JP7431260B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
基板処理装置100は、処理チャンバ10内にプラズマを形成して被処理基板1のドライエッチングを行うプラズマ処理装置である。被処理基板1は、シリコンにより形成されたシリコンウェハである。
基板載置部20は、基台21と、基台21上に設置された静電チャック22(図2参照)と、静電チャック22の周囲を取り囲むリング部材23とを含む。
次に、本実施形態の基板処理方法について説明する。図4に示すように、本実施形態の基板処理方法は、下記の工程S1~S4を備える。以下、基板処理装置100の各部については、図1~図3を参照するものとする。
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
次に、本実施形態の基板処理方法の効果を確認するために行った実験および実験結果について説明する。
面内均一性={(ERMax-ERMin)/(2×ERAve)}×100・・・(1)
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。
Claims (5)
- 載置面の外周を取り囲むようにリング部材が設けられた基板載置部の前記載置面にシリコンからなる被処理基板を配置する工程と、
前記基板載置部を収容する処理チャンバ内にSF6ガスおよびO2ガスを導入し、高周波電力を印加してプラズマを形成する工程と、
前記プラズマにより前記載置面上の前記被処理基板をエッチングするとともに、前記プラズマにより、前記リング部材の表面に設けられたシリコンを含む反応部から反応生成物を生成する工程と、
前記反応部から生成された前記反応生成物を前記プラズマと反応させることにより、前記被処理基板の外周部におけるエッチング部に保護膜を形成する工程と、を備える、基板処理方法。 - 前記被処理基板の外周部における前記エッチング部に前記保護膜を形成する工程は、
前記反応部から生成されたシリコンを含む前記反応生成物を前記プラズマにより解離させる工程と、
解離されたシリコンと前記プラズマ中の酸素ラジカルとの反応により酸化ケイ素を含む前記保護膜を形成する工程と、を含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記反応部の材料はSiO2であり、
前記反応生成物は、フッ化ケイ素および酸素ラジカルを含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記反応部から前記反応生成物を生成する工程において、前記被処理基板の外周部におけるラジカルおよび反応生成物の分布を、前記被処理基板の中央部におけるラジカルおよび反応生成物の分布と近づけるように、前記反応部から前記反応生成物を生成する、請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記反応部は、前記リング部材の上面のうち、前記載置面上の前記被処理基板よりも外周側に少なくとも設けられ、かつ、環状に形成されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
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JP2000077393A (ja) | 1998-09-03 | 2000-03-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003264227A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ形成方法 |
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JP2007073751A (ja) | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000077393A (ja) | 1998-09-03 | 2000-03-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003264227A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ形成方法 |
JP2004087738A (ja) | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Tokyo Electron Ltd | Siエッチング方法 |
JP2006140423A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。 |
JP2007073751A (ja) | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
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