JP7450439B2 - 研磨用組成物および磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、研磨用組成物および該研磨用組成物を用いた磁気ディスク基板の製造方法に関する。

従来、高精度な表面が要求される基板の製造プロセスには、研磨液を用いて該基板の原材料である研磨対象基板を研磨する工程が含まれる。例えば、ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板（以下、Ｎｉ－Ｐ基板ともいう。）の製造においては、一般に、より研磨効率を重視した研磨（一次研磨）と、最終製品の表面精度に仕上げるために行う最終研磨（仕上げ研磨）とが行われている。Ｎｉ－Ｐ基板を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する技術文献として、特許文献１が挙げられる。

国際公開第２０１３／１７７２５１号

ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板研磨用組成物には、該研磨用組成物による研磨によって基板表面に発生する欠陥（例えばスクラッチ）が少ないことが求められる。そのような欠陥低減を実用的な研磨速度とともに実現することが、工業的観点から重要である。上記欠陥低減に関し、例えば特許文献１では、湿式法シリカと、酸化剤と、キレート剤と、加水分解度９９％（すなわち、けん化度９９％）のポリビニルアルコールと、水とを含む研磨用組成物を用いて上記磁気ディスク基板の研磨を実施し、スクラッチや微粒子付着の低減を検討している。しかし、特許文献１では研磨速度の検討はなされていない。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、Ｎｉ－Ｐ基板の研磨に用いられて、実用的な研磨速度を維持しながらスクラッチを効果的に低減することのできる研磨用組成物を提供することを目的とする。関連する他の目的は、そのような研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を製造する方法を提供することである。

本明細書によると、ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、砥粒としてのシリカ粒子と、酸と、酸化剤と、水とを含み、さらに、繰返し単位としてビニルアルコール単位を含む水溶性高分子Ａを含む。そして、前記水溶性高分子Ａのけん化度は９０％以下である。かかる構成によると、Ｎｉ－Ｐ基板の研磨に用いられて、実用的な研磨速度を維持しながらスクラッチを効果的に低減することができる。

いくつかの態様において、前記水溶性高分子Ａのけん化度は９０％未満である。けん化度が９０％未満である水溶性高分子Ａの使用により、実用的な研磨速度の維持とスクラッチ低減とを好ましく実現することができる。

いくつかの好ましい態様において、前記水溶性高分子Ａの含有量は、重量基準で、前記シリカ粒子の含有量の１／２００未満（２００分の１よりも小さい）である。水溶性高分子Ａの濃度をシリカ粒子の量に対して所定値未満とすることで、ここに開示される技術による効果は好ましく発揮される。また、上記組成の研磨用組成物は、シリカ粒子の分散安定性も良好となりやすい。

いくつかの好ましい態様において、前記水溶性高分子Ａの含有量は２００ｐｐｍ以下である。水溶性高分子Ａの濃度を２００ｐｐｍ以下とすることで、ここに開示される技術による効果は好ましく発揮される。また、水溶性高分子Ａの濃度が２００ｐｐｍ以下である研磨用組成物は、当該研磨用組成物中のシリカ粒子の分散安定性も良好となりやすい。

いくつかの態様において、前記水溶性高分子Ａの重合度は５０以上２０００以下である。上記重合度を有する水溶性高分子Ａを用いることで、ここに開示される技術による効果は好ましく発揮される。また、上記重合度を有する水溶性高分子Ａを含む研磨用組成物において、シリカ粒子は良好な分散安定性を示しやすい。

いくつかの態様において、前記シリカ粒子としてコロイダルシリカが用いられる。砥粒としてコロイダルシリカを用いることで、スクラッチ低減を実現しやすい。

上記シリカ粒子としては、平均一次粒子径が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下のものを好ましく採用し得る。上記範囲の平均一次粒子径を有するシリカ粒子を含む構成によると、優れたスクラッチ低減効果が得られやすい。そのような研磨用組成物は、研磨後に高い表面品位が要求される研磨工程において好ましく使用され得る。

いくつかの態様において、前記酸としてリン酸が用いられる。酸としてリン酸を含む組成において、研磨速度維持とスクラッチ低減との両立が好ましく実現される。

いくつかの態様に係る研磨用組成物は、ｐＨが１～４の範囲内である。かかるｐＨ環境下において、研磨速度維持とスクラッチ低減との両立が好ましく実現される。

また、この明細書によると、磁気ディスク基板の製造方法が提供される。その製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて研磨対象物（Ｎｉ－Ｐ基板）を研磨する工程を含む。かかる製造方法によると、スクラッチが少ない高品位な表面を有する磁気ディスク基板（Ｎｉ－Ｐ基板）を効率よく製造し得る。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜研磨用組成物＞
（シリカ粒子）
ここに開示される研磨用組成物は、砥粒としてシリカ粒子を含む。シリカ粒子は、Ｎｉ－Ｐ基板の表面を機械的に研磨する働きを有する。ここに開示される研磨用組成物に含まれるシリカ粒子は、シリカを主成分とする各種のシリカ粒子であり得る。ここで、シリカを主成分とするシリカ粒子とは、該粒子の９０重量％以上、例えば９５重量％以上、さらには９８重量％以上がシリカである粒子をいう。使用し得るシリカ粒子の例としては、特に限定されないが、コロイダルシリカ（例えば、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ等）、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。表面改質としては、例えば、官能基の導入、金属修飾等の化学的修飾が挙げられる。ここに開示される技術における砥粒は、このようなシリカ粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。

ここに開示される技術におけるシリカ砥粒の構成成分として使用し得るシリカ粒子の一好適例として、コロイダルシリカが挙げられる。なかでも、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカのように、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカの使用が好ましい。この種のコロイダルシリカを含むシリカ砥粒によると、高い研磨速度と良好な面精度とが好適に達成され得る。ここに開示されるシリカ砥粒がコロイダルシリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれるコロイダルシリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上のコロイダルシリカからなる構成であってもよく、コロイダルシリカと、他のシリカ粒子すなわちコロイダルシリカ以外のシリカ粒子とを組み合わせて含む構成であってもよい。いくつかの好ましい態様では、研磨用組成物に含まれる砥粒が、コロイダルシリカを単独で含む。コロイダルシリカを単独で用いることにより、高い研磨速度を保ちつつ、より良好な面精度（例えばスクラッチ数の低減された表面）が実現され得る。

コロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよい。ここに開示される研磨用組成物をＮｉ－Ｐ基板の仕上げ研磨工程に使用する場合は、球形に近い形状が好ましい。

シリカ粒子の平均一次粒子径は特に限定されない。いくつかの態様において、ＢＥＴ法により測定されるシリカ粒子の平均一次粒子径は１ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。研磨効率等の観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは１５ｎｍ以上である。また、より面精度の高い表面を得るという観点から、上記平均一次粒子径は、例えば１００ｎｍ未満であり、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４５ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下、特に好ましくは３５ｎｍ以下である。いくつかの好ましい態様において、上記平均一次粒子径は、例えば３０ｎｍ以下としてもよく、例えば２５ｎｍ以下（例えば２０ｎｍ以下）としてもよい。

