JP7387979B2 - 振動デバイス、振動デバイスの製造方法および電子機器 - Google Patents
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Description
前記半導体基板の一方の主面側に搭載されている振動素子と、
前記半導体基板の前記一方の主面側における前記振動素子を囲む部分に接合されている蓋体と、を備え、
前記振動素子は、
振動片と、
前記振動片に配置されている励振電極と、
を備え、
前記励振電極は、一部が前記振動片の前記半導体基板側に配置され、
前記半導体基板の前記一方の主面側には絶縁膜が配置され、
前記絶縁膜は、平面視で前記励振電極の前記一部と重なって配置され、前記半導体基板と前記蓋体との接合部分には配置されていない振動デバイスである。
前記露出した部分の輪郭は、前記振動素子と前記接合部分との間に位置していることが好ましい。
振動片と前記振動片に配置されている励振電極とを備えている振動素子を準備し、前記励振電極の一部を前記半導体基板側に向けて、前記振動素子を前記半導体基板の前記一方の主面側に搭載する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主面側における前記振動素子を囲む部分に蓋体を接合する工程と、を含み、
前記絶縁膜は、平面視で前記励振電極の前記一部と重なって配置され、前記半導体基板と前記蓋体との接合部分には配置されていない振動デバイスの製造方法である。
図1は、本発明の第1実施形態に係る振動デバイスを示す平面図である。図2は、図1中のA-A線断面図である。図3は、振動素子を上面側から見たときの下面を示す透過平面図である。図4は、振動デバイスの製造工程を示す図である。図5ないし図16は、それぞれ、振動デバイスの製造方法を説明するための断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1、図3中の紙面手前側および図2、図5~図16の上側を「上」とも言い、図1、図3中の紙面奥側および図2、図5~図16の下側を「下」とも言う。また、水晶の結晶軸をX軸(電気軸)、Y軸(機械軸)およびZ軸(光軸)として説明する。
パッケージ2は、半導体基板3と、半導体基板3に接合された蓋体4と、を有し、これらが接合されて内部に気密な収納空間Sが形成されている。収納空間Sの雰囲気は、特に限定されないが、本実施形態では減圧状態、好ましくは真空状態となっている。収納空間Sを減圧状態とすることにより、振動素子9の発振効率が向上する。
図1および図3に示すように、振動素子9は、平面視形状が長方形の板状をなす振動片91と、振動片91に配置された電極92と、を有している。振動片91は、厚み滑り振動をする水晶素板である。本実施形態では、振動片91としてATカットと呼ばれるカット角で切り出された水晶素板を用いている。なお、ATカットとは、水晶の結晶軸であるX軸とZ軸とを含む平面をX軸回りにZ軸から反時計方向に約35度15分程度回転させて得られる主面(X軸とZ’軸とを含み、Y’軸を法線とする面)を有するように切り出すことを言う。なお、以下では、説明の便宜上、X軸方向のプラス側を「先端」または「先端側」とも言い、X軸方向のマイナス側を「基端」または「基端側」とも言う。
次に、絶縁膜6について説明する。前述したように、絶縁膜6は、半導体基板3の表面、具体的には半導体基板3の上面31、下面32および貫通孔33、34の内周面に配置されている(図2参照)。そして、絶縁膜6を介して半導体基板3に内部電極51、52、外部電極53、54および貫通電極55、56が配置されている。このように、半導体基板3の表面に絶縁膜6を形成することにより、半導体基板3を介して内部電極51、外部電極53および貫通電極55からなる電極群と、内部電極52、外部電極54および貫通電極56からなる電極群と、が短絡することを効果的に抑制することができる。
まず、図5に示すように、シリコン基板からなる半導体基板3を準備する。なお、ここで準備される半導体基板3は、完成品となった状態での半導体基板3よりも厚くなっている。これにより、ハンドリングが向上する。次に、図6に示すように、例えば、ドライエッチング、特にボッシュ法によって半導体基板3の上面31に有底の孔330、340を形成する。ただし、孔330、340の形成方法は、特に限定されず、例えば、ウェットエッチングによって形成してもよい。
次に、振動片91の表面に電極92が形成された振動素子9を準備する。次に、図15に示すように、金属バンプB1、B2を介して振動素子9を半導体基板3の上面側に固定する。この際、絶縁膜61の輪郭612に振動素子9の輪郭90を揃えることにより、振動素子9を容易に所定の位置に位置決めすることができる。また、絶縁膜61によって振動素子9が有する励振電極921と半導体基板3との接触による短絡が抑制される。
次に、シリコン基板で構成された蓋体4を準備し、図16に示すように、蓋体4を半導体基板3の上面に接合し、振動素子9を収納するパッケージ2を形成する。なお、接合方法としては、特に限定されないが、本実施形態では、直接接合、特に常温接合によって接合されている。これにより、半導体基板3と蓋体4とを強固に接合することができる。また、接着剤、接合層等を介さないため、その分、パッケージ2の低背化を図ることができるし、アウトガスの発生も抑制することができる。
図17は、本発明の第2実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
図18は、本発明の第3実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図19は、本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図20は、本発明の第5実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
