JP7374017B2 - 測定方法及び測定システム - Google Patents

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Description

本開示は、測定方法及び測定システムに関する。
例えば、特許文献１は、機器のバックグラウンドノイズの測定方法及びシステムを提案する。
例えば、特許文献２は、半導体製造装置内の特性を複数のセンサによりセンシングする方法及びセンシングシステムを提案する。センシングシステムは、複数のセンサと、リーダと、リーダアンテナとを有し、リーダを介してリーダアンテナから出力された信号に対する複数のセンサの検知結果に基づき、物理的な特性を予測する。
特表２０１３－５２７６４１号公報 米国特許出願公開第２０１９／００５７８８７号明細書
本開示は、半導体製造装置内のノイズを除去し、半導体製造装置内の物理的な特性を精度良く予測することができる技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、チャンバを有する半導体製造装置にて行う測定方法であって、無線通信が可能な治具を前記チャンバ内に配置しない状態で、前記チャンバ内に送信された電気信号に基づき、前記チャンバ内の共振周波数を有する第１の測定データを基準データとして取得する工程と、前記治具を前記チャンバ内に配置した状態で、前記チャンバ内に送信された電気信号に基づき、前記治具に搭載されたセンサが検知した共振周波数及び前記チャンバ内の共振周波数を有する第２の測定データを取得する工程と、取得した前記第２の測定データから前記基準データを減算し、ノイズを除去する工程とを有する測定方法が提供される。
一の側面によれば、半導体製造装置内のノイズを除去し、半導体製造装置内の物理的な特性を精度良く予測することができる。
実施形態に係るＳＡＷセンサの一例を示す図。 実施形態に係る測定システムの一例を示す図。 実施形態に係る測定方法の概要を示す図。 実施形態に係る測定方法（共振ノイズ計測）の一例を示すフローチャート。 実施形態に係るチャンバ内で生じる共振ノイズの一例を示す図。 実施形態に係る測定方法（温度計測）の一例を示すフローチャート。 実施形態に係る温度測定原理を説明するための図。 実施例に係る測定方法（共振ノイズ計測）の一例を示すフローチャート。 実施例に係る測定方法（温度計測）の一例を示すフローチャート。 実施例に係る共振ノイズ除去の効果の一例を示す図。 実施例に係る共振ノイズ除去後の効果の一例を示す図。 変形例に係る測定方法（温度計測）の一例を示すフローチャート。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［治具］
まず、実施形態に係る測定システムにて使用する治具ＬＷについて、図１を参照しながら説明する。以下では、実施形態に係る治具ＬＷの一例として、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）センサについて説明する。ＳＡＷセンサの治具ＬＷは、一態様として温度を検知する温度センサとして機能する。ただし、実施形態に係る治具ＬＷは、温度を検知することに限られず、半導体製造装置のチャンバ内の物理的な特性を検知することができる。
ＳＡＷセンサの治具ＬＷは、例えばウェハ形状のシリコン基板４３をベースとして、その上に複数のＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉが搭載される。複数のＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉは、略同一間隔に設けられる。以下では、ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉを総称してＳＡＷセンサ４０ともいう。ＳＡＷセンサ４０は、導波管型のリーダアンテナＲＡと無線通信が可能な通信機能を有する。
