JP7433178B2 - 処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、処理装置に関する。
円筒体状の処理容器の側壁内側に沿って鉛直方向に延設し、ウエハボートのウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って複数のガス吐出孔が形成されたガス分散ノズルを有する成膜装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１１－１３５０４４号公報
本開示は、膜厚の面内均一性及び面間均一性を向上させることができる技術を提供する。
本開示の一態様による処理装置は、略円筒形状の処理容器と、前記処理容器の長さ方向に延在するガスノズルと、前記処理容器内にガスを吐出する複数のガス孔と、を備え、前記処理容器は、前記長さ方向に沿って第１ピッチで複数の基板を収容可能に構成され、前記複数のガス孔は、前記長さ方向に沿って第２ピッチで配置され、前記第２ピッチは、前記第１ピッチの２倍であり、前記複数のガス孔の各々は、対応する前記基板と同じ高さ位置に配置され、前記複数のガス孔の各々は、前記ガスノズルに配置され、対応する前記基板は、第１主面と、前記第１主面と反対の第２主面と、前記第１主面及び前記第２主面に連なる側面とを有し、前記複数のガス孔の各々から吐出されるガスは、対応する前記基板の前記側面に衝突し、対応する前記基板と該基板の前記第１主面の側に隣り合う基板との間の第１空間と、対応する前記基板と該基板の前記第２主面の側に隣り合う基板との間の第２空間とに分かれる流れを形成する。
本開示によれば、膜厚の面内均一性及び面間均一性を向上させることができる。
実施形態の処理装置の一例を示す概略図 ガスノズルの配置の一例を示す概略図 ガス孔とウエハとの位置関係の一例を示す図 シミュレーション条件を説明するための図 ウエハ面内のガスの流速分布の解析結果を示す図 ウエハ面内のガスの流速分布の解析結果を示す図 ウエハ面内のガスの流速分布の解析結果を示す図 ウエハ間のガスの流速分布の解析結果を示す図 ウエハ間の活性種濃度分布の解析結果を示す図 ガス孔とウエハとの位置関係の別の一例を示す図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔処理装置〕
図１及び図２を参照し、実施形態の処理装置の一例について説明する。図１は、実施形態の処理装置の一例を示す概略図である。図２は、ガスノズルの配置の一例を示す図である。
処理装置１は、処理容器１０、ガス供給部３０、排気部５０、加熱部７０及び制御部９０を備える。
処理容器１０は、内管１１及び外管１２を含む。内管１１は、インナーチューブとも称され、下端が開放された有天井の略円筒形状に形成されている。内管１１は、天井部１１ａが例えば平坦に形成されている。外管１２は、アウターチューブとも称され、下端が開放されて内管１１の外側を覆う有天井の略円筒形状に形成されている。内管１１及び外管１２は、同軸状に配置されて二重管構造となっている。内管１１及び外管１２は、例えば石英等の耐熱材料により形成されている。
内管１１の一側には、その長手方向（鉛直方向）に沿ってガスノズルを収容する収容部１３が形成されている。収容部１３は、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部１４を形成し、凸部１４内を収容部１３として形成している。
収容部１３に対向させて内管１１の反対側の側壁には、その長手方向（鉛直方向）に沿って矩形状の排気スリット１５が形成されている。排気スリット１５は、内管１１内のガスを排気する。排気スリット１５の長さは、後述するボート１６の長さと同じであるか、又は、ボート１６の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。
処理容器１０は、ボート１６を収容する。ボート１６は、複数の基板を鉛直方向に間隔を有して略水平に保持する。基板は、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）であってよい。
