を用いてよい。例えばリフトオフ法の場合、金属膜６に開口部６０を形成する工程は、開口部６０が形成される箇所にレジストを形成する工程と、金属部材をレジストを覆うように形成する工程と、レジストを除去する工程と、を有する。金属部材は、例えば蒸着法やスパッタリング法等により形成する。また、金属膜６に開口部６０を形成する工程は、半導体部１間も含めて金属部材を形成する工程と、金属部材の一部を除去し開口部６０を形成する工程と、により形成してもよい。金属部材の除去は、例えばエッチングなどにより行う。なお、金属膜６と接続部３４とが同じ金属材料を含む場合においては、接続部３４の形成に併せて金属膜６を形成してよい。 The opening 60 formed in the metal film 6 can be provided by a patterning process. The opening 60 may be formed using a patterning technique such as photolithography and a lift-off method. For example, in the case of the lift-off method, the process of forming the opening 60 in the metal film 6 includes a process of forming a resist at the location where the opening 60 is to be formed, a process of forming a metal member so as to cover the resist, and a process of removing the resist. The metal member is formed by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. The process of forming the opening 60 in the metal film 6 may also include a process of forming a metal member including between the semiconductor parts 1, and a process of removing a part of the metal member to form the opening 60. The metal member is removed by, for example, etching. In addition, when the metal film 6 and the connection part 34 contain the same metal material, the metal film 6 may be formed in conjunction with the formation of the connection part 34.

金属膜６の開口部６０の幅は、半導体部１間の距離よりも小さくなっていることが好ましい。開口部６０の幅は、例えば５０μｍ以上９０μｍ以下である。 The width of the opening 60 in the metal film 6 is preferably smaller than the distance between the semiconductor portions 1. The width of the opening 60 is, for example, 50 μm or more and 90 μm or less.

本実施形態に係る製造方法において、レーザー光Ｌの照射による金属部分３の除去後に行う支持基板２の割断は、機械的手段を用いてよい。例えば、支持基板２を割断する工程において、支持基板２をダイシングブレード７０によって割断する。このようなダイシングブレード７０を用いた支持基板２の割断工程を金属部分３を除去した後に行うことによって、所望の個片化を達成し易くなる。即ち、支持基板２のクラックやチッピング等を抑えて支持基板２を個片化できる。仮に金属部分３及び支持基板２をダイシングブレードなどの機械的手段により個片化すると、支持基板２にクラックやチッピング等が生じやすいが、分割領域上の金属部分３を除去した後、支持基板２を割断することでそのような不都合な事象を回避できる。 In the manufacturing method according to this embodiment, the support substrate 2 may be cleaved by mechanical means after the metal portion 3 is removed by irradiation with laser light L. For example, in the step of cleaving the support substrate 2, the support substrate 2 is cleaved by a dicing blade 70. By performing the cleaving step of the support substrate 2 using the dicing blade 70 after removing the metal portion 3, it becomes easier to achieve the desired singulation. In other words, the support substrate 2 can be diced while suppressing cracks and chipping of the support substrate 2. If the metal portion 3 and the support substrate 2 are diced by mechanical means such as a dicing blade, cracks and chipping are likely to occur in the support substrate 2, but such inconveniences can be avoided by cleaving the support substrate 2 after removing the metal portion 3 on the division area.

本実施形態に係る製造方法では、上述したように、半導体ウエハ１００’の個片化に際してレーザー光Ｌに起因する熱の影響が減じられる。つまり、レーザー照射時においてレーザー光照射箇所から生じる熱は半導体部１の側面１ａへと伝搬しにくくなっている。よって、本実施形態に係る製造方法は、得られる半導体装置１００でリーク電流の発生が抑制され、その点で歩留まり向上に寄与し得る。また、レーザー光Ｌの照射箇所の熱が半導体部１へと伝搬することが抑制されることは、出力エネルギーがより高いレーザー光Ｌの照射でもって金属部分３の除去を実施できることを意味している。したがって、本実施形態に係る製造方法は、より短時間で個片化工程を実施でき、半導体装置１００の製造効率が向上し得る。 As described above, in the manufacturing method according to this embodiment, the influence of heat caused by the laser light L during the singulation of the semiconductor wafer 100' is reduced. In other words, the heat generated from the laser light irradiated area during laser irradiation is less likely to propagate to the side surface 1a of the semiconductor portion 1. Therefore, the manufacturing method according to this embodiment suppresses the generation of leakage current in the obtained semiconductor device 100, which can contribute to improving the yield. In addition, suppressing the propagation of heat at the irradiated area of the laser light L to the semiconductor portion 1 means that the metal portion 3 can be removed by irradiating the laser light L with a higher output energy. Therefore, the manufacturing method according to this embodiment can perform the singulation process in a shorter time, and the manufacturing efficiency of the semiconductor device 100 can be improved.

半導体部１への熱伝搬が抑制されることで、半導体部１との距離が比較的近い箇所が分割領域となる場合であってもレーザー光Ｌにより金属部分３を除去する工程を好適に実施することができる。例えば、図２Ａの断面視に示されるように、本実施形態に係る製造方法は、分割領域のなかでも接続部３４が位置しておらず、半導体部１との距離が比較的近くなる分割領域Ｐに対してもレーザー光Ｌにより金属部分３を除去する工程を好適に実施できる。 By suppressing the heat transfer to the semiconductor part 1, the process of removing the metal part 3 with the laser light L can be preferably carried out even in the case where the dividing region is a location that is relatively close to the semiconductor part 1. For example, as shown in the cross-sectional view of FIG. 2A, the manufacturing method according to this embodiment can preferably carry out the process of removing the metal part 3 with the laser light L even in the dividing region P where the connection part 34 is not located and the semiconductor part 1 is relatively close.

本実施形態に係る製造方法により得られる半導体装置１００は、半導体部１の側面１ａに金属膜６を備えている。したがって、かかる半導体装置１００を発光装置として用いる場合、半導体部１の側面１ａの金属膜６が光取り出し効率の向上に有効に寄与し得る。具体的には、半導体装置１００において半導体部１の上面は光取り出し面になり得るところ、半導体部１の発光層１３で生じた光が金属膜６によって半導体部１の側面１ａから出射されにくくなり、半導体部１の上面側から出射されやすくなる。このように発光層１３からの光が半導体部１の上面側から取り出されやすくなることで光取り出し効率が向上された発光装置とすることができる。 The semiconductor device 100 obtained by the manufacturing method according to this embodiment has a metal film 6 on the side surface 1a of the semiconductor part 1. Therefore, when the semiconductor device 100 is used as a light emitting device, the metal film 6 on the side surface 1a of the semiconductor part 1 can effectively contribute to improving the light extraction efficiency. Specifically, in the semiconductor device 100, the upper surface of the semiconductor part 1 can be a light extraction surface, and the metal film 6 makes it difficult for light generated in the light emitting layer 13 of the semiconductor part 1 to be emitted from the side surface 1a of the semiconductor part 1, and makes it easier for it to be emitted from the upper surface side of the semiconductor part 1. In this way, the light from the light emitting layer 13 can be easily extracted from the upper surface side of the semiconductor part 1, resulting in a light emitting device with improved light extraction efficiency.

本発明の製造方法は、種々の態様で具現化され得る。 The manufacturing method of the present invention can be embodied in a variety of ways.

（他の態様１）
本態様は、図４に示すように、金属膜６が半導体部１の上面にまで及ぶように形成されている態様である。本態様では、金属膜６は、半導体部１の側面１ａと、半導体部１の上面１ｂとに連続して設けられている。つまり、本態様は、半導体ウエハ１００’の断面視において、図１に示す金属膜６が側面１ａにのみ設けられている態様でなく、金属膜６が側面１ａと半導体部１の上面１ｂと設けられている態様である。 (Another aspect 1)
4, the present embodiment is an embodiment in which the metal film 6 is formed so as to extend to the upper surface of the semiconductor portion 1. In this embodiment, the metal film 6 is provided continuously on the side surface 1a and the upper surface 1b of the semiconductor portion 1. In other words, this embodiment is an embodiment in which, in a cross-sectional view of the semiconductor wafer 100′, the metal film 6 is provided on the side surface 1a and the upper surface 1b of the semiconductor portion 1, rather than the embodiment in which the metal film 6 is provided only on the side surface 1a as shown in FIG.

