JP7408125B2 - Charge transport materials and organic light emitting devices - Google Patents
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Description
本発明は、電荷輸送材料として有用な化合物とそれを用いた有機発光素子に関する。 The present invention relates to a compound useful as a charge transport material and an organic light emitting device using the same.
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの有機発光素子の発光効率を高める研究が盛んに行われている。その中には、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送材料、ホール輸送材料、発光材料などを新たに開発して組み合わせることにより、発光効率を高める研究も多い。中には、そのような材料として、ベンゼン環に１つ以上のシアノ基が結合した化合物を用いることにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を高める研究もなされている（特許文献１～７参照）。
2. Description of the Related Art Research is actively being conducted to improve the luminous efficiency of organic light emitting devices such as organic electroluminescent devices (organic EL devices). Among them, there is much research into increasing luminous efficiency by developing and combining newly developed electron transport materials, hole transport materials, light emitting materials, etc. that make up organic electroluminescent devices. Some research has been conducted to increase the luminous efficiency of organic electroluminescent devices by using compounds in which one or more cyano groups are bonded to a benzene ring as such materials (see
本発明者らは、有機発光素子用の材料として従来提供されていない新たな材料を提供することにより、発光効率が良好で寿命が長い有機発光素子を提供することを目的として鋭意検討を行った。 The present inventors have conducted intensive studies with the aim of providing an organic light emitting device with good luminous efficiency and a long life by providing a new material that has not been provided conventionally as a material for an organic light emitting device. .
上記の目的を達成するために鋭意検討を進めた結果、本発明者らは、特定の構造を有する化合物が電荷輸送材料として有用であることを見いだして、本発明を提供するに至った。本願明細書で開示する発明は、少なくとも以下の構成を有する発明を包含するものである。
［１］ 下記一般式（１）で表される電荷輸送材料。
Ｒ１～Ｒ５のうちの１個はシアノ基を表し、
Ｒ１～Ｒ５のうちの２～４個は、下記一般式（２）で表される基を表し、
残りのＲ１～Ｒ５は、各々独立に水素原子、または、下記一般式（２）で表される基とシアノ基以外の置換基を表す。］
ＸはＯまたはＳを表し、Ｘ１～Ｘ４のうちの１つはＣ－（Ｌ）ｎ－＊を表し、それ以外のＸ１～Ｘ４およびＸ５～Ｘ８は各々独立にＮまたはＣ（Ｒ８）を表す。ここで、Ｌは、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基を表し、ｎは０～２のいずれかの整数を表し、ｎが２であるとき、２つのＬは同一であっても異なっていてもよい。＊は、一般式（１）のベンゼン環への結合位置を表し、Ｒ８は水素原子または置換基を表す。
ただし、Ｘ２がＣ－＊であるとき、Ｘ７またはＸ８がＣ－Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２）であることはなく、い。ここで、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立に置換もしくは無置換のアリール基であり、Ａｒ１とＡｒ２は互いに連結して環状構造を形成していてもよい。］
［２］ Ｒ３がシアノ基である、［１］に記載の電荷輸送材料。
［３］ Ｒ１およびＲ４が前記一般式（２）で表される基である、［１］または［２］に記載の電荷輸送材料。
［４］ ＸがＳである一般式（２）で表される基を有する、［１］～［３］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［５］ Ｘ１またはＸ４がＣ－（Ｌ）ｎ－＊である一般式（２）で表される基を有する、［１］～［４］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［６］ Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊のｎが０である一般式（２）で表される基を有する、［１］～［５］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［７］ Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊以外のＸ１～Ｘ４およびＸ５～Ｘ８のうちの５個以上がＣ（Ｒ８）である一般式（２）で表される基を有する、［１］～［６］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［８］ Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊以外のＸ１～Ｘ４がすべてＣ（Ｒ８）である一般式（２）で表される基を有する、［１］～［７］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［９］ Ｘ５～Ｘ８がすべてＣ（Ｒ８）である一般式（２）で表される基を有する、［１］～［８］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［１０］ ホスト材料である、［１］～［９］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［１１］ 正孔障壁材料である、［１］～［１０］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
［１２］ 下記一般式（１ａ）で表される化合物。
Ｒ１’～Ｒ５’のうちの１個はシアノ基を表し、
Ｒ１’～Ｒ５’のうちの２個または３個は、下記一般式（２）で表される基を表し、
残りのＲ１’～Ｒ５’は、各々独立に水素原子、または、下記一般式（２）で表される基とシアノ基以外の置換基を表す。］
ＸはＯまたはＳを表し、Ｘ１～Ｘ４のうちの１つはＣ－（Ｌ）ｎ－＊を表し、それ以外のＸ１～Ｘ４およびＸ５～Ｘ８は各々独立にＮまたはＣ（Ｒ８）を表す。ここで、Ｌは、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基を表し、ｎは０～２のいずれかの整数を表し、ｎが２であるとき、２つのＬは同一であっても異なっていてもよい。＊は、一般式（１）のベンゼン環への結合位置を表し、Ｒ８は水素原子または置換基を表す。
ただし、Ｘ２がＣ－Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２）であることはなく、Ｘ３がＣ－Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２）であることもない。ここで、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立に置換もしくは無置換のアリール基であり、Ａｒ１とＡｒ２は互いに連結して環状構造を形成していてもよい。］
［１３］ ［１］～［１１］のいずれか１項に記載の電荷輸送材料を含む有機発光素子。
［１４］ 有機エレクトロルミネッセンス素子である、［１３］に記載の有機発光素子。
［１５］ 前記電荷輸送材料を発光層に含み、前記発光層が発光材料を含む（ただし、前記発光材料は前記一般式（１）で表される化合物ではない）、［１４］に記載の有機発光素子。
［１６］ 前記電荷輸送材料を正孔障壁層に含む、［１４］に記載の有機発光素子。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have discovered that a compound having a specific structure is useful as a charge transport material, and have provided the present invention. The invention disclosed in this specification includes inventions having at least the following configurations.
[1] A charge transport material represented by the following general formula (1).
One of R 1 to R 5 represents a cyano group,
2 to 4 of R 1 to R 5 represent a group represented by the following general formula (2),
The remaining R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen atom or a substituent other than the group represented by the following general formula (2) and the cyano group. ]
X represents O or S, one of X 1 to X 4 represents C-(L)n-*, and the other X 1 to X 4 and X 5 to X 8 each independently represent N or Represents C(R 8 ). Here, L represents a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group, n represents any integer from 0 to 2, and when n is 2, two L They may be the same or different. * represents the bonding position to the benzene ring in general formula (1), and R 8 represents a hydrogen atom or a substituent.
However, when X 2 is C-*, X 7 or X 8 is never CN(Ar 1 )(Ar 2 ). Here, Ar 1 and Ar 2 are each independently substituted or unsubstituted aryl groups, and Ar 1 and Ar 2 may be linked to each other to form a cyclic structure. ]
[2] The charge transport material according to [1], wherein R 3 is a cyano group.
[3] The charge transport material according to [1] or [2], wherein R 1 and R 4 are groups represented by the general formula (2).
[4] The charge transport material according to any one of [1] to [3], which has a group represented by general formula (2) in which X is S.
[5] The charge transport material according to any one of [ 1 ] to [4], which has a group represented by general formula (2) in which
[6] The charge transport material according to any one of [1] to [5], which has a group represented by general formula (2) where n in C-(L)n-* is 0.
[7] Having a group represented by general formula (2) in which 5 or more of X 1 to X 4 and X 5 to X 8 other than C-(L)n-* are C(R 8 ) , the charge transport material according to any one of [1] to [6].
[8] Any one of [1] to [7] having a group represented by general formula (2) in which all of X 1 to X 4 other than C-(L)n-* are C(R 8 ) Charge transport material according to
[9] The charge transport material according to any one of [1] to [8], which has a group represented by general formula (2) in which X 5 to X 8 are all C(R 8 ).
[10] The charge transport material according to any one of [1] to [9], which is a host material.
[11] The charge transport material according to any one of [1] to [10], which is a hole blocking material.
[12] A compound represented by the following general formula (1a).
One of R 1 ' to R 5 ' represents a cyano group,
Two or three of R 1 ' to R 5 ' represent a group represented by the following general formula (2),
The remaining R 1 ′ to R 5 ′ each independently represent a hydrogen atom or a substituent other than the group represented by the following general formula (2) and the cyano group. ]
X represents O or S, one of X 1 to X 4 represents C-(L)n-*, and the other X 1 to X 4 and X 5 to X 8 each independently represent N or Represents C(R 8 ). Here, L represents a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group, n represents any integer from 0 to 2, and when n is 2, two L They may be the same or different. * represents the bonding position to the benzene ring in general formula (1), and R 8 represents a hydrogen atom or a substituent.
However, X 2 is never CN(Ar 1 )(Ar 2 ), and X 3 is never CN(Ar 1 )(Ar 2 ). Here, Ar 1 and Ar 2 are each independently substituted or unsubstituted aryl groups, and Ar 1 and Ar 2 may be linked to each other to form a cyclic structure. ]
[13] An organic light emitting device comprising the charge transport material according to any one of [1] to [11].
[14] The organic light emitting device according to [13], which is an organic electroluminescent device.
[15] The organic compound according to [14], wherein the charge transport material is included in a light emitting layer, and the light emitting layer contains a light emitting material (provided that the light emitting material is not a compound represented by the general formula (1)). Light emitting element.
[16] The organic light emitting device according to [14], wherein the charge transporting material is included in the hole blocking layer.
一般式（１）で表される化合物は、電荷輸送材料として有用である。このため、一般式（１）で表される化合物を電荷輸送材料として用いた有機発光素子は、高い発光効率と長い寿命を実現しうる。 The compound represented by general formula (1) is useful as a charge transport material. Therefore, an organic light emitting device using the compound represented by the general formula (1) as a charge transport material can achieve high luminous efficiency and long life.
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明に用いられる化合物の分子内に存在する水素原子の同位体種は特に限定されず、例えば分子内の水素原子がすべて１Ｈであってもよいし、一部または全部が２Ｈ（デューテリウムＤ）であってもよい。 The content of the present invention will be explained in detail below. Although the explanation of the constituent elements described below may be made based on typical embodiments and specific examples of the present invention, the present invention is not limited to such embodiments and specific examples. In addition, in this specification, a numerical range expressed using "~" means a range that includes the numerical values written before and after "~" as a lower limit value and an upper limit value. Further, the isotopic species of hydrogen atoms present in the molecule of the compound used in the present invention is not particularly limited. For example, all the hydrogen atoms in the molecule may be 1 H, or some or all of the hydrogen atoms may be 2 H. (Deuterium D) may also be used.
［一般式（１）で表される化合物］
本発明は、一般式（１）で表される化合物に関する。
The present invention relates to a compound represented by general formula (1).
一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ５のうちの１個がシアノ基を表す。シアノ基はＲ１であってもよいし、Ｒ２であってもよいし、Ｒ３であってもよい。また、Ｒ１かＲ３のいずれかであってもよいし、Ｒ２かＲ３のいずれかであってもよい。
また、一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ５のうちの２個が下記一般式（２）で表される基を表すか、Ｒ１～Ｒ５のうちの３個が下記一般式（２）で表される基を表すか、Ｒ１～Ｒ５のうちの４個が下記一般式（２）で表される基を表す。一般式（２）で表される基が２個であるとき、その２個はＲ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ５、Ｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ４のいずれであってもよい。例えば、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ５、Ｒ２とＲ４のいずれかを選択してもよい。また、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ５のいずれかを選択してもよい。また、Ｒ１とＲ３、Ｒ２とＲ３のいずれかを選択してもよい。一般式（２）で表される基が３個であるとき、その３個はＲ１とＲ２とＲ３、Ｒ１とＲ２とＲ４、Ｒ１とＲ２とＲ５、Ｒ１とＲ３とＲ４、Ｒ１とＲ３とＲ５、Ｒ２とＲ３とＲ４のいずれであってもよい。例えば、Ｒ１とＲ２とＲ４、Ｒ１とＲ２とＲ５のいずれかを選択してもよい。また、Ｒ１とＲ２とＲ３、Ｒ１とＲ３とＲ４、Ｒ１とＲ３とＲ５、Ｒ２とＲ３とＲ４のいずれかを選択してもよい。一般式（２）で表される基が４個であるとき、その４個はＲ１とＲ２とＲ３とＲ４、Ｒ１とＲ２とＲ３とＲ５、Ｒ１とＲ２とＲ４とＲ５のいずれであってもよい。一般式（２）で表される基の数は、例えば２個または３個のいずれかにしてもよい。
In general formula (1), one of R 1 to R 5 represents a cyano group. The cyano group may be R1 , R2 , or R3 . Further, it may be either R 1 or R 3 , or it may be either R 2 or R 3 .
