JP7437905B2 - 温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法 - Google Patents
温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7437905B2 JP7437905B2 JP2019190295A JP2019190295A JP7437905B2 JP 7437905 B2 JP7437905 B2 JP 7437905B2 JP 2019190295 A JP2019190295 A JP 2019190295A JP 2019190295 A JP2019190295 A JP 2019190295A JP 7437905 B2 JP7437905 B2 JP 7437905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- temperature
- drive amount
- target temperature
- amount detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 163
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 101710170230 Antimicrobial peptide 1 Proteins 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01K7/021—Particular circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
- G01K7/20—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
- G01K7/203—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit in an oscillator circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Description
そこで、水晶振動子の温度を一定に保つOCXO(オーブン制御型水晶発振器、Oven Controlled Xtal Oscillator)が一般的に用いられ、水晶振動子の周波数温度変動の抑制が図られている。
図18に示すパッケージ105内の熱抵抗モデルにおいて、環境温度Ta〔℃〕に対し、ヒータの電流ドライバ103や水晶振動子104の制御回路等が搭載された集積回路ICの温度(以下、IC温度ともいう。)をTi〔℃〕、水晶振動子104の温度(以下、水晶子温度ともいう。)をTx〔℃〕、集積回路ICの消費電力をPi〔W〕とする。また、熱抵抗として、外気~IC間をθai[℃/W]、外気~水晶振動子104間をθax[℃/W]、集積回路IC~水晶振動子104間をθix[℃/W]とおく。
一方、水晶子温度Txについては、IC温度Ti(=Tgt)と環境温度Taとを、熱抵抗θixとθaxとで分割する事により、次式(1)で表すことができる。
Tx
={(θax/(θix+θax)}×Tgt+{θix/(θix+θax)}×Ta
……(1)
つまり、環境温度Taの変動に対し、水晶子温度Txは1次の変化を示す。例えばTgt=98〔℃〕、θai=300〔℃/W〕、θax=295〔℃/W〕、θix=5〔℃/W〕の場合、水晶振動子104の温度変動は約2〔℃〕にも達する。
そこで、この発明は、上記従来の未解決の課題に着目してなされたものであり、より高精度に温度制御を行うことができる温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法を提供することを目的としている。
また、本発明の他の実施形態に係る温度制御回路は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、前記キャンセル回路は、前記ターゲット温度生成回路と前記駆動回路との間に設けられ、前記ターゲット温度から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成するN次成分第2生成回路を含み、当該N次成分第2生成回路で生成した前記N次成分を前記ターゲット温度として前記駆動回路に出力することを特徴としている。
また、本発明の他の実施形態に係る温度制御回路は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、前記キャンセル回路は、前記駆動量検出回路と前記ターゲット温度生成回路との間に設けられ、前記駆動量検出値から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成するN次成分第2生成回路を含み、当該N次成分第2生成回路で生成した前記N次成分を、前記駆動量検出値として前記ターゲット温度生成回路に出力することを特徴としている。
さらに、本発明の他の実施形態に係る温度制御回路は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、前記キャンセル回路により生成される信号に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルする電源変動キャンセル回路をさらに備えることを特徴としている。
