JP7388216B2 - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、図3に示されるように、エピタキシャル成長技術を利用して、GaN基板12の表面からn型GaNのGaNエピ層14及びn型AlGaNのAlGaNエピ層16をこの順で積層し、窒化物半導体層20を形成する。
20 :窒化物半導体層
21 :ドレイン領域
22 :ドリフト領域
23 :JFET領域
24 :ボディ領域
24a :第1ボディ部分
24b :第2ボディ部分
25 :ソース領域
26 :ボディコンタクト領域
32 :ドレイン電極
34 :ソース電極
36 :絶縁ゲート部
36a :ゲート絶縁膜
36b :ゲート電極
Claims (1)
- 窒化物半導体装置であって、
n型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域上に設けられており、第1ボディ部分と第2ボディ部分とゲート絶縁膜とゲート電極がこの順で積層したチャネル部と、
前記ドリフト領域上に設けられており、前記チャネル部の前記第1ボディ部分と前記第2ボディ部分に隣接しているn型のJFET領域と、を備えており、
前記第1ボディ部分は、p型の窒化物半導体であり、
前記第2ボディ部分は、前記第1ボディ部分よりもバンドギャップが広いp型の窒化物
半導体である、窒化物半導体装置。
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