なお、ここに開示される技術において、シリカ粒子の平均一次粒子径は、ＢＥＴ法に基づいて求められる平均粒子径をいう。シリカ粒子の平均一次粒子径は、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ＢＥＴ値）から、Ｄ１（ｎｍ）＝（６０００／（真密度（ｇ／ｃｍ^３）×ＢＥＴ値（ｍ^２／ｇ））の式により算出される。上記比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。

特に限定するものではないが、シリカ粒子の個数基準の累積粒度分布における粒子全体の平均アスペクト比は、原理上１．０以上であり、研磨能率の観点から、例えば１．０３以上であってもよく、１．０６以上でもよく、１．０８以上でもよい。また、面精度を効率よく高めやすくする観点から、いくつかの態様において、上記粒子全体の平均アスペクト比は、１．３０以下であることが適当である。シリカ粒子全体の平均アスペクト比の低減によって、シリカ粒子が転がり移動しやすくなるため加工が安定し、スクラッチがより好ましく低減され得る。シリカ粒子全体の平均アスペクト比は、好ましくは１．２８以下、より好ましくは１．２５以下（例えば１．２０以下）である。ここで、シリカ粒子の平均アスペクト比とは、該シリカ粒子を構成する個々の粒子の長径／短径比の平均値、すなわち個数平均アスペクト比をいう。以下、特記しない場合、本明細書において平均アスペクト比とは、上記個数平均アスペクト比を意味するものとする。

また、シリカ粒子の小径側からの累積粒度分布における累積０～５％のＤ_０－５粒子の平均アスペクト比は、原理上１以上であり、その下限値は特に限定されないが、例えば１．０５以上、典型的には１．０８以上であってもよい。ここでＤ_０－５粒子とは、砥粒（シリカ粒子）の個数基準の累積粒度分布（小径側からの累積個数分布）において、小径側からの累積が０～５％の範囲内に該当する粒子径を有する粒子のことをいう。上記累積個数分布は、典型的には、横軸を粒子径とし、縦軸を累積個数（％）とするグラフにおいて、累積０％および粒子径の小径側の端（左下）から右上に延びて、累積１００％および粒子径の大径側の端（右上）に到達する曲線によって表される。Ｄ_０－５粒子は、小径側から個数基準で５％を占める小径粒子である。スクラッチをより良く低減する等の観点から、いくつかの態様において、Ｄ_０－５粒子の平均アスペクト比は、通常１．２５以下であることが適当である。一般的に球形のシリカであっても小径側には形状が球形から歪んだ異形粒子を含むことがあり、小径の異形粒子が球形粒子に対する楔（くさび）の役割を果たすことで、球形粒子であっても局所的に砥粒が転がりにくくなり、研磨後の表面にスクラッチが生じやすくなる。Ｄ_０－５粒子の平均アスペクト比の低減によって、上記楔となり得る小径の粒子がより球形に近い形状となる。球形度の高い小径粒子は、研磨時において上記楔になりにくいため、局所的に砥粒が転がりにくくなる事象が生じにくくなるため、スクラッチがより好ましく低減され得る。Ｄ_０－５粒子の平均アスペクト比は、好ましくは１．２４以下、より好ましくは１．２３以下、さらに好ましくは１．２２以下である。

シリカ粒子の個数平均アスペクト比は、例えば次の方法で測定される。すなわち、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ、日立ハイテクノロジーズ社製ＳＴＥＭ ＨＤ－２７００）を用いて、測定対象のシリカ粒子に含まれるＴＥＭにて観察可能な所定個数の（１０００個以上の）粒子を、１視野内に１００個程度観察可能な倍率（例えば２０００００倍～４０００００倍）で撮影し、ＴＥＭ画像を取得する。そして、各粒子画像に外接する最小の長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を各粒子の長径／短径比（アスペクト比）として算出する。また、各粒子の画像から各粒子の面積を算出し、算出された面積と同一の面積を有する理想円（真円）の直径を各粒子の粒子径として算出する。すなわち、測定対象とするシリカ粒子の累積粒度分布は、当該シリカ粒子を構成する個々の粒子について上記算出された粒子径を横軸に、累積個数（％）を縦軸にプロットすることにより求められる。そして、上記所定個数の粒子のアスペクト比から、小径側からの上記累積粒度分布における所定の累積範囲の粒子の個数平均アスペクト比を算術平均することにより、Ｄ_０－５粒子、および全粒子の平均アスペクト比を求めることができる。上記各アスペクト比は、マウンテック社製画像解析ソフトウエアＭａｃＶｉｅｗを用いて求めることができる。
なお、上記所定個数、すなわち粒子毎のアスペクト比を算出する粒子の個数は、測定精度や再現性を高める観点から、１０００個以上とすることが適当であり、１５００個以上とすることが好ましい。上記所定個数の上限は特に制限されない。測定効率の観点から、上記所定個数は、例えば５０００個以下であってよく、２５００個以下でもよい。

研磨用組成物におけるシリカ粒子の含有量は特に制限されず、例えば０．１重量％以上であり、０．５重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることがより好ましく、３重量％以上であることがさらに好ましい。上記含有量は、複数種類のシリカ粒子を含む場合には、それらの合計含有量である。シリカ粒子の含有量の増大によって、より高い研磨速度が実現される傾向にある。研磨後の基板の表面平滑性や砥粒の分散安定性の観点から、上記含有量は、２５重量％以下が適当であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下、例えば８重量％以下である。

ここに開示される研磨用組成物において、該研磨用組成物に含まれる固形分に占めるシリカ粒子の含有量は、本発明による効果を発揮しやすくする観点から、上記固形分全体の１０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。なお、本明細書において研磨用組成物に含まれる固形分とは、結合水が除去されない程度の温度、例えば６０℃で研磨用組成物から水分を蒸発させた後の残留分すなわち不揮発分をいう。

いくつかの好ましい態様では、研磨用組成物は、砥粒として実質的にシリカ粒子のみを含むものであり得る。ここで、実質的にシリカ粒子のみを含むとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうちシリカ粒子の割合が９９重量％以上、より好ましくは９９．５重量％以上、さらに好ましくは９９．９重量％以上であることをいう。このような態様において、ここに開示される技術の適用効果が好適に発揮され得る。

（非シリカ砥粒）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく損なわれない範囲で、上記シリカ粒子以外の粒子を含有してもよい。シリカ粒子以外の粒子としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれも利用可能である。無機粒子の具体例としては、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等が挙げられる。上記アルミナ粒子としては、α－アルミナ、α－アルミナ以外の中間アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。中間アルミナとは、α－アルミナ以外のアルミナ粒子の総称であり、具体例としてはγ－アルミナ、δ－アルミナ、θ－アルミナ、η－アルミナ、κ－アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。これらシリカ粒子以外の粒子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられ得る。