また、本発明の他の実施形態に係る発振制御回路は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備える温度制御回路と、前記パッケージ内に配置された前記対象物としての共振子及び当該共振子を制御する発振回路と、を含み、前記キャンセル回路は、前記ターゲット温度から一次成分を含まない二次以上のN次成分を生成するN次成分第1生成回路を含み、当該N次成分第1生成回路で生成した前記N次成分を前記発振回路に出力し、当該発振回路は前記N次成分に応じて前記共振子の周波数の温度による変動をキャンセルすることを特徴としている。
さらに、本発明の他の実施形態に係る発振制御回路は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備える温度制御回路と、前記パッケージ内に配置された前記対象物としての共振子及び当該共振子を制御する発振回路と、を含み、前記キャンセル回路により生成される信号に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記共振子への影響をキャンセルする電源変動キャンセル回路をさらに備えることを特徴としている。
また、本発明の他の実施形態に係る温度制御方法は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記ターゲット温度を調整することでキャンセルする温度制御方法であって、当該ターゲット温度から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成し、当該N次成分を前記ターゲット温度として前記駆動回路に出力することを特徴としている。
さらに、本発明の他の実施形態に係る温度制御方法は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記ターゲット温度を調整することでキャンセルする温度制御方法であって、前記駆動量検出値から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成し、当該N次成分を、前記駆動量検出値として前記ターゲット温度生成回路に出力することを特徴としている。
またさらに、本発明の他の実施形態に係る温度制御方法は、対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記温度センサの検出信号又は前記ターゲット温度を調整することでキャンセルし、さらに、調整された前記温度センサの検出信号又は調整された前記ターゲット温度に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルすることを特徴としている。
まず、上記従来の1次の補正を行う方法において、N次のエラー成分が残る要因について説明する。
特許文献1には、集積回路ICのターゲット温度を1次の補正成分でシフトすることにより、温度制御を行う温度制御回路が示されている。この温度制御回路は、図1に示すように、温度センサ(温度検出回路)TSと、アンプOPCと、ヒータ電流源HPと、ヒータ抵抗HRと、による熱フィードバックにより、環境温度Taの温度に応じて、ヒータ電流量Ihを制御している。例えば、環境温度Taが高温であれば、環境温度Taの影響を受けて集積回路ICの温度も比較的高いため、ヒータ発熱量は少なくてすみ、その結果ヒータ電流は低くなる。つまり、ヒータ電流源HPを流れる電流値を検出するためのレプリカ電流源PDCPの電流値は、集積回路ICと外気の温度差Tgt-Taに比例する。このレプリカ電流値Tgt-Taを抵抗RACに流して得られる「ターゲット温度シフト量ΔTgt」は、集積回路ICと外気の温度差Tgt-Taに比例する。これにより、環境温度Taの変化に対し、ターゲット温度を1次でシフトさせる機能を実現している。
つまり、電流値の典型例としては、IC温度を上昇させるため、ヒータ電流源HPの電流値は数百〔mA〕のオーダーとなる。また、レプリカ電流源PDCPの電流値は、不要な発熱オフセットを防ぐため、例えば数十〔μA〕オーダーとなる。そのため、ヒータ電流源HPとレプリカ電流源PDCPとの電流ミラー比の典型例は、「数百〔mA〕/数十〔μA〕=数万」となり、非常に大きなものとなる。このミラー比の値が非常に大きいことが、電流ミラーの非線形性を生んでいる。
ミラー比を例えば「10,000」としようとした場合には、W値のみで「10,000」もの比を実現することは非現実的である。そのため図2の例のように、ミラー先側でチャネル長Lを長くするという手段がとられる。
しかし、L値が異なる事によりミラー元とミラー先のPMOS素子のゲート電圧閾値Vthが異なるものになる。
M
={(W2/L2)/(W1/L1)}×{(Vgs-Vth2)/(Vgs-Vth1)}2 ……(2)
Vth1=Vth2であればミラー比はW/Lの比となるが、図2に示すように、ミラー先とミラー元とで、チャネル長が異なることから、電圧閾値はVth1≠Vth2であるため、ミラー比MがVgsに依存してしまう。すなわちミラー比Mがヒータ電流Ihに依存してしまう。
電流ミラー比は図3(b)に示すように、固定値10,000とはならず、ヒータ電流値に対して非線形に変動している。
そこで、ターゲット温度補正を、1次ではなく、N次(NはN>1の整数)とすることで、N次成分を除去することができる。
まず、本発明の第1実施形態を説明する。
第1実施形態は、温度変動による発振周波数の変動を抑制するようにした発振制御回路において、ターゲット温度補正を、1次ではなく、N次(NはN>1の整数)とすることで、N次成分を除去するようにしたものである。