金属膜６が半導体部１の上面１ｂにまで及んでいる半導体ウエハ１００’を個片化すると、より高い輝度を有する発光装置を得ることができる。例えば、半導体部１の上面１ｂの周縁部分にまで至るように金属膜６を形成することで、発光層１３から半導体部１の上面１ｂに向かう光が、半導体部１の上面１ｂの周縁部分に形成した金属膜６で反射される。これにより、半導体部１の周縁部分以外の上面１ｂから光が主に取り出されやすくなり、高い輝度を備える発光装置とすることができる。 When the semiconductor wafer 100' in which the metal film 6 extends to the upper surface 1b of the semiconductor portion 1 is singulated, a light-emitting device with higher brightness can be obtained. For example, by forming the metal film 6 so that it extends to the peripheral portion of the upper surface 1b of the semiconductor portion 1, light traveling from the light-emitting layer 13 toward the upper surface 1b of the semiconductor portion 1 is reflected by the metal film 6 formed on the peripheral portion of the upper surface 1b of the semiconductor portion 1. This makes it easier for light to be mainly extracted from the upper surface 1b other than the peripheral portion of the semiconductor portion 1, resulting in a light-emitting device with high brightness.

なお、半導体部１の上面１ｂに設けられた絶縁膜５の表面に凹凸形状が形成されている場合、図４に示すように、金属膜６は絶縁膜５の凹凸形状の周縁に設けられてよい。 When an uneven shape is formed on the surface of the insulating film 5 provided on the upper surface 1b of the semiconductor part 1, the metal film 6 may be provided on the periphery of the uneven shape of the insulating film 5, as shown in FIG. 4.

（他の態様２）
本態様は、図５に示すように、金属膜６が第２領域３Ｂの一部にまで及ぶように形成されている態様である。本態様において、金属膜６は、半導体部１の側面１ａと、上面視において第２領域３Ｂの一部に重なる部分とに連続して設けられている。つまり、半導体ウエハ１００’の断面視において、金属膜６が半導体部１の側面１ａと、隣り合う半導体部１間の領域の一部とに設けられている。 (Another aspect 2)
5, the metal film 6 is formed to extend to a part of the second region 3B. In the present embodiment, the metal film 6 is provided continuously on the side surface 1a of the semiconductor portion 1 and on a portion that overlaps with a part of the second region 3B in a top view. In other words, in a cross-sectional view of the semiconductor wafer 100', the metal film 6 is provided on the side surface 1a of the semiconductor portion 1 and on a part of a region between adjacent semiconductor portions 1.

このように半導体部１の間の領域にまで及ぶ金属膜６を設けることで、金属膜６と第２領域３Ｂとの密着性向上に寄与し得るので、金属膜６の剥がれなどが抑制される。 Providing the metal film 6 so as to extend to the region between the semiconductor portions 1 in this manner can contribute to improving the adhesion between the metal film 6 and the second region 3B, thereby suppressing peeling of the metal film 6, etc.

（他の態様３）
本態様は、図６に示すように、金属膜６が半導体部１の上面と第２領域３Ｂの一部にまで及ぶように形成されている態様である。このような構造により、上述した他の態様１、２による効果をそれぞれ得ることができる。 (Other Aspect 3)
6, in this embodiment, the metal film 6 is formed so as to extend to the upper surface of the semiconductor portion 1 and a part of the second region 3B. With this structure, it is possible to obtain the effects of the other embodiments 1 and 2 described above.

本発明の効果を確認するため、評価試験を行った。 An evaluation test was conducted to confirm the effectiveness of this invention.

複数の半導体部１を有する半導体ウエハを準備し、以下の３つの形態について、レーザー光Ｌの照射により分割領域となる金属部分３を除去する処理を行い、各半導体部１におけるリーク電流Ｉｒの発生頻度を調べた。

比較例１：半導体部１の側面１ａに設けられた絶縁膜５に対して金属膜６を設けない形態。
比較例２：半導体部１の側面１ａに設けられた絶縁膜５に対してのみならず、半導体部１の間にも金属膜６’を形成した形態。即ち、半導体部１の間に位置する開口部６０を金属膜６に設けない形態。
実施例１：半導体部１の側面１ａに設けられた絶縁膜５と、半導体部１の間の一部に金属膜６を形成した形態。即ち、半導体部１の間に位置する開口部６０を金属膜６に設けた形態。 A semiconductor wafer having a plurality of semiconductor portions 1 was prepared, and a process of removing the metal portions 3 that would become dividing regions by irradiating them with laser light L was performed for the following three forms, and the frequency of occurrence of leakage current Ir in each semiconductor portion 1 was investigated.