ここに開示される研磨用組成物は、アルミナ粒子を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。アルミナ粒子としては、例えばα－アルミナ粒子が挙げられる。かかる研磨用組成物によると、アルミナ粒子の使用に起因する品質低下が防止される。ここでいう品質低下としては、例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留、砥粒の突き刺さり欠陥等が挙げられる。なお、本明細書において、所定の砥粒、例えばアルミナ粒子を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうち当該砥粒の割合が１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下、例えば０．１重量％以下であることをいう。アルミナ粒子の割合が０重量％である研磨用組成物、すなわちアルミナ粒子を含まない研磨用組成物が特に好ましい。また、ここに開示される研磨用組成物は、α－アルミナ粒子を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。

（酸）
ここに開示される研磨用組成物は、酸を含む。酸は、Ｎｉ－Ｐ基板を化学的に研磨する働きをする。酸としては、無機酸および有機酸のいずれも使用可能である。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

無機酸の具体例としては、リン酸（オルトリン酸）、硝酸、硫酸、塩酸、ホウ酸、スルファミン酸、ホスフィン酸、ホスホン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、テトラポリリン酸、ヘキサメタリン酸、炭酸、フッ化水素酸、亜硫酸、チオ硫酸、塩素酸、過塩素酸、亜塩素酸、ヨウ化水素酸、過ヨウ素酸、ヨウ素酸、臭化水素酸、過臭素酸、臭素酸、クロム酸、亜硝酸等が挙げられる。

有機酸の例としては、有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン、アミノ酸等が挙げられる。これらの有機酸に含まれる炭素原子数は、例えば１～１８程度であり、例えば１～１０程度であることが好ましい。
有機酸の具体例としては、マロン酸、クエン酸、イソクエン酸、１，２，４－ブタントリカルボン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アジピン酸、シュウ酸、吉草酸、エナント酸、カプロン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノレン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、ニコチン酸やピコリン酸等のピリジンカルボン酸、等の有機カルボン酸；メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタンヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸、α－メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）等の有機ホスホン酸；エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、２－ナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、１０－カンファースルホン酸、タウリン等の有機スルホン酸；グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン、シスチン、グルタミン、アスパラギン、リシン、アルギニン等のアミノ酸；等が挙げられる。

研磨効率の観点から好ましい酸として、リン酸、ホスホン酸、マロン酸、クエン酸、マレイン酸、塩酸、硝酸、硫酸、スルファミン酸、フィチン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸等が例示される。なかでも好ましい酸として、リン酸、ホスホン酸、マロン酸、クエン酸、マレイン酸が挙げられる。

酸は、該酸の塩の形態で用いられてもよい。塩の例としては、上述した無機酸や有機酸の、金属塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン塩等が挙げられる。金属塩としては、例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が挙げられる。アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩が挙げられる。アルカノールアミン塩としては、例えば、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩が挙げられる。

ここに開示される研磨用組成物に含有させ得る塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；上記で例示した有機酸のアルカリ金属塩；その他、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。これらのアルカリ金属塩におけるアルカリ金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり得る。

いくつかの態様において、上記塩として、無機酸のアルカリ金属塩やアンモニウム塩等の無機酸塩を好ましく採用し得る。例えば、上述したアルカリ金属リン酸塩やアルカリ金属リン酸水素塩の他、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等を好ましく使用し得る。なかでも好ましい例として、アルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。アルカリ金属リン酸水素塩が特に好ましい。

酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上（例えば２種または３種）を組み合わせて用いることができる。いくつかの好ましい態様において、酸と、該酸とは異なる酸の塩とを組み合わせて用いることができる。上記酸は、好ましくは無機酸である。上記酸の塩は、好ましくは無機酸の塩である。

研磨用組成物における酸の含有量は特に限定されない。酸の含有量は、０．１重量％以上が適当であり、０．５重量％以上が好ましく、０．８重量％以上がより好ましく、例えば１．２重量％以上である。酸の含有量を増加することで、実用的な研磨速度が得られやすい傾向がある。酸の含有量は、１５重量％以下が適当であり、１０重量％以下が好ましく、５重量％以下がより好ましく、例えば３重量％以下である。酸の含有量を制限することにより、研磨対象物の面精度は向上しやすい。

（酸化剤）
ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤を含有する。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸金属塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、過ヨウ素酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。

研磨用組成物における酸化剤の含有量は、研磨対象物を酸化する速度、ひいては研磨速度を考慮して、有効成分量基準で０．０１重量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上であり、０．２重量％以上でもよく、０．３重量％以上でもよい。また、研磨対象物の面精度を高める観点から、研磨用組成物における酸化剤の含有量は、有効成分量基準で５重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１重量％以下である。

（水）
ここに開示される研磨用組成物は、水を含む。水としては、イオン交換水、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。上記イオン交換水は、脱イオン水であり得る。

（水溶性高分子Ａ）
ここに開示される研磨用組成物は、繰返し単位としてビニルアルコール単位を含む水溶性高分子Ａを含む。ここで、ビニルアルコール単位（以下「ＶＡ単位」ともいう。）とは、次の化学式：－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＨ）－；により表される構造部分である。また、上記水溶性高分子Ａのけん化度は９０％以下である。けん化度が９０％以下であるＶＡ単位含有水溶性高分子Ａを含む研磨用組成物を用いることにより、Ｎｉ－Ｐ基板の研磨において、実用的な研磨速度を維持しながらスクラッチを効果的に低減することができる。水溶性高分子Ａは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記のような効果が得られる理由は、例えば以下のように考えられる。シリカ粒子を含む研磨用組成物を用いたＮｉ－Ｐ基板研磨において、当該研磨用組成物に含まれるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等のＶＡ単位含有高分子Ａは、シリカ粒子に吸着する傾向を示す。シリカ粒子に吸着した上記高分子Ａは、シリカ粒子同士の接触の妨げとなり、シリカの凝集による粗大粒子の生成を抑制し、スクラッチの低減に貢献し得る。また、けん化度が９０％以下であるＶＡ単位含有水溶性高分子Ａは、分子中に非けん化の繰返し単位を有する。この非けん化の繰返し単位は、ＶＡ単位と比べて疎水性が高いため、けん化度が９０％以下であるＶＡ単位含有水溶性高分子がシリカ粒子に吸着すると、その疎水性部分が別のシリカの親水性部分と反発し、この反発により、シリカ粒子同士の接触が妨げられ、シリカの凝集による粗大粒子の生成が抑制されてスクラッチを効果的に低減するものと考えられる。なお、上記のメカニズムは、実験結果に基づく本発明者の考察であり、ここに開示される技術は、上記のメカニズムに限定して解釈されるものではない。

いくつかの態様において、水溶性高分子Ａのけん化度は９０％未満であり得る。より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、上記けん化度は、好ましくは８９％以下、より好ましくは８５％以下、さらに好ましくは８２％以下であり、８０％以下であってもよく、７０％以下でもよく、６０％以下でもよく、５０％以下でもよい。また、水溶性高分子Ａのけん化度は特定の範囲に限定されず、例えば２０％以上であり、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、３０％以上が適当であり、４５％以上であってもよく、５５％以上でもよく、６５％以上でもよく、７０％以上でもよく、７５％以上でもよく、８０％以上（例えば８５％以上）でもよい。

なお、本明細書における水溶性高分子Ａのけん化度は、当該水溶性高分子Ａ一分子に含まれるＶＡ単位とモノカルボン酸ビニル単位（典型的には酢酸ビニル単位）のモル数の比から求められる。具体的には、水溶性高分子Ａのけん化度［％］は、当該水溶性高分子Ａ一分子中、上記ＶＡ単位のモル数ａと、モノカルボン酸ビニル単位（典型的には酢酸ビニル単位）のモル数ｂとから得られる比：ａ／（ａ＋ｂ）×１００；で表わされる。上記より、上記けん化度はモル基準の比率であり、単位［％］は「モル％」と言い換えることができる。なお、モノカルボン酸ビニル単位（典型的には酢酸ビニル単位）とは、水溶性高分子Ａの重合に用いられたモノカルボン酸ビニル（典型的には酢酸ビニル）に由来する水溶性高分子Ａ中の繰返し単位をいう。例えば、水溶性高分子Ａが、酢酸ビニルを用いて重合したポリ酢酸ビニルを加水分解（けん化）して得たポリビニルアルコールである場合、重合後の水溶性高分子Ａにおいて、重合前の酢酸ビニルに由来する繰返し単位（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＣＯＣＨ_３）－）が酢酸ビニル単位となる。水溶性高分子Ａのけん化度は、ＪＩＳ Ｋ ６７２６：１９９４に基づいて、あるいはＪＩＳ Ｋ ６７２６：１９９４を参考にして必要な場合適宜条件を変更して測定することができる。あるいは、水溶性高分子Ａのけん化度は^１Ｈ－ＮＭＲから算出してもよい。具体的には、測定によって得られた^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、水溶性高分子Ａ主鎖のエチレンのピーク（ａ＋ｂに対応）と、モノカルボン酸ビニル単位（典型的には酢酸ビニル単位）に対応するピーク（ｂに対応）とから、上式：ａ／（ａ＋ｂ）×１００；に基づくけん化度［％］を求めることができる。

水溶性高分子Ａは、ＶＡ単位と、ＶＡ単位以外の繰返し単位（以下「非ＶＡ単位」ともいう。）を含むものであり得る。例えば、水溶性高分子Ａは、上記のように、モノカルボン酸ビニル単位を含む非ＶＡ単位を含むものであり得る。水溶性高分子Ａは、ＶＡ単位と非ＶＡ単位とを含むランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体やグラフト共重合体であってもよい。水溶性高分子Ａは、１種類の非ＶＡ単位のみを含んでもよく、２種類以上の非ＶＡ単位を含んでもよい。

水溶性高分子Ａを構成する全繰返し単位のモル数に占めるＶＡ単位のモル数の割合（モル％）は、例えば９０％未満であり、より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、好ましくは８９％以下、より好ましくは８５％以下、さらに好ましくは８２％以下であり、８０％以下であってもよく、７０％以下でもよく、６０％以下でもよく、５０％以下でもよい。また、上記ＶＡ単位のモル数の割合は、例えば５％以上であってもよく、１０％以上でもよく、２０％以上でもよい。いくつかの好ましい態様において、上記ＶＡ単位のモル数の割合は、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、３０％以上が適当であり、４５％以上であってもよく、５５％以上でもよく、６５％以上でもよく、７０％以上でもよく、７５％以上でもよく、８０％以上（例えば８５％以上）でもよい。なお、水溶性高分子Ａが非変性ポリビニルアルコールである場合、けん化度と上記ＶＡ単位のモル数とは概ね同じ値となる。

水溶性高分子Ａを構成する全繰返し単位のモル数に占める非ＶＡ単位のモル数の割合（モル％）は、例えば１０％超であり、より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、好ましくは１１％以上、より好ましくは１５％以上、さらに好ましくは１８％以上であり、２０％以上であってもよく、３０％以上でもよく、４０％以上でもよく、５０％以上でもよい。また、上記非ＶＡ単位のモル数の割合は、例えば９５％以下であってもよく、９０％以下でもよく、８０％以下でもよい。いくつかの好ましい態様において、上記非ＶＡ単位のモル数の割合は、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、７０％以下が適当であり、５５％以下であってもよく、４５％以下でもよく、３５％以下でもよく、３０％以下でもよく、２５％以下でもよく、２０％以下（例えば１５％以下）でもよい。

水溶性高分子Ａは、変性されていないポリビニルアルコール（非変性ＰＶＡ）であってもよく、変性ポリビニルアルコール（変性ＰＶＡ）であってもよい。ここで非変性ＰＶＡとは、ポリ酢酸ビニル等のポリモノカルボン酸ビニルを加水分解（けん化）することにより生成し、モノカルボン酸ビニルがビニル重合した構造の繰返し単位（モノカルボン酸ビニル単位）およびＶＡ単位からなり、それ以外（モノカルボン酸ビニル単位およびＶＡ単位以外）の繰返し単位を実質的に含まないポリビニルアルコール系ポリマーをいう。水溶性高分子Ａとして、ポリ酢酸ビニルを加水分解（けん化）することにより生成したものを用いる場合、当該水溶性高分子Ａは、酢酸ビニルがビニル重合した構造の繰返し単位（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＣＯＣＨ_３）－）およびＶＡ単位からなり、それ以外（酢酸ビニル単位およびＶＡ単位以外）の繰返し単位を実質的に含まないポリビニルアルコール系ポリマーである。いくつかの好ましい態様において、水溶性高分子Ａとして、けん化度が９０％以下である非変性ＰＶＡが用いられる。上記非変性ＰＶＡは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

いくつかの好ましい態様において、水溶性高分子Ａとして非変性ＰＶＡが用いられる。上記非変性ＰＶＡのけん化度は、例えば９０％未満であり、より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、好ましくは８９％以下、より好ましくは８５％以下、さらに好ましくは８２％以下であり、８０％以下であってもよく、７８％以下でもよく、７５％以下でもよい。また、上記非変性ＰＶＡのけん化度は、例えば２０％以上であり、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、５０％以上（例えば６０％以上）が適当であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上であり、８０％以上（例えば８５％以上）でもよい。

水溶性高分子Ａとして非変性ＰＶＡが用いられる態様において、水溶性高分子Ａは、ＶＡ単位と、非ＶＡ単位としてのモノカルボン酸ビニル単位（例えば酢酸ビニル単位）とからなるものであり得る。この態様においては、高分子の調製や入手性、特性の制御しやすさ等の観点から、水溶性高分子Ａを構成する非ＶＡ単位として酢酸ビニル単位が好ましく採用される。

他のいくつかの好ましい態様において、水溶性高分子Ａとして変性ポリビニルアルコール系ポリマー（以下「変性ＰＶＡ」ともいう。）が用いられる。変性ＰＶＡは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。変性ＰＶＡのけん化度は、例えば９０％未満であり、より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、好ましくは８９％以下、より好ましくは８０％以下、さらに好ましくは７０％以下であり、６０％以下であってもよく、５０％以下でもよい。また、上記変性ＰＶＡのけん化度は、例えば５％以上（例えば１０％以上）であってもよく、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、２０％以上が適当であり、好ましくは３０％以上であり、より好ましくは３５％以上であり、４０％以上（例えば４５％以上）でもよく、５０％以上でもよく、７０％以上でもよく、８０％以上（例えば８５％以上）でもよい。