図１では、ＳＡＷセンサ４０ａ及びＳＡＷセンサ４０ｂを拡大して示す。ＳＡＷセンサ４０ａはＳＡＷデバイス４１とタグアンテナ４４で構成される。ＳＡＷデバイス４１は、圧電体基板上に例えば櫛型の電極４１ａを有する。電極４１ａは、金属薄膜からなる電極４１ａ１及び電極４１ａ２を有し、対向する方向から互いの凸部を互いの凹部に挿入し、櫛型に形成される。タグアンテナ４４には、電極４１ａ１及び電極４１ａ２と電気的に接続される電極部材４２が配置されている。
電極部材４２から電極４１ａ１と電極４１ａ２の間に電圧を印加する。そして、リーダアンテナＲＡから送信された電気信号を入力すると、電極４１ａが形成されたＳＡＷデバイス４１の圧電体基板が有する圧電効果により、ＳＡＷデバイス４１を構成する結晶粒子（原子）同士が応力を受け、圧電効果により近づいたり離れたりする。これにより、ＳＡＷセンサ４０の表面が波打つように振動する。
ＳＡＷセンサ４０毎に電極４１ａ１と電極４１ａ２の間の距離は異なっている。換言すれば、ＳＡＷセンサ４０ａ及びＳＡＷセンサ４０ｂはＳＡＷデバイス４１およびタグアンテナ４４の構成は同じであるが、電極４１ａ１と電極４１ａ２の間の距離だけが異なっている。このような構成とすることにより、電極４１ａに入力される電気信号のうち、電極４１ａ１と電極４１ａ２の間の距離に相当する、各ＳＡＷセンサ４０に固有の周波数の電気信号が共振により強くなり外部へ伝播される。
リーダアンテナＲＡは、予め定められた周波数帯域の電気信号を送信し、送信した電気信号に対してＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉからそれぞれ選択的に取り出された所望の周波数の電気信号を受信する。実施形態に係る測定システムは、ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉがそれぞれ出力する電気信号の周波数の変化に基づき温度を予測する。また、ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉ毎に割り当てられた共振周波数は異なるため、ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉが出力する電気信号に含まれる共振周波数から、予測した温度が、ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉのいずれの位置の温度であるかを確定できる。これにより、ＳＡＷセンサの治具ＬＷを用いてＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉの各位置における温度を予測することができる。
［測定システム］
実施形態に係る測定システム１０の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係る測定システム１０の一例を示す図である。測定システム１０は、半導体製造装置１００、リーダアンテナＲＡ、リーダＲ、ＰＣ３０及び治具ＬＷを有する。
半導体製造装置１００は、ウェハを一例とする基板に所望の処理を施す装置である。半導体製造装置１００は、チャンバ１を有し、チャンバ１内にて、処理ガスからプラズマを励起するために用いられるいくつかのプラズマ生成システムの一例を与える。図２は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）装置を示しており、上部電極３と載置台ＳＴとの間にプラズマ２が形成される。載置台ＳＴは、下部電極としても機能する。載置台ＳＴは、基台４及び静電チャック５を有する。処理中、載置台ＳＴ上にはウェハが保持される。ＲＦソース６とＲＦソース７は、上部電極３及び載置台ＳＴの双方に結合され、異なるＲＦ周波数が用いられ得る。他の例では、ＲＦソース６とＲＦソース７が同じ電極に結合されてもよい。更に、直流電流（ＤＣ）パワーが上部電極３に結合されてもよい。チャンバ１にはガスソース８が接続され、処理ガスを供給する。また、チャンバ１には排気装置９が接続されチャンバ１内部を排気する。半導体製造装置１００は、プロセッサ及びメモリを有する制御部８０を有し、半導体製造装置１００の各要素を制御してウェハＷをプラズマ処理する。
