JP7383404B2 - 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents
圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7383404B2 JP7383404B2 JP2019105698A JP2019105698A JP7383404B2 JP 7383404 B2 JP7383404 B2 JP 7383404B2 JP 2019105698 A JP2019105698 A JP 2019105698A JP 2019105698 A JP2019105698 A JP 2019105698A JP 7383404 B2 JP7383404 B2 JP 7383404B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- region
- grooves
- additional
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 348
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 60
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 60
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 38
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 38
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
図3(a)から図3(c)は、実施例1に係る圧電薄膜共振器の製造方法を示す断面図である。図3(a)に示すように、基板10上に犠牲層38を例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用い成膜する。犠牲層38は、例えば厚さが10nmから100nmの酸化マグネシウム(MgO)、酸化亜鉛(ZnO)、ゲルマニウム(Ge)または酸化シリコン(SiO2)等である。その後、犠牲層38を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。犠牲層38の形状は、空隙30の平面形状に相当する形状であり、例えば共振領域50となる領域を含む。犠牲層38および基板10上に下部電極12として下層12aおよび上層12bを例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはCVD法を用い成膜する。その後、下部電極12を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用い所望の形状にパターニングする。下部電極12は、リフトオフ法により形成してもよい。
図4は、比較例1に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図4に示すように、比較例1では領域56に付加膜17は形成されていない。その他の構成は実施例1と同じである。
領域56の幅D5を変え、比較例1における***振周波数におけるQ値(Qa)をシミュレーションした。シミュレーション条件は以下である。
周波数調整膜24:厚さが52nmの酸化シリコン膜
上層16b:厚さが22nmのクロム膜
下層16a:厚さが219nmのルテニウム膜
挿入膜28:厚さが150nmの酸化シリコン膜
圧電膜14:厚さが1163nmのマグネシウム、ハフニウム添加の窒化アルミニウム膜
上層12b:厚さが278nmのルテニウム膜
下層12a:厚さが96nmのクロム膜
基板10:シリコン基板
共振領域50の幅:84μm
シミュレーションは、1800MHzから2100MHzの交流電圧を下部電極12と上部電極16との間に印加しアドミッタンスの周波数依存を算出した。算出結果をmBVDモデルでフィッティングし、Qaを算出した。
次に、1個の付加膜17を設けた圧電薄膜共振器についてシミュレーションした。シミュレーション条件は以下である。
付加膜17の個数:1個
領域56の幅D5:50μm
付加膜17の幅D1および共振領域50と付加膜17と間の領域56cの幅D3を変えた。その他のシミュレーション条件はシミュレーション1と同じである。
一定の周期で付加膜17の個数を変え圧電薄膜共振器についてシミュレーションした。シミュレーション条件は以下である。
付加膜17の幅D1:1.8μm
領域56bおよび56cの幅D2、D3:2.2μm
付加膜17の個数および領域56dの幅D4を変化させた。その他のシミュレーション条件はシミュレーション1と同じである。
図9(a)に示すように、実施例1の変形例1では、領域56aにおいて、付加膜15は圧電膜14上に設けられ、圧電膜14と同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜15は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図9(b)に示すように、実施例1の変形例2では、領域56aにおいて、付加膜27は挿入膜28と上部圧電膜14bとの間に設けられ、挿入膜28と同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜27は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図9(c)に示すように、実施例1の変形例3では、領域56aにおいて、付加膜13は下部電極12と圧電膜14との間に設けられ、下部電極12の上層12bと同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜13は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図10(a)に示すように、実施例1の変形例4では、領域56aにおいて、付加膜13は下部電極12の下層12aと上層12bとの間に設けられ、下部電極12の下層12aと同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜13は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図10(b)に示すように、実施例1の変形例5では、領域56aにおいて、圧電膜14の上面に溝15aが設けられている。領域56bから56dには溝15aは設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図10(c)に示すように、実施例1の変形例6では、領域56aにおいて、挿入膜28に溝27aが設けられている。領域56bから56dには溝27aは設けられていない。溝27aは挿入膜28を貫通している。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図11(a)に示すように、実施例1の変形例7では、領域56aにおいて、下部電極12の上層12bの上面に溝13aが設けられている。領域56bから56dには溝13aは設けられていない。溝13aは上層12bを貫通していない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図11(b)に示すように、実施例1の変形例8では、領域56aにおいて、基板10の上面に溝11aが設けられている。領域56bから56dには溝11aは設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図11(c)に示すように、実施例1の変形例9では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、圧電膜14上に付加膜17が設けられている。領域56bから56dには付加膜17は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図12(a)に示すように、実施例1の変形例10では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、付加膜15は圧電膜14上に設けられ、圧電膜14と同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜15は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図12(b)に示すように、実施例1の変形例11では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、付加膜13は下部電極12と圧電膜14との間に設けられ、下部電極12の上層12bと同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜13は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図12(c)に示すように、実施例1の変形例12では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、付加膜13は下部電極12の下層12aと上層12bとの間に設けられ、下部電極12の下層12aと同じ材料からなる。領域56bから56dには付加膜13は設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図13(a)に示すように、実施例1の変形例13では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、圧電膜14の上面に溝15aが設けられている。領域56bから56dには溝15aは設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図13(b)に示すように、実施例1の変形例14では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、下部電極12の上層12bの上面に溝13aが設けられている。領域56bから56dには溝13aは設けられていない。溝13aは上層12bを貫通していない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図13(c)に示すように、実施例1の変形例15では、挿入膜28が設けられていない。領域56aにおいて、基板10の上面に溝11aが設けられている。領域56bから56dには溝11aは設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図14(a)に示すように、実施例1の変形例16では、付加膜17dは領域56aおよび56bに設けられ、領域56cおよび56dには設けられていない。付加膜17cは領域56aに設けられ、領域56bから56dには設けられていない。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図14(b)に示すように、実施例1の変形例17では、付加膜17の厚さが共振領域50側から端面64側にかけて小さくなる。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図14(c)に示すように、実施例1の変形例18では、付加膜17の厚さが共振領域50側から端面64側にかけて大きくなる。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図15(a)は、実施例1の変形例19に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図15(a)に示すように、基板10の上面に窪みが形成されている。下部電極12は、基板10上に平坦に形成されている。これにより、空隙30が、基板10の窪みに形成されている。空隙30は共振領域50を含むように形成されている。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。空隙30は、基板10を貫通するように形成されていてもよい。
図15(b)は、実施例1の変形例20に係る圧電薄膜共振器の断面図である。図15(b)に示すように、共振領域50の下部電極12下に音響反射膜31が形成されている。音響反射膜31は、音響インピーダンスの高い膜31aと音響インピーダンスの低い膜31bとが交互に設けられている。膜31aおよび31bの膜厚は例えばそれぞれほぼλ/4(λは弾性波の波長)である。膜31aと膜31bの積層数は任意に設定できる。音響反射膜31は、音響特性の異なる少なくとも2種類の層が間隔をあけて積層されていればよい。また、基板10が音響反射膜31の音響特性の異なる少なくとも2種類の層のうちの1層であってもよい。例えば、音響反射膜31は、基板10中に音響インピーダンスの異なる膜が一層設けられている構成でもよい。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。
11a、13a、15a溝
12 下部電極
13、15、17、27 付加膜
14 圧電膜
14a 下部圧電膜
14b 上部圧電膜
16 上部電極
18 積層膜
28 挿入膜
40 送信フィルタ
42 受信フィルタ
50 共振領域
52 外周領域
54 中央領域
56、56a-56d 領域
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜の少なくとも一部を挟み前記下部電極と平面視において重なる領域で規定される共振領域を形成するように設けられた上部電極と、
前記共振領域の外周のうち前記上部電極の外周で規定される外周の外側でありかつ前記圧電膜の端面の内側の領域における前記下部電極および前記圧電膜を含む積層膜に前記共振領域から離れ、前記共振領域の外周に沿って前記共振領域を囲むように延伸して設けられ、前記共振領域と前記圧電膜の端面とを結ぶ方向に互いに離れて設けられた複数の付加膜または複数の溝と、
を備える圧電薄膜共振器。 - 前記複数の付加膜または前記複数の溝の幅、前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち隣接する付加膜または溝の間の幅、および前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち前記共振領域に最も近い付加膜または溝と前記共振領域との間の幅は、前記共振領域における前記下部電極、前記圧電膜および前記上部電極の合計の厚さの0.2倍以上かつ1.5倍以下である請求項1に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち前記共振領域に最も近い付加膜または溝と前記共振領域との間の幅は、前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち前記共振領域に最も近い付加膜または溝と前記共振領域との間の領域における平面方向に伝搬する弾性波の波長の0.2倍以上かつ0.8倍以下であり、
前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち隣接する付加膜または溝の間の幅は、隣接する付加膜または溝の間の領域における平面方向に伝搬する弾性波の波長の0.2倍以上かつ0.8倍以下であり、
前記複数の付加膜または前記複数の溝の幅は、前記複数の付加膜または前記複数の溝が設けられた領域における平面方向に伝搬する弾性波の波長の0.2倍以上かつ0.8倍以下である請求項1に記載の圧電薄膜共振器。 - 前記複数の付加膜の厚さまたは前記複数の溝の深さは、前記下部電極および前記圧電膜の合計の厚さの0.05倍以上である請求項2または3に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の付加膜は、前記基板と前記積層膜との間、前記積層膜内または前記積層膜上に設けられた複数の付加膜を含む請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の溝は、前記基板の前記積層膜側の面または前記積層膜が含む複数の層に設けられた複数の溝を含む請求項1から4のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記複数の付加膜または前記複数の溝の幅は互いに同じであり、
前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち隣接する付加膜または溝の間の幅と、前記複数の付加膜または前記複数の溝のうち前記共振領域に最も近い付加膜または溝と前記共振領域との間の幅と、は互いに同じである請求項1から6のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。 - 前記複数の付加膜または前記複数の溝は、前記共振領域と前記圧電膜の端面とを結ぶ方向に互いに離れて3個以上設けられている請求項1から7のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 前記共振領域の中央領域に設けられておらず、前記共振領域内において前記共振領域の外周に沿って前記中央領域の少なくとも一部を囲うように、前記下部電極と前記上部電極との間に挿入され挿入膜を備える請求項1から8のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の圧電薄膜共振器を含むフィルタ。
- 請求項10に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019105698A JP7383404B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019105698A JP7383404B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202413A JP2020202413A (ja) | 2020-12-17 |
JP7383404B2 true JP7383404B2 (ja) | 2023-11-20 |
Family
ID=73742107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019105698A Active JP7383404B2 (ja) | 2019-06-05 | 2019-06-05 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7383404B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007208845A (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振器 |
WO2009011148A1 (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Fujitsu Limited | 圧電薄膜共振素子及びこれを用いた回路部品 |
JP2017126900A (ja) | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
JP2018182463A (ja) | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
-
2019
- 2019-06-05 JP JP2019105698A patent/JP7383404B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007208845A (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振器 |
WO2009011148A1 (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Fujitsu Limited | 圧電薄膜共振素子及びこれを用いた回路部品 |
JP2017126900A (ja) | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
JP2018182463A (ja) | 2017-04-07 | 2018-11-15 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020202413A (ja) | 2020-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11228299B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator with insertion film, filter, and multiplexer | |
US9595941B2 (en) | Filter and duplexer with resonators having insertion films of different widths | |
JP6302263B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ | |
JP7017364B2 (ja) | ラダー型フィルタ、圧電薄膜共振器およびその製造方法 | |
US10469049B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer | |
JP6556099B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP6374653B2 (ja) | 弾性波フィルタ及び分波器 | |
US20180294794A1 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer | |
US10250218B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator and filter | |
JP2016225746A (ja) | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 | |
US10680576B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer | |
JP6556173B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
US10205432B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer | |
JP6925877B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
JP7385996B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
US10554196B2 (en) | Acoustic wave device | |
JP7383404B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7383417B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、圧電薄膜共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
JP7302981B2 (ja) | フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2018125759A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2022189419A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタ、およびマルチプレクサ | |
JP2022140991A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2022025884A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、及びマルチプレクサ | |
JP2019129348A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231017 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7383404 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |