JP7427657B2 - フラックス、ソルダペーストおよび電子回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、フラックス、ソルダペーストおよび電子回路基板に関する。

一般的に、電気・電子機器などにおける金属接合では、ソルダペーストを用いるはんだ接合が採用されており、このようなソルダペーストには、従来、鉛を含有するはんだ合金と、フラックスとが含まれている。

はんだ合金としては、近年、環境負荷の観点から、鉛の使用を抑制することが要求されており、そのため、鉛を含有しないはんだ合金（鉛フリーはんだ合金）の開発が進められている。このような鉛フリーはんだ合金としては、例えば、スズ－銅系合金、スズ－銀－銅系合金、スズ－銀－インジウム－ビスマス系合金、スズ－ビスマス系合金、スズ－亜鉛系合金などがよく知られている。とりわけ、強度などにおいて優れるスズ－銀－銅系合金が、広く用いられている。

一方、スズ－銀－銅系合金に用いられるフラックスには、はんだ付部におけるボイド（空隙）の発生を抑制することが要求される。そこで、例えば、（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チキソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含むフラックス組成物において、活性剤（Ｂ）としてジカルボン酸を添加し、また、活性剤（Ｂ）の配合量を、フラックス組成物全量に対して４．５質量％以上３５質量％以下とすることが、提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０１８－１２２３２４号公報

一方、フラックス組成物としては、はんだ付部のボイド（空隙）の抑制の他、さらに、ウィスカ（結晶成長）の抑制が要求される。

また、フラックス組成物には、濡れ性の向上も要求される。

とりわけ、フラックス組成物を含むソルダーペーストは、はんだ付けされる部材に対して連続使用される場合があるため、フラックス組成物は、連続使用時の濡れ性が要求され、さらに、連続使用時に増粘しないなど、安定性も要求される。

本発明は、優れた濡れ性を得られ、また、はんだ付部のボイド（空隙）とウィスカ（結晶成長）とを抑制でき、さらに、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れるフラックス、そのフラックスが用いられるソルダペースト、および、そのソルダペーストが用いられる電子回路基板である。

本発明［１］は、スズ－銀－銅系合金のはんだ付に用いられるフラックスであり、イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物と、炭素数３～３６のジカルボン酸と、４級アンモニウムのヨウ素塩とを含有し、前記フラックスの総量に対して、ジカルボン酸の含有割合が６質量％以上２５質量％以下であり、ヨウ素の含有割合が２００ｐｐｍ以上３６００ｐｐｍ以下である、フラックスを含んでいる。

本発明［２］は、前記イミダゾール化合物が、２つ以上の芳香環を有するイミダゾール化合物を含有する、上記［１］に記載のフラックスを含んでいる。

本発明［３］は、前記イミダゾリン化合物が、１つ以上の芳香環を有するイミダゾリン化合物を含有する、上記［１］に記載のフラックスを含んでいる。

本発明［４］は、前記フラックスの総量に対して、ヨウ素の含有割合が２００ｐｐｍ以上２６００ｐｐｍ以下である、上記［１］～［３］のいずれか一項に記載のフラックスを含んでいる。

本発明［５］は、前記フラックスの総量に対して、ヨウ素の含有割合が６００ｐｐｍ以上１２３０ｐｐｍ以下である、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載のフラックスを含んでいる。

本発明［６］は、前記ジカルボン酸が、炭素数３以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含有し、ジカルボン酸の総量に対して、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸の割合が、５０質量％を超過する、上記［１］～［５］のいずれか一項に記載のフラックスを含んでいる。

本発明［７］は、前記ジカルボン酸が、炭素数１０以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含有し、ジカルボン酸の総量に対して、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸の割合が、５０質量％を超過する、上記［１］～［６］のいずれか一項に記載のフラックスを含んでいる。

本発明［８］は、上記［１］～［７］のいずれか一項に記載のフラックスと、スズ－銀－銅系はんだ合金からなるはんだ粉末とを含有するソルダペーストであって、前記スズ－銀－銅系はんだ合金は、ビスマスおよびアンチモンを含有し、前記スズ－銀－銅系はんだ合金の総量に対して、前記ビスマスの含有量が、２．５質量％以上であり、前記アンチモンの含有量が、２．５質量％以上である、ソルダペーストを含んでいる。

本発明［９］は、前記スズ－銀－銅系はんだ合金が、スズ、銀、銅、ビスマス、アンチモン、ニッケルおよびコバルトからなり、不可避不純物の含有を許容するはんだ合金であって、前記スズ－銀－銅系はんだ合金の総量に対して、前記銀の含有量が、２．８質量％以上４質量％以下であり、前記銅の含有量が、０．４質量％以上０．８質量％以下であり、前記アンチモンの含有量が、２．５質量％以上７質量％以下であり、前記ビスマスの含有量が、２．５質量％以上５．５質量％以下であり、前記ニッケルの含有量が、０．０１質量％以上０．２質量％以下であり、前記コバルトの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％以下である、上記［８］に記載のソルダペーストを含んでいる。

本発明［１０］は、上記［８］または［９］に記載のソルダペーストのはんだ付によるはんだ付部を備える、電子回路基板を含んでいる。

本発明のフラックスは、イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物と、炭素数３～３６のジカルボン酸と、４級アンモニウムのヨウ素塩とを含有しており、また、ジカルボン酸の含有割合と、ヨウ素塩の含有割合とが、それぞれ所定範囲に調整されている。