リーダアンテナＲＡは、チャンバ１の側壁に設けられた例えば石英などの誘電体窓に取り付けられている。ＰＣ３０は、リーダＲを介してリーダアンテナＲＡに接続されている。ＰＣ３０は、測定時、ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉから出力され、リーダアンテナＲＡが受信した信号に基づき、ＳＡＷデバイス４１により検知された温度を算出するコンピュータである。ＰＣ３０は、情報処理装置の一例であり、情報処理装置は、ＰＣ３０に限られず、タブレット型端末、携帯端末、ウエアラブル機器等の電子機器であってもよい。
治具ＬＷは、ウェハと略同一のサイズを有し、搬送装置により搬送可能に構成される。また、治具ＬＷは、バッテリー及び電源が不要であり、チャンバ１の側壁に取り付けられたリーダアンテナＲＡと無線通信可能に構成される。係る機能を有する治具ＬＷは、搬送装置の搬送アームを用いて、チャンバ１内の真空を維持しつつ、チャンバ１内に搬送できる。これにより、半導体製造装置１００のダウンタイムを低減できる。治具ＬＷは、載置台ＳＴに載置され、温度を測定するために用いられる。
治具ＬＷを用いて温度を測定する際、リーダアンテナＲＡからチャンバ１内に送信した電気信号に対して、チャンバ１の構造及びチャンバ１内のパーツの影響により、意図しない共振波（チャンバ１内で共振する共振周波数の波）が発生する。以下、この共振波を、「共振ノイズ」ともいう。共振ノイズが混在した状態でＳＡＷセンサの治具ＬＷを使用すると、共振ノイズによりユーザから要求される精度の温度測定が困難になる。また共振ノイズは、図２に示す上部電極３と基台４の間のギャップＧによって変わる。さらに共振ノイズは、チャンバ１内に配置されるパーツの構成及び組み付け精度、チャンバ１の使用状態によっても変わる場合がある。
半導体製造装置１００の分野では、測定温度に含まれる誤差の許容範囲は、概ね０．１℃～０．２℃程度である。このため、半導体製造装置１００において共振ノイズは、測定温度に対する許容できない誤差を生じさせる原因となる場合がある。
そこで、以下に説明する実施形態に係る測定システム１０にて実行される測定方法は、共振ノイズの影響を除き、半導体製造装置１００において要求される精度の温度測定を行う。これにより、載置台ＳＴの温度等、半導体製造装置１００内の物理的な特性を精度良く予測できる。
［測定方法］
以下、実施形態に係る測定方法について、図３～図６を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る測定方法の概要を示す図である。図４は、実施形態に係る測定方法においてＰＣ３０が行う共振ノイズの計測の一例を示すフローチャートである。図５は、実施形態に係るチャンバ内で生じる共振ノイズの一例を示す図である。図６は、実施形態に係る測定方法においてＰＣ３０が行う温度計測の一例を示すフローチャートである。
実施形態に係る測定方法は、例えば図２に一例を示すチャンバ１内の載置台ＳＴに治具ＬＷを配置しない状態と、配置した状態とで行われる。なお、リーダアンテナＲＡは、予め定められた周波数帯の電気信号を出力する。
（第１ステップ）
実施形態に係る測定方法の第１ステップでは、図３（ａ）に示すように、治具ＬＷをチャンバ１内に配置しない状態で、リーダアンテナＲＡから電気信号をチャンバ１内に発信する。発信した電気信号の入力により、チャンバ１の構造及びチャンバ１のパーツの配置に応じて特定の周波数において共振がチャンバ１内で発生する。それを含む反射信号をリーダアンテナＲＡにより受信する。
ＰＣ３０は、図４のステップＳ２１において、治具ＬＷをチャンバ１内に配置しない状態で、リーダアンテナＲＡが受信した受信信号を取得する。このようにしてＰＣ３０は、受信信号からチャンバ１内で共振する特定の共振周波数を有する第１の測定データを取得する。第１の測定データは、共振ノイズを示す。ＰＣ３０は、図４のステップＳ２２において、第１の測定データを、基準データとしてＰＣ３０内のメモリに記憶する。
