JP7480463B2 - 温度補償機能を有するバイアス回路及び増幅装置 - Google Patents
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Description
110 基準電流回路
200 パワー増幅回路
210 バイアス回路
211 電流生成回路
212 バイアス出力回路
230 温度補償回路
250 増幅回路
M20 出力トランジスタ
M30 補償トランジスタ
M50 増幅トランジスタ
Claims (16)
- 基準電流に基づいて内部ベース電流を生成するように構成され、前記基準電流の端子と接地との間に互いに接続された第1ダイオード及び第2ダイオードを含む、電流生成回路と、
前記内部ベース電流に基づいてベースバイアス電流を生成し、前記ベースバイアス電流を増幅回路に出力するように構成されたバイアス出力回路と、
周囲の温度変化が反映された温度電圧のレベルに応じて、前記内部ベース電流のうち接地にシンクされる電流を調節し、前記ベースバイアス電流を調節するように構成された温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードにおいて前記温度電圧を出力するようにさらに構成され、
前記内部ベース電流から接地にシンクされる電流は前記周囲の温度の上昇に反応して減少し、前記ベースバイアス電流は前記周囲の温度の上昇に反応して増加する、バイアス回路。 - 前記電流生成回路は、
前記基準電流の端子に一端が接続された第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端と第2抵抗の一端との間に直列に接続された前記第1ダイオード及び前記第2ダイオードと、
前記第2ダイオードと接地との間に接続された前記第2抵抗と、を含む、請求項1に記載のバイアス回路。 - 前記第2ダイオードは、
前記増幅回路に含まれる増幅トランジスタのベース-エミッタPN接合の温度特性と同一の温度特性を有する、請求項2に記載のバイアス回路。 - 前記バイアス出力回路は、
前記第1抵抗と前記第1ダイオードとの間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び出力端であるエミッタを有する出力トランジスタを含む、請求項2または3に記載のバイアス回路。 - 前記出力トランジスタは、
前記ベースに入力される前記内部ベース電流を増幅することで、前記ベースバイアス電流を前記エミッタを介して出力する、請求項4に記載のバイアス回路。 - 前記温度補償回路は、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードに接続された一端を有する第3抵抗と、
前記出力トランジスタのベースに接続された一端を有する第4抵抗と、
前記第3抵抗の他端に接続されたベース、前記第4抵抗の他端に接続されたコレクタ、及び接地に接続されたエミッタを有する補償トランジスタと、
前記補償トランジスタのベースと接地との間に接続された第1キャパシタと、を含み、
前記第4抵抗は、前記補償トランジスタのコレクタと前記出力トランジスタのベースとの間のアイソレーション機能を提供し、
前記第3抵抗及び前記第1キャパシタはローパスフィルターを形成する、請求項4または5に記載のバイアス回路。 - 基準電流に基づいて内部ベース電流を生成する電流生成回路と、
前記内部ベース電流を増幅することで、ベースバイアス電流を生成して増幅回路に出力するバイアス出力回路と、
周囲の温度変化が反映された温度電圧に基づいて前記ベースバイアス電流を調節する温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、
前記基準電流の端子に一端が接続された第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端と第2抵抗の一端との間に直列に接続された第1ダイオード及び第2ダイオードと、
前記第2ダイオードと接地との間に接続された前記第2抵抗と、を含み、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードにおいて前記温度電圧を出力し、
前記バイアス出力回路は、
前記第1抵抗と前記第1ダイオードとの間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び出力端であるエミッタを有する出力トランジスタを含み、
前記温度補償回路は、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードに接続された一端を有する第3抵抗と、
前記出力トランジスタのベースに接続された一端を有する第4抵抗と、
前記第3抵抗の他端に接続されたベース、前記第4抵抗の他端に接続されたコレクタ、及び接地に接続されたエミッタを有する補償トランジスタと、
前記補償トランジスタのベースと接地との間に接続された第1キャパシタと、を含み、
前記第4抵抗は、前記補償トランジスタのコレクタと前記出力トランジスタのベースとの間のアイソレーション機能を提供し、
