JP7475560B1 - 受光素子検査装置及び受光素子検査方法 - Google Patents

受光素子検査装置及び受光素子検査方法 Download PDF

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Abstract

本開示の受光素子検査装置は、裏面入射型受光素子(110)を検査する受光素子検査装置(500)であって、少なくとも裏面入射型受光素子(110)を載置する素子載置部位(111)を含む領域がレーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージ(102)と、素子載置部位(111)の表面及び測定用ステージ(102)の裏面側で素子載置部位(111)に対向する部位の表面にそれぞれ形成された反射防止膜(115a、115b)と、レーザ光を出射し、CW光とパルス光のいずれかを選択可能な光源部(300)と、一端が光源部(300)に接続され、レーザ光を導波し、他端から素子載置部位(111)に対向する部位に向かってレーザ光を出射する光ファイバ部(125)と、を備える。

Description

本開示は、受光素子検査装置及び受光素子検査方法に関する。
受光素子を検査する装置及び方法として、例えば、特許文献1に記載の受光素子検査装置では、フォトダイオードの光感度を測定するに際して、ウェハテスタに複数のフォトダイオードが載置された半導体ウェハをセットし、レーザヘッドからのレーザ光を単一のフォトダイオードに対して照射して、このときの出力電圧に基づき光感度値を算出していた。
また、特許文献1とは異なる受光素子検査装置では、裏面入射型受光素子をサブマウントにフリップチップ実装した状態で検査を実施していた。
特開2006-324588号公報
特許文献1に記載の受光素子検査装置では、半導体ウェハ単位で測定するので、測定に際して受光素子の周辺回路の影響が考慮されていなかった。
裏面入射型受光素子をサブマウントにフリップチップ実装した状態で検査する受光素子検査方法では、裏面入射型受光素子の素子特性を測定するために事前に裏面入射型受光素子をフリップチップ実装する必要があった。すなわち、フリップチップ実装する前の裏面入射型受光素子単体の状態では、素子特性を測定できないという問題があった。
本開示は上記のような問題点を解消するためになされたもので、裏面入射型受光素子単体の素子特性を精度良く検査することが可能な受光素子検査装置及び受光素子検査方法を得ることを目的とする。
本開示による受光素子検査装置は、
裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査装置であって、
前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置する素子載置部位を含む領域が前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージと、
前記素子載置部位の表面及び前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位の表面にそれぞれ形成され、前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜と、
前記レーザ光を前記裏面入射型受光素子の裏面側に設けられた受光面に出射し、前記レーザ光のCW光とパルス光のいずれかを選択可能な光源部と、
一端が前記光源部に接続され、前記レーザ光を導波し、他端から前記素子載置部位に対向する部位に向かって前記レーザ光を出射する光ファイバ部と、を備え
前記光ファイバ部の他端は、光軸方向に対して予め設定された角度で傾斜している斜め研磨面であり、
前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位はレンズ形状を呈していることを特徴とする
本開示による受光素子検査方法は、
裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査方法であって、
前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージで、表面側及び裏面側に前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜がそれぞれ形成された素子載置部位に前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置するステップと、
光源部から出射した前記レーザ光を、光ファイバ部を介して前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位に向かって出射するステップと、
前記裏面入射型受光素子の表面側にプローブを接触させて、前記裏面入射型受光素子の素子特性を測定するステップと、を備え
偏波保存タイプの光ファイバからなる前記光ファイバ部を、光軸方向を中心として回転させることにより偏波方向を回転させたレーザ光を出射して、前記裏面入射型受光素子の素子特性の偏波依存性を測定することを特徴とする
本開示による受光素子検査装置及び受光素子検査方法によれば、裏面入射型受光素子単体での検査が可能となり、裏面入射型受光素子の素子特性検査前に組み立てする必要が無くなるので、裏面入射型受光素子を最終製品に組み込む前に、最終製品と同一条件での検査が可能となるという効果を奏する。
実施の形態1に係る受光素子検査装置の概観図である。 実施の形態2に係る受光素子検査装置の概観図である。 実施の形態3に係る受光素子検査装置の概観図である。 実施の形態4に係る受光素子検査装置の概観図である。 実施の形態5に係る受光素子検査装置の概観図である。 実施の形態6に係る受光素子検査装置の概観図である。 実施の形態6に係る受光素子検査装置の測定用ステージの上面図である。
実施の形態1.
