JP7439888B2 - resin composition - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。 The present invention relates to a resin composition. Furthermore, the present invention relates to resin sheets, circuit boards, and semiconductor chip packages using the resin composition.

近年、スマートフォン、タブレット型デバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体パッケージ用絶縁材料（絶縁層）も更なる高機能化が求められている。このような絶縁層は、樹脂組成物を硬化して形成されるもの等が知られている（例えば特許文献１参照）。 In recent years, demand for small, high-performance electronic devices such as smartphones and tablet devices has increased, and with this, the insulating materials (insulating layers) for semiconductor packages used in these small electronic devices are also required to have even higher functionality. It is being Such an insulating layer is known to be formed by curing a resin composition (for example, see Patent Document 1).

特開２０１７－００８３１２号公報Japanese Patent Application Publication No. 2017-008312

本発明者は、さらなる電子機器の小型化、薄型化を達成すべく、樹脂組成物を検討した。検討の結果、本発明者は、低弾性率材料の絶縁層に適用した場合に、ビアホールの形成後にハローイング現象が生じることを見出した。ここで、ハローイング現象とは、ビアホールの周囲において絶縁層と内層基板との間で剥離が生じることをいう。このようなハローイング現象は、通常、ビアホールの周囲の樹脂が劣化し、その劣化した部分が粗化処理時に侵食されて生じる。なお、前記の劣化した部分は、通常変色部として観察される。 The present inventor investigated resin compositions in order to further reduce the size and thickness of electronic devices. As a result of studies, the present inventors found that when applied to an insulating layer made of a low modulus material, a haloing phenomenon occurs after via holes are formed. Here, the haloing phenomenon refers to the occurrence of peeling between the insulating layer and the inner layer substrate around the via hole. Such a haloing phenomenon usually occurs when the resin around the via hole deteriorates and the deteriorated portion is eroded during the roughening process. Note that the deteriorated portion is usually observed as a discolored portion.

また、低弾性率材料を用いて絶縁層を形成する際、樹脂組成物のタック性が高くなることにより樹脂組成物の取扱い性が低下しやすくなるので、通常、無機充填材であるシリカを樹脂組成物に含有させることでタック性の調整を行っていた。しかし、本発明者らは、シリカを樹脂組成物に含有させてもハローイング現象が改善されないことを知見した。 In addition, when forming an insulating layer using a low modulus material, the tackiness of the resin composition increases, which tends to reduce the handling of the resin composition. The tackiness was adjusted by including it in the composition. However, the present inventors found that the haloing phenomenon was not improved even if silica was included in the resin composition.

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、低弾性率材料を用いた場合においても、ハローイング現象を抑制可能な絶縁層を得られる、タック性が良好な樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物を用いて形成された絶縁層を備える回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。 The present invention was devised in view of the above-mentioned problems, and provides a resin composition with good tackiness that can provide an insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon even when a low elastic modulus material is used; The present invention provides a resin sheet containing a resin composition; a circuit board including an insulating layer formed using the resin composition; and a semiconductor chip package.

本発明者らは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エラストマー、（Ｃ）アルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウム、及び（Ｄ）シリカを含む樹脂組成物により、前記の課題を解決できることを見出した。また、この樹脂組成物は、前記の課題の解決に加えて、絶縁層の導体層に対するピール強度、リフロー膨れ、及び難燃性に優れる絶縁層を得られることも見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have found that the above problems can be solved by a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) an elastomer, (C) magnesium hydroxide surface-treated with an alkoxysilane compound, and (D) silica. I found out. In addition to solving the above-mentioned problems, the resin composition also found that an insulating layer having excellent peel strength, reflow blistering, and flame retardancy with respect to the conductor layer of the insulating layer can be obtained. It's arrived.

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エラストマー、（Ｃ）アルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウム、及び（Ｄ）シリカ、を含む樹脂組成物。
［２］ （Ｃ）成分におけるアルコキシシラン化合物が、アミノ基を有する、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ｃ）成分の平均粒径が、３μｍ以下である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （Ｃ）成分におけるアルコキシシラン化合物の含有量が、水酸化マグネシウム１００質量部に対して５質量部以下である、［１］～［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、２質量％以上６０質量％以下である、［１］～［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ （Ｄ）成分の平均粒径が、３μｍ以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、３質量％以上３０質量％以下である、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ （Ｂ）成分が、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂である、［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］ （Ｂ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃以下で液状である樹脂から選択される１種以上である、［１］～［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ （Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、３質量％以上２５質量％以下である、［１］～［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ 樹脂組成物を加熱硬化した直後の初期質量Ｗ０と、樹脂組成物を加熱硬化し、過マンガン酸アルカリ水溶液に８０℃で５分間放置した後の質量Ｗ１との比率（Ｗ０／Ｗ１）が、１．０５以下である、［１］～［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ 樹脂組成物を１８０℃９０分で熱硬化させた後の２３℃における弾性率が、３ＧＰａ以下である、［１］～［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］～［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１４］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１５］ 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、［１４］に記載の樹脂シート。
［１６］ ［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１７］ ［１６］に記載の回路基板と、前記回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１８］ ［１］～［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物、もしくは［１４］又は［１５］に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。 That is, the present invention includes the following contents.
[1] A resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) an elastomer, (C) magnesium hydroxide surface-treated with an alkoxysilane compound, and (D) silica.
[2] The resin composition according to [1], wherein the alkoxysilane compound in component (C) has an amino group.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the average particle size of component (C) is 3 μm or less.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the content of the alkoxysilane compound in component (C) is 5 parts by mass or less based on 100 parts by mass of magnesium hydroxide.
[5] Any one of [1] to [4], wherein the content of component (C) is 2% by mass or more and 60% by mass or less, when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. resin composition.
[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the average particle size of component (D) is 3 μm or less.
[7] Any one of [1] to [6], wherein the content of component (D) is 3% by mass or more and 30% by mass or less, when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. resin composition.
[8] Component (B) has a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule. The resin composition according to any one of [1] to [7], which is a resin having one or more types of structures.
[9] According to any one of [1] to [8], wherein component (B) is one or more selected from resins with a glass transition temperature of 25°C or lower and resins that are liquid at 25°C or lower. resin composition.
[10] Any one of [1] to [9], wherein the content of component (A) is 3% by mass or more and 25% by mass or less, when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. resin composition.
[11] Ratio between the initial mass W0 immediately after heating and curing the resin composition and the mass W1 after heating and curing the resin composition and leaving it in an aqueous alkali permanganate solution at 80°C for 5 minutes (W0/W1) is 1.05 or less, the resin composition according to any one of [1] to [10].
[12] The resin composition according to any one of [1] to [11], wherein the resin composition has an elastic modulus of 3 GPa or less at 23°C after thermosetting at 180°C for 90 minutes.
[13] The resin composition according to any one of [1] to [12], which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[14] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer provided on the support and containing the resin composition according to any one of [1] to [13].
[15] The resin sheet according to [14], which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package.
[16] A circuit board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [13].
[17] A semiconductor chip package including the circuit board according to [16] and a semiconductor chip mounted on the circuit board.
[18] A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip sealed with the resin composition according to any one of [1] to [13] or the resin sheet according to [14] or [15].

本発明によれば、ハローイング現象を抑制可能であり、ピール強度、リフロー膨れ、及び難燃性に優れる絶縁層を得られる、タック性が良好な樹脂組成物；該樹脂組成物を使用した樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。 According to the present invention, a resin composition with good tackiness that can suppress the haloing phenomenon and provide an insulating layer with excellent peel strength, reflow blistering, and flame retardancy; a resin using the resin composition. Sheets, circuit boards, and semiconductor chip packages can be provided.

図１は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物をシート状に硬化させて得た絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer obtained by curing a resin composition according to a first embodiment of the present invention into a sheet shape, together with an inner layer substrate. 図２は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物をシート状に硬化させて得た絶縁層の、導体層とは反対側の面を模式的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the surface opposite to the conductor layer of an insulating layer obtained by curing the resin composition according to the first embodiment of the present invention into a sheet shape. 図３は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物をシート状に硬化させて得た、粗化処理後の絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer after roughening treatment, obtained by curing the resin composition according to the first embodiment of the present invention into a sheet shape, together with an inner layer substrate.

以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。 Hereinafter, the resin composition, resin sheet, circuit board, and semiconductor chip package of the present invention will be explained in detail.

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エラストマー、（Ｃ）アルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウム、及び（Ｄ）シリカを含む。 [Resin composition]
The resin composition of the present invention includes (A) an epoxy resin, (B) an elastomer, (C) magnesium hydroxide surface-treated with an alkoxysilane compound, and (D) silica.

（Ａ）～（Ｄ）成分を用いることで、良好なタック性が得られ、ハローイング現象を抑制可能であり、ピール強度、リフロー膨れ、及び難燃性に優れる絶縁層を得ることが可能となる。 By using components (A) to (D), it is possible to obtain good tackiness, suppress the haloing phenomenon, and obtain an insulating layer with excellent peel strength, reflow blistering, and flame retardancy. Become.

樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）硬化剤、（Ｆ）硬化促進剤、（Ｇ）難燃剤、及び（Ｈ）任意の添加剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。 The resin composition may further contain (E) a curing agent, (F) a curing accelerator, (G) a flame retardant, and (H) an arbitrary additive, if necessary. Each component contained in the resin composition will be explained in detail below.

＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。（Ａ）成分としてのエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 <(A) Epoxy resin>
The resin composition contains (A) an epoxy resin. Examples of the epoxy resin as component (A) include bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, Trisphenol type epoxy resin, xylene structure-containing novolac type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, Glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin with butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro Examples include ring-containing epoxy resins, cyclohexane-type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, naphthylene ether-type epoxy resins, trimethylol-type epoxy resins, and tetraphenylethane-type epoxy resins. One type of epoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.

樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（Ａ）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。 It is preferable that the resin composition contains, as the epoxy resin (A), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention, the proportion of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50% by mass with respect to 100% by mass of the nonvolatile components of the epoxy resin (A). % or more, more preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more.

エポキシ樹脂には、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、樹脂組成物層の硬化物の破断強度を向上させたりできる観点から、固体状エポキシ樹脂を含むことが好ましい。 Epoxy resins include epoxy resins that are liquid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "liquid epoxy resins") and epoxy resins that are solid at a temperature of 20°C (sometimes referred to as "solid epoxy resins"). There is. The resin composition preferably contains a solid epoxy resin from the viewpoint of improving the breaking strength of the cured product of the resin composition layer.

固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。 As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

固体状エポキシ樹脂としては、キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。 Solid epoxy resins include xylene structure-containing novolac epoxy resins, bixylenol epoxy resins, naphthalene epoxy resins, naphthalene tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak epoxy resins, dicyclopentadiene epoxy resins, and trisphenol epoxy resins. Preferable resins are naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, and tetraphenylethane type epoxy resin, and xylene structure-containing novolak type. Epoxy resins and biphenyl type epoxy resins are more preferred.

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of solid epoxy resins include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC; “N-690” (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC; “N-695” (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC; “HP-7200” (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC; DIC's "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" ( naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku; "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku; "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin); "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical; "ESN485" (naphthol novolac) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical type epoxy resin); “YX4000H”, “YX4000”, “YL6121” manufactured by Mitsubishi Chemical Company (biphenyl type epoxy resin); “YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Company (bixylenol type epoxy resin); manufactured by Mitsubishi Chemical Company “ "YX8800" (anthracene type epoxy resin); "YX7700" (xylene structure-containing novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical; "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin); "YL7800" (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin). These may be used alone or in combination of two or more.

液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する芳香族系の液状エポキシ樹脂がより好ましい。ここで、「芳香族系」のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。 As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable. Here, "aromatic" epoxy resin means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。 Liquid epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, and ester skeleton. Preferred are alicyclic epoxy resins, cyclohexane-type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, glycidylamine-type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure.

液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「８２５」、「エピコート８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ８０７」、「１７５０」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂）、日本曹達社製の「ＪＰ－４００」（エポキシ化ポリブタジエン樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of liquid epoxy resins include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "828US", "jER828EL", "825", and "Epicoat" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 828EL" (bisphenol A type epoxy resin); "jER807", "1750" (bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; manufactured by Mitsubishi Chemical “630” and “630LSD” (glycidylamine type epoxy resin); “ZX1059” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. (mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin); “EX” manufactured by Nagase ChemteX -721" (glycidyl ester type epoxy resin); Daicel's "Celoxide 2021P" (alicyclic epoxy resin with ester skeleton); Daicel's "PB-3600" (epoxy resin with butadiene structure); Nippon Steel Examples include "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Sumikin Chemical Co., Ltd., and "JP-400" (epoxidized polybutadiene resin) manufactured by Nippon Soda Co., Ltd. These may be used alone or in combination of two or more.

（Ａ）エポキシ樹脂は、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いてもよい。（Ａ）エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：１～１：２０、より好ましくは１：２～１：１５、特に好ましくは１：５～１：１３である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性がもたらされる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。 (A) The epoxy resin may be a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin. (A) When using a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin as the epoxy resin, their quantitative ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1:1 to 1:20 in terms of mass ratio. , more preferably 1:2 to 1:15, particularly preferably 1:5 to 1:13. When the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is within this range, the desired effects of the present invention can be significantly obtained. Furthermore, when used in the form of a resin sheet, adequate tackiness is usually provided. Further, when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is usually obtained and handling properties are improved. Furthermore, it is usually possible to obtain a cured product having sufficient breaking strength.

（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０～５０００、より好ましくは５０～３０００、さらに好ましくは８０～２０００、さらにより好ましくは１１０～１０００である。この範囲となることで、樹脂組成物層の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。 The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 to 5,000, more preferably 50 to 3,000, even more preferably 80 to 2,000, and even more preferably 110 to 1,000. By falling within this range, the crosslinking density of the cured product of the resin composition layer will be sufficient, and an insulating layer with small surface roughness can be provided. Epoxy equivalent is the mass of resin containing one equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

（Ａ）エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。 The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, and still more preferably 400 to 1,500 from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.
The weight average molecular weight of the resin can be measured as a value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).

樹脂組成物中の（Ａ）エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは８質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。
なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。 From the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability, the amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and even more preferably 8% by mass. % by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 25% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, still more preferably 15% by mass or less, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effects of the present invention.
In the present invention, the content of each component in the resin composition is a value based on 100% by mass of nonvolatile components in the resin composition, unless otherwise specified.

＜（Ｂ）エラストマー＞
樹脂組成物は、（Ｂ）エラストマーを含む。本発明において（Ｂ）エラストマーは柔軟性を有する樹脂を意味し、有機溶剤に溶解する不定形の樹脂成分であり、ゴム弾性を有する樹脂または他の成分と重合してゴム弾性を示す樹脂が好ましい。ゴム弾性としては、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ Ｋ７１６１）に準拠し、温度２５℃、湿度４０％ＲＨにて、引っ張り試験を行った場合に、１ＧＰａ以下の弾性率を示す樹脂が挙げられる。（Ｂ）成分を樹脂組成物に用いることにより、導体層に対する密着強度に優れる絶縁層を得ることが可能となる。さらに、（Ｂ）成分により、通常は絶縁層の弾性率を小さくしたり、反りに対する耐性を高めたりすることも可能である。 <(B) Elastomer>
The resin composition contains (B) an elastomer. In the present invention, (B) elastomer means a flexible resin, which is an amorphous resin component that dissolves in an organic solvent, and is preferably a resin that has rubber elasticity or a resin that exhibits rubber elasticity by polymerizing with other components. . Examples of rubber elasticity include resins that exhibit an elastic modulus of 1 GPa or less when subjected to a tensile test at a temperature of 25° C. and a humidity of 40% RH in accordance with Japanese Industrial Standards (JIS K7161). By using component (B) in the resin composition, it is possible to obtain an insulating layer that has excellent adhesion strength to the conductor layer. Furthermore, by using the component (B), it is usually possible to reduce the elastic modulus of the insulating layer and increase resistance to warpage.

一実施形態において、（Ｂ）成分は、分子内にポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂であることが好ましく、より柔軟性を高める観点からポリブタジエン構造及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂であることがより好ましい。 In one embodiment, component (B) has a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule. It is preferable that the resin has one or more structures selected from polybutadiene structures and polycarbonate structures, and more preferably resins that have one or more structures selected from a polybutadiene structure and a polycarbonate structure from the viewpoint of further increasing flexibility.

また、別の一実施形態において、（Ｂ）成分は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂及び２５℃以下で液状である樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。ガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常－１５℃以上とし得る。また、２５℃で液状である樹脂としては、好ましくは２０℃以下で液状である樹脂、より好ましくは１５℃以下で液状である樹脂である。 In another embodiment, the component (B) is preferably one or more selected from resins having a glass transition temperature (Tg) of 25°C or lower and resins that are liquid at 25°C or lower. The glass transition temperature (Tg) of the resin is preferably 20°C or lower, more preferably 15°C or lower. The lower limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but it can usually be -15°C or higher. Further, the resin that is liquid at 25°C is preferably a resin that is liquid at 20°C or lower, and more preferably a resin that is liquid at 15°C or lower.

より好適な一実施形態として、（Ｂ）成分は、ガラス転移温度が２５℃以下、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上であり、且つ分子内にポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂が好ましい。 In a more preferred embodiment, component (B) is one or more resins selected from resins having a glass transition temperature of 25° C. or lower and a liquid state at 25° C., and having a polybutadiene structure or a polysiloxane structure in the molecule. , a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure.

ポリブタジエン構造は、ブタジエンを重合して形成される構造だけでなく、当該構造に水素添加して形成される構造も含む。また、ブタジエン構造は、その一部のみが水素添加されていてもよく、その全てが水素添加されていてもよい。さらに、ポリブタジエン構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。 The polybutadiene structure includes not only a structure formed by polymerizing butadiene but also a structure formed by hydrogenating the structure. Moreover, only a part of the butadiene structure may be hydrogenated, or the entire butadiene structure may be hydrogenated. Furthermore, the polybutadiene structure may be included in the main chain or in the side chain in component (B).

ポリブタジエン構造を分子内に有する樹脂であるポリブタジエン樹脂の好ましい例としては、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ポリブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ポリブタジエン樹脂、酸無水物基含有ポリブタジエン樹脂、エポキシ基含有ポリブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ポリブタジエン樹脂、ウレタン基含有ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。中でも、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン樹脂が更に好ましい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂等が挙げられる。また、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン樹脂としては、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂等が挙げられる。 Preferred examples of polybutadiene resins having a polybutadiene structure in the molecule include hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resins, hydroxy group-containing polybutadiene resins, phenolic hydroxyl group-containing polybutadiene resins, carboxyl group-containing polybutadiene resins, and acid anhydride group-containing polybutadiene resins. resin, epoxy group-containing polybutadiene resin, isocyanate group-containing polybutadiene resin, urethane group-containing polybutadiene resin, and the like. Among these, phenolic hydroxyl group-containing polybutadiene resin is more preferred. Here, the "hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin" refers to a resin in which at least a portion of the polybutadiene skeleton is hydrogenated, and does not necessarily have to be a resin in which the polybutadiene skeleton is completely hydrogenated. Examples of the hydrogenated polybutadiene skeleton-containing resin include hydrogenated polybutadiene skeleton-containing epoxy resins. Further, examples of the phenolic hydroxyl group-containing polybutadiene resin include resins having a polybutadiene structure and phenolic hydroxyl groups.

ポリブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ－１００」、「ＪＰ－２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ－１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ－１０００」、「Ｇ－２０００」、「Ｇ－３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ－１０００」、「ＧＩ－２０００」、「ＧＩ－３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化合物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ－０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、「Ｒ－４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ化合物）、等が挙げられる。 Specific examples of polybutadiene resins include "Ricon 657" (epoxy group-containing polybutadiene), "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", and "Ricon 131MA10" manufactured by Clay Valley. "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", "Ricon 184MA6" (acid anhydride group-containing polybutadiene), "JP-100", "JP-200" (epoxidized polybutadiene), "GQ-1000" (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) (polybutadiene with hydroxyl groups and carboxyl groups introduced), "G-1000", "G-2000", "G-3000" (polybutadiene with hydroxyl groups at both ends), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" ( PB3600, PB4700 (polybutadiene backbone epoxy compound), Epofriend A1005, Epofriend A1010, Epofriend A1020 (styrene, butadiene and styrene block) manufactured by Daicel copolymer epoxy compound), "FCA-061L" (hydrogenated polybutadiene skeleton epoxy compound), and "R-45EPT" (polybutadiene skeleton epoxy compound) manufactured by Nagase ChemteX.

また、好ましいポリブタジエン樹脂の例としては、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）も挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％～９５質量％、より好ましくは７５質量％～８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６－３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 Examples of preferred polybutadiene resins include linear polyimides made from hydroxyl group-terminated polybutadiene, diisocyanate compounds, and tetrabasic acid anhydrides (polyimides described in JP-A No. 2006-37083 and WO 2008/153208). ) can also be mentioned. The polybutadiene structure content of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, the descriptions in JP-A No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208 can be referred to, the contents of which are incorporated herein.

ポリシロキサン構造は、シロキサン結合を含む構造であり、例えばシリコーンゴムに含まれる。ポリシロキサン構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。 A polysiloxane structure is a structure containing siloxane bonds, and is included in silicone rubber, for example. In component (B), the polysiloxane structure may be included in the main chain or in the side chain.

ポリシロキサン構造を分子内に有する樹脂であるポリシロキサン樹脂の具体例としては、信越シリコーン社製の「ＳＭＰ－２００６」、「ＳＭＰ－２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ－５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。 Specific examples of polysiloxane resins having a polysiloxane structure in the molecule include "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA", "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shin-Etsu Silicone, amine group-terminated polysiloxane, Examples include linear polyimide made from basic acid anhydride (International Publication No. 2010/053185).

ポリ（メタ）アクリレート構造は、アクリル酸又はアクリル酸エステルを重合して形成される構造であり、メタクリル酸又はメタクリル酸エステルを重合して形成される構造も含む。（メタ）アクリレート構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ここで「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。 The poly(meth)acrylate structure is a structure formed by polymerizing acrylic acid or acrylic ester, and also includes a structure formed by polymerizing methacrylic acid or methacrylic ester. The (meth)acrylate structure may be included in the main chain or in the side chain in component (B). Here, "(meth)acrylate" refers to methacrylate and acrylate.

ポリ（メタ）アクリレート構造を分子内に有する樹脂であるポリ（メタ）アクリレート樹脂の好ましい例としては、ヒドロキシ基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂、フェノール性水酸基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂、カルボキシ基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂、酸無水物基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂、エポキシ基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂、イソシアネート基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂、ウレタン基含有ポリ（メタ）アクリレート樹脂等が挙げられる。 Preferred examples of the poly(meth)acrylate resin, which is a resin having a poly(meth)acrylate structure in the molecule, include hydroxy group-containing poly(meth)acrylate resin, phenolic hydroxyl group-containing poly(meth)acrylate resin, and carboxy group-containing poly(meth)acrylate resin. Poly(meth)acrylate resin, acid anhydride group-containing poly(meth)acrylate resin, epoxy group-containing poly(meth)acrylate resin, isocyanate group-containing poly(meth)acrylate resin, urethane group-containing poly(meth)acrylate resin, etc. Can be mentioned.

ポリ（メタ）アクリレート樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ－７０Ｌ」、「ＳＧ－７０８－６」、「ＷＳ－０２３」、「ＳＧ－７００ＡＳ」、「ＳＧ－２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５～３４ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量４０万～９０万、Ｔｇ－３０℃～５℃）、「ＳＧ－８０Ｈ」、「ＳＧ－８０Ｈ－３」、「ＳＧ－Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１～１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万～８５万、Ｔｇ１１℃～１２℃）、「ＳＧ－６００ＴＥＡ」、「ＳＧ－７９０」」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０～４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万～１２０万、Ｔｇ－３７℃～－３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ－２０００」、「Ｗ－１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ－１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ－２５」、「ＫＧ－３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。 Specific examples of poly(meth)acrylate resins include Teisan Resin "SG-70L", "SG-708-6", "WS-023", "SG-700AS", and "SG-280TEA" manufactured by Nagase ChemteX. ” (carboxy group-containing acrylic ester copolymer resin, acid value 5 to 34 mgKOH/g, weight average molecular weight 400,000 to 900,000, Tg -30°C to 5°C), “SG-80H”, “SG-80H- 3", "SG-P3" (epoxy group-containing acrylic ester copolymer resin, epoxy equivalent: 4761 to 14285 g/eq, weight average molecular weight: 350,000 to 850,000, Tg: 11°C to 12°C), "SG-600TEA", "SG-790" (hydroxy group-containing acrylic ester copolymer resin, hydroxyl value 20-40 mgKOH/g, weight average molecular weight 500,000-1,200,000, Tg -37°C - -32°C), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. "ME-2000", "W-116.3" (carboxy group-containing acrylic ester copolymer resin), "W-197C" (hydroxyl group-containing acrylic ester copolymer resin), "KG-25", " KG-3000'' (epoxy group-containing acrylic acid ester copolymer resin).

ポリアルキレン構造は、所定の炭素原子数を有することが好ましい。ポリアルキレン構造の具体的な炭素原子数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上、特に好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは６以下である。また、ポリアルキレン構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。 It is preferable that the polyalkylene structure has a predetermined number of carbon atoms. The specific number of carbon atoms in the polyalkylene structure is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, particularly preferably 5 or more, and preferably 15 or less, more preferably 10 or less, particularly preferably 6 or less. Moreover, in component (B), the polyalkylene structure may be contained in the main chain or may be contained in the side chain.

ポリアルキレンオキシ構造は、所定の炭素原子数を有することが好ましい。ポリアルキレンオキシ構造の具体的な炭素原子数は、好ましくは２以上、好ましくは３以上、より好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは６以下である。ポリアルキレンオキシ構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。 It is preferable that the polyalkyleneoxy structure has a predetermined number of carbon atoms. The specific number of carbon atoms in the polyalkyleneoxy structure is preferably 2 or more, preferably 3 or more, more preferably 5 or more, and preferably 15 or less, more preferably 10 or less, particularly preferably 6 or less. In component (B), the polyalkyleneoxy structure may be included in the main chain or in the side chain.

ポリアルキレン構造を分子内に有する樹脂であるポリアルキレン樹脂及びポリアルキレンオキシ構造を分子内に有する樹脂であるポリアルキレンオキシ樹脂の具体例としては、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ－１０００」、「ＰＴＸＧ－１８００」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ－７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）、ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－４８５０－１５０」、「ＥＸＡ－４８１６」、「ＥＸＡ－４８２２」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ－４０００」、「ＥＰ－４００３」、「ＥＰ－４０１０」、「ＥＰ－４０１１」、新日本理化社製の「ＢＥＯ－６０Ｅ」、「ＢＰＯ－２０Ｅ」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７１７５」、「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。 Specific examples of polyalkylene resins that have a polyalkylene structure in the molecule and polyalkyleneoxy resins that have a polyalkyleneoxy structure in the molecule include "PTXG-1000" and "PTXG" manufactured by Asahi Kasei Fibers Co., Ltd. -1800'', Mitsubishi Chemical Corporation's "YX-7180" (resin containing an alkylene structure with an ether bond), DIC Corporation's "EXA-4850-150", "EXA-4816", "EXA-4822" , "EP-4000", "EP-4003", "EP-4010", "EP-4011" manufactured by ADEKA, "BEO-60E", "BPO-20E" manufactured by Shin Nippon Chemical, Mitsubishi Chemical Examples include "YL7175" and "YL7410" manufactured by Manufacturer.

ポリイソプレン構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリイソプレン構造を分子内に有する樹脂であるポリイソプレン樹脂の具体例としては、クラレ社製の「ＫＬ－６１０」、「ＫＬ－６１３」等が挙げられる。 In component (B), the polyisoprene structure may be included in the main chain or in the side chain. Specific examples of the polyisoprene resin, which is a resin having a polyisoprene structure in the molecule, include "KL-610" and "KL-613" manufactured by Kuraray Co., Ltd.

ポリイソブチレン構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。ポリイソブチレン構造を分子内に有する樹脂であるポリイソブチレン樹脂の具体例としては、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ－０７３Ｔ」（スチレン－イソブチレン－スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ－０４２Ｄ」（スチレン－イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。 In component (B), the polyisobutylene structure may be included in the main chain or in the side chain. Specific examples of polyisobutylene resins that have a polyisobutylene structure in the molecule include Kaneka's "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and "SIBSTAR-042D" (styrene- isobutylene diblock copolymer), etc.

ポリカーボネート構造は、（Ｂ）成分において、主鎖に含まれていてもよく、側鎖に含まれていてもよい。 In component (B), the polycarbonate structure may be included in the main chain or in the side chain.

ポリカーボネート構造を分子内に有する樹脂であるポリカーボネート樹脂の好ましい例としては、ヒドロキシ基含有ポリカーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有ポリカーボネート樹脂、カルボキシ基含有ポリカーボネート樹脂、酸無水物基含有ポリカーボネート樹脂、エポキシ基含有ポリカーボネート樹脂、イソシアネート基含有ポリカーボネート樹脂、ウレタン基含有ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。 Preferred examples of the polycarbonate resin, which is a resin having a polycarbonate structure in the molecule, include hydroxy group-containing polycarbonate resin, phenolic hydroxyl group-containing polycarbonate resin, carboxyl group-containing polycarbonate resin, acid anhydride group-containing polycarbonate resin, and epoxy group-containing polycarbonate resin. , isocyanate group-containing polycarbonate resin, urethane group-containing polycarbonate resin, and the like.

ポリカーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。 Specific examples of polycarbonate resins include "T6002" and "T6001" (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, and "C-1090", "C-2090", and "C-3090" (polycarbonate diol) manufactured by Kuraray Corporation. etc.

また、好ましいポリカーボネート樹脂の例としては、ヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドも挙げられる。該ポリイミド樹脂のポリカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％～９５質量％、より好ましくは７５質量％～８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 Examples of preferable polycarbonate resins include linear polyimides made from hydroxyl-terminated polycarbonates, diisocyanate compounds, and tetrabasic acid anhydrides. The polycarbonate structure content of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. For details of the polyimide resin, the description in International Publication No. 2016/129541 can be referred to, the contents of which are incorporated herein.

（Ｂ）成分は、さらにイミド構造を有することが好ましい。イミド構造を有することにより、（Ｂ）成分の耐熱性を高めクラック耐性を効果的に高めることができる。 It is preferable that the component (B) further has an imide structure. By having an imide structure, the heat resistance of component (B) can be increased and crack resistance can be effectively increased.

（Ｂ）成分は、直鎖状、分枝状、及び環状のいずれの構造であってもよいが、本発明の所望の効果を発揮する観点から直鎖状であることが好ましい。 Component (B) may have a linear, branched, or cyclic structure, but is preferably linear from the viewpoint of exhibiting the desired effects of the present invention.

（Ｂ）成分は、さらに（Ａ）成分と反応できる官能基を有することが好ましい。この官能基には、加熱によって現れる反応基も含まれる。（Ｂ）成分が官能基を有することにより、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を向上させることができる。 Preferably, component (B) further has a functional group that can react with component (A). This functional group also includes a reactive group that appears upon heating. When component (B) has a functional group, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be improved.

官能基としては、カルボキシ基、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基、およびウレタン基などが挙げられる。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、官能基としては、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基から選択される１種以上の官能基を有することが好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。 Examples of the functional group include a carboxy group, a hydroxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. Among them, from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention, the functional group has one or more functional groups selected from a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group. is preferable, and a phenolic hydroxyl group is particularly preferable.

（Ｂ）成分は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Component (B) may be used alone or in combination of two or more.

（Ｂ）成分は、優れた柔軟性を発揮する観点から、高分子量であることが好ましい。（Ｂ）成分の具体的な数平均分子量Ｍｎは、好ましくは４０００以上、より好ましくは４５００以上、更に好ましくは５０００以上、特に好ましくは５５００以上であり、好ましくは１０００００以下、より好ましくは９５０００以下、特に好ましくは９００００以下である。（Ｂ）成分の数平均分子量Ｍｎが前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。（Ｂ）成分の数平均分子量Ｍｎは、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。 Component (B) preferably has a high molecular weight from the viewpoint of exhibiting excellent flexibility. The specific number average molecular weight Mn of component (B) is preferably 4,000 or more, more preferably 4,500 or more, even more preferably 5,000 or more, particularly preferably 5,500 or more, preferably 100,000 or less, more preferably 95,000 or less, Particularly preferably, it is 90,000 or less. When the number average molecular weight Mn of component (B) is within the above range, the desired effects of the present invention can be significantly obtained. The number average molecular weight Mn of component (B) is the number average molecular weight in terms of polystyrene measured using GPC (gel permeation chromatography).

また、（Ｂ）成分の具体的な重量平均分子量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは５５００～１０００００であり、より好ましくは１００００～９００００であり、さらに好ましくは１５０００～８００００である。（Ｂ）成分の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。 In addition, the specific weight average molecular weight of component (B) is preferably 5,500 to 100,000, more preferably 10,000 to 90,000, still more preferably 15,000 to It is 80,000. The weight average molecular weight of component (B) is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

（Ｂ）成分が官能基を有する場合、（Ｂ）成分の官能基当量は、好ましくは１００以上、より好ましくは２００以上、更に好ましくは１０００以上、特に好ましくは２５００以上であり、好ましくは５００００以下、より好ましくは３００００以下、更に好ましくは１００００以下、特に好ましくは５０００以下である。官能基当量は、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。また、例えば、水酸基当量はＪＩＳ Ｋ１５５７－１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。 When component (B) has a functional group, the functional group equivalent of component (B) is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, even more preferably 1,000 or more, particularly preferably 2,500 or more, and preferably 50,000 or less. , more preferably 30,000 or less, still more preferably 10,000 or less, particularly preferably 5,000 or less. Functional group equivalent weight is the number of grams of resin that contains one gram equivalent of functional groups. For example, the epoxy group equivalent can be measured according to JIS K7236. Further, for example, the hydroxyl equivalent can be calculated by dividing the molecular weight of KOH by the hydroxyl value measured according to JIS K1557-1.

（Ｂ）成分の量は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは１５質量％以上、特に好ましくは２０質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下である。（Ｂ）成分の量が前記の範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。 The amount of component (B) is preferably 10% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, particularly preferably 20% by mass or more, and preferably 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, particularly preferably is 30% by mass or less. When the amount of component (B) is within the above range, the desired effects of the present invention can be significantly obtained.

＜（Ｃ）アルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウム＞
樹脂組成物は、（Ｃ）アルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウムを含有する。（Ｃ）成分を樹脂組成物に含有させることにより、タック性を小さくし、ハローイング現象を抑制可能な絶縁層を得ることができ、さらに難燃性を向上させることもできる。 <(C) Magnesium hydroxide surface treated with alkoxysilane compound>
The resin composition contains (C) magnesium hydroxide that has been surface-treated with an alkoxysilane compound. By incorporating component (C) into the resin composition, it is possible to obtain an insulating layer that can reduce the tackiness and suppress the haloing phenomenon, and it is also possible to improve the flame retardance.

（Ｃ）成分として使用する水酸化マグネシウムとしては、合成物、天然物のいずれであってもよい。（Ｃ）成分は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 The magnesium hydroxide used as component (C) may be either a synthetic product or a natural product. Component (C) may be used alone or in combination of two or more.

水酸化マグネシウムの市販品としては、例えば神島化学工業社製の「ＥＰ－４Ａ」、「ＥＰ－２Ｅ」、「ＥＰ－２Ａ」、「ＥＰ－１ＳＩＩ」、タテホ化学工業社製の「エコーマグ Ｚ－１０」、「エコーマグ ＰＺ－１」、堺化学工業社製の「ＭＧＺ－１」、「ＭＧＺ－３」、協和化学工業社製の「キスマ５Ｅ」、「キスマ８ＳＮ」、「キスマ５Ａ」、「キスマ５Ｌ」などが挙げられる。 Commercially available magnesium hydroxide products include, for example, "EP-4A", "EP-2E", "EP-2A", and "EP-1SII" manufactured by Kamishima Chemical Industry Co., Ltd., and "Echomag Z-" manufactured by Tateho Chemical Industry Co., Ltd. 10'', ``Echo Mag PZ-1'', ``MGZ-1'', ``MGZ-3'' manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., ``Kisma 5E'', ``Kisma 8SN'', ``Kisma 5A'', manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd. Kisuma 5L" etc.

通常、水酸化マグネシウムは、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。水酸化マグネシウムの平均粒径は、タック性を効果的に小さくし、且つハローイング現象を効果的に抑制する観点から、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは０．８μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１．５μｍ以下である。 Magnesium hydroxide is usually contained in the resin composition in the form of particles. The average particle size of magnesium hydroxide is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.8 μm or more, and even more preferably 1 μm, from the viewpoint of effectively reducing tackiness and effectively suppressing the haloing phenomenon. or more, preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less, and even more preferably 1.5 μm or less.

水酸化マグネシウムの形状は粒子状であれば特に限定されないが、タック性を効果的に小さくし、且つハローイング現象を効果的に抑制する観点から、楕円状（フレーク状）であってもよい。この場合、アスペクト比としては好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上、さらに好ましくは１．４以上、好ましくは１０以下、より好ましくは９以下、さらに好ましくは８以下である。アスペクト比とは、粒子の長軸（粒子径の最も長い部分の長さ）の長さを短軸（長径の垂直方向の長さ）の長さで除して求めたものを意味する。 The shape of magnesium hydroxide is not particularly limited as long as it is particulate, but it may be elliptical (flake-like) from the viewpoint of effectively reducing tackiness and effectively suppressing the haloing phenomenon. In this case, the aspect ratio is preferably 1 or more, more preferably 1.2 or more, still more preferably 1.4 or more, preferably 10 or less, more preferably 9 or less, still more preferably 8 or less. Aspect ratio means the value obtained by dividing the length of the long axis (the length of the longest part of the particle diameter) of the particle by the length of the short axis (length in the direction perpendicular to the long axis).

水酸化マグネシウムの平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、水酸化マグネシウムの粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、水酸化マグネシウムを超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ－５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。 The average particle size of magnesium hydroxide can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating a particle size distribution of magnesium hydroxide on a volume basis using a laser diffraction scattering particle size distribution measuring device, and using the median diameter as the average particle size. As the measurement sample, one in which magnesium hydroxide is dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction scattering particle size distribution measuring device, "LA-500" manufactured by Horiba, "SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation, etc. can be used.

水酸化マグネシウムは、タック性を効果的に小さくし、且つハローイング現象を抑制する観点から、アルコキシシラン化合物で表面処理されている。 Magnesium hydroxide is surface-treated with an alkoxysilane compound in order to effectively reduce tackiness and suppress the haloing phenomenon.

アルコキシシラン化合物は、「Ｘ－Ｓｉ（ＯＲ１）ａ（Ｒ２）３－ａ」の構造を有することが好ましく、Ｒ１としては炭素原子数１～３のアルキル基、炭素原子数２～８のアルコキシアルキル基又は炭素原子数６～１０のアリール基が挙げられる。Ｒ２としては水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は炭化水素基が挙げられる。ａが２又は３の場合、複数のＲ１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。また、ａが１の場合、複数のＲ２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｘとしてはアミノ基、エポキシ基、メルカプト基、ビニル基、イソシアネート基、メタクリル基、ウレア基、フェニル基、炭素原子数１～３のアルキル基などが挙げられる。 The alkoxysilane compound preferably has a structure of "X-Si(OR 1 ) a (R 2 ) 3-a ", where R 1 is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or an alkyl group having 2 to 8 carbon atoms. and an alkoxyalkyl group or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. Examples of R 2 include a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, and a hydrocarbon group. When a is 2 or 3, a plurality of R 1 's may be the same or different. Furthermore, when a is 1, the plurality of R 2 's may be the same or different. Examples of X include an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a vinyl group, an isocyanate group, a methacrylic group, a urea group, a phenyl group, and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.