第１の測定データの一例を図５に示す。図５は、実施形態に係るチャンバ１内の共振ノイズの一例を示す図である。図５のグラフの横軸は周波数、縦軸は信号強度である。図５は、リーダアンテナＲＡが受信した受信信号の波形であり、波形中のピークが共振周波数として認められる。図５（ａ）は、ギャップＧが３５ｍｍのときの共振ノイズに含まれる周波数毎の信号強度の一例である。図５（ｂ）は、ギャップＧが４０ｍｍのときの共振ノイズに含まれる周波数毎の信号強度の一例である。図５（ｃ）は、ギャップＧが８５ｍｍのときの共振ノイズに含まれる周波数毎の信号強度の一例である。
このように、共振ノイズに含まれる周波数と信号強度は、上部電極３と基台４の間のギャップＧによって変わる。さらに共振ノイズは、チャンバ１内に配置されるパーツの構成及び組み付け精度、チャンバ１の使用状態によって変わる場合がある。
（第２ステップ）
実施形態に係る測定方法の第２ステップでは、図３（ｂ）に示すように、治具ＬＷをチャンバ１内の載置台ＳＴに配置した状態で、リーダアンテナＲＡから電気信号をチャンバ１内に発信する。発信した電気信号のうち、チャンバ１内で反射した電気信号と、治具ＬＷに搭載された複数のＳＡＷセンサ４０（図３（ｂ）では一つのみ表示）のＳＡＷデバイス４１で検知した固有の共振周波数を有する電気信号とをリーダアンテナＲＡにより受信する。
ＰＣ３０は、図６のステップＳ３１において、治具ＬＷをチャンバ１内に配置した状態で、リーダアンテナＲＡが受信した受信信号を取得する。このようにしてＰＣ３０は、受信信号から、チャンバ１内で共振する特定の共振周波数と、ＳＡＷデバイス４１が検知した固有の共振周波数を有する第２の測定データを取得する。
（第３ステップ）
次に、実施形態に係る測定方法の第３ステップでは、ＰＣ３０は、図６のステップＳ３２において、取得した第２の測定データから基準データを減算し、共振ノイズを除去する。そして、ＰＣ３０は、ステップＳ３３において、基準データを減算した後の第２の測定データに基づき複数のＳＡＷデバイス４１のそれぞれの位置における温度を測定する。
これにより、チャンバ１の構造やチャンバ１内に配置されるパーツによって生じる共振ノイズを取り除いた第２の測定データに基づき温度を測定する。これにより、チャンバ１内の壁面を反射した信号による共振の影響を取り除き、治具ＬＷにより測定した温度の精度を向上させることができる。
特に、半導体製造装置１００で行われるエッチング等のプロセスにおいて、プロセス中のウェハＷ上の温度分布の制御は生産安定性などの観点から非常に重要である。例えば、エッチング用の温度センサは、近年マイナス温度の測定も要求されるため、バッテリーを搭載したウェハ型の温度センサでは、無線通信機能を有していてもマイナス温度の測定には対応できない。これに対して、バッテリーを搭載せず、マイナス温度の測定にも対応可能な、実施形態に係る治具ＬＷを使用して温度測定を行うことは有益である。
なお、第１ステップで取得する第１の測定データは、半導体製造装置１００毎に測定し、半導体製造装置１００毎に基準データを作成してもよい。ギャップＧが同じ同一構成の半導体製造装置１００について共通して使用可能な基準データを作成してもよい。
第１ステップの実行タイミングは、半導体製造装置１００の立上げ時、チャンバ１内のパーツ交換後、メンテナンス後であってもよい。第２ステップの実行タイミングは、ロットとロットの間、定期的（１回／日等）な間隔、メンテナンス後であってもよい。
ＰＣ３０は、各ＳＡＷデバイス４１が検知した共振周波数に基づき温度を予測する。図７は、実施形態に係る温度測定原理を説明するための図である。例えば、ＳＡＷセンサ４０ａ及びＳＡＷセンサ４０ｂのそれぞれに搭載されたＳＡＷデバイス４１を、ＳＡＷデバイス４１（１）及びＳＡＷデバイス４１（２）として区別して示す。ＳＡＷデバイス４１（１）が検知した共振周波数と、ＳＡＷデバイス４１（２）が検知した共振周波数とは異なっている。例えば、ＳＡＷデバイス４１（１）の電極４１ａが周波数Ｘ１、Ｘ３で共振した場合、ＰＣ３０は、共振ノイズを除去した後のピーク間の幅Ａに基づき温度を測定する。ＳＡＷデバイス４１（１）の電極４１ａが周波数Ｘ２、Ｘ４で共振した場合、ＰＣ３０は、共振ノイズを除去した後のピーク間の幅Ｂ（Ａ＜Ｂ）に基づき温度を測定する。ＳＡＷデバイス４１（２）についても同様に、幅Ｃ，Ｄから温度を算出する。