処理容器１０の下端は、例えばステンレス鋼により形成される略円筒形状のマニホールド１７によって支持されている。マニホールド１７の上端にはフランジ１８が形成されており、フランジ１８上に外管１２の下端を設置して支持するようになっている。フランジ１８と外管１２の下端との間にはＯリング等のシール部材１９を介在させて外管１２内を気密状態にしている。
マニホールド１７の上部の内壁には、円環形状の支持部２０が設けられている。支持部２０は、内管１１の下端を支持する。マニホールド１７の下端の開口には、蓋体２１がＯリング等のシール部材２２を介して気密に取り付けられている。蓋体２１は、処理容器１０の下端の開口、即ち、マニホールド１７の開口を気密に塞ぐ。蓋体２１は、例えばステンレス鋼により形成されている。
蓋体２１の中央には、磁性流体シール２３を介してボート１６を回転可能に支持する回転軸２４が貫通させて設けられている。回転軸２４の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構２５のアーム２５ａに回転自在に支持されている。
回転軸２４の上端には回転プレート２６が設けられている。回転プレート２６上には、石英製の保温台２７を介してウエハＷを保持するボート１６が載置される。従って、昇降機構２５を昇降させることによって蓋体２１とボート１６とは一体として上下動し、ボート１６を処理容器１０内に対して挿脱できるようになっている。
ガス供給部３０は、マニホールド１７に設けられている。ガス供給部３０は、複数（例えば７本）のガスノズル３１～３７を有する。
複数のガスノズル３１～３７は、内管１１の収容部１３内に周方向に沿って一列になるように配置されている。各ガスノズル３１～３７は、内管１１内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端がＬ字状に屈曲されてマニホールド１７を貫通するようにして支持されている。各ガスノズル３１～３７には、その長手方向に沿って所定の間隔を空けて複数のガス孔３１ａ～３７ａが設けられている。複数のガス孔３１ａ～３７ａは、例えば内管１１の中心Ｃ側（ウエハＷ側）に配向する。
各ガスノズル３１～３７は、各種のガス、例えば原料ガス、反応ガス、エッチングガス、パージガスを、複数のガス孔３１ａ～３７ａからウエハＷに向かって略水平に吐出する。原料ガスは、例えばシリコン（Ｓｉ）や金属を含有するガスであってよい。反応ガスは、原料ガスと反応して反応生成物を生成するためのガスであり、例えば酸素又は窒素を含有するガスであってよい。エッチングガスは、各種の膜をエッチングするためのガスであり、例えばフッ素、塩素、臭素等のハロゲンを含有するガスであってよい。パージガスは、処理容器１０内に残留する原料ガスや反応ガスをパージするためのガスであり、例えば不活性ガスであってよい。なお、ガスノズル３１～３７の詳細については後述する。
排気部５０は、内管１１内から排気スリット１５を介して排出され、内管１１と外管１２との間の空間Ｐ１を介してガス出口２８から排出されるガスを排気する。ガス出口２８は、マニホールド１７の上部の側壁であって、支持部２０の上方に形成されている。ガス出口２８には、排気通路５１が接続されている。排気通路５１には、圧力調整弁５２及び真空ポンプ５３が順次介設されて、処理容器１０内を排気できるようになっている。
加熱部７０は、外管１２の周囲に設けられている。加熱部７０は、例えばベースプレート（図示せず）上に設けられている。加熱部７０は、外管１２を覆うように略円筒形状を有する。加熱部７０は、例えば発熱体を含み、処理容器１０内のウエハＷを加熱する。
制御部９０は、処理装置１の各部の動作を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであってよい。処理装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。
〔ガスノズル〕
図３を参照し、ガスノズルのガス孔とウエハとの位置関係の一例について説明する。以下では、ガスノズル３４を例示して説明するが、他のガスノズル３１～３３、３５～３７についてもガスノズル３４と同じ構成であってよい。