アルコキシシラン化合物としては、ハローイング現象を効果的に抑制する観点から、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物が好ましい。 As the alkoxysilane compound, an alkoxysilane compound having an amino group is preferable from the viewpoint of effectively suppressing the haloing phenomenon.

アルコキシシラン化合物の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７８３」（Ｎ－フェニル－３－アミノオクチルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。アルコキシシラン化合物は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of commercially available alkoxysilane compounds include "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. and "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. silane), "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM5783" (N- phenyl-3-aminooctyltrimethoxysilane), "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM" manufactured by Shin-Etsu Chemical -4803'' (long chain epoxy type silane coupling agent). One type of alkoxysilane compound may be used alone, or two or more types may be used in combination.

アルコキシシラン化合物の含有量は、タック性を効果的に小さくし、且つハローイング現象を効果的に抑制する観点から、水酸化マグネシウム１００質量部に対して、好ましくは５質量部以下、より好ましくは４．５質量部以下、さらに好ましくは４質量部以下であり、好ましくは０．５質量部以上、より好ましくは０．６質量部以上、さらに好ましくは０．７質量部以上である。アルコキシシラン化合物の含有量は、アルコキシシラン化合物による表面処理の程度をも表す。 The content of the alkoxysilane compound is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of magnesium hydroxide, from the viewpoint of effectively reducing tackiness and effectively suppressing the haloing phenomenon. The amount is 4.5 parts by mass or less, more preferably 4 parts by mass or less, preferably 0.5 parts by mass or more, more preferably 0.6 parts by mass or more, and still more preferably 0.7 parts by mass or more. The content of the alkoxysilane compound also represents the degree of surface treatment with the alkoxysilane compound.

アルコキシシラン化合物による表面処理の程度は、水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量は、水酸化マグネシウムの分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment with an alkoxysilane compound can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide. The amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and 0.2 mg/m 2 from the viewpoint of improving the dispersibility of magnesium hydroxide. The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in sheet form, it is preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, and even more preferably 0.5 mg/m 2 or less. preferable.

水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量は、アルコキシシラン化合物で表面処理した後の水酸化マグネシウムを溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫをアルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウムに加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。 The amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide can be measured after surface-treating magnesium hydroxide with an alkoxysilane compound and washing the magnesium hydroxide with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to magnesium hydroxide whose surface has been treated with an alkoxysilane compound, and the mixture is subjected to ultrasonic cleaning at 25° C. for 5 minutes. After removing the supernatant liquid and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba, Ltd., etc. can be used.

（Ｃ）成分の含有量は、タック性を効果的に小さくし、且つハローイング現象を効果的に抑制する観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは２質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上である。上限は、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５５質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下である。 From the viewpoint of effectively reducing tackiness and effectively suppressing the haloing phenomenon, the content of component (C) is preferably 2% by mass when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. % or more, more preferably 5% by mass or more, still more preferably 10% by mass or more. The upper limit is preferably 60% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, even more preferably 50% by mass or less.

＜（Ｄ）シリカ＞
樹脂組成物は、（Ｄ）シリカを含有する。（Ｄ）シリカを樹脂組成物に用いることで、ピール強度に優れる絶縁層を得ることができる。また、（Ｄ）シリカを樹脂組成物に用いることで樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を小さくできるので、表面粗度を小さくでき、さらにリフロー膨れが抑制された絶縁層を得ることができる。 <(D) Silica>
The resin composition contains (D) silica. (D) By using silica in the resin composition, an insulating layer with excellent peel strength can be obtained. In addition, by using (D) silica in the resin composition, the coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin composition can be reduced, so the surface roughness can be reduced, and an insulating layer with suppressed reflow blistering can be obtained. .

（Ｄ）シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられ、球状シリカが好ましい。（Ｄ）シリカは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 (D) Silica includes, for example, amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica, and spherical silica is preferred. (D) Silica may be used alone or in combination of two or more types.

（Ｄ）シリカの市販品としては、例えば、新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０－０５」、「ＳＰ５０７－０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；デンカ社製の「ＵＦＰ－３０」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ－３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ－Ｃ４」、「ＳＯ－Ｃ２」、「ＳＯ－Ｃ１」；などが挙げられる。 (D) Commercial products of silica include, for example, "SP60-05" and "SP507-05" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Materials; "YC100C", "YA050C", and "YA050C-MJE" manufactured by Admatex; “YA010C”; “UFP-30” manufactured by Denka; “Silfill NSS-3N”, “Silfill NSS-4N”, “Silfill NSS-5N” manufactured by Tokuyama; “SC2500SQ”, “SO” manufactured by Admatex -C4,” “SO-C2,” “SO-C1,” and the like.

通常、（Ｄ）シリカは、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。（Ｄ）シリカの平均粒径は、ピール強度に優れ、リフロー膨れが抑制された絶縁層を得る観点から、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、特に好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１．５μｍ以下である。また、（Ｄ）シリカの平均粒径が前記の範囲にあることにより、通常は、樹脂組成物層の回路埋め込み性を向上させたり、絶縁層の表面粗さを小さくしたりできる。（Ｄ）シリカの平均粒径は、（Ｃ）成分における水酸化マグネシウムの平均粒径と同様の方法にて測定することができる。 Usually, (D) silica is contained in the resin composition in the form of particles. (D) The average particle size of the silica is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, from the viewpoint of obtaining an insulating layer with excellent peel strength and suppressed reflow blistering. It is preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less, and still more preferably 1.5 μm or less. Furthermore, when the average particle size of (D) silica is within the above range, it is usually possible to improve the circuit embedding property of the resin composition layer and to reduce the surface roughness of the insulating layer. The average particle size of (D) silica can be measured in the same manner as the average particle size of magnesium hydroxide in component (C).

（Ｄ）シリカは、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で表面処理されていてもよい。表面処理剤としては、例えば、上記したアルコキシシラン化合物、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－７１０３」（３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。表面処理剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 (D) Silica may be surface-treated with a surface-treating agent in order to improve moisture resistance and dispersibility. Examples of the surface treatment agent include the above-mentioned alkoxysilane compounds, aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, organosilazane compounds, titanate coupling agents, etc. can be mentioned. Commercially available surface treatment agents include, for example, "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Kagaku Kogyo, "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "SZ-31" manufactured by Shin-Etsu Chemical ( hexamethyldisilazane), "KBM103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM-4803" (long chain epoxy type silane coupling agent) manufactured by Shin-Etsu Chemical, "KBM-" manufactured by Shin-Etsu Chemical 7103'' (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane). One type of surface treatment agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.

表面処理剤による表面処理の程度は、（Ｄ）シリカの単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。（Ｄ）シリカの単位表面積当たりのカーボン量は、（Ｄ）シリカの分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。（Ｄ）シリカの単位表面積当たりのカーボン量は、水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量と同様にして測定することができる。 The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of (D) silica. (D) The amount of carbon per unit surface area of silica is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and 0.2 mg/m 2 or more from the viewpoint of improving the dispersibility of (D) silica. More preferably, it is m2 or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in sheet form, it is preferably 1 mg/m 2 or less, more preferably 0.8 mg/m 2 or less, and even more preferably 0.5 mg/m 2 or less. preferable. (D) The amount of carbon per unit surface area of silica can be measured in the same manner as the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide.

（Ｄ）シリカの含有量は、ピール強度に優れ、リフロー膨れが抑制された絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは３質量％以上、より好ましくは４質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。 (D) From the viewpoint of obtaining an insulating layer with excellent peel strength and suppressed reflow blistering, the content of silica is preferably 3% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. Preferably it is 4% by mass or more, more preferably 5% by mass or more. The upper limit is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, even more preferably 20% by mass or less.

＜（Ｅ）硬化剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｅ）硬化剤を含み得る。硬化剤としては、（Ａ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｅ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及びナフトール系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましい。 <(E) Curing agent>
In one embodiment, the resin composition may include (E) a curing agent. The curing agent is not particularly limited as long as it has the function of curing the resin such as component (A), and examples include phenol curing agents, naphthol curing agents, active ester curing agents, benzoxazine curing agents, and cyanate esters. Examples include curing agents based on curing agents, carbodiimide curing agents, and the like. One type of curing agent may be used alone, or two or more types may be used in combination. Component (E) is preferably one or more selected from phenolic curing agents, naphthol curing agents, active ester curing agents, and cyanate ester curing agents, and includes phenolic curing agents and naphthol curing agents. It is preferable that it is one or more selected from the following.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、配線層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び配線層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。 As the phenol curing agent and the naphthol curing agent, from the viewpoint of heat resistance and water resistance, a phenol curing agent having a novolak structure or a naphthol curing agent having a novolak structure is preferable. Further, from the viewpoint of adhesion to the wiring layer, a nitrogen-containing phenolic curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenolic curing agent is more preferable. Among these, triazine skeleton-containing phenol novolac curing agents are preferred from the viewpoint of highly satisfying heat resistance, water resistance, and adhesion to wiring layers.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」等が挙げられる。 Specific examples of phenolic curing agents and naphthol curing agents include "MEH-7700", "MEH-7810", and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., and "NHN" and "CBN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. ", "GPH", "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495V", "SN375", "SN395" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., "TD" manufactured by DIC Corporation -2090'', ``LA-7052'', ``LA-7054'', ``LA-1356'', ``LA-3018-50P'', ``EXB-9500'', ``HPC-9500'', ``KA-1160'', ``KA -1163'', ``KA-1165'', and ``GDP-6115L'' and ``GDP-6115H'' manufactured by Gunei Kagaku Co., Ltd., among others.

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 The active ester curing agent is not particularly limited, but generally contains ester groups with high reactivity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds in one molecule. A compound having two or more is preferably used. The active ester curing agent is preferably one obtained by a condensation reaction between a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound and/or a thiol compound. Particularly from the viewpoint of improving heat resistance, active ester curing agents obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound are preferred, and active ester curing agents obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and/or a naphthol compound are more preferred. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of phenolic compounds or naphthol compounds include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Examples include benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, and phenol novolacs. Here, the term "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造を表す。 Specifically, active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester compounds containing a naphthalene structure, active ester compounds containing an acetylated product of phenol novolac, and active ester compounds containing a benzoylated product of phenol novolac are preferred. Among these, active ester compounds containing a naphthalene structure and active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. "Dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structure consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）等が挙げられる。 Commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", and "HPC-8000H-" as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. 65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC Corporation), "EXB9416-70BK" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing a naphthalene structure, and "DC808" (manufactured by DIC Corporation) as an active ester compound containing an acetylated product of phenol novolac. "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester curing agent that is an acetylated phenol novolac; Examples of the active ester curing agent which is a benzoylated product of phenol novolak include "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and the like.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」が挙げられる。 Specific examples of benzoxazine curing agents include "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd., and "Pd" and "Fa" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。 Examples of cyanate ester curing agents include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4 '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis(4-cyanate phenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethyl Bifunctional cyanate resins such as phenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatophenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanatophenyl)thioether, and bis(4-cyanatophenyl)ether, phenol Examples include polyfunctional cyanate resins derived from novolacs and cresol novolaks, and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazinized. Specific examples of cyanate ester curing agents include "PT30" and "PT60" (both phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resins), "BA230" and "BA230S75" (part of bisphenol A dicyanate) manufactured by Lonza Japan. or a prepolymer completely triazinated to form a trimer).

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ－０３」、「Ｖ－０７」等が挙げられる。 Specific examples of carbodiimide curing agents include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.

樹脂組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。また、下限は特に制限はないが０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましい。 When the resin composition contains component (E), the content of the curing agent in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 5% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. , more preferably 3% by mass or less, still more preferably 2% by mass or less. Further, the lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more.

＜（Ｆ）硬化促進剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 <(F) Curing accelerator>
In one embodiment, the resin composition may include (F) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, etc. Curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are preferred, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are more preferred. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。リン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、北興化学社製の「ＴＢＰ－ＤＡ」等が挙げられる。 Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenylphosphonium thiocyanate. , tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate and the like, with triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate being preferred. As the phosphorus-based curing accelerator, commercially available products may be used, such as "TBP-DA" manufactured by Hokko Chemical Co., Ltd., and the like.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。 Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, and 1,8-diazabicyclo. Examples include (5,4,0)-undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo(5,4,0)-undecene are preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）]－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of imidazole-based curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl imidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline , 2-phenylimidazoline and other imidazole compounds, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins, with 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole being preferred.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。 As the imidazole curing accelerator, commercially available products may be used, such as "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。 Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Dec-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1,1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1 -allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc., and dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene are preferred.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Examples of the metal hardening accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. Examples include organic zinc complexes such as , organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０３質量％以上、特に好ましくは０．０５質量％以上であり、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１．５質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。 When the resin composition contains component (F), the content of the curing accelerator in the resin composition is not particularly limited, but is preferably 0.01% when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. % by mass or more, more preferably 0.03% by mass or more, particularly preferably 0.05% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably 1.5% by mass or less, particularly preferably 1% by mass or less. It is.

＜（Ｇ）難燃剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、（Ｇ）難燃剤を含有し得る。（Ｇ）難燃剤としては、例えば、ホスファゼン化合物、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられ、ホスファゼン化合物が好ましい。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。 <(G) Flame retardant>
In one embodiment, the resin composition may contain (G) a flame retardant. Examples of the flame retardant (G) include phosphazene compounds, organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicone flame retardants, and metal hydroxides, with phosphazene compounds being preferred. One type of flame retardant may be used alone, or two or more types may be used in combination.

ホスファゼン化合物は、窒素とリンを構成元素とする環状化合物であれば特に限定されないが、ホスファゼン化合物は、フェノール性水酸基を有するホスファゼン化合物であることが好ましい。 The phosphazene compound is not particularly limited as long as it is a cyclic compound containing nitrogen and phosphorus as constituent elements, but the phosphazene compound is preferably a phosphazene compound having a phenolic hydroxyl group.

ホスファゼン化合物の具体例としては、例えば、大塚化学社製の「ＳＰＨ－１００」、「ＳＰＳ－１００」、「ＳＰＢ－１００」、「ＳＰＥ－１００」、伏見製薬所社製の「ＦＰ－１００」、「ＦＰ－１１０」、「ＦＰ－３００」、「ＦＰ－４００」等が挙げられ、大塚化学社製の「ＳＰＨ－１００」が好ましい。 Specific examples of phosphazene compounds include "SPH-100", "SPS-100", "SPB-100", and "SPE-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., and "FP-100" manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd. , "FP-110", "FP-300", "FP-400", etc., and "SPH-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd. is preferred.

ホスファゼン化合物以外の難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ－ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ－２００」等が挙げられる。難燃剤としては加水分解しにくいものが好ましく、例えば、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド等が好ましい。 As the flame retardant other than the phosphazene compound, commercially available products may be used, such as "HCA-HQ" manufactured by Sankosha, "PX-200" manufactured by Daihachi Kagaku Kogyo Co., Ltd., and the like. The flame retardant is preferably one that is difficult to hydrolyze, such as 10-(2,5-dihydroxyphenyl)-10-hydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide.

樹脂組成物が（Ｇ）難燃剤を含有する場合、（Ｇ）難燃剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。上限は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。 When the resin composition contains (G) a flame retardant, the content of the flame retardant (G) is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. is 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more. The upper limit is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, even more preferably 10% by mass or less.

＜（Ｈ）任意の添加剤＞
一実施形態において、樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機充填材、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。 <(H) Optional additive>
In one embodiment, the resin composition may further contain other additives as necessary, and examples of such other additives include organic fillers, organic copper compounds, organic zinc compounds, and Examples include organic metal compounds such as organic cobalt compounds, and resin additives such as thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion agents, and coloring agents.

有機充填材としては、プリント配線板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。ゴム粒子としては、市販品を用いてもよく、例えば、ダウ・ケミカル日本社製の「ＥＸＬ２６５５」、アイカ工業社製の「ＡＣ３４０１Ｎ」、「ＡＣ３８１６Ｎ」等が挙げられる。なお、ゴム粒子とは、ゴム成分の分子量を有機溶剤及び樹脂成分に溶解しない水準まで大きくした粒子状のものをいう。このため、ゴム粒子は、通常、有機溶剤に溶解せず、エポキシ樹脂や硬化剤などの他の成分とも相溶しないため、樹脂ワニス中及び樹脂組成物中において分散状態で存在する。 As the organic filler, any organic filler that can be used when forming an insulating layer of a printed wiring board may be used, and examples thereof include rubber particles, polyamide fine particles, silicone particles, and the like. As the rubber particles, commercially available products may be used, such as "EXL2655" manufactured by Dow Chemical Japan, "AC3401N" and "AC3816N" manufactured by Aica Kogyo Co., Ltd., and the like. Note that the term "rubber particles" refers to particles in which the molecular weight of a rubber component is increased to a level that does not dissolve in organic solvents and resin components. For this reason, rubber particles usually do not dissolve in organic solvents and are not compatible with other components such as epoxy resins and curing agents, so they exist in a dispersed state in resin varnishes and resin compositions.

＜樹脂組成物の特性＞
本発明の樹脂組成物を硬化させることにより、樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を得ることができる。この絶縁層にビアホールを形成し、粗化処理を施した場合に、ハローイング現象を抑制することができる。以下、これらの効果について、図面を参照して説明する。 <Characteristics of resin composition>
By curing the resin composition of the present invention, an insulating layer formed of a cured product of the resin composition can be obtained. When via holes are formed in this insulating layer and roughening treatment is performed, the haloing phenomenon can be suppressed. These effects will be explained below with reference to the drawings.

図１は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物をシート状に硬化させて得た絶縁層１００を、内層基板２００と共に模式的に示す断面図である。この図１においては、ビアホール１１０のボトム１２０の中心１２０Ｃを通り且つ絶縁層１００の厚み方向に平行な平面で、絶縁層１００を切断した断面を示す。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer 100 obtained by curing a resin composition according to a first embodiment of the present invention into a sheet shape, together with an inner layer substrate 200. FIG. 1 shows a cross section of the insulating layer 100 taken along a plane that passes through the center 120C of the bottom 120 of the via hole 110 and is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100.

図１に示すように、本発明の第一実施形態に係る絶縁層１００は、導体層２１０を含む内層基板２００上に形成された樹脂組成物層を硬化させて得られた層であって、前記樹脂組成物層の硬化物からなる。また、絶縁層１００には、ビアホール１１０が形成されている。ビアホール１１０は、一般に、導体層２１０とは反対側の絶縁層１００の面１００Ｕに近いほど径が大きく、導体層２１０に近いほど径が小さい順テーパ状に形成され、理想的には、絶縁層１００の厚み方向において一定の径を有する柱状に形成される。このビアホール１１０は、通常、導体層２１０とは反対側の絶縁層１００の面１００Ｕにレーザー光を照射して、絶縁層１００の一部を除去することで、形成される。 As shown in FIG. 1, the insulating layer 100 according to the first embodiment of the present invention is a layer obtained by curing a resin composition layer formed on an inner layer substrate 200 including a conductor layer 210, It consists of a cured product of the resin composition layer. Further, a via hole 110 is formed in the insulating layer 100. The via hole 110 is generally formed in a tapered shape in which the diameter is larger as it approaches the surface 100U of the insulating layer 100 opposite to the conductor layer 210, and the diameter becomes smaller as it approaches the conductor layer 210. 100 is formed into a columnar shape having a constant diameter in the thickness direction. This via hole 110 is usually formed by irradiating the surface 100U of the insulating layer 100 opposite to the conductor layer 210 with laser light to remove a portion of the insulating layer 100.