温度センサ12は、パッケージ内部の温度を測定し検出信号を差動アンプ13に出力する。差動アンプ13の一方の入力端子には温度センサ12の検出信号が入力され、他方の入力端子には、ターゲット温度生成回路11の出力信号が入力される。差動アンプ13は、ターゲット温度生成回路11の出力信号と温度センサ12の検出信号との差分をとり、差分値をヒータ電流検出回路14及びヒータ電流ドライバ15に出力する。
ヒータ電流ドライバ15は、電源VDD及び接地電位間に接続されたPMOS素子15aを備え、PMOS素子15aのドレインと接地電位との間にヒータ抵抗つまりヒータ16が接続される。PMOS素子15aのゲートには、差動アンプ13の出力が入力される。ヒータ電流検出回路14のPMOS素子14aと、ヒータ電流ドライバ15のPMOS素子15aとはミラー回路を構成している。
可変容量トランジスタ18a及び18bのゲートには、N次補正回路17から出力される補正信号が入力され、補正信号に応じて可変容量トランジスタ18a及び18bの容量値が調整される。これにより、共振子19の出力周波数が調整されて発振信号として出力される。共振子19は、水晶振動子、MEMS振動子、また、他の振動子を適用することができる。
ここで、熱フィードバックループによる制御が行われていても、共振子19の温度は前述(1)式の通りターゲット温度Tgtに完全には一致せず、環境温度Taに対して1次の依存性をもって変動する。そこで、この共振子19の1次の温度変化を相殺すべく、この回路構成ではターゲット温度Tgtを環境温度Taに対して1次で変化させる事で、共振子19の温度を一定に維持する。そのための手段として、ヒータ電流検出回路14の出力に対し1次の依存性を持つように、ターゲット温度Tgtを変化させている。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
第2実施形態は、集積回路ICの温度を一定に制御するようにした温度制御回路であって、N次補正回路17によって、温度センサ12の検出信号を補正することで、集積回路ICの温度すなわちパッケージ内の温度をより高精度に目標温度に一致させるようにしたものである。
温度制御回路2-1は、図7に示すように、N次補正回路17の出力は温度センサ12の検出信号に加算される。
ヒータ電流検出回路22は、PMOS素子22aを含み、PMOS素子22aのソースが電源VDDに接続され、ドレインがN次補正回路17の入力端に接続され、ゲートに差動アンプ13の出力が入力される。差動アンプ13の出力は,PMOS素子22aと共に、ヒータ電流検出回路14のPMOS素子14a及びヒータ電流ドライバ15のPMOS素子15aにも入力され、ヒータ電流検出回路22と、ヒータ電流検出回路14と、ヒータ電流ドライバ15とは、ミラー回路を構成している。
第2実施形態において、N次補正回路17がN次成分第1生成回路に対応し、加算器21が加算回路に対応し、N次補正回路17及び加算器21がキャンセル回路に対応している。
次に、本発明の第3実施形態を説明する。
第3実施形態は、第2実施形態における温度制御回路2-1において、N次補正回路17に変えてN次補正回路17aを設け、加算器21及びヒータ電流検出回路22を取り除いたものである。
すなわち、図8に示すように、温度制御回路2-2は、ターゲット温度生成回路11と差動アンプ13との間にN次補正回路17aを備える。N次補正回路17aは、ターゲット温度生成回路11の出力信号を入力とし、1次以上のN次(N≧1)の出力信号を生成し補正信号として出力する。
したがって、この場合も第2実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
第3実施形態において、N次補正回路17aがN次成分第2生成回路及びキャンセル回路に対応している。
次に、本発明の第4実施形態を説明する。
第4実施形態は、第3実施形態における温度制御回路2-2において、N次補正回路17aの配置位置を変え、ターゲット温度生成回路11に替えてターゲット温度生成回路11aを備えている。
図9に示す温度制御回路2-3は、ヒータ電流検出回路14の出力側、つまりPMOS素子14aのドレイン側に電流電圧変換回路23を設け、ヒータ電流検出回路14から出力されるヒータ電流を電流電圧変換回路23で電圧信号に変換し、この電圧変換信号をN次補正回路17aに入力し、N次補正回路17aの出力をターゲット温度生成回路11aに入力する。
差動アンプ13は、ターゲット温度生成回路11aの出力信号と温度センサ12の検出信号との差分が零となるように、ヒータ電流を制御する。したがって、この場合も第3実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
なお、上記第2から第4実施形態における温度制御回路2-1~2-3では、集積回路ICが温度センサ12により検出する温度が目標温度に一致するように、より高精度に制御することができる。そのため、温度制御回路2-1~2-3を、例えば、第1実施形態における発振制御回路1-1のように、共振子の発振周波数を制御する発振制御回路等、温度制御が必要な任意の回路に適用すれば温度変動に伴う任意の回路における特性変動を抑制することができる。
次に、本発明の第5実施形態を説明する。
第5実施形態は、図5に示す第1実施形態における発振制御回路1-1において、さらに電源VDDの電圧変動を考慮するようにしたものである。
第5実施形態における発振制御回路1―2は、図10に示すように、第1実施形態における発振制御回路1-1において、さらにターゲット温度生成回路11と差動アンプ13との間に乗算器24を備える。電源変動キャンセル回路としての乗算器24は、ターゲット温度生成回路11の出力信号と電源VDDの電圧とを乗算し、乗算結果が、差動アンプ13に入力されると共に、N次補正回路17に入力される。
Ih=(Tgt-Ta)/(θa×VDD) ……(3)
(3)式から、ヒータ電流Ihは電源VDDに反比例する。
ここで、上記第1から第4実施形態におけるN次補正回路17及び17aでは、ターゲット温度TgtのN次の補正成分を、ヒータ電流量Ihに比例するように生成している。
ある電源電圧VDDにて生成したN次の補正成分が、発振周波数の温度変動を過不足無く打ち消したとする。
つまり、電源電圧VDDが低下するとN次の補正成分による補償が過剰となり、電源電圧VDDが上昇すると逆にN次の補正成分による補償が不足する。
これを回避するために、N次の補正量を電源電圧VDDに比例させる。これにより、電源電圧VDDの変化に伴い生じるN次の補正成分の変動を抑制することができ、N次の補正成分による補正をより高精度に行うことができる。そのため、温度制御をより高精度に行うことができ、その結果、周波数制御をより高精度に行うことができる。
乗算器24は、差動対電流生成部31と、電源部32と、PMOS受け差動対部33とを備える。
差動対電流生成部31は、電源電圧VDDと接地電位との間に直列に接続される、PMOS素子M1及び抵抗値がR0の抵抗R31と、ソースが電源電圧VDDに接続されPMOS素子M1とミラー接続されたPMOS素子M2と、増幅器AMP1と、を備える。増幅器AMP1の「-入力」には、ターゲット温度生成回路11の出力Vtgt〔V〕が入力され、「+入力」には、PMOS素子M1と抵抗R31との接続点の電圧が入力される。増幅器AMP1の出力はPMOS素子M1及びPMOS素子M2のゲートに入力される。
PMOS受け差動対部33は、PMOS素子M3及びPMOS素子M3のドレインに一端が接続される抵抗ロードR331と、PMOS素子M4及びPMOS素子M4のドレインに一端が接続される抵抗ロードR332と、バンドギャップリファレンス回路33aとを備え、PMOS素子M3及びM4のソースは差動対電流生成部31のPMOS素子M2のドレインに接続され、抵抗ロードR331及びR332の他端が接地電位に接続される。
そして、PMOS素子M4のドレイン電圧が、乗算器出力電圧Voutとして出力される。
このような構成を有する乗算器24は、差動対電流生成部31により、PMOS受け差動対部33に向けて、Itail=Vtgt/R0の電流が生成される。
乗算器24の出力電圧Voutは、抵抗ロード(片側2R0)R332に流れる電流で決定される。
一方、電源電圧VDDが増加しきると、出力電圧Voutは2Vtgtとなり、逆に電源電圧VDDが減少しきると、出力電圧Voutは0Vとなる。
図12に示すように、乗算器24の出力電圧Voutは、電源電圧VDDがTypical VDDの近傍であるときには線形性を有し、Typical VDDよりもある程度大きい領域及びある程度低い領域の電圧である場合には、非線形性を有する。そのため、出力特性が線形性を有する領域では、電源電圧VDDとの乗算器とみなすことができる。
乗算器24は、電源部41と、バンドギャップリファレンス回路42と、デジタル除算器43と、デジタル乗算器44とを備える。
電源部41は、電源電圧VDD及び接地電位間に直列に接続される、抵抗R41及びR42を備え、分圧回路を構成している。分圧回路は、電源電圧がTypical VDDであるときに、1.2Vを出力する。
バンドギャップリファレンス回路42は電源電圧VDDの大きさに関わらず、リファレンス電圧1.2Vを出力する。
デジタル乗算器44は、デジタル除算器43の除算器出力を「X入力」とし、ターゲット温度生成回路11の出力を「A/D変換器43a」で変換したデジタル信号をY入力とし、除算器出力とターゲット温度生成回路11の出力信号とを乗算し、乗算結果「X*Y」を出力する。乗算結果「X*Y」は、D/A変換器44bでアナログ信号に変換され、乗算器出力として出力される。
次に、本発明の第6実施形態を説明する。
第6実施形態は、図8に示す第3実施形態における温度制御回路2-2において、さらに、電源電圧VDDの変動を考慮するようにしたものである。
第6実施形態における温度制御回路2-4は、図14に示すように、第3実施形態における温度制御回路2-2において、さらに、ターゲット温度生成回路11とN次補正回路(N≧1)17aとの間に乗算器24を備える。電源変動キャンセル回路としての乗算器24は、ターゲット温度生成回路11の出力信号と電源電圧VDDとを乗算し、乗算結果が、N次補正回路17aに入力される。
差動アンプ13は、ターゲット温度生成回路11の出力信号及び電源電圧VDDの乗算値と、温度センサ12の検出信号と、が一致するようにヒータ電流を制御する。したがって、この場合も、上記第3実施形態における温度制御回路2-2と同等の作用効果を得ることができると共に、さらに電源電圧VDDの変動を考慮してヒータ電流を制御しているため、電源電圧VDDの変動が、温度制御に与える影響を抑制し、より高精度に温度制御を行うことができる。
次に、本発明の第7実施形態を説明する。
第7実施形態は、図7に示す第2実施形態における温度制御回路2-1において、さらに電源電圧VDDの変動を考慮するようにしたものである。
第7実施形態における温度制御回路2-5は、図15に示すように、第2実施形態における温度制御回路2―1において、ヒータ電流検出回路22の出力とN次補正回路17との間にさらに乗算器24を備える。電源変動キャンセル回路としての乗算器24は、ヒータ電流検出回路22の出力と電源電圧VDDとを乗算し、乗算結果が、N次補正回路17に入力される。