図３に示されるように、ガスノズル３４は、内管１１の長さ方向に延在する。ガスノズル３４には、その長さ方向に沿って所定の間隔を空けて複数のガス孔３４ａ１～３４ａｎが設けられている。なお、ｎは１以上の整数である。複数のガス孔３４ａ１～３４ａｎは、例えば内管１１の中心Ｃ側（ウエハＷ側）に配向する。複数のガス孔３４ａ１～３４ａｎは、内管１１内に多段に収容された複数のウエハＷ１～Ｗｎに対して１つおきに配置され、対応するウエハＷ１～Ｗｎの側面に向けてガスを吐出する。このように、複数のガス孔３４ａ１～３４ａｎは、隣接するガス孔３４ａ間のピッチＨ２が隣接するウエハＷ間のピッチＨ１の２倍となるように配置され、対応するウエハＷ１～Ｗｎの側面に向けてガスを吐出する。
具体的には、ガス孔３４ａ１は、ウエハＷ１と同じ高さに配置され、ウエハＷ１の側面と対向する。これにより、ガス孔３４ａ１は、ウエハＷ１の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔３４ａ１から吐出されたガスは、ウエハＷ１の側面に衝突し、ウエハＷ０とウエハＷ１との間及びウエハＷ１とウエハＷ２との間に分かれる流れとなる。すなわち、ウエハＷ１の上面及びウエハＷ２の上面には、略同じ流量のガスが供給される。
また、ガス孔３４ａ２は、ウエハＷ３と同じ高さに配置され、ウエハＷ３の側面と対向する。これにより、ガス孔３４ａ２は、ウエハＷ３の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔３４ａ２から吐出されたガスは、ウエハＷ３の側面に衝突し、ウエハＷ２とウエハＷ３との間及びウエハＷ３とウエハＷ４との間に分かれる流れとなる。すなわち、ウエハＷ３の上面及びウエハＷ４の上面には、略同じ流量のガスが供給される。
また、ガス孔３４ａ３は、ウエハＷ５と同じ高さに配置され、ウエハＷ５の側面と対向する。これにより、ガス孔３４ａ３は、ウエハＷ５の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔３４ａ３から吐出されたガスは、ウエハＷ５の側面に衝突し、ウエハＷ４とウエハＷ５との間及びウエハＷ５とウエハＷ６との間に分かれる流れとなる。すなわち、ウエハＷ５の上面及びウエハＷ６の上面には、略同じ流量のガスが供給される。
同様に、ガス孔３４ａｎは、ウエハＷ２ｎ－１と同じ高さに配置され、ウエハＷ２ｎ－１の側面と対向する。これにより、ガス孔３４ａｎは、ウエハＷ２ｎ－１の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔３４ａｎから吐出されたガスは、ウエハＷ２ｎ－１の側面に衝突し、ウエハＷ２ｎ－２とウエハＷ２ｎ－１との間及びウエハＷ２ｎ－１とウエハＷ２ｎとの間に分かれる流れとなる。すなわち、ウエハＷ２ｎ－１の上面及びウエハＷ２ｎの上面には、略同じ流量のガスが供給される。
以上に説明したように、ガス孔３４ａ１～３４ａｎから吐出されたガスは、ウエハＷ１～Ｗｎの側面にあたり、上下のウエハＷ間に分かれる流れとなる。そのため、隣接するガス孔３４ａ間のピッチＨ２を隣接するウエハＷ間のピッチＨ１の２倍となるように配置しても、全てのウエハＷ１～Ｗｎに均等にガスが供給される。その結果、ウエハＷ１～Ｗｎ間の処理のバラツキを低減し、面間均一性を向上させることができる。また、複数のウエハＷ１～Ｗｎの各々に対応させてガス孔を設ける場合と比較して、ガス孔の数が半分となるので、各ガス孔から吐出されるガスの流速を高めることができる。そのため、ウエハの中心部におけるガス流速を高めることができる。その結果、ウエハ中心部とウエハ端部との間のガス流速のバラツキを低減し、処理の面内均一性を向上させることができる。
〔処理方法〕
実施形態の処理方法の一例として、図１及び図２に示される処理装置１を用いて原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法により、ウエハＷにシリコン酸化膜を成膜する方法について説明する。なお、処理装置１は、ガスノズル３１～３３、３５～３７についても、図３に示されるガスノズル３４と同じ構成であるものとして説明する。