このように、治具ＬＷに搭載された複数のＳＡＷデバイス４１は、異なる周波数で共振する。よって、温度を予測する工程において、ＰＣ３０は、複数のＳＡＷデバイス４１のそれぞれにより検知される共振周波数を有する第２の測定データを取得し、それぞれの第２の測定データから基準データを減算した後の各第２の測定データに基づき温度を予測する。第２の測定データが有する共振周波数からＳＡＷデバイス４１を特定できる。よって、予測した温度が載置台ＳＴのどの位置の温度であるかは、ＳＡＷデバイス４１の位置から特定できる。
（実施例１）
以上に説明した実施形態に係る測定方法の実施例について、図８及び図９を参照して説明する。図８は、実施例に係る測定方法（共振ノイズ計測）の一例を示すフローチャートである。図９は、実施例に係る測定方法（温度計測）の一例を示すフローチャートである。
図８に示す共振ノイズ計測の測定方法では、最初に、リーダアンテナＲＡは、チャンバ１内に電気信号を送信する（ステップＳ４１）。この時点では、治具ＬＷが載置台ＳＴに載置されていない。次に、リーダアンテナＲＡは、チャンバ１内を反射した電気信号を受信する（ステップＳ４２）。
次に、ＰＣ３０は、受信した電気信号から共振周波数を有する第１の測定データを取得し、基準データとしてメモリに保存し（ステップＳ４３）、本処理を終了する。これにより、共振ノイズを示す基準データを作成する。
図９に示す温度計測の測定方法では、最初に、リーダアンテナＲＡは、チャンバ１内に電気信号を送信する（ステップＳ５１）。この時点では、治具ＬＷが載置台ＳＴに載置されている。ＳＡＷセンサ４０ａ～４０ｉに搭載された各ＳＡＷデバイス４１は、リーダアンテナＲＡからの電気信号を受信する（ステップＳ５２）。次に、各ＳＡＷデバイス４１は、電極４１ａのパターンに応じてそれぞれに固有の特定の周波数で共振し（ステップＳ５３）、共振周波数を有する電気信号を送信する（ステップＳ５４）。
次に、リーダアンテナＲＡは、各ＳＡＷデバイス４１により検知された電気信号及びチャンバ１内で共振した反射信号を有する電気信号を受信する（ステップＳ５５）。次に、ＰＣ３０は、受信した電気信号から第２の測定データを取得し、取得した第２の測定データから基準データを減算し（ステップＳ５６）、減算後の第２の測定データに基づき、温度を算出し（ステップＳ５７）、本処理を終了する。これにより、共振ノイズを除いた第２の測定データから精度良く温度を算出することができる。
［効果］
以上に説明した実施例に係る測定方法により、第２の測定データから共振ノイズ（基準データ）を除去した結果を図１０に示す。図１０（ａ）は、共振ノイズの波形の一例を示す。
３つのＳＡＷセンサ４０をAntenna A、Antenna B、Antenna Cとして、各アンテナに搭載されたＳＡＷデバイス４１のそれぞれから受信した電気信号及びチャンバ１内を反射した電気信号を図１０（ｂ）～（ｄ）に示す。各アンテナにおいて検知された第２の測定データの、共振ノイズ除去前（波形Ａｗ）及び除去後（波形Ｂｗ）の結果を示す。
これによれば、例えば、図１０（ｂ）～（ｄ）に示すように、共振ノイズ除去前（波形Ａｗ）よりも除去後（波形Ｂｗ）において信号のピークの周囲のノイズ成分が除去されたことがわかった。以上から、共振ノイズ除去前（波形Ａｗ）に含まれる共振ノイズを除去した共振ノイズ除去後（波形Ｂｗ）の第２の測定データが得られていることがわかった。係る結果から、共振ノイズ除去後（波形Ｂｗ）の第２の測定データを用いて温度を算出することで、共振ノイズ成分が含まれないために精度の良い温度測定が可能になる。
図１１は、図１０（ｂ）～（ｄ）に示すAntenna A、Antenna B、Antenna Cの共振ノイズ除去前及び共振ノイズ除去後のＳ／Ｎ比を示す。これによれば、Antenna A、Antenna B、Antenna Cのいずれも共振ノイズ除去後のＳ／Ｎ比は、共振ノイズ除去前のＳ／Ｎ比よりも大きな値を示し、受信信号内のノイズ成分が減少していることがわかった。
［変形例］
最後に、変形例に係る測定方法（温度計測）について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、変形例に係る測定方法の一例を示すフローチャートである。なお、図４及び図６に示すステップ番号と同一番号を付したステップは、同一処理を示す。同一処理のステップは、説明を省略又は簡略化する。
本処理が開始されると、ＰＣ３０は、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ３１、Ｓ３２の処理を実行し、第２の測定データから第１の測定データ（基準データ）を減算し、ノイズを除去する。
次に、ＰＣ３０は、各ＳＡＷデバイス４１に固有の共振周波数のピーク値に対して、その領域のノイズがどの程度あるかを示すＳ／Ｎ比を算出する（ステップＳ６１）。次に、ＰＣ３０は、各ＳＡＷデバイス４１のＳ／Ｎ比が、予め定められた閾値よりも大きいか否かを判定する（ステップＳ６２）。
ＰＣ３０は、各ＳＡＷデバイス４１のＳ／Ｎ比が、予め定められた閾値よりも大きいと判定すると、ＳＡＷデバイス４１のそれぞれの位置における温度を算出する（ステップＳ６３）。一方、ＰＣ３０は、各ＳＡＷデバイス４１のＳ／Ｎ比が、予め定められた閾値以下であると判定すると、そのＳＡＷデバイス４１が位置する領域のノイズを除去しきれないと判断し、そのＳＡＷデバイス４１では温度算出を行わない（ステップＳ６４）。次に、ＰＣ３０は、すべてのＳＡＷデバイス４１についての判定を終了したかを判定する（ステップＳ６５）。すべてのＳＡＷデバイス４１についての判定を終了していない場合、ステップＳ６２に戻ってステップＳ６２以降の処理を実行する。すべてのＳＡＷデバイス４１についての判定を終了した場合、本処理を終了する。
例えば、ステップＳ６２の閾値を「５」としたとき、図１１の例では、Antenna A及びAntenna Cでは、Ｓ／Ｎ比が閾値よりも大きいため、ノイズの影響が小さいと判断して温度算出を行う。これに対して、Antenna Bでは、Ｓ／Ｎ比が閾値よりも小さいため、ノイズの影響が大きいと判断して温度算出を行わない。これにより、ＳＡＷデバイス４１を用いた温度測定の精度を高めることができる。
以上に説明したように、実施形態の測定方法によれば、チャンバ１内で発生する共振ノイズを除去し、チャンバ１内の載置台ＳＴの載置面の温度を精度良く予測することができる。
今回開示された実施形態に係る測定方法及び測定システムは、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、実施形態では半導体製造装置内の物理的な特性の一例として載置台の温度を挙げたが、これに限られない。実施形態では半導体製造装置内の物理的な特性としては、チャンバ内の環境情報（例えばウェハひずみ分布）を予測してもよい。
本開示の半導体製造装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
また、半導体製造装置は、基板に所定の処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す装置であればよい。
１ チャンバ
２ プラズマ
３ 上部電極
４ 基台
５ 静電チャック
６、７ ＲＦソース
８ ガスソース
９ 排気装置
１０ 測定システム
３０ ＰＣ
４０ ＳＡＷセンサ
４１ ＳＡＷデバイス
４１ａ 電極
４２ 電極部材
４３ シリコン基板
４４ タグアンテナ
８０ 制御部
１００ 半導体製造装置
Ｇ ギャップ
ＬＷ 治具
ＲＡ リーダアンテナ
Ｒ リーダ
ＳＴ 載置台

Claims (8)

  1. チャンバを有する半導体製造装置にて行う測定方法であって、
    無線通信が可能な治具を前記チャンバ内に配置しない状態で、前記チャンバ内に送信された電気信号に基づき、前記チャンバ内の共振周波数を有する第１の測定データを基準データとして取得する工程と、
    前記治具を前記チャンバ内に配置した状態で、前記チャンバ内に送信された電気信号に基づき、前記治具に搭載されたセンサが検知した共振周波数及び前記チャンバ内の共振周波数を有する第２の測定データを取得する工程と、
    取得した前記第２の測定データから前記基準データを減算し、ノイズを除去する工程と、を有する測定方法。
  2. 前記ノイズを除去した後の前記第２の測定データに基づき前記チャンバ内の物