変性ＰＶＡに含まれ得る非ＶＡ単位としては、例えば後述するＮ－ビニル型のモノマーやＮ－（メタ）アクリロイル型のモノマーに由来する繰返し単位、エチレンに由来する繰返し単位、アルキルビニルエーテルに由来する繰返し単位、炭素原子数３以上のモノカルボン酸のビニルエステルに由来する繰返し単位、等が挙げられるが、これらに限定されない。

水溶性高分子Ａとして変性ＰＶＡが用いられる態様において、水溶性高分子Ａは、ＶＡ単位と、オキシアルキレン基、カルボキシ基、スルホ基（スルホン酸基）、アミノ基、水酸基、アミド基、イミド基、ニトリル基、エーテル基、エステル基、およびこれらの塩から選ばれる少なくとも１つの構造を有する非ＶＡ単位とを含む変性ＰＶＡであり得る。また、水溶性高分子Ａは、ＶＡ単位の一部がアルデヒドでアセタール化された変性ＰＶＡであってもよい。上記アルデヒドとしては、例えばアルキルアルデヒドを用いることができ、炭素原子数１以上７以下のアルキル基を有するアルキルアルデヒド、例えばｎ－ブチルアルデヒドを用いることができる。水溶性高分子Ａとして、第四級アンモニウム構造が導入された変性ＰＶＡを使用してもよい。そのような変性ＰＶＡとしては、例えば、ジアリルジアルキルアンモニウム塩、Ｎ－（メタ）アクリロイルアミノアルキル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリアルキルアンモニウム塩等に由来する有機基が導入されたものが挙げられる。

いくつかの好ましい態様において、水溶性高分子Ａは、オキシアルキレン単位を含む水溶性高分子であり得る。上記水溶性高分子Ａは、オキシアルキレン単位を繰返し単位として含む水溶性高分子、または（ポリ）オキシアルキレン基を有するアルキレンオキシド変性水溶性高分子であり得る。上記水溶性高分子Ａは、オキシアルキレン構造を有する水溶性高分子と言い換えることができる。ここに開示される技術による効果は、上記のようなオキシアルキレン構造を有する水溶性高分子Ａを用いる態様で好ましく発揮される。オキシアルキレン構造を有する水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。上記オキシアルキレン構造を有する水溶性高分子Ａは、例えば、アルキレンオキシドで変性された変性ＰＶＡであり得る。上記アルキレンオキシドの例としては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。水溶性高分子Ａは、上記アルキレンオキシドの１種を単独でまたは２種以上を含むものであってもよい。上記水溶性高分子Ａ中のオキシアルキレン構造におけるオキシアルキレン単位（例えばオキシエチレン単位、オキシプロピレン単位）の数は特に限定されず、例えば１～３０であり、１～２０であってもよく、１～１０程度であり得る。

水溶性高分子Ａとして、オキシアルキレン構造を有する水溶性高分子が用いられる態様において、オキシアルキレン構造含有水溶性高分子Ａのけん化度は、例えば９０％未満であり、より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下、さらに好ましくは６０％以下であり、５５％以下であってもよく、５０％以下でもよい。また、上記オキシアルキレン構造含有水溶性高分子Ａのけん化度は、例えば５％以上（例えば１０％以上）であってもよく、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、２０％以上が適当であり、好ましくは３０％以上であり、より好ましくは３５％以上であり、４０％以上（例えば４５％以上）でもよい。

他のいくつかの態様において、水溶性高分子Ａは、カルボキシ基やスルホン酸基等のアニオン性基を有する水溶性高分子であり得る。ここに開示される技術による効果は、上記のようなアニオン性基を有する水溶性高分子Ａを用いる態様でも好ましく発揮される。上記アニオン性基を有する水溶性高分子Ａは、カルボキシ基やスルホン酸基等のアニオン性基で変性された変性ＰＶＡであり得る。アニオン性基の例としては、カルボキシ基、スルホン酸基等が挙げられ、これらを単独でまたは２種以上を含む水溶性高分子Ａが用いられ得る。

水溶性高分子Ａとして、アニオン性基（例えばスルホン酸基）を有する水溶性高分子が用いられる態様において、アニオン性基含有水溶性高分子Ａのけん化度は、例えば９０％未満であり、より効果的なスクラッチ低減を実現する観点から、８９％以下であってもよい。また、上記アニオン性基含有水溶性高分子Ａのけん化度は、例えば２０％以上であり、シリカ粒子への吸着性やシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、５０％以上が適当であり、好ましくは７０％以上であり、８０％以上でもよく、８５％以上でもよい。

水溶性高分子Ａの重合度は、特定の範囲に限定されない。水溶性高分子Ａの重合度は、２００００以下であってもよく、例えば１００００以下でもよく、５０００以下でもよい。研磨用組成物中のシリカ粒子の分散安定性、研磨速度等の観点から、水溶性高分子Ａの重合度は、２０００以下が適当であり、好ましくは１０００以下、より好ましくは７００以下、さらに好ましくは５００以下、特に好ましくは４００以下であり、３５０以下でもよく、３００以下でもよく、２５０以下でもよい。また、水溶性高分子Ａの重合度は、１０以上（例えば３０以上）であり得る。スクラッチ低減の観点から、水溶性高分子Ａの重合度は、５０以上が適当であり、好ましくは１００以上、より好ましくは１５０以上、さらに好ましくは２００以上、特に好ましくは２５０以上であり、３００以上であってもよく、４００以上でもよい。なお、重合度とは、水溶性高分子Ａを構成するモノマー単位（繰返し単位）の個数をいう。

水溶性高分子Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されない。水溶性高分子ＡのＭｗは、１００×１０^４以下が適当であり、３０×１０^４以下が好ましく、２０×１０^４以下でもよい。水溶性高分子ＡのＭｗが小さくなると、水溶性高分子Ａの分散安定性は向上する傾向にある。かかる観点から、いくつかの態様において、水溶性高分子ＡのＭｗは、１５×１０^４以下でもよく、１０×１０^４以下でもよい。また、水溶性高分子ＡのＭｗは、２×１０^３以上であることが適当であり、５×１０^３以上であってもよく、１×１０^４以上であってもよい。

なお、本明細書において、水溶性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、水系のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）に基づく値（水系、ポリエチレンオキサイド換算）を採用することができる。ＧＰＣ測定装置としては、東ソー株式会社製の機種名「ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ」を用いるとよい。測定は、例えば下記の条件で行うことができる。
［ＧＰＣ測定条件］
サンプル濃度：０．１重量％
カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＰＷＸＬ
検出器：示差屈折計
溶離液：１００ｍＭ 硝酸ナトリウム水溶液／アセトニトリル＝１０～８／０～２
流速：１ｍＬ／分
測定温度：４０℃
サンプル注入量：２００μＬ

ここに開示する技術において、研磨用組成物における水溶性高分子Ａの含有量（２種以上の水溶性高分子Ａを用いる場合は、その合計含有量）は、発明の効果を発揮する範囲で他の成分（例えばシリカ粒子）等との関係から適切に設定され得るので、特定の範囲に限定されない。研磨用組成物におけるシリカ粒子の分散安定性の観点から、水溶性高分子Ａの使用は制限されていることが好ましい。一方、ここに開示される技術によると、研磨用組成物における水溶性高分子Ａの含有量を減少させても、優れたスクラッチ低減性能が発揮され得る。研磨用組成物における水溶性高分子Ａの含有量は、例えば２５０ｐｐｍ（重量基準）未満とすることができ、研磨用組成物中のシリカ粒子の分散安定性向上や研磨速度等の観点から、２００ｐｐｍ以下（例えば２００ｐｐｍ未満）が適当であり、好ましくは１００ｐｐｍ以下（例えば１００ｐｐｍ未満）、より好ましくは７０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下（例えば５０ｐｐｍ未満）、特に好ましくは４０ｐｐｍ以下（例えば３０ｐｐｍ以下）であり、２０ｐｐｍ以下であってもよく、１０ｐｐｍ以下でもよく、７ｐｐｍ以下でもよい。上記のような水溶性高分子Ａの少量使用により、実用的な研磨速度の維持とスクラッチ低減との両立が好ましく実現される。上記研磨用組成物における上記水溶性高分子Ａの含有量は、例えば０．０１ｐｐｍ以上とすることができ、水溶性高分子Ａの作用を効果的に発揮させる観点から、０．１ｐｐｍ以上が適当であり、好ましくは１ｐｐｍ以上、より好ましくは３ｐｐｍ以上、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以上、特に好ましくは２０ｐｐｍ以上であり、３０ｐｐｍ以上であってもよく、４０ｐｐｍ以上でもよい。

ここに開示される研磨用組成物に含まれる水溶性高分子Ａの量は、当該研磨用組成物に含まれるシリカ粒子との相対的関係によっても特定され得る。いくつかの態様において、水溶性高分子Ａの含有量は、重量基準で、シリカ粒子の含有量の１／５０よりも小さく（５０分の１よりも小さく）、例えば１／１００よりも小さくてもよい。いくつかの好ましい態様において、水溶性高分子Ａの含有量は、重量基準で、シリカ粒子の含有量の１／２００よりも小さく、より好ましくは１／５００よりも小さく、さらに好ましくは１／１０００よりも小さく、特に好ましくは１／１５００よりも小さく、１／２０００よりも小さくてもよい。水溶性高分子Ａの濃度をシリカ粒子の量に対して所定値未満とすることで、研磨用組成物中のシリカ粒子の分散安定性は向上する傾向があり、研磨速度も維持しやすい。また、ここに開示される技術によると、シリカ粒子量に対する水溶性高分子Ａの量を減少させても、優れたスクラッチ低減性能が発揮され得る。水溶性高分子Ａの含有量は、重量基準で、シリカ粒子の含有量の１／１００，０００以上とすることが適当であり、水溶性高分子Ａの作用を効果的に発揮する観点から、好ましくは１／５０，０００以上、より好ましくは１／２０，０００以上、さらに好ましくは１／８０００以上、特に好ましくは１／３０００以上であり、１／１５００以上であってもよい。

（水溶性高分子Ｂ）
ここに開示される研磨用組成物は、発明の効果が著しく損なわれない範囲で、任意成分として水溶性高分子Ｂを含んでもよい。ここでいう水溶性高分子Ｂは、重量平均分子量（Ｍｗ）が凡そ２０００以上、例えば３５００以上、好ましくは５０００以上、例えば６０００以上の化合物であり、上述の水溶性高分子Ａとは異なる化合物として定義される。水溶性高分子Ｂは、単独重合体でもよく、共重合体でもよい。水溶性高分子Ｂとしては、アニオン性ポリマー、ノニオン性ポリマー、カチオン性ポリマー、両性ポリマーのいずれも使用可能である。いくつかの態様において、水溶性高分子Ｂとして、例えばアニオン性ポリマーが用いられる。アニオン性ポリマーとしては、カルボン酸系重合体、スルホン酸系重合体などが挙げられる。

水溶性高分子Ｂの具体例としては、例えば、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；ポリスチレンスルホン酸系化合物；その他、ポリアクリル酸、ポリ酢酸ビニル、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリビニルアルコール（水溶性高分子Ａに該当しない完全けん化ＰＶＡ）、変性ポリビニルアルコール（水溶性高分子Ａに該当しない変性ＰＶＡ）、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ジアリルアミン塩酸塩・二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン等が挙げられる。水溶性高分子Ｂは、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

研磨用組成物における水溶性高分子Ｂ（好ましくは、スルホン酸系重合体）の濃度は、特に限定されず、例えば０．０００１重量％以上であり得る。研磨中における基板の保護効果を高める観点から、上記濃度は、好ましくは０．０００５重量％以上、より好ましくは０．００１重量％以上であり、０．００２重量％以上でもよく、０．００２５重量％以上でもよく、０．００３重量％以上でもよい。また、研磨中における基板の保護性と研磨後の基板からの洗浄除去性とを好適に両立しやすくする観点から、水溶性高分子Ｂの濃度は、０．２重量％以下とすることが適当であり、好ましくは０．１５重量％以下、例えば０．１重量％以下であり、０．０７重量％以下でもよく、０．０５重量％以下でもよい。

（塩基性化合物）
研磨用組成物には、ｐＨ調整等の目的で、必要に応じて塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物の例としては、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化第四級アンモニウム等の第四級アンモニウム化合物、アンモニア、アミン等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

（その他の成分）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（例えば、Ｎｉ－Ｐ基板等のような磁気ディスク基板用の研磨用組成物）に使用され得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

界面活性剤としては、特に限定されず、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用可能である。界面活性剤の使用により、研磨用組成物の分散安定性が向上し得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ポリアクリル酸、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の他の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物等が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。
ノニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシド等が挙げられる。

界面活性剤を含む態様の研磨用組成物では、界面活性剤の含有量を、例えば０．０００５重量％以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．００１重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量は、１重量％以下とすることが適当であり、好ましくは０．５重量％以下、例えば０．１重量％以下である。

キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２－アミノエチルホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸およびα－メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。

防腐剤および防カビ剤の例としては、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。

（ｐＨ）
ここに開示される研磨用組成物のｐＨは特に制限されず、例えば０．５～６．５の範囲から選択し得る。研磨効率等の観点から、研磨用組成物のｐＨは、例えば４．０以下であり、好ましくは３．７以下、より好ましくは３．５以下であり、３．２以下でもよく、３．０以下でもよく、２．５以下でもよく、２．２以下でもよい。また、研磨用組成物のｐＨは、例えば１．０以上とすることができ、１．０より高くすることが適当であり、研磨後の基板表面の荒れを抑制する観点から、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．５以上（例えば１．５超）であり、１．７以上でもよい。ここに開示される技術は、研磨用組成物のｐＨが１．０以上４．０以下（例えば１．５以上３．７以下）である態様で好ましく実施され得る。上述したｐＨは、Ｎｉ－Ｐ基板の仕上げ研磨用の研磨用組成物において特に好ましく適用され得る。

なお、ここに開示される技術において、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメーターを用いて３点校正した後で、ガラス電極を測定対象の組成物に入れて測定することにより把握することができる。標準液は、例えば、シュウ酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ１．６８（２５℃）、フタル酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ標準液：ｐＨ１０．０１（２５℃）である。

＜濃縮液＞
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物（例えば磁気ディスク基板）に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物（濃縮液）は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば、体積換算で１．５倍～２０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、例えば２倍～１０倍程度の濃縮倍率が適当である。かかる濃縮液は、所望のタイミングで希釈して研磨用組成物（研磨液）を調製し、その研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、例えば上記濃縮液に水を加えて混合することにより行うことができる。

＜多剤型研磨用組成物＞
ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（例えば水以外の成分）のうち一部の成分を含むパートＡと、残りの成分を含むパートＢとが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。いくつかの好ましい態様に係る多剤型研磨用組成物は、砥粒を含むパートＡ（例えば該砥粒の分散媒をさらに含む分散液）と、砥粒以外の成分の少なくとも一部（例えば、酸、水溶性高分子等）を含むパートＢとを含んで構成されている。これらは、例えば使用前は分けて保管されており、使用時に混合して一液の研磨用組成物が調製され得る。混合時には、例えば過酸化水素等の酸化剤や、希釈用の水等がさらに混合され得る。

＜研磨プロセス＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物（ここではＮｉ－Ｐ基板）の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（ワーキングスラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨液を供給する。例えば、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。

その後、研磨対象物を洗浄する。例えば、研磨対象物をアルカリ性洗浄液で洗浄するアルカリ洗浄工程を実施する。アルカリ洗浄工程は、例えば、研磨対象物の少なくとも研磨対象面にアルカリ性洗浄液を接触させることを含む。例えば、研磨対象物をアルカリ性洗浄液に浸漬することにより、研磨対象面にアルカリ性洗浄液を接触させることができる。上記アルカリ性洗浄液に浸漬した研磨対象物に超音波を付与する超音波処理を行ってもよい。上記超音波の付与に加えて、あるいは上記超音波の付与に代えて、ポリビニルアルコール製スポンジ、不織布、ナイロンブラシ等を用いるスクラブ洗浄を行ってもよい。
アルカリ洗浄工程に使用するアルカリ性洗浄液のｐＨは、例えば７．５以上であってよく、洗浄性向上の観点から、好ましくは８．０以上であり、より好ましくはｐＨ８．５以上、例えば８．８以上である。また、洗浄による基板表面の荒れを防ぐ観点から、上記アルカリ性洗浄液のｐＨは、１１以下が適当であり、１０以下が好ましく、９．５以下がより好ましい。アルカリ性洗浄液としては、上述した塩基性化合物の１種または２種以上を含む水溶液を用いることができる。なかでもアルカリ金属水酸化物の水溶液が好ましく、例えば水酸化カリウム水溶液を好ましく使用し得る。アルカリ洗浄工程は、市販のアルカリ洗浄液を用いて行ってもよい。

なお、研磨液を用いて行う研磨の終了後、アルカリ洗浄工程に移行する前に、研磨対象物を非アルカリ性のリンス液で洗浄してもよい。リンス液としては、純水やイオン交換水等の水や、酸性水溶液（例えば、研磨液から砥粒を除いた組成の水溶液）を用いることができる。

＜用途＞
ここに開示される研磨用組成物は、ニッケルリンめっきが施された磁気ディスク基板（Ｎｉ－Ｐ基板の研磨に用いられて、該Ｎｉ－Ｐ基板の表面の欠陥数を効果的に低減し得る。上記Ｎｉ－Ｐ基板は、基材の表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板である。上記基材の材質は、例えば、アルミニウム合金、ガラス、ガラス状カーボン等であり得る。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、アルミニウム合金製の基材上にニッケルリンめっき層を有するＮｉ－Ｐ基板の研磨に好ましく用いられ得る。
この明細書によると、ここに開示される研磨用組成物を用いた研磨工程と、該研磨工程後に行われるアルカリ洗浄工程と、を備えるＮｉ－Ｐ基板の製造方法および該方法により製造されたＮｉ－Ｐ基板が提供され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、Ｎｉ－Ｐ基板表面の欠陥（スクラッチ等）を高度に低減し得ることから、Ｎｉ－Ｐ基板のファイナルポリシング工程（仕上げ研磨工程）に特に好ましく使用され得る。この明細書によると、ここに開示される研磨用組成物を用いたファイナルポリシング工程と、該ファイナルポリシング工程後に行われるアルカリ洗浄工程と、を備えるＮｉ－Ｐ基板の製造方法および該方法により製造されたＮｉ－Ｐ基板が提供され得る。なお、ファイナルポリシングとは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程（すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程）を指す。上記基板の製造方法は、上記研磨工程の前に行われる粗研磨工程や予備研磨工程をさらに含み得る。

ここに開示される研磨用組成物は、ファイナルポリシングよりも上流のポリシング工程に用いられてもよい。ここで、ファイナルポリシングよりも上流のポリシング工程とは、粗研磨工程と最終研磨工程との間の予備研磨工程を指す。予備研磨工程は、少なくとも１次ポリシング工程を含み、さらに２次、３次・・・等のポリシング工程を含み得る。上記研磨用組成物は、いずれのポリシング工程にも使用可能であり、これらのポリシング工程において同一のまたは異なる研磨用組成物を用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、ファイナルポリシングの直前に行われるポリシング工程に用いられてもよい。

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、上流の工程により表面粗さ２０Å以下に調整されたＮｉ－Ｐ基板の研磨に好ましく用いられ得る。ここで表面粗さとは、Schmitt Measurement System社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ－３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））という。表面粗さ１０Å以下に調整されたＮｉ－Ｐ基板の研磨への適用が特に好ましい。これにより、高品位の表面を有するＮｉ－Ｐ基板を生産性よく製造し得る。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。

なお、以下の実施例では水溶性高分子として以下の化合物を使用した。
部分けん化ＰＶＡ－Ａ：部分けん化ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－２０３」、クラレ社製、けん化度８７～８９％、重合度３００）
部分けん化ＰＶＡ－Ｂ：部分けん化ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－２０５」、クラレ社製、けん化度８７～８９％、重合度５００）
部分けん化ＰＶＡ－Ｃ：部分けん化ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－４０３」、クラレ社製、けん化度７８～８２％、重合度３００）
部分けん化ＰＶＡ－Ｄ：部分けん化ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－５０５」、クラレ社製、けん化度７２～７５％、重合度５００）
ＥＯ変性ＰＶＡ－Ａ：エチレンオキシド変性ポリビニルアルコール（製品名「ゴーセネックス ＬＷ－２００」、三菱ケミカル社製、けん化度４６～５３％、重合度２００）
ＥＯ変性ＰＶＡ－Ｂ：エチレンオキシド変性ポリビニルアルコール（製品名「ゴーセネックス ＬＷ－１００」、三菱ケミカル社製、けん化度３９～４６％、重合度２００）
スルホン酸変性ＰＶＡ－Ａ：スルホン酸変性ポリビニルアルコール（製品名「ゴーセネックス Ｌ－３２６６」、三菱ケミカル社製、けん化度８７～８９％、重合度２００）
スルホン酸変性ＰＶＡ－Ｂ：スルホン酸変性ポリビニルアルコール（製品名「ゴーセネックス ＣＫＳ－５０」、三菱ケミカル社製、けん化度９９％以上、重合度２００）
完全けん化ＰＶＡ－Ａ：ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－１０３」、クラレ社製、けん化度９８～９９％、重合度３００）
完全けん化ＰＶＡ－Ｂ：ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－１０５」、クラレ社製、けん化度９８～９９％、重合度５００）
完全けん化ＰＶＡ－Ｃ：ポリビニルアルコール（製品名「ＰＶＡ－１２４」、クラレ社製、けん化度９８～９９％、重合度２４００）