前記のビアホール１１０の導体層２１０側のボトムを、適宜「ビアボトム」と呼び、符号１２０で示す。そして、このビアボトム１２０の径を、ボトム径Ｌｂと呼ぶ。また、ビアホール１１０の導体層２１０とは反対側に形成された開口を、適宜「ビアトップ」と呼び、符号１３０で示す。そして、このビアトップ１３０の径を、トップ径Ｌｔと呼ぶ。通常、ビアボトム１２０及びビアトップ１３０は、絶縁層１００の厚み方向から見た平面形状が円形状に形成されるが、楕円形状であってもよい。ビアボトム１２０及びビアトップ１３０の平面形状が楕円形状である場合、そのボトム径Ｌｂ及びトップ径Ｌｔは、それぞれ、前記の楕円形状の長径を表す。 The bottom of the via hole 110 on the conductor layer 210 side is appropriately called a "via bottom" and is designated by the reference numeral 120. The diameter of this via bottom 120 is called the bottom diameter Lb. Further, an opening formed on the side opposite to the conductor layer 210 of the via hole 110 is appropriately called a "via top" and is indicated by the reference numeral 130. The diameter of this via top 130 is called the top diameter Lt. Usually, the via bottom 120 and the via top 130 have a circular planar shape when viewed from the thickness direction of the insulating layer 100, but they may have an elliptical shape. When the planar shapes of the via bottom 120 and the via top 130 are elliptical, the bottom diameter Lb and top diameter Lt respectively represent the long axis of the elliptical shape.

このとき、ボトム径Ｌｂをトップ径Ｌｔで割って得られるテーパー率Ｌｂ／Ｌｔ（％）が１００％に近いほど、そのビアホール１１０の形状は良好である。本発明の樹脂組成物層を用いれば、ビアホール１１０の形状を容易に制御することが可能であるので、テーパー率Ｌｂ／Ｌｔが１００％に近いビアホール１１０を実現することができる。 At this time, the closer the taper ratio Lb/Lt (%) obtained by dividing the bottom diameter Lb by the top diameter Lt is to 100%, the better the shape of the via hole 110 is. By using the resin composition layer of the present invention, it is possible to easily control the shape of the via hole 110, so it is possible to realize a via hole 110 with a taper ratio Lb/Lt close to 100%.

例えば、樹脂組成物を１００℃で３０分間加熱し、次いで１８０℃で３０分間加熱して硬化させて得た絶縁層１００に、マスク径１ｍｍ、パルス幅１６μｓ、エネルギー０．２ｍＪ／ショット、ショット数２、バーストモード（１０ｋＨｚ）の条件でＣＯ２レーザー光を照射して、トップ径Ｌｔが約７０μｍのビアホール１１０を形成した場合、そのビアホール１１０のテーパー率Ｌｂ／Ｌｔを、好ましくは７５％～１００％、より好ましくは８０％～１００％、特に好ましくは８５％～１００％にできる。 For example, a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, an energy of 0.2 mJ/shot, and a number of shots are applied to an insulating layer 100 obtained by heating a resin composition at 100° C. for 30 minutes and then at 180° C. for 30 minutes to cure the resin composition. 2. When a via hole 110 with a top diameter Lt of approximately 70 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, the taper ratio Lb/Lt of the via hole 110 is preferably 75% to 100%. %, more preferably 80% to 100%, particularly preferably 85% to 100%.

ビアホール１１０のテーパー率Ｌｂ／Ｌｔは、ビアホール１１０のボトム径Ｌｂ及びトップ径Ｌｔから計算できる。また、ビアホール１１０のボトム径Ｌｂ及びトップ径Ｌｔは、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて、絶縁層１００を、当該絶縁層１００の厚み方向に平行で且つビアボトム１２０の中心１２０Ｃを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。 The taper ratio Lb/Lt of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb and top diameter Lt of the via hole 110. Further, the bottom diameter Lb and top diameter Lt of the via hole 110 are determined by using an FIB (focused ion beam), and a cross section of the insulating layer 100 that is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passing through the center 120C of the via bottom 120 appears. After cutting out the material, measurements can be made by observing the cross section with an electron microscope.

図２は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物をシート状に硬化させて得た絶縁層１００の、導体層２１０（図２では図示せず。）とは反対側の面１００Ｕを模式的に示す平面図である。 FIG. 2 shows a surface 100U of an insulating layer 100 obtained by curing the resin composition according to the first embodiment of the present invention in a sheet form, opposite to a conductor layer 210 (not shown in FIG. 2). FIG. 2 is a schematic plan view.

図２に示すように、ビアホール１１０を形成された絶縁層１００を見ると、このビアホール１１０の周囲に、絶縁層１００が変色した変色部１４０が観察されることがある。この変色部１４０は、ビアホール１１０の形成時における樹脂劣化によって形成されうるもので、通常、ビアホール１１０から連続して形成される。また、多くの場合、変色部１４０は、白化部分となっている。 As shown in FIG. 2, when looking at the insulating layer 100 in which the via hole 110 is formed, a discolored portion 140 where the insulating layer 100 is discolored may be observed around the via hole 110. This discolored portion 140 may be formed due to resin deterioration during the formation of the via hole 110, and is usually formed continuously from the via hole 110. Further, in many cases, the discolored portion 140 is a whitened portion.

図３は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物をシート状に硬化させて得た、粗化処理後の絶縁層１００を、内層基板２００と共に模式的に示す断面図である。この図３においては、ビアホール１１０のビアボトム１２０の中心１２０Ｃを通り且つ絶縁層１００の厚み方向に平行な平面で、絶縁層１００を切断した断面を示す。
図３に示すように、ビアホール１１０が形成された絶縁層１００に粗化処理を施すと、ハローイング現象が生じて、変色部１４０の絶縁層１００が導体層２１０から剥離し、ビアボトム１２０のエッジ１５０から連続した間隙部１６０が形成されることがある。この間隙部１６０は、通常、粗化処理の際に変色部１４０が浸食されて形成される。 FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the insulating layer 100 after roughening treatment, which is obtained by curing the resin composition according to the first embodiment of the present invention into a sheet shape, together with the inner layer substrate 200. FIG. 3 shows a cross section of the insulating layer 100 taken along a plane that passes through the center 120C of the via bottom 120 of the via hole 110 and is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100.
As shown in FIG. 3, when the insulating layer 100 in which the via hole 110 is formed is roughened, a haloing phenomenon occurs, and the insulating layer 100 in the discolored part 140 peels off from the conductor layer 210, and the edge of the via bottom 120 A continuous gap 160 may be formed from the gap 150. This gap 160 is usually formed by erosion of the discolored portion 140 during roughening treatment.

本発明の樹脂組成物を用いることにより、前記のハローイング現象を抑制できる。そのため、導体層２１０からの絶縁層１００の剥離を抑制することができるので、間隙部１６０のサイズを小さくできる。 By using the resin composition of the present invention, the aforementioned haloing phenomenon can be suppressed. Therefore, peeling of the insulating layer 100 from the conductor layer 210 can be suppressed, so the size of the gap 160 can be reduced.

ビアボトム１２０のエッジ１５０は、間隙部１６０の内周側の縁部に相当する。よって、ビアボトム１２０のエッジ１５０から、間隙部１６０の外周側の端部（即ち、ビアボトム１２０の中心１２０Ｃから遠い側の端部）１７０までの距離Ｗｂは、間隙部１６０の面内方向のサイズに相当する。ここで、面内方向とは、絶縁層１００の厚み方向に垂直な方向をいう。また、以下の説明において、前記の距離Ｗｂを、ビアホール１１０のビアボトム１２０のエッジ１５０からのハローイング距離Ｗｂということがある。このビアボトム１２０のエッジ１５０からのハローイング距離Ｗｂにより、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。具体的には、ビアボトム１２０のエッジ１５０からのハローイング距離Ｗｂが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたと評価できる。 The edge 150 of the via bottom 120 corresponds to the inner peripheral edge of the gap 160. Therefore, the distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 to the outer peripheral end of the gap 160 (that is, the end far from the center 120C of the via bottom 120) 170 is determined by the size of the gap 160 in the in-plane direction. Equivalent to. Here, the in-plane direction refers to a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 100. Further, in the following description, the distance Wb may be referred to as a harrowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110. The degree of suppression of the haloing phenomenon can be evaluated based on the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120. Specifically, it can be evaluated that the smaller the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 is, the more effectively the haloing phenomenon can be suppressed.

例えば、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を１００℃で３０分間加熱し、次いで１８０℃で３０分間加熱して硬化させて得た絶縁層１００に、マスク径１ｍｍ、パルス幅１６μｓ、エネルギー０．２ｍＪ／ショット、ショット数２、バーストモード（１０ｋＨｚ）の条件でＣＯ２レーザー光を照射して、トップ径Ｌｔが約７０μｍのビアホール１１０を形成する。その後、膨潤液に６０℃で５分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に８０℃で１０分間浸漬し、次いで、中和液に４０℃で５分間浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥する。 For example, an insulating layer 100 obtained by heating a resin composition layer containing a resin composition at 100° C. for 30 minutes and then heating and curing it at 180° C. for 30 minutes has a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, and an energy of 0. A via hole 110 having a top diameter Lt of about 70 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 mJ/shot, 2 shots, and burst mode (10 kHz). Thereafter, it is immersed in a swelling solution at 60°C for 5 minutes, then in an oxidizing solution at 80°C for 10 minutes, then in a neutralizing solution at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes.

ビアボトム１２０のエッジ１５０からのハローイング距離Ｗｂは、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて、絶縁層１００を、当該絶縁層１００の厚み方向に平行で且つビアボトム１２０の中心１２０Ｃを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。 The haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 is determined by using an FIB (focused ion beam) to measure the insulating layer 100 so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passing through the center 120C of the via bottom 120 appears. Measurements can be made by cutting out the material and observing its cross section with an electron microscope.

また、本発明の樹脂組成物を用いることにより、粗化処理前の絶縁層１００のビアホール１１０の形状を容易に制御できるので、通常は、粗化処理後の絶縁層１００でも、ビアホール１１０の形状を容易に制御することが可能である。よって、粗化処理後においても、粗化処理前と同じく、ビアホール１１０の形状を良好にできる。したがって、本発明の樹脂組成物を用いれば、粗化処理後の絶縁層において、テーパー率Ｌｂ／Ｌｔが１００％に近いビアホール１１０を実現することができる。 Furthermore, by using the resin composition of the present invention, the shape of the via hole 110 in the insulating layer 100 before the roughening treatment can be easily controlled. can be easily controlled. Therefore, even after the roughening treatment, the shape of the via hole 110 can be made as good as before the roughening treatment. Therefore, by using the resin composition of the present invention, a via hole 110 with a taper ratio Lb/Lt close to 100% can be realized in the insulating layer after roughening treatment.

例えば、樹脂組成物層を１００℃で３０分間加熱し、次いで１８０℃で３０分間加熱して硬化させて得た絶縁層１００に、マスク径１ｍｍ、パルス幅１６μｓ、エネルギー０．２ｍＪ／ショット、ショット数２、バーストモード（１０ｋＨｚ）の条件でＣＯ２レーザー光を照射して、トップ径Ｌｔが約７０μｍのビアホール１１０を形成する。その後、膨潤液に６０℃で５分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に８０℃で１０分間浸漬し、次いで、中和液に４０℃で５分間浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥する。本発明の樹脂組成物を用いれば、このようにして得られた絶縁層１００に形成されたビアホール１１０のテーパー率Ｌｂ／Ｌｔを、好ましくは７６％～１００％、より好ましくは８０％～１００％、特に好ましくは８５％～１００％にできる。 For example, a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, an energy of 0.2 mJ/shot, and an insulating layer 100 obtained by heating a resin composition layer at 100° C. for 30 minutes, then heating and curing it at 180° C. for 30 minutes, Equation 2: CO 2 laser light is irradiated under burst mode (10 kHz) conditions to form a via hole 110 with a top diameter Lt of approximately 70 μm. Thereafter, it is immersed in a swelling solution at 60°C for 5 minutes, then in an oxidizing solution at 80°C for 10 minutes, then in a neutralizing solution at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes. If the resin composition of the present invention is used, the taper ratio Lb/Lt of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 thus obtained can be reduced to preferably 76% to 100%, more preferably 80% to 100%. , particularly preferably from 85% to 100%.

ビアホール１１０のテーパー率Ｌｂ／Ｌｔは、ビアホール１１０のボトム径Ｌｂ及びトップ径Ｌｔから計算できる。また、ビアホール１１０のボトム径Ｌｂ及びトップ径Ｌｔは、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて、絶縁層１００を、当該絶縁層１００の厚み方向に平行で且つビアボトム１２０の中心１２０Ｃを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。 The taper ratio Lb/Lt of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb and top diameter Lt of the via hole 110. Further, the bottom diameter Lb and top diameter Lt of the via hole 110 are determined by using an FIB (focused ion beam), and a cross section of the insulating layer 100 that is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passing through the center 120C of the via bottom 120 appears. After cutting out the material, measurements can be made by observing the cross section with an electron microscope.

さらに、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール１１０の径が大きいほど、変色部１４０のサイズが大きくなり易いので、間隙部１６０のサイズも大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール１１０の径に対する間隙部１６０のサイズの比率によって、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２に対するハローイング比Ｈｂにより、評価ができる。ここで、ビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２とは、ビアホール１１０のビアボトム１２０の半径をいう。また、ビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２に対するハローイング比Ｈｂとは、ビアボトム１２０のエッジ１５０からのハローイング距離Ｗｂを、ビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２で割って得られる比率である。ビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２に対するハローイング比Ｈｂが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたことを表す。 Furthermore, according to the study conducted by the present inventor, it has been found that generally, as the diameter of the via hole 110 becomes larger, the size of the discolored portion 140 tends to increase, and therefore the size of the gap portion 160 also tends to increase. . Therefore, the degree of suppression of the haloing phenomenon can be evaluated based on the ratio of the size of the gap 160 to the diameter of the via hole 110. For example, evaluation can be made using the harrowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110. Here, the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 refers to the radius of the via bottom 120 of the via hole 110. Further, the harrowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the harrowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 by the bottom radius Lb/2 of the via hole 110. The smaller the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110, the more effectively the haloing phenomenon can be suppressed.

例えば、樹脂組成物を１００℃で３０分間加熱し、次いで１８０℃で３０分間加熱して硬化させて得た絶縁層１００に、マスク径１ｍｍ、パルス幅１６μｓ、エネルギー０．２ｍＪ／ショット、ショット数２、バーストモード（１０ｋＨｚ）の条件でＣＯ２レーザー光を照射して、トップ径Ｌｔが３０μｍ±２μｍのビアホール１１０を形成する。その後、膨潤液に６０℃で５分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に８０℃で１０分間浸漬し、次いで、中和液に４０℃で５分間浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥する。本発明の樹脂組成物を用いれば、このようにして得られた絶縁層１００に形成されたビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２に対するハローイング比Ｈｂを、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、更に好ましくは２５％以下にできる。 For example, a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, an energy of 0.2 mJ/shot, and a number of shots are applied to an insulating layer 100 obtained by heating a resin composition at 100° C. for 30 minutes and then at 180° C. for 30 minutes to cure the resin composition. 2. A via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm±2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions. Thereafter, it is immersed in a swelling solution at 60°C for 5 minutes, then in an oxidizing solution at 80°C for 10 minutes, then in a neutralizing solution at 40°C for 5 minutes, and then dried at 80°C for 15 minutes. If the resin composition of the present invention is used, the haloing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 obtained in this manner is preferably 35% or less, more preferably 30%. It can be further preferably reduced to 25% or less.

ビアホール１１０のボトム半径Ｌｂ／２に対するハローイング比Ｈｂは、ビアホール１１０のボトム径Ｌｂ、及び、ビアホール１１０のビアボトム１２０のエッジ１５０からのハローイング距離Ｗｂから計算できる。 The harrowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb of the via hole 110 and the harrowing distance Wb of the via hole 110 from the edge 150 of the via bottom 120.

さらに、通常は、本発明の樹脂組成物を用いることにより、ビアホール１１０の形成時の変色部１４０の形成を抑制できる。そのため、図２に示すように、変色部１４０のサイズを小さくでき、理想的には変色部１４０を無くすことができる。変色部１４０のサイズは、ビアホール１１０のビアトップ１３０のエッジ１８０からのハローイング距離Ｗｔによって評価できる。 Further, by using the resin composition of the present invention, the formation of discolored portions 140 during formation of via holes 110 can usually be suppressed. Therefore, as shown in FIG. 2, the size of the discoloration section 140 can be reduced, and ideally the discoloration section 140 can be eliminated. The size of the discolored portion 140 can be evaluated by the harrowing distance Wt of the via hole 110 from the edge 180 of the via top 130.

ビアトップ１３０のエッジ１８０は、変色部１４０の内周側の縁部に相当する。ビアトップ１３０のエッジ１８０からのハローイング距離Ｗｔとは、ビアトップ１３０のエッジ１８０から、変色部１４０の外周側の縁部１９０までの距離を表す。ビアトップ１３０のエッジ１８０からのハローイング距離Ｗｔが小さいほど、変色部１４０の形成を効果的に抑制できたと評価できる。 The edge 180 of the via top 130 corresponds to the inner edge of the discolored portion 140. The harrowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 represents the distance from the edge 180 of the via top 130 to the outer peripheral edge 190 of the discolored portion 140. It can be evaluated that the smaller the haloing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 is, the more effectively the formation of the discolored portion 140 can be suppressed.

ビアトップ１３０のエッジ１８０からのハローイング距離Ｗｔは、光学顕微鏡による観察によって測定できる。 The harrowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 can be measured by observation using an optical microscope.

また、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール１１０の径が大きいほど、変色部１４０のサイズが大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール１１０の径に対する変色部１４０のサイズの比率によって、変色部１４０の形成の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２に対するハローイング比Ｈｔにより、評価ができる。ここで、ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２とは、ビアホール１１０のビアトップ１３０の半径をいう。また、ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２に対するハローイング比Ｈｔとは、ビアトップ１３０のエッジ１８０からのハローイング距離Ｗｔを、ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２で割って得られる比率である。ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２に対するハローイング比Ｈｔが小さいほど、変色部１４０の形成を効果的に抑制できたことを表す。 Further, according to studies conducted by the present inventors, it has been found that, in general, the larger the diameter of the via hole 110, the larger the size of the discolored portion 140 tends to be. Therefore, the degree of suppression of the formation of the discolored portion 140 can be evaluated based on the ratio of the size of the discolored portion 140 to the diameter of the via hole 110. For example, evaluation can be made using the harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110. Here, the top radius Lt/2 of the via hole 110 refers to the radius of the via top 130 of the via hole 110. Further, the harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the harrowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 by the top radius Lt/2 of the via hole 110. The smaller the haloing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110, the more effectively the formation of the discolored portion 140 could be suppressed.

例えば、樹脂組成物層を１００℃で３０分間加熱し、次いで１８０℃で３０分間加熱して硬化させて得た絶縁層１００に、マスク径１ｍｍ、パルス幅１６μｓ、エネルギー０．２ｍＪ／ショット、ショット数２、バーストモード（１０ｋＨｚ）の条件でＣＯ２レーザー光を照射して、トップ径Ｌｔが約７０μｍのビアホール１１０を形成した場合、ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２に対するハローイング比Ｈｔを、好ましくは４５％以下、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３５％以下にできる。 For example, a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, an energy of 0.2 mJ/shot, and an insulating layer 100 obtained by heating a resin composition layer at 100° C. for 30 minutes, then heating and curing it at 180° C. for 30 minutes, Equation 2: When a via hole 110 with a top diameter Lt of about 70 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under burst mode (10 kHz) conditions, the harrowing ratio Ht with respect to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is preferably can be set to 45% or less, more preferably 40% or less, even more preferably 35% or less.