そのため、上記のフラックス、および、そのフラックスを含有するソルダペーストによれば、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができ、加えて、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れる。

また、本発明の電子回路基板は、はんだ付において、上記のソルダペーストが用いられるので、濡れ性よくはんだ付され、また、ボイド（空隙）およびウィスカ（結晶成長）が抑制される。さらに、上記のソルダペーストは、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れるため、本発明の電子回路基板は、生産性に優れる。

本発明のフラックスは、スズ－銀－銅系合金のはんだ付に用いられるフラックスである。

フラックスは、通常、主成分として、ベース樹脂およびチキソ剤を含有している。

ベース樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン－マレイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、ロジン系樹脂などが挙げられる。ロジン系樹脂としては、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、これらの誘導体などが挙げられる。これらの誘導体としては、重合ロジン、アクリル化ロジン、水素添加ロジン、不均化ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂などが挙げられる。

これらベース樹脂は、単独使用または２種類以上併用することができる。

ベース樹脂として、好ましくは、アクリル樹脂、ロジン系樹脂が挙げられ、より好ましくは、アクリル樹脂およびロジン系樹脂の併用が挙げられる。また、ロジン系樹脂として、好ましくは、アクリル化ロジンが挙げられる。

ベース樹脂として、とりわけ好ましくは、アクリル樹脂およびアクリル化ロジンの併用が挙げられる。

ベース樹脂の含有割合は、フラックスの総量に対して、例えば、０質量％を超過し、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、２５質量％以上、さらに好ましくは、３５質量％以上であり、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下、より好ましくは、６０質量％以下である。

また、ベース樹脂として、アクリル樹脂およびロジン系樹脂が併用される場合には、アクリル樹脂の含有割合は、フラックスの総量に対して、例えば、０質量％を超過し、好ましくは、２０質量％以上であり、例えば、６０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

また、ロジン系樹脂の含有割合は、フラックスの総量に対して、例えば、０質量％を超過し、好ましくは、５質量％以上であり、例えば、５０質量％以下、好ましくは、３０質量％以下、より好ましくは、１５質量％以下である。

また、アクリル樹脂およびロジン系樹脂が併用される場合の質量割合は、それらの総量に対して、アクリル樹脂が、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、例えば、９５質量％以下、好ましくは、８５質量％以下である。また、ロジン系樹脂が、例えば、５質量％以上、好ましくは、１５質量％以上であり、例えば、５０質量％以下、好ましくは、４０質量％以下である。

チキソ剤としては、例えば、硬化ひまし油、蜜ロウ、カルナバワックス、ビスアミドワックス（ステアリン酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミドなど）などが挙げられる。

これらチキソ剤は、単独使用または２種類以上併用することができる。

チキソ剤として、好ましくは、ビスアミドワックスが挙げられる。

チキソ剤の含有割合は、フラックスの総量に対して、例えば、０質量％を超過し、好ましくは、１質量％以上、より好ましくは、２質量％以上であり、例えば、１３質量％以下、好ましくは、８質量％以下、より好ましくは、５質量％以下である。

また、チキソ剤の含有割合は、ベース樹脂１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、３質量部以上であり、例えば、１５質量部以下、好ましくは、１０質量部以下である。

このようなフラックスは、必須の添加剤として、イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物と、炭素数３～３６のジカルボン酸と、４級アンモニウムのヨウ素塩とを、含有している。

イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物は、ボイド抑制剤として、フラックスに添加される。

イミダゾール化合物は、分子中にイミダゾール環を１つ以上有する有機化合物である。

イミダゾール環の数は、特に制限されないが、１つ以上であり、例えば、３つ以下、好ましくは、２つ以下であり、とりわけ好ましくは、１つである。すなわち、イミダゾール化合物として、好ましくは、分子中にイミダゾール環を１つ有する有機化合物が挙げられる。

イミダゾール化合物としては、例えば、芳香環を有しないイミダゾール化合物、芳香環を有するイミダゾール化合物が挙げられる。

なお、芳香環は、芳香族性を有する環、すなわち、（４ｎ＋２）π電子（ｎは自然数）を有する環を意味し、ヘテロ原子を含有しない芳香族炭化水素、および、ヘテロ原子を含有する複素芳香環の両方を含む。

このような芳香環として、具体的には、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、インデン環、アズレン環、フルオレン環、アントラセン環、フェナントレン環などの、炭素数６～１４の単環または多環芳香族炭化水素、例えば、ピリジン環、ピロール環、フラン環などの複素芳香環などが挙げられる。これら芳香環は、単独使用または２種類以上併用することができる。

芳香環を有しないイミダゾール化合物は、イミダゾール環以外の芳香環を含有しておらず、例えば、イミダゾール（１，３－ジアザ－２，４－シクロペンタジエン）、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾールなどが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

芳香環を有するイミダゾール化合物は、イミダゾール環とは別途、１つ以上の芳香環を含有するイミダゾール誘導体（つまり、１つ以上の芳香環を有するイミダゾール化合物）である。

芳香環を有するイミダゾール化合物としては、例えば、１つ（単数）の芳香環を有するイミダゾール化合物、２つ以上（複数）の芳香環を有するイミダゾール化合物が挙げられる。

１つの芳香環を有するイミダゾール化合物としては、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾールなどが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