Furthermore, in general formula (1), two of R 1 to R 5 represent a group represented by the following general formula (2), or three of R 1 to R 5 represent a group represented by the following general formula ( 2), or four of R 1 to R 5 represent a group represented by the following general formula (2). When there are two groups represented by general formula (2), the two groups are R 1 and R 2 , R 1 and R 3 , R 1 and R 4 , R 1 and R 5 , R 2 and R 3 , R 2 or R 4 . For example, any one of R 1 and R 2 , R 1 and R 4 , R 1 and R 5 , and R 2 and R 4 may be selected. Further, either R 1 and R 4 or R 1 and R 5 may be selected. Further, either R 1 and R 3 or R 2 and R 3 may be selected. When there are three groups represented by general formula (2), the three groups are R 1 and R 2 and R 3 , R 1 and R 2 and R 4 , R 1 and R 2 and R 5 , and R 1 and R 3 and R 4 , R 1 and R 3 and R 5 , and R 2 and R 3 and R 4 . For example, R 1 , R 2 and R 4 or R 1 , R 2 and R 5 may be selected. Furthermore, any one of R 1 and R 2 and R 3 , R 1 and R 3 and R 4 , R 1 and R 3 and R 5 , and R 2 and R 3 and R 4 may be selected. When there are four groups represented by general formula (2), the four groups are R 1 and R 2 and R 3 and R 4 , R 1 and
シアノ基と一般式（２）で表される基の組み合わせの具体例を以下に例示する。Ｒ１がシアノ基である場合については、一般式（２）で表される基は、Ｒ２のみ、Ｒ３のみ、Ｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ４、Ｒ２とＲ５、Ｒ３とＲ４、Ｒ２とＲ３とＲ４、Ｒ２とＲ３とＲ５、Ｒ２とＲ３とＲ４とＲ５のいずれであってもよい。Ｒ２がシアノ基である場合については、一般式（２）で表される基は、Ｒ１のみ、Ｒ３のみ、Ｒ４のみ、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ３とＲ４、Ｒ３とＲ５、Ｒ１とＲ３とＲ４、Ｒ１とＲ３とＲ５、Ｒ３とＲ４とＲ５、Ｒ１とＲ３とＲ４とＲ５のいずれであってもよい。例えば、Ｒ２がシアノ基であるとき、一般式（２）で表される基は、Ｒ１のみ、Ｒ３のみ、Ｒ４のみ、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ３とＲ４、Ｒ３とＲ５、Ｒ１とＲ３とＲ４、Ｒ１とＲ３とＲ５、Ｒ３とＲ４とＲ５のいずれかにしてもよい。また、Ｒ２がシアノ基であるとき、一般式（２）で表される基は、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ３とＲ４、Ｒ３とＲ５、Ｒ１とＲ３とＲ４、Ｒ１とＲ３とＲ５、Ｒ３とＲ４とＲ５のいずれかにしてもよい。Ｒ３がシアノ基である場合については、一般式（２）で表される基は、Ｒ１のみ、Ｒ２のみ、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ２とＲ４、Ｒ１とＲ２とＲ５、Ｒ１とＲ２とＲ４とＲ５のいずれであってもよい。例えば、Ｒ３がシアノ基であるとき、一般式（２）で表される基は、Ｒ１のみ、Ｒ２のみ、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ２とＲ４、Ｒ１とＲ２とＲ５のいずれかにしてもよい。また、Ｒ３がシアノ基であるとき、一般式（２）で表される基は、Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ３、Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３、Ｒ１とＲ２とＲ４、Ｒ１とＲ２とＲ５のいずれかにしてもよい。好ましい組み合わせの態様として、例えばＲ３がシアノ基であって、Ｒ１とＲ４が一般式（２）で表される基である場合を例示することができる。
Specific examples of combinations of a cyano group and a group represented by general formula (2) are illustrated below. When R 1 is a cyano group, the groups represented by general formula (2) include only R 2 , only R 3 , R 2 and R 3 , R 2 and R 4 , R 2 and R 5 , R 3 and R 4 , R 2 and R 3 and R 4 , R 2 and R 3 and R 5 , and R 2 and R 3 and R 4 and R 5 . When R 2 is a cyano group, the group represented by general formula (2) is R 1 only, R 3 only, R 4 only, R 1 and R 3 , R 1 and R 4 , R 3 and R 4 , R 3 and R 5 , R 1 and R 3 and R 4 , R 1 and R 3 and R 5 , R 3 and R 4 and R 5 , R 1 and R 3 and R 4 and R 5 There may be. For example, when R 2 is a cyano group, the groups represented by general formula (2) include only R 1 , only R 3 , only R 4 , R 1 and R 3 , R 1 and R 4 , R 3 and Any of R 4 , R 3 and R 5 , R 1 and R 3 and R 4 , R 1 and R 3 and R 5 , and R 3 and R 4 and R 5 may be used. Furthermore, when R 2 is a cyano group, the groups represented by general formula (2) are R 1 and R 3 , R 1 and R 4 , R 3 and R 4 , R 3 and R 5 , R 1 and It may be R 3 and R 4 , R 1 and R 3 and R 5 , or R 3 and R 4 and R 5 . When R 3 is a cyano group, the groups represented by general formula (2) include R 1 only, R 2 only, R 1 and R 2 , R 1 and R 3 , R 1 and R 4 , R 2 and R 3 , R 1 and R 2 and R 4 , R 1 and R 2 and R 5 , and R 1 and R 2 and R 4 and R 5 . For example, when R 3 is a cyano group, the groups represented by general formula (2) include only R 1 , only R 2 , R 1 and R 2 , R 1 and R 3 , R 1 and R 4 , R 2 and R 3 , R 1 and R 2 and R 4 , or R 1 and R 2 and R 5 . Furthermore, when R 3 is a cyano group, the groups represented by general formula (2) are R 1 and R 2 , R 1 and R 3 ,
一般式（２）において、ＸはＯまたはＳを表す。ＸはＳであることが好ましいが、ＺとしてＯを選択することもできる。
Ｘ１～Ｘ４のうちの１つはＣ－（Ｌ）ｎ－＊を表し、それ以外のＸ１～Ｘ４およびＸ５～Ｘ８は各々独立にＮまたはＣ（Ｒ８）を表す。Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊であるものはＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４のいずれであってもよいが、Ｘ１またはＸ４であることが好ましく、Ｘ１であることがより好ましい。＊は、一般式（１）のベンゼン環への結合位置を表す。
Ｌは、置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。Ｌとして置換もしくは無置換のアリーレン基を好ましく選択することができるが、Ｌとして置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基を選択してもよい。ここでいうアリーレン基とヘテロアリーレン基は、単環構造であってもよいし、２以上の環が縮合した構造であってもよい。２以上の環が縮合した構造であるとき、縮合する環の数は２～４であることが好ましく、２または３であることがより好ましく、２であることがさらに好ましい。Ｌの具体例として、１，２－フェニレン基、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基、２，３－ピリジンジイル基、２，４－ピリジンジイル基、２，５－ピリジンジイル基、２，６－ピリジンジイル基、３，５－ピリジンジイル基、２，５－ピリミジンジイル基、２，３－ピラジンジイル基、２，５－ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、１，４－ナフタレンジイル基、１，５－ナフタレンジイル基、２，６－ナフタレンジイル基、２，６－キノリンジイル基、４，８－キノリンジイル基、［１，５］ナフチリジン－２，６－ジイル基、［１，５］ナフチリジン－４，８－ジイル基を例示することができる。これらの中では、１，２－フェニレン基、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基、２，５－ピリジンジイル基、２，６－ピリジンジイル基、３，５－ピリジンジイル基、２，５－ピラジンジイル基、２，６－ナフタレンジイル基、２，６－キノリンジイル基、［１，５］ナフチリジン－２，６－ジイル基が好ましい。これらの例示した基に存在する水素原子は置換されていてもよい。Ｌが表すアリーレン基やヘテロアリーレン基が置換基を有するとき、その置換基は例えばシアノ基以外の置換基から構成される群の中から選択してもよい。好ましい置換基として、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基を例示することができる。ここでいうアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基に置換する置換基として好ましいものは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基である。置換基としてより好ましいものは、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基であり、さらに置換基として好ましいものは、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基である。
In general formula (2), X represents O or S. Preferably, X is S, but O can also be selected as Z.
One of X 1 to X 4 represents C-(L)n-*, and the other X 1 to X 4 and X 5 to X 8 each independently represent N or C(R 8 ). C-(L)n-* may be any of X 1 , X 2 , X 3 , and X 4 , but preferably X 1 or X 4 , more preferably X 1 preferable. * represents the bonding position to the benzene ring in general formula (1).
L represents a substituted or unsubstituted arylene group or a substituted or unsubstituted heteroarylene group. Although a substituted or unsubstituted arylene group can be preferably selected as L, a substituted or unsubstituted heteroarylene group may also be selected as L. The arylene group and heteroarylene group herein may have a monocyclic structure or a structure in which two or more rings are condensed. When the structure has two or more fused rings, the number of fused rings is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3, and even more preferably 2. Specific examples of L include 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-phenylene group, 2,3-pyridinediyl group, 2,4-pyridinediyl group, 2,5-pyridinediyl group , 2,6-pyridinediyl group, 3,5-pyridinediyl group, 2,5-pyrimidinediyl group, 2,3-pyridinediyl group, 2,5-pyridinediyl group, triazinediyl group, 1,4-naphthalenediyl group , 1,5-naphthalenediyl group, 2,6-naphthalenediyl group, 2,6-quinolinediyl group, 4,8-quinolinediyl group, [1,5]naphthyridine-2,6-diyl group, [1,5] An example is naphthyridine-4,8-diyl group. Among these, 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-phenylene group, 2,5-pyridinediyl group, 2,6-pyridinediyl group, 3,5-pyridinediyl group, 2,5-pyrazinediyl group, 2,6-naphthalenediyl group, 2,6-quinolinediyl group, and [1,5]naphthyridine-2,6-diyl group are preferred. Hydrogen atoms present in these exemplified groups may be substituted. When the arylene group or heteroarylene group represented by L has a substituent, the substituent may be selected, for example, from the group consisting of substituents other than the cyano group. Preferred substituents include substituted or unsubstituted alkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups, substituted or unsubstituted heteroaryl groups, substituted or unsubstituted alkoxy groups, substituted or unsubstituted aryloxy groups, and substituted or unsubstituted aryloxy groups. Examples include substituted heteroaryloxy groups. Preferred substituents for the alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, aryloxy group, and heteroaryloxy group are the alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, and aryloxy group. , is a heteroaryloxy group. More preferable substituents are substituted or unsubstituted alkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups, substituted or unsubstituted heteroaryl groups, and even more preferable substituents are substituted or unsubstituted alkyl groups. , a substituted or unsubstituted aryl group.
ｎは０であっても、１であっても、２であってもよいが、０または１であることが好ましく、０であってもよい。０であるときはＣ－（Ｌ）ｎ－＊はＣ－＊を表す。分子内に２つ以上存在する一般式（２）で表される基は、そのすべてのｎが０であってもよい。また、そのすべてのｎが１であっても、そのすべてのｎが２であってもよい。さらに、一部のｎが０であってもよい。あるいは、一部のｎが１であっても、一部のｎが２であってもよい。例えば、分子内にｎが０の基とｎが１の基が混在していてもよい。ｎが２であるとき、分子内に存在する２つのＬは同一であっても異なっていてもよい。このため、ｎが２であるときの－（Ｌ）ｎ－は、同一の置換もしくは無置換のアリーレン基が２つ連結したものであってもよく、異なる置換もしくは無置換のアリーレン基が２つ連結したものであってもよく、同一の置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基が２つ連結したものであってもよく、異なる置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基が２つ連結したものであってもよく、置換もしくは無置換のアリーレン基と置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基が連結したものであってもよい。ｎが２であるときの－（Ｌ）ｎ－として、２，２’－ビフェニルジイル基、３，３’－ビフェニルジイル基、４，４’－ビフェニルジイル基、３，４’－ビフェニルジイル基を例示することができる。これらの例示した基に存在する水素原子は置換されていてもよい。
－（Ｌ）ｎ－の具体例として、以下の構造を挙げることができる。以下の具体例における＊は、結合する位置を表す。
Specific examples of -(L)n- include the following structures. * in the following specific examples represents the bonding position.
上記の具体例の中で好ましいものは、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ７、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１２、Ｌ１７、Ｌ１８、Ｌ１９、Ｌ２２、Ｌ２６、Ｌ２９、Ｌ３１であり、より好ましいものはＬ２、Ｌ７、Ｌ１７、Ｌ１８、Ｌ１９、Ｌ２２である。 Among the above specific examples, preferred are L1, L2, L3, L7, L8, L9, L12, L17, L18, L19, L22, L26, L29, L31, and more preferred are L2, L7, L17. , L18, L19, and L22.
Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊以外のＸ１～Ｘ４とＸ５～Ｘ８は各々独立にＮまたはＣ（Ｒ８）を表す。Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊以外のＸ１～Ｘ４とＸ５～Ｘ８のうち、Ｃ（Ｒ８）であるものは、０～７個であり、３～７個であることが好ましく、５～７個であることがより好ましく、７個であってもよい。Ｃ－（Ｌ）ｎ－＊以外のＸ１～Ｘ４のうちＣ（Ｒ８）であるものは、０～３個であり、１～３個であることが好ましく、１または３個であることがより好ましく、３個であることがさらに好ましい。好ましい態様として、Ｘ１がＣ（Ｒ８）、Ｘ２とＸ４がＮ、Ｘ３がＣ－（Ｌ）ｎ－＊であるもの；Ｘ１がＣ－（Ｌ）ｎ－＊、Ｘ２とＸ３とＸ４がＣ（Ｒ８）であるもの；Ｘ２がＣ－（Ｌ）ｎ－＊、Ｘ１とＸ３とＸ４がＣ（Ｒ８）であるもの；Ｘ３がＣ－（Ｌ）ｎ－＊、Ｘ１とＸ２とＸ４がＣ（Ｒ８）であるもの；Ｘ４がＣ－（Ｌ）ｎ－＊、Ｘ１とＸ２とＸ３がＣ（Ｒ８）であるものを例示することができる。また、Ｘ５～Ｘ８のうちＣ（Ｒ８）であるものは、０～４個であり、２～４個であることが好ましく、３または４個であることがより好ましい。好ましい態様として、Ｘ５がＮ、Ｘ６とＸ７とＸ８がＣ（Ｒ８）であるもの；Ｘ７がＮ、Ｘ５とＸ６とＸ８がＣ（Ｒ８）であるもの；Ｘ８がＮ、Ｘ５とＸ６とＸ７がＣ（Ｒ８）であるもの；Ｘ５とＸ６とＸ７とＸ８がＣ（Ｒ８）であるものを例示することができる。 X 1 to X 4 and X 5 to X 8 other than C-(L)n-* each independently represent N or C(R 8 ). Among X 1 to X 4 and X 5 to X 8 other than C-(L)n-*, the number of C(R 8 ) is 0 to 7, preferably 3 to 7. , more preferably 5 to 7 pieces, and may be 7 pieces. Among X 1 to X 4 other than C-(L)n-*, the number of C(R 8 ) is 0 to 3, preferably 1 to 3, and 1 or 3. More preferably, the number is three. In a preferred embodiment, X 1 is C(R 8 ), X 2 and X 4 are N, and X 3 is C-(L)n-*; X 1 is C-(L)n-*, X 2 and X 3 and X 4 are C(R 8 ); X 2 is C-(L)n-* , X 1 , X 3 and X 4 are C(R 8 ); -(L)n-*, X 1, X 2 and X 4 are C ( R 8 ); 8 ) can be exemplified. Further, the number of C(R 8 ) among X 5 to X 8 is 0 to 4, preferably 2 to 4, and more preferably 3 or 4. As a preferred embodiment, X 5 is N, and X 6 , X 7 and X 8 are C(R 8 ); X 7 is N, and X 5 , X 6 and X 8 are C(R 8 ); Examples include those in which X 8 is N, and X 5 , X 6 and X 7 are C(R 8 ); and those in which X 5 , X 6 , X 7 and X 8 are C(R 8 ).
例えば、好ましい一群として、Ｘ１～Ｘ４の一つがＣ－（Ｌ）ｎ－＊であって、残りのＸ１～Ｘ４がＣ（Ｒ８）であり、なおかつ、Ｘ５～Ｘ８のうち、Ｘ５のみ、Ｘ６のみ、Ｘ７のみ、Ｘ８のみ、Ｘ５とＸ６、Ｘ５とＸ７、Ｘ５とＸ８、Ｘ６とＸ７、Ｘ６とＸ８、Ｘ７とＸ８、Ｘ５とＸ６とＸ７、Ｘ５とＸ６とＸ８、Ｘ５とＸ７とＸ８、Ｘ６とＸ７とＸ８、Ｘ５とＸ６とＸ７とＸ８がＣ（Ｒ８）であって残りがＮであるものを挙げることができる。中でもより好ましい一群として、Ｘ１～Ｘ４の一つがＣ－（Ｌ）ｎ－＊であって、残りのＸ１～Ｘ４がＣ（Ｒ８）であり、なおかつ、Ｘ５～Ｘ８のうち、Ｘ５とＸ６とＸ７、Ｘ５とＸ６とＸ８、Ｘ６とＸ７とＸ８、Ｘ５とＸ６とＸ７とＸ８がＣ（Ｒ８）であって残りがＮであるものを挙げることができる。
他の好ましい一群として、Ｘ５～Ｘ８がＣ（Ｒ８）であって、Ｘ１～Ｘ４の一つがＣ－（Ｌ）ｎ－＊であって、残りのＸ１～Ｘ４がＣ（Ｒ８）またはＮであるものを挙げることができる。より好ましい一群として、Ｘ５～Ｘ８がＣ（Ｒ８）であって、Ｘ１～Ｘ４の一つがＣ－（Ｌ）ｎ－＊であって、残りのＸ１～Ｘ４がＣ（Ｒ８）であるか、あるいは、Ｘ５～Ｘ８がＣ（Ｒ８）であって、Ｘ３がＣ－（Ｌ）ｎ－＊であって、Ｘ１がＣ（Ｒ８）であって、Ｘ２とＸ４がＮであるものを挙げることができる。
Ｃ（Ｒ８）のＲ８は水素原子または置換基を表す。好ましい置換基として、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基を挙げることができる。ここでいうアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基に置換する置換基として好ましいものは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基である。Ｒ８としてより好ましいものは、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基である。分子中に存在するすべてのＲ８が水素原子であってもよい。
For example, as a preferable group, one of X 1 to X 4 is C-(L)n-*, the remaining X 1 to X 4 are C(R 8 ), and one of X 5 to X 8 is Of these, only X 5 , only X 6 , only X 7 , only X 8 , X 5 and X 6 , X 5 and X 7 , X 5 and X 8 , X 6 and X 7 , X 6 and X 8 , X 7 and X 8 , X 5 and X 6 and X 7 , X 5 and X 6 and X 8 , X 5 and X 7 and X 8 , X 6 and X 7 and Examples include those in which 8 is C(R 8 ) and the remainder is N. Among them, as a more preferable group, one of X 1 to X 4 is C-(L)n-*, the remaining X 1 to X 4 are C(R 8 ), and one of X 5 to X 8 is Of these, X 5 , X 6 and X 7 , X 5 , X 6 and X 8 , X 6 , X 7 and X 8 , X 5 , X 6 , X 7 and X 8 are C(R 8 ) and the rest is N.