＜研磨用組成物の調製＞
（実施例１～１１および比較例１～８）
砥粒（５重量％）、酸（１．５重量％）、表１に示す水溶性高分子（表１に示す濃度。比較例１を除く。）、過酸化水素（０．４重量％）および脱イオン水を含み、水酸化カリウムでｐＨ２．０に調整された研磨用組成物を調製した。砥粒としては、平均一次粒子径１８ｎｍのコロイダルシリカを使用した。酸としては、リン酸（オルトリン酸）を用いた。比較例１では水溶性高分子を用いなかった。

＜Ｎｉ－Ｐ基板の研磨＞
各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液に使用して、下記の条件で研磨対象物の研磨を行った。研磨対象基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を、Schmitt Measurement System社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ－３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））の値が６Åとなるように予備研磨したものを使用した。上記研磨対象物の直径は３．５インチ（外径約９５ｍｍ、内径約２５ｍｍのドーナツ型）、厚さは１．２７ｍｍであった。

（研磨条件）
研磨装置：スピードファム社製の両面研磨機の両面研磨機、型式「９Ｂ－５Ｐ」
研磨パッド：スウェードノンバフタイプ
研磨対象基板の投入枚数：１０枚（（２枚／キャリア）×５キャリア×１バッチ））
研磨液の供給レート：１３０ｍＬ／分
研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ^２
下定盤回転数：２０ｒｐｍ
研磨時間：５分

＜洗浄＞
研磨後のＮｉ－Ｐ基板を純水に浸漬して周波数１７０ｋＨｚで超音波処理を行い、続いてアルカリ性洗浄液（スピードファム（株）から入手可能な洗浄液「ＣＳＣ－１０２Ｂ」を体積基準で２００倍に希釈したもの）に浸漬し、周波数１７０ｋＨｚの超音波を付与しながらポリビニルアルコール製スポンジによるスクラブ洗浄を行った。次いで上記基板を純水に浸漬して周波数９５０ｋＨｚで超音波処理を行った後、イソプロピルアルコール雰囲気中に引き上げて乾燥させた。

＜研磨速度＞
各例に係る研磨用組成物により研磨し、洗浄を行って得られた基板の中から計６枚（３枚／１バッチ）を無作為に選択し、各基板の研磨による基板の重量減少量を測定することにより研磨速度を算出し、これを平均することにより各例の研磨速度とした。具体的には、研磨速度は、次の計算式に基づいて求めた。
研磨速度［μｍ／分］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の片面面積［ｃｍ^２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［分］）×１０^４
ここで、基板の片面面積は６６ｃｍ^２、ニッケルリンめっきの密度は７．９ｇ／ｃｍ^３として計算した。得られた値を、比較例１の値を１００とする相対値に換算して、表１の「研磨速度」の欄に示した。研磨速度が９０以上であれば、実用的な研磨速度を維持していると判定される。

＜スクラッチ評価＞
各例に係る研磨用組成物により研磨し、洗浄を行って得られた基板の中から計５枚を無作為に選択し、各基板の両面にあるスクラッチを下記条件で検出した。５枚（計１０面）のスクラッチ数の合計を１０で除して基板片面あたりのスクラッチ数（本／面）を算出した。このようにして求めたスクラッチ数を、比較例１のスクラッチ数を１００とする相対値に換算して表１の「スクラッチ」の欄に示した。「スクラッチ」が９０以下であれば、スクラッチが効果的に低減されていると判定される。

（スクラッチ検出条件）
測定装置：ケーエルエー・テンコール株式会社製 Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００
Ｓｐｉｎｄｌｅ ｓｐｅｅｄ：１００００ｒｐｍ
測定範囲：１７０００－４７０００μｍ
Ｓｔｅｐ ｓｉｚｅ：４μｍ
Ｅｎｃｏｄｅｒ ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ：×１６
検出チャンネル：Ｐ‐Ｓｃ ｃｈａｎｎｅｌ

表１に示されるように、けん化度が９０％以下であるＰＶＡを含む実施例１～１１の研磨用組成物を用いた研磨によると、水溶性高分子を含まない比較例１の研磨用組成物と比較して、実用的な研磨速度（研磨速度９０以上）を維持しながら、研磨後の基板表面のスクラッチが有意に低減した。また、実施例１～３，６～８，１１、比較例２，６～８の結果から、けん化度が９０％以下である部分けん化ＰＶＡは、けん化度が９０％超であるＰＶＡと比較して、研磨速度の低下をよりよく抑制し、かつスクラッチ低減性にも優れることが確認された。なお、けん化度が９０％超であるＰＶＡを２５０ｐｐｍ、５００ｐｐｍ、１０００ｐｐｍで含む比較例３～５の研磨用組成物は、凝集発生による相分離のため研磨を実施できず、したがって研磨速度およびスクラッチの評価に至らなかった。

上記の結果から、砥粒としてのシリカ粒子と、酸と、酸化剤と、水とを含み、さらに、繰返し単位としてビニルアルコール単位を含む水溶性高分子Ａを含み、当該水溶性高分子Ａのけん化度が９０％以下である研磨用組成物によると、Ｎｉ－Ｐ基板の研磨において、実用的な研磨速度を維持しながらスクラッチを効果的に低減し得ることがわかる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (10)

1. ニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板研磨用組成物であって、
   砥粒としてのシリカ粒子と、酸と、酸化剤と、水とを含み、
   さらに、繰返し単位としてビニルアルコール単位を含む水溶性高分子Ａを含み、
   前記水溶性高分子Ａのけん化度は９０％以下である、研磨用組成物。
2. 前記水溶性高分子Ａのけん化度は９０％未満である、請求項１に記載の研磨用組成物。
3. 前記水溶性高分子Ａの含有量は、重量基準で、前記シリカ粒子の含有量の１／２００未満である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
4. 前記水溶性高分子Ａの含有量は２００ｐｐｍ以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
5. 前記水溶性高分子Ａの重合度は５０以上２０００以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
6. 前記シリカ粒子はコロイダルシリカである、請求項１～５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
7. 前記シリカ粒子の平均一次粒子径は１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
8. 前記酸としてリン酸を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
9. ｐＨが１～４の範囲内である、請求項１～８のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
10. 請求項１～９のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。