Claims (6)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面側に搭載されている振動素子と、
前記半導体基板の前記一方の主面側における前記振動素子を囲む部分に接合されている蓋体と、を備え、
前記振動素子は、
平面視での形状が長方形であり、板状をなす振動片と、
前記振動片に配置されている励振電極と、
を備え、
前記励振電極は、一部が前記振動片の前記半導体基板側に配置され、
前記半導体基板の前記一方の主面側には絶縁膜が配置され、
前記絶縁膜は、平面視で前記励振電極の前記一部と重なって配置され、前記半導体基板と前記蓋体との接合部分には配置されておらず、
前記絶縁膜は、前記振動素子側から見た平面視で、前記振動素子の全周から外側へ露出した部分を有し、
前記露出した部分の輪郭は、前記振動素子側から見た平面視での形状が長方形であり、
前記露出した部分の輪郭は、平面視で、前記振動素子の輪郭に沿って配置され、前記振動素子と前記接合部分との間に位置し、前記振動素子から離間し、かつ、前記接合部分から離間しており、
前記振動片の長手方向の一方側の方向を第1方向、前記長手方向の他方側の方向を第2方向、前記振動片の厚さ方向および前記長手方向に直交する方向の一方側の方向を第3方向、前記振動片の厚さ方向および前記長手方向に直交する方向の他方側の方向を第4方向としたとき、
平面視で、前記振動素子の輪郭の前記第1方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第1方向の端部との離間距離D1と、前記振動素子の輪郭の前記第2方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第2方向の端部との離間距離D2とが等しく、
平面視で、前記振動素子の輪郭の前記第3方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第3方向の端部との離間距離D3と、前記振動素子の輪郭の前記第4方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第4方向の端部との離間距離D4とが等しいことを特徴とする振動デバイス。 - 前記半導体基板の構成材料および前記蓋体の構成材料は、それぞれ、シリコンである請求項1に記載の振動デバイス。
- 前記半導体基板に前記振動素子と電気的に接続されている回路が形成されている請求項1または2に記載の振動デバイス。
- 前記露出した部分の輪郭は、前記振動素子の輪郭に沿っている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の振動デバイス。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の振動デバイスを有することを特徴とする電子機器。
- 半導体基板の一方の主面側に絶縁膜を配置する工程と、
振動片と前記振動片に配置されている励振電極とを備えている振動素子を準備し、前記励振電極の一部を前記半導体基板側に向けて、前記振動素子を前記半導体基板の前記一方の主面側に搭載する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主面側における前記振動素子を囲む部分に蓋体を接合する工程と、を含み、
前記振動片は、平面視での形状が長方形であり、板状をなし、
前記絶縁膜は、平面視で前記励振電極の前記一部と重なって配置され、前記半導体基板と前記蓋体との接合部分には配置されておらず、
前記絶縁膜は、前記振動素子側から見た平面視で、前記振動素子の全周から外側へ露出した部分を有し、
前記露出した部分の輪郭は、前記振動素子側から見た平面視での形状が長方形であり、
前記露出した部分の輪郭は、平面視で、前記振動素子の輪郭に沿って配置され、前記振動素子と前記接合部分との間に位置し、前記振動素子から離間し、かつ、前記接合部分から離間しており、
前記振動片の長手方向の一方側の方向を第1方向、前記長手方向の他方側の方向を第2方向、前記振動片の厚さ方向および前記長手方向に直交する方向の一方側の方向を第3方向、前記振動片の厚さ方向および前記長手方向に直交する方向の他方側の方向を第4方向としたとき、
平面視で、前記振動素子の輪郭の前記第1方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第1方向の端部との離間距離D1と、前記振動素子の輪郭の前記第2方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第2方向の端部との離間距離D2とが等しく、
平面視で、前記振動素子の輪郭の前記第3方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第3方向の端部との離間距離D3と、前記振動素子の輪郭の前記第4方向の端部と前記露出した部分の輪郭の前記第4方向の端部との離間距離D4とが等しいことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
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JP2007089117A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子、発振器、電子部品、電子機器、圧電振動子の製造方法及び電子部品の製造方法 |
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JP5573991B2 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | 接合用ウェハ |
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