<実施の形態1に係る受光素子検査装置の構成>
図1は、実施の形態1に係る受光素子検査装置500の概観図である。受光素子検査装置500は、検査部100と、電源部200と、光源部300と、を備える。
受光素子検査装置500は、特に、裏面入射型受光素子110の測定に適しているが、裏面入射型受光素子110以外の受光素子についても測定可能である。
<検査部の構成>
検査部100は、測定用ステージ102と、測定用ステージ102を支持する複数本からなる測定用ステージ脚102aと、裏面入射型受光素子110に接触して測定用の電流を流すプローブ105と、測定用ステージ102の裏面側に設置され、光源部300から出射されたレーザ光を導波し、先端がレンズ形状に加工されたレンズ部126を有する光ファイバ部125と、光ファイバ部125を3次元方向に移動させるXYZステージ130と、を備える。
測定用ステージ102の上面(以下、表面と呼び、上面とは反対側の面を裏面と呼ぶ)において、少なくとも裏面入射型受光素子110の測定の際に裏面入射型受光素子110を載置する部位(以下、素子載置部位111と呼ぶ)を含む領域は、光源部300から出射されるレーザ光に対して透明な部材(以下、透明部材と呼ぶ)で構成されている。なお、測定用ステージ102の全体が、透明部材で構成されても良い。
測定用ステージ102の素子載置部位111の表面には、反射防止膜115aが形成されている。また、測定用ステージ102の裏面側で素子載置部位111に対向する部位の表面には反射防止膜115bが形成されている。なお、測定用ステージ102の表面が反射防止膜115aの表面と一致するように、反射防止膜115aを、測定用ステージ102を構成する透明部材に埋め込んでも良い。また、測定用ステージ102の裏面が反射防止膜115bの表面と一致するように、反射防止膜115bを、測定用ステージ102を構成する透明部材に埋め込んでも良い。反射防止膜115a及び反射防止膜115bはレーザ光の反射を防止する機能を有する。
光ファイバ部125の先端に設けられたレンズ部126は、光ファイバ部125内で導波されたレーザ光を、測定用ステージ102上に載置された裏面入射型受光素子110の受光面に集光するために設けられている。レーザ光の集光に際しては、XYZステージ130を用いて光ファイバ部125を3次元方向に移動させることにより、レンズ部126の焦点が裏面入射型受光素子110の裏面側に設けられた受光面(図示せず)に一致するように調整する。
実施の形態1に係る受光素子検査装置500では、測定対象である裏面入射型受光素子110を、測定用ステージ102とほぼ同一平面上となるように設けられている素子載置部位111上に載置する。したがって、レンズ部126から出射されたレーザ光は、裏面入射型受光素子110の裏面にほほ垂直方向から入射するので、裏面入射型受光素子110の裏面によってレーザ光の一部が反射され、裏面入射型受光素子110へのレーザ光の入力が低減したり、レーザ光の多重反射が発生するおそれがある。したがって、素子載置部位111に反射防止膜115a及び測定用ステージ102の裏面側で素子載置部位111に対向する部位の表面に反射防止膜115bをそれぞれ形成することにより、裏面入射型受光素子110の裏面によるレーザ光の反射を防止している。
<電源部の構成>
電源部200は、電源201と、電源201の出力端子Vpd側に接続された第1電気スイッチ202と、ポイントB1と第1電気スイッチ202の出力側の電気配線の間に配置された可変抵抗203と、電源201の接地端子GND側に接続された容量可変バイパスコンデンサ204と、出力端子Vpdと接地端子GNDの間に配置された第2電気スイッチ205とを備える。出力端子Vpdと接地端子GNDは、それぞれプローブ105に接続される。
第1電気スイッチ202は、ポイントA1とポイントB1のいずれかに接続することにより、出力端子Vpdに直列に接続された可変抵抗203がある場合と無い場合を選択することが可能である。また、第2電気スイッチ205は、ポイントA2とポイントB2のいずれかに接続することにより、接地端子GNDに直列に接続された容量可変バイパスコンデンサ204がある場合と無い場合を選択することが可能である。
<光源部の構成>
光源部300は、DFB-LDによって構成されレーザ光を出射する光源304と、光源304の温度を一定に温度制御するペルチェ素子303及び温度コントローラ301と、光源304から出射するレーザ光に対してCW光またはパルス光を発生するように制御するファンクションジェネレータ302と、光源304と光配線で接続された光スイッチ305と、光スイッチ305に接続された光アッテネータ306と、光スイッチ305からのレーザ光及び光アッテネータ306からのレーザ光を選択する光スイッチ307と、を備える。
光スイッチ305は、経路Cまたは経路Dのいずれかを選択することにより、レーザ光が光アッテネータ306を経由するか否かを選択する。光アッテネータ306は、光ファイバ部125から出力される光のパワーを測定前に事前にモニターする。また、光アッテネータ306では、入力されたレーザ光を所望の減衰量に設定することが可能である。
光源部300から出射されたレーザ光は、光配線を介して、検査部100の光ファイバ部125に入力する。
<実施の形態1に係る受光素子検査方法>
実施の形態1に係る受光素子検査方法について、以下に説明する。
測定対象である裏面入射型受光素子110を、測定用ステージ102の素子載置部位111に載置する。載置の際は、裏面入射型受光素子110の裏面側、つまり受光面が設けられている側を、素子載置部位111の上に載置する。
温度コントローラ301によってペルチェ素子303を駆動して、光源304であるDFB-LDを所望の一定温度に制御する。
DFB-LDから出射されたレーザ光は、経路Cを選択した場合は光スイッチ305及び光スイッチ307を経由して検査部100にレーザ光を出射し、経路Dを選択した場合は、光スイッチ305、光アッテネータ306及び光スイッチ307を経由して検査部100にレーザ光を出射する。
光ファイバ部125に導波されたレーザ光は、光ファイバ部125の先端に設けられたレンズ部126によって集光されて、測定用ステージ102の素子載置部位111に載置された裏面入射型受光素子110の裏面側に設けられた受光面に集光する。
レーザ光の集光に際しては、XYZステージ130を用いて光ファイバ部125を3次元方向に移動させることにより、レンズ部126の焦点が裏面入射型受光素子110の受光面となるように、測定前に事前に調整する。
測定用ステージ102の素子載置部位111上の裏面入射型受光素子110の表面側にプローブ105を接触させて、レーザ光を受光している裏面入射型受光素子110の各種の素子特性を測定する。
電源部200において、第1電気スイッチ202がポイントA1及び第2電気スイッチ205がポイントA2をそれぞれ選択し、光源部300において光スイッチ305が経路Cを選択することにより、可変抵抗203及び容量可変バイパスコンデンサ204が無い場合の電気配線を用いて、CW光のレーザ光を用いて、裏面入射型受光素子110の基本的な素子特性を取得する。
電源部200において、第1電気スイッチ202がポイントB1及び第2電気スイッチ205がポイントB2をそれぞれ選択し、光源部300において光スイッチ305が経路Dを選択することにより、可変抵抗203及び容量可変バイパスコンデンサ204が有る場合の電気配線を用いて、パルス光のレーザ光を用いて、裏面入射型受光素子110の基本的な素子特性を取得する。可変抵抗203の抵抗値及び容量可変バイパスコンデンサ204の容量を適宜調整することにより、顧客の使用条件に合致した素子特性を取得することが可能である。
顧客の使用条件に合わせてレンズ部126のデフォーカス量を変え、要求されたCW光またはパルス光を裏面入射型受光素子110に入射させて、光入力時の過渡応答など、顧客の使用状況を考慮した検査を実施しても良い。また、裏面入射型受光素子110の光の耐過入力試験を行う場合は、光スイッチ305により経路Cを選択して、光アッテネータ306を経由しない光配線を用いて、裏面入射型受光素子110の検査を実施しても良い。
<実施の形態1の効果>
以上、実施の形態1に係る受光素子検査装置及び受光素子検査方法によると、裏面入射型受光素子の特性検査前の組み立てが不要であり、裏面入射型受光素子の単体で各種の素子特性の検査が可能となる効果を奏する。したがって、最終製品に組み込む前に、裏面入射型受光素子の選別が可能となり、また、裏面入射型受光素子の単体で測定するので、サブマウントの寄生容量の影響が無く、素子単体の素子特性を評価することが可能となる効果を奏する。さらに、最終製品に組み込む前に、最終製品と同一条件での検査が可能となる効果を奏する。また、実施の形態1に係る受光素子検査装置及び受光素子検査方法によると、素子載置部位の表面及び測定用ステージの裏面側で素子載置部位に対向する部位の表面にそれぞれ反射防止膜が形成されているので、レーザ光の多重反射に起因する戻り光の発生を一層効率よく防止することが可能となるという効果を奏する。
実施の形態2.
