JP7429612B2 - 弾性表面波フィルタ及び弾性表面波デバイス - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波フィルタ及び弾性表面波フィルタを含む弾性表面波デバイスに関する。

ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave:弾性表面波）デバイスとして、ＳＡＷフィルタが知られており、特許文献１には当該ＳＡＷフィルタの一例について示されている。

ＳＡＷフィルタについては、終端インピーダンスに対する整合のためにマッチング回路の接続を必要とすることが多い。当該マッチング回路を構成する要素をＳＡＷフィルタが実装される実装基板に導電パターンとして設けるケースが増えてきている。これは、実装基板の外部における上記のマッチング回路をなす回路部品の部品点数の削減を目的としている。そのように実装基板に形成する導電パターンとしては、ＳＡＷフィルタに並列接続されるインダクタが有り、そのインダクタンス値が大きいほど当該インダクタについての実装基板における占有面積が増える。

特開２０１５－４１９０９

上記のインダクタのインダクタンス値を減少させて、導電パターンの実装基板における占有面積が小さくなるように、ＳＡＷフィルタの入力側に当該インダクタと並列なキャパシタが設けられる場合が有る。このキャパシタとして、ＳＡＷフィルタを構成するチップをなす圧電基板上に、櫛歯状のパターンが描画される。しかし、このキャパシタが共振することでＳＡＷフィルタの特性に不要なリップルが現れてしまう場合が有る。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電基板にキャパシタをなす導電パターンが設けられる弾性表面波フィルタにおいて、当該キャパシタの共振を抑制し、良好な特性を得ることである。

本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、
信号入力用の導電路、信号出力用の導電路に各々接続されて前記圧電基板に設けられるＩＤＴ電極と、
前記信号入力用の導電路または前記信号出力用の導電路を構成するように前記圧電基板に設けられた導電パターンである第１の櫛歯部と、
前記第１の櫛歯部と共にキャパシタを形成するように前記圧電基板に設けられると共に接地される導電パターンであり、当該第１の櫛歯部の各歯間にてその歯が形成された第２の櫛歯部と、
前記第１の櫛歯部の歯及び前記第２の櫛歯部の歯に各々設けられ、且つ前記第１の櫛歯部及び前記第２の櫛歯部のうちの少なくとも一方の櫛歯部の各歯には複数設けられる狭幅部と、
前記第１の櫛歯部の歯及び前記第２の櫛歯部の歯に各々設けられ、且つ前記第１の櫛歯部及び前記第２の櫛歯部のうちの少なくとも他方の櫛歯部の各歯には複数設けられる前記狭幅部よりも幅広の拡幅部と、
前記第１の櫛歯部の各歯及び前記第２の櫛歯部の各歯の配列方向、当該配列方向に対する垂直方向の夫々において、前記狭幅部、前記拡幅部が交互に位置することと、
を備え、
前記信号入力用の導電路が接続される信号入力用のポートから前記信号出力用の導電路が接続される信号出力用のポートへ向けて見て、前記キャパシタと前記ＩＤＴ電極とが直列に接続される。

本発明の弾性表面波フィルタによれば、第１の櫛歯部と第２の櫛歯部とからなるキャパシタについての共振が抑制されることで、良好な特性を得ることができる。

本発明の一実施形態に係るＳＡＷフィルタの平面図である。 前記ＳＡＷフィルタを構成するキャパシタをなす導電パターンの平面図である。 前記ＳＡＷフィルタの特性を示すグラフ図である。 前記ＳＡＷフィルタの特性を示すグラフ図である。 前記ＳＡＷフィルタのスミスチャート図である。 前記導電パターンの他の例を示す平面図である。 前記ＳＡＷフィルタを含むダイプレクサの平面図である。 前記ダイプレクサの回路図である。 前記ダイプレクサのフィルタ特性を示すフィルタ図である。

本発明の弾性表面波フィルタの一実施形態に係るＳＡＷフィルタ１について、平面図である図１を参照しながら説明する。このＳＡＷフィルタ１は多重モードを利用する縦結合型のフィルタである。１０は圧電基板であり、例えば４２°回転ＹカットＸ方向伝搬のリチウム酸タンタル（ＬｉＴａＯ_３）などの圧電材料により構成されている。