２つ以上の芳香環を有するイミダゾール化合物としては、例えば、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、２，４－ジフェニルイミダゾール、４，５－ジフェニルイミダゾールなどの２つの芳香環を有するイミダゾール、例えば、２，４，５－トリフェニルイミダゾール、１－トリフェニルメチルイミダゾールなどの３つの芳香環を有するイミダゾールなどが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

これらイミダゾール化合物は、単独使用または２種類以上併用することができる。

イミダゾール化合物として、濡れ性の向上、および、ボイドの抑制の観点から、好ましくは、芳香環を有するイミダゾールが挙げられ、より好ましくは、２つ以上（複数）の芳香環を有するイミダゾールが挙げられ、さらに好ましくは、２つの芳香環を有するイミダゾールが挙げられ、とりわけ好ましくは、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが挙げられる。

イミダゾリン化合物は、分子中にイミダゾリン環を１つ以上有する有機化合物である。

イミダゾリン環の数は、特に制限されないが、１つ以上であり、例えば、３つ以下、好ましくは、２つ以下であり、とりわけ好ましくは、１つである。すなわち、イミダゾリン化合物として、好ましくは、分子中にイミダゾリン環を１つ有する有機化合物が挙げられる。

イミダゾリン化合物としては、例えば、芳香環を有しないイミダゾリン化合物、芳香環を有するイミダゾリン化合物が挙げられる。

芳香環を有しないイミダゾリン化合物は、例えば、イミダゾリン（４，５－ジヒドロ－１Ｈ－イミダゾール）、２－メチルイミダゾリン、２－ウンデシルイミダゾリン、２－ヘプタデシルイミダゾリン、１，２－ジメチルイミダゾリン、２－エチル－４－メチルイミダゾリン、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾリン、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリン、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾリンなどが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

芳香環を有するイミダゾリン化合物は、イミダゾリン環とは別途、１つ以上の芳香環を含有するイミダゾリン誘導体（つまり、１つ以上の芳香環を有するイミダゾリン化合物）である。

芳香環を有するイミダゾリン化合物としては、例えば、１つ（単数）の芳香環を有するイミダゾリン化合物、２つ以上（複数）の芳香環を有するイミダゾリン化合物が挙げられる。

１つの芳香環を有するイミダゾリン化合物としては、例えば、２－フェニルイミダゾリン、２－フェニル－４－メチルイミダゾリン、１－ベンジル－２－メチルイミダゾリン、、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリンなどが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

２つ以上の芳香環を有するイミダゾリン化合物としては、例えば、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾリン、２，４－ジフェニルイミダゾリン、４，５－ジフェニルイミダゾリンなどの２つの芳香環を有するイミダゾリン、例えば、２，４，５－トリフェニルイミダゾリン、１－トリフェニルメチルイミダゾリンなどの３つの芳香環を有するイミダゾリンなどが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

これらイミダゾリン化合物は、単独使用または２種類以上併用することができる。

イミダゾリン化合物として、濡れ性の向上、および、ボイドの抑制の観点から、好ましくは、１つ以上の芳香環を有するイミダゾリンが挙げられ、より好ましくは、１つ（単数）の芳香環を有するイミダゾリンが挙げられ、さらに好ましくは、２－フェニルイミダゾリンが挙げられる。

また、イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物として、濡れ性の向上、および、ボイドの抑制の観点から、好ましくは、それらの併用が挙げられ、より好ましくは、２つ以上の芳香環を有するイミダゾール化合物と、１つ以上の芳香環を有するイミダゾリン化合物との併用が挙げられ、さらに好ましくは、２つの芳香環を有するイミダゾール化合物と、１つの芳香環を有するイミダゾリン化合物との併用が挙げられ、とりわけ好ましくは、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールと２－フェニルイミダゾリンとの併用が挙げられる。

イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物の含有割合（併用される場合には、それらの総量）は、フラックスの総量に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．３質量％以上であり、例えば、１０質量％以下、好ましくは、７質量％以下、より好ましくは、５質量％以下である。

また、イミダゾール化合物およびイミダゾリン化合物が併用される場合の質量割合は、それらの総量に対して、イミダゾール化合物が、例えば、２０質量％以上、好ましくは、３０質量％以上であり、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。また、イミダゾリン化合物が、例えば、２０質量％以上、好ましくは、３０質量％以上であり、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。

また、イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物の含有割合は、ベース樹脂１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、３質量部以上であり、例えば、１５質量部以下、好ましくは、１０質量部以下である。

炭素数（Ｃ）３～３６のジカルボン酸は、活性剤として、フラックスに添加される。

炭素数（Ｃ）３～３６のジカルボン酸としては、例えば、マロン酸（Ｃ３）、コハク酸（Ｃ４）、グルタル酸（Ｃ５）、アジピン酸（Ｃ６）、ピメリン酸（Ｃ７）、スベリン酸（Ｃ８）、アゼライン酸（Ｃ９）、セバシン酸（Ｃ１０）、ウンデカン二酸（Ｃ１１）、ドデカン二酸（Ｃ１２）、テトラデカン二酸（Ｃ１４）、ヘキサデカン二酸（Ｃ１６）、オクタデカン二酸（Ｃ１８）、エイコサン二酸（Ｃ２０）、テトラコサン二酸（Ｃ２４）、水添ダイマー酸（Ｃ３６）などのＣ３～３６の飽和脂肪族ジカルボン酸、例えば、マレイン酸、（Ｃ４）、フマル酸（Ｃ４）、イタコン酸（Ｃ５）、ダイマー酸（Ｃ３６）などのＣ３～３６の不飽和脂肪族ジカルボン酸、例えば、フタル酸（Ｃ８）、イソフタル酸（Ｃ８）、テレフタル酸（Ｃ８）、トルエンジカルボン酸（Ｃ９）などのＣ３～３６の芳香族ジカルボン酸、例えば、リンゴ酸（Ｃ４）などのヒドロキシ基含有ジカルボン酸などが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

ジカルボン酸は、好ましくは、好ましくは、炭素数２６以上３６以下のジカルボン酸を含み、より好ましくは、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸を含み、さらに好ましくは、炭素数３２以上３６以下のジカルボン酸を含み、とりわけ好ましくは、ダイマー酸を含む。

また、ジカルボン酸は、上記のいずれか１種が単独で使用されてもよいが、好ましくは、２種以上が併用される。より具体的には、ジカルボン酸は、好ましくは、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸と、その他のジカルボン酸とを含む。

より具体的には、ジカルボン酸は、好ましくは、炭素数３以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含み、より好ましくは、炭素数８以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含み、さらに好ましくは、炭素数１０以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含む。

ジカルボン酸は、さらに好ましくは、炭素数３以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とからなり、さらに好ましくは、炭素数８以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とからなり、とりわけ好ましくは、炭素数１０以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とからなる。

このような場合において、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸の割合は、ジカルボン酸の総量に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上、より好ましくは、５０質量％を超過、さらに好ましくは、５５質量％以上であり、例えば、１００質量％以下、好ましくは、９０質量％以下、より好ましくは、８０質量％以下、さらに好ましくは、７０質量％以下である。

炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸の割合が上記範囲であれば、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができる。

また、その他のジカルボン酸（例えば、炭素数３以上２５以下のジカルボン酸、好ましくは、炭素数８以上２５以下のジカルボン酸、より好ましくは、炭素数１０以上２５以下のジカルボン酸）の割合は、ジカルボン酸の総量に対して、例えば、０質量％以上、好ましくは、１０質量％以上、より好ましくは、２０質量％以上、さらに好ましくは、３０質量％以上であり、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、５０質量％未満、さらに好ましくは、４５質量％以下である。

その他のジカルボン酸の割合が上記範囲であれば、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができる。

そして、ジカルボン酸の含有割合（併用される場合には、それらの総量）は、フラックスの総量に対して、６質量％以上、好ましくは、８質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上、とりわけ好ましくは、１２質量％以上であり、２５質量％以下、好ましくは、２３質量％以下、より好ましくは、２１質量％以下、さらに好ましくは、１９質量％以下である。

ジカルボン酸の割合が上記範囲であれば、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができる。

また、ジカルボン酸の含有割合は、ベース樹脂１００質量部に対して、例えば、２０質量部以上、好ましくは、３０質量部以上であり、例えば、７０質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。

４級アンモニウムのヨウ素塩は、濡れ性向上剤として、フラックスに添加される。

４級アンモニウムとしては、例えば、テトラアルキルアンモニウムなどが挙げられ、また、ヨウ素塩としては、例えば、モノヨージド、例えば、ヨウ素を１つ以上含むトリハライドなどが挙げられる。

４級アンモニウムのヨウ素塩として、より具体的には、例えば、テトラメチルアンモニウムヨージド、テトラエチルアンモニウムヨージド、テトラプロピルアンモニウムヨ－ジド、テトラブチルアンモニウムヨ－ジド、テトラペンチルアンモニウムヨ－ジド、テトラヘキシルアンモニウムヨ－ジド、テトラヘプチルアンモニウムヨ－ジド、エチルトリプロピルアンモニウムヨ－ジド、トリメチルベンジルアンモニウムヨ－ジド、トリエチルベンジルアンモニウムヨ－ジド、レピジンイソアミルヨ－ジドなどのテトラアルキルアンモニウムモノヨージドが挙げられる。また、例えば、テトラブチルアンモニウムトリヨ－ジド、テトラブチルアンモニウムブロモジヨ－ジド、テトラブチルアンモニウムジブロモヨ－ジドなどのテトラアルキルアンモニウムのトリハライド（ヨウ素を１つ以上含むトリハライド）などが挙げられる。これらは、単独使用または２種類以上併用することができる。

４級アンモニウムのヨウ素塩として、好ましくは、テトラアルキルアンモニウムモノヨージドが挙げられ、より好ましくは、テトラブチルアンモニウムヨ－ジドが挙げられる。

フラックス中の４級アンモニウムのヨウ素塩の含有割合は、フラックスの総量に対するヨウ素（ヨウ素原子）の割合が所定の範囲になるように、適宜調整される。

より具体的には、フラックスの総量に対するヨウ素の含有割合は、２００ｐｐｍ以上、好ましくは、６００ｐｐｍ以上、より好ましくは、８００ｐｐｍ以上であり、３６００ｐｐｍ以下、好ましくは、２６００ｐｐｍ以下、より好ましくは、１２３０ｐｐｍ以下である。

ヨウ素の割合が上記範囲であれば、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のウィスカ（結晶成長）を抑制することができ、さらに、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れる。

また、フラックスは、任意成分として、必要に応じて、有機溶剤を含有することができる。

有機溶剤としては、例えば、アルコール系溶剤（エチルアルコール、イソプロピルアルコール、エチルセロソルブ、ブチルカルビトール、ヘキシルカルビトールなど）、エステル系溶剤（酢酸エチル、酢酸ブチルなど）、炭化水素系溶剤（トルエン、テレピン油など）などが挙げられる。

これら有機溶剤は、単独使用または２種類以上併用することができる。

有機溶剤として、好ましくは、イソプロピルアルコール、ブチルカルビトール、ヘキシルカルビトールが挙げられ、より好ましくは、ブチルカルビトール、ヘキシルカルビトールが挙げられ、さらに好ましくは、ヘキシルカルビトールが挙げられる。

有機溶剤の含有割合は、フラックスの総量に対して、例えば、０質量％を超過し、好ましくは、１０質量％以上であり、例えば、５０質量％以下、好ましくは、４０質量％以下、より好ましくは、３５質量％以下である。

また、有機溶剤の含有割合は、ベース樹脂１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、４０質量部以上、より好ましくは、５０質量部以上、さらに好ましくは、６０質量部以上であり、例えば、９０質量部以下、好ましくは、８０質量部以下、より好ましくは、７０質量部以下である。

また、フラックスは、任意成分として、必要に応じて、公知の添加剤を含有することができる。

添加剤としては、例えば、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、上記ジカルボン酸以外の活性剤などが挙げられる。これら添加剤は、単独使用または２種類以上併用することができる。添加剤の含有割合は、特に制限されず、本発明の効果を阻害しない範囲で、目的および用途に応じて、適宜設定される。

そして、上記した各成分を上記割合で混合することにより、フラックスが得られる。

このようなフラックスは、イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物と、炭素数３～３６のジカルボン酸と、４級アンモニウムのヨウ素塩とを含有しており、また、ジカルボン酸の含有割合と、ヨウ素塩の含有割合とが、それぞれ所定範囲に調整されている。

そのため、上記のフラックスによれば、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができ、加えて、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れる。

とりわけ、後述するはんだ合金のように、ＳｂおよびＢｉを後述する割合で含有する合金を使用すると、合金の酸化力が比較的高く、酸化膜を形成しやすいため、はんだ付において、濡れ性が顕著に低下する場合があり、また、はんだ付部にボイド（空隙）やウィスカ（結晶成長）が顕著に発生する場合がある。

これに対して、上記のフラックスによれば、ＳｂおよびＢｉを含有する高酸化性のはんだ合金を使用する場合にも、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができる。

そのため、上記のフラックスは、スズ－銀－銅系合金のはんだ付に用いられるソルダペーストにおいて、好適に使用される。

ソルダペーストは、スズ－銀－銅系はんだ合金からなるはんだ粉末と、上記フラックスとを含有する。

スズ－銀－銅系はんだ合金は、必須成分として、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）を含有するはんだ合金である。また、スズ－銀－銅系はんだ合金は、例えば、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、インジウム（Ｉｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケルＮｉ）などの各種添加元素を、適宜の割合で含むことができる。

なお、スズ－銀－銅系はんだ合金において、各元素の含有割合は、所望の物性などに応じて、適宜設定される。

例えば、接合強度の観点から、スズ－銀－銅系はんだ合金は、好ましくは、アンチモン（Ｓｂ）およびビスマス（Ｂｉ）を含有する。

すなわち、スズ－銀－銅系はんだ合金は、好ましくは、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アンチモン（Ｓｂ）およびビスマス（Ｂｉ）を含有する。

スズ－銀－銅系はんだ合金（以下、単にはんだ合金と称する場合がある。）において、スズの含有割合は、後述する各成分の残余の割合であって、各成分の配合量に応じて、適宜設定される。

銀の含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、２．８質量％以上、好ましくは、３質量％以上、より好ましくは、３．２質量％以上、さらに好ましくは、３．４質量％以上であり、例えば、４質量％以下、好ましくは、３．８質量％以下、より好ましくは、３．６質量％以下である。

銀の含有割合が上記範囲であれば、優れた耐衝撃性を得ることができ、また、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、優れた耐衝撃性を維持することができる。

銅の含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、０．４質量％以上、好ましくは、０．５質量％以上、より好ましくは、０．６質量％以上であり、例えば、０．８質量％以下、好ましくは、０．７８質量％以下、より好ましくは、０．７５質量％以下である。

銅の含有割合が上記範囲であれば、優れた耐衝撃性を得ることができ、また、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、優れた耐衝撃性を維持することができる。

アンチモンの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、２．５質量％以上、好ましくは、３．５質量％以上、より好ましくは、４．５質量％以上であり、例えば、７質量％以下、好ましくは、６．５質量％以下、より好ましくは、６質量％以下である。

アンチモンの含有割合が上記範囲であれば、優れた耐衝撃性を得ることができ、また、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、優れた耐衝撃性を維持することができる。

ビスマスの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、２．５質量％以上、好ましくは、３．５質量％以上、より好ましくは、４．５質量％以上であり、例えば、５．５質量％以下、好ましくは、５．３質量％以下、より好ましくは、５．１質量％以下である。

ビスマスの含有割合が上記範囲であれば、優れた耐衝撃性を得ることができ、また、比較的厳しい温度サイクル条件下に曝露した場合においても、優れた耐衝撃性を維持することができる。

また、はんだ合金では、アンチモンの含有割合とビスマスの含有割合との合計が、５．０質量％以上、好ましくは、７．０質量％以上、より好ましくは、９．０質量％以上であり、例えば、１２．５質量％以下、好ましくは、１２．０質量％以下、より好ましくは、１１．０質量％以下である。

アンチモンの含有割合とビスマスの含有割合との合計が上記範囲であれば、優れた耐熱疲労特性を得ることができ、とりわけ厳しい温度サイクル条件下においても、接合強度を維持することができる。

また、上記スズ－銀－銅系はんだ合金は、さらに、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）などを含有することができる。

好ましくは、スズ－銀－銅系はんだ合金は、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を、必須成分として含有する。

より好ましくは、スズ－銀－銅系はんだ合金は、本質的に、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）からなる。

なお、本質的とは、スズ－銀－銅系はんだ合金が、上記の各元素（スズ、銀、銅、アンチモン、ビスマス、ニッケルおよびコバルト）を必須成分とし、また、後述する不可避不純物を含有することを許容する意味である。

すなわち、スズ－銀－銅系はんだ合金は、上記の各元素（スズ、銀、銅、アンチモン、ビスマス、ニッケルおよびコバルト）からなるか、または、上記の各元素（スズ、銀、銅、アンチモン、ビスマス、ニッケルおよびコバルト）と不可避不純物とからなる。

ニッケルの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、０．０１質量％以上、好ましくは、０．０２質量％以上、より好ましくは、０．０３質量％以上であり、例えば、０．２質量％以下、好ましくは、０．１質量％以下、より好ましくは、０．０８質量％以下である。

ニッケルの含有割合が上記範囲であれば、はんだの組織を微細化させることができ、耐クラック性および耐久性の向上を図ることができる。さらに、耐食性および部品破壊を抑制することができる。

コバルトの含有割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、０．００１質量％以上、好ましくは、０．００３質量％以上、より好ましくは、０．００４質量％以上であり、例えば、０．１質量％以下、好ましくは、０．０５質量％以下、より好ましくは、０．０１質量％以下である。

はんだ合金がコバルトを含有すると、はんだ合金から得られるソルダペーストにおいて、はんだ付界面に形成される金属間化合物層（例えば、Ｓｎ－Ｃｕ、Ｓｎ－Ｃｏ、Ｓｎ－Ｃｕ－Ｃｏなど）が、厚くなり、熱の負荷や、熱変化による負荷によっても成長し難くなる。また、コバルトが、はんだ中に分散析出することにより、はんだを強化することができる。また、はんだ合金が上記割合でコバルトを含有する場合には、はんだの組織を微細化させることができ、優れた耐クラック性および耐久性の向上を図ることができる。さらに、優れた耐侵食性および部品破壊を抑制することができる。

そして、このようなはんだ合金は、上記した各金属成分を溶融炉において溶融させ、均一化するなど、公知の方法で合金化することにより得ることができる。

なお、はんだ合金の製造に用いられる上記した各金属成分は、本発明の優れた効果を阻害しない範囲において、微量の不純物（不可避不純物）を含有していてもよい。

不可避不純物としては、上記した元素を除く成分であって、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、金（Ａｕ）、インジウム（Ｉｎ）などが挙げられる。

不可避不純物の割合は、はんだ合金の総量に対して、例えば、０．０５質量％以下、好ましくは、０．０１質量％以下、より好ましくは、０．００１質量％以下である。

そして、このようにして得られるはんだ合金の、ＤＳＣ法（測定条件：昇温速度０．５℃／分）により測定される融点は、例えば、２００℃以上、好ましくは、２１０℃以上であり、例えば、２４０℃未満、好ましくは、２３０℃以下、より好ましくは、２２５℃以下である。

はんだ合金の融点が上記範囲であれば、ソルダペーストに用いた場合に、簡易かつ作業性よく金属接合することができ、また、はんだ付される部材の損傷を抑制できる。

そして、このようなはんだ合金は、好ましくは、粉末としてソルダペーストに含有される。

粉末形状としては、特に制限されず、例えば、実質的に完全な球状、例えば、扁平なブロック状、例えば、針状などが挙げられ、また、不定形であってもよい。粉末形状は、ソルダペーストに要求される性能（例えば、チクソトロピー、粘度など）に応じて、適宜設定される。

はんだ合金の粉末の平均粒子径（球状の場合）、または、平均長手方向長さ（球状でない場合）は、レーザ回折法による粒子径・粒度分布測定装置を用いた測定で、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

そして、ソルダペーストは、例えば、上記のはんだ合金からなる粉末と、上記したフラックスとを混合することにより、得ることができる。

はんだ合金とフラックスとの配合割合は、はんだ合金とフラックスとの総量１００質量部に対して、はんだ合金が、例えば、７０質量部以上であり、例えば、９５質量部以下、好ましくは、９０質量部以下である。また、フラックスが、例えば、５質量部以上、好ましくは、１０質量部以上であり、例えば、３０質量部以下である。

また、混合方法は、特に制限されず、公知の方法が採用される。

そして、このようにして得られるソルダペーストは、上記のフラックスを含有するため、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができ、加えて、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れる。

とりわけ、上記のはんだ合金のように、ＳｂおよびＢｉを上記の割合で含有する合金を使用すると、合金の酸化力が比較的高く、酸化膜を形成しやすいため、はんだ付において、濡れ性（とりわけ、連続使用時の濡れ性）が顕著に低下する場合があり、また、はんだ付部にボイド（空隙）やウィスカ（結晶成長）が顕著に発生する場合があり、とりわけ、連続使用時の濡れ性の低下が要求され、さらに、連続使用時に増粘するなど、安定性が十分ではない場合がある。

これに対して、上記のフラックスによれば、ＳｂおよびＢｉを含有する高酸化性のはんだ合金を使用する場合にも、優れた濡れ性を得ることができ、また、はんだ付部のボイド（空隙）を抑制することができ、さらに、ウィスカ（結晶成長）を抑制することができ、加えて、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れる。

また、本発明は、上記のソルダペーストによってはんだ付されているはんだ付部を備える電子回路基板を含んでいる。

すなわち、上記のソルダペーストは、例えば、電気・電子機器などのプリント基板の電極と、電子部品とのはんだ付（金属接合）において、好適に用いられる。

換言すると、電子回路基板は、電極を有するプリント基板と、電子部品と、電極および電子部品を金属接合するはんだ付部とを備え、はんだ付部が上記のソルダペーストをリフローすることにより形成されている。

電子部品としては、特に制限されず、例えば、チップ部品（ＩＣチップなど）、抵抗器、ダイオード、コンデンサ、トランジスタなどの公知の電子部品が挙げられる。

また、はんだ付けにおいて、ソルダペーストは、例えば、ディスペンサー、スクリーン印刷などによって基板上に塗布され、その後、１５０～２００℃程度でプリヒートされ、その後、最高温度２２０～２５０℃程度でリフローされる。

なお、塗布およびリフローにおける雰囲気条件は、大気雰囲気であってもよおく、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性雰囲気であってもよい。

そして、これにより、上記のソルダペーストによってはんだ付されているはんだ付部を備える電子回路基板が得られる。

このような電子回路基板は、はんだ付において、上記のソルダペーストが用いられるので、濡れ性よくはんだ付され、また、ボイド（空隙）およびウィスカ（結晶成長）が抑制される。さらに、上記のソルダペーストは、連続使用時の濡れ性および安定性にも優れるため、上記の電子回路基板は、生産性に優れる。

次に、本発明を、実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は、下記の実施例によって限定されるものではない。なお、「部」および「％」は、特に言及がない限り、質量基準である。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１～１０および比較例１～８
・はんだ合金の調製
Ａｇ３．５質量％、Ｃｕ０．７質量％、Ｂｉ５．０質量％、Ｓｂ５．０質量％、Ｎｉ０．０５質量％、Ｃｏ０．００５質量％、および、残部Ｓｎとなる割合で、各金属の粉末を混合し、得られた金属混合物を溶解炉にて溶解および均一化させて、はんだ合金を調製した。

・フラックスの調製
表１～表３に記載の割合で、ベース樹脂と、チキソ剤と、ジカルボン酸と、４級アンモニウムのヨウ素塩（または臭素化合物）と、イミダゾール化合物およびイミダゾリン化合物と、有機溶剤とを混合し、フラックスを得た。

・ソルダペーストの調製
得られたはんだ合金を、粒径が２５～３８μｍとなるように粉末化し、得られたはんだ合金の粉末９０質量部と、上記で得られたフラックス１０質量部とを混合して、ソルダペーストを得た。

・電子回路基板の製造
各実施例および各比較例において得られたソルダペーストを、チップ部品搭載用プリン
ト基板に印刷して、リフロー法によりチップ部品と、タンタルコンデンサ部品と、パッケージ（ＱＦＰ：Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）部品とを実装した。ソルダペーストの印刷膜厚は、厚さ１２０μｍのメタルマスクを用いて調整した。ソルダペーストの印刷後、２０１２サイズ（２.０ｍｍ×１．２ｍｍ）のチップ部品と、６０３２サイズ（６.０ｍｍ×３．２ｍｍ）のタンタルコンデンサ部品と、８５℃、８５％相対湿度（ＲＨ）で２４時間劣化させた０．５ｍｍピッチＱＦＰ部品とを、上記プリント基板の所定位置に搭載して、リフロー炉で加熱し、チップ部品を実装した。リフロー条件は、プリヒートを１７０～１９０℃、ピーク温度を２４５℃、２２０℃以上である時間を４５秒間、ピーク温度から２００℃までの降温時の冷却速度を３～８℃／秒に設定した。

＜評価＞
（１）濡れ性
各実施例および各比較例において得られたプリント基板において、ＱＦＰランド端面にはんだが濡れ上がる高さを観察し、濡れ性を評価した。

具体的には、ランドへの濡れ上がり高さにより、下記の基準で５段階評価した。その結果を、表中に示す。なお、ＱＦＰリード端面の上面の高さを１００％とした濡れ上がり高さの比率により評価した。

５点：濡れ上がり高さ１００％
４点：濡れ上がり高さ１００％未満～７５％以上
３点：濡れ上がり高さ７５％未満～５０％以上
２点：濡れ上がり高さ５０％未満～２５％以上
１点：濡れ上がり高さ２５％未満
（２）ウィスカ
各実施例および各比較例において得られたプリント基板を、８５℃８５％ＲＨの恒温恒湿槽において、２００時間放置した。次いで、２５℃５０％ＲＨで２４時間放置する操作を１サイクルとし、５サイクル繰り返した。その後、タンタルコンデンサ部品から発生したウィスカを観察し、下記の基準より評価した。その結果を、表中に示す。

○：１０ミクロン以上のウィスカが発生しなかった。

×：１０ミクロン以上のウィスカが発生した。

（３）ボイド
各実施例および各比較例において得られたプリント基板を冷却した後、プリント基板上の２０１２サイズのチップ部分をＸ線写真で観察して、はんだが形成されている領域に占めるボイドの総面積の割合（ボイドの面積率）を測定した。ボイドの発生状況はプリント基板中２０箇所のランドにおけるボイドの面積率の平均値を求めて、下記の基準より評価した。その結果を、表中に示す。

○：ボイドの面積率の平均値が５％以下
×：ボイドの面積率の平均値が５％を超過
（４）連続使用時の濡れ性
各実施例および各比較例において得られたソルダペーストを、無開口のメタルマスク上で４時間ローリングした。

４時間ローリング後、ソルダペーストをプリント基板に印刷し、０．８ｍｍピッチＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）部品を搭載して、リフロー炉で加熱した。リフロー条件は、プリヒートを１７０～１９０℃、ピーク温度を２４５℃、２２０℃以上である時間を４５秒間、ピーク温度から２００℃までの降温時の冷却速度を３～８℃／秒に設定した。

そして、以下の基準で、連続使用時のＢＧＡ濡れ性を評価した。その結果を、表中に示す。

○：不濡れ発生なし
×：不濡れ発生
（５）連続使用時の安定性
各実施例および各比較例において得られたソルダペーストを、無開口のメタルマスク上で４時間ローリングした。

また、ローリング前後において、２５℃条件下、スパイラル方式粘度計のマルコム製ＰＣＵ－２０５を用いて、ＪＩＳ Ｚ ３２８４－３（２０１４年）に準拠して、ソルダペーストの粘度を測定した。

そして、ローリング前の粘度に対する、ローリング後の粘度の増加量（Ｐａ・ｓ）を算出し、以下の基準で、連続使用時の安定性を評価した。その結果を、表中に示す。

５点：粘度増加３０Ｐａ・ｓ以下
４点：粘度増加３１Ｐａ・ｓ以上６０Ｐａ・ｓ以下
３点：粘度増加６１Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下
２点：粘度増加１０１Ｐａ・ｓ以上
１点：粘度測定不可

なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。

本発明のフラックスおよびソルダペーストは、各種産業分野における電子回路基板の製造に好適に用いられ、本発明の電子回路基板は、各種産業分野に好適に用いられる。

Claims (10)

1. スズ－銀－銅系合金のはんだ付に用いられるフラックスであり、
   イミダゾール化合物および／またはイミダゾリン化合物と、
   炭素数３～３６のジカルボン酸と、
   ４級アンモニウムのヨウ素塩と
   を含有し、
   前記フラックスの総量に対して、
   ジカルボン酸の含有割合が６質量％以上２５質量％以下であり、
   ヨウ素の含有割合が２００ｐｐｍ以上３６００ｐｐｍ以下である
   ことを特徴とする、フラックス。
2. 前記イミダゾール化合物が、２つ以上の芳香環を有するイミダゾール化合物を含有する
   ことを特徴とする、請求項１に記載のフラックス。
3. 前記イミダゾリン化合物が、１つ以上の芳香環を有するイミダゾリン化合物を含有する
   ことを特徴とする、請求項１に記載のフラックス。
4. 前記フラックスの総量に対して、
   ヨウ素の含有割合が２００ｐｐｍ以上２６００ｐｐｍ以下である
   ことを特徴とする、請求項１に記載のフラックス。
5. 前記フラックスの総量に対して、
   ヨウ素の含有割合が６００ｐｐｍ以上１２３０ｐｐｍ以下である
   ことを特徴とする、請求項１に記載のフラックス。
6. 前記ジカルボン酸が、炭素数３以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含有し、
   ジカルボン酸の総量に対して、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸の割合が、５０質量％を超過する
   ことを特徴とする、請求項１に記載のフラックス。
7. 前記ジカルボン酸が、炭素数１０以上２５以下のジカルボン酸と、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸とを含有し、
   ジカルボン酸の総量に対して、炭素数３０以上３６以下のジカルボン酸の割合が、５０質量％を超過する
   ことを特徴とする、請求項１に記載のフラックス。
8. 請求項１に記載のフラックスと、スズ－銀－銅系はんだ合金からなるはんだ粉末とを含有するソルダペーストであって、
   前記スズ－銀－銅系はんだ合金は、
   ビスマスおよびアンチモンを含有し、
   前記スズ－銀－銅系はんだ合金の総量に対して、
   前記ビスマスの含有量が、２．５質量％以上であり、
   前記アンチモンの含有量が、２．５質量％以上である
   ことを特徴とする、ソルダペースト。
9. 前記スズ－銀－銅系はんだ合金が、
   スズ、銀、銅、ビスマス、アンチモン、ニッケルおよびコバルトからなり、不可避不純物の含有を許容するはんだ合金であって、
   前記スズ－銀－銅系はんだ合金の総量に対して、
   前記銀の含有量が、２．８質量％以上４質量％以下であり、
   前記銅の含有量が、０．４質量％以上０．８質量％以下であり、
   前記アンチモンの含有量が、２．５質量％以上７質量％以下であり、
   前記ビスマスの含有量が、２．５質量％以上５．５質量％以下であり、
   前記ニッケルの含有量が、０．０１質量％以上０．２質量％以下であり、
   前記コバルトの含有量が、０．００１質量％以上０．１質量％以下である
   ことを特徴とする、請求項８に記載のソルダペースト。
10. 請求項８に記載のソルダペーストのはんだ付によるはんだ付部を備えることを特徴とする、電子回路基板。