図2は、実施の形態2に係る受光素子検査装置500aの概観図である。受光素子検査装置500aは、検査部100aと、電源部200と、光源部300と、を備える。
受光素子検査装置500aは、特に、裏面入射型受光素子110の測定に適しているが、裏面入射型受光素子110以外の受光素子についても測定可能である。
実施の形態2に係る受光素子検査装置500aの電源部200及び光源部300は、実施の形態1のものと同一であり、検査部のみが相違する。したがって、以下では、実施の形態2に係る受光素子検査装置500aの検査部100aについてのみ説明する。
<検査部の構成>
検査部100aは、測定用ステージ102と、測定用ステージ102を支持する複数本からなる測定用ステージ脚102aと、裏面入射型受光素子110に接触して測定用の電流を流すプローブ105と、測定用ステージ102の裏面側に設置され、光源部300から出射されたレーザ光を導波し、先端がレンズ形状に加工されたレンズ部126を有する光ファイバ部125と、光ファイバ部125を3次元方向に移動させるXYZステージ130と、を備える。
測定用ステージ102において、少なくとも裏面入射型受光素子110の測定の際に裏面入射型受光素子110を載置する素子載置部位111aを含む領域は、光源部300から出射されるレーザ光に対して透明部材で構成されている。なお、測定用ステージ102の全体が、透明部材で構成されても良い。
測定用ステージ102の素子載置部位111aには測定用ステージ102の表面に対して予め設定された角度で傾斜した傾斜面が設けられている。つまり、測定用ステージ102の表面側に設けられた素子載置部位111aは、測定用ステージ102の表面に対して予め設定された角度で傾斜している傾斜面であると言える。この傾斜面上に反射防止膜115aが形成されている。図2に示すように、反射防止膜115aの一端が測定用ステージ102の表面と同じ高さに位置し、反射防止膜115aの他端は測定用ステージ102の表面から内部側に位置している。
測定用ステージ102の傾斜面からなる素子載置部位111aと対向する裏面側には、反射防止膜115bが形成されている。測定用ステージ102の裏面が反射防止膜115bの表面と一致するように、測定用ステージ102を構成する透明部材に反射防止膜115bを埋め込んでも良い。
実施の形態2に係る受光素子検査装置500aでは、光ファイバ部125の先端に設けられたレンズ部126から出射されたレーザ光を、測定用ステージ102上に載置された裏面入射型受光素子110の受光面に集光する際に、レーザ光の多重反射を防止することが可能である。
上述した実施の形態1に係る受光素子検査装置500では、素子載置部位111に形成された反射防止膜115a、及び測定用ステージ102の裏面側で素子載置部位111に対向する部位に形成された反射防止膜115bによって、裏面入射型受光素子110の裏面によるレーザ光の多重反射を防止しているものの、反射による戻り光を完全に防止できないおそれがあった。そこで、実施の形態2に係る受光素子検査装置500aでは、傾斜面からなる素子載置部位111aを設けることにより、多重反射に起因する戻り光の発生を一層効率よく防止することが可能となる。
<実施の形態2の効果>
以上、実施の形態2に係る受光素子検査装置によると、測定用ステージの表面側に傾斜面からなる素子載置部位を設けることにより、レーザ光の多重反射に起因する戻り光の発生を一層効率よく防止することが可能となるという効果を奏する。
実施の形態3.