圧電基板１０にて、ＳＡＷの伝搬方向に沿って上記の５つのＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極が形成されており、当該５つのＩＤＴ電極について圧電基板１０の一方側から他方側に向けて順に１１、１２、１３、１４、１５として示す。また、圧電基板１０には２つの反射器１６が、ＩＤＴ電極１１～１５を挟むように設けられている。圧電基板１０の表面において、ＩＤＴ電極１１～１５及び反射器１６の配列方向を左右方向とし、圧電基板１０の表面においてこの左右方向に対する垂直方向を前後方向と記載する場合が有る。左右方向についてはＩＤＴ電極１１側、ＩＤＴ電極１５側を夫々左側、右側とする。なお、ＳＡＷフィルタ１の構成の説明の便宜上、このように前後左右の方向を定義するが、ＳＡＷフィルタ１はどのような向きで使用してもよい。

ＩＤＴ電極１１～１５の各々を構成するバスバーについて、当該バスバーを含むＩＤＴ電極を表す符号の後にＡまたはＢを付して示す。Ａが前方側のバスバー、Ｂが後方側のバスバーである。つまり、ＩＤＴ電極１１を例に挙げて述べると、当該ＩＤＴ電極１１を構成する前方側のバスバーを１１Ａ、後方側のバスバーを１１Ｂとする。そのように各バスバーに符号を付すため、バスバー１１Ａ～１５Ａが左右に並んで設けられ、バスバー１１Ｂ～１５Ｂが左右に並んで設けられている。また、ＩＤＴ電極１１～１５を構成し、バスバー１１Ａ～１５Ａ、１１Ｂ～１５Ｂから後方、前方に夫々伸び出す電極指を１７として示している。

バスバー１２Ｂ、１４Ｂは図示しない導電パターンを介して信号出力ポート２１に接続されており、バスバー１１Ｂ、１３Ｂ、１５Ｂは接地されている。圧電基板１０において、バスバー１１Ａ～１５Ａから各々圧電基板１０の前方へ向けて引き出されるように金属膜である導電パターンが形成されている。一のバスバーであるバスバー１１Ａ、１３Ａ，１５Ａから引き出された導電パターンの端部は、他のバスバーであるバスバー１２Ａ、１４Ａから引き出された導電パターンよりも前方側の位置に向かう。そして、バスバー１１Ａ、１５Ａから引き出された導電パターンは夫々右側、左側へ向かい、バスバー１３Ａから引き出された導電パターンと合流する。このように合流した導電パターンを３１とすると、当該導電パターン３１は信号入力ポート２２に接続されており、信号入力用の導電路をなす。また、バスバー１２Ａ、１４Ａから引き出された導電パターンを３２とすると、当該導電パターン３２は接地される。

導電パターン３１は、各導電パターン３２の前端に向かうように後方へ伸び出す電極指３３を備えている。この電極指３３は左右に間隔を空けて多数設けられることで、ＩＤＴ電極を形成している。つまり、多数の電極指３３により櫛歯状のパターン（第１の櫛歯部）が形成され、電極指３３の各々が櫛歯の歯をなす。

また各導電パターン３２はその前端側に、導電パターン３１に向かうように前方へ伸び出す電極指３４を備えている。この電極指３４は左右に間隔を空けて多数設けられることで、ＩＤＴ電極を形成している。つまり、多数の電極指３３により櫛歯状のパターン（第２の櫛歯部）が形成され、電極指３４の各々が櫛歯の歯をなす。そして、電極指３４は隣り合う２つの電極指３３の間に進入するように設けられている。左右方向に見ると、電極指３３、電極指３４が間隔を空けて交互に繰り返し、一定の周期で配置されている。そのように配列される電極指３３、３４により、キャパシタ３０が形成される。キャパシタ３０は、発明が解決しようとする課題の項目で説明したように、ＳＡＷフィルタ１に対して並列接続されるインダクタのインダクタンス値を低減させる役割を果たす。

図２において、キャパシタ３０をなす電極指３３、３４を拡大して示している。電極指３３、３４は、伸長する方向が前後逆であることを除いて互いに同様の形状を有するので、代表して電極指３３について説明する。電極指３３については先端に向かう途中の部位及び先端部が、左右に各々山型をなすように膨らむことで、拡幅部３５として構成される。電極指３３における拡幅部３５以外の領域を狭幅部３６とする。従って、電極指３３の基端側から先端側に向かって狭幅部３６、拡幅部３５が交互に２つずつ設けられている。従って、狭幅部３６及び拡幅部３５は前後方向（つまりＳＡＷの伝搬方向に対する垂直方向）に見て、交互に位置している。

電極指３３、電極指３４の位置関係についてさらに説明する。左右方向（つまりＳＡＷの伝搬方向）において電極指３３の拡幅部３５と電極指３４の狭幅部３６とが隣り合うと共に、電極指３４の拡幅部３５と電極指３３の狭幅部３６とが隣り合う。つまり左右方向に見ると、拡幅部３５と狭幅部３６とが交互に繰り返し配置されている。

図２中、隣り合う電極指３３、３４の位置関係を明確にするために仮想の直線Ｌ１、Ｌ２を引いている。より詳しく述べると、当該直線Ｌ１、Ｌ２は、電極指３３における拡幅部３５の電極指３４側の端、電極指３４における拡幅部３５の電極指３３側の端を夫々通過するように前後方向に引いている。直線Ｌ１、Ｌ２によって示されるように電極指３３の拡幅部３５と電極指３４の拡幅部３５とは、前後方向に見て互いに重ならない。

ＳＡＷが伝搬するにあたり、拡幅部３５と狭幅部３６とではその幅の違いにより、ＳＡＷの伝搬速度が互いに異なる。既述のように左右方向、前後方向の夫々において拡幅部３５、狭幅部３６が交互に並んで設けられることで、ＳＡＷが、電極指３３、３４が互いに交差する領域を進行するにあたり、各拡幅部３５及び各狭幅部３６でその速度が変位する結果として、ＳＡＷに乱れが生じて電極指３３、３４の共振が防止されると考えられる。

このように共振を防ぐ目的のために、拡幅部３５の最も幅が大きい箇所の大きさをＷ１、狭幅部３６の最も幅が狭い箇所の大きさをＷ２とすると、例えばＷ１／Ｗ２＝１．５以上であり、より確実に共振を防止するためにＷ１／Ｗ２＝２以上であると好ましい。また、上記したように電極指３３の拡幅部３５と電極指３４の拡幅部３５とが前後方向に互いに重ならない。仮に重なっているとすると、各拡幅部３５がＩＤＴ電極として機能し、これらの拡幅部３５が共振してしまうと考えられるが、重ならないことでそのような拡幅部３５の共振が防止される。

以下、ＳＡＷフィルタ１の特性を検証するために行われたシミュレーションによる実験について説明する。実験はキャパシタ３０を設けないか、キャパシタ３０の静電容量値が０．３ｐＦ、０．６ｐＦあるいは１．２ｐＦとなるようにして行った。図３及び図４は、フィルタ特性を表すグラフである。この図３、図４のグラフについて、横軸は正規化した周波数を示しており、縦軸はＳ２１特性（単位：ｄＢ）を示している。図４は、図３のグラフにおける正規化した周波数が０．９５～１．０５における範囲を拡大して示したものである。図５はＳ１１のスミスチャートである。静電容量値の変更によって、当該スミスチャート中の曲線の形状に大きな変化は無く、静電容量値の増加によって当該曲線の位置が下方側に移動している。

図３、図４に示すように、キャパシタ３０を設けることによって高帯域側の減衰曲線の降下が急峻になり、静電容量値が大きいほどその降下がより急峻なものとなることが確認された。また、フィルタの通過帯域においては、静電容量値がいずれの値であってもキャパシタ３０を設けない場合と同じくリップルが発生していない。従って、キャパシタ３０の共振が防止されていると考えられる。

また、静電容量値が０．３ｐＦ、０．６ｐＦである場合には、キャパシタ３０を設けない場合の挿入損失に対して殆ど劣化が見られず、ＳＡＷフィルタ１に対するマッチングを調整することで、当該挿入損失は十分に補償可能である。以上に述べたことから分かるようにＳＡＷフィルタ１によれば、背景技術で説明したＳＡＷフィルタ１が搭載される実装基板のインダクタのインダクタンス値を抑制して当該インダクタの縮小化を図ることができ、且つ通過帯域におけるリップルの発生及び挿入損失の劣化が抑制される。

ところでＳＡＷフィルタ１において、電極指３３、３４の上記の拡幅部３５、狭幅部３６については２つずつ設けることに限られず、より多くの数の拡幅部３５及び狭幅部３６を設けて、前後方向に見て拡幅部３５、狭幅部３６が交互に繰り返し設けられていてもよい。また図６は、電極指３３については、前後方向に狭幅部３６、拡幅部３５、狭幅部３６が順に設けられ、電極指３４については、前後方向に拡幅部３５、狭幅部３６、拡幅部３５が順に設けられた例を示している。このように電極指３３、３４が、拡幅部３５及び狭幅部３６のうち一方を２つ、他方を１つのみ備えていても、ＳＡＷの進行を十分に乱すことができると考えられる。つまり、拡幅部３５及び狭幅部３６を各電極指において前後方向に交互に設けるにあたり、複数ずつ設けることには限られない。

なお、上記したように電極指３３、３４の各部の幅の違いにより、ＳＡＷに乱れが生じればよいと考えられるので、拡幅部３５の形状としては図示した形状に限られず、例えば角型の形状であってもよい。さらに、電極指３３、３４は既述の向きで形成されることに限られず、例えば左右方向に向く（即ち、伸長方向が左右方向である）ように形成されてもよい。

ところで図１では示していないが、例えば信号出力ポート２１とＩＤＴ１２、１４との間には、バスバー１２Ｂ、１４Ｂから引き出されて圧電基板１０上に形成された導電パターンが信号出力用の導電路として介在する。また、バスバー１１Ｂ、１３Ｂ、１５Ｂから引き出されるように圧電基板１０上に導電パターンが形成され、当該導電パターンについては接地される。既述した位置に電極指３３、３４を設ける代りに、そのように信号出力ポート２１に接続される導電パターン、接地される導電パターンに夫々電極指３３、３４を夫々形成してもよい。つまり、ＳＡＷフィルタ１の入力側の代わりに、ＳＡＷフィルタ１の出力側にキャパシタ３０を設けてもよい。ただし通常、ＳＡＷフィルタ１の出力側のマッチングは、ＳＡＷフィルタ１の後段に接続されるデバイスで行うことになっており、発明が解決しようとする課題の項目で説明した実装基板に設けられるマッチング用のインダクタを縮小化するような効果が得られない。即ち、実用性の観点から、キャパシタ３０についてはＳＡＷフィルタ１の入力側に設けることが好ましい。

続いてＳＡＷフィルタ１が適用されたＳＡＷデバイスであるダイプレクサ４について、図７の平面図及び図８の回路図を参照して説明する。ダイプレクサ４は第１のフィルタ部５Ａと第２のフィルタ部５Ｂと、を備えており、これらフィルタ部については入力側が共通であり、出力側が個別である。

第１のフィルタ部５Ａは、ＳＡＷ共振子５１Ａ～５４Ａ及びＳＡＷフィルタ１（便宜上、１Ａとする）を備え、第２のフィルタ部５Ｂは、ＳＡＷ共振子５１Ｂ～５５Ｂ及びＳＡＷフィルタ１（便宜上、１Ｂとする）を備えている。これらのＳＡＷ共振子及びＳＡＷフィルタを互いに接続する導電パターン６１が、圧電基板１０に形成されている。従って、第１のフィルタ部５Ａ及び第２のフィルタ部５Ｂは、共通の圧電基板１０に形成されている。当該圧電基板１０において、左右の中央部から右端部に亘って第１のフィルタ部５Ａが、左右の中央部から左端部に亘って第２のフィルタ部５Ｂが、夫々形成されている。図７では導電パターン６１に多数のドットを付して示しており、図１で述べた導電パターン３１、３２はこの導電パターン６１の一部をなす。

なお、ＳＡＷ共振子５１Ａ～５４Ａ、５１Ｂ～５５Ｂは、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を左右から挟んで配置された反射器とにより形成されるが、図７では詳細な構成の表示は省略し、１つのＩＤＴ、１つの反射器を各々四角枠として示している。また、ＳＡＷフィルタ１Ａ、１ＢについてもＳＡＷ共振子と同様に、図７では詳細な構成の表示は省略している。

上記の導電パターン６１は、圧電基板１０における左右方向の中央の前端部に形成された入力端子６２と、圧電基板１０における右側後端部、左側後端部に夫々形成された出力端子６３Ａ、６３Ｂとを含む。入力端子６２は、第１のフィルタ部５Ａ、５Ｂに共有され、信号入力ポート２２に接続されている。出力端子６３Ａ、６３Ｂは、第１のフィルタ部５Ａ、第２のフィルタ部５Ｂを夫々構成し、導電パターン６１によって入力端子６２から出力端子６３Ａ、６３Ｂに夫々至る導電路６６Ａ、６６Ｂが形成されている。従って、当該導電路６６Ａ、６６Ｂは第１のフィルタ部５Ａ、第２のフィルタ部５Ｂに夫々固有の導電路である。出力端子６３Ａ、６３Ｂは信号出力ポート２１Ａ、２１Ｂに夫々接続される。これらの信号出力ポート２１Ａ、２１Ｂは、図１で示した信号出力ポート２１に相当する。また、図７に示すように導電パターン６１の複数箇所については、接地端子として構成されている。

信号入力ポート２２と入力端子６２との間に、第１のフィルタ部５Ａ及び第２のフィルタ部５Ｂに対して並列に設けられるインダクタ７１を示している。当該インダクタ７１は、背景技術の項目等にて述べたマッチング用のインダクタである。

第１のフィルタ部５Ａの構成を説明すると、直列腕であるＳＡＷ共振子５１Ａ、５２Ａが出力側に向けて順に設けられ、これらＳＡＷ共振子５１Ａ、５２Ａ間にＳＡＷフィルタ１Ａが設けられる。そしてＳＡＷ共振子５１ＡとＳＡＷフィルタ１Ａとの間、ＳＡＷ共振子５２Ａの後段側に、並列腕であるＳＡＷ共振子５３Ａ、５４Ａが夫々設けられる。

第２のフィルタ部５Ｂの構成を説明すると、直列腕であるＳＡＷ共振子５１Ｂ、５２Ｂが出力側に向けて順に設けられ、これらＳＡＷ共振子５１Ｂ、５２Ｂ間にＳＡＷフィルタ１Ｂが設けられる。そして、ＳＡＷ共振子５１ＢとＳＡＷフィルタ１Ｂとの間、ＳＡＷフィルタ１ＢとＳＡＷ共振子５２Ｂとの間、ＳＡＷ共振子５２Ｂの後段側に、並列腕であるＳＡＷ共振子５３Ｂ、５４Ｂ、５５Ｂが夫々設けられる。

ＳＡＷ共振子５１Ｂの前段とＳＡＷ共振子５３Ｂの後段との間に、導電パターン６１によってキャパシタ６５が形成されている。キャパシタ６５は、キャパシタ３０と同様に圧電基板１０に形成される櫛歯状のパターンを備えるが、図７に示すように櫛歯は横向き（左右向き）であると共に各歯の幅は均一である。つまり、キャパシタ６５には拡幅部３５及び狭幅部３６が設けられていない。

インダクタ７１のインダクタンス値を調整することでマッチングを調整することができるが、第１のフィルタ部５Ａ、第２のフィルタ部５Ｂのマッチングが共に変更されることになる。ダイプレクサ４では導電路６６Ａ、６６Ｂに夫々個別にキャパシタ３０が設けられている。各キャパシタ３０の静電容量値を適切に設定することで、第１のフィルタ部５Ａ、第２のフィルタ部５Ｂのマッチングを個別に調整し、適切なものとなるようにしている。

ところでキャパシタ６５については、縦波の伝搬により共振が発生することになる。キャパシタ６５の歯の向きとしては圧電基板１０におけるＩＤＴ電極としての本来の向き（前後向き）でないのでＱ値が低いため、共振によって若干のリップルが発生する。このようにキャパシタの歯を横向きに形成した場合に生じるリップルとしては有用に利用できる場合も有るが、発明が解決しようとする課題の項目でも述べたように邪魔となってしまう場合も多い。上記のキャパシタ３０については、パターンを描画するスペースの都合で櫛歯が前後方向を向いているが、既述したように共振が防止され、リップルの発生が防止される。即ち、拡幅部３５及び狭幅部３６を備えるキャパシタ３０の構成によれば、共振が防止されることで当該キャパシタを設ける向きの自由度が高くなり、限られたスペースにキャパシタを設けることができるという効果が有る。

なお、設置スペースを確保できればキャパシタ３０は既述の位置に設けられることに限られず、例えば共振子５１Ａ、５１Ｂよりも信号入力ポート２２寄りに各々設けられるようにしてもよい。ところで、第１のフィルタ部５Ａ、第２のフィルタ部５Ｂの両方にキャパシタ３０を設けるように説明してきたが、いずれか一方のみにキャパシタ３０を設けてもよい。

図９は、第１のフィルタ部５Ａについての特性の実測試験によって得られた結果について、図３と同様に示したグラフである。この実測試験においては、上記のキャパシタ３０を設けた場合、設けていない場合の夫々について行っている。キャパシタ３０を設けた場合の方が、キャパシタ３０を設けない場合に比べて、減衰曲線の勾配が若干急であった。なお、挿入損失についてはインダクタ７１によるマッチングによって、互いに同等となっている。つまり、キャパシタ３０を設けるにあたり、挿入損失の劣化を抑制しつつ減衰特性を改善することができることが確認された。

今回開示された実施形態については、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。例えばフィルタを構成するＩＤＴ電極の数や形状、各導電パターンの形状、ダイプレクサをなすＳＡＷ共振子の数や接続などは適宜変更可能である。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更または組み合わせが行われてもよい。

１ ＳＡＷフィルタ
１０ 圧電基板
１１～１５ ＩＤＴ
３０ キャパシタ
３１、３２、導電パターン
３３、３４ 電極指
３５ 拡幅部
３６ 狭幅部

Claims (6)

1. 圧電基板と、
   信号入力用の導電路、信号出力用の導電路に各々接続されて前記圧電基板に設けられるＩＤＴ電極と、
   前記信号入力用の導電路または前記信号出力用の導電路を構成するように前記圧電基板に設けられた導電パターンである第１の櫛歯部と、
   前記第１の櫛歯部と共にキャパシタを形成するように前記圧電基板に設けられると共に接地される導電パターンであり、当該第１の櫛歯部の各歯間にてその歯が形成された第２の櫛歯部と、
   前記第１の櫛歯部の歯及び前記第２の櫛歯部の歯に各々設けられ、且つ前記第１の櫛歯部及び前記第２の櫛歯部のうちの少なくとも一方の櫛歯部の各歯には複数設けられる狭幅部と、
   前記第１の櫛歯部の歯及び前記第２の櫛歯部の歯に各々設けられ、且つ前記第１の櫛歯部及び前記第２の櫛歯部のうちの少なくとも他方の櫛歯部の各歯には複数設けられる前記狭幅部よりも幅広の拡幅部と、
   前記第１の櫛歯部の各歯及び前記第２の櫛歯部の各歯の配列方向、当該配列方向に対する垂直方向の夫々において、前記狭幅部、前記拡幅部が交互に位置することと、
   を備え、
   前記信号入力用の導電路が接続される信号入力用のポートから前記信号出力用の導電路が接続される信号出力用のポートへ向けて見て、前記キャパシタと前記ＩＤＴ電極とが直列に接続される弾性表面波フィルタ。
2. 前記第１の櫛歯部の拡幅部と前記第２の櫛歯部の拡幅部とは、前記垂直方向に見て重ならならず、
   隣り合う前記第１の櫛歯部及び前記第２の櫛歯部について、前記各歯の配列方向における前記第１の櫛歯部の拡幅部の前記第２櫛歯部側の端と、前記第２の櫛歯部の拡幅部の前記第１櫛歯部側の端と、の位置が異なる請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
3. 前記ＩＤＴ電極は複数設けられ、当該ＩＤＴ電極の配列方向は、前記キャパシタの各歯の配列方向である請求項１または２記載の弾性表面波フィルタ。
4. 前記第１の櫛歯部は、信号入力用の導電路を構成する請求項１ないし３のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
5. 前記狭幅部、前記拡幅部は、前記第１の櫛歯部の各歯及び前記第２の櫛歯部の各歯に複数ずつ設けられる請求項１ないし４のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタ。
6. 互いに接続された第１の弾性表面波フィルタ及び第１の共振子を備える第１のフィルタ部と、
   互いに接続された第２の弾性表面波フィルタ及び第２の共振子を備える第２のフィルタ部と、を備え、
   前記第１のフィルタ部及び前記第２のフィルタ部は共通の前記圧電基板に設けられ、
   当該圧電基板には前記第１のフィルタ部及び前記第２のフィルタ部に共通の入力端子が設けられ、
   前記第１の弾性表面波フィルタ及び第２の弾性表面波フィルタの少なくとも一方が、請求項１ないし５のいずれか一つに記載の弾性表面波フィルタであり、
   前記キャパシタは前記圧電基板に形成された前記第１のフィルタ部に固有の導電路または前記第２のフィルタ部に固有の導電路に設けられる弾性表面波デバイス。

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