Comparative Example 1 : A configuration in which the metal film 6 is not provided on the insulating film 5 provided on the side surface 1 a of the semiconductor portion 1 .
Comparative Example 2 : A configuration in which a metal film 6′ is formed not only on the insulating film 5 provided on the side surface 1a of the semiconductor portion 1 but also between the semiconductor portions 1. In other words, a configuration in which the openings 60 located between the semiconductor portions 1 are not provided in the metal film 6.
Example 1 : A configuration in which an insulating film 5 is provided on the side surface 1a of a semiconductor portion 1, and a metal film 6 is formed in a part between the semiconductor portion 1. That is, an opening 60 located between the semiconductor portions 1 is provided in the metal film 6.

各形態の仕様および試験条件は以下の通りである。
各形態の仕様
・絶縁膜５：ＳｉＯ２ 膜厚：約０．８μｍ
・金属膜６、６’：Ａｌ 膜厚：約１．１５μｍ

レーザー光照射の条件
・レーザー光Ｌの波長：３５５ｎｍ
・レーザ－光Ｌの出力：３．６５Ｗ

リーク電流Ｉｒの確認
・印加電圧：５Ｖ

リーク電流Ｉｒの確認に際しては、レーザー光Ｌを照射する工程の前後におけるリーク電流Ｉｒを測定しリーク電流Ｉｒの増減を確認した。 The specifications and test conditions for each configuration are as follows:
Specifications for each model
Insulating film 5: SiO2 Film thickness: about 0.8 μm
Metal films 6, 6': Al Film thickness: about 1.15 μm

Laser light irradiation conditions
・Wavelength of laser light L: 355 nm
・Laser light L output: 3.65 W

Checking the leakage current Ir
Applied voltage: 5V

In checking the leakage current Ir, the leakage current Ir was measured before and after the step of irradiating the laser light L, and an increase or decrease in the leakage current Ir was confirmed.

上記比較例１、２、及び実施例１の測定結果を図７Ａおよび図７Ｂに示す。図７Ａは、レーザー光Ｌを照射する前の比較例１、２、及び実施例１の形態におけるリーク電流Ｉｒをそれぞれ測定し、リーク電流Ｉｒの値ごとの発生頻度を示した図である。図７Ｂは、レーザー光Ｌを照射した後の比較例１、２、及び実施例１の形態におけるリーク電流Ｉｒをそれぞれ測定し、リーク電流Ｉｒの値ごとの発生頻度を示した図である。図７Ａおよび図７Ｂのグラフから分かるように、レーザー光Ｌを照射した後において、比較例１および２では、０．１μＡ以上のリーク電流Ｉｒが発生する頻度がレーザー光Ｌを照射する前よりも増加している。一方、実施例１では０．１μＡ以上のリーク電流Ｉｒは発生していないことがわかる。実施例１では、初期測定ＮＧの半導体部１を除き、全ての半導体部１においてリーク電流Ｉｒの値が実質的に発生しないとみなせる０．１μＡ未満であった。また、レーザー光Ｌを照射した後において、初期測定ＮＧが発生する頻度も実施例１の方が比較例１および２よりも抑制された結果となった。なお、図７Ａに示す「初期測定ＮＧ」とは、レーザー光Ｌを照射する前から電気特性がＮＧと判断された半導体部１のことである。また、図７Ｂに示す「初期測定ＮＧ」とは、レーザー光Ｌを照射した後で電気特性がＮＧと判断された半導体部１のことである。 7A and 7B show the measurement results of the above-mentioned Comparative Examples 1 and 2, and Example 1. FIG. 7A is a diagram showing the frequency of occurrence for each value of the leakage current Ir, obtained by measuring the leakage current Ir in the forms of Comparative Examples 1 and 2, and Example 1 before irradiation with the laser light L. FIG. 7B is a diagram showing the frequency of occurrence for each value of the leakage current Ir, obtained by measuring the leakage current Ir in the forms of Comparative Examples 1 and 2, and Example 1 after irradiation with the laser light L. As can be seen from the graphs of FIG. 7A and FIG. 7B, after irradiation with the laser light L, the frequency of occurrence of a leakage current Ir of 0.1 μA or more is increased in Comparative Examples 1 and 2 compared to before irradiation with the laser light L. On the other hand, it can be seen that a leakage current Ir of 0.1 μA or more does not occur in Example 1. In Example 1, the value of the leakage current Ir was less than 0.1 μA, which can be considered to be substantially not generated, in all semiconductor parts 1 except for the semiconductor part 1 with the initial measurement NG. Furthermore, after irradiation with the laser light L, the frequency of occurrence of initial measurement NG was reduced in Example 1 compared to Comparative Examples 1 and 2. Note that "initial measurement NG" in FIG. 7A refers to the semiconductor part 1 whose electrical characteristics were determined to be NG even before irradiation with the laser light L. Also, "initial measurement NG" in FIG. 7B refers to the semiconductor part 1 whose electrical characteristics were determined to be NG after irradiation with the laser light L.

