JP7426642B2 - 炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 306
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 303
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 143
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 124
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
パワーエレクトロニクスはこれまでシリコン(Si)により性能向上が図られてきたが、理論的に限界が見えてきたため、次世代材料として炭化珪素(SiC)が注目されている。
炭化珪素(SiC)はシリコン(Si)に比べて、絶縁破壊電界強度が10倍、バンドギャップが3倍等、優れた性能を有することから、炭化珪素単結晶基板を使用したパワーデバイスの高耐電圧化、低電力損失化が期待される。
そこで、本発明者は、厚膜の炭化珪素エピタキシャルウェハの反りについて鋭意検討を行った。
炭化珪素基板は、外径3インチのものを用いた。なお、本発明は、外径が変化しても技術思想としては変わらないので、外径の大きさは3インチ以下であっても3インチ以上であっても構わない。
エピタキシャル成長層の膜厚を65μm、140μm、200μm、240μmと厚くしていくと、反り量が20μm、24μm、27μm、29μmとほぼ直線的に増加しており、反り量の変化(μm)は膜厚の増加にほぼ比例していることがわかる。
この結果から、厚膜の炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量は、膜厚が20μm程度の場合の反り量に比べて非常に大きくなることがわかる。
まず、ウェハの割れが挙げられる。エピタキシャル層が厚くなると、エピタキシャルウェハにかかっている応力(ストレス)が大きくなり、そもそも割れやすい。そこで、さらに反り量も大きいとなると、高温プロセス中に温度分布がつき、さらに割れやすくなってしまう。特許文献1で示された室温時の反り量-100μm以上100μm以下(好ましくは-40μm以上40μm以下)では、厚膜の炭化珪素エピタキシャルウェハでは十分ではなく、ウェハの割れの問題は回避できない。
この点について、図3を用いて説明する。(a)は、膜厚が20μm程度の場合、(b)は、厚膜(100μm以上)の場合である。
仮に、反り量が同じでも、エピタキシャル層が厚くなるほど、エピタキシャルウェハの擬似的な厚さ(x)が大きくなる。エピタキシャルウェハの存在を自動搬送時にレーザー等で確認するときに、このxが大きすぎると、エピタキシャルウェハの存在を正確に確認できず(例えば、ウェハが2枚重なっているとの認識になる)、エラーを起こすリスクが高くなる。
図4は、本発明の一実施形態にかかる炭化珪素エピタキシャルウェハ10を模式的に示した断面図である。
炭化珪素エピタキシャルウェハ10は、炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1の第1主面1Aに設けられ、100μm以上の膜厚を有する炭化珪素層2と、を備える炭化珪素エピタキシャルウェハであって、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量が-20μm以上、20μm以下である。
<反り量の定義>
炭化珪素エピタキシャルウェハの「反り量」とは、炭化珪素エピタキシャルウェハを平面Sに載置したときの、炭化珪素エピタキシャルウェハの主面(平面Sに対向しない側の面)において平面Sに対して最も高い位置と最も低い位置との間の高さの差である。ここで、反り量の正負は、図1(a)を参照して、炭化珪素エピタキシャルウェハの主面が下に凸の場合(炭化珪素エピタキシャルウェハの中心位置が外周位置よりも平面Sに対して低く位置する場合)をマイナスとし、図1(b)を参照して、上方に凸の場合(炭化珪素エピタキシャルウェハの中心位置が外周位置よりも平面Sに対して高く位置する場合)をプラスとする。
以下、図1を参照して、本明細書において用いる「反り量」のプラス、マイナスは、炭化珪素エピタキシャル層の成長面側に凸状に反った場合(図1(b)に相当)にプラスとし、成長面と反対側の面側に凸状に反った場合(換言すると、成長面を上として見たときに凹状に反った場合。図1(a)に相当)にマイナスとすることとする。また、プラス、マイナスのそれぞれにおいて、反り量の定義は、図1(a)、(b)で示した通りである。
なお、エピタキシャル層形成前の炭化珪素基板の場合では、エピを形成する側のエピ面とそれと対向する裏面が定義できるため、エピ面を上側、裏側を下側として同様に「反り量」が定義される。
炭化珪素(SiC)は多くの結晶多形を有するが、炭化珪素基板としてはこれらの結晶多形を有するものを用いることができる。実用的なSiCデバイスを作製するために通常用いられるのは4H-SiCであり、4H-SiC基板であることが好ましい。
また、炭化珪素基板としては、昇華法等で作製した炭化珪素バルク結晶から加工した炭化珪素単結晶基板を用いることができる。
従って、炭化珪素基板としては、4H-SiC単結晶基板が好ましい。
4度オフ基板としては350μmの厚みのものを用いることが多いが、500μm厚のものも市販されている。
第2主面の表面粗さは、炭化珪素エピタキシャル層成長前の炭化珪素基板の第2主面(裏面)側への凸形状の反りの指標になるものであり、炭化珪素エピタキシャル層成長による膜厚の増大に伴う、第1主面(成長面)側への凸形状の反りへの補償の指標になるものである。最初に必要なエピタキシャル成長層の厚さを決めれば、図2からエピ層により発生する反り量が把握できるので、補償に必要な第2主面の表面粗さを図6から選択できるようになる。
後述する、炭化珪素エピタキシャル層成長前の水素加熱工程による炭化珪素基板として
の凹状の反り(第2主面側への凸状の反り)の回復を考慮すると(図5及び図6)、第2主面の表面粗さが5nm以上であれば、3インチのウェハで、水素加熱後でもウェハの反り量を、第2主面側への凸形状の反り量を10μm(-10μm)程度に維持できる。
図2によると、本発明のエピ成長前の裏面凸形状処理を行わない場合、3インチのウェハでは、エピ層の膜厚が100μmの炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量は22μm程度になるから、炭化珪素基板の第2主面の表面粗さが5nm以上にしておけば、炭化珪素エピタキシャルウェハ仕上がり後に炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量は-20μm以上、20μm以下となる。図6に基づくと、炭化珪素基板の第2主面の表面粗さが120nmのときに水素加熱工程後の炭化珪素基板の反り量は-42μm程度であるから、第2主面の表面粗さが120nmのときにも炭化珪素エピタキシャルウェハ仕上がり後に炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量は-20μm以上、20μm以下となる。
また、図6に基づくと、第2主面の表面粗さが20nm程度であると水素加熱工程後の炭化珪素基板の反り量は-20μm程度であるから、炭化珪素エピタキシャルウェハ仕上がり後に炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量はゼロに近くなる。すなわち第2主面の表面粗さは20nm以上であると、100μm以上のエピ層を持つ炭化珪素エピタキシャルウェハとしてさらに好ましい。後述するようにウェハを大型化した場合には3インチの事例よりも反り量は拡大するので、精度の高い反り量の制御に好適である。
なお、特許文献1の方法は、裏面のダメージ層を除去して裏面の表面粗さ(Ra)を低くするものであるから、本発明の方法とは真逆の方法である。
炭化珪素層としては、炭化珪素エピタキシャル層であることが好ましい。
炭化珪素層の膜厚は100μm以上であり、いわゆる厚膜と言われる厚さである。高耐圧のパワーデバイスに適した炭化珪素エピタキシャルウェハとするためである。
このエピ膜の最適な膜厚はデバイスの耐電圧の設計仕様に応じて決まり、超高耐電圧のデバイスについては150μm、200μm、250μm程度が必要となる。
上限を例示すれば、エピタキシャル成長の難しさの観点で500μm程度が挙げられる。
本発明において、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量を低減する方法は、炭化珪素基板上にエピタキシャル層を成長する前に、炭化珪素基板の成長面ではない方の面(第2主面)を凸形状にしておくことがポイントである。これにより、エピタキシャル層成長後(炭化珪素エピタキシャルウェハの完成時)の、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量を低減するというものである。
なお、本明細書において、第1主面(エピ層成長面)側を「上側」、第1主面に対向する側の第2主面側を「下側」ということがある。また、炭化珪素エピタキシャル層と炭化珪素基板とからなるウェハ全体として、第1主面側(上側)が凸形状の場合を「ウェハ全体として凸形状」、一方、第2主面側(下側)が凸形状の場合を「ウェハ全体として凹形状」ということがある。
すなわち、炭化珪素基板上に炭化珪素エピタキシャル層を成長していくと、炭化珪素エピタキシャル層と炭化珪素基板とからなるウェハは、第1主面側が凸形状に反りが大きくなっていく。そこで、炭化珪素エピタキシャル層成長前の基板をあらかじめ第2主面側に凸形状にしておくことによって、エピタキシャル層成長後(炭化珪素エピタキシャルウェハの完成時)の、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量を低減する。
炭化珪素エピタキシャル層成長前の炭化珪素基板を第2主面(裏面)側に凸形状にする手段として、トワイマン効果を利用する。トワイマン効果とは、基板の両面にある応力(残留応力)に差があるとき、両面の応力のバランスを補おうとする力が働き、反りが発生する効果をいう。すなわち、炭化珪素基板の第2主面の表面粗さを大きくしておくと、トワイマン効果により、炭化珪素基板は、第2主面(裏面)側に凸形状に反る(図8(a)の(ii)参照)。
この第2主面(裏面)側に凸形状に反った炭化珪素基板の第1主面(おもて面、成長面)上に炭化珪素エピタキシャル層が成長していくと、炭化珪素エピタキシャル層と炭化珪素基板とからなるウェハは、膜厚が厚くなるに従って、ウェハ全体として凹形状の反り量は低減していく。膜厚が所定の厚さになると、反り量はゼロになり、さらに膜厚が厚くなっていくと、ウェハ全体として凸状の反りになってく。
炭化珪素エピタキシャルウェハの完成時にウェハ全体として反り量がゼロ前後になるように、炭化珪素エピタキシャル層成長前の炭化珪素基板の第2主面側への凸形状の反り量になるように、第2主面の表面粗さ増大の加工処理を行っておけば、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量を-20μm以上、20μm以下とすることができる。
そこで、水素加熱工程前後の炭化珪素エピタキシャルウェハの第2主面(裏面)の表面粗さと反り量との関係をそれぞれ、図5、図6に示す。図5は水素加熱工程前のもの、図6は水素加熱工程後のものである。横軸は、第2主面(裏面)の表面粗さであり、縦軸は、反り量である。
図5と図6とを比較すると、水素加熱工程により、炭化珪素基板としての凹状の反り(第2主面側への凸状の反り)は回復してしまうが、第2主面の表面粗さを大きくすることにより、凹状の反りを大きくすることが可能である。
これらの結果から、炭化珪素エピタキシャルウェハの反りを20μm以下に抑えるためには、成長するエピタキシャル成長層の厚さから反りの増大値を想定し、炭化珪素基板の第2主面の表面粗さを適宜調整すればよいことがわかる。
例えば、炭化珪素基板の厚さが350μmでかつ炭化珪素層の厚さが100μmの場合が相当する。
例えば、炭化珪素基板の厚さが350μmでかつ炭化珪素層の厚さが250μmの場合が相当する。
図7に、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量と、ウェハの外径との関係を示す。
図7は、外径3インチ(75mm)の基板に240μm厚のエピ層を形成した炭化珪素エピタキシャルウェハについて得られた反り量について、その反りの曲率半径が約24.2mであったことから、この曲率半径に基づいて、ウェハの外径100μm、150μm、200μmのときの反り量を計算した結果である。ウェハ外径が大きくなるほど実効的な反り量は拡大する。逆に、本願発明の反り補正の効果は、ウェハ外径が大型化するほど顕著となる。現在では6インチのSiC製造ラインが稼働しはじめており、大型のウェハの製造プロセスにおいて厚膜の炭化珪素エピタキシャルウェハを利用する場合には本願発明が非常に効果的である。
炭化珪素エピタキシャルウェハに反りが生ずる原因は、主に形成する炭化珪素層が厚いことである。更に反りを大きくするメカニズムとしては、炭化珪素基板及び炭化珪素層へのドーピングよって生ずる格子定数の差が考えられる。
炭化珪素半導体をn型にするためにはドナーとして主に窒素(N)が使用されるが、窒素は炭化珪素の格子定数を小さくする方向に働くことが知られている。また炭化珪素半導体をp型にするためにはアクセプタとして主にホウ素(B)又はアルミニウム(Al)が使用される。ここで、ホウ素は炭化珪素の格子定数を小さくする方向に働くのに対して、アルミニウムは炭化珪素の格子定数を大きくする方向に働くことが知られている。したがって、炭化珪素基板1上に厚い炭化珪素層2を成長した場合にエピ層成長面側が凸状に反りを起こしやすくなる状況は、下記のような場合が考えられる。
(1)炭化珪素基板1に格子定数を小さくするドーパントが高濃度にドープされ、炭化珪素層2にノンドープ又は低濃度のドーピングがなされた場合。炭化珪素基板1がn型の場合には、窒素単独ドープ、又は窒素及び窒素に対して1/5以下の濃度のホウ素又はアルミニウムを添加したコドープが考えられる。また炭化珪素基板1がp型の場合にはホウ素単独ドープ、又はホウ素及びホウ素に対して1/5以下の濃度の窒素を添加したコドープが考えられる。炭化珪素基板1へのドーピング濃度は典型的には1×1018cm-3以上、更に5×1018cm-3以上、更に1×1019cm-3以上とされる。炭化珪素層2のドーピング濃度は典型的には炭化珪素基板の1/1000以下、更には1/5000以下、更には1/10000以下とされる。すなわち炭化珪素層2はノンドープ又は低濃度のドーピングのため格子定数はほとんど変化しない。したがって炭化珪素層2へのドーパントは、低濃度であるため、窒素、ホウ素、アルミニウムのいずれか一つ又はそれらの組合せであって良い。これにより、炭化珪素層2の格子定数が炭化珪素基板1よりも相対的に大きくなる。
(3)上記の(1)(2)をまとめると、炭化珪素層2の格子定数が炭化珪素基板1の格子定数よりも相対的に大きくなるように炭化珪素基板1及び炭化珪素層2にドナー又はアクセプタのいずれか一つ又はその両方がドーピングされ、炭化珪素基板1及び炭化珪素層2のドーピング濃度差が1000倍以上、更には5000倍以上、更には10000倍以上異なるような場合が考えられる。
厚膜の炭化珪素エピタキシャルウェハが必要になる応用は、IGBT、高耐圧MOSFET、及びPINダイオードが現時点では認識されている。IGBTでは、例えばp型基板(ホウ素ドープ又はホウ素+窒素コドープ、ドーピング濃度2×1019cm-3以上)の上にn型エピタキシャル層(窒素ドープ、ドーピング濃度2×1014cm-3以下)を形成した炭化珪素エピタキシャルウェハが使用される。高耐圧MOSFETやPINダイオードでは、例えばn型基板(窒素ドープ、ドーピング濃度5×1018cm-3以上)の上にn型エピタキシャル層(窒素ドープ、不純物濃度5×1014cm-3以下)を形成した炭化珪素エピタキシャルウェハが使用される。この時n型基板には窒素とアクセプタ(ホウ素又はアルミニウム)を両方ドープしたコドープ基板を使用しても良い。なおコドープのn型基板の場合には、窒素濃度はアクセプタよりも5倍程度多くされる。これらの応用は上記の(1)(3)の場合に該当し、本件発明が典型的に適用される。
本発明の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法は、第1主面とそれに対向する第2主面を持つ炭化珪素基板を準備して、前記第1主面を上として前記炭化珪素基板の第2主面側が凸形状となるよう前記炭化珪素基板を加工する工程と、前記炭化珪素基板の前記第1主面に、炭化珪素層をエピタキシャル結晶成長する工程と、を有する。
第2主面(裏面)の表面粗さを大きくする方法としては、公知の方法を用いることができ、例示すれば、研削、研磨などが挙げられる。研磨加工又は研削加工のいずれかを用いても良いし、研磨加工と研削加工を併用しても良い。
<炭化珪素基板の準備、加工>
(0001)Si面を<11-20>方向へ4度傾斜させた外径75mmの4Hの結晶構造を有する炭化珪素基板を用意した。この炭化珪素基板の(000-1)C面側の面は、表面粗さを122nmとする研削工程を行った。この研削工程では市販の研削装置を用いて、砥粒径70~80μmの#230ダイヤモンドホイールを使用したインフィード研削を行った。この時利用した炭化珪素基板は窒素ドープのn型基板であり、窒素濃度の仕様値は、5~8×1018cm-3であった。
<水素加熱工程>
その炭化珪素基板を化学気相成長装置の反応炉内に水素ガスを30slmの流量で導入した状態で、反応炉内の圧力を2.7kPaに保持し、高周波誘導加熱部による加熱により、前記炭化珪素基板を1590℃まで加熱した。この状態での加熱を30分間行った。
<エピタキシャル成長層形成工程>
次いで、反応炉内に対して、シランを54sccm、プロパンを21sccm、窒素を8sccmの各流量で導入し、前記炭化珪素基板の(0001)Si面上にn型キャリア濃度2×1014cm-3のエピタキシャル成長層を厚み240μmで形成した。
以上の手順により、実施例1に係る炭化珪素エピタキシャルウェハを製造した。
実施例1の炭化珪素基板の(000-1)C面側の面に研削工程を行わず、表面粗さは0.1nmであること以外は同様にして、比較例1に係る炭化珪素エピタキシャルウェハを製造した。
実施例1の炭化珪素基板の(000-1)C側の面に表面粗さを59nmとする研削工程を行ったこと、およびエピタキシャル成長層厚さを200μmとしたこと以外は同様にして、実施例2に係る炭化珪素エピタキシャルウェハを製造した。なお、この時の研削工程では砥粒径30~40μmの#400ダイヤモンドホイールを使用した。
また、実施例2の炭化珪素基板の(000-1)C面側の面に研削工程を行わず、表面粗さは0.1nmであること以外は同様にして、比較例2に係る炭化珪素エピタキシャルウェハを製造した。
炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャルウェハの反り測定は、垂直入射干渉計を用いて、非吸着状態で評価を行った。(0001)Si面側を上にして、図1(b)に示すように凸形状のときの反りの値を+、図1(a)に示すように凹形状のときの反りの値を-と表記する。
炭化珪素基板および炭化珪素エピタキシャルウェハの反り測定の結果、下記表1に示す。
一方、炭化珪素基板の(000-1)C面側の面を研削していない場合は、炭化珪素エピタキシャルウェハの反りは20μm以上であった。
上述の発明の実施の形態においては、最も単純になるように炭化珪素基板上に単一層の炭化珪素層を積層した炭化珪素エピタキシャルウェハを例示した。しかし、現実の応用では、図9に示すように、炭化珪素基板1と厚い炭化珪素層2Aの間に薄い炭化珪素の中間層2Bが用いられることはよく行われる。図9に示す炭化珪素エピタキシャルウェハ10’は、炭化珪素基板1と、炭化珪素基板1の第1主面1Aに設けられ、100μm以上の膜厚を有する炭化珪素層2’と、を備える炭化珪素エピタキシャルウェハであって、炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量が-20μm以上、20μm以下であり、炭化珪素層2’は厚い炭化珪素層2A(例えば、後述する厚さ約150~350μmのドリフト層)と、薄い炭化珪素の中間層2B(例えば、後述する厚さ約1~10μmのコレクタ層、及び/又は、厚さ約0.5~2μmのフィールドストップ層)とからなる。厚い炭化珪素層2Aを有することが反りの原因であるので、薄い炭化珪素の中間層2Bが用いられても本願発明の課題は共通であり、実施の形態に基づく発明が好適に適用できる。
例えば、nチャンネルIGBTでは、p型炭化珪素基板に接して、コレクタ層(p型、ドーピング濃度約1×1018~1×1019cm-3、厚さ約1~10μm)、フィールドストップ層(n型、ドーピング濃度約1×1017~1×1018cm-3、厚さ約0.5~2μm)、厚いドリフト層(n型、ドーピング濃度約2×1014cm-3、厚さ約150~350μm)が順に形成されたエピタキシャルウェハが準備される。そして、そのドリフト層の表面に縦型MOSFET類似のゲートやエミッタが形成される。即ち、発明の実施の形態における炭化珪素層は、厚いドリフト層の他、そのドリフト層に対して十分薄い(例えば1/10以下となるような)中間層(コレクタ層やフィールドストップ層の多層膜)を含むものとして理解される。上述した「炭化珪素エピタキシャルウェハの反りとドーピングとの関係」は、炭化珪素基板上に直接又は中間層を介して設けられる最も厚い炭化珪素層のドーピング濃度と炭化珪素基板のドーピング濃度との間の関係として読み替えれば良い。中間層は薄いため、不純物のドーピング種や濃度は反りに対してほとんど影響しない。
また、PINダイオードや高耐圧MOSFETではn型炭化珪素基板上にバッファ層(n型、ドーピング濃度約1×1018cm-3、厚さ約0.5~1μm)を介して厚いドリフト層(n型、ドーピング濃度約5×1014cm-3、厚さ約100~300μm)が順に形成されたエピタキシャルウェハが準備される。そして、そのドリフト層の表面にダイオード構造やMOSFET構造が形成される。ここでも発明の実施の形態や実施例における炭化珪素層は、ドリフト層と中間層(バッファ層)の全体をさすものとして理解される。
以上、中間層は、上記に示したコレクタ層、フィールドストップ層、バッファ層に限定されずにデバイス構造の最適化のために用いられる単層又は複数層の炭化珪素からなる層である。
炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の第1主面に設けられ100μm以上の膜厚を有する炭化珪素層と、を備える炭化珪素エピタキシャルウェハであって、
前記炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量が-20μm以上、20μm以下である、炭化珪素エピタキシャルウェハ。
(付記2)
前記炭化珪素層の格子定数が前記炭化珪素基板の格子定数よりも相対的に大きくなるように前記炭化珪素基板及び前記炭化珪素層にドナー又はアクセプタのいずれか一つ又はその両方がドーピングされ、前記炭化珪素基板と前記炭化珪素層との間のドーピング濃度差が1000倍以上である付記1に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハ。
(付記3)
前記炭化珪素基板は、窒素の単独ドープ、ホウ素の単独ドープ、窒素を主体としてホウ素又はアルミニウムを窒素の1/5以下にドープ、又はホウ素を主体として窒素をホウ素の1/5以下にドープ、のいずれかによる第1不純物が添加され、
前記炭化珪素層は、ノンドープ、窒素の単独ドープ、ホウ素の単独ドープ、アルミニウムの単独ドープ、又は窒素、ホウ素、アルミニウムのうちの2つ又は3つの組合せドープ、のいずれかにによる第2不純物が添加され、
前記第1不純物の濃度は、前記第2不純物の濃度の1000倍以上である付記1又は2に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハ。
(付記4)
前記炭化珪素層は、前記炭化珪素基板に接する中間層と前記中間層の上に形成されるドリフト層とを有し、前記中間層の厚さは前記ドリフト層の厚さの1/10以下である付記1~3のいずれか一つに記載の炭化珪素エピタキシャルウェハ。
1A 第1主面
1B 第2主面
2 炭化珪素層
10 炭化珪素エピタキシャルウェハ
Claims (4)
- 炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の第1主面に設けられ100μm以上の膜厚を有する炭化珪素層と、を備える炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記第1主面とそれに対向する第2主面を持つ前記炭化珪素基板を準備して、前記炭化珪素基板の前記第2主面側が凸形状となるよう前記炭化珪素基板を加工する工程と、
前記炭化珪素基板の前記第1主面に、前記炭化珪素層をエピタキシャル結晶成長する工程と、を有し、
前記炭化珪素基板を加工する工程は、前記第2主面を研磨加工及び/又は研削加工する工程を含み、
前記炭化珪素エピタキシャルウェハの反り量が-20μm以上、20μm以下である、
炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記炭化珪素基板は、ドーピング濃度5×1018cm-3以上の窒素を含み、
前記炭化珪素層のドーピング濃度は、前記炭化珪素基板のドーピング濃度の1/5000以下であり、
前記炭化珪素基板が4H-SiCであり、
前記炭化珪素基板と前記炭化珪素層の合計厚さが450μm以上である、
請求項1に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記炭化珪素基板と前記炭化珪素層の合計厚さが600μm以上である、請求項1又は2のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記炭化珪素基板の第1主面と対向する第2主面の表面粗さ(Ra)が20nm以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/280,083 US10879359B2 (en) | 2018-03-02 | 2019-02-20 | Silicon carbide epitaxial wafer having a thick silicon carbide layer with small wrapage and manufacturing method thereof |
JP2023170282A JP2023165996A (ja) | 2018-03-02 | 2023-09-29 | 炭化珪素エピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018038022 | 2018-03-02 | ||
JP2018038022 | 2018-03-02 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023170282A Division JP2023165996A (ja) | 2018-03-02 | 2023-09-29 | 炭化珪素エピタキシャルウェハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019151543A JP2019151543A (ja) | 2019-09-12 |
JP7426642B2 true JP7426642B2 (ja) | 2024-02-02 |
Family
ID=67948107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018238852A Active JP7426642B2 (ja) | 2018-03-02 | 2018-12-20 | 炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7426642B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7392526B2 (ja) * | 2020-03-10 | 2023-12-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |
CN114561705A (zh) * | 2020-11-27 | 2022-05-31 | 意法半导体股份有限公司 | 具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法 |
JP2023095359A (ja) | 2021-12-24 | 2023-07-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素ウェハおよびその製造方法 |
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WO2016113924A1 (ja) | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体 |
-
2018
- 2018-12-20 JP JP2018238852A patent/JP7426642B2/ja active Active
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WO2014115253A1 (ja) | 2013-01-23 | 2014-07-31 | 株式会社日立製作所 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
WO2015170500A1 (ja) | 2014-05-08 | 2015-11-12 | 三菱電機株式会社 | SiCエピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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WO2016113924A1 (ja) | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 住友電気工業株式会社 | 半導体積層体 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019151543A (ja) | 2019-09-12 |
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