Another preferred group is that X 5 to X 8 are C(R 8 ), one of X 1 to X 4 is C-(L)n-*, and the remaining X 1 to X 4 are C (R 8 ) or N may be mentioned. As a more preferable group, X 5 to X 8 are C(R 8 ), one of X 1 to X 4 is C-(L)n-*, and the remaining X 1 to X 4 are C( R 8 ), or X 5 to X 8 are C(R 8 ), X 3 is C-(L)n-*, and X 1 is C(R 8 ), , X 2 and X 4 are N.
R 8 of C(R 8 ) represents a hydrogen atom or a substituent. Preferred substituents include substituted or unsubstituted alkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups, substituted or unsubstituted heteroaryl groups, substituted or unsubstituted alkoxy groups, substituted or unsubstituted aryloxy groups, and substituted or unsubstituted aryloxy groups. Mention may be made of substituted heteroaryloxy groups. Preferred substituents for the alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, aryloxy group, and heteroaryloxy group are the alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, and aryloxy group. , is a heteroaryloxy group. More preferable R 8 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted aryl group. All R 8 present in the molecule may be hydrogen atoms.
一般式（２）で表される基の好ましい具体例を以下に例示する。＊は一般式（１）のベンゼン環への結合位置を表す。
上記の具体例の中で好ましいものは、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０、Ｂ１２、Ｂ１７、Ｂ１８、Ｂ１９であり、より好ましいものはＢ６、Ｂ８、Ｂ１７、Ｂ１８である。 Among the above specific examples, preferred are B1, B2, B3, B4, B5, B6, B7, B8, B9, B10, B12, B17, B18, and B19, and more preferred are B6, B8, and B17. , B18.
一般式（１）のＲ１～Ｒ５のうちの１～３個はシアノ基を表し、Ｒ１～Ｒ５のうちの２～４個は一般式（２）で表される基を表し、残りのＲ１～Ｒ５はシアノ基でも一般式（２）で表される基でもない基であるか、水素原子を表す。残りのＲ１～Ｒ５の個数は０であってもよいし、１個であってもよいし、２個であってもよい。
残りのＲ１～Ｒ５としては、水素原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロアリール基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールオキシ基を挙げることができる。ここでいうアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基に置換する置換基として好ましいものは、ヒドロキシル基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基である。残りのＲ１～Ｒ５としてより好ましいものは、水素原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基である。残りのＲ１～Ｒ５は、そのすべてが水素原子または無置換のアルキル基であってもよく、また、残りのＲ１～Ｒ５のすべてが水素原子であってもよい。
1 to 3 of R 1 to R 5 in general formula (1) represent a cyano group, and 2 to 4 of R 1 to R 5 represent a group represented by general formula (2), The remaining R 1 to R 5 are neither a cyano group nor a group represented by general formula (2), or represent a hydrogen atom. The remaining number of R 1 to R 5 may be 0, 1, or 2.
The remaining R 1 to R 5 include a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heteroaryl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group. Alternatively, examples thereof include an unsubstituted aryloxy group and a substituted or unsubstituted heteroaryloxy group. Preferred substituents for the alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, aryloxy group, and heteroaryloxy group here include hydroxyl group, alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, They are an aryloxy group and a heteroaryloxy group. The remaining R 1 to R 5 are more preferably a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted aryloxy group. It is the basis. All of the remaining R 1 to R 5 may be hydrogen atoms or unsubstituted alkyl groups, or all of the remaining R 1 to R 5 may be hydrogen atoms.
なお、本明細書において「アルキル基」は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、直鎖部分と環状部分と分枝部分のうちの２種以上が混在していてもよい。好ましいのは、直鎖状または分枝状である。アルキル基の炭素数は、例えば１以上、２以上、４以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、２０以下、１０以下、６以下、４以下とすることができる。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、tert－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｎ－ノニル基、イソノニル基、ｎ－デカニル基、イソデカニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基を挙げることができる。
本明細書において「アリール基」は、芳香族炭化水素環１つだけからなる基であってもよいし、置換基としての結合手を有する芳香族炭化水素環に１つ以上の環が縮合した基であってもよい。芳香族炭化水素環に１つ以上の環が縮合した基である場合は、芳香族炭化水素環、脂肪族炭化水素環および非芳香族複素環のうちの１以上が芳香族炭化水素環に縮合した基を採用することができる。アリール基の炭素数は、例えば６以上、１０以上とすることができる。また、炭素数は３０以下、１８以下、１４以下、１０以下とすることができる。アリール基の具体例として、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基を挙げることができる。
本明細書でいう「ヘテロアリール基」は、環骨格構成原子としてヘテロ原子を含む芳香環（ヘテロ芳香環）１つだけからなる基であってもよいし、置換基としての結合手を有するヘテロ芳香環に１つ以上の環が縮合した基であってもよい。ヘテロ芳香環に１つ以上の環が縮合した基である場合は、芳香族炭化水素環、脂肪族炭化水素環および非芳香族複素環のうちの１以上が芳香族炭化水素環に縮合した基を採用することができる。ヘテロアリール基の環骨格構成原子数は、例えば５以上、６以上、１０以上とすることができる。また、環骨格構成原子数は３０以下、１８以下、１４以下、１０以下とすることができる。環骨格構成原子を構成するヘテロ原子として、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を例示することができる。ヘテロアリール基を構成する環の具体例として、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、ピラジン環、キノキサリン環、ナフチリジン環を挙げることができる。
本明細書でいう「アルコキシ基」のアルキル部分については、上記のアルキル基の定義と説明を参照することができる。
本明細書でいう「アリールオキシ基」のアリール部分については、上記のアリール基の定義と説明を参照することができる。
本明細書でいう「ヘテロアリールオキシ基」のアリール部分については、上記のヘテロアリール基の定義と説明を参照することができる。
In this specification, the "alkyl group" may be linear, branched, or cyclic. Moreover, two or more types of the linear part, the cyclic part, and the branched part may coexist. Preferably, it is linear or branched. The number of carbon atoms in the alkyl group can be, for example, 1 or more, 2 or more, or 4 or more. Further, the number of carbon atoms can be 30 or less, 20 or less, 10 or less, 6 or less, or 4 or less. Specific examples of alkyl groups include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, Examples include 2-ethylhexyl group, n-heptyl group, isoheptyl group, n-octyl group, isooctyl group, n-nonyl group, isononyl group, n-decanyl group, isodecanyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, and cycloheptyl group. can.
In this specification, the "aryl group" may be a group consisting of only one aromatic hydrocarbon ring, or a group consisting of one or more rings fused to an aromatic hydrocarbon ring having a bond as a substituent. It may be a base. In the case of a group in which one or more rings are fused to an aromatic hydrocarbon ring, one or more of the aromatic hydrocarbon ring, aliphatic hydrocarbon ring, and non-aromatic heterocycle is fused to the aromatic hydrocarbon ring. The following groups can be adopted. The number of carbon atoms in the aryl group can be, for example, 6 or more, or 10 or more. Further, the number of carbon atoms can be 30 or less, 18 or less, 14 or less, or 10 or less. Specific examples of the aryl group include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, and 9-anthracenyl group.
The "heteroaryl group" as used herein may be a group consisting of only one aromatic ring (hetero aromatic ring) containing a hetero atom as a ring skeleton atom, or a heteroaryl group having a bond as a substituent. It may also be a group in which one or more rings are fused to an aromatic ring. In the case of a group in which one or more rings are fused to a heteroaromatic ring, a group in which one or more of an aromatic hydrocarbon ring, an aliphatic hydrocarbon ring, and a non-aromatic heterocycle is fused to an aromatic hydrocarbon ring. can be adopted. The number of atoms constituting the ring skeleton of the heteroaryl group can be, for example, 5 or more, 6 or more, or 10 or more. Further, the number of atoms constituting the ring skeleton can be 30 or less, 18 or less, 14 or less, or 10 or less. Examples of the heteroatoms constituting the ring skeleton atoms include nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. Specific examples of the ring constituting the heteroaryl group include a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a quinoline ring, a pyrazine ring, a quinoxaline ring, and a naphthyridine ring.
Regarding the alkyl portion of the "alkoxy group" used herein, the above definition and explanation of the alkyl group can be referred to.
Regarding the aryl moiety of the "aryloxy group" as used herein, the above definition and explanation of the aryl group can be referred to.
Regarding the aryl moiety of the "heteroaryloxy group" used herein, the above definition and explanation of the heteroaryl group can be referred to.
一般式（１）のＸ２がＣ－＊であるとき、Ｘ７またはＸ８がＣ－Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２）であることはない。ここで、Ａｒ１およびＡｒ２は各々独立に置換もしくは無置換のアリール基であり、Ａｒ１とＡｒ２は互いに連結して環状構造を形成していてもよい。ここでいう環状構造を形成している場合として、例えば、－Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２）が置換もしくは無置換のカルバゾール－９－イル基である場合が含まれる。
一般式（１）で表される化合物の一群として、分子内にカルバゾール環を含まない化合物群を挙げることができる。
一般式（１）で表される化合物の一群として、分子内にジベンゾチオフェンまたはジベンゾフラン以外の３環構造（３つの環が縮合した構造）を含まない化合物群を挙げることができる。また、一般式（１）で表される化合物の一群として、分子内にジベンゾフラン以外の３環構造を含まない化合物群や、分子内にジベンゾチオフェン以外の３環構造を含まない化合物群を挙げることもできる。
一般式（１）で表される化合物の一群として、シアノ基を分子内に２つ有する化合物群を挙げることができる。
When X 2 in general formula (1) is C-*, X 7 or X 8 is never CN(Ar 1 )(Ar 2 ). Here, Ar 1 and Ar 2 are each independently substituted or unsubstituted aryl groups, and Ar 1 and Ar 2 may be linked to each other to form a cyclic structure. The case where the cyclic structure is formed includes, for example, the case where -N(Ar 1 )(Ar 2 ) is a substituted or unsubstituted carbazol-9-yl group.
As a group of compounds represented by general formula (1), there can be mentioned a group of compounds that do not contain a carbazole ring in the molecule.
As a group of compounds represented by the general formula (1), there can be mentioned a group of compounds that do not contain a three-ring structure (a structure in which three rings are condensed) other than dibenzothiophene or dibenzofuran in the molecule. In addition, as a group of compounds represented by general formula (1), there may be mentioned a group of compounds that do not contain a 3-ring structure other than dibenzofuran in the molecule, and a group of compounds that do not contain a 3-ring structure other than dibenzothiophene in the molecule. You can also do it.
As a group of compounds represented by general formula (1), there can be mentioned a group of compounds having two cyano groups in the molecule.
一般式（１）で表される化合物のうち、下記一般式（１ａ）で表される化合物は新規化合物である。
一般式（１ａ）において、Ｒ１’～Ｒ５’のうちの１個はシアノ基を表し、Ｒ１’～Ｒ５’のうちの２個または３個は、下記一般式（２）で表される基を表し、残りのＲ１’～Ｒ５’は、各々独立に水素原子、または、下記一般式（２）で表される基とシアノ基以外の置換基を表す。
Ｒ１’～Ｒ５’、一般式（２）、残りのＲ１’～Ｒ５ ’の説明と好ましい範囲については、上記の一般式（１）の説明におけるＲ１～Ｒ５、一般式（２）、残りのＲ１～Ｒ５の説明と好ましい範囲を参照することができる。Ｒ１’～Ｒ５’のうち一般式（２）で表される基の数が２個または３個である場合の説明と好ましい範囲については、一般式（１）のＲ１～Ｒ５のうち一般式（２）で表される基の数が２個または３個である場合の説明と好ましい範囲を参照することができる。
In general formula (1a), one of R 1 ' to R 5 ' represents a cyano group, and two or three of R 1 ' to R 5 ' represent the following general formula (2). The remaining R 1 ′ to R 5 ′ each independently represent a hydrogen atom or a substituent other than the group represented by the following general formula (2) and the cyano group.
Regarding the explanation and preferred range of R 1 ' to R 5 ', general formula (2), and the remaining R 1 ' to R 5 ', refer to R 1 to R 5 in the above description of general formula (1), general formula ( 2), the explanations and preferred ranges of the remaining R 1 to R 5 can be referred to. Regarding the explanation and preferred range when the number of groups represented by general formula (2) among R 1 ' to R 5 ' is 2 or 3, please refer to R 1 to R 5 of general formula (1). Among them, the explanation and preferred range in the case where the number of groups represented by the general formula (2) is 2 or 3 can be referred to.
以下の表において、一般式（１）で表される化合物の具体例を挙げる。本発明で採用することができる一般式（１）で表される化合物はこれらの具体例によって限定的に解釈されることはなく、例えば特願２０１８－２０４２６２号明細書に掲載される化合物１～２８２０のうち、下記の表に記載されていない化合物も採用することができる。なお、以下の表においてＲ１～Ｒ５は一般式（１）におけるＲ１～Ｒ５を表す。（Ｌ）ｎは、各化合物のＲ１～Ｒ５が（Ｌ）ｎを含むとき、その（Ｌ）ｎを表す。化合物が２個以上の（Ｌ）ｎ［ここでのｎは１以上］を有するとき、当該２個以上の（Ｌ）ｎはすべて同じ連結基を表す。なお、表ではｎが０のとき、すなわちＬが単結合であるときは「single bond」と表示している。 In the table below, specific examples of the compound represented by general formula (1) are listed. The compounds represented by the general formula (1) that can be employed in the present invention are not limitedly interpreted by these specific examples, and include, for example, compounds 1 to 1 listed in Japanese Patent Application No. 2018-204262. Among 2820, compounds not listed in the table below can also be employed. In addition, in the table below, R 1 to R 5 represent R 1 to R 5 in general formula (1). (L)n represents (L)n when R 1 to R 5 of each compound contains (L)n. When a compound has two or more (L)n [herein, n is 1 or more], the two or more (L)n all represent the same linking group. In addition, in the table, when n is 0, that is, when L is a single bond, "single bond" is displayed.
一般式（１）で表される化合物は、既知の合成法を組み合わせて合成することが可能である。例えば、下記の２つの化合物を反応させることによって合成することが可能である。
合成時の条件や材料の使用割合などは、後述の合成例などを参考にして適宜決定し、最適化することができる。一般式（１）で表される化合物は上記以外のスキームで合成してもよい。
The compound represented by general formula (1) can be synthesized by combining known synthesis methods. For example, it can be synthesized by reacting the following two compounds.
Conditions during synthesis, proportions of materials to be used, etc. can be appropriately determined and optimized with reference to synthesis examples described later. The compound represented by general formula (1) may be synthesized by a scheme other than the above.