ビアホール１１０のトップ半径Ｌｔ／２に対するハローイング比Ｈｔは、ビアホール１１０のトップ径Ｌｔ、及び、ビアホール１１０のビアトップ１３０のエッジ１８０からのハローイング距離Ｗｔから計算できる。 The harrowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 can be calculated from the top diameter Lt of the via hole 110 and the harrowing distance Wt of the via hole 110 from the edge 180 of the via top 130.

プリント配線板の製造過程において、ビアホール１１０は、通常、導体層２１０とは反対側の絶縁層１００の面１００Ｕに別の導体層（図示せず）が設けられていない状態で、形成される。そのため、プリント配線板の製造過程が分かれば、導体層２１０側にビアボトム１２０があり、導体層２１０とは反対側にビアトップ１３０が開口している構造が、明確に認識できる。しかし、完成したプリント配線板では、絶縁層１００の両側に導体層が設けられている場合がありうる。この場合、導体層との位置関係によってビアボトム１２０とビアトップ１３０とを区別することが難しいことがありえる。しかし、通常、ビアトップ１３０のトップ径Ｌｔは、ビアボトム１２０のボトム径Ｌｂ以上の大きさである。したがって、前記の場合、径が大きさによって、ビアボトム１２０とビアトップ１３０とを区別することが可能である。 In the process of manufacturing a printed wiring board, via hole 110 is usually formed without another conductor layer (not shown) provided on surface 100U of insulating layer 100 opposite to conductor layer 210. Therefore, if the manufacturing process of the printed wiring board is understood, the structure in which the via bottom 120 is on the conductor layer 210 side and the via top 130 is open on the side opposite to the conductor layer 210 can be clearly recognized. However, in the completed printed wiring board, conductor layers may be provided on both sides of the insulating layer 100. In this case, it may be difficult to distinguish between the via bottom 120 and the via top 130 depending on their positional relationship with the conductor layer. However, the top diameter Lt of the via top 130 is usually larger than the bottom diameter Lb of the via bottom 120. Therefore, in the above case, the via bottom 120 and the via top 130 can be distinguished depending on the diameter.

本発明の樹脂組成物は、ハローイング現象を抑制すること以外に、良好なタック性が得られる。また、本発明の樹脂組成物を硬化させることで、通常は、反り量、ピール強度、リフロー膨れ、及び難燃性に優れる絶縁層を得られる。 The resin composition of the present invention not only suppresses the haloing phenomenon but also provides good tackiness. Moreover, by curing the resin composition of the present invention, an insulating layer that is excellent in the amount of warpage, peel strength, reflow blistering, and flame retardance can usually be obtained.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、通常、２３℃における弾性率（引張弾性率）が低いという特性を示す。即ち反り量が低減された絶縁層をもたらす。２３℃における弾性率としては、好ましくは３ＧＰａ以下、より好ましくは２．９ＧＰａ以下、さらに好ましくは２．８ＧＰａ以下である。下限は特に限定されないが０．１ＧＰａ以上等とし得る。弾性率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180°C for 90 minutes usually exhibits a low elastic modulus (tensile modulus) at 23°C. That is, an insulating layer with a reduced amount of warpage is produced. The elastic modulus at 23°C is preferably 3 GPa or less, more preferably 2.9 GPa or less, even more preferably 2.8 GPa or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.1 GPa or more. The elastic modulus can be measured according to the method described in Examples below.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、弾性率が低いという特性を示すことから、反り量が低減されるという特性を示す。硬化物の面を上にして水平な面に静置した場合の水平な面からの反り量が、好ましくは１ｃｍ未満である。反り量は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180° C. for 90 minutes exhibits a characteristic of having a low elastic modulus, and therefore exhibits a characteristic of reducing the amount of warpage. When the cured product is placed face up on a horizontal surface, the amount of warpage from the horizontal surface is preferably less than 1 cm. The amount of warpage can be measured according to the method described in Examples below.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、通常、導体層との密着強度（ピール強度）に優れるという特性を示す。即ち導体層との密着強度（ピール強度）に優れる絶縁層をもたらす。ピール強度としては、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。ピール強度の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180° C. for 30 minutes usually exhibits excellent adhesion strength (peel strength) with the conductor layer. That is, an insulating layer having excellent adhesion strength (peel strength) with the conductor layer is produced. The peel strength is preferably 0.4 kgf/cm or more, more preferably 0.5 kgf/cm or more, still more preferably 0.6 kgf/cm or more. On the other hand, the upper limit of the peel strength is not particularly limited, but may be 1.5 kgf/cm or less. Peel strength can be evaluated according to the method described in Examples below.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、通常、リフロー工程を行っても、膨れ等の異常が見られないという特性（リフロー膨れ）を示す。即ちリフロー膨れに優れた絶縁層をもたらす。前記の硬化物を、ピーク温度２６０℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置に３回通しても、導体層に膨れ等の異常は見られない。リフロー膨れは、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180° C. for 30 minutes usually exhibits a characteristic that no abnormality such as blistering is observed even after a reflow process (reflow blistering). That is, an insulating layer excellent in reflow blistering is produced. Even when the cured product was passed through a reflow device that reproduces the solder reflow temperature with a peak temperature of 260° C. three times, no abnormality such as blistering was observed in the conductor layer. Reflow blistering can be measured according to the method described in Examples below.

重量変化率（Ｗ０／Ｗ１）は、リフロー膨れに優れる絶縁層を提供する観点から、好ましくは１．０５以下、より好ましくは１．０４以下、さらに好ましくは１．０３以下である。下限は特に限定されないが、１以上である。上記の重量変化率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。Ｗ０は、本発明の樹脂組成物を加熱硬化（例えば１８０℃で９０分間）した直後の初期質量を表し、Ｗ１は、樹脂組成物を加熱硬化（例えば１８０℃で９０分間）し、過マンガン酸アルカリ水溶液に８０℃で５分間放置した後の質量を表し、重量変化率は比率（Ｗ０／Ｗ１）を表す。 The weight change rate (W0/W1) is preferably 1.05 or less, more preferably 1.04 or less, and even more preferably 1.03 or less, from the viewpoint of providing an insulating layer with excellent reflow blistering. The lower limit is not particularly limited, but is 1 or more. The above weight change rate can be measured according to the method described in the Examples below. W0 represents the initial mass immediately after heat-curing the resin composition of the present invention (for example, at 180°C for 90 minutes), and W1 represents the initial mass immediately after heat-curing the resin composition of the present invention (for example, at 180°C for 90 minutes), and permanganate It represents the mass after being left in an alkaline aqueous solution at 80° C. for 5 minutes, and the weight change rate represents the ratio (W0/W1).

本発明の樹脂組成物は、通常、（Ｃ）成分を含有することからタック性が小さいという特性を示す。具体的には、実施例に記載の方法で測定されるプローブタック性は、好ましくは０．６Ｎ以下、より好ましくは０．５５Ｎ以下、さらに好ましくは０．４Ｎ以下である。上限は特に限定されないが、０．０１Ｎ以上等とし得る。プローブタック性は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 The resin composition of the present invention usually exhibits a characteristic of low tackiness because it contains component (C). Specifically, the probe tackiness measured by the method described in the Examples is preferably 0.6N or less, more preferably 0.55N or less, and still more preferably 0.4N or less. The upper limit is not particularly limited, but may be 0.01N or more. Probe tackiness can be measured according to the method described in Examples below.

本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、通常、粗化処理後の硬化物表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくできるという特性を示す。即ち、粗化処理後の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい絶縁層をもたらす。算術平均粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。下限は特に限定されないが、１０ｎｍ以上等とし得る。算術平均粗さ（Ｒａ）は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 180° C. for 30 minutes usually exhibits a property that the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the cured product after roughening treatment can be reduced. That is, an insulating layer having a small arithmetic mean roughness (Ra) of the surface after the roughening treatment is obtained. The arithmetic mean roughness (Ra) is preferably 700 nm or less, more preferably 650 nm or less, even more preferably 600 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 10 nm or more. Arithmetic mean roughness (Ra) can be measured according to the method described in Examples below.

本発明の樹脂組成物を、１００℃で３０分間、次いで１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、難燃性に優れるという特性を示す。即ち難燃性に優れる絶縁層をもたらす。難燃性は、ＵＬ耐炎性試験（ＵＬ－９４）にて「Ｖ１」、「Ｖ０」又はそれより優れることが好ましい。難燃性の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。 A cured product obtained by thermally curing the resin composition of the present invention at 100° C. for 30 minutes and then at 190° C. for 90 minutes exhibits excellent flame retardancy. That is, an insulating layer with excellent flame retardancy is produced. The flame retardance is preferably "V1", "V0" or better in the UL flame resistance test (UL-94). Flame retardancy can be evaluated according to the method described in Examples below.

＜樹脂組成物の用途＞
本発明の樹脂組成物は、主にタック性を小さくでき、ハローイング現象を抑制する絶縁層をもたらすことができる。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができる。また、本発明の樹脂組成物は、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。 <Applications of resin composition>
The resin composition of the present invention can mainly reduce tackiness and provide an insulating layer that suppresses the haloing phenomenon. Therefore, the resin composition of the present invention is a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package), and a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). It can be suitably used as a resin composition (resin composition for an insulating layer of a circuit board). Further, the resin composition of the present invention can be used as a resin composition for sealing a semiconductor chip (semiconductor chip sealing resin composition), a resin composition for forming wiring on a semiconductor chip (semiconductor chip wiring forming resin composition), etc. It can also be suitably used as a resin composition.

前記の樹脂組成物の硬化物で形成された封止層又は絶縁層を適用できる半導体チップパッケージとしては、例えば、ＦＣ－ＣＳＰ、ＭＩＳ－ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ－ＢＧＡパッケージ、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ－ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ－ｉｎ型ＰＬＰが挙げられる。 Semiconductor chip packages to which the sealing layer or insulating layer formed of the cured resin composition can be applied include, for example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, and fan-out type WLP (Wafer). Fan-in type WLP, Fan-out type PLP (Panel Level Package), and Fan-in type PLP.

さらに、前記の樹脂組成物は、樹脂シート、プリプレグ等のシート状積層材料、ソルダーレジスト、ダイボンディング材、穴埋め樹脂、アンダーフィル材、ＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）の材料、部品埋め込み樹脂等、樹脂組成物が用いられる広範な用途に使用できる。 Furthermore, the above-mentioned resin composition can be used for resin compositions such as sheet-like laminated materials such as resin sheets and prepregs, solder resists, die bonding materials, hole-filling resins, underfill materials, MUF (Molding Under Filling) materials, component embedding resins, etc. It can be used in a wide range of applications where objects are used.

［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を有する。樹脂組成物層は、本発明の樹脂組成物を含む層であり、通常は、樹脂組成物で形成されている。 [Resin sheet]
The resin sheet of the present invention includes a support and a resin composition layer provided on the support. The resin composition layer is a layer containing the resin composition of the present invention, and is usually formed of the resin composition.

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下、又は、４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上、等でありうる。 From the viewpoint of thinning, the thickness of the resin composition layer is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, still more preferably 100 μm or less, 80 μm or less, 60 μm or less, 50 μm or less, or 40 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, and may be, for example, 1 μm or more, 5 μm or more, 10 μm or more, etc.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferred.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル；ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）；ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」と略称することがある。）等のアクリルポリマー；環状ポリオレフィン；トリアセチルセルロース（以下「ＴＡＣ」と略称することがある。）；ポリエーテルサルファイド（以下「ＰＥＳ」と略称することがある。）；ポリエーテルケトン；ポリイミド；等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When using a film made of a plastic material as a support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET") and polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PEN"). ); polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"); acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"); cyclic polyolefins; triacetylcellulose (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"); ); polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"); polyether ketone; polyimide; and the like. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferred, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferred.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。中でも、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。 When using metal foil as a support, examples of the metal foil include copper foil, aluminum foil, and the like. Among them, copper foil is preferred. As the copper foil, a foil made of a single metal such as copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and other metals (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used. May be used.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電抑制処理等の処理が施されていてもよい。 The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to treatments such as matte treatment, corona treatment, and antistatic treatment.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型剤の市販品としては、例えば、アルキド樹脂系離型剤としてのリンテック社製の「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；等が挙げられる。また、離型層付き支持体としては、例えば、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。 Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used in the release layer of the support with a release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins. . Examples of commercially available mold release agents include "SK-1", "AL-5", and "AL-7" manufactured by Lintec Corporation as alkyd resin mold release agents. Examples of the support with a release layer include "Lumirror T60" manufactured by Toray Industries, Inc., "Purex" manufactured by Teijin, and "Unipeel" manufactured by Unitika.

支持体の厚みとしては、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. In addition, when using the support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is in the said range.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。 For the resin sheet, for example, a resin varnish is prepared by dissolving a resin composition in an organic solvent, and this resin varnish is applied onto a support using a coating device such as a die coater, and then dried to form a resin composition layer. It can be manufactured by forming.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤；セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤；トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ－メチルピロリドン等のアミド系溶剤；等を挙げることができる。有機溶剤は、１種類単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。 Examples of organic solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone; acetate ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; cellosolve and butyl carbitol, etc. carbitol solvents; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. One type of organic solvent may be used alone, or two or more types may be used in combination.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥は、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように行う。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％～６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be performed by a known method such as heating or blowing hot air. Drying is performed such that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% to 60% by mass of organic solvent, the resin composition can be adjusted by drying at 50°C to 150°C for 3 to 10 minutes. A material layer can be formed.

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。例えば、樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムが設けられていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制できる。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって樹脂シートが使用可能となる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。 The resin sheet may contain any layer other than the support and the resin composition layer, if necessary. For example, in the resin sheet, a protective film similar to the support may be provided on the surface of the resin composition layer that is not bonded to the support (that is, the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. The protective film can suppress the adhesion of dust and the like and scratches on the surface of the resin composition layer. When the resin sheet has a protective film, the resin sheet can be used by peeling off the protective film. The resin sheet can be stored by winding it up into a roll.

［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。この回路基板は、例えば、下記の工程（１）及び工程（２）を含む製造方法によって、製造できる。
（１）基材上に、樹脂組成物層を形成する工程。
（２）樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。 [Circuit board]
The circuit board of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the resin composition of the present invention. This circuit board can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (1) and (2).
(1) Step of forming a resin composition layer on a base material.
(2) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

工程（１）では、基材を用意する。基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられる。また、基材は、当該基材の一部として表面に銅箔等の金属層を有していてもよい。例えば、両方の表面に剥離可能な第一金属層及び第二金属層を有する基材を用いてもよい。このような基材を用いる場合、通常、回路配線として機能できる配線層としての導体層が、第二金属層の第一金属層とは反対側の面に形成される。このような金属層を有する基材としては、例えば、三井金属鉱業社製のキャリア銅箔付極薄銅箔「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」が挙げられる。 In step (1), a base material is prepared. Examples of the base material include substrates such as a glass epoxy substrate, a metal substrate (stainless steel, cold rolled steel plate (SPCC), etc.), a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate, and the like. Further, the base material may have a metal layer such as copper foil on the surface as a part of the base material. For example, a substrate having a releasable first metal layer and a second metal layer on both surfaces may be used. When such a base material is used, a conductor layer as a wiring layer that can function as circuit wiring is usually formed on the surface of the second metal layer opposite to the first metal layer. An example of a base material having such a metal layer is "Micro Thin", an ultra-thin copper foil with carrier copper foil manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd.

また、基材の一方又は両方の表面には、導体層が形成されていてもよい。以下の説明では、基材と、この基材表面に形成された導体層とを含む部材を、「配線層付基材」ということがある。導体層に含まれる導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む材料が挙げられる。導体材料としては、単金属であってもよく、合金を用いてもよい。合金としては、例えば、上記の群から選択される２種類以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、単金属としてのクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅；及び、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金；が好ましい。その中でも、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属；及び、ニッケル・クロム合金；がより好ましく、銅の単金属が更に好ましい。 Further, a conductor layer may be formed on one or both surfaces of the base material. In the following description, a member including a base material and a conductor layer formed on the surface of this base material may be referred to as a "base material with a wiring layer." The conductor material included in the conductor layer is, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin, and indium. Examples include materials containing the above metals. The conductor material may be a single metal or an alloy. Examples of the alloy include alloys of two or more metals selected from the above group (eg, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, and copper-titanium alloy). Among these, single metals such as chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and nickel-chromium alloys, copper -Nickel alloy, copper-titanium alloy; preferred. Among these, single metals such as chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and nickel-chromium alloys are more preferred, and single metals such as copper are even more preferred.

導体層は、例えば配線層として機能させるために、パターン形成されていてもよい。この際、導体層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は、特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、導体層の全体にわたって同一である必要はない。導体層の最小ピッチは、例えば、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。 The conductor layer may be patterned, for example, in order to function as a wiring layer. At this time, the line (circuit width)/space (width between circuits) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10 μm or less, and Preferably it is 5/5 μm or less, even more preferably 1/1 μm or less, particularly preferably 0.5/0.5 μm or more. The pitch need not be the same throughout the conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

導体層の厚みは、回路基板のデザインによるが、好ましくは３μｍ～３５μｍ、より好ましくは５μｍ～３０μｍ、さらに好ましくは１０～２０μｍ、特に好ましくは１５～２０μｍである。 The thickness of the conductor layer depends on the design of the circuit board, but is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, even more preferably 10 to 20 μm, particularly preferably 15 to 20 μm.

導体層は、例えば、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層する工程、フォトマスクを用いてドライフィルムに対して所定の条件で露光及び現像を行ってパターンを形成してパターンドライフィルムを得る工程、現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法等のメッキ法によって導体層を形成する工程、及び、パターンドライフィルムを剥離する工程を含む方法によって、製造できる。ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができ、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂で形成されたドライフィルムを用いることができる。基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する基材と樹脂シートとの積層の条件と同様でありうる。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。 The conductor layer can be formed, for example, by laminating a dry film (photosensitive resist film) on a base material, or by exposing and developing the dry film under predetermined conditions using a photomask to form a pattern. It can be manufactured by a method including a step of obtaining a film, a step of forming a conductor layer by a plating method such as electrolytic plating using the developed patterned dry film as a plating mask, and a step of peeling off the patterned dry film. As the dry film, a photosensitive dry film made of a photoresist composition can be used, and for example, a dry film formed of a resin such as a novolac resin or an acrylic resin can be used. The conditions for laminating the base material and the dry film may be the same as the conditions for laminating the base material and the resin sheet, which will be described later. Peeling of the dry film can be carried out using, for example, an alkaline stripping solution such as a sodium hydroxide solution.

基材を用意した後で、基材上に、樹脂組成物層を形成する。基材の表面に導体層が形成されている場合、樹脂組成物層の形成は、導体層が樹脂組成物層に埋め込まれるように行うことが好ましい。 After preparing the base material, a resin composition layer is formed on the base material. When a conductor layer is formed on the surface of the base material, the resin composition layer is preferably formed such that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

樹脂組成物層の形成は、通常、樹脂シートと基材とを積層することによって行われる。この積層は、例えば、樹脂シートの保護フィルムを除去後、支持体側から樹脂シートを基材に加熱圧着することにより、基材に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを基材に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、基材の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 Formation of the resin composition layer is usually performed by laminating a resin sheet and a base material. This lamination can be performed, for example, by removing the protective film of the resin sheet and then heat-pressing the resin sheet to the base material from the support side, thereby bonding the resin composition layer to the base material. Examples of the member for heat-pressing the resin sheet to the base material (hereinafter sometimes referred to as "heat-pressing member") include a heated metal plate (SUS mirror plate, etc.) or a metal roll (SUS roll). . Note that, instead of pressing the thermocompression bonding member directly onto the resin sheet, it is preferable to press the resin sheet through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the base material.