図3は、実施の形態3に係る受光素子検査装置500bの概観図である。受光素子検査装置500bは、検査部100bと、電源部200と、光源部300と、を備える。
受光素子検査装置500bは、特に、裏面入射型受光素子110の測定に適しているが、裏面入射型受光素子110以外の受光素子についても測定可能である。
実施の形態3に係る受光素子検査装置500bの電源部200及び光源部300は、実施の形態1のものと同一であり、検査部のみが相違する。したがって、以下では、実施の形態3に係る受光素子検査装置500bの検査部100bについてのみ説明する。
<検査部の構成>
検査部100bは、測定用ステージ102と、測定用ステージ102を支持する複数本からなる測定用ステージ脚102aと、裏面入射型受光素子110に接触して測定用の電流を流すプローブ105と、測定用ステージ102の裏面側に設置され、光源部300から出射されたレーザ光を導波し、先端が光軸方向に対して斜めに研磨された斜め研磨部126aを有する光ファイバ部125aと、光ファイバ部125aを3次元方向に移動させるXYZステージ130と、を備える。
測定用ステージ102において、少なくとも裏面入射型受光素子110の測定の際に裏面入射型受光素子110を載置する素子載置部位111を含む領域は、光源部300から出射されるレーザ光に対して透明部材で構成されている。なお、測定用ステージ102の全体が、透明部材で構成されても良い。
測定用ステージ102の素子載置部位111の表面には反射防止膜115aが形成されている。測定用ステージ102の裏面側で素子載置部位111に対向する部位は、レンズ球面部位102bを呈している。レンズ球面部位102bの表面には、反射防止膜115bが形成されている。
実施の形態3に係る受光素子検査装置500bでは、光ファイバ部125の先端に設けられた斜め研磨部126aから出射されたレーザ光を、測定用ステージ102の裏面側に設けられたレンズ球面部位102bを用いて、裏面入射型受光素子110の受光面にレーザ光を集光させる。
実施の形態3に係る受光素子検査装置500bでは、素子載置部位111の表面に形成された反射防止膜115a、及び測定用ステージ102の裏面側で素子載置部位111に対向する部位に設けられたレンズ球面部位102bの表面に形成された反射防止膜115bによって、裏面入射型受光素子110の裏面によるレーザ光の多重反射を防止するので、レーザ光の多重反射に起因する戻り光の発生を効率よく防止することが可能となる。
<実施の形態3の効果>
以上、実施の形態3に係る受光素子検査装置によると、測定用ステージの裏面側にレンズ球面部位を設けレーザ光を効率よく集光することが可能となり、また、測定用ステージの表面側に形成された反射防止膜及びレンズ球面部位の表面に形成された反射防止膜によって、レーザ光の多重反射に起因する戻り光の発生を効率よく防止することが可能となるという効果を奏する。
実施の形態4.
図4は、実施の形態4に係る受光素子検査装置500cの概観図である。受光素子検査装置500cは、検査部100cと、電源部200と、光源部300と、を備える。
受光素子検査装置500cは、特に、裏面入射型受光素子110の測定に適しているが、裏面入射型受光素子110以外の受光素子についても測定可能である。
実施の形態4に係る受光素子検査装置500cの電源部200及び光源部300は、実施の形態1と同一であり、検査部のみが相違する。したがって、以下では、実施の形態4に係る受光素子検査装置500cの検査部100cについてのみ説明する。
<検査部の構成>
検査部100cは、測定用ステージ102と、測定用ステージ102を支持する複数本からなる測定用ステージ脚102aと、裏面入射型受光素子110に接触して測定用の電流を流すプローブ105と、測定用ステージ102の裏面側に設置され、光源部300から出射されたレーザ光を導波し、先端がレンズ形状に加工されたレンズ部126を有する光ファイバ部125bと、光ファイバ部125bを3次元方向に移動させ、かつ光軸方向を中心として光ファイバ部125bの回転動作を可能とする回転機構を具備したXYZステージ130aと、を備える。
光ファイバ部125bを構成する光ファイバは、偏波保存タイプの光ファイバである。光ファイバ部125bをXYZステージ130aによって光軸方向を中心として回転させることにより、偏波方向を回転させたレーザ光を裏面入射型受光素子110の受光面に入射させる。
実施の形態4に係る受光素子検査装置500cでは、実施の形態1に係る受光素子検査装置500によって測定可能な裏面入射型受光素子110の素子特性に加えて、偏波依存性をさらに測定することが可能となる。
<実施の形態4の効果>
以上、実施の形態4に係る受光素子検査装置によると、偏波保存タイプの光ファイバを、光軸方向を中心に回転する回転機構を設けたので、裏面入射型受光素子の偏波依存性をさらに測定することが可能となるという効果を奏する。
実施の形態5.
図5は、実施の形態5に係る受光素子検査装置500dの概観図である。受光素子検査装置500dは、検査部100dと、電源部200と、光源部300と、を備える。
受光素子検査装置500dは、特に、裏面入射型受光素子110の測定に適しているが、裏面入射型受光素子110以外の受光素子についても測定可能である。
実施の形態5に係る受光素子検査装置500dの電源部200及び光源部300は、実施の形態1と同一であり、検査部のみが相違する。したがって、以下では、実施の形態5に係る受光素子検査装置500dの検査部100dについてのみ説明する。
<検査部の構成>
検査部100dは、測定用ステージ102と、測定用ステージ102を支持する複数本からなる測定用ステージ脚102aと、裏面入射型受光素子110に接触して測定用の電流を流すプローブ105と、測定用ステージ102の裏面側に設置され、光源部300から出射されたレーザ光を導波し、先端がレンズ形状に加工されたレンズ部126を有する光ファイバ部125と、光ファイバ部125を3次元方向に移動させ、かつ光ファイバ部125と測定用ステージ102の間に配置され光軸方向を中心とした回転動作を可能とする波長板140を支持する回転機構を具備するXYZステージ130bと、を備える。
波長板140の一例として、λ/2板が挙げられる。なお、λとは光源部300から出射されるレーザ光の波長である。
波長板140をXYZステージ130bが具備する回転機構によって光軸方向を中心として回転させることにより、偏波方向を回転させたレーザ光を裏面入射型受光素子110の受光面に入射させる。
実施の形態5に係る受光素子検査装置500dでは、実施の形態1に係る受光素子検査装置500によって測定可能な裏面入射型受光素子110の素子特性に加えて、偏波依存性をさらに測定することが可能となる。
<実施の形態5の効果>
以上、実施の形態5に係る受光素子検査装置によると、光軸方向を中心として回転動作が可能な波長板を光ファイバ部と測定用ステージの間に配置したので、裏面入射型受光素子の偏波依存性をさらに測定することが可能となるという効果を奏する。
実施の形態6.
図6は、実施の形態6に係る受光素子検査装置500eの概観図である。また、図7は実施の形態6に係る受光素子検査装置500eの測定用ステージ102cの上面図である。受光素子検査装置500eは、検査部100eと、電源部200と、光源部300と、を備える。
受光素子検査装置500eは、特に、裏面入射型受光素子110の測定に適しているが、裏面入射型受光素子110以外の受光素子についても測定可能である。
実施の形態6に係る受光素子検査装置500eの電源部200及び光源部300は、実施の形態1と同一であり、検査部のみが相違する。したがって、以下では、実施の形態6に係る受光素子検査装置500eの検査部100eについてのみ説明する。
<検査部の構成>
検査部100eは、測定用ステージ102cと、測定用ステージ102cを支持する複数本からなる測定用ステージ脚102aと、測定用ステージ102cの内部に埋め込まれた複数のサーミスタ160と、測定用ステージ脚102aの測定用ステージ102cと接する部位に設けられた複数のペルチェ素子150と、サーミスタ160及びペルチェ素子150にそれぞれ接続する複数の温度コントローラ170と、裏面入射型受光素子110に接触して測定用の電流を流すプローブ105と、測定用ステージ102の裏面側に設置され、光源部300から出射されたレーザ光を導波し、先端がレンズ形状に加工されたレンズ部126を有する光ファイバ部125と、光ファイバ部125を3次元方向に移動させるXYZステージ130と、を備える。
図7は、実施の形態6に係る受光素子検査装置500eにおける、サーミスタ160、ペルチェ素子150、及び温度コントローラ170をそれぞれ4つずつ用いた場合の各配置の一例を示す測定用ステージ102cの上面図である。
実施の形態6に係る受光素子検査装置500eでは、上述のペルチェ素子150を用いて、測定用ステージ102cを介して裏面入射型受光素子110の温度制御を行う。温度コントローラ170は、測定用ステージ102cの内部に埋め込まれたサーミスタ160によって測定された温度値を参照しながら、ペルチェ素子150を制御して裏面入射型受光素子110が所望の温度になるように温度制御する。
実施の形態6に係る受光素子検査装置500eでは、ペルチェ素子150による裏面入射型受光素子110の温度制御を利用して、裏面入射型受光素子110の各素子特性の温度依存性をさらに測定することができる。
<実施の形態6の効果>
以上、実施の形態6に係る受光素子検査装置及び受光素子検査方法によると、裏面入射型受光素子をペルチェ素子によって温度制御するので、裏面入射型受光素子の素子特性の温度依存性をさらに測定することが可能となるという効果を奏する。
本開示は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本開示の技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
100、100a、100b、100c、100d、100e 検査部、102、102c 測定用ステージ、102a 測定用ステージ脚、102b レンズ球面部位、105 プローブ、110 裏面入射型受光素子、111、111a 素子載置部位、115a 反射防止膜、115b 反射防止膜、125、125a、125b 光ファイバ部、126 レンズ部、130、130a、130b XYZステージ、150、303 ペルチェ素子、160 サーミスタ、200 電源部、201 電源、202 第1電気スイッチ、203 可変抵抗、204 容量可変バイパスコンデンサ、205 第2電気スイッチ、300 光源部、170、301 温度コントローラ、302 ファンクションジェネレータ、304 光源、305、307 光スイッチ、306 光アッテネータ、500、500a、500b、500c、500d、500e 受光素子検査装置

Claims (12)

  1. 裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査装置であって、
    前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置する素子載置部位を含む領域が前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージと、
    前記素子載置部位の表面及び前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位の表面にそれぞれ形成され、前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜と、
    前記レーザ光を前記裏面入射型受光素子の裏面側に設けられた受光面に出射し、前記レーザ光のCW光とパルス光のいずれかを選択可能な光源部と、
    一端が前記光源部に接続され、前記レーザ光を導波し、他端から前記素子載置部位に対向する部位に向かって前記レーザ光を出射する光ファイバ部と、を備え
    前記光ファイバ部の他端は、光軸方向に対して予め設定された角度で傾斜している斜め研磨面であり、
    前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位はレンズ形状を呈していることを特徴とする受光素子検査装置。
  2. 裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査装置であって、
    前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置する素子載置部位を含む領域が前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージと、
    前記素子載置部位の表面及び前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位の表面にそれぞれ形成され、前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜と、
    前記レーザ光を前記裏面入射型受光素子の裏面側に設けられた受光面に出射し、前記レーザ光のCW光とパルス光のいずれかを選択可能な光源部と、
    一端が前記光源部に接続され、前記レーザ光を導波し、他端から前記素子載置部位に対向する部位に向かって前記レーザ光を出射する光ファイバ部と、
    偏波保存タイプの光ファイバからなる前記光ファイバ部を、光軸方向を中心として回転する回転機構と、
    を備える受光素子検査装置。
  3. 前記裏面入射型受光素子の素子特性を測定するプローブと、
    前記プローブに電流を供給する電源部と、
    をさらに備える請求項1または2に記載の受光素子検査装置。
  4. 前記光ファイバ部の他端は、レンズ形状を呈していることを特徴とする請求項に記載の受光素子検査装置。
  5. 前記測定用ステージの表面側の素子載置部位は、前記測定用ステージの表面に対して予め設定された角度で傾斜している傾斜面であることを特徴とする請求項1または2に記載の受光素子検査装置。
  6. 前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位と前記光ファイバ部の他端との間に、波長板が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の受光素子検査装置。
  7. 前記測定用ステージに接して複数の温度制御素子が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の受光素子検査装置。
  8. 前記温度制御素子は、平面視で前記測定用ステージの前記素子載置部位を中心とする四角形の各頂点の部位にそれぞれ接していることを特徴とする請求項に記載の受光素子検査装置。
  9. 前記温度制御素子は、ペルチェ素子であることを特徴とする請求項に記載の受光素子検査装置。
  10. 裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査方法であって、
    前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージで、表面側及び裏面側に前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜がそれぞれ形成された素子載置部位に前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置するステップと、
    光源部から出射した前記レーザ光を、光ファイバ部を介して前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位に向かって出射するステップと、
    前記裏面入射型受光素子の表面側にプローブを接触させて、前記裏面入射型受光素子の素子特性を測定するステップと、を備え
    偏波保存タイプの光ファイバからなる前記光ファイバ部を、光軸方向を中心として回転させることにより偏波方向を回転させたレーザ光を出射して、前記裏面入射型受光素子の素子特性の偏波依存性を測定することを特徴とする受光素子検査方法。
  11. 裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査方法であって、
    前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージで、表面側及び裏面側に前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜がそれぞれ形成された素子載置部位に前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置するステップと、
    光源部から出射した前記レーザ光を、光ファイバ部を介して前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位に向かって出射するステップと、
    前記裏面入射型受光素子の表面側にプローブを接触させて、前記裏面入射型受光素子の素子特性を測定するステップと、を備え、
    前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位と前記光ファイバ部の他端との間に設けられた波長板を回転させることにより、前記裏面入射型受光素子の素子特性の偏波依存性を測定することを特徴とする受光素子検査方法。
  12. 裏面側から入射するレーザ光を受光する裏面入射型受光素子を検査する受光素子検査方法であって、
    前記レーザ光に対して透明な部材で構成される測定用ステージで、表面側及び裏面側に前記レーザ光の反射を防止する反射防止膜がそれぞれ形成された素子載置部位に前記裏面入射型受光素子の受光面側を接触させて載置するステップと、
    光源部から出射した前記レーザ光を、光ファイバ部を介して前記測定用ステージの裏面側で前記素子載置部位に対向する部位に向かって出射するステップと、
    前記裏面入射型受光素子の表面側にプローブを接触させて、前記裏面入射型受光素子の素子特性を測定するステップと、を備え、
    前記測定用ステージに設けられた温度制御素子を用いて前記素子載置部位に載置された前記裏面入射型受光素子を温度制御することにより、前記裏面入射型受光素子の素子特性の温度依存性を測定することを特徴とする受光素子検査方法。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002228421A (ja) 2001-02-02 2002-08-14 Olympus Optical Co Ltd 走査型レーザ顕微鏡
JP2006216820A (ja) 2005-02-04 2006-08-17 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd レーザ加工方法、レーザ加工装置および結晶化装置
JP2009158844A (ja) 2007-12-27 2009-07-16 Daido Steel Co Ltd 太陽電池の検査装置および太陽電池の検査方法
JP2009244549A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Laser Solutions Co Ltd 観察装置およびレーザー加工装置
JP2009251412A (ja) 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法ならびに半導体集積回路の製造方法
JP2011060902A (ja) 2009-09-08 2011-03-24 Sony Corp 測定装置および方法、並びにプログラム
JP2014192444A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置および検査方法
CN115753759A (zh) 2022-10-31 2023-03-07 昆山协鑫光电材料有限公司 钙钛矿材料/器件的锁相载流子辐射成像测试***与方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002228421A (ja) 2001-02-02 2002-08-14 Olympus Optical Co Ltd 走査型レーザ顕微鏡
JP2006216820A (ja) 2005-02-04 2006-08-17 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd レーザ加工方法、レーザ加工装置および結晶化装置
JP2009158844A (ja) 2007-12-27 2009-07-16 Daido Steel Co Ltd 太陽電池の検査装置および太陽電池の検査方法
JP2009244549A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Laser Solutions Co Ltd 観察装置およびレーザー加工装置
JP2009251412A (ja) 2008-04-09 2009-10-29 Renesas Technology Corp マスクブランク検査装置および方法、反射型露光マスクの製造方法ならびに半導体集積回路の製造方法
JP2011060902A (ja) 2009-09-08 2011-03-24 Sony Corp 測定装置および方法、並びにプログラム
JP2014192444A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置および検査方法
CN115753759A (zh) 2022-10-31 2023-03-07 昆山协鑫光电材料有限公司 钙钛矿材料/器件的锁相载流子辐射成像测试***与方法

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