なお、第6実施形態及び第7実施形態においては、各温度制御回路2-4、2-5では、集積回路ICが置かれた環境温度が目標温度に一致するように、より高精度に制御することができる。そのため、温度制御回路2-4、2-5を、例えば、第1実施形態における発振制御回路1-1のように、共振子の発振周波数を制御する発振制御回路等、温度制御が必要な任意の回路に適用すれば温度変動に伴う任意の回路の特性変動を抑制することができる。
次に、本発明の第8実施形態を説明する。
第8実施形態は、図16に示すように、図5に示す発振制御回路1-1において、さらに不揮発性メモリと不揮発性メモリへのアクセスを行うインタフェースとを含む記憶処理部25を備える。
第8実施形態に係る発振制御回路1-3は、記憶処理部25では、N次補正回路17の出力を、個体間のばらつき等に応じて補正するための補正データや、発振制御回路1-3に含まれる各部の様々な製造ばらつきを調整するためのデータ等といった調整用データを不揮発性メモリに保持する。
なお、第8実施形態では、発振制御回路1-1に適用した場合について説明したが、これに限らず、第2から第7実施形態における各発振制御回路1-2、または、温度制御回路2-1~2-5に適用することも可能であり、この場合も上記第8実施形態における発振制御回路1-3と同等の作用効果を得ることができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
2-1~2-5 温度制御回路
11、11a ターゲット温度生成回路
12 温度センサ
13 差動アンプ
14 ヒータ電流検出回路
15 ヒータ電流ドライバ
16 ヒータ抵抗(ヒータ)
17、17a N次補正回路
18 発振回路
19 共振子
21 加算器
22 ヒータ電流検出回路
23 電流電圧変換回路
24 乗算器
25 記憶処理部
Claims (16)
- 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、
前記キャンセル回路は、前記駆動量検出値から一次成分を含まない二次以上のN次成分を生成するN次成分第1生成回路と、当該N次成分第1生成回路で生成した前記N次成分を前記温度センサの検出信号に加算する加算回路とを含む温度制御回路。 - 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、
前記キャンセル回路は、前記ターゲット温度生成回路と前記駆動回路との間に設けられ、前記ターゲット温度から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成するN次成分第2生成回路を含み、当該N次成分第2生成回路で生成した前記N次成分を前記ターゲット温度として前記駆動回路に出力する温度制御回路。 - 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、
前記キャンセル回路は、前記駆動量検出回路と前記ターゲット温度生成回路との間に設けられ、前記駆動量検出値から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成するN次成分第2生成回路を含み、当該N次成分第2生成回路で生成した前記N次成分を、前記駆動量検出値として前記ターゲット温度生成回路に出力する温度制御回路。 - 前記キャンセル回路により生成される信号に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルする電源変動キャンセル回路をさらに備える請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の温度制御回路。
- 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備え、
前記キャンセル回路により生成される信号に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルする電源変動キャンセル回路をさらに備える温度制御回路。 - 前記電源変動キャンセル回路は、前記キャンセル回路に入力される信号に前記電源電圧を乗算する乗算器を含む請求項4又は請求項5に記載の温度制御回路。
- 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の温度制御回路と、前記パッケージ内に配置された前記対象物としての共振子及び当該共振子を制御する発振回路と、を含むことを特徴とする発振制御回路。
- 前記キャンセル回路は、前記ターゲット温度から一次成分を含まない二次以上のN次成分を生成するN次成分第1生成回路を含み、当該N次成分第1生成回路で生成した前記N次成分を前記発振回路に出力し、当該発振回路は前記N次成分に応じて前記共振子の周波数の温度による変動をキャンセルする請求項7に記載の発振制御回路。
- 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備える温度制御回路と、前記パッケージ内に配置された前記対象物としての共振子及び当該共振子を制御する発振回路と、を含み、
前記キャンセル回路は、前記ターゲット温度から一次成分を含まない二次以上のN次成分を生成するN次成分第1生成回路を含み、当該N次成分第1生成回路で生成した前記N次成分を前記発振回路に出力し、当該発振回路は前記N次成分に応じて前記共振子の周波数の温度による変動をキャンセルする発振制御回路。 - 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御回路であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路の前記駆動量を制御する駆動回路と、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の前記駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルするキャンセル回路と、を備える温度制御回路と、前記パッケージ内に配置された前記対象物としての共振子及び当該共振子を制御する発振回路と、を含み、