本発明の一実施形態に係る製造方法のように、半導体部１の間に位置する金属膜６の開口部６０を介してレーザー光Ｌを照射することで、半導体部１や半導体部１上の絶縁膜５へのダメージを低減できることを確認できた。 As in the manufacturing method according to one embodiment of the present invention, it was confirmed that damage to the semiconductor portion 1 and the insulating film 5 on the semiconductor portion 1 can be reduced by irradiating the laser light L through the opening 60 in the metal film 6 located between the semiconductor portions 1.

以上、本発明の実施形態及び実施例を説明したが、開示内容は構成の細部において変化してもよく、実施形態及び実施例における要素の組合せや順序の変化等は請求された本発明の範囲および思想を逸脱することなく実現し得るものである。 Although the embodiments and examples of the present invention have been described above, the disclosed contents may vary in the details of the configuration, and the combination and order of elements in the embodiments and examples may be changed without departing from the scope and concept of the claimed invention.

例えば、半導体ウエハにおいて、半導体部１の側面１ａを覆う絶縁膜５は、分割領域にまで設けられてもよい。かかる場合、金属膜６の開口部６０を介したレーザー光Ｌの照射に際しては、分割領域に位置する絶縁膜が除去されることになる。例えば、金属部分３の第２領域３Ｂにおいて、半導体部１の側面１ａを覆う絶縁膜５から延在する絶縁層が含まれていてよく、レーザー光Ｌで金属部分３を除去するときに、かかる絶縁層の一部も他の金属層と共に除去されてよい。 For example, in a semiconductor wafer, the insulating film 5 covering the side surface 1a of the semiconductor portion 1 may be provided up to the division region. In such a case, when the laser light L is irradiated through the opening 60 of the metal film 6, the insulating film located in the division region is removed. For example, the second region 3B of the metal portion 3 may include an insulating layer extending from the insulating film 5 covering the side surface 1a of the semiconductor portion 1, and when the metal portion 3 is removed with the laser light L, a part of this insulating layer may also be removed together with the other metal layers.

また、半導体部１の側面１ａを覆う絶縁膜５は、半導体部１の上面１ｂを覆うように設けられていてよい（図８参照）。かかる場合、半導体部１の上面１ｂに位置する絶縁膜５は、図示するように凹凸状に形成されていてもよい。半導体装置１００が発光装置として用いられる場合、凹凸状の絶縁膜５を形成することにより好適な光取り出しに資する。 The insulating film 5 covering the side surface 1a of the semiconductor part 1 may be provided so as to cover the upper surface 1b of the semiconductor part 1 (see FIG. 8). In such a case, the insulating film 5 located on the upper surface 1b of the semiconductor part 1 may be formed in an uneven shape as shown in the figure. When the semiconductor device 100 is used as a light emitting device, forming the insulating film 5 in an uneven shape contributes to suitable light extraction.

さらには、上記説明では、製造される半導体装置１００は、半導体部１から光が出射される発光装置について主に説明したが、本発明は必ずしもそれに限定されない。本発明の技術は、受光素子や増幅素子等の他の半導体装置にも同様に適用することができる。 Furthermore, in the above description, the semiconductor device 100 to be manufactured has been mainly described as a light-emitting device in which light is emitted from the semiconductor portion 1, but the present invention is not necessarily limited thereto. The technology of the present invention can be similarly applied to other semiconductor devices such as light-receiving elements and amplifying elements.