まず、制御部９０は、昇降機構２５を制御して、複数のウエハＷを保持したボート１６を処理容器１０内に搬入し、蓋体２１により処理容器１０の下端の開口を気密に塞ぎ、密閉する。
続いて、制御部９０は、原料ガスを供給する工程Ｓ１、パージする工程Ｓ２、反応ガスを供給する工程Ｓ３及びパージする工程Ｓ４を含むサイクルを、予め定めた回数繰り返すことにより、複数のウエハＷに所望の膜厚を有するシリコン酸化膜を成膜する。
工程Ｓ１では、７本のガスノズル３１～３７の少なくとも１本から処理容器１０内に原料ガスであるシリコン含有ガスを吐出することにより、複数のウエハＷにシリコン含有ガスを吸着させる。
工程Ｓ２では、ガス置換及び真空引きを繰り返すサイクルパージにより、処理容器１０内に残留するシリコン含有ガス等を排出する。ガス置換は、７本のガスノズル３１～３７の少なくとも１本から処理容器１０内にパージガスを供給する動作である。真空引きは、真空ポンプ５３により処理容器１０内を排気する動作である。
工程Ｓ３では、７本のガスノズル３１～３７の少なくとも１本から処理容器１０内に反応ガスである酸化ガスを吐出することにより、酸化ガスにより複数のウエハＷに吸着したシリコン原料ガスを酸化させる。
工程Ｓ４では、ガス置換及び真空引きを繰り返すサイクルパージにより、処理容器１０内に残留する酸化ガス等を排出する。工程Ｓ４は、工程Ｓ２と同じであってよい。
工程Ｓ１～Ｓ４を含むＡＬＤサイクルが予め定めた回数繰り返された後、制御部９０は、昇降機構２５を制御して、ボート１６を処理容器１０内から搬出する。
実施形態の処理方法の別の一例として、図１及び図２に示される処理装置１を用いて化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法により、ウエハＷにシリコン膜を成膜する方法について説明する。
まず、制御部９０は、昇降機構２５を制御して、複数のウエハＷを保持したボート１６を処理容器１０内に搬入し、蓋体２１により処理容器１０の下端の開口を気密に塞ぎ、密閉する。
続いて、制御部９０は、７本のガスノズル３１～３７の少なくとも１本から処理容器１０内に原料ガスであるシリコン含有ガスを吐出することにより、ウエハＷ上に所望の膜厚を有するシリコン膜を成膜する。
続いて、制御部９０は、昇降機構２５を制御して、ボート１６を処理容器１０内から搬出する。
以上に説明した実施形態によれば、内管１１内に原料ガスや反応ガスを吐出する際、内管１１内に多段に収容された複数のウエハＷ１～Ｗｎに対して１つおきに配置された複数のガス孔３１ａ～３７ａから、対応するウエハＷ１～Ｗｎの側面に向けてガスを吐出する。これにより、ガス孔３１ａ～３７ａから吐出されたガスは、ウエハＷ１～Ｗｎの側面にあたり、上下のウエハＷ間に分かれる流れとなる。そのため、隣接するガス孔３４ａ間のピッチＨ２を隣接するウエハＷ間のピッチＨ１の２倍となるように配置しても、全てのウエハＷ１～Ｗｎに均等にガスが供給される。その結果、ウエハＷ１～Ｗｎ間の処理のバラツキを低減し、面間均一性を向上させることができる。また、複数のウエハＷ１～Ｗｎの各々に対応させてガス孔を設ける場合と比較して、ガス孔の数が半分となるので、各ガス孔から吐出されるガスの流速を高めることができる。そのため、ウエハの中心部におけるガス流速を高めることができる。その結果、ウエハ中心部とウエハ端部との間のガス流速のバラツキを低減し、処理の面内均一性を向上させることができる。
〔シミュレーション結果〕
まず、図１及び図２に示される処理装置１において、ガスノズル３４のガス孔３４ａから内管１１内に吐出されるガスのウエハＷ上における流速分布について、熱流体解析によるシミュレーションを実施した。本シミュレーションでは、ガス孔３４ａの配置を変更した３つの水準Ｘ１～Ｘ３について解析した。
図４は、シミュレーション条件を説明するための図である。図４では、左側から順に水準Ｘ１、水準Ｘ２、水準Ｘ３におけるガス孔３４ａの配置を示す。
水準Ｘ１は、ガス孔３４ａの数とウエハＷの数が同じであり、各ガス孔３４ａを上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間位置に配置した条件である。
水準Ｘ２は、ガス孔３４ａの数をウエハＷの数の半分に間引き、各ガス孔３４ａを上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間位置に配置した条件である。
水準Ｘ３は、ガス孔３４ａの数をウエハＷの数の半分に間引き、各ガス孔３４ａをウエハＷと同じ高さ位置に配置した条件である。
図５は、ウエハ面内のガスの流速分布の解析結果を示す図であり、水準Ｘ１～Ｘ３の夫々について、図４に示される高さ方向に連続して配置された３枚のウエハＷ１～Ｗ３上のガスの流速の面内分布を示す。各面内分布において、６時方向はガスノズル３４が配置された方向を示し、１２時方向は排気スリット１５が配置された方向を示す。
図６は、ウエハ面内のガスの流速分布の解析結果を示す図であり、図５の面内分布の６時方向から１２時方向までの直線上におけるガスの流速を示す。図６（ａ）～図６（ｃ）において、横軸は位置［ｍｍ］を示し、縦軸はガスの流速［ｍ／ｓ］を示す。位置は、－１５０ｍｍが６時方向におけるウエハＷの外端であり、０ｍｍがウエハＷの中心であり、＋１５０ｍｍが１２時方向におけるウエハＷの外端である。図６（ａ）は水準Ｘ１の結果を示し、図６（ｂ）は水準Ｘ２の結果を示し、図６（ｃ）は水準Ｘ３の結果を示す。
図７は、ウエハ面内のガスの流速分布の解析結果を示す図であり、水準Ｘ１のウエハＷ１、水準Ｘ２のウエハＷ１、Ｗ２及び水準Ｘ３のウエハＷ１について、図５の面内分布の６時方向から１２時方向までの直線上におけるガスの流速を比較した結果を示す。図７において、横軸は位置［ｍｍ］を示し、縦軸はガスの流速［ｍ／ｓ］を示す。位置は、－１５０ｍｍが６時方向におけるウエハＷの外端であり、０ｍｍがウエハＷの中心であり、＋１５０ｍｍが１２時方向におけるウエハＷの外端である。
図５～図７に示されるように、水準Ｘ１では、全てのウエハＷ１～Ｗ３に同一の環境でガスが供給されているので、全てのウエハＷ１～Ｗ３上のガスの流速分布が一致している。水準Ｘ２では、水準Ｘ１に対して、ウエハＷ１の上方空間及びウエハＷ２とウエハＷ３との間の空間に供給されるガスの流量が２倍になるので、ウエハＷ１上及びウエハＷ３上のガスの流速が高くなっているが、ウエハＷ２上のガスの流速が低くなっている。このように、水準Ｘ２では、ウエハＷ間においてガス流速にバラツキが生じる。水準Ｘ３では、全てのウエハＷ１～Ｗ３上のガスの流速分布が一致しており、かつ、水準Ｘ１よりも高い流速でウエハＷ１～Ｗ３上にガスが供給されている。
図８は、ウエハ間のガスの流速分布の解析結果を示す図であり、解析により得られたガスの流速分布を縦断面で示した図である。図８（ａ）は水準Ｘ１の結果を示し、図８（ｂ）は水準Ｘ２の結果を示し、図８（ｃ）は水準Ｘ３の結果を示す。図８（ａ）～図８（ｃ）において、左端はガスノズル３４が配置された位置であり、右端は排気スリット１５が配置された位置である。また、図８（ａ）～図８（ｃ）中、ガスの吐出方向を矢印で示す。
図８（ａ）及び図８（ｃ）に示されるように、水準Ｘ３では、水準Ｘ１よりも、ガスの流速が高い領域がウエハＷの中心部にまで広がっていることが分かる。この結果から、ガス孔３４ａの数をウエハＷの数の半分に間引き、各ガス孔３４ａをウエハＷと同じ高さ位置に配置することにより、ウエハＷの中心部と端部との間のガスの流速のバラツキを低減し、ガスの流速の面内均一性を向上させることができると考えられる。
また、図８（ｂ）に示されるように、水準Ｘ２では、ガス孔３４ａが配置された高さ位置を含むウエハＷ間の空間と、該空間の上下に隣接するウエハＷ間の空間との間で、ウエハＷの中心部におけるガスの流速に大きな違いが生じている。これは、ガス孔３４ａが上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間に位置するように設定されているため、ガス孔３４ａから吐出されたガスがウエハＷ間の空間に直接入り込む。その結果、ガス孔３４ａの有無の影響が大きくなっている。これに対し、水準Ｘ３では、ガス孔３４ａがウエハＷと同じ高さ位置に配置されているため、ガス孔３４ａから吐出されたガスはウエハＷの側面に衝突し、該ウエハＷの上下のウエハＷ間の空間に分かれる流れとなる。その結果、ガス孔３４ａの数をウエハＷの数の半分に間引いてもガス孔３４ａの有無の影響が小さくなっている。また、水準Ｘ３では、水準Ｘ１に対してガス孔３４ａの数が半分であるため、各ガス孔３４ａから吐出されるガスの流速が高くなる。そのため、水準Ｘ３では、水準Ｘ１よりもウエハＷの中心部におけるガス流速が高くなっている。この結果から、ガス孔３４ａの数を半分に間引き、各ガス孔３４ａをウエハＷと同じ高さ位置に配置することにより、ガスの流速の面内均一性及び面間均一性を向上させることができると考えられる。
次に、図１及び図２に示される処理装置１において、ガスノズル３４のガス孔３４ａから内管１１内にガスを吐出したときのウエハＷ上の反応活性種の濃度分布について、熱流体解析によるシミュレーションを実施した。なお、反応活性種の濃度分布を解析の対象としたのは、ウエハＷ上に成膜される所定の膜の膜厚は、原料ガスが熱分解して生成される反応活性種の濃度に起因することを考慮したことによる。本シミュレーションでは、ガス孔３４ａの配置を変更した２つの水準である水準Ｘ２（図４（ｂ）を参照）及び水準Ｘ３（図４（ｃ）を参照）について解析した。
図９は、ウエハ間の活性種濃度分布の解析結果を示す図であり、解析により得られた活性種濃度分布を縦断面で示した図である。図９（ａ）は水準Ｘ２の結果を示し、図９（ｂ）は水準Ｘ３の結果を示す。図９（ａ）及び図９（ｂ）において、左端はガスノズル３４が配置された位置であり、右端は排気スリット１５が配置された位置である。また、図９（ａ）及び図９（ｂ）中、ガスの吐出方向を矢印で示す。
図９（ａ）に示されるように、水準Ｘ２では、ガス孔３４ａが配置された高さ位置を含むウエハＷ間の空間と、該空間の上下に隣接するウエハＷ間の空間との間で、反応活性種の濃度分布が大きく異なっている。これに対し、図９（ｂ）に示されるように、水準Ｘ３では、全てのウエハＷ上において、反応活性種の濃度分布が略同じになっている。この結果から、ガス孔３４ａの数を半分に間引き、各ガス孔３４ａをウエハＷと同じ高さ位置に配置することにより、ウエハＷ上における反応活性種の濃度の面間均一性を向上させることができると考えられる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、多段に収容された複数のウエハＷの１つおきに、１本のガスノズル３４に設けられた複数のガス孔３４ａが配置されている場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、多段に収容された複数のウエハＷの１つおきに、複数のガスノズルに設けられた複数のガス孔のいずれか１つが配置されるようにしてもよい。これにより、ガスノズルの内部の圧力が上昇することを抑制できる。その結果、ガスノズルの内部で原料ガスが過剰に分解されて膜が堆積することを抑制できる。また、複数のガスノズルを用いることで、１本のガスノズルあたりのガス孔の数を少なくできるので、ガスノズルの長さ方向におけるガスの流量のバラツキが小さくなる。
図１０は、ガス孔とウエハとの位置関係の別の一例を示す図である。図１０に示される例では、多段に収容された複数のウエハＷの１つおきに、２本のガスノズル１１０、１２０に設けられた複数のガス孔１１０ａ、１２０ａのいずれか１つが配置されている。すなわち、複数のガス孔１１０ａは隣接するガス孔１１０ａ間のピッチＨ３が隣接するウエハＷ間のピッチＨ１の４倍となるように配置されている。また、複数のガス孔１２０ａは隣接するガス孔１２０ａ間のピッチＨ４が隣接するウエハＷ間のピッチＨ１の４倍となるように配置されている。具体的には、ガス孔１１０ａ１は、ウエハＷ１と同じ高さに配置され、ウエハＷ１の側面と対向する。これにより、ガス孔１１０ａ１は、ウエハＷ１の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔１２０ａ１は、ウエハＷ３と同じ高さに配置され、ウエハＷ３の側面と対向する。これにより、ガス孔１２０ａ１は、ウエハＷ３の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔１１０ａ２は、ウエハＷ５と同じ高さに配置され、ウエハＷ５の側面と対向する。これにより、ガス孔１１０ａ２は、ウエハＷ５の側面に向けてガスを吐出する。ガス孔１２０ａ２は、ウエハＷ７と同じ高さに配置され、ウエハＷ７の側面と対向する。これにより、ガス孔１２０ａ２は、ウエハＷ７の側面に向けてガスを吐出する。
上記の実施形態では、ガスノズルがＬ字管である場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ガスノズルは、内管の側壁の内側において、内管の長手方向に沿って延設し、下端がノズル支持部（図示せず）に挿入されて支持されるストレート管であってもよい。
上記の実施形態では、処理装置が処理容器の長手方向に沿って配置したガスノズルからガスを供給し、該ガスノズルと対向して配置した排気スリットからガスを排気する装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理装置はボートの長手方向に沿って配置したガスノズルからガスを供給し、該ボートの上方又は下方に配置したガス出口からガスを排気する装置であってもよい。
上記の実施形態では、処理容器が内管及び外管を有する二重管構造の容器である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理容器は単管構造の容器であってもよい。
上記の実施形態では、処理装置が非プラズマ装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、処理装置は、容量結合型プラズマ装置、誘導結合型プラズマ装置等のプラズマ装置であってもよい。
１ 処理装置
１０ 処理容器
１５ 排気スリット
３１～３７ ガスノズル
３１ａ～３７ａ ガス孔
Ｗ ウエハ

Claims (4)

  1. 略円筒形状の処理容器と、
    前記処理容器の長さ方向に延在するガスノズルと、
    前記処理容器内にガスを吐出する複数のガス孔と、
    を備え、
    前記処理容器は、前記長さ方向に沿って第１ピッチで複数の基板を収容可能に構成され、
    前記複数のガス孔は、前記長さ方向に沿って第２ピッチで配置され、
    前記第２ピッチは、前記第１ピッチの２倍であり、
    前記複数のガス孔の各々は、対応する前記基板と同じ高さ位置に配置され、
    前記複数のガス孔の各々は、前記ガスノズルに配置され、
    対応する前記基板は、第１主面と、前記第１主面と反対の第２主面と、前記第１主面及び前記第２主面に連なる側面とを有し、
    前記複数のガス孔の各々から吐出されるガスは、対応する前記基板の前記側面に衝突し、対応する前記基板と該基板の前記第１主面の側に隣り合う基板との間の第１空間と、対応する前記基板と該基板の前記第２主面の側に隣り合う基板との間の第２空間とに分かれる流れを形成する、
    処理装置。
  2. 前記複数のガス孔の各々は、前記処理容器の中心側に配向する、
    請求項１に記載の処理装置。
  3. 前記処理容器には、該処理容器内のガスを排出する排気スリットが前記複数のガス孔と対向して設けられている、
    請求項１又は２に記載の処理装置。
  4. 略円筒形状の処理容器と、
    前記処理容器の長さ方向に延在する複数のガスノズルと、
    前記処理容器内にガスを吐出する複数のガス孔と、
    を備え、
    前記処理容器は、前記長さ方向に沿って第１ピッチで複数の基板を収容可能に構成され、
    前記複数のガス孔は、前記長さ方向に沿って第２ピッチで配置され、
    前記第２ピッチは、前記第１ピッチの２倍であり、
    前記複数のガス孔の各々は、対応する前記基板と同じ高さ位置に配置され、
    前記複数のガス孔の各々は、前記複数のガスノズルのうちのいずれか１つに配置され、
    対応する前記基板は、第１主面と、前記第１主面と反対の第２主面と、前記第１主面及び前記第２主面に連なる側面とを有し、
    前記複数のガス孔の各々から吐出されるガスは、対応する前記基板の前記側面に衝突し、対応する前記基板と該基板の前記第１主面の側に隣り合う基板との間の第１空間と、対応する前記基板と該基板の前記第２主面の側に隣り合う基板との間の第２空間とに分かれる流れを形成する、
    処理装置。
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