前記キャンセル回路により生成される信号に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記共振子への影響をキャンセルする電源変動キャンセル回路をさらに備える発振制御回路。 - 前記キャンセル回路により生成される信号に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記共振子への影響をキャンセルする電源変動キャンセル回路をさらに備える請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の発振制御回路。
- 前記電源変動キャンセル回路は、前記キャンセル回路に入力される信号に前記電源電圧を乗算する乗算器を含む請求項10又は請求項11に記載の発振制御回路。
- 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記温度センサの検出信号を調整することでキャンセルする温度制御方法であって、
前記駆動量検出値から一次成分を含まない二次以上のN次成分を生成し、当該N次成分を前記温度センサの検出信号に加算する温度制御方法。 - 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記ターゲット温度を調整することでキャンセルする温度制御方法であって、
当該ターゲット温度から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成し、当該N次成分を前記ターゲット温度として前記駆動回路に出力する温度制御方法。 - 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記ターゲット温度を調整することでキャンセルする温度制御方法であって、
前記駆動量検出値から一次成分を含む二次以上のN次成分を生成し、当該N次成分を、前記駆動量検出値として前記ターゲット温度生成回路に出力する温度制御方法。 - 対象物と発熱回路とがパッケージ内に収納されたモジュールの温度制御方法であって、
前記パッケージ内に配置され前記パッケージ内の温度を検出する温度センサと、
前記発熱回路の駆動量を検出する駆動量検出回路と、
前記対象物の目標温度と前記駆動量検出回路で検出した駆動量検出値とから、前記対象物の位置と前記温度センサの位置とのずれにより生じる、温度偏差を加味した前記対象物の目標温度であるターゲット温度を生成するターゲット温度生成回路と、
前記温度センサで検出された検出温度と前記ターゲット温度とが一致するように前記発熱回路を制御する駆動回路と、を備え、
前記駆動量検出回路で検出した前記駆動量検出値に含まれる前記発熱回路の駆動量の二次以上の変動成分による前記対象物の温度への影響を、前記温度センサの検出信号又は前記ターゲット温度を調整することでキャンセルし、
さらに、調整された前記温度センサの検出信号又は調整された前記ターゲット温度に含まれる、電源電圧変動によって生じる変動成分による前記対象物の温度への影響をキャンセルする温度制御方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019190295A JP7437905B2 (ja) | 2019-10-17 | 2019-10-17 | 温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法 |
US17/029,675 US11356057B2 (en) | 2019-10-17 | 2020-09-23 | Temperature control circuit, oscillation control circuit, and temperature control method |
CN202011098421.4A CN112684824B (zh) | 2019-10-17 | 2020-10-14 | 温度控制电路、振荡控制电路以及温度控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019190295A JP7437905B2 (ja) | 2019-10-17 | 2019-10-17 | 温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021064922A JP2021064922A (ja) | 2021-04-22 |
JP7437905B2 true JP7437905B2 (ja) | 2024-02-26 |
Family
ID=75445698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019190295A Active JP7437905B2 (ja) | 2019-10-17 | 2019-10-17 | 温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11356057B2 (ja) |
JP (1) | JP7437905B2 (ja) |