１ 半導体部
１ａ 半導体部の側面
１ａ１ 半導体部の側面
１ａ２ 半導体部の側面
１ｂ 半導体部の上面
１１ 第１半導体層
１２ 第２半導体層
１３ 発光層
２ 支持基板
２ａ 支持基板の裏面
２１ 裏面電極
３ 金属部分
３Ａ 金属部分の第１領域
３Ｂ 金属部分の第２領域
３１ 第１コンタクト電極
３２ 第２コンタクト電極
３３ 接合層
３４ 接続部
３５ 配線層
３６ 第１保護層
３７ 第２保護層
３８ 金属層
４ 発光素子
５ 絶縁膜
６ 金属膜
６’ 金属膜（参考例）
６０ 開口部
７０ ダイシングブレード
１００ 半導体装置
１００’ 半導体ウエハ
Ｈ 熱
Ｌ レーザー光
Ｐ 分割領域 1 Semiconductor portion 1a Side surface 1a of semiconductor portion 1 Side surface 1a of semiconductor portion 2 Side surface 1b of semiconductor portion Top surface 11 of semiconductor portion First semiconductor layer 12 Second semiconductor layer 13 Light emitting layer 2 Support substrate 2a Back surface 21 of support substrate Back surface electrode 3 Metal portion 3A First region 3B of metal portion Second region 31 of metal portion First contact electrode 32 Second contact electrode 33 Bonding layer 34 Connection portion 35 Wiring layer 36 First protective layer 37 Second protective layer 38 Metal layer 4 Light emitting element 5 Insulating film 6 Metal film 6' Metal film (reference example)
60 Opening 70 Dicing blade 100 Semiconductor device 100' Semiconductor wafer H Heat L Laser light P Dividing region

Claims (7)

複数の半導体部と、複数の前記半導体部を支持する支持基板と、前記半導体部の側面に設けられた絶縁膜と、前記半導体部と前記支持基板との間に設けられた第１領域と上面視において複数の前記半導体部の間における前記支持基板の上部に設けられた第２領域とを有する金属部分と、を備えた半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体部の側面に設けられた前記絶縁膜の少なくとも一部に形成され、前記第２領域の上部に開口部を有する金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の前記開口部を介してレーザー光を前記金属部分の前記第２領域に照射し、前記第２領域の一部を除去する工程と、
前記第２領域を除去した部分に沿って前記支持基板を割断する工程と、を備える半導体装置の製造方法。 A step of preparing a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor portions, a support substrate supporting the plurality of semiconductor portions, an insulating film provided on a side surface of the semiconductor portions, and a metal portion having a first region provided between the semiconductor portions and the support substrate and a second region provided on an upper portion of the support substrate between the plurality of semiconductor portions in a top view;
forming a metal film formed on at least a part of the insulating film provided on a side surface of the semiconductor portion, the metal film having an opening above the second region;
irradiating the second region of the metal portion with laser light through the opening of the metal film to remove a portion of the second region;
and breaking the supporting substrate along a portion from which the second region has been removed. 前記複数の半導体部のそれぞれは発光層を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein each of the plurality of semiconductor parts includes a light-emitting layer. 前記金属膜は、前記発光層からの光の波長及び前記レーザー光の波長に対して光反射性を有する金属材料からなる、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the metal film is made of a metal material that is optically reflective to the wavelength of the light from the light-emitting layer and the wavelength of the laser light. 前記金属膜は、前記半導体部の前記側面と、前記半導体部の上面とに連続して設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal film is provided continuously on the side surface of the semiconductor portion and on the top surface of the semiconductor portion. 前記金属膜は、前記半導体部の前記側面と、上面視において前記第２領域の一部に重なる部分とに連続して設けられている、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal film is provided continuously on the side surface of the semiconductor portion and on a portion that overlaps a portion of the second region in a top view. 前記金属膜の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, wherein the thickness of the metal film is 0.05 μm or more and 5 μm or less. 前記支持基板を割断する工程において、前記支持基板をダイシングブレードを用いて割断する、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 6, wherein in the step of cleaving the support substrate, the support substrate is cleaved using a dicing blade.
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