フィルムの形成
ある実施形態では、一般式（１）で表される本発明の化合物を含むフィルムは、湿式工程で形成することができる。湿式工程では、本発明の化合物を含む組成物を溶解した溶液を面に塗布し、溶媒の除去後にフィルムを形成する。湿式工程として、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法（スプレー法）、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。湿式工程では、本発明の化合物を含む組成物を溶解することができる適切な有機溶媒を選択して用いる。ある実施形態では、組成物に含まれる化合物に、有機溶媒に対する溶解性を上げる置換基（例えばアルキル基）を導入することができる。
ある実施形態では、本発明の化合物を含むフィルムは、乾式工程で形成することができる。ある実施形態では、乾式工程として真空蒸着法を採用することができる、これに限定されるものではない。真空蒸着法を採用する場合は、フィルムを構成する化合物を個別の蒸着源から共蒸着させてもよいし、化合物を混合した単一の蒸着源から共蒸着させてもよい。単一の蒸着源を用いる場合は、化合物の粉末を混合した混合粉を用いてもよいし、その混合粉を圧縮した圧縮成形体を用いてもよいし、各化合物を加熱溶融して冷却した混合物を用いてもよい。ある実施形態では、単一の蒸着源に含まれる複数の化合物の蒸着速度（重量減少速度）が一致ないしほぼ一致する条件で共蒸着を行うことにより、蒸着源に含まれる複数の化合物の組成比に対応する組成比のフィルムを形成することができる。形成されるフィルムの組成比と同じ組成比で複数の化合物を混合して蒸着源とすれば、所望の組成比を有するフィルムを簡便に形成することができる。ある実施形態では、共蒸着される各化合物が同じ重量減少率になる温度を特定して、その温度を共蒸着時の温度として採用することができる。
Formation of a Film In certain embodiments, a film comprising a compound of the invention represented by general formula (1) can be formed in a wet process. In the wet process, a solution containing a composition containing a compound of the invention is applied to a surface and a film is formed after removal of the solvent. Examples of the wet process include, but are not limited to, a spin coating method, a slit coating method, an inkjet method (spray method), a gravure printing method, an offset printing method, and a flexographic printing method. In the wet process, an appropriate organic solvent that can dissolve the composition containing the compound of the present invention is selected and used. In some embodiments, substituents (eg, alkyl groups) that increase solubility in organic solvents can be introduced into the compounds included in the composition.
In certain embodiments, films containing compounds of the invention can be formed in a dry process. In some embodiments, a vacuum deposition method may be employed as the dry process, but is not limited thereto. When employing a vacuum evaporation method, the compounds constituting the film may be co-deposited from separate evaporation sources, or may be co-deposited from a single evaporation source containing a mixture of compounds. When using a single vapor deposition source, a mixed powder of compound powders may be used, a compression molded product obtained by compressing the mixed powder may be used, or a mixture obtained by heating and melting each compound and cooling it may be used. Mixtures may also be used. In one embodiment, the composition ratio of the plurality of compounds contained in the evaporation source can be adjusted by performing co-evaporation under conditions where the evaporation rates (weight reduction rates) of the plurality of compounds contained in the single evaporation source match or almost match. A film having a composition ratio corresponding to the above can be formed. If a plurality of compounds are mixed in the same composition ratio as the film to be formed and used as a vapor deposition source, a film having a desired composition ratio can be easily formed. In some embodiments, a temperature at which each compound to be co-deposited has the same weight loss rate can be specified, and that temperature can be employed as the temperature during co-deposition.
［有機発光素子］
一般式（１）で表される化合物は、電荷輸送材料として有用である。このため、一般式（１）で表される化合物を電荷輸送材料として用いることにより、有機フォトルミネッセンス素子（有機ＰＬ素子）や有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）などの優れた有機発光素子を提供することができる。有機フォトルミネッセンス素子は、基材上に少なくとも発光層を形成した構造を有する。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも陽極、陰極、および陽極と陰極の間に有機層を形成した構造を有する。有機層は、少なくとも発光層を含むものであり、発光層のみからなるものであってもよいし、発光層の他に１層以上の有機層を有するものであってもよい。そのような他の有機層として、正孔輸送層、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層、電子輸送層、励起子障壁層などを挙げることができる。正孔輸送層は正孔注入機能を有した正孔注入輸送層でもよく、電子輸送層は電子注入機能を有した電子注入輸送層でもよい。具体的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を図１に示す。図１において、１は基材、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を表わす。
一般式（１）で表される化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子であれば、正孔注入層の正孔注入材料、正孔輸送層の正孔輸送材料、電子障壁層の電子障壁材料、発光層のホスト材料、正孔障壁層の正孔障壁材料、電子輸送層の電子輸送材料、電子注入層の電子注入材料として用いることが可能である。中でも、一般式（１）で表される化合物は、発光層のホスト材料や正孔障壁層の正孔障壁材料として効果的に用いることができる。一般式（１）で表される化合物を発光層のホスト材料として用いる場合、ドーパントである発光材料とともに発光層に用いる。ここでいう発光材料は、最大の発光成分を発光する材料である。発光層における一般式（１）で表される化合物の含有量は、発光層全重量の１０～９９．９重量％であることが好ましく、２０～９９重量％であることがより好ましい。一般式（１）で表される化合物を正孔注入層、正孔輸送層、電子障壁層、正孔障壁層、電子輸送層、電子注入層に用いる場合、各層における一般式（１）で表される化合物の含有量は、各層の全重量の１０～１００重量％であることが好ましく、５０～１００重量％であることがより好ましく、１００重量％であっても構わない。
[Organic light emitting device]
The compound represented by general formula (1) is useful as a charge transport material. Therefore, by using the compound represented by the general formula (1) as a charge transport material, excellent organic light emitting devices such as organic photoluminescent devices (organic PL devices) and organic electroluminescent devices (organic EL devices) can be provided. can do. An organic photoluminescent element has a structure in which at least a light emitting layer is formed on a base material. Moreover, an organic electroluminescent element has a structure in which at least an anode, a cathode, and an organic layer are formed between the anode and the cathode. The organic layer includes at least a light-emitting layer, and may consist only of the light-emitting layer, or may have one or more organic layers in addition to the light-emitting layer. Examples of such other organic layers include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron barrier layer, a hole barrier layer, an electron injection layer, an electron transport layer, an exciton barrier layer, and the like. The hole transport layer may be a hole injection transport layer having a hole injection function, and the electron transport layer may be an electron injection transport layer having an electron injection function. A specific structural example of an organic electroluminescent device is shown in FIG. In FIG. 1, 1 is a base material, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, 6 is an electron transport layer, and 7 is a cathode.
In the case of an organic electroluminescent device, the compound represented by the general formula (1) is a hole injection material for a hole injection layer, a hole transport material for a hole transport layer, an electron barrier material for an electron barrier layer, and a light emitting layer. It can be used as a host material for a hole-blocking layer, an electron-transporting material for an electron-transporting layer, and an electron-injecting material for an electron-injecting layer. Among them, the compound represented by the general formula (1) can be effectively used as a host material for a light emitting layer or a hole blocking material for a hole blocking layer. When the compound represented by general formula (1) is used as a host material for a light-emitting layer, it is used in the light-emitting layer together with a light-emitting material that is a dopant. The luminescent material here is a material that emits the largest luminescent component. The content of the compound represented by formula (1) in the light emitting layer is preferably 10 to 99.9% by weight, more preferably 20 to 99% by weight, based on the total weight of the light emitting layer. When a compound represented by the general formula (1) is used for a hole injection layer, a hole transport layer, an electron barrier layer, a hole barrier layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, the compound represented by the general formula (1) in each layer is used. The content of the compound is preferably 10 to 100% by weight, more preferably 50 to 100% by weight, and may be 100% by weight.
以下において、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材および各層について説明する。なお、基材と発光層の説明は有機フォトルミネッセンス素子の基材と発光層にも該当する。 Each member and each layer of the organic electroluminescent device will be explained below. Note that the description of the base material and the light emitting layer also applies to the base material and the light emitting layer of the organic photoluminescent element.
基材：
いくつかの実施形態では、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は基材により保持され、当該基材は特に限定されず、有機エレクトロルミネッセンス素子で一般的に用いられる、例えばガラス、透明プラスチック、クォーツおよびシリコンにより形成されたいずれかの材料を用いればよい。
Base material:
In some embodiments, the organic electroluminescent devices of the present invention are supported by a substrate, which includes, but is not limited to, materials commonly used in organic electroluminescent devices, such as glass, transparent plastic, quartz, and silicon. Any material formed by can be used.
陽極：
いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置の陽極は、金属、合金、導電性化合物またはそれらの組み合わせから製造される。いくつかの実施形態では、前記の金属、合金または導電性化合物は高い仕事関数（４ｅＶ以上）を有する。いくつかの実施形態では、前記金属はＡｕである。いくつかの実施形態では、導電性の透明材料は、ＣｕＩ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２およびＺｎＯから選択される。いくつかの実施形態では、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ）などの、透明な導電性フィルムを形成できるアモルファス材料を使用する。いくつかの実施形態では、前記陽極は薄膜である。いくつかの実施形態では、前記薄膜は蒸着またはスパッタリングにより作製される。いくつかの実施形態では、前記フィルムはフォトリソグラフィー方法によりパターン化される。いくつかの実施形態では、パターンが高精度である必要がない（例えば約１００μｍ以上）場合、当該パターンは、電極材料への蒸着またはスパッタリングに好適な形状のマスクを用いて形成してもよい。いくつかの実施形態では、有機導電性化合物などのコーティング材料を塗布しうるとき、プリント法やコーティング法などの湿式フィルム形成方法が用いられる。いくつかの実施形態では、放射光が陽極を通過するとき、陽極は１０％超の透過度を有し、当該陽極は、単位面積あたり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは１０～１，０００ｎｍである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは１０～２００ｎｍである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは用いる材料に応じて変動する。
anode:
In some embodiments, the anode of the organic electroluminescent device is fabricated from a metal, an alloy, a conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the metal, alloy, or conductive compound has a high work function (4 eV or higher). In some embodiments, the metal is Au. In some embodiments, the conductive transparent material is selected from CuI, indium tin oxide (ITO), SnO2, and ZnO. Some embodiments use amorphous materials that can form transparent conductive films, such as IDIXO (In 2 O 3 -ZnO). In some embodiments, the anode is a thin film. In some embodiments, the thin film is made by vapor deposition or sputtering. In some embodiments, the film is patterned by photolithographic methods. In some embodiments, if the pattern does not need to be highly accurate (eg, about 100 μm or greater), the pattern may be formed using a mask of suitable shape for vapor deposition or sputtering onto the electrode material. In some embodiments, wet film forming methods such as printing and coating methods are used when coating materials such as organic conductive compounds can be applied. In some embodiments, the anode has a transmission of greater than 10% when the emitted light passes through the anode, and the anode has a sheet resistance of several hundred ohms per unit area or less. In some embodiments, the thickness of the anode is between 10 and 1,000 nm. In some embodiments, the thickness of the anode is 10-200 nm. In some embodiments, the thickness of the anode varies depending on the material used.
陰極：
いくつかの実施形態では、前記陰極は、低い仕事関数を有する金属（４ｅＶ以下）（電子注入金属と称される）、合金、導電性化合物またはその組み合わせなどの電極材料で作製される。いくつかの実施形態では、前記電極材料は、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム－銅混合物、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－アルミニウム混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム－アルミニウム混合物および希土類元素から選択される。いくつかの実施形態では、電子注入金属と、電子注入金属より高い仕事関数を有する安定な金属である第２の金属との混合物が用いられる。いくつかの実施形態では、前記混合物は、マグネシウム－銀混合物、マグネシウム－アルミニウム混合物、マグネシウム－インジウム混合物、アルミニウム－酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム－アルミニウム混合物およびアルミニウムから選択される。いくつかの実施形態では、前記混合物は電子注入特性および酸化に対する耐性を向上させる。いくつかの実施形態では、陰極は、蒸着またはスパッタリングにより電極材料を薄膜として形成させることによって製造される。いくつかの実施形態では、前記陰極は単位面積当たり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は１０ｎｍ～５μｍである。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は５０～２００ｎｍである。いくつかの実施形態では、放射光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極および陰極のいずれか１つは透明または半透明である。いくつかの実施形態では、透明または半透明のエレクトロルミネッセンス素子は光放射輝度を向上させる。
いくつかの実施形態では、前記陰極を、前記陽極に関して前述した導電性の透明な材料で形成されることにより、透明または半透明の陰極が形成される。いくつかの実施形態では、素子は陽極と陰極とを含むが、いずれも透明または半透明である。
cathode:
In some embodiments, the cathode is made of an electrode material such as a metal with a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron-injecting metal), an alloy, a conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the electrode material is sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium-copper mixture, magnesium-silver mixture, magnesium-aluminum mixture, magnesium-indium mixture, aluminum-aluminum oxide ( Al2 O 3 ) mixture, indium, lithium-aluminum mixture and rare earth elements. In some embodiments, a mixture of an electron-injecting metal and a second metal that is a stable metal with a higher work function than the electron-injecting metal is used. In some embodiments, the mixture is selected from a magnesium-silver mixture, a magnesium-aluminum mixture, a magnesium-indium mixture, an aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium-aluminum mixture, and aluminum. In some embodiments, the mixture improves electron injection properties and resistance to oxidation. In some embodiments, the cathode is fabricated by forming the electrode material as a thin film by evaporation or sputtering. In some embodiments, the cathode has a sheet resistance of several hundred ohms per unit area or less. In some embodiments, the thickness of the cathode is between 10 nm and 5 μm. In some embodiments, the thickness of the cathode is between 50 and 200 nm. In some embodiments, any one of the anode and cathode of the organic electroluminescent device is transparent or translucent to transmit the emitted light. In some embodiments, transparent or translucent electroluminescent elements enhance light radiance.
In some embodiments, the cathode is formed of the conductive transparent material described above with respect to the anode, thereby forming a transparent or translucent cathode. In some embodiments, the device includes an anode and a cathode, both of which are transparent or translucent.
発光層：
いくつかの実施形態では、前記発光層は、陽極および陰極からそれぞれ注入された正孔および電子が再結合して励起子を形成する層である。いくつかの実施形態では、前記層は光を発する。
いくつかの実施形態では、発光材料のみが発光層として用いられる。いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子および有機光ルミネッセンス素子の光放射効率を向上させるため、前記発光材料において発生する一重項励起子および三重項励起子を、前記発光材料内に閉じ込める。いくつかの実施形態では、前記発光層中に発光材料に加えてホスト材料を用いる。いくつかの実施形態では、前記ホスト材料は有機化合物である。いくつかの実施形態では、前記有機化合物は励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーを有し、その少なくとも１つは、発光材料のそれらよりも高い。いくつかの実施形態では、発光材料中で発生する一重項励起子および三重項励起子は、発光材料の分子中に閉じ込められる。いくつかの実施形態では、前記一重項および三重項の励起子は、光放射効率を向上させるために十分に閉じ込められる。いくつかの実施形態では、高い光放射効率が未だ得られるにもかかわらず、前記一重項励起子および三重項励起子は十分に閉じ込められず、すなわち、本発明で使用できる光放射効率の高いホスト材料は、特に限定されない。いくつかの実施形態では、本発明の素子の発光層中の発光材料において、光放射が生じる。いくつかの実施形態では、放射光は蛍光および遅延蛍光の両方を含む。いくつかの実施形態では、放射光は燐光を含む。いくつかの実施形態では、放射光は蛍光を含むが遅延蛍光を含まない。いくつかの実施形態では、前記放射光は、ホスト材料からの放射光を含む。いくつかの実施形態では、前記放射光は、ホスト材料からの放射光からなる。いくつかの実施形態では、前記放射光は、発光材料からの放射光と、ホスト材料からの放射光とを含む。いくつかの実施形態では、ＴＡＤＦ分子とホスト材料とが用いられる。いくつかの実施形態では、ＴＡＤＦは補助ドーパントである。いくつかの実施形態では、発光層は１つ以上の発光材料および１つ以上のホスト材料と共にアシストドーパントを含む。
Luminous layer:
In some embodiments, the light-emitting layer is a layer in which holes and electrons injected from the anode and cathode, respectively, recombine to form excitons. In some embodiments, the layer emits light.
In some embodiments, only emissive materials are used as emissive layers. In some embodiments, singlet and triplet excitons generated in the luminescent material are confined within the luminescent material to improve the light emission efficiency of organic electroluminescent devices and organic photoluminescent devices. In some embodiments, a host material is used in addition to the emissive material in the emissive layer. In some embodiments, the host material is an organic compound. In some embodiments, the organic compound has an excited singlet energy and an excited triplet energy, at least one of which is higher than those of the emissive material. In some embodiments, singlet and triplet excitons generated in the emissive material are confined within molecules of the emissive material. In some embodiments, the singlet and triplet excitons are sufficiently confined to improve light emission efficiency. In some embodiments, although high light emission efficiency is still obtained, the singlet and triplet excitons are not sufficiently confined, i.e., the highly light emission efficient hosts that can be used in the present invention. The material is not particularly limited. In some embodiments, light emission occurs in the emissive material in the emissive layer of the device of the invention. In some embodiments, the emitted light includes both fluorescence and delayed fluorescence. In some embodiments, the emitted light includes phosphorescence. In some embodiments, the emitted light includes fluorescence but does not include delayed fluorescence. In some embodiments, the emitted light includes emitted light from a host material. In some embodiments, the emitted light consists of emitted light from the host material. In some embodiments, the emitted light includes emitted light from a luminescent material and emitted light from a host material. In some embodiments, TADF molecules and host materials are used. In some embodiments, TADF is a co-dopant. In some embodiments, the emissive layer includes an assist dopant along with one or more emissive materials and one or more host materials.
いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料の量は０．１重量％以上である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料の量は１重量％以上である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料の量は５０重量％以下である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料の量は２０重量％以下である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料の量は１０重量％以下である。
いくつかの実施形態では、前記発光層のホスト材料は、正孔輸送機能および電子輸送機能を有する有機化合物である。いくつかの実施形態では、前記発光層のホスト材料は、放射光の波長が増加することを防止する有機化合物である。いくつかの実施形態では、前記発光層のホスト材料は、高いガラス転移温度を有する有機化合物である。
In some embodiments, when using a host material, the amount of emissive material included in the emissive layer is 0.1% by weight or more. In some embodiments, when using a host material, the amount of emissive material included in the emissive layer is 1% or more by weight. In some embodiments, when using a host material, the amount of emissive material included in the emissive layer is 50% by weight or less. In some embodiments, when using a host material, the amount of emissive material included in the emissive layer is 20% by weight or less. In some embodiments, when using a host material, the amount of emissive material included in the emissive layer is 10% by weight or less.
In some embodiments, the host material of the emissive layer is an organic compound with hole transport and electron transport functions. In some embodiments, the host material of the emissive layer is an organic compound that prevents the wavelength of emitted light from increasing. In some embodiments, the host material of the emissive layer is an organic compound with a high glass transition temperature.
ある実施形態では、発光層は２種類以上の構造が異なるＴＡＤＦ分子を含む。例えば、励起一重項エネルギー準位がホスト材料、第１ＴＡＤＦ分子、第２ＴＡＤＦ分子の順に高い、これら３種の材料を含む発光層とすることができる。このとき、第１ＴＡＤＦ分子と第２ＴＡＤＦ分子は、ともに最低励起一重項エネルギー準位と７７Ｋの最低励起三重項エネルギー準位の差ΔＥＳＴが０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２５ｅＶ以下であることがより好ましく、０．２ｅＶ以下であることがより好ましく、０．１５ｅＶ以下であることがより好ましく、０．１ｅＶ以下であることがさらに好ましく、０．０７ｅＶ以下であることがさらにより好ましく、０．０５ｅＶ以下であることがさらにまた好ましく、０．０３ｅＶ以下であることがさらになお好ましく、０．０１ｅＶ以下であることが特に好ましい。発光層における第１ＴＡＤＦ分子の含有量は、第２ＴＡＤＦ分子の含有量よりも多いことが好ましい。また、発光層におけるホスト材料の含有量は、第２ＴＡＤＦ分子の含有量よりも多いことが好ましい。発光層における第１ＴＡＤＦ分子の含有量は、ホスト材料の含有量よりも多くてもよいし、少なくてもよいし、同じであってもよい。ある実施形態では、発光層内の組成を、ホスト材料を１０～７０重量％、第１ＴＡＤＦ分子を１０～８０重量％、第２ＴＡＤＦ分子を０．１～３０重量％としてもよい。ある実施形態では、発光層内の組成を、ホスト材料を２０～４５重量％、第１ＴＡＤＦ分子を５０～７５重量％、第２ＴＡＤＦ分子を５～２０重量％としてもよい。ある実施形態では、第１ＴＡＤＦ分子とホスト材料の共蒸着膜（この共蒸着膜における第１ＴＡＤＦ分子の含有率＝Ａ重量％）の光励起による発光量子収率φＰＬ１（Ａ）と、第２ＴＡＤＦ分子とホスト材料の共蒸着膜（この共蒸着膜における第２ＴＡＤＦ分子の含有率＝Ａ重量％）の光励起による発光量子収率φＰＬ２（Ａ）が、φＰＬ１（Ａ）＞φＰＬ２（Ａ）の関係式を満たす。ある実施形態では、第２ＴＡＤＦ分子とホスト材料の共蒸着膜（この共蒸着膜における第２ＴＡＤＦ分子の含有率＝Ｂ重量％）の光励起による発光量子収率φＰＬ２（Ｂ）と、第２ＴＡＤＦ分子の単独膜の光励起による発光量子収率φＰＬ２（１００）が、φＰＬ２（Ｂ）＞φＰＬ２（１００）の関係式を満たす。ある実施形態では、発光層は３種類の構造が異なるＴＡＤＦ分子を含むことができる。本発明の化合物は、発光層に含まれる複数のＴＡＤＦ化合物のいずれであってもよい。 In some embodiments, the emissive layer includes two or more structurally different TADF molecules. For example, the light-emitting layer may include three types of materials whose excited singlet energy levels are higher in the order of the host material, the first TADF molecule, and the second TADF molecule. At this time, it is preferable that the difference ΔEST between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level of 77K for both the first TADF molecule and the second TADF molecule is 0.3 eV or less, and preferably 0.25 eV or less. More preferably, it is 0.2 eV or less, more preferably 0.15 eV or less, even more preferably 0.1 eV or less, even more preferably 0.07 eV or less. , 0.05 eV or less is still more preferable, 0.03 eV or less is still more preferable, and 0.01 eV or less is particularly preferable. It is preferable that the content of the first TADF molecules in the light emitting layer is greater than the content of the second TADF molecules. Moreover, it is preferable that the content of the host material in the light-emitting layer is greater than the content of the second TADF molecules. The content of the first TADF molecules in the light emitting layer may be greater than, less than, or the same as the content of the host material. In some embodiments, the composition within the emissive layer may be 10-70% by weight of the host material, 10-80% by weight of the first TADF molecules, and 0.1-30% by weight of the second TADF molecules. In some embodiments, the composition within the emissive layer may be 20-45% by weight host material, 50-75% by weight first TADF molecules, and 5-20% by weight second TADF molecules. In one embodiment, the luminescence quantum yield φPL1 (A) due to photoexcitation of a co-deposited film of the first TADF molecule and the host material (content rate of the first TADF molecule in this co-deposited film = A weight %), and the luminescence quantum yield φPL1 (A) of the second TADF molecule and the host material. The light emission quantum yield φPL2(A) due to optical excitation of a co-deposited film of the material (content rate of second TADF molecules in this co-deposited film=A weight %) satisfies the relational expression φPL1(A)>φPL2(A). In one embodiment, the luminescence quantum yield φPL2 (B) due to optical excitation of a co-deposited film of the second TADF molecule and the host material (the content of the second TADF molecule in this co-deposited film = B weight %) and the second TADF molecule alone The luminescence quantum yield φPL2(100) due to optical excitation of the film satisfies the relational expression φPL2(B)>φPL2(100). In some embodiments, the emissive layer can include three structurally different TADF molecules. The compound of the present invention may be any of a plurality of TADF compounds contained in the light emitting layer.
ある実施形態では、発光層は、ホスト材料、アシストドーパント、および発光材料からからなる群より選択される材料で構成することができる。ある実施形態では、発光層は金属元素を含まない。ある実施形態では、発光層は炭素原子、水素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子からなる群より選択される原子のみから構成される材料で構成することができる。あるいは、発光層は、炭素原子、水素原子および窒素原子からなる群より選択される原子のみから構成される材料で構成することもできる。 In some embodiments, the emissive layer can be comprised of a material selected from the group consisting of a host material, an assist dopant, and a emissive material. In some embodiments, the emissive layer is free of metal elements. In some embodiments, the emissive layer can be comprised of a material comprised solely of atoms selected from the group consisting of carbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, and sulfur atoms. Alternatively, the light-emitting layer can be made of a material consisting only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, and nitrogen atoms.
発光材料には、ＴＡＤＦ分子（遅延蛍光材料）、遅延蛍光を放射しない蛍光材料、または燐光材料を用いることができる。
蛍光材料としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、スチルベン誘導体、フルオレン誘導体、アントリル誘導体、ピロメテン誘導体、ターフェニル誘導体、ターフェニレン誘導体、フルオランテン誘導体、アミン誘導体、キナクリドン誘導体、オキサジアゾール誘導体、マロノニトリル誘導体、ピラン誘導体、カルバゾール誘導体、ジュロリジン誘導体、チアゾール誘導体、金属（Al,Zn）を有する誘導体等を用いることが可能である。これらの例示骨格には置換基を有してもよいし、置換基を有していなくてもよい。また、これらの例示骨格どうしを組み合わせてもよい。
A TADF molecule (delayed fluorescent material), a fluorescent material that does not emit delayed fluorescence, or a phosphorescent material can be used as the luminescent material.
Fluorescent materials include anthracene derivatives, tetracene derivatives, naphthacene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, chrysene derivatives, rubrene derivatives, coumarin derivatives, pyran derivatives, stilbene derivatives, fluorene derivatives, anthryl derivatives, pyrromethene derivatives, terphenyl derivatives, and terphenylene. It is possible to use derivatives, fluoranthene derivatives, amine derivatives, quinacridone derivatives, oxadiazole derivatives, malononitrile derivatives, pyran derivatives, carbazole derivatives, julolidine derivatives, thiazole derivatives, derivatives containing metals (Al, Zn), and the like. These exemplary skeletons may or may not have substituents. Furthermore, these exemplary skeletons may be combined.
ＴＡＤＦ分子としては、公知のＴＡＤＦ分子を用いることができる。好ましいＴＡＤＦ分子として、ＷＯ２０１３／１５４０６４号公報の段落０００８～００４８および００９５～０１３３、ＷＯ２０１３／０１１９５４号公報の段落０００７～００４７および００７３～００８５、ＷＯ２０１３／０１１９５５号公報の段落０００７～００３３および００５９～００６６、ＷＯ２０１３／０８１０８８号公報の段落０００８～００７１および０１１８～０１３３、特開２０１３－２５６４９０号公報の段落０００９～００４６および００９３～０１３４、特開２０１３－１１６９７５号公報の段落０００８～００２０および００３８～００４０、ＷＯ２０１３／１３３３５９号公報の段落０００７～００３２および００７９～００８４、ＷＯ２０１３／１６１４３７号公報の段落０００８～００５４および０１０１～０１２１、特開２０１４－９３５２号公報の段落０００７～００４１および００６０～００６９、特開２０１４－９２２４号公報の段落０００８～００４８および００６７～００７６、特開２０１７－１１９６６３号公報の段落００１３～００２５、特開２０１７－１１９６６４号公報の段落００１３～００２６、特開２０１７－２２２６２３号公報の段落００１２～００２５、特開２０１７－２２６８３８号公報の段落００１０～００５０、特開２０１８－１００４１１号公報の段落００１２～００４３、ＷＯ２０１８／０４７８５３号公報の段落００１６～００４４に記載される一般式に包含される化合物、特に例示化合物であって、遅延蛍光を放射しうるものが含まれる。また、ここでは、特開２０１３－２５３１２１号公報、ＷＯ２０１３／１３３３５９号公報、ＷＯ２０１４／０３４５３５号公報、ＷＯ２０１４／１１５７４３号公報、ＷＯ２０１４／１２２８９５号公報、ＷＯ２０１４／１２６２００号公報、ＷＯ２０１４／１３６７５８号公報、ＷＯ２０１４／１３３１２１号公報、ＷＯ２０１４／１３６８６０号公報、ＷＯ２０１４／１９６５８５号公報、ＷＯ２０１４／１８９１２２号公報、ＷＯ２０１４／１６８１０１号公報、ＷＯ２０１５／００８５８０号公報、ＷＯ２０１４／２０３８４０号公報、ＷＯ２０１５／００２２１３号公報、ＷＯ２０１５／０１６２００号公報、ＷＯ２０１５／０１９７２５号公報、ＷＯ２０１５／０７２４７０号公報、ＷＯ２０１５／１０８０４９号公報、ＷＯ２０１５／０８０１８２号公報、ＷＯ２０１５／０７２５３７号公報、ＷＯ２０１５／０８０１８３号公報、特開２０１５－１２９２４０号公報、ＷＯ２０１５／１２９７１４号公報、ＷＯ２０１５／１２９７１５号公報、ＷＯ２０１５／１３３５０１号公報、ＷＯ２０１５／１３６８８０号公報、ＷＯ２０１５／１３７２４４号公報、ＷＯ２０１５／１３７２０２号公報、ＷＯ２０１５／１３７１３６号公報、ＷＯ２０１５／１４６５４１号公報、ＷＯ２０１５／１５９５４１号公報に記載される発光材料であって、遅延蛍光を放射しうるものを好ましく採用することができる。なお、この段落に記載される上記の公報は、本明細書の一部としてここに引用する。これらのＴＡＤＦ分子はアシストドーパントとして用いてもよい。 As the TADF molecule, a known TADF molecule can be used. Preferred TADF molecules include paragraphs 0008-0048 and 0095-0133 of WO2013/154064, paragraphs 0007-0047 and 0073-0085 of WO2013/011954, paragraphs 0007-0033 and 0059-0066 of WO2013/011955, Paragraphs 0008-0071 and 0118-0133 of WO2013/081088, paragraphs 0009-0046 and 0093-0134 of JP2013-256490, paragraphs 0008-0020 and 0038-0040 of JP2013-116975, WO2013 /133359, paragraphs 0007-0032 and 0079-0084, WO2013/161437, paragraphs 0008-0054 and 0101-0121, JP2014-9352, paragraphs 0007-0041 and 0060-0069, JP2014- Paragraphs 0008 to 0048 and 0067 to 0076 of Publication No. 9224, Paragraphs 0013 to 0025 of JP2017-119663, Paragraphs 0013 to 0026 of JP2017-119664, Paragraph 0012 to 0012 of JP2017-222623 Compounds included in the general formula described in paragraphs 0010 to 0050 of JP 2017-226838, paragraphs 0012 to 0043 of JP 2018-100411, and paragraphs 0016 to 0044 of WO 2018/047853, Particularly included are exemplary compounds that are capable of emitting delayed fluorescence. In addition, here, JP2013-253121A, WO2013/133359A, WO2014/034535A, WO2014/115743A, WO2014/122895A, WO2014/126200A, WO2014/136758A, WO2014 /133121 publication, WO2014/136860 publication, WO2014/196585 publication, WO2014/189122 publication, WO2014/168101 publication, WO2015/008580 publication, WO2014/203840 publication, WO2015/002 Publication No. 213, WO2015/016200 No. Publication, WO2015/019725 Publication, WO2015/072470 Publication, WO2015/108049 Publication, WO2015/080182 Publication, WO2015/072537 Publication, WO2015/080183 Publication, JP 2015-129240 Publication, WO2015/129714 No. Publication, WO2015/129715 Publication, WO2015/133501 Publication, WO2015/136880 Publication, WO2015/137244 Publication, WO2015/137202 Publication, WO2015/137136 Publication, WO2015/146541 Publication, WO2015/159541 publication A luminescent material described in 1. that can emit delayed fluorescence can be preferably used. The above-mentioned publications described in this paragraph are hereby cited as part of this specification. These TADF molecules may also be used as assist dopants.
本発明においてＴＡＤＦ分子として用いる好ましい化合物を挙げるが、本発明で用いることができるＴＡＤＦ分子は以下の化合物により限定的に解釈されるものではない。以下の化合物においてｔ－Ｂｕはtert－ブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
いくつかの実施形態では、ホスト材料は下記の化合物からなる群より選択される。
注入層：
注入層は、電極と有機層との間の層である。いくつかの実施形態では、前記注入層は駆動電圧を減少させ、光放射輝度を増強する。いくつかの実施形態では、前記注入層は、正孔注入層と電子注入層とを含む。前記注入層は、陽極と発光層または正孔輸送層との間、並びに陰極と発光層または電子輸送層との間に配置することがきる。いくつかの実施形態では、注入層が存在する。いくつかの実施形態では、注入層が存在しない。
Injection layer:
The injection layer is a layer between the electrode and the organic layer. In some embodiments, the injection layer reduces drive voltage and enhances optical radiance. In some embodiments, the injection layer includes a hole injection layer and an electron injection layer. The injection layer can be arranged between the anode and the emissive layer or the hole transport layer, and between the cathode and the emissive layer or the electron transport layer. In some embodiments, an injection layer is present. In some embodiments, there is no injection layer.
正孔注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
次に、電子注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
障壁層：
障壁層は、発光層に存在する電荷（電子または正孔）および／または励起子が、発光層の外側に拡散することを阻止できる層である。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層と正孔輸送層との間に存在し、電子が発光層を通過して正孔輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層と電子輸送層との間に存在し、正孔が発光層を通過して電子輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、障壁層は、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層および正孔障壁層は励起子障壁層を構成する。本明細書で用いる用語「電子障壁層」または「励起子障壁層」には、電子障壁層の、および励起子障壁層の機能の両方を有する層が含まれる。
Barrier layer:
The barrier layer is a layer that can prevent charges (electrons or holes) and/or excitons present in the emissive layer from diffusing outside the emissive layer. In some embodiments, an electron blocking layer is present between the emissive layer and the hole transport layer to prevent electrons from passing through the emissive layer to the hole transport layer. In some embodiments, a hole blocking layer is present between the emissive layer and the electron transport layer to prevent holes from passing through the emissive layer to the electron transport layer. In some embodiments, the barrier layer prevents excitons from diffusing outside the emissive layer. In some embodiments, the electron blocking layer and the hole blocking layer constitute an exciton blocking layer. As used herein, the term "electron blocking layer" or "exciton blocking layer" includes layers that have both the functionality of an electron blocking layer and of an exciton blocking layer.
正孔障壁層：
正孔障壁層は、電子輸送層として機能する。いくつかの実施形態では、電子の輸送の間、正孔障壁層は正孔が電子輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。正孔障壁層に用いる材料は、電子輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
Hole blocking layer:
The hole blocking layer functions as an electron transport layer. In some embodiments, during transport of electrons, the hole blocking layer prevents holes from reaching the electron transport layer. In some embodiments, the hole blocking layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the emissive layer. The material used for the hole blocking layer may be the same material as described above for the electron transport layer.
次に、正孔障壁層に用いることができる好ましい化合物例を挙げる。
電子障壁層：
電子障壁層は、正孔を輸送する。いくつかの実施形態では、正孔の輸送の間、電子障壁層は電子が正孔輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。電子障壁層に用いる材料は、正孔輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
Electronic barrier layer:
The electron barrier layer transports holes. In some embodiments, during hole transport, the electron barrier layer prevents electrons from reaching the hole transport layer. In some embodiments, the electron blocking layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the emissive layer. The material used for the electron barrier layer may be the same material as described above for the hole transport layer.
以下に電子障壁材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
励起子障壁層：
励起子障壁層は、発光層における正孔と電子との再結合を通じて生じた励起子が電荷輸送層まで拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、発光層における励起子の有効な閉じ込め（confinement）を可能にする。いくつかの実施形態では、装置の光放射効率が向上する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、陽極の側と陰極の側のいずれかで、およびその両側の発光層に隣接する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陽極側に存在するとき、当該層は、正孔輸送層と発光層との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陰極側に存在するとき、当該層は、発光層と陰極との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層または同様の層は、陽極と、陽極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層または同様の層は、陰極と、陰極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーを含み、その少なくとも１つが、それぞれ、発光材料の励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーより高い。
Exciton barrier layer:
The exciton barrier layer prevents excitons generated through recombination of holes and electrons in the light emitting layer from diffusing to the charge transport layer. In some embodiments, the exciton barrier layer allows for effective confinement of excitons in the emissive layer. In some embodiments, the light emitting efficiency of the device is increased. In some embodiments, the exciton blocking layer is adjacent to the emissive layer on either the anode side or the cathode side and on both sides thereof. In some embodiments, when the exciton blocking layer is present on the anode side, the layer may be present between and adjacent to the hole transport layer and the emissive layer. In some embodiments, when the exciton blocking layer is present on the cathode side, the layer may be present between and adjacent to the emissive layer and the cathode. In some embodiments, a hole injection layer, electron blocking layer, or similar layer is present between the anode and the exciton blocking layer adjacent to the emissive layer on the anode side. In some embodiments, a hole injection layer, electron blocking layer, hole blocking layer, or similar layer is present between the cathode and an exciton blocking layer adjacent to the emissive layer on the cathode side. In some embodiments, the exciton barrier layer includes an excited singlet energy and an excited triplet energy, at least one of which is higher than the excited singlet energy and excited triplet energy, respectively, of the emissive material.
正孔輸送層：
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は、正孔の注入または輸送特性および電子の障壁特性のうちの１つの特性を有する。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は有機材料である。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は無機材料である。本発明で使用できる公知の正孔輸送材料の例としては、限定されないが、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導剤、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導剤、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導剤、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリンコポリマーおよび導電性ポリマーオリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）、またはその組合せが挙げられる。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料はポルフィリン化合物、芳香族三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物から選択される。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は芳香族三級アミン化合物である。
Hole transport layer:
The hole transport layer includes a hole transport material. In some embodiments, the hole transport layer is a single layer. In some embodiments, the hole transport layer has multiple layers.
In some embodiments, the hole transport material has one of hole injection or transport properties and electron barrier properties. In some embodiments, the hole transport material is an organic material. In some embodiments, the hole transport material is an inorganic material. Examples of known hole transport materials that can be used in the present invention include, but are not limited to, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolones. derivatives, phenylenediamine derivatives, allylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styryl anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers and conductive polymer oligomers (particularly thiophene oligomers), or combinations thereof. can be mentioned. In some embodiments, the hole transport material is selected from porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styryl amine compounds. In some embodiments, the hole transport material is an aromatic tertiary amine compound.
以下に正孔輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
電子輸送層：
電子輸送層は、電子輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、電子輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、電子輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、陰極から注入された電子を発光層に輸送する機能さえあればよい。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はまた、正孔障壁材料としても機能する。本発明で使用できる電子輸送層の例としては、限定されないが、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アゾール誘導体、アジン誘導体またはその組合せ、またはそのポリマーが挙げられる。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はチアジアゾール誘導剤またはキノキサリン誘導体である。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はポリマー材料である。
Electron transport layer:
The electron transport layer includes an electron transport material. In some embodiments, the electron transport layer is a single layer. In some embodiments, the electron transport layer has multiple layers.
In some embodiments, the electron transport material need only function to transport electrons injected from the cathode to the emissive layer. In some embodiments, the electron transport material also functions as a hole blocking material. Examples of electron transport layers that can be used in the present invention include, but are not limited to, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrane dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethanes, anthrone derivatives, oxadiimide Included are azole derivatives, azole derivatives, azine derivatives or combinations thereof, or polymers thereof. In some embodiments, the electron transport material is a thiadiazole derivative or a quinoxaline derivative. In some embodiments, the electron transport material is a polymeric material.
以下に電子輸送材料として用いることができる好ましい化合物の具体例を挙げる。
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができる好ましい材料を具体的に例示したが、本発明において用いることができる材料は、上記の例示化合物によって限定的に解釈されることはない。また、特定の機能を有する材料として例示した化合物であっても、その他の機能を有する材料として転用することも可能である。 Although preferred materials that can be used in the organic electroluminescent device are specifically illustrated, the materials that can be used in the present invention are not limited to the above-mentioned exemplified compounds. Moreover, even compounds exemplified as materials having a specific function can be repurposed as materials having other functions.
デバイス：
いくつかの実施形態では、一般式（１）で表される化合物はデバイス中に組み込まれる。例えば、デバイスには、ＯＬＥＤバルブ、ＯＬＥＤランプ、テレビ用ディスプレイ、コンピューター用モニター、携帯電話およびタブレットが含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を有するＯＬＥＤを含み、前記発光層はホスト材料と発光材料とを含む。
いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの発光層は、三重項を一重項に変換する蛍光材料を更に含む。
いくつかの実施形態では、本願明細書に記載の構成物は、ＯＬＥＤまたは光電子デバイスなどの、様々な感光性または光活性化デバイスに組み込まれうる。いくつかの実施形態では、前記構成物はデバイス内の電荷移動またはエネルギー移動の促進に、および／または正孔輸送材料として有用でありうる。前記デバイスとしては、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機集積回線（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ－ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ－ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ－ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ－ＳＣ）、有機光学検出装置、有機光受容体、有機磁場クエンチ（ｆｉｅｌｄ－ｑｕｅｎｃｈ）装置（Ｏ－ＦＱＤ）、発光燃料電池（ＬＥＣ）または有機レーザダイオード（Ｏ－レーザー）が挙げられる。
device:
In some embodiments, a compound represented by general formula (1) is incorporated into a device. For example, devices include, but are not limited to, OLED bulbs, OLED lamps, television displays, computer monitors, mobile phones, and tablets.
In some embodiments, an electronic device includes an OLED having at least one organic layer including an anode, a cathode, and an emissive layer between the anode and the cathode, the emissive layer comprising a host material and an emissive material. including.
In some embodiments, the emissive layer of the OLED further includes a fluorescent material that converts triplets to singlets.
In some embodiments, the compositions described herein can be incorporated into various photosensitive or photoactivated devices, such as OLEDs or optoelectronic devices. In some embodiments, the compositions can be useful for promoting charge or energy transfer within a device and/or as a hole transport material. Examples of the devices include organic light emitting diodes (OLEDs), organic integrated circuits (OICs), organic field effect transistors (O-FETs), organic thin film transistors (O-TFTs), organic light emitting transistors (O-LETs), and organic solar cells. (O-SC), organic optical detection devices, organic photoreceptors, organic field-quench devices (O-FQD), luminescent fuel cells (LEC) or organic laser diodes (O-lasers).
バルブまたはランプ：
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を含むＯＬＥＤを含み、当該発光層は、ホスト材料と、発光材料でと、ＯＬＥＤドライバ回路と、を含む。
いくつかの実施形態では、デバイスは色彩の異なるＯＬＥＤを含む。いくつかの実施形態では、デバイスはＯＬＥＤの組合せを含むアレイを含む。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、３色の組合せ（例えばＲＧＢ）である。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、赤色でも緑色でも青色でもない色（例えばオレンジ色および黄緑色）の組合せである。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤの前記組合せは、２色、４色またはそれ以上の色の組合せである。
いくつかの実施形態では、デバイスは、
取り付け面を有する第１面とそれと反対の第２面とを有し、少なくとも１つの開口部を画定する回路基板と、
前記取り付け面上の少なくとも１つのＯＬＥＤであって、当該少なくとも１つのＯＬＥＤが、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも１つの有機層を含み、当該発光層がホスト材料と発光材料とを含む、発光する構成を有する少なくとも１つのＯＬＥＤと、
回路基板用のハウジングと、
前記ハウジングの端部に配置された少なくとも１つのコネクターであって、前記ハウジングおよび前記コネクターが照明設備への取付けに適するパッケージを画定する、少なくとも１つのコネクターと、を備えるＯＬＥＤライトである。
いくつかの実施形態では、前記ＯＬＥＤライトは、複数の方向に光が放射されるように回路基板に取り付けられた複数のＯＬＥＤを有する。いくつかの実施形態では、第１方向に発せられた一部の光は偏光されて第２方向に放射される。いくつかの実施形態では、反射器を用いて第１方向に発せられた光を偏光する。
Bulb or lamp:
In some embodiments, the electronic device includes an OLED that includes at least one organic layer including an anode, a cathode, and an emissive layer between the anode and the cathode, the emissive layer comprising a host material and an emissive material. and an OLED driver circuit.
In some embodiments, the device includes OLEDs of different colors. In some embodiments, the device includes an array that includes a combination of OLEDs. In some embodiments, the combination of OLEDs is a three-color combination (eg, RGB). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of colors that are neither red nor green nor blue (eg, orange and yellow-green). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of two, four or more colors.
In some embodiments, the device includes:
a circuit board having a first side having a mounting surface and an opposite second side defining at least one opening;
at least one OLED on the mounting surface, the at least one OLED comprising at least one organic layer including an anode, a cathode, and a light emitting layer between the anode and the cathode, the light emitting layer comprising: at least one OLED having a light emitting configuration, including a host material and a light emitting material;
A housing for a circuit board,
at least one connector located at an end of the housing, the housing and the connector defining a package suitable for attachment to a lighting fixture.
In some embodiments, the OLED light has multiple OLEDs mounted on a circuit board such that light is emitted in multiple directions. In some embodiments, some of the light emitted in the first direction is polarized and emitted in the second direction. In some embodiments, a reflector is used to polarize the light emitted in the first direction.
ディスプレイまたはスクリーン：
いくつかの実施形態では、式（１）の化合物はスクリーンまたはディスプレイにおいて使用できる。いくつかの実施形態では、式（１）の化合物は、限定されないが真空蒸発、堆積、蒸着または化学蒸着（ＣＶＤ）などの工程を用いて基材上へ堆積させる。いくつかの実施形態では、前記基材は、独特のアスペクト比のピクセルを提供する２面エッチングにおいて有用なフォトプレート構造である。前記スクリーン（またマスクとも呼ばれる）は、ＯＬＥＤディスプレイの製造工程で用いられる。対応するアートワークパターンの設計により、垂直方向ではピクセルの間の非常に急な狭いタイバーの、並びに水平方向では大きな広範囲の斜角開口部の配置を可能にする。これにより、ＴＦＴバックプレーン上への化学蒸着を最適化しつつ、高解像度ディスプレイに必要とされるピクセルの微細なパターン構成が可能となる。
ピクセルの内部パターニングにより、水平および垂直方向での様々なアスペクト比の三次元ピクセル開口部を構成することが可能となる。更に、ピクセル領域中の画像化された「ストライプ」またはハーフトーン円の使用は、これらの特定のパターンをアンダーカットし基材から除くまで、特定の領域におけるエッチングが保護される。その時、全てのピクセル領域は同様のエッチング速度で処理されるが、その深さはハーフトーンパターンにより変化する。ハーフトーンパターンのサイズおよび間隔を変更することにより、ピクセル内での保護率が様々異なるエッチングが可能となり、急な垂直斜角を形成するのに必要な局在化された深いエッチングが可能となる。
蒸着マスク用の好ましい材料はインバーである。インバーは、製鉄所で長い薄型シート状に冷延された金属合金である。インバーは、ニッケルマスクとしてスピンマンドレル上へ電着することができない。蒸着用マスク内に開口領域を形成するための適切かつ低コストの方法は、湿式化学エッチングによる方法である。
いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、基材上のピクセルマトリックスである。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、リソグラフィー（例えばフォトリソグラフィーおよびｅビームリソグラフィー）を使用して加工される。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、湿式化学エッチングを使用して加工される。更なる実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、プラズマエッチングを使用して加工される。
Display or screen:
In some embodiments, compounds of formula (1) can be used in screens or displays. In some embodiments, the compound of Formula (1) is deposited onto the substrate using a process such as, but not limited to, vacuum evaporation, deposition, vapor deposition, or chemical vapor deposition (CVD). In some embodiments, the substrate is a photoplate structure useful in two-sided etching to provide unique aspect ratio pixels. The screen (also called mask) is used in the manufacturing process of OLED displays. The design of the corresponding artwork pattern allows for the placement of very steep narrow tie bars between pixels in the vertical direction, as well as large wide range beveled openings in the horizontal direction. This allows fine pixel patterning required for high resolution displays while optimizing chemical vapor deposition on the TFT backplane.
Internal patterning of pixels allows three-dimensional pixel apertures of various horizontal and vertical aspect ratios to be constructed. Additionally, the use of imaged "stripes" or halftone circles in pixel areas protects etching in specific areas until these specific patterns are undercut and removed from the substrate. All pixel areas are then processed with a similar etch rate, but the depth varies depending on the halftone pattern. Varying the size and spacing of the halftone pattern allows etching with varying degrees of protection within a pixel, allowing for the localized deep etching needed to create steep vertical bevels. .
A preferred material for the deposition mask is Invar. Invar is a metal alloy that is cold rolled into long thin sheets in steel mills. Invar cannot be electrodeposited onto a spin mandrel as a nickel mask. A suitable and low cost method for forming open areas in a deposition mask is by wet chemical etching.
In some embodiments, the screen or display pattern is a pixel matrix on a substrate. In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using lithography (eg, photolithography and e-beam lithography). In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using wet chemical etching. In a further embodiment, the screen or display pattern is fabricated using plasma etching.
デバイスの製造方法：
ＯＬＥＤディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース／ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、前記ＴＦＴに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
ＯＬＥＤディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース／ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、前記ＴＦＴに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
Device manufacturing method:
OLED displays are generally manufactured by forming a large mother panel and then cutting the mother panel into cell panels. Typically, each cell panel on a mother panel includes a thin film transistor (TFT) having an active layer and a source/drain electrode formed on a base substrate, a planarization film applied to the TFT, a pixel electrode, a light emitting layer , a counter electrode, and an encapsulation layer are sequentially formed over time and cut from the mother panel.
OLED displays are generally manufactured by forming a large mother panel and then cutting the mother panel into cell panels. Typically, each cell panel on a mother panel includes a thin film transistor (TFT) having an active layer and a source/drain electrode formed on a base substrate, a planarization film applied to the TFT, a pixel electrode, a light emitting layer , a counter electrode, and an encapsulation layer are sequentially formed over time and cut from the mother panel.
本発明の他の態様では、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイの製造方法を提供し、当該方法は、
マザーパネルのベース基材上に障壁層を形成する工程と、
前記障壁層上に、セルパネル単位で複数のディスプレイユニットを形成する工程と、
前記セルパネルのディスプレイユニットのそれぞれの上にカプセル化層を形成する工程と、
前記セルパネル間のインタフェース部に有機フィルムを塗布する工程と、を含む。
いくつかの実施形態では、障壁層は、例えばＳｉＮｘで形成された無機フィルムであり、障壁層の端部はポリイミドまたはアクリルで形成された有機フィルムで被覆される。いくつかの実施形態では、有機フィルムは、マザーパネルがセルパネル単位で軟らかく切断されるように補助する。
いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層は、発光層と、ゲート電極と、ソース／ドレイン電極と、を有する。複数のディスプレイユニットの各々は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層と、ＴＦＴ層上に形成された平坦化フィルムと、平坦化フィルム上に形成された発光ユニットと、を有してもよく、前記インタフェース部に塗布された有機フィルムは、前記平坦化フィルムの材料と同じ材料で形成され、前記平坦化フィルムの形成と同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記発光ユニットは、不動態化層と、その間の平坦化フィルムと、発光ユニットを被覆し保護するカプセル化層と、によりＴＦＴ層と連結される。前記製造方法のいくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、ディスプレイユニットにもカプセル化層にも連結されない。
In another aspect of the invention, a method of manufacturing an organic light emitting diode (OLED) display is provided, the method comprising:
forming a barrier layer on the base substrate of the mother panel;
forming a plurality of display units in cell panel units on the barrier layer;
forming an encapsulation layer on each of the display units of the cell panel;
applying an organic film to an interface between the cell panels.
In some embodiments, the barrier layer is an inorganic film made of, for example, SiNx, and the edges of the barrier layer are covered with an organic film made of polyimide or acrylic. In some embodiments, the organic film helps the mother panel to be softly cut into cell panels.
In some embodiments, a thin film transistor (TFT) layer has a light emitting layer, a gate electrode, and a source/drain electrode. Each of the plurality of display units may include a thin film transistor (TFT) layer, a planarization film formed on the TFT layer, and a light emitting unit formed on the planarization film, and the interface portion may include a light emitting unit formed on the planarization film. The applied organic film is made of the same material as the planarization film and is formed simultaneously with the formation of the planarization film. In some embodiments, the light emitting unit is coupled to the TFT layer by a passivation layer, a planarization film therebetween, and an encapsulation layer covering and protecting the light emitting unit. In some embodiments of the manufacturing method, the organic film is not coupled to either a display unit or an encapsulation layer.
前記有機フィルムと平坦化フィルムの各々は、ポリイミドおよびアクリルのいずれか１つを含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記障壁層は無機フィルムであってもよい。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はポリイミドで形成されてもよい。前記方法は更に、ポリイミドで形成されたベース基材の１つの表面に障壁層を形成する前に、当該ベース基材のもう１つの表面にガラス材料で形成されたキャリア基材を取り付ける工程と、インタフェース部に沿った切断の前に、前記キャリア基材をベース基材から分離する工程と、を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記ＯＬＥＤディスプレイはフレキシブルなディスプレイである。
いくつかの実施形態では、前記不動態化層は、ＴＦＴ層の被覆のためにＴＦＴ層上に配置された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、不動態化層上に形成された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、障壁層の端部に形成された有機フィルムと同様、ポリイミドまたはアクリルで形成される。いくつかの実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイの製造の際、前記平坦化フィルムおよび有機フィルムは同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、障壁層の端部に形成されてもよく、それにより、当該有機フィルムの一部が直接ベース基材と接触し、当該有機フィルムの残りの部分が、障壁層の端部を囲みつつ、障壁層と接触する。
Each of the organic film and the planarization film may include one of polyimide and acrylic. In some embodiments, the barrier layer may be an inorganic film. In some embodiments, the base substrate may be formed of polyimide. The method further includes the steps of: prior to forming the barrier layer on one surface of the base substrate made of polyimide, attaching a carrier substrate made of glass material to another surface of the base substrate; The method may include separating the carrier substrate from the base substrate prior to cutting along the interface portion. In some embodiments, the OLED display is a flexible display.
In some embodiments, the passivation layer is an organic film disposed on the TFT layer for coating the TFT layer. In some embodiments, the planarizing film is an organic film formed on a passivation layer. In some embodiments, the planarizing film is formed of polyimide or acrylic, similar to the organic film formed on the edges of the barrier layer. In some embodiments, the planarization film and organic film are formed simultaneously during OLED display manufacturing. In some embodiments, the organic film may be formed at the edges of the barrier layer, such that a portion of the organic film is in direct contact with the base substrate and the remaining portion of the organic film is in direct contact with the base substrate. , in contact with the barrier layer while surrounding the edges of the barrier layer.
いくつかの実施形態では、前記発光層は、ピクセル電極と、対電極と、当該ピクセル電極と当該対電極との間に配置された有機発光層と、を有する。いくつかの実施形態では、前記ピクセル電極は、ＴＦＴ層のソース／ドレイン電極に連結している。
いくつかの実施形態では、ＴＦＴ層を通じてピクセル電極に電圧が印加されるとき、ピクセル電極と対電極との間に適切な電圧が形成され、それにより有機発光層が光を放射し、それにより画像が形成される。以下、ＴＦＴ層と発光ユニットとを有する画像形成ユニットを、ディスプレイユニットと称する。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットを被覆し、外部の水分の浸透を防止するカプセル化層は、有機フィルムと無機フィルムとが交互に積層する薄膜状のカプセル化構造に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、前記カプセル化層は、複数の薄膜が積層した薄膜状カプセル化構造を有する。いくつかの実施形態では、インタフェース部に塗布される有機フィルムは、複数のディスプレイユニットの各々と間隔を置いて配置される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、一部の有機フィルムが直接ベース基材と接触し、有機フィルムの残りの部分が障壁層の端部を囲む一方で障壁層と接触する態様で形成される。
In some embodiments, the emissive layer includes a pixel electrode, a counter electrode, and an organic emissive layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode. In some embodiments, the pixel electrode is coupled to a source/drain electrode of a TFT layer.
In some embodiments, when a voltage is applied to the pixel electrode through the TFT layer, a suitable voltage is formed between the pixel electrode and the counter electrode, causing the organic light emitting layer to emit light, thereby generating an image. is formed. Hereinafter, an image forming unit having a TFT layer and a light emitting unit will be referred to as a display unit.
In some embodiments, the encapsulation layer that covers the display unit and prevents the penetration of external moisture may be formed into a thin film-like encapsulation structure in which organic films and inorganic films are alternately laminated. In some embodiments, the encapsulation layer has a thin film-like encapsulation structure in which a plurality of thin films are stacked. In some embodiments, the organic film applied to the interface portion is spaced apart from each of the plurality of display units. In some embodiments, the organic film is formed such that a portion of the organic film is in direct contact with the base substrate and a portion of the organic film is in contact with the barrier layer while surrounding the edges of the barrier layer. be done.
一実施形態では、ＯＬＥＤディスプレイはフレキシブルであり、ポリイミドで形成された柔軟なベース基材を使用する。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はガラス材料で形成されたキャリア基材上に形成され、次に当該キャリア基材が分離される。
いくつかの実施形態では、障壁層は、キャリア基材の反対側のベース基材の表面に形成される。一実施形態では、前記障壁層は、各セルパネルのサイズに従いパターン化される。例えば、ベース基材がマザーパネルの全ての表面上に形成される一方で、障壁層が各セルパネルのサイズに従い形成され、それにより、セルパネルの障壁層の間のインタフェース部に溝が形成される。各セルパネルは、前記溝に沿って切断できる。
In one embodiment, the OLED display is flexible and uses a flexible base substrate formed of polyimide. In some embodiments, the base substrate is formed on a carrier substrate formed of a glass material, and then the carrier substrate is separated.
In some embodiments, the barrier layer is formed on the surface of the base substrate opposite the carrier substrate. In one embodiment, the barrier layer is patterned according to the size of each cell panel. For example, a base substrate is formed on all surfaces of the mother panel, while barrier layers are formed according to the size of each cell panel, thereby forming grooves at the interface between the barrier layers of the cell panels. Each cell panel can be cut along the groove.
いくつかの実施形態では、前記の製造方法は、更にインタフェース部に沿って切断する工程を含み、そこでは溝が障壁層に形成され、少なくとも一部の有機フィルムが溝で形成され、当該溝がベース基材に浸透しない。いくつかの実施形態では、各セルパネルのＴＦＴ層が形成され、無機フィルムである不動態化層と有機フィルムである平坦化フィルムが、ＴＦＴ層上に配置され、ＴＦＴ層を被覆する。例えばポリイミドまたはアクリル製の平坦化フィルムが形成されるのと同時に、インタフェース部の溝は、例えばポリイミドまたはアクリル製の有機フィルムで被覆される。これは、各セルパネルがインタフェース部で溝に沿って切断されるとき、生じた衝撃を有機フィルムに吸収させることによってひびが生じるのを防止する。すなわち、全ての障壁層が有機フィルムなしで完全に露出している場合、各セルパネルがインタフェース部で溝に沿って切断されるとき、生じた衝撃が障壁層に伝達され、それによりひびが生じるリスクが増加する。しかしながら、一実施形態では、障壁層間のインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されて、有機フィルムがなければ障壁層に伝達されうる衝撃を吸収するため、各セルパネルをソフトに切断し、障壁層でひびが生じるのを防止してもよい。一実施形態では、インタフェース部の溝を被覆する有機フィルムおよび平坦化フィルムは、互いに間隔を置いて配置される。例えば、有機フィルムおよび平坦化フィルムが１つの層として相互に接続している場合には、平坦化フィルムと有機フィルムが残っている部分とを通じてディスプレイユニットに外部の水分が浸入するおそれがあるため、有機フィルムおよび平坦化フィルムは、有機フィルムがディスプレイユニットから間隔を置いて配置されるように、相互に間隔を置いて配置される。 In some embodiments, the manufacturing method further includes cutting along the interface portion, where a groove is formed in the barrier layer, at least a portion of the organic film is formed with a groove, and the groove is formed in the barrier layer. Does not penetrate the base substrate. In some embodiments, the TFT layer of each cell panel is formed, and a passivation layer, which is an inorganic film, and a planarization film, which is an organic film, are disposed over and overlying the TFT layer. At the same time as the flattening film, for example made of polyimide or acrylic, is formed, the grooves of the interface are coated with an organic film, for example made of polyimide or acrylic. This prevents cracks from occurring when each cell panel is cut along the groove at the interface by allowing the organic film to absorb the resulting impact. That is, if all barrier layers are completely exposed without organic films, when each cell panel is cut along the groove at the interface, there is a risk that the resulting impact will be transmitted to the barrier layer, thereby causing cracks. increases. However, in one embodiment, each cell panel is soft cut and the grooves at the interface between the barrier layers are coated with an organic film to absorb shock that could otherwise be transferred to the barrier layer. It may also prevent cracks from forming. In one embodiment, the organic film covering the groove of the interface portion and the planarization film are spaced apart from each other. For example, if an organic film and a flattened film are interconnected as one layer, external moisture may enter the display unit through the flattened film and the remaining organic film. The organic film and the planarization film are spaced apart from each other such that the organic film is spaced from the display unit.
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットは、発光ユニットの形成により形成され、カプセル化層は、ディスプレイユニットを被覆するためディスプレイユニット上に配置される。これにより、マザーパネルが完全に製造された後、ベース基材を担持するキャリア基材がベース基材から分離される。いくつかの実施形態では、レーザー光線がキャリア基材へ放射されると、キャリア基材は、キャリア基材とベース基材との間の熱膨張率の相違により、ベース基材から分離される。
いくつかの実施形態では、マザーパネルは、セルパネル単位で切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルは、カッターを用いてセルパネル間のインタフェース部に沿って切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルが沿って切断されるインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されているため、切断の間、当該有機フィルムが衝撃を吸収する。いくつかの実施形態では、切断の間、障壁層でひびが生じるのを防止できる。
いくつかの実施形態では、前記方法は製品の不良率を減少させ、その品質を安定させる。
他の態様は、ベース基材上に形成された障壁層と、障壁層上に形成されたディスプレイユニットと、ディスプレイユニット上に形成されたカプセル化層と、障壁層の端部に塗布された有機フィルムと、を有するＯＬＥＤディスプレイである。
In some embodiments, the display unit is formed by forming a light emitting unit, and the encapsulation layer is disposed on the display unit to cover the display unit. Thereby, after the mother panel has been completely manufactured, the carrier substrate carrying the base substrate is separated from the base substrate. In some embodiments, when the laser beam is emitted onto the carrier substrate, the carrier substrate is separated from the base substrate due to a difference in coefficient of thermal expansion between the carrier substrate and the base substrate.
In some embodiments, the mother panel is cut into cell panels. In some embodiments, the mother panel is cut along the interface between the cell panels using a cutter. In some embodiments, the interface groove along which the mother panel is cut is coated with an organic film so that the organic film absorbs shock during cutting. In some embodiments, cracking in the barrier layer can be prevented during cutting.
In some embodiments, the method reduces the reject rate and stabilizes the quality of the product.
Other embodiments include a barrier layer formed on a base substrate, a display unit formed on the barrier layer, an encapsulation layer formed on the display unit, and an organic An OLED display having a film.
以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下に示す材料、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、発光特性の評価は、ソースメータ（ケースレー社製：２４００シリーズ）、半導体パラメータ・アナライザ（アジレント・テクノロジー社製：Ｅ５２７３Ａ）、光パワーメータ測定装置（ニューポート社製：１９３０Ｃ）、光学分光器（オーシャンオプティクス社製：ＵＳＢ２０００）、分光放射計（トプコン社製：ＳＲ－３）およびストリークカメラ（浜松ホトニクス（株）製Ｃ４３３４型）を用いて行った。 The features of the present invention will be explained in more detail with reference to Examples below. The materials, processing details, processing procedures, etc. shown below can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the specific examples shown below. The emission characteristics were evaluated using a source meter (Keithley: 2400 series), a semiconductor parameter analyzer (Agilent Technologies: E5273A), an optical power meter measurement device (Newport: 1930C), and an optical spectrometer. (Ocean Optics Co., Ltd.: USB2000), a spectroradiometer (Topcon Co., Ltd.: SR-3), and a streak camera (Hamamatsu Photonics Co., Ltd., model C4334).
（合成例１） 化合物６の合成
１Ｈ ＮＭＲ (５００ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３, δ): ８．３４－８．３１（ｍ，４Ｈ），８．２６－８．２５（ｍ，２Ｈ），７．９０－７．８８（ｍ，２Ｈ），７．７１－７．６４（ｍ，４Ｈ），７．５５－７．５４（ｍ，４Ｈ）．
ＡＳＡＰマススペクトル分析：理論値４９２．１、観測値４９３．４
(Synthesis Example 1) Synthesis of compound 6
1H NMR (500MHz, CDCl3 , δ): 8.34-8.31 (m, 4H), 8.26-8.25 (m, 2H), 7.90-7.88 (m, 2H) , 7.71-7.64 (m, 4H), 7.55-7.54 (m, 4H).
ASAP mass spectrum analysis: theoretical value 492.1, observed value 493.4
（合成例２） 化合物８の合成
１Ｈ ＮＭＲ (５００ＭＨｚ, ＣＤＣｌ３, δ): ８．０３－８．０１（ｍ，４Ｈ），７．９０－７．８９（ｍ，４Ｈ），７．５７（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．４３（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），７．２２（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．１９（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），６．８０（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ）．
ＡＳＡＰマススペクトル分析：理論値４９２．１、観測値４９２．９
(Synthesis example 2) Synthesis of compound 8
1H NMR (500MHz, CDCl3 , δ): 8.03-8.01 (m, 4H), 7.90-7.89 (m, 4H), 7.57 (t, J=7.5Hz, 2H), 7.43 (t, J=7.9Hz, 2H), 7.22 (d, J=7.2Hz, 2H), 7.19 (t, J=7.2Hz, 2H), 6. 80 (d, J=8.2Hz, 2H).
ASAP mass spectrum analysis: theoretical value 492.1, observed value 492.9
（実施例１） 化合物６を正孔障壁層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製１
膜厚１００ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基材上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度１×１０－６Ｐａで積層した。まず、ＩＴＯ上にＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍの厚さに形成し、その上にＮＰＤを１０ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にＴｒｉｓ－ＰＣｚを１５ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にｍＣＢＰを５ｎｍの厚さに形成した。次に、４ＣｚＩＰＮとｍＣＢＰを異なる蒸着源から共蒸着し、３０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。この時、４ＣｚＩＰＮの濃度は２５重量％とした。次に、化合物６を１０ｎｍの厚さの正孔障壁層として形成した。続いて、ＢＰｙＴＰ２とＬｉｑを異なる蒸着源から共蒸着し、３０ｎｍの厚さの電子輸送層として形成した。この時、ＢＰｙＴＰ２：Ｌｉｑ（重量比）は７：３とした。さらに、Ｌｉｑを２ｎｍの厚さに形成し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
(Example 1)
Each thin film was laminated by vacuum evaporation at a degree of vacuum of 1×10 −6 Pa on a glass substrate on which a 100 nm thick anode made of indium tin oxide (ITO) was formed. First, HAT-CN is formed on ITO to a thickness of 10 nm, NPD is formed on it to a thickness of 10 nm, Tris-PCz is formed on it to a thickness of 15 nm, and then on top of that, Tris-PCz is formed to a thickness of 15 nm. mCBP was formed to a thickness of 5 nm. Next, 4CzIPN and mCBP were co-deposited from different deposition sources to form a layer with a thickness of 30 nm to form a light-emitting layer. At this time, the concentration of 4CzIPN was 25% by weight. Compound 6 was then formed as a hole blocking layer with a thickness of 10 nm. Subsequently, BPyTP2 and Liq were co-deposited from different deposition sources to form an electron transport layer with a thickness of 30 nm. At this time, BPyTP2:Liq (weight ratio) was set to 7:3. Furthermore, a cathode was formed by forming Liq to a thickness of 2 nm and then depositing aluminum (Al) to a thickness of 100 nm, thereby obtaining the organic electroluminescent element of Example 1.
（実施例２） 化合物６を正孔障壁層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製２
実施例１の電子輸送層に用いたＢＰｙＴＰ２の代わりに化合物６を用いた点だけを変更して、実施例１と同じ手順で実施例２の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。実施例２の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層は、化合物６：Ｌｉｑ（重量比）＝７：３である。
(Example 2) Production of organic electroluminescent device using compound 6 as
An organic electroluminescent device of Example 2 was manufactured in the same manner as in Example 1, except that Compound 6 was used instead of BPyTP2 used in the electron transport layer of Example 1. The electron transport layer of the organic electroluminescent device of Example 2 has a compound 6:Liq (weight ratio) of 7:3.
（比較例１） Ｔ２Ｔを正孔障壁層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
実施例１の正孔障壁層に用いた化合物６の代わりにＴ２Ｔを用いた点だけを変更して、実施例１と同じ手順で比較例１の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。
(Comparative Example 1) Production of an organic electroluminescent device using T2T as a hole blocking layer Example 1 was prepared with the only change being that T2T was used instead of compound 6 used in the hole blocking layer of Example 1. An organic electroluminescent device of Comparative Example 1 was manufactured using the same procedure as above.
（評価）
実施例１、実施例２、比較例１の各有機エレクトロルミネッセンス素子の１０ｃｄ／ｍ２における外部量子収率を測定し、５０００ｃｄ／ｍ２で発光させたときの発光強度が発光開始時の９５％になるまでの時間（寿命：ＬＴ９５）を測定し、比較例１を基準とした相対値で示した結果を以下の表に示す。
(evaluation)
The external quantum yield at 10 cd/m 2 of each organic electroluminescent device of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 was measured, and the emission intensity when emitting light at 5000 cd/m 2 was 95% of that at the start of emission. The time taken to reach LT95 (lifespan: LT95) was measured, and the results are shown in the table below as relative values based on Comparative Example 1.
実施例１と比較例１の比較より、本発明の一般式（１）で表される化合物を正孔障壁層に用いた場合は、公知の正孔障壁材料を正孔障壁層に用いた場合よりも外部量子効率が高く、寿命も長かった。また、実施例２の結果は、電子輸送層の材料を選択することにより、外部量子効率をさらに向上させることが可能であることを示している。 From a comparison between Example 1 and Comparative Example 1, it was found that when the compound represented by the general formula (1) of the present invention was used for the hole blocking layer, when a known hole blocking material was used for the hole blocking layer. It had a higher external quantum efficiency and a longer lifetime. Moreover, the results of Example 2 show that it is possible to further improve the external quantum efficiency by selecting the material for the electron transport layer.
（実施例３） 化合物６をホスト材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
膜厚１００ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基材上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度１×１０－６Ｐａで積層した。まず、ＩＴＯ上にＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍの厚さに形成し、その上にＮＰＤを１０ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にＴｒｉｓ－ＰＣｚを１５ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にｍＣＢＰを５ｎｍの厚さに形成した。次に、４ＣｚＴＰＮと化合物６を異なる蒸着源から共蒸着し、３０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。この時、４ＣｚＴＰＮの濃度は３０重量％とした。次に、Ｔ２Ｔを１０ｎｍの厚さの正孔障壁層として形成した。続いて、ＢＰｙＴＰ２とＬｉｑを異なる蒸着源から共蒸着し、４０ｎｍの厚さの電子輸送層として形成した。この時、ＢＰｙＴＰ２：Ｌｉｑ（重量比）は７：３とした。さらに、Ｌｉｑを２ｎｍの厚さに形成し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
(Example 3) Production of an organic electroluminescent device using compound 6 as a host material Each thin film was deposited on a glass substrate on which an anode made of indium tin oxide (ITO) with a film thickness of 100 nm was formed by vacuum evaporation. The layers were laminated at a vacuum degree of 1×10 −6 Pa. First, HAT-CN is formed on ITO to a thickness of 10 nm, NPD is formed on it to a thickness of 10 nm, Tris-PCz is formed on it to a thickness of 15 nm, and then on top of that, Tris-PCz is formed to a thickness of 15 nm. mCBP was formed to a thickness of 5 nm. Next, 4CzTPN and Compound 6 were co-deposited from different deposition sources to form a layer with a thickness of 30 nm to form a light-emitting layer. At this time, the concentration of 4CzTPN was 30% by weight. Next, T2T was formed as a hole blocking layer with a thickness of 10 nm. Subsequently, BPyTP2 and Liq were co-evaporated from different deposition sources to form an electron transport layer with a thickness of 40 nm. At this time, BPyTP2:Liq (weight ratio) was set to 7:3. Furthermore, a cathode was formed by forming Liq to a thickness of 2 nm and then depositing aluminum (Al) to a thickness of 100 nm, thereby obtaining the organic electroluminescent element of Example 3.
（比較例２） ｍＣＢＰをホスト材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
実施例３の発光層に用いた化合物６の代わりにｍＣＢＰを用いた点だけを変更して、実施例３と同じ手順で比較例２の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。比較例２の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、ｍＣＢＰと４ＣｚＴＰＮからなり、４ＣｚＴＰＮの濃度は３０重量％である。
(Comparative Example 2) Production of an organic electroluminescent device using mCBP as a host material The same procedure as in Example 3 was followed except that mCBP was used instead of Compound 6 used in the light emitting layer of Example 3. An organic electroluminescent device of Comparative Example 2 was manufactured. The light-emitting layer of the organic electroluminescent device of Comparative Example 2 consists of mCBP and 4CzTPN, and the concentration of 4CzTPN is 30% by weight.
（評価）
実施例３、比較例２の各有機エレクトロルミネッセンス素子の１０ｃｄ／ｍ２における外部量子収率を測定し、５０００ｃｄ／ｍ２で発光させたときの発光強度が発光開始時の９５％になるまでの時間（寿命：ＬＴ９５）を測定し、比較例２を基準とした相対値で示した結果を以下の表に示す。
(evaluation)
The external quantum yield at 10 cd/m 2 of each organic electroluminescent device of Example 3 and Comparative Example 2 was measured, and the luminescence intensity when emitted at 5000 cd/m 2 reached 95% of that at the start of light emission. The time (lifetime: LT95) was measured and the results are shown in the table below as relative values based on Comparative Example 2.
実施例３と比較例２の比較より、本発明の一般式（１）で表される化合物を発光層のホスト材料として用いた場合は、公知のホスト材料を発光層に用いた場合よりも外部量子効率が高く、寿命も長かった。 From a comparison between Example 3 and Comparative Example 2, it was found that when the compound represented by the general formula (1) of the present invention was used as the host material of the luminescent layer, the external It had high quantum efficiency and a long lifetime.
（実施例４） 化合物８を正孔障壁層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
膜厚１００ｎｍのインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）からなる陽極が形成されたガラス基材上に、各薄膜を真空蒸着法にて、真空度１×１０－６Ｐａで積層した。まず、ＩＴＯ上にＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍの厚さに形成し、その上にＮＰＤを１０ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にＴｒｉｓ－ＰＣｚを１５ｎｍの厚さに形成し、さらにその上にｍＣＢＰを５ｎｍの厚さに形成した。次に、４ＣｚＩＰＮとｍＣＢＰを異なる蒸着源から共蒸着し、３０ｎｍの厚さの層を形成して発光層とした。この時、４ＣｚＩＰＮの濃度は２０重量％とした。次に、本発明の化合物８を１０ｎｍの厚さの正孔障壁層として形成した。続いて、ＳＦ３－ＴＲＺとＬｉｑを異なる蒸着源から共蒸着し、４０ｎｍの厚さの電子輸送層として形成した。この時、ＳＦ３－ＴＲＺ：Ｌｉｑ（重量比）は７：３とした。さらに、Ｌｉｑを２ｎｍの厚さに形成し、次いでアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍの厚さに蒸着することにより陰極を形成し、実施例４の有機エレクトロルミネッセンス素子とした。外部量子効率は２０．０％となり、高効率な有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できた。
(Example 4) Production of an organic electroluminescent device using Compound 8 as a hole barrier layer Each thin film was placed on a glass substrate on which an anode made of indium tin oxide (ITO) with a film thickness of 100 nm was formed. Lamination was performed using a vapor deposition method at a vacuum degree of 1×10 −6 Pa. First, HAT-CN is formed on ITO to a thickness of 10 nm, NPD is formed on it to a thickness of 10 nm, Tris-PCz is formed on it to a thickness of 15 nm, and then on top of that, Tris-PCz is formed to a thickness of 15 nm. mCBP was formed to a thickness of 5 nm. Next, 4CzIPN and mCBP were co-deposited from different deposition sources to form a layer with a thickness of 30 nm to form a light-emitting layer. At this time, the concentration of 4CzIPN was 20% by weight. Next, Compound 8 of the present invention was formed as a hole blocking layer with a thickness of 10 nm. Subsequently, SF3-TRZ and Liq were co-evaporated from different deposition sources to form an electron transport layer with a thickness of 40 nm. At this time, SF3-TRZ:Liq (weight ratio) was set to 7:3. Furthermore, a cathode was formed by forming Liq to a thickness of 2 nm and then depositing aluminum (Al) to a thickness of 100 nm, thereby obtaining the organic electroluminescent element of Example 4. The external quantum efficiency was 20.0%, making it possible to realize a highly efficient organic electroluminescent device.
（実施例５） 化合物６を正孔障壁層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
実施例４の正孔障壁層に用いた化合物８の代わりに化合物６を用いた点だけを変更して、実施例４と同じ手順で実施例５の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造した。外部量子効率は１９．６％となり、高効率な有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できた。
(Example 5) Production of an organic electroluminescent device using compound 6 as a hole blocking layer The experiment was carried out with the only change being that compound 6 was used instead of compound 8 used in the hole blocking layer of Example 4. An organic electroluminescent device of Example 5 was manufactured using the same procedure as Example 4. The external quantum efficiency was 19.6%, making it possible to realize a highly efficient organic electroluminescent device.
１ 基材
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 陰極
1
Claims (7)
Ｒ ３ ’はシアノ基を表し、
Ｒ １ ’およびＲ ４ ’は、下記一般式（２）で表される基を表し、
Ｒ ２ ’およびＲ ５ ’は、各々独立に水素原子、または、下記一般式（２）で表される基とシアノ基以外の置換基を表す。］
ＸはＳを表し、Ｘ４はＣ－（Ｌ）ｎ－＊を表し、Ｘ１～Ｘ３およびＸ５～Ｘ８はＣＨを表す。ここで、ｎは０を表す。＊は、一般式（１）のベンゼン環への結合位置を表す。］ A charge transport material represented by the following general formula (1a).
R 3 ' represents a cyano group,
R 1 ′ and R 4 ′ represent a group represented by the following general formula (2),
R 2 ′ and R 5 ′ each independently represent a hydrogen atom or a substituent other than the group represented by the following general formula (2) and the cyano group. ]
X represents S , X 4 represents C-(L)n-*, and X 1 to X 3 and X 5 to X 8 represent CH . Here , n represents 0 . * represents the bonding position to the benzene ring in general formula (1). ]
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