CN (1) | CN112684824B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114545998B (zh) * | 2022-04-27 | 2022-07-19 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种恒温晶体振荡器自适应保护温度控制电路及实现方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014230201A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 |
JP2018133816A (ja) | 2018-04-19 | 2018-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
JP2018157369A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 日本電波工業株式会社 | 恒温槽付水晶発振器 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1266828C (zh) | 1997-06-02 | 2006-07-26 | 旭化成微***株式会社 | 近似3次函数发生装置以及使用了该装置的温度补偿晶体振荡电路及其温度补偿方法 |
US6501340B1 (en) | 2002-02-11 | 2002-12-31 | Acr Electronics, Inc. | Oscillator with frequency stabilizing circuit and method of constructing same |
AU2003261760A1 (en) | 2002-08-28 | 2004-04-30 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | DEVICE FOR GENERATING FUNCTION OF APPROXIMATE n-TH DEGREE AND TEMPERATURE COMPENSATION QUARTZ OSCILLATION CIRCUIT |
US7253694B2 (en) | 2004-07-15 | 2007-08-07 | C-Mac Quartz Crystals, Limited | Temperature compensated oven controlled crystal oscillator |
JP4453719B2 (ja) | 2007-05-29 | 2010-04-21 | ソニー株式会社 | 温度補償型水晶発振器 |
CN102025368A (zh) | 2009-09-19 | 2011-04-20 | 无锡爱睿芯电子有限公司 | 温度感应振荡器和其生产方法、以及温度频率校正*** |
JP2011114403A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器の温度補償方法、圧電発振器 |
CN102082548A (zh) | 2010-11-12 | 2011-06-01 | 成都天奥电子股份有限公司 | 具有高精度的微机补偿表贴温补晶振 |
JP6123979B2 (ja) | 2012-05-23 | 2017-05-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発振装置及び電子機器 |
US8643444B2 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-04 | Broadcom Corporation | Common reference crystal systems |
JP6045961B2 (ja) | 2013-01-31 | 2016-12-14 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器及び発振装置 |
JP6190664B2 (ja) | 2013-08-27 | 2017-08-30 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
JP6288777B2 (ja) | 2014-06-25 | 2018-03-07 | 日本電波工業株式会社 | 発振装置 |
JP5800171B1 (ja) | 2014-11-21 | 2015-10-28 | インターチップ株式会社 | 恒温槽型水晶発振器 |
JP6759539B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2020-09-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および基地局 |
JP6686329B2 (ja) | 2015-08-28 | 2020-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、電子機器及び移動体 |
JP6638340B2 (ja) | 2015-11-12 | 2020-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
JP6873775B2 (ja) | 2017-03-27 | 2021-05-19 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 温度制御装置および発振装置 |