基材と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。 The base material and the resin sheet may be laminated by, for example, a vacuum lamination method. In the vacuum lamination method, the heat-pressing temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably in the range of 80°C to 140°C. The heating pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa. The heat-pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 13 hPa or less.

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression bonding member from the support side. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same as the conditions for the heat-pressing of the lamination described above. Note that the lamination and smoothing treatment may be performed continuously using a vacuum laminator.

基材上に樹脂組成物層を形成した後、工程（２）で、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は通常１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃～２２０℃の範囲、より好ましくは１７０℃～２００℃の範囲）、硬化時間は通常５分間～１２０分間の範囲（好ましくは１０分間～１００分間、より好ましくは１５分間～９０分間）である。 After forming the resin composition layer on the base material, in step (2), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions for the resin composition layer vary depending on the type of resin composition, etc., but the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably in the range of 170°C to 200°C). C), and the curing time is usually in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層に対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。 Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preliminary heat treatment in which the resin composition layer is heated at a temperature lower than the curing temperature. For example, before thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually heated at a temperature of 50°C or higher and lower than 120°C (preferably 60°C or higher and 110°C or lower, more preferably 70°C or higher and 100°C or lower). may be preheated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes).

以上のようにして、絶縁層を有する回路基板を製造できる。また、回路基板の製造方法は、更に、任意の工程を含んでいてもよい。
回路基板の製造方法は、例えば、樹脂シートの支持体を剥離する工程を含んでいてもよい。支持体は、樹脂組成物層の熱硬化の前に剥離してもよく、樹脂組成物層の熱硬化の後に剥離してもよい。 In the manner described above, a circuit board having an insulating layer can be manufactured. Further, the method for manufacturing a circuit board may further include an arbitrary step.
The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step of peeling off a resin sheet support. The support may be peeled off before thermal curing of the resin composition layer, or may be peeled off after thermal curing of the resin composition layer.

回路基板の製造方法は、例えば、絶縁層を形成した後で、その絶縁層の表面を研磨する工程を含んでいてもよい。研磨方法は特に限定されない。例えば、平面研削盤を用いて絶縁層の表面を研磨することができる。 The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step of polishing the surface of the insulating layer after forming the insulating layer. The polishing method is not particularly limited. For example, the surface of the insulating layer can be polished using a surface grinder.

回路基板の製造方法は、例えば、導体層を層間接続する工程（３）、いわゆる絶縁層に穴あけをする工程を含んでいてもよい。これにより絶縁層にビアホール、スルーホール等のホールを形成することができる。ビアホールの形成方法としては、例えば、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。ビアホールの寸法や形状は回路基板の出デザインに応じて適宜決定してよい。なお、工程（３）は、絶縁層の研磨又は研削によって層間接続を行ってもよい。 The method for manufacturing a circuit board may include, for example, a step (3) of interlayer connecting conductor layers, and a step of drilling a hole in a so-called insulating layer. Thereby, holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. Examples of methods for forming via holes include laser irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. The dimensions and shape of the via hole may be determined as appropriate depending on the design of the circuit board. Note that in step (3), the interlayer connection may be performed by polishing or grinding the insulating layer.

ビアホール形成後、ビアホール内のスミアを除去する工程を行うことが好ましい。この工程は、デスミア工程と呼ばれることがある。例えば、絶縁層上への導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、湿式のデスミア処理を行ってもよい。また、絶縁層上への導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、プラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。さらに、デスミア工程によって、絶縁層に粗化処理が施されてもよい。 After forming the via hole, it is preferable to perform a step of removing smear within the via hole. This process is sometimes called a desmear process. For example, when a conductor layer is formed on an insulating layer by a plating process, a wet desmear process may be performed on the via hole. Further, when forming a conductor layer on an insulating layer by a sputtering process, a dry desmear process such as a plasma treatment process may be performed. Furthermore, the insulating layer may be roughened by a desmear process.

また、絶縁層上に導体層を形成する前に、絶縁層に対して、粗化処理を行ってもよい。この粗化処理によれば、通常、ビアホール内を含めた絶縁層の表面が粗化される。粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。 Furthermore, before forming the conductor layer on the insulating layer, the insulating layer may be subjected to a roughening treatment. According to this roughening treatment, the surface of the insulating layer including the inside of the via hole is usually roughened. As the roughening treatment, either dry or wet roughening treatment may be performed. Examples of dry roughening treatment include plasma treatment and the like. Furthermore, an example of the wet roughening treatment includes a method in which a swelling treatment using a swelling liquid, a roughening treatment using an oxidizing agent, and a neutralization treatment using a neutralizing liquid are performed in this order.

粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さＲａは、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上であり、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。表面粗さＲａは、非接触型表面粗さ計を用いて測定できる。 The surface roughness Ra of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 300 nm or more, more preferably 400 nm or more, even more preferably 450 nm or more, and preferably 700 nm or less, more preferably 650 nm or less, and even more preferably 600 nm or less. It is. Surface roughness Ra can be measured using a non-contact surface roughness meter.

ビアホールを形成後、絶縁層上に導体層を形成する。ビアホールが形成された位置に導体層を形成することで、新たに形成された導体層と基材表面の導体層とが導通して、層間接続が行われる。導体層の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成する。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。形成される導体層の材料は、単金属でもよく、合金でもよい。また、この導体層は、単層構造を有していてもよく、異なる種類の材料の層を２層以上含む複層構造を有していてもよい。 After forming the via hole, a conductor layer is formed on the insulating layer. By forming a conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the base material are electrically connected, and an interlayer connection is performed. Examples of methods for forming the conductor layer include plating, sputtering, and vapor deposition, with plating being preferred. In a preferred embodiment, a conductive layer having a desired wiring pattern is formed by plating the surface of the insulating layer by an appropriate method such as a semi-additive method or a fully additive method. Further, when the support in the resin sheet is a metal foil, a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed by a subtractive method. The material of the conductor layer to be formed may be a single metal or an alloy. Further, this conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure including two or more layers of different types of materials.

ここで、絶縁層上に導体層を形成する実施形態の例を、詳細に説明する。絶縁層の表面に、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応して、めっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成できる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。 Here, an example of an embodiment in which a conductor layer is formed on an insulating layer will be described in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer, corresponding to a desired wiring pattern. After forming an electrolytic plating layer on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, the mask pattern is removed. Thereafter, unnecessary plating seed layers are removed by a process such as etching to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Note that when forming the conductor layer, the dry film used to form the mask pattern is the same as the dry film described above.

回路基板の製造方法は、基材を除去する工程（４）を含んでいてもよい。基材を除去することにより、絶縁層と、この絶縁層に埋め込まれた導体層とを有する回路基板が得られる。この工程（４）は、例えば、剥離可能な金属層を有する基材を用いた場合に、行うことができる。 The method for manufacturing a circuit board may include a step (4) of removing the base material. By removing the base material, a circuit board having an insulating layer and a conductor layer embedded in this insulating layer is obtained. This step (4) can be performed, for example, when a base material having a peelable metal layer is used.

［半導体チップパッケージ］
本発明の第一実施形態に係る半導体チップパッケージは、上述した回路基板と、この回路基板に搭載された半導体チップとを含む。この半導体チップパッケージは、回路基板に半導体チップを接合することにより、製造できる。 [Semiconductor chip package]
The semiconductor chip package according to the first embodiment of the present invention includes the above-described circuit board and a semiconductor chip mounted on this circuit board. This semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

回路基板と半導体チップとの接合条件は、半導体チップの端子電極と回路基板の回路配線とが導体接続できる任意の条件を採用できる。例えば、半導体チップのフリップチップ実装において使用される条件を採用できる。また、例えば、半導体チップと回路基板との間に、絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。 As the bonding conditions between the circuit board and the semiconductor chip, any conditions can be adopted that allow conductive connection between the terminal electrodes of the semiconductor chip and the circuit wiring of the circuit board. For example, conditions used in flip-chip mounting of semiconductor chips can be adopted. Furthermore, for example, the semiconductor chip and the circuit board may be bonded to each other via an insulating adhesive.

接合方法の例としては、半導体チップを回路基板に圧着する方法が挙げられる。圧着条件としては、圧着温度は通常１２０℃～２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃～２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃～１８０℃の範囲）、圧着時間は通常１秒間～６０秒間の範囲（好ましくは５秒間～３０秒間）である。 An example of the bonding method is a method of press-bonding a semiconductor chip to a circuit board. As for the crimping conditions, the crimping temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 130°C to 200°C, more preferably in the range of 140°C to 180°C), and the crimping time is usually in the range of 1 second to 60 seconds. (preferably 5 seconds to 30 seconds).

また、接合方法の他の例としては、半導体チップを回路基板にリフローして接合する方法が挙げられる。リフロー条件は、１２０℃～３００℃の範囲としてもよい。 Another example of the bonding method is a method of bonding a semiconductor chip to a circuit board by reflowing it. The reflow conditions may be in the range of 120°C to 300°C.

半導体チップを回路基板に接合した後、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填してもよい。このモールドアンダーフィル材として、上述した樹脂組成物を用いてもよく、また、上述した樹脂シートを用いてもよい。 After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As this mold underfill material, the above-mentioned resin composition may be used, or the above-mentioned resin sheet may be used.

本発明の第二実施形態に係る半導体チップパッケージは、半導体チップと、この半導体チップを封止する前記樹脂組成物の硬化物とを含む。このような半導体チップパッケージでは、通常、樹脂組成物の硬化物は封止層として機能する。第二実施形態に係る半導体チップパッケージとしては、例えば、Ｆａｎ－ｏｕｔ型ＷＬＰが挙げられる。 A semiconductor chip package according to a second embodiment of the present invention includes a semiconductor chip and a cured product of the resin composition for sealing the semiconductor chip. In such semiconductor chip packages, the cured product of the resin composition usually functions as a sealing layer. An example of the semiconductor chip package according to the second embodiment is a fan-out type WLP.

このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）半導体チップ上に封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程、並びに、
（Ｇ）再配線層上にソルダーレジスト層を形成する工程、
を含む。また、前記の半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを、個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含んでいてもよい。 The manufacturing method for such a semiconductor chip package is as follows:
(A) Step of laminating a temporary fixing film on the base material,
(B) Temporarily fixing the semiconductor chip on the temporary fixing film;
(C) forming a sealing layer on the semiconductor chip;
(D) Peeling the base material and temporary fixing film from the semiconductor chip,
(E) forming a rewiring formation layer as an insulating layer on the surface of the semiconductor chip from which the base material and the temporary fixing film have been peeled;
(F) a step of forming a rewiring layer as a conductor layer on the rewiring formation layer, and
(G) forming a solder resist layer on the rewiring layer;
including. Further, the method for manufacturing the semiconductor chip package described above includes:
(H) The method may include a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages and separating them into individual pieces.

このような半導体チップパッケージの製造方法の詳細は、国際公開第２０１６／０３５５７７号の段落００６６～００８１の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。 For details of the method for manufacturing such a semiconductor chip package, the descriptions in paragraphs 0066 to 0081 of International Publication No. 2016/035577 can be referred to, the contents of which are incorporated herein.

本発明の第三実施形態に係る半導体チップパッケージは、例えば第二実施形態の半導体チップパッケージにおいて、再配線形成層又はソルダーレジスト層を、本発明の樹脂組成物の硬化物で形成した半導体チップパッケージである。 The semiconductor chip package according to the third embodiment of the present invention is, for example, the semiconductor chip package in which the rewiring formation layer or the solder resist layer is formed from the cured product of the resin composition of the present invention in the semiconductor chip package of the second embodiment. It is.

［半導体装置］
上述した半導体チップパッケージが実装される半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。 [Semiconductor device]
Semiconductor devices on which the above-described semiconductor chip package is mounted include, for example, electrical products (e.g., computers, mobile phones, smartphones, tablet devices, wearable devices, digital cameras, medical equipment, televisions, etc.) and vehicles (e.g., , motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft, etc.).

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the following description, "parts" and "%" mean "parts by mass" and "% by mass," respectively, unless otherwise specified.

＜使用した（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分＞
水酸化マグネシウムＡ：神島化学工業社製「ＥＰ－４Ａ」、平均粒径１．１μｍ（無機物処理済）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの、アルコキシシラン化合物の量は水酸化マグネシウム１００部に対して３部
水酸化マグネシウムＢ：神島化学工業社製「ＥＰ－４Ａ」、無機物処理のみ
シリカＡ：アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ１」、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの <(C) component and (D) component used>
Magnesium hydroxide A: "EP-4A" manufactured by Kamishima Chemical Co., Ltd., average particle size 1.1 μm (inorganic treated), "KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) The amount of surface-treated alkoxysilane compound is 3 parts per 100 parts of magnesium hydroxide.Magnesium hydroxide B: "EP-4A" manufactured by Kamishima Chemical Industry Co., Ltd. Silica A only treated with inorganic substances: "SO-" manufactured by Admatex Co., Ltd. C1”, surface treated with “KBM573” (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

＜エラストマーの合成＞
（合成例１：エラストマーＡの合成）
反応容器に、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製「Ｇ－３０００」、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、芳香族炭化水素系混合溶剤（出光石油化学社製「イプゾール１５０」）４０ｇと、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで６０℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製「ＩＰＤＩ」、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し、約３時間反応を行った。 <Synthesis of elastomer>
(Synthesis example 1: Synthesis of elastomer A)
In a reaction vessel, 69 g of difunctional hydroxy group-terminated polybutadiene (Nippon Soda Co., Ltd. "G-3000", number average molecular weight = 3000, hydroxy group equivalent = 1800 g/eq.) and an aromatic hydrocarbon mixed solvent (Idemitsu Petroleum) were placed in a reaction vessel. 40 g of "Ipsol 150" (manufactured by Kagaku Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When the mixture became uniform, the temperature was raised to 60° C., and while stirring, 8 g of isophorone diisocyanate (“IPDI” manufactured by Evonik Degussa Japan, isocyanate group equivalent = 113 g/eq.) was added, and the reaction was carried out for about 3 hours.

次いで反応物に、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇとを添加し、攪拌しながら１５０℃まで昇温し、約１０時間反応を行った。ＦＴ－ＩＲによって２２５０ｃｍ－１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマーＡ（フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂：不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＡの数平均分子量は５９００、ガラス転移点温度は－７℃であった。 Next, 23 g of cresol novolac resin (KA-1160 manufactured by DIC Corporation, hydroxyl equivalent = 117 g/eq.) and 60 g of ethyl diglycol acetate (manufactured by Daicel Corporation) were added to the reaction product, and the temperature was raised to 150° C. with stirring. The temperature was raised and the reaction was carried out for about 10 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm -1 was confirmed by FT-IR. Confirmation of disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the temperature of the reaction product was lowered to room temperature. Then, the reaction product was filtered through a 100 mesh filter cloth to obtain elastomer A having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (butadiene resin containing a phenolic hydroxyl group: 50% by mass of non-volatile components). Elastomer A had a number average molecular weight of 5900 and a glass transition temperature of -7°C.

（合成例２：エラストマーＢの合成）
反応容器に、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製「Ｇ－３０００」、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、芳香族炭化水素系混合溶剤（出光石油化学社製「イプゾール１５０」）４０ｇと、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで６０℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製「ＩＰＤＩ」、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し、約３時間反応を行った。
次いで反応物に、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（明和化成社製「ＭＥＨ－７８５１ＳＳ」、水酸基当量＝２０３ｇ／ｅｑ．）１８ｇと、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（酸無水物当量＝１６１．１ｇ／ｅｑ．）３．２ｇとエチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）５８．２ｇとを添加し、攪拌しながら１５０℃まで昇温し、約１０時間反応を行った。ＦＴ－ＩＲによって２２５０ｃｍ－１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマーＢ（フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂：不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＢの数平均分子量は６９００、ガラス転移点温度は－２℃であった。 (Synthesis example 2: Synthesis of elastomer B)
In a reaction vessel, 69 g of difunctional hydroxy group-terminated polybutadiene (Nippon Soda Co., Ltd. "G-3000", number average molecular weight = 3000, hydroxy group equivalent = 1800 g/eq.) and an aromatic hydrocarbon mixed solvent (Idemitsu Petroleum) were placed in a reaction vessel. 40 g of "Ipsol 150" (manufactured by Kagaku Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When the mixture became uniform, the temperature was raised to 60° C., and while stirring, 8 g of isophorone diisocyanate (“IPDI” manufactured by Evonik Degussa Japan, isocyanate group equivalent = 113 g/eq.) was added, and the reaction was carried out for about 3 hours.
Next, 18 g of biphenyl dimethylene type phenol resin ("MEH-7851SS" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., hydroxyl equivalent = 203 g/eq.) and benzophenone tetracarboxylic dianhydride (acid anhydride equivalent = 161.1 g/eq.) were added to the reaction product. 3.2 g of eq.) and 58.2 g of ethyl diglycol acetate (manufactured by Daicel) were added, the temperature was raised to 150° C. with stirring, and the reaction was carried out for about 10 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm -1 was confirmed by FT-IR. Confirmation of disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the temperature of the reaction product was lowered to room temperature. Then, the reaction product was filtered through a 100 mesh filter cloth to obtain an elastomer B having a butadiene structure and a phenolic hydroxyl group (butadiene resin containing a phenolic hydroxyl group: 50% by mass of non-volatile components). Elastomer B had a number average molecular weight of 6900 and a glass transition temperature of -2°C.

（合成例３：エラストマーＣの合成）
反応容器に、ポリカーボネートジオール（旭化成社製「デュラノールＴ５６５２」、数平均分子量＝２０００、ヒドロキシ基当量＝約１０００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、芳香族炭化水素系混合溶剤（出光石油化学社製「イプゾール１５０」）５０ｇと、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇとを入れ、混合して均一に溶解させた。均一になったところで６０℃に昇温し、更に撹拌しながらイソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製「ＩＰＤＩ」、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）１６ｇを添加し、約３時間反応を行った。
次いで反応物に、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂（明和化成社製「ＭＥＨ－７８５１ＳＳ」、水酸基当量＝２０３ｇ／ｅｑ．）２８．４ｇと、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（酸無水物当量＝１６１．１ｇ／ｅｑ．）５．６４ｇとエチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６９．２ｇとを添加し、攪拌しながら１５０℃まで昇温し、約１０時間反応を行った。ＦＴ－ＩＲによって２２５０ｃｍ－１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピークの消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温した。そして、反応物を１００メッシュの濾布で濾過して、ポリカーボネート構造及びフェノール性水酸基を有するエラストマーＣ（フェノール性水酸基含有ポリカーボネート樹脂：不揮発成分５０質量％）を得た。エラストマーＣの数平均分子量は７１００、ガラス転移点温度は６℃であった。 (Synthesis Example 3: Synthesis of Elastomer C)
In a reaction vessel, 69 g of polycarbonate diol ("Duranol T5652" manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd., number average molecular weight = 2000, hydroxyl group equivalent = approximately 1000 g/eq.) and an aromatic hydrocarbon mixed solvent ("Ipsol 150" manufactured by Idemitsu Petrochemical Co., Ltd.) were placed in a reaction vessel. '') and 0.005 g of dibutyltin laurate were added and mixed to uniformly dissolve. When the mixture became uniform, the temperature was raised to 60° C., and while stirring, 16 g of isophorone diisocyanate (“IPDI” manufactured by Evonik Degussa Japan, isocyanate group equivalent = 113 g/eq.) was added, and the reaction was carried out for about 3 hours.
Next, 28.4 g of biphenyl dimethylene type phenol resin ("MEH-7851SS" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., hydroxyl equivalent = 203 g/eq.) and benzophenone tetracarboxylic dianhydride (acid anhydride equivalent = 161. 1 g/eq.) and 69.2 g of ethyl diglycol acetate (manufactured by Daicel) were added, and the temperature was raised to 150° C. while stirring, and the reaction was carried out for about 10 hours. The disappearance of the NCO peak at 2250 cm -1 was confirmed by FT-IR. Confirmation of disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the temperature of the reaction product was lowered to room temperature. Then, the reaction product was filtered through a 100 mesh filter cloth to obtain an elastomer C having a polycarbonate structure and a phenolic hydroxyl group (phenolic hydroxyl group-containing polycarbonate resin: 50% by mass of non-volatile components). Elastomer C had a number average molecular weight of 7100 and a glass transition temperature of 6°C.

＜実施例１＞
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００」、エポキシ当量２７６ｇ／ｅｑ．）６部、キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７７００」、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ．）７部、水酸化マグネシウムＡ５０部、シリカＡ１０部、フォスファゼン化合物（大塚化学社製、「ＳＰＨ－１００」の固形分５０％シクロヘキサノン溶液）１０部、エラストマーＡ６０部、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部、硬化促進剤（北興化学工業社製、「ＴＢＰ－ＤＡ」）０．１５部、メチルエチルケトン２５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。 <Example 1>
6 parts of biphenyl-type epoxy resin ("NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 276 g/eq.), 7 parts of novolak-type epoxy resin containing xylene structure ("YX7700", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 270 g/eq.), 50 parts of magnesium hydroxide A, 10 parts of silica A, 10 parts of phosphazene compound (50% solids cyclohexanone solution of "SPH-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.), 60 parts of elastomer A, cresol novolac resin ("KA-1160" manufactured by DIC) , phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g/eq), 0.15 parts of a curing accelerator (manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd., "TBP-DA"), and 25 parts of methyl ethyl ketone were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotating mixer. , a resin varnish was produced.

＜実施例２＞
実施例１において、エラストマーＡ６０部を、エラストマーＢ６０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Example 2>
In Example 1, 60 parts of elastomer A was replaced with 60 parts of elastomer B. A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜実施例３＞
実施例１において、水酸化マグネシウムＡの量を５０部から４０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様に指定樹脂ワニスを作製した。 <Example 3>
In Example 1, the amount of magnesium hydroxide A was changed from 50 parts to 40 parts. A designated resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜実施例４＞
実施例１において、フォスファゼン化合物（大塚化学社製、「ＳＰＨ－１００」の固形分５０％シクロヘキサノン溶液）の量を１０部から２０部に変え、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部を加えなかった。以上の事項以外は実施例１と同様に指定樹脂ワニスを作製した。 <Example 4>
In Example 1, the amount of the phosphazene compound (50% solids cyclohexanone solution of "SPH-100" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.) was changed from 10 parts to 20 parts, and the amount of the cresol novolac resin ("KA-1160" manufactured by DIC Corporation) was changed from 10 parts to 20 parts. Phenolic hydroxyl equivalent: 117 g/eq) 5 parts were not added. A designated resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜実施例５＞
実施例１において、
１）キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７７００」、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ．）の量を７部から４部に変え、
エポキシ化ポリブタジエン樹脂（日本曹達社「ＪＰ－４００」、エポキシ当量２３０ｇ／ｅｑ．）３部を混合し、
２）フォスファゼン化合物（大塚化学社製、「ＳＰＨ－１００」の固形分５０％シクロヘキサノン溶液）の量を１０部から２０部に変え、
３）クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）５部を混合せず、
４）エラストマーＡ６０部を、エラストマーＢ６０部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Example 5>
In Example 1,
1) The amount of xylene structure-containing novolak epoxy resin (“YX7700” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 270 g/eq.) was changed from 7 parts to 4 parts,
Mix 3 parts of epoxidized polybutadiene resin (Nippon Soda Co., Ltd. "JP-400", epoxy equivalent: 230 g/eq.),
2) Change the amount of phosphazene compound (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., "SPH-100" 50% solids cyclohexanone solution) from 10 parts to 20 parts,
3) without mixing 5 parts of cresol novolac resin (“KA-1160” manufactured by DIC, phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g/eq),
4) 60 parts of elastomer A was replaced with 60 parts of elastomer B.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜実施例６＞
実施例１において、シリカＡの量を１０部から２０部に変え、エラストマーＡ６０部をエラストマーＣ６０部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Example 6>
In Example 1, the amount of silica A was changed from 10 parts to 20 parts, and 60 parts of elastomer A was changed to 60 parts of elastomer C. A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜実施例７＞
実施例１において、
１）水酸化マグネシウムＡの量を５０部から１０部に変え、
２）シリカＡの量を１０部から５部に変え、
３）フォスファゼン化合物（大塚化学社製、「ＳＰＨ－１００」の固形分５０％シクロヘキサノン溶液）の量を１０部から２６部に変え、
４）エラストマーＡ６０部をエラストマーＣ６０部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Example 7>
In Example 1,
1) Change the amount of magnesium hydroxide A from 50 parts to 10 parts,
2) Change the amount of silica A from 10 parts to 5 parts,
3) Change the amount of phosphazene compound (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., "SPH-100" 50% solids cyclohexanone solution) from 10 parts to 26 parts,
4) 60 parts of elastomer A was replaced with 60 parts of elastomer C.
A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜比較例１＞
実施例１において、水酸化マグネシウムＡ５０部を水酸化マグネシウムＢ５０部に変え、シリカＡ１０部を混合しなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Comparative example 1>
In Example 1, 50 parts of magnesium hydroxide A was replaced with 50 parts of magnesium hydroxide B, and 10 parts of silica A was not mixed. A resin varnish was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

＜比較例２＞
比較例１において、フォスファゼン化合物（大塚化学社製、「ＳＰＨ－１００」の固形分５０％シクロヘキサノン溶液）１０部を加えず、クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製「ＫＡ－１１６０」、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）の量を５部から１０部に変えた。以上の事項以外は比較例１と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Comparative example 2>
In Comparative Example 1, 10 parts of a phosphazene compound (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., "SPH-100", solid content 50% cyclohexanone solution) was not added, and cresol novolak resin (manufactured by DIC Corporation, "KA-1160", phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g/eq) was changed from 5 parts to 10 parts. A resin varnish was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except for the above matters.

＜比較例３＞
比較例２において、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００」、エポキシ当量２７６ｇ／ｅｑ．）の量を６部から１２部に変え、キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７７００」、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ．）の量を７部から１２部に変え、シリカＡを１０部混合した。以上の事項以外は比較例２と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Comparative example 3>
In Comparative Example 2, the amount of biphenyl-type epoxy resin ("NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 276 g/eq.) was changed from 6 parts to 12 parts, and the amount of biphenyl-type epoxy resin ("NC3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 276 g/eq.) was changed from 6 parts to 12 parts. YX7700'', epoxy equivalent: 270 g/eq.) was changed from 7 parts to 12 parts, and 10 parts of Silica A was mixed. A resin varnish was produced in the same manner as in Comparative Example 2 except for the above matters.

＜比較例４＞
比較例２において、水酸化マグネシウムＢ５０部を混合せず、シリカＡ５０部を混合した。以上の事項以外は比較例２と同様にして樹脂ワニスを作製した。 <Comparative example 4>
In Comparative Example 2, 50 parts of magnesium hydroxide B was not mixed, but 50 parts of silica A was mixed. A resin varnish was produced in the same manner as in Comparative Example 2 except for the above matters.

＜重量変化率（Ｗ０／Ｗ１）の測定及び引張弾性率の測定＞
（１）評価用硬化物の作製
離型剤処理されたＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」、厚み３８μｍ、２４０ｍｍ角）の離型剤未処理面に、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（パナソニック社製「Ｒ５７１５ＥＳ」、厚み０．７ｍｍ、２５５ｍｍ角）を重ね四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した（以下、「固定ＰＥＴフィルム」ということがある。）。 <Measurement of weight change rate (W0/W1) and measurement of tensile modulus>
(1) Preparation of cured product for evaluation Glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad lamination is applied to the release agent-untreated surface of a PET film treated with a release agent (“501010” manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm, 240 mm square). Plates ("R5715ES" manufactured by Panasonic Corporation, thickness 0.7 mm, 255 mm square) were stacked and fixed on four sides with polyimide adhesive tape (width 10 mm) (hereinafter sometimes referred to as "fixed PET film").

実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを上記「固定ＰＥＴフィルム」の離型処理面上に乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃～１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。 The resin varnishes prepared in Examples and Comparative Examples were applied onto the release-treated surface of the above-mentioned "fixed PET film" using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying would be 40 μm, and then heated at 80°C to It was dried at 120°C (average 100°C) for 10 minutes to obtain a resin sheet.

次いで、１８０℃のオーブンに投入後９０分間の硬化条件で樹脂組成物層を熱硬化させた。 Next, the resin composition layer was placed in an oven at 180° C. and then thermally cured for 90 minutes.

熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、硬化物をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板から取り外し、更にＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」）も剥離して、シート状の硬化物を得た。得られた硬化物を「評価用硬化物」と称する。 After heat curing, the polyimide adhesive tape was peeled off, the cured product was removed from the glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate, and the PET film ("501010" manufactured by Lintec Corporation) was also peeled off to obtain a sheet-like cured product. Ta. The obtained cured product is referred to as "cured product for evaluation."

（２）重量変化率の測定
得られた評価用硬化物を５ｃｍ×５ｃｍに切り取り重量Ｗ０を測定した。続いて、評価用硬化物を膨潤液（アトテックジャパン社製「スウェリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で５分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で５分間、最後に中和液（アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸水溶液）に４０℃で５分間、浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥し、続いて過マンガン酸アルカリ水溶液に８０℃で５分間放置した後の質量Ｗ１を測定しＷ０／Ｗ１を求めた。 (2) Measurement of weight change rate The obtained cured product for evaluation was cut into 5 cm x 5 cm and the weight W0 was measured. Subsequently, the cured product for evaluation was immersed in a swelling solution ("Swelling Dip Securigant P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60°C for 5 minutes, and then in an oxidizing agent solution (Atotech Japan Co., Ltd.). "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan, an aqueous solution with a potassium permanganate concentration of approximately 6% and a sodium hydroxide concentration of approximately 4%) at 80℃ for 5 minutes, and finally neutralizing solution ("Reduction Solution Security" manufactured by Atotech Japan). Gantt P", sulfuric acid aqueous solution) for 5 minutes at 40°C, dried at 80°C for 15 minutes, and then left in an alkaline permanganate aqueous solution at 80°C for 5 minutes. The mass W1 was measured. W1 was calculated.

（３）引張弾性率の測定
評価用硬化物をダンベル状１号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における弾性率を求めた。測定は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して実施した。この操作を３回行いその平均値を下記表に示した。 (3) Measurement of tensile modulus The cured product for evaluation was cut into a No. 1 dumbbell shape to obtain a test piece. The tensile strength of the test piece was measured using a tensile tester "RTC-1250A" manufactured by Orientech Co., Ltd., and the elastic modulus at 23° C. was determined. The measurement was carried out in accordance with JIS K7127. This operation was performed three times and the average value is shown in the table below.

＜金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）、及び粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）の測定＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、パナソニック社製Ｒ５７１５ＥＳ）の両面をエッチング剤（メック社製ＣＺ８１００）に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。 <Measurement of peel strength (peel strength) of metal layer and surface roughness (Ra) of insulating layer surface after roughening treatment>
(1) Surface treatment of inner layer circuit board Both sides of the glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness 18 μm, board thickness 0.3 mm, Panasonic R5715ES) on which the inner layer circuit was formed were coated with an etching agent ( The copper surface was roughened by immersing it in CZ8100 (manufactured by MEC Corporation).

（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを、アルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ－５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」ということがある。）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃～１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ－５００）を用いて、積層板の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。 (2) Lamination of resin sheet A PET film (“Lumirror R80” manufactured by Toray Industries, Inc.) in which the resin varnish prepared in the Examples and Comparative Examples was mold-released with an alkyd resin mold release agent (“AL-5” manufactured by Lintec) , thickness 38 μm, softening point 130°C, hereinafter sometimes referred to as "release PET." It was dried at 120°C (average 100°C) for 10 minutes to obtain a resin sheet. This resin sheet was laminated using a batch vacuum pressure laminator (manufactured by Meiki Co., Ltd., MVLP-500) so that the resin composition layer was in contact with both surfaces of the laminate. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then pressing for 30 seconds at 100° C. and a pressure of 0.74 MPa.

（３）樹脂組成物層の硬化
ラミネートされた樹脂シートから離型ＰＥＴを剥離し、１８０℃、３０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化し絶縁層を形成した。これを基板Ａという。 (3) Curing of resin composition layer The release PET was peeled off from the laminated resin sheet, and the resin composition layer was cured at 180° C. for 30 minutes to form an insulating layer. This is called substrate A.

（４）粗化処理
作製した基板Ａの絶縁層表面を、膨潤液である、アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドＰに６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬させ、最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションショリューシン・セキュリガントＰに４０℃で５分間浸漬した。この基板を評価用基板Ｂとした。 (4) Roughening treatment The surface of the insulating layer of the fabricated substrate A was immersed in a swelling liquid, Swelling Dip Securigand P manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. containing diethylene glycol monobutyl ether, at 60°C for 5 minutes, and then roughened. As a liquid, it was immersed in Concentrate Compact P (KMnO 4 : 60 g/L, NaOH: 40 g/L aqueous solution) manufactured by Atotech Japan at 80°C for 15 minutes, and finally as a neutralizing liquid, Concentrate Compact P (manufactured by Atotech Japan) It was immersed in Reduction Shoryushin Securigant P at 40°C for 5 minutes. This board was designated as evaluation board B.

（５）セミアディティブ工法によるメッキ
絶縁層表面に回路を形成するために、評価用基板Ｂを、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、３０±５μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この回路基板を評価用基板Ｃとした。 (5) Plating by semi-additive method In order to form a circuit on the surface of the insulating layer, evaluation substrate B was immersed in an electroless plating solution containing PdCl 2 and then in an electroless copper plating solution. After performing an annealing treatment by heating at 150° C. for 30 minutes, an etching resist was formed, and after pattern formation by etching, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a conductor layer with a thickness of 30±5 μm. Next, annealing treatment was performed at 180° C. for 60 minutes. This circuit board was designated as evaluation board C.

（６）金属層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
評価用基板Ｃの導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。
ピール強度が０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上であるものを「○」と判定し、０．６ｋｇｆ／ｃｍ未満であるものを「△」と判定し、ふくれが生じたものを「×」と判定した。 (6) Measurement of peel strength of metal layer Make a cut of 10 mm in width and 100 mm in length in the conductor layer of evaluation board C, peel off one end, grasp with a grip, and leave at room temperature. The load (kgf/cm) when 35 mm was peeled off in the vertical direction at a speed of 50 mm/min was measured.
Those with a peel strength of 0.6 kgf/cm or more were determined as "○", those with a peel strength of less than 0.6 kgf/cm were determined as "Δ", and those with blistering were determined as "x".

（７）リフロー工程でのふくれ評価
評価用基板Ｃを１００ｍｍ×５０ｍｍの小片に切断し、ピーク温度２６０℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置（日本アントム社製「ＨＡＳ－６１１６」）に３回通した（リフロー温度プロファイルはＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ－ＳＴＤ－０２０Ｃに準拠）。評価は５つの小片で行い、目視観察により２つ以上の小片において導体層にふくれ等異常があるものを「×」と判定し、１つの小片でメッキ導体層にふくれ等異常があるものを「△」と判定し、全ての小片で全く異常のないもの「○」と判定した。 (7) Evaluation of blistering in the reflow process The evaluation board C was cut into small pieces of 100 mm x 50 mm, and was passed through a reflow device (HAS-6116 manufactured by Nippon Antom Co., Ltd.) that reproduces the solder reflow temperature with a peak temperature of 260°C three times. (Reflow temperature profile conforms to IPC/JEDEC J-STD-020C). The evaluation was performed on five pieces, and by visual observation, if two or more pieces had an abnormality such as blistering on the conductor layer, it was judged as "x", and if one piece had an abnormality such as blistering on the plated conductor layer, it was judged as "x". If there was no abnormality in all the small pieces, it was determined to be "○".

（８）粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ）の測定
評価用基板Ｂの絶縁層表面を、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ ＮＴ３３００）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして測定して、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さを求めた。それぞれ１０点の平均値を求めることにより、表面粗さ（Ｒａ）を測定した。 (8) Measurement of surface roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after roughening treatment The surface of the insulating layer of evaluation substrate B was measured by VSI using a non-contact surface roughness meter (WYKO NT3300 manufactured by Beco Instruments). The surface roughness of the surface of the insulating layer after the roughening treatment was determined by measuring in contact mode with a 50x lens in a measurement range of 121 μm×92 μm. The surface roughness (Ra) was measured by calculating the average value of each 10 points.

＜難燃性の評価＞
（１）積層板の下地処理
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板の銅箔をエッチアウトした基板（パナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」、基板厚み０．２ｍｍ）を１９０℃の温度条件で、１９０℃のオーブンに投入後３０分間、加熱乾燥した。 <Evaluation of flame retardancy>
(1) Surface treatment of the laminate A substrate with the copper foil etched out of a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate (“R1515A” manufactured by Panasonic, substrate thickness 0.2 mm) was heated at a temperature of 190°C. After putting it in an oven at ℃, it was heated and dried for 30 minutes.

（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが８０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃～１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。樹脂シートから保護フィルムを剥離して露出した樹脂組成物層を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が積層板と接合するように、基板両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、積層された樹脂シートを、大気圧下、１００℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスして平滑化した。 (2) Lamination of resin sheets The resin varnishes prepared in the Examples and Comparative Examples were applied onto the release PET using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 80 μm. It was dried at 120°C (average 100°C) for 10 minutes to obtain a resin sheet. The resin composition layer exposed by peeling off the protective film from the resin sheet is laminated using a batch vacuum pressure laminator (manufactured by Nikko Materials, 2-stage build-up laminator "CVP700"). It was laminated on both sides of the board so that it would be bonded to the board. Lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to a pressure of 13 hPa or less, and then press-bonding at 110° C. and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Next, the laminated resin sheets were heat-pressed for 60 seconds at 100° C. and a pressure of 0.5 MPa under atmospheric pressure to smooth them.

（３）樹脂組成物層の熱硬化
樹脂シートの積層後、支持体である離型ＰＥＴフィルムを剥離し、１００℃の温度条件で、１００℃のオーブンに投入後３０分間、次いで１９０℃の温度条件で、１９０℃のオーブンに移し替えた後９０分間熱硬化して絶縁層を形成し、基板を作製した。 (3) Thermal curing of the resin composition layer After laminating the resin sheets, the release PET film as a support was peeled off and placed in an oven at 100°C for 30 minutes, then at 190°C. The substrate was then transferred to an oven at 190° C. and then thermally cured for 90 minutes to form an insulating layer, thereby producing a substrate.

（４）難燃性の評価
上記（３）で作製した基板を使用して、ＵＬ難燃性の試験用に１２．７ｍｍ×１２７ｍｍのサイズに切断し、端面をサンドペーパー（＃１２００その後、＃２８００）にて研磨し、基材厚み０．２ｍｍ、片側に絶縁層８０μｍが積層された燃焼性試験用テストピースを作製した。その後、ＵＬ耐炎性試験規格（ＵＬ－９４）に従って、Ｖ０、Ｖ１の評価を行った。なお、Ｖ０は「○」と判定し、Ｖ１は「△」と判定し、１０秒間接炎後の燃え残りサンプルがない場合（燃焼）は「×」と判定した。 (4) Evaluation of flame retardancy The substrate prepared in (3) above was cut into a size of 12.7 mm x 127 mm for UL flame retardancy test, and the end surface was sanded with sandpaper (#1200, then # 2800) to prepare a test piece for combustibility test having a base material thickness of 0.2 mm and an insulating layer of 80 μm laminated on one side. Thereafter, V0 and V1 were evaluated according to the UL flame resistance test standard (UL-94). In addition, V0 was determined to be "○", V1 was determined to be "Δ", and when there was no unburned sample after 10 seconds of indirect flame (combustion), it was determined to be "x".