前記第3抵抗及び前記第1キャパシタはローパスフィルターを形成する、バイアス回路。 - 前記補償トランジスタは、
前記温度電圧のレベルに応じて、前記内部ベース電流のうち接地にシンクされる電流を調節する、請求項7に記載のバイアス回路。 - 基準電流に基づいて内部ベース電流を生成するように構成され、前記基準電流の端子と接地との間に互いに接続された第1ダイオード及び第2ダイオードを含む、電流生成回路と、
前記内部ベース電流に基づいてベースバイアス電流を生成するように構成されたバイアス出力回路と、
前記ベースバイアス電流の供給を受けるように構成された増幅トランジスタを含む増幅回路と、
周囲の温度変化が反映された温度電圧のレベルに応じて、前記内部ベース電流のうち接地にシンクされる電流を調節し、前記ベースバイアス電流を調節するように構成された温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードにおいて前記温度電圧を出力するようにさらに構成され、
前記内部ベース電流からシンクする電流は前記周囲の温度の上昇に反応して減少し、前記ベースバイアス電流は前記周囲の温度の上昇に反応して増加する、増幅装置。 - 前記電流生成回路は、
前記基準電流の端子に一端が接続された第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端と第2抵抗の一端との間に直列に接続された前記第1ダイオード及び前記第2ダイオードと、
前記第2ダイオードと接地との間に接続された前記第2抵抗と、を含む、請求項9に記載の増幅装置。 - 前記第2ダイオードは、
前記増幅トランジスタのベース-エミッタPN接合の温度特性と同一の温度特性を有する、請求項10に記載の増幅装置。 - 前記バイアス出力回路は、
前記第1抵抗と前記第1ダイオードとの間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び出力端であるエミッタを有する出力トランジスタを含む、請求項10または11に記載の増幅装置。 - 前記出力トランジスタは、
前記ベースに入力される前記内部ベース電流を増幅することで、前記ベースバイアス電流を前記エミッタを介して出力する、請求項12に記載の増幅装置。 - 前記温度補償回路は、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードに接続された一端を有する第3抵抗と、
前記出力トランジスタのベースに接続された一端を有する第4抵抗と、
前記第3抵抗の他端に接続されたベース、前記第4抵抗の他端に接続されたコレクタ、及び接地に接続されたエミッタを有する補償トランジスタと、
前記補償トランジスタのベースと接地との間に接続された第1キャパシタと、を含み、
前記第4抵抗は、前記補償トランジスタのコレクタと前記出力トランジスタのベースとの間のアイソレーション機能を提供し、
前記第3抵抗及び前記第1キャパシタはローパスフィルターを形成する、請求項12または13に記載の増幅装置。 - 基準電流に基づいて内部ベース電流を生成する電流生成回路と、
前記内部ベース電流を増幅することで、ベースバイアス電流を生成するバイアス出力回路と、
前記ベースバイアス電流の供給を受ける増幅トランジスタを含む増幅回路と、
周囲の温度変化が反映された温度電圧に基づいて前記ベースバイアス電流を調節する温度補償回路と、を含み、
前記電流生成回路は、
前記基準電流の端子に一端が接続された第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端と第2抵抗の一端との間に直列に接続された第1ダイオード及び第2ダイオードと、
前記第2ダイオードと接地との間に接続された前記第2抵抗と、を含み、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードにおいて前記温度電圧を出力し、
前記バイアス出力回路は、
前記第1抵抗と前記第1ダイオードとの間の第1接続ノードに接続されたベース、電源電圧の端子に接続されたコレクタ、及び出力端であるエミッタを有する出力トランジスタを含み、
前記温度補償回路は、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間の接続ノードに接続された一端を有する第3抵抗と、
前記出力トランジスタのベースに接続された一端を有する第4抵抗と、
前記第3抵抗の他端に接続されたベース、前記第4抵抗の他端に接続されたコレクタ、及び接地に接続されたエミッタを有する補償トランジスタと、
前記補償トランジスタのベースと接地との間に接続された第1キャパシタと、を含み、
前記第4抵抗は、前記補償トランジスタのコレクタと前記出力トランジスタのベースとの間のアイソレーション機能を提供し、
前記第3抵抗及び前記第1キャパシタはローパスフィルターを形成する、増幅装置。 - 前記補償トランジスタは、
前記温度電圧のレベルに応じて、前記内部ベース電流のうち接地にシンクされる電流を調節する、請求項15に記載の増幅装置。
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