CN213717927U (zh) | 2020-12-25 | 2021-07-16 | 河源市星通时频电子有限公司 | 一种基于石英热敏晶体构成的恒温振荡器 |
-
2019
- 2019-10-17 JP JP2019190295A patent/JP7437905B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-23 US US17/029,675 patent/US11356057B2/en active Active
- 2020-10-14 CN CN202011098421.4A patent/CN112684824B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014230201A (ja) | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 |
JP2018157369A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 日本電波工業株式会社 | 恒温槽付水晶発振器 |
JP2018133816A (ja) | 2018-04-19 | 2018-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021064922A (ja) | 2021-04-22 |
US20210119577A1 (en) | 2021-04-22 |
CN112684824B (zh) | 2022-03-18 |
CN112684824A (zh) | 2021-04-20 |
US11356057B2 (en) | 2022-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101888724B1 (ko) | 단일 온도에서 트림가능한 곡률 보상된 밴드-갭 설계 | |
US7403078B2 (en) | Temperature compensated crystal oscillator | |
US10581411B2 (en) | Relaxation oscillator and wireless device including relaxation oscillator | |
JP4895690B2 (ja) | 関数生成回路 | |
US8836315B2 (en) | Resistance signal generating circuit with n temperature characteristic adjusting elements | |
US9112513B2 (en) | Calibrating temperature coefficients for integrated circuits | |
US7154351B2 (en) | Approximate n-th order function generating device and temperature compensation crystal oscillation circuit | |
US9013244B2 (en) | Oscillating device, oscillating element and electronic apparatus | |
JP6297039B2 (ja) | 高度に安定なlc発振器におけるlcタンク温度ヌルを制御する方法及び装置 | |
JP2007104162A (ja) | 水晶発振器の製造方法及び水晶発振器 | |
JP5205827B2 (ja) | 発振周波数制御方法及び発振器 | |
JP7437905B2 (ja) | 温度制御回路、発振制御回路及び温度制御方法 | |
US5999063A (en) | Temperature-compensated crystal oscillator using square-law converter circuits for lower and higher temperature sides | |
JP6680615B2 (ja) | 調整装置、調整方法、および発振装置 | |
US10546647B2 (en) | Wide range zero temperature coefficient oscillators and related devices and methods | |
JP2018164188A (ja) | 温度補償装置、温度補償型発振器、および温度補償方法 | |
JP5977197B2 (ja) | 温度制御回路、恒温槽型圧電発振器、および温度制御方法 | |
JP6513927B2 (ja) | 発振器及びそのキャリブレーション方法 | |
WO2022075334A1 (ja) | Ocxo用発振回路 | |
JP5549925B2 (ja) | 圧電発振器用オフセット回路、圧電発振器、及び圧電発振器の温度補償方法 | |
Sešek et al. | Temperature compensation of magnetic sensor sensitivity maintaining ratiometric output | |
Cavadas | Process and Temperature Compensation of CMOS Ring Oscillators |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7437905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |