JP7446814B2 - 樹脂組成物、樹脂フィルム及び金属張積層板 - Google Patents
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Description
また、特許文献2では、エポキシ樹脂へクリストバライトシリカを添加することで半導体パッケージにおける反りやクラックの発生を抑制している。
誘電特性の向上においても複合化は有効であり、特許文献3では、非晶質シリカとビスマレイミドから合成される熱硬化性ポリイミド樹脂及びエラストマーとの組み合わせで、誘電正接が低く、低熱膨張な樹脂フィルムを提案している。また、特許文献4では、ポリイミドとフッ素樹脂粒子とを組み合わせた低誘電ポリイミドフィルムの製造方法を提示している。
さらに、従来技術の複合化ではフィラーの組成が重要視されており、その結晶構造についての言及はほとんどない。
前記シリカ粒子の含有量が、前記固形分の全量及び前記シリカ粒子の合計に対し10~85重量%(ただしポリアミド酸はイミド化されたポリイミドに換算する。)の範囲内であり、
前記シリカ粒子全体として、CuKα線によるX線回折分析スペクトルの2θ=10°~90°の範囲におけるSiO2に由来する全ピーク面積に対するクリストバライト結晶相及びクオーツ結晶相に由来するピークの合計面積の割合が20重量%以上である。
本発明の一実施の形態に係る樹脂組成物は、ポリアミド酸又はポリイミドを含有する有機化合物の固形分と、シリカ粒子と、を含有する樹脂組成物であって、
前記シリカ粒子の含有量が、前記固形分の全量及び前記シリカ粒子の合計に対し10~85重量%の範囲内であり、
前記シリカ粒子全体として、CuKα線によるX線回折分析スペクトルの2θ=10°~90°の範囲におけるSiO2に由来する全ピーク面積に対するクリストバライト結晶相及びクオーツ結晶相に由来するピークの合計面積の割合が20重量%以上である。樹脂組成物は、ポリアミド酸を含有するワニス(樹脂溶液)であってもよく、溶剤可溶性のポリイミドを含有するポリイミド溶液であってもよい。
有機化合物の固形分とは、樹脂組成物から溶剤及び無機固形分を除いた残りの固形分を意味する。すなわち、有機化合物の固形分は、ポリアミド酸又はポリイミドを含有し、任意成分として、ポリイミド以外の樹脂、架橋剤、有機フィラー、可塑剤、硬化促進剤、カップリング剤、有機顔料、有機系難燃剤、充填剤などの不揮発性の有機化合物を含有することができる。ここで、ポリイミド以外の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、オレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。架橋剤としては、後述する少なくとも2つの第1級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物(架橋形成用アミノ化合物)などを挙げることができる。有機フィラーとしては、例えば、液晶ポリマー粒子、フッ素系ポリマー粒子、ポリエーテル系樹脂粒子、オレフィン系樹脂粒子などを挙げることができる。
ポリイミドは、一般的に下記一般式(1)で表される。このようなポリイミドは、ジアミン成分と酸二無水物成分とを実質的に等モル使用し、有機極性溶媒中で重合させる公知の方法によって製造することができる。この場合、粘度を所望の範囲とするために、ジアミン成分に対する酸二無水物成分のモル比を調整してもよく、その範囲は、例えば0.98~1.03のモル比の範囲内とすることが好ましい。
シリカ粒子としては、結晶性シリカ粒子を含んでいればよい。また、非晶質シリカ粒子を含んでいてもよい。樹脂組成物に結晶性シリカ粒子を配合することによって、樹脂フィルムを形成したときの誘電正接を低下させることができる。樹脂フィルムを形成したときの低誘電正接化を図る観点から、結晶性シリカ粒子として、クリストバライト結晶相を有するシリカ粒子を用いることが特に好ましい。クリストバライト結晶相を有するシリカ粒子は、一般的なシリカ粒子と比較して非常に優れた誘電特性(例えば、クリストバライト結晶相を90重量%以上含有するシリカ粒子は、単体で10GHzにおける誘電正接が0.0008程度)であり、樹脂フィルムの低誘電正接化に大きく寄与することができる。
樹脂組成物におけるシリカ粒子の含有量は、樹脂組成分中の有機化合物の固形分及びシリカ粒子の合計量に対し10~85重量%(ただしポリアミド酸はイミド化されたポリイミドに換算する。)の範囲内であり、好ましくは10~80重量%の範囲内、より好ましくは15~75重量%の範囲内である。シリカ粒子の含有割合が10重量%に満たないと、誘電正接を低下させる効果が十分に得られなくなる。また、シリカ粒子の含有割合が85重量%を超えると、ポリイミドの接着性などの特性が低下し、特にシリカ粒子の含有割合が80重量%を超えると、樹脂フィルムを形成したときに脆くなり、折り曲げ性が低下するとともに、樹脂フィルムを形成しようとする場合、樹脂組成物の粘度が高くなり、作業性も低下する。
本実施の形態の樹脂組成物は、有機溶媒を含有することができる。有機溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、2-ブタノン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N-メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。有機溶媒の含有量としては特に制限されるものではないが、ポリアミド酸又はポリイミドの濃度が5~30重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
樹脂組成物の粘度は、樹脂組成粒を塗工する際のハンドリング性を高め、均一な厚みの塗膜を形成しやすい粘度範囲として、例えば3000cps~100000cpsの範囲内とすることが好ましく、5000cps~50000cpsの範囲内とすることがより好ましい。上記の粘度範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。
樹脂組成物の調製に際しては、例えば、任意の溶剤を用いて作製したポリアミド酸の樹脂溶液にシリカ粒子を直接配合してもよい。あるいは、シリカ粒子の分散性を考慮し、ポリアミド酸の原料である酸二無水物成分及びジアミン成分のいずれか片方を投入した反応溶媒に予めシリカ粒子を配合した後、攪拌下にもう片方の原料を投入して重合を進行させてもよい。いずれの方法においても、一回でシリカ粒子を全量投入してもよいし、数回分けて少しずつ添加してもよい。また、原料も一括で入れてもよいし、数回に分けて少しずつ混合してもよい。
本実施の形態の樹脂フィルムは、単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、ポリイミド層の少なくとも1層、好ましくは全てが、上記樹脂組成物により形成された結晶性シリカ含有ポリイミド層であればよい。
まず、樹脂組成物を任意の支持基材上に直接流延塗布して塗布膜を形成する。次に、塗布膜を150℃以下の温度である程度溶媒を乾燥除去する。樹脂組成物がポリアミド酸を含有する場合は、その後、塗布膜に対し、更にイミド化のために100~400℃、好ましくは130~360℃の温度範囲で5~30分間程度の熱処理を行う。このようにして支持基材上に結晶性シリカ含有ポリイミド層を形成することができる。
2層以上のポリイミド層とする場合、第一のポリアミド酸の樹脂溶液を塗布、乾燥したのち、第二のポリアミド酸の樹脂溶液を塗布、乾燥する。それ以降は、同様にして第三のポリアミド酸の樹脂溶液、次に、第四のポリアミド酸の樹脂溶液、・・・というように、ポリアミド酸の樹脂溶液を、必要な回数だけ、順次塗布し、乾燥する。その後、まとめて100~400℃の温度範囲で5~30分間程度の熱処理を行って、イミド化を行うことがよい。イミド化の温度が100℃より低いとポリイミドの脱水閉環反応が十分に進行せず、反対に400℃を超えると、ポリイミド層が劣化するおそれがある。
また、イミド化した任意のポリイミド層に適切な表面処理等を行うことで、さらに重ねて樹脂溶液の塗布、乾燥及びイミド化の工程を経て、新たに層を重ねることができる。その場合、途中工程のイミド化は完結させる必要はなく、最終工程にてまとめてイミド化を完結させることができる。
また、イミド化した任意のポリイミド層は、別に形成した樹脂フィルムと加熱圧着することができる。
なお、樹脂フィルムは支持基材付きの状態でも良い。
まず、任意の支持基材上に、樹脂組成物を流延塗布してフィルム状成型する。このフィルム状成型物を、支持基材上で加熱乾燥することにより自己支持性を有するゲルフィルムとする。ゲルフィルムを支持基材より剥離した後、樹脂組成物がポリアミド酸を含有する場合は、更に高温で熱処理し、イミド化させてポリイミドの樹脂フィルムとする。
樹脂フィルムは、例えば、回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、高周波信号の伝送時における誘電損失を低減するために、フィルム全体として、スプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定したときの3~20GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、0.005以下であることが好ましく、0.004以下であることがより好ましい。回路基板の伝送損失を改善するためには、特に絶縁樹脂層の誘電正接を制御することが重要であり、誘電正接を上記範囲内とすることで、伝送損失を下げる効果が増大する。従って、樹脂フィルムを、例えば高周波回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合、伝送損失を効率よく低減できる。3~20GHzにおける誘電正接が0.005を超えると、樹脂フィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスが大きくなるなどの不都合が生じやすくなる。3~20GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、樹脂フィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合の物性制御を考慮する必要がある。
樹脂フィルムは、例えば回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、フィルム全体として、スプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定したときの3~20GHzにおける比誘電率が3.1以下であることが好ましい。3~20GHzにおける比誘電率が3.1を超えると、樹脂フィルムを回路基板の絶縁樹脂層として適用した際に、誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスが大きくなるなどの不都合が生じやすくなる。
本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層板であり、絶縁樹脂層の少なくとも1層が上記樹脂フィルムからなる。金属張積層板は、絶縁樹脂層の片面側のみに金属層を有する片面金属張積層板であってもよいし、絶縁樹脂層の両面に金属層を有する両面金属張積層板であってもよい。
絶縁樹脂層は単層又は複数層から構成され、上記樹脂フィルムからなる層を含んでいる。例えば、上記樹脂フィルムが、機械特性や熱物性を担保するための絶縁樹脂層の主たる層としての非熱可塑性ポリイミド層を形成していてもよい。また、上記樹脂フィルムが、銅箔などの金属層との接着強度を担う接着剤層としての熱可塑性ポリイミド層を形成していてもよい。なお、「主たる層」とは、絶縁樹脂層の総厚みの50%以上を占める層を意味する。
また、本実施の形態の金属張積層板は、無機フィラーを含有するポリイミド層と金属箔とを接着するための接着剤を用いることを除外するものではない。ただし、絶縁樹脂層の両面に金属層を有する両面金属張積層板において接着層を介在させる場合には、接着層の厚みは、誘電特性を損なわないように、全絶縁樹脂層の厚みの30%未満とすることが好ましく、20%未満とすることがより好ましい。また、絶縁樹脂層の片面のみに金属層を有する片面金属張積層板において接着層を介在させる場合には、接着層の厚みは、誘電特性を損なわないように、全絶縁樹脂層の厚みの15%未満とすることが好ましく、10%未満とすることがより好ましい。また、接着層は絶縁樹脂層の一部を構成するので、ポリイミド層であることが好ましい。結晶性シリカ含有ポリイミド層が絶縁樹脂層の主たる層を構成する場合、結晶性シリカ含有ポリイミド層のガラス転移温度は、耐熱性を付与する観点から300℃以上とすることが好ましい。ガラス転移温度を300℃以上とするには、ポリイミドを構成する上記の酸二無水物やジアミン成分を適宜選択することで可能となる。
金属層の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。これらの中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。金属層は、金属箔からなるものであってもよいし、フィルムに金属蒸着したもの、ペースト等を印刷したものであってもよい。また、樹脂組成物を直接塗布可能な点から、金属箔でも金属板でも使用可能であり、銅箔若しくは銅板が好ましい。
樹脂溶液の粘度はE型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV-II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%~90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから1分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
<シリカ粒子>
ベクトルネットワークアナライザ(キーサイトテクノロジー社製、商品名;ベクトルネットワークアナライザE8363C)及び空洞共振器摂動法による関東電子応用開発社製の比誘電率測定装置を用い、比誘電率測定モード;TM020に設定し、周波数10GHzにおけるシリカ粒子の比誘電率(ε1)及び誘電正接(Tanδ1)を測定した。なお、シリカ粒子は粉体状であり試料管チューブ(内径は1.68mm、外径は2.28mm、高さは8cm)へ充填し、測定した。
<樹脂フィルム>
ベクトルネットワークアナライザ(キーサイトテクノロジー社製、商品名;ベクトルネットワークアナライザE8363C)およびSPDR共振器を用いて、周波数10GHzにおける樹脂フィルムの比誘電率(ε1)および誘電正接(Tanδ1)を測定した。なお、測定に使用した樹脂フィルムは、温度;24~26℃、湿度;45~55%の条件下で、24時間放置したものである。
3mm×20mmのサイズの樹脂フィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から265℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、200℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数、CTE)を求めた。
レーザ回折式粒度分布測定装置(マルバーン社製、商品名;Master Sizer 3000)を用いて、水を分散媒とし粒子屈折率1.54の条件で、レーザ回折・散乱式測定方式によるシリカ粒子の粒子径の測定を行った。
連続自動粉体真密度測定装置(セイシン企業社製、商品名;AUTO TRUE DENSERMAT‐7000)を用いて、ピクノメーター法(液相置換法)によるシリカ粒子の真比重の測定を行った。
X線回折測定装置(ブルカー社製、商品名;D2PHASER)を用いて、回折角度(Cu,Kα)2θ=10°~90°の範囲のSiO2に由来する全ての回折パターン(ピーク位置、ピーク幅及びピーク強度)から、SiO2に由来する全ピークの総面積を算出する。次に、クリストバライト結晶相に由来するピーク位置を特定し、クリストバライト結晶相の全ピークの総面積を算出して、SiO2に由来する全ピークの総面積に対する割合(重量%)を求めた。なお、各ピークの帰属は、International Centre for Diffraction Data(ICDD)のデータベースを参照した。
湿式フロー式粒子径・形状分析装置(シスメックス社製、商品名;FPIA-3000)を用いて、動的流動粒子画像解析によるシリカ粒子の平均円形度を測定した。
JISK5600-5-1に準拠し、5cm×10cmサイズの樹脂フィルムの長辺の中心を、5mmφの金属棒に巻きつけるように1~2秒かけて均一に曲げ、樹脂フィルムが180℃折れ曲がっても破断又はクラックが入らないものを「良」、破断又はクラックが発生するものを「不可」とした。
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3',4,4'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
m‐TB:2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
フィラー1:日鉄ケミカル&マテリアル社製。商品名;CR10-20(球状クリストバライトシリカ粉末、円形度;0.98、クリストバライト結晶相;98重量%、真比重;2.33、D50;10.8μm、10GHzにおける比誘電率;3.16、10GHzにおける誘電正接;0.0008)
フィラー2:日鉄ケミカル&マテリアル社製。商品名;SC70-2(球状非晶質シリカ粉末、円形度;0.98、真比重;2.21、D50;11.7μm、10GHzにおける比誘電率;3.08、10GHzにおける誘電正接;0.0015)
フィラー3:日鉄ケミカル&マテリアル社製、商品名;SP40-10(球状非晶質シリカ粉末、真球状、真比重;2.21、D50;2.5μm、10GHzにおける比誘電率;2.78、10GHzにおける誘電正接;0.0030)
300mlのセパラブルフラスコに、24gのBAPP(60mmol)、230gのDMAcを投入し、室温、窒素気流下で撹拌した。完全に溶解した後、6.5gのPMDA(30mmol)、8.7gのBPDA(30mmol)を添加し、室温で18時間撹拌してポリアミド酸溶液Aを得た。得られたポリアミド酸溶液Aの粘度は21,074cpsであった。
300mlのセパラブルフラスコに、19gのm-TB(90mmol)及び230gのDMAcを投入し、室温、窒素気流下で撹拌した。完全に溶解した後、16gのPMDA(72mmol)及び5.3gのBPDA(18mmol)を添加し、室温で18時間撹拌してポリアミド酸溶液Bを得た。得られたポリアミド酸溶液Bの粘度は22,400cpsであった。
58.7gのポリアミド酸溶液A及び6.1gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物1a(粘度;23,000cps)を調製した。
銅箔1(電解銅箔、厚み;12μm)の上にポリアミド酸組成物1aを塗布し、130℃で3分間乾燥させた。その後155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板1bを調製した。金属張積層板1bの銅箔をエッチング除去し、樹脂フィルム1cを調製した。樹脂フィルム1c(厚み;51.6μm)の比誘電率は3.04、誘電正接は0.0044、折り曲げ性は「良」であった。
70.0gのポリアミド酸溶液B及び7.8gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物2a(粘度;24,800cps)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板2b及び樹脂フィルム2cを調製した。樹脂フィルム2c(厚み;46.1μm)の比誘電率は2.78、誘電正接は0.0037、CTEは34ppm/K、折り曲げ性は「良」であった。
60.0gのポリアミド酸溶液B及び20.0gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物3a(粘度;28,400cps)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板3b及び樹脂フィルム3cを調製した。樹脂フィルム3c(厚み;78.1μm)の比誘電率は2.71、誘電正接は0.0028、CTEは34ppm/K、折り曲げ性は「良」であった。
55.0gのポリアミド酸溶液B及び36.6gのフィラー1を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物4a(粘度;29,900cps)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板4bを調製後、樹脂フィルム4cを調製した。樹脂フィルム4c(厚み;117.8μm)の比誘電率は2.56、誘電正接は0.0015、CTEは31ppm/K、折り曲げ性は「不可」であった。
50.0gのポリアミド酸溶液B、6.6gのフィラー1及び25.3gのフィラー2を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物5a(粘度;31,000cps)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板5bを調製後、樹脂フィルム5cを調製した。樹脂フィルム5c(厚み;115.5μm)の比誘電率は2.71、誘電正接は0.0017、CTEは27ppm/K、折り曲げ性は「不可」であった。
銅箔1の上にポリアミド酸溶液Aを塗布し、90℃で1分間、130℃で5分間乾燥させた。その後155℃から360℃まで段階的な熱処理を行ってイミド化し、金属張積層板A1を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板A1の銅箔をエッチング除去し、樹脂フィルムA1を調製した。樹脂フィルムA1(厚み;41.4μm)の比誘電率は3.16、誘電正接は0.0062、CTEは51ppm/K、折り曲げ性は「良」であった。
56.2gのポリアミド酸溶液A及び5.5gのフィラー2を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物A2(粘度;23,600cps)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板A2及び樹脂フィルムA2を調製した。樹脂フィルムA2(厚み;50.7μm)の比誘電率は3.04、誘電正接は0.0047、折り曲げ性は「良」であった。
56.2gのポリアミド酸溶液A及び5.5gのフィラー3を混合し、目視にて一様な溶液となるまで攪拌し、ポリアミド酸組成物A3(粘度;30,000cps)を調製した。
実施例1と同様にして、金属張積層板A3を調製後、樹脂フィルムA3を調製した。樹脂フィルムA3(厚み;45.6μm)の比誘電率は3.25、誘電正接は0.0052、CTEは41、折り曲げ性は「良」であった。
表1中の結晶相とは、クリストバライト結晶相の割合を意味し、フィラー割合とは、ポリアミド酸溶液(ワニス)全体、又は、有機化合物の固形分及び前記シリカ粒子の合計に対するフィラーの割合(重量比率)を意味する(ただし、ポリアミド酸の重量をイミド化後のポリイミドに換算して計算した)。また、表2中のフィラー含有率とは、樹脂フィルムに対するフィラーの割合(重量比率)を意味する。
Claims (8)
- ポリアミド酸又はポリイミドを含有する有機化合物の固形分と、シリカ粒子と、を含有する樹脂組成物であって、
前記ポリアミド酸又はポリイミドが、ジアミン残基として、2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル及び2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパンから選ばれる少なくとも1種を含有するものであり、
前記シリカ粒子の含有量が、前記固形分の全量及び前記シリカ粒子の合計に対し10~85重量%(ただしポリアミド酸はイミド化されたポリイミドに換算する。)の範囲内であり、
前記シリカ粒子全体として、CuKα線によるX線回折分析スペクトルの2θ=10°~90°の範囲におけるSiO2に由来する全ピーク面積に対するクリストバライト結晶相に由来するピークの合計面積の割合が80重量%以上であり、
レーザ回折散乱法による体積基準の粒度分布測定によって得られる前記シリカ粒子の頻度分布曲線におけるメジアン径D 50 が8~15μmの範囲内であり、
前記シリカ粒子の90重量%以上が、真比重2.3以上であることを特徴とする樹脂組成物。 - 前記シリカ粒子における粒子径が3μm以上の粒子の90重量%以上が、円形度0.7以上である請求項1に記載の樹脂組成物。
- 単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層が、請求項1又は2に記載の樹脂組成物により形成された結晶性シリカ含有ポリイミド層であり、該結晶性シリカ含有ポリイミド層の厚みが15μm~200μmの範囲内である樹脂フィルム。 - 樹脂フィルムの全体の厚みに対する前記結晶性シリカ含有ポリイミド層の厚みの割合が50%以上である請求項3に記載の樹脂フィルム。
- スプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定したときの周波数3~20GHzにおける比誘電率が3.1以下である請求項3又は4に記載の樹脂フィルム。
- スプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定したときの周波数3~20GHzにおける誘電正接が0.005以下である請求項3~5のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。
- 熱膨張係数が50ppm/K以下である請求項3~6のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。
- 絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層板であって、
前記絶縁樹脂層の少なくとも1層が、請求項3~7のいずれか1項に記載の樹脂フィルムからなることを特徴とする金属張積層板。
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