＜ハローイングの評価＞
（１）樹脂シートの用意
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４５μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃～１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートをそれぞれ得た。 <Helloing evaluation>
(1) Preparation of resin sheet The resin varnishes prepared in the Examples and Comparative Examples were applied onto the release PET using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 45 μm, and the coating was applied at 80°C to Each resin sheet was dried at 120°C (average 100°C) for 10 minutes.

（２）内層基板の用意
内層基板として、両面に銅箔層を有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ３μｍ、基板厚み０．１５ｍｍ、三菱ガス化学社製「ＨＬ８３２ＮＳＦ ＬＣＡ」、２５５×３４０ｍｍサイズ）を用意した。 (2) Preparation of the inner layer board As the inner layer board, a glass cloth base epoxy resin double-sided copper-clad laminate with copper foil layers on both sides (copper foil thickness 3 μm, board thickness 0.15 mm, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. "HL832NSF"LCA", 255 x 340 mm size) was prepared.

（３）樹脂シートのラミネート
樹脂シートから保護フィルムを剥がして、樹脂組成物層を露出させた。バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が内層基板と接するように、内層基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下に調整した後、１３０℃、圧力０．７４ＭＰａにて４５秒間圧着させることにより実施した。次いで、１２０℃、圧力０．５ＭＰａにて７５秒間熱プレスを行った。 (3) Lamination of resin sheet The protective film was peeled off from the resin sheet to expose the resin composition layer. Using a batch vacuum pressure laminator (manufactured by Nikko Materials, 2-stage build-up laminator "CVP700"), the resin composition layer was laminated on both sides of the inner layer substrate so that it was in contact with the inner layer substrate. Lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to adjust the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then press-bonding at 130° C. and a pressure of 0.74 MPa for 45 seconds. Then, hot pressing was performed at 120° C. and a pressure of 0.5 MPa for 75 seconds.

（４）樹脂組成物層の熱硬化
その後、樹脂シートがラミネートされた内層基板を、１００℃のオーブンに投入して３０分間加熱した。次いで１８０℃のオーブンに移し替えて３０分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化させて、絶縁層を形成した。その後、支持体を剥離して、絶縁層、内層基板及び絶縁層をこの順に有する硬化基板Ａを得た。 (4) Thermal curing of resin composition layer Thereafter, the inner layer substrate with the resin sheet laminated thereon was placed in an oven at 100°C and heated for 30 minutes. Next, the resin composition layer was transferred to a 180° C. oven and heated for 30 minutes to thermally cure the resin composition layer, thereby forming an insulating layer. Thereafter, the support was peeled off to obtain a cured substrate A having an insulating layer, an inner layer substrate, and an insulating layer in this order.

（５）レーザービア加工
ＣＯ２レーザー加工機（三菱電機社製「６０５ＧＴＷＩＩＩ（－Ｐ）」）を使用して、絶縁層にレーザー光を照射して、絶縁層に、トップ径（直径）が約７０μｍの複数個のビアホールを形成した。レーザー光の照射条件は、マスク径１ｍｍ、パルス幅１６μｓ、エネルギー０．２ｍＪ／ショット、ショット数２、バーストモード（１０ｋＨｚ）であった。こうして絶縁層にビアホールを形成された硬化基板Ａを、ビア加工基板Ａと呼ぶ。 (5) Laser via processing Using a CO 2 laser processing machine (“605GTWIII (-P)” manufactured by Mitsubishi Electric), the insulating layer is irradiated with a laser beam, and the top diameter (diameter) of the insulating layer is approximately A plurality of 70 μm via holes were formed. The laser light irradiation conditions were: mask diameter 1 mm, pulse width 16 μs, energy 0.2 mJ/shot, number of shots 2, and burst mode (10 kHz). The cured substrate A with via holes formed in the insulating layer in this manner is referred to as a via-processed substrate A.

（６）粗化処理
ビア加工基板Ａに、粗化処理としてのデスミア処理を行った。デスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。 (6) Roughening treatment The via-processed substrate A was subjected to desmear treatment as a roughening treatment. As the desmear treatment, the following wet desmear treatment was performed.

（湿式デスミア処理）
ビア加工基板Ａの絶縁層表面を、膨潤液（アトテックジャパン社製「スウェリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で５分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液（アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で１０分間浸漬し、次いで、中和液（アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸水溶液）に４０℃で５分間浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥した。この湿式デスミア処理を施されたビア加工基板Ａを、粗化基板Ａという。 (Wet desmear treatment)
The surface of the insulating layer of via-processed substrate A was immersed in a swelling liquid ("Swelling Dip Securigant P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60°C for 5 minutes, and then immersed in an oxidizing agent. It was immersed in a solution (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan, an aqueous solution with a potassium permanganate concentration of about 6% and a sodium hydroxide concentration of about 4%) at 80°C for 10 minutes, and then a neutralizing solution (Atotech Japan) After being immersed in ``Reduction Solution Securigant P'' (sulfuric acid aqueous solution) at 40°C for 5 minutes, it was dried at 80°C for 15 minutes. The via-processed substrate A that has been subjected to this wet desmear treatment is referred to as a roughened substrate A.

（７）粗化処理後のビアホールの寸法、及びハローイング距離の測定
粗化基板Ａについて、ＦＩＢ－ＳＥＭ複合装置（ＳＩＩナノテクノロジー社製「ＳＭＩ３０５０ＳＥ」）を用いて、断面観察を行った。詳細には、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて、絶縁層を、当該絶縁層の厚み方向に平行で且つビアホールのビアボトムの中心を通る断面が現れるように削り出した。この断面をＳＥＭによって観察した。観察された画像から、ビアホールのボトム径及びトップ径を測定した。また、ＳＥＭによって観察された画像には、ビアボトムのエッジから連続して、絶縁層が内層基板の銅箔層から剥離して形成された間隙部が見られた。そこで、観察された画像から、ビアボトムの中心からビアボトムのエッジまでの距離（間隙部の内周半径に相当）ｒ１と、ビアボトムの中心から前記間隙部の遠い側の端部までの距離（間隙部の外周半径に相当）ｒ２とを測定し、これら距離ｒ１と距離ｒ２との差ｒ２－ｒ１を、その測定地点のビアボトムのエッジからのハローイング距離として算出した。 (7) Measurement of via hole dimensions and harrowing distance after roughening treatment Cross-sectional observation of the roughened substrate A was performed using a FIB-SEM composite device (“SMI3050SE” manufactured by SII Nano Technology). Specifically, an FIB (focused ion beam) was used to cut the insulating layer so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appeared. This cross section was observed by SEM. The bottom diameter and top diameter of the via hole were measured from the observed image. Furthermore, in the image observed by SEM, a gap formed by peeling off of the insulating layer from the copper foil layer of the inner layer substrate was seen continuously from the edge of the via bottom. Therefore, from the observed image, the distance r1 from the center of the via bottom to the edge of the via bottom (corresponding to the inner circumferential radius of the gap) and the distance from the center of the via bottom to the far end of the gap (corresponding to the inner radius of the gap) (equivalent to the outer radius of the via bottom) r2 was measured, and the difference r2−r1 between these distances r1 and distance r2 was calculated as the harrowing distance from the edge of the via bottom at the measurement point.

前記の測定を、無作為に選んだ５か所のビアホールで行った。測定された５箇所のビアホールのボトム径の平均を、そのサンプルの粗化処理後のボトム径Ｌｂとして採用した。さらに、測定された５箇所のビアホールのハローイング距離の平均を、そのサンプルのビアボトムのエッジからのハローイング距離Ｗｂとして採用した。 The above measurements were performed in five randomly selected via holes. The average of the bottom diameters of the five measured via holes was adopted as the bottom diameter Lb of the sample after roughening treatment. Furthermore, the average of the measured harrowing distances of the five via holes was adopted as the harrowing distance Wb from the edge of the via bottom of the sample.

ハローイング比Ｈｂ（粗化処理後のビアボトムのエッジからのハローイング距離Ｗｂと、粗化処理後のビアホールのビアボトムの半径（Ｌｂ／２）との比「Ｗｂ／（Ｌｂ／２）」を表す）を計算し、このハローイング比Ｈｂが３５％以下であれば「○」と判定し、ハローイング比Ｈｂが３５％より大きければ「×」と判定した。 Haloing ratio Hb (represents the ratio "Wb/(Lb/2)" between the harrowing distance Wb from the edge of the via bottom after roughening treatment and the radius (Lb/2) of the via bottom of the via hole after roughening treatment ) was calculated, and if the haloing ratio Hb was 35% or less, it was determined to be "○", and if the haloing ratio Hb was greater than 35%, it was determined to be "x".

＜タック性の評価＞
テスター産業社製、恒温槽付きプローブタックテスター（ＴＥ－６００２）にてタック力を測定した。２５℃恒温槽内に静置した樹脂シートに、ＳＵＳ製５ｍｍφ円柱状プローブを、コンタクト速度０．５ｃｍ／秒で接触させ、１０００ｇｆ／ｃｍ２の荷重下で、１秒間保持後に、プローブを０．５ｃｍ／秒で引き離すときの剥離力を測定しプローブタックとした。測定は一つのサンプルにつき３回行い、各測定における平均値を求めた。プローブタックが０．４Ｎ未満を「◎」と判定し、０．４以上０．６Ｎ未満を「△」と判定し、０．６以上を「×」と判定した。 <Evaluation of tackiness>
The tack force was measured using a probe tack tester (TE-6002) equipped with a constant temperature bath, manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd. A 5 mm diameter cylindrical probe made of SUS was brought into contact with a resin sheet placed in a thermostat at 25° C. at a contact speed of 0.5 cm/sec, and after being held for 1 second under a load of 1000 gf/cm 2 , the probe was brought into contact with a resin sheet placed in a thermostat at 25° C. The peeling force when pulling apart at 5 cm/sec was measured and defined as probe tack. Measurements were performed three times for each sample, and the average value for each measurement was determined. A probe tack of less than 0.4 N was determined as "◎", a value of 0.4 or more and less than 0.6 N was determined as "Δ", and a probe tack of 0.6 or more was determined as "x".

＜反りの評価＞
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを上記「固定ＰＥＴフィルム」の離型処理面上に乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃～１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１０ｃｍ角に切り出し、１０ｃｍ角のポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックス－Ｓ（厚み２５μｍ）にラミネートし、１０ｃｍ角の樹脂付きポリイミドフィルムを得た。次いで、得られた樹脂付きポリイミドフィルムを１８０℃９０分で熱硬化し、反りを確認した。樹脂面を上にして水平な面に静置し、水平な面からの反り量が１ｃｍ未満である場合を「○」、１ｃｍ以上である場合を「×」とした。 <Evaluation of warpage>
The resin varnishes prepared in Examples and Comparative Examples were applied onto the release-treated surface of the above-mentioned "fixed PET film" using a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying would be 40 μm, and then heated at 80°C to It was dried at 120°C (average 100°C) for 10 minutes to obtain a resin sheet. The obtained resin sheet was cut into 10 cm square pieces and laminated onto a 10 cm square polyimide film (Upilex-S (thickness: 25 μm) manufactured by Ube Industries, Ltd.) to obtain a 10 cm square polyimide film with resin. The polyimide film was heat cured at 180°C for 90 minutes, and warpage was confirmed.The resin side was placed on a horizontal surface facing up, and when the amount of warpage from the horizontal surface was less than 1 cm, it was marked as "○" and 1 cm. Cases where the above was met were marked as "×".

実施例１～７、比較例１～４の調製に用いた成分とその配合量（不揮発分換算）を下記表に示した。なお、下記表中の略語等は以下のとおりである。
エラストマーＡ：合成例１で合成したエラストマー
エラストマーＢ：合成例２で合成したエラストマー
エラストマーＣ：合成例３で合成したエラストマー
ＮＣ３０００：ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、エポキシ当量２７６ｇ／ｅｑ．）
ＹＸ７７６０：キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、エポキシ当量２７０ｇ／ｅｑ．）
ＪＰ－４００：エポキシ化ポリブタジエン樹脂（日本曹達社製、エポキシ当量２３０ｇ／ｅｑ．）
水酸化マグネシウムＡ：神島化学工業社製「ＥＰ－４Ａ」、平均粒径１．１μｍ（無機物処理済）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
水酸化マグネシウムＢ:神島化学工業社製「ＥＰ－４Ａ」、無機物処理のみ
シリカＡ：アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ１」、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）で表面処理したもの
ＳＰＨ－１００：フォスファゼン化合物（大塚化学社製、固形分５０％シクロヘキサノン溶液）
ＫＡ－１１６０：クレゾールノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、フェノール性水酸基当量：１１７ｇ／ｅｑ）
ＴＢＰ－ＤＡ：硬化促進剤、北興化学工業社製 The components used in the preparation of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4 and their blending amounts (in terms of nonvolatile content) are shown in the table below. The abbreviations in the table below are as follows.
Elastomer A: Elastomer synthesized in Synthesis Example 1 Elastomer B: Elastomer synthesized in Synthesis Example 2 Elastomer C: Elastomer synthesized in Synthesis Example 3 NC3000: Biphenyl type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 276 g/eq.)
YX7760: Novolac type epoxy resin containing xylene structure (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 270 g/eq.)
JP-400: Epoxidized polybutadiene resin (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., epoxy equivalent: 230 g/eq.)
Magnesium hydroxide A: "EP-4A" manufactured by Kamishima Chemical Co., Ltd., average particle size 1.1 μm (inorganic treated), "KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) Surface-treated magnesium hydroxide B: “EP-4A” manufactured by Kamishima Chemical Co., Ltd. Silica A: “SO-C1” manufactured by Admatex Co., Ltd., “KBM573” (N-phenyl-3) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. -aminopropyltrimethoxysilane) SPH-100: Phosphazene compound (manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., 50% solids cyclohexanone solution)
KA-1160: Cresol novolac resin (manufactured by DIC, phenolic hydroxyl group equivalent: 117 g/eq)
TBP-DA: Curing accelerator, manufactured by Hokuko Chemical Industry Co., Ltd.

Figure 0007439888000001
Figure 0007439888000001

比較例１～３は、絶縁層を得るために熱硬化させる際に絶縁層が膨れてしまい、ピール強度を測定することができなかった。
（Ｅ）及び（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。 In Comparative Examples 1 to 3, the insulating layer swelled during heat curing to obtain the insulating layer, making it impossible to measure the peel strength.
It has been confirmed that even when components (E) and (F) are not contained, the same results as in the above examples are obtained, although there are differences in degree.

１００ 絶縁層
１００Ｕ 導体層とは反対側の絶縁層の面
１１０ ビアホール
１２０ ビアボトム
１２０Ｃ ビアボトムの中心
１３０ ビアトップ
１４０ 変色部
１５０ ビアボトムのエッジ
１６０ 間隙部
１７０ 端部
１８０ エッジ
１９０ 外周側の端部
２００ 内層基板
２１０ 導体層（第１の導体層）
Ｌｂ ビアホールのボトム径
Ｌｔ ビアホールのトップ径
Ｗｔ ビアトップのエッジからのハローイング距離
Ｗｂ ビアボトムのエッジからのハローイング距離 100 Insulating layer 100U Surface of insulating layer opposite to conductor layer 110 Via hole 120 Via bottom 120C Center of via bottom 130 Via top 140 Discolored part 150 Edge of via bottom 160 Gap part 170 End part 180 Edge 190 End part on outer peripheral side 200 Inner layer substrate 210 Conductor layer (first conductor layer)
Lb Bottom diameter of the via hole Lt Top diameter of the via hole Wt Haloing distance from the edge of the via top Wb Haloing distance from the edge of the via bottom

Claims (17)

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エラストマー、（Ｃ）アルコキシシラン化合物で表面処理された水酸化マグネシウム、及び（Ｄ）シリカ、を含む樹脂組成物であって、
（Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して１０質量％以上５０質量％以下であり、
（Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％としたとき、２質量％以上５５質量％以下である、樹脂組成物。 A resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an elastomer, (C) magnesium hydroxide surface-treated with an alkoxysilane compound, and (D) silica,
The content of component (B) is 10% by mass or more and 50% by mass or less based on 100% by mass of nonvolatile components in the resin composition,
A resin composition in which the content of component (C) is 2% by mass or more and 55% by mass or less, based on 100% by mass of nonvolatile components in the resin composition . （Ｃ）成分におけるアルコキシシラン化合物が、アミノ基を有する、請求項１に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, wherein the alkoxysilane compound in component (C) has an amino group. （Ｃ）成分の平均粒径が、０．５μｍ以上３μｍ以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the average particle size of component (C) is 0.5 μm or more and 3 μm or less. （Ｃ）成分におけるアルコキシシラン化合物の含有量が、水酸化マグネシウム１００質量部に対して０．５質量部以上５質量部以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the alkoxysilane compound in component (C) is 0.5 parts by mass or more and 5 parts by mass or less based on 100 parts by mass of magnesium hydroxide. thing. （Ｃ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、２質量％以上５０質量％以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the content of component (C) is 2% by mass or more and 50 % by mass or less, when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. thing. （Ｄ）成分の平均粒径が、０．０１μｍ以上３μｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the average particle size of component (D) is 0.01 μm or more and 3 μm or less. （Ｂ）成分が、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂である、請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 Component (B) has one type selected from a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, and a polycarbonate structure in the molecule. The resin composition according to any one of claims 1 to 6 , which is a resin having the above structure. （Ｂ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃以下で液状である樹脂から選択される１種以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 7 , wherein the component (B) is one or more selected from resins with a glass transition temperature of 25°C or lower and resins that are liquid at 25°C or lower. thing. （Ａ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、３質量％以上２５質量％以下である、請求項１～８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 8 , wherein the content of component (A) is 3% by mass or more and 25% by mass or less, when the nonvolatile components in the resin composition are 100% by mass. thing. 樹脂組成物を加熱硬化した直後の初期質量Ｗ０と、樹脂組成物を加熱硬化し、過マンガン酸アルカリ水溶液に８０℃で５分間放置した後の質量Ｗ１との比率（Ｗ０／Ｗ１）が、１．０５以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The ratio (W0/W1) of the initial mass W0 immediately after heat-curing the resin composition and the mass W1 after heat-curing the resin composition and leaving it in an alkaline permanganate aqueous solution at 80 ° C. for 5 minutes is 1. The resin composition according to any one of claims 1 to 9 , which has a molecular weight of .05 or less. 樹脂組成物を１８０℃９０分で熱硬化させた後の２３℃における弾性率が、３ＧＰａ以下である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 10 , wherein the resin composition has an elastic modulus of 3 GPa or less at 23°C after being thermally cured at 180°C for 90 minutes. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 11 , which is a resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１～１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。 A resin sheet comprising a support and a resin composition layer containing the resin composition according to any one of claims 1 to 12 provided on the support. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項１３に記載の樹脂シート。 The resin sheet according to claim 13 , which is a resin sheet for an insulating layer of a semiconductor chip package. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。 A circuit board comprising an insulating layer formed from a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 12 . 請求項１５に記載の回路基板と、前記回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package comprising the circuit board according to claim 15 and a semiconductor chip mounted on the circuit board. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物、もしくは請求項１３又は１４に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。 A semiconductor chip package comprising a semiconductor chip sealed with the resin composition according to any one of claims 1 to 12 or the resin sheet according to claim 13 or 14 .
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