JP7379544B2 - 電磁散乱膜、及び電磁散乱膜を含む電子装置 - Google Patents
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Description
図1は、本開示の実施例の電磁散乱膜の構造模式図である。図1に示すように、本開示の実施例の電磁散乱膜は、金属層1を含み、金属層1には、その上下面を貫通するビアホール11が設けられ、ビアホール11の断面の輪郭における任意の2点の距離sのうちの最大値がビアホール11内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことで、マイクロ波が前記ビアホール11に入射した後に回折するようにする。通信技術分野では、データ交換を実現する重要な手段は、信号の伝送であり、マイクロ波信号伝送は、その手段の1つである。
11 ビアホール
111 断面
1111 点
2 絶縁層
3 導電ボス
4 接着剤膜層
5 ボス部
100 電磁散乱膜
200 回路装置
201 信号回路
Claims (14)
- 金属層を含む電磁散乱膜であって、
前記金属層にその上下面を貫通するビアホールが設けられ、前記ビアホールの断面の輪郭における任意の2点の距離sのうちの最大値が前記ビアホール内に入射したマイクロ波の波長λよりも小さいことで、マイクロ波が前記ビアホールに入射した後に回折するようにし、
前記ビアホールの断面の輪郭における任意の2点の距離sのうちの最大値と前記マイクロ波の波長λとの比は、1:200~1:100であり、
前記金属層の厚さtは、0.1μm~10μmである、電磁散乱膜。 - 前記ビアホールの断面の輪郭における任意の2点の距離sのうちの最大値は、1μm~500μmであり、且つ前記マイクロ波の波長λよりも小さい、請求項1に記載の電磁散乱膜。
- 1cm2あたりの前記金属層に設けられる前記ビアホールの数は、1000個以上である、請求項1に記載の電磁散乱膜。
- 前記金属層における開孔率は、1%~99%である、請求項3に記載の電磁散乱膜。
- 前記金属層の一方の面に絶縁層が設けられる、請求項1~4のいずれか1項に記載の電磁散乱膜。
- 前記絶縁層は、前記金属層の表面に設けられる絶縁層膜層又は前記金属層の表面にコーティングされる絶縁被膜である、請求項5に記載の電磁散乱膜。
- 前記金属層の前記絶縁層に近い側には、前記絶縁層に入り込む複数のボス部が設けられる、請求項5に記載の電磁散乱膜。
- 前記金属層の表面に導電ボスが設けられる、請求項1~4のいずれか1項に記載の電磁散乱膜。
- 前記導電ボスの高さhは、0.1μm~30μmである、請求項8に記載の電磁散乱膜。
- 前記金属層における前記導電ボスと同側の表面に接着剤膜層が設けられ、前記導電ボスが前記接着剤膜層に入り込む、請求項9に記載の電磁散乱膜。
- 前記導電ボスの形状は、尖角状、逆円錐状、粒子状、樹枝状、柱状、ブロック状のうちの1種又は複数種の組み合わせである、請求項8に記載の電磁散乱膜。
- 前記金属層の表面は、非平坦面である、請求項1~4のいずれか1項に記載の電磁散乱膜。
- 前記電磁散乱膜は、屈曲可能な構造である、請求項1~4のいずれか1項に記載の電磁散乱膜。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の電磁散乱膜を含み、回路装置をさらに含む電子装置であって、
前記回路装置は、信号回路を含み、前記電磁散乱膜は、前記回路装置に接続される、電子装置。
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