JP7411916B2 - 撮像装置 - Google Patents
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Description
本開示の一態様の概要は、以下の通りである。
図1は、本開示の実施の形態1に係る撮像装置の例示的な構成を示す図である。図1に示す撮像装置100は、半導体基板60に形成された複数の画素10および周辺回路40を有する。
続いて、画素10のデバイス構造の詳細について、図3および図4を用いて説明する。
続いて、実施の形態2について説明する。以下では、実施の形態1との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略または簡略化する。
続いて、実施の形態3について説明する。以下では、実施の形態1または2との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略または簡略化する。
なお、パッドCp1Bbは、第2絶縁層72及び第3絶縁層73によって、第2ゲート28eと電気的に絶縁されている。
続いて、上述した各実施の形態の複数の変形例について説明する。各変形例に係る撮像装置は、各実施の形態に係る撮像装置と比較して、ゲート電極の側方にサイドウォールが設けられている。以下では、各実施の形態との共通点の説明を省略または簡略化する。
以上、1つまたは複数の態様に係る撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本開示の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したもの、および、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示の範囲内に含まれる。
12 光電変換部
12a 画素電極
12b 光電変換層
12c 対向電極
14 信号検出回路
16 フィードバック回路
22 信号検出トランジスタ
22e、24e、26e、27e ゲート電極
24 アドレストランジスタ
26 リセットトランジスタ
27 保護トランジスタ
28e 第2ゲート
31 蓄積制御線
32、37 電源配線
34 アドレス信号線
35 垂直信号線
36 リセット信号線
40 周辺回路
42 垂直走査回路
44 水平信号読み出し回路
45 負荷回路
46 制御回路
47 カラム信号処理回路
49 水平共通信号線
50 反転増幅器
53 フィードバック線
60 半導体基板
61 支持基板
62n n型半導体層
63p、65p p型半導体層
64a p型領域
67n 電荷蓄積領域
67a 第1領域
67b 第2領域
68an、68bn、68cn、68dn、68en、68fn 不純物領域
69、69A 素子分離領域
69a 第1部分
69b 第2部分
69c 第3部分
71 第1絶縁層
72 第2絶縁層
73 第3絶縁層
89 導電構造
90 層間絶縁層
100 撮像装置
Cp2、Cp3、Cp4、Cp5 コンタクトプラグ
Cp1a、Cp1c プラグ
Cp1b、Cp1Ab、Cp1Bb パッド
h1、h2、h3、h4、h5 コンタクトホール
SW1、SW2、SW3 サイドウォール
Claims (12)
- 入射光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部に電気的に接続された第1導電型の第1不純物領域と、素子分離領域と、を含む半導体基板と、
前記第1不純物領域に直接接続され、第1半導体を含むプラグと、
前記プラグに直接接続され、第2半導体を含むパッドと、
前記第1不純物領域をソースおよびドレインの一方として含み、第1ゲートを備える第1トランジスタと、を備え、
平面視において、前記第1不純物領域は、前記素子分離領域の第1部分と前記第1ゲートとの間に位置し、
平面視において、前記パッドは、前記第1ゲートと前記第1部分とに重なる、
撮像装置。 - 入射光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部に電気的に接続された第1導電型の第1不純物領域と、素子分離領域とを含む半導体基板と、
前記第1不純物領域に直接接続され、第1半導体を含むプラグと、
前記プラグに直接接続され、第2半導体を含むパッドと、
前記第1不純物領域をソースおよびドレインの一方として含み、第1ゲートを備える第1トランジスタと、
前記第1ゲートの側方に位置するサイドウォールと、を備え、
平面視において、前記第1不純物領域は、前記素子分離領域の第1部分と前記第1ゲートとの間に位置し、
平面視において、前記パッドは、前記サイドウォールと前記第1部分とに重なる、
撮像装置。 - 前記素子分離領域は、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物領域である、
請求項1または請求項2に記載の撮像装置。 - 前記素子分離領域は、さらに、
前記第1部分に接する第2部分と、
前記第1部分に接する第3部分と、を含み、
平面視において、前記第1不純物領域は、前記第2部分と前記第3部分との間に位置し、
平面視において、前記パッドは、前記第2部分と前記第3部分とに重なる、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 平面視において、前記第1ゲートが前記第1不純物領域の第1方向に位置し、前記第1部分が前記第1不純物領域の、前記第1方向と反対の第2方向に位置するとき、前記第2部分は、前記第1不純物領域の、前記第1方向と交差する第3方向に位置し、前記第3部分は、前記第1不純物領域の、前記第3方向と反対の第4方向に位置する、
請求項4に記載の撮像装置。 - 入射光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部に電気的に接続された第1導電型の第1不純物領域を含む半導体基板と、
前記第1不純物領域に直接接続され、第1半導体を含むプラグと、
前記プラグに直接接続され、第2半導体を含むパッドと、
前記第1不純物領域をソースおよびドレインの一方として含み、第1ゲートを備える第1トランジスタと、
平面視において前記第1不純物領域に重なる第2ゲートと、を備え、
平面視において、前記パッドは、前記第1ゲートおよび前記第2ゲートに重なる、
撮像装置。 - 入射光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部に電気的に接続された第1導電型の第1不純物領域を含む半導体基板と、
前記第1不純物領域に直接接続され、第1半導体を含むプラグと、
前記プラグに直接接続され、第2半導体を含むパッドと、
前記第1不純物領域をソースおよびドレインの一方として含み、第1ゲートを備える第1トランジスタと、
前記第1ゲートの側方に位置する第1サイドウォールと、
平面視において、前記第1不純物領域に重なる第2ゲートと、
前記第2ゲートの側方に位置する第2サイドウォールと、を備え、
平面視において、前記パッドは、前記第1サイドウォールと前記第2サイドウォールとに重なる、
撮像装置。 - 前記第1不純物領域をソースおよびドレインの一方として含み、前記第2ゲートを備える第2トランジスタをさらに備える、
請求項6または請求項7に記載の撮像装置。 - 前記半導体基板は、素子分離領域をさらに含み、
前記素子分離領域は、
第2部分と、
第3部分と、を含み、
平面視において、前記第1不純物領域は、前記第2部分と前記第3部分との間に位置し、
平面視において、前記パッドは、前記第2部分と前記第3部分とに重なる、
請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 平面視において、前記第1ゲートが前記第1不純物領域の第1方向に位置し、前記第2ゲートが前記第1不純物領域の、前記第1方向と反対の第2方向に位置するとき、前記第2部分は、前記第1不純物領域の、前記第1方向と交差する第3方向に位置し、前記第3部分は、前記第1不純物領域の、前記第3方向と反対の第4方向に位置する、
請求項9に記載の撮像装置。 - 前記第2部分および前記第3部分はそれぞれ、前記第1導電型とは異なる第2導電型の不純物領域である、
請求項4、請求項5、請求項9および請求項10のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第1半導体および前記第2半導体は、ポリシリコンである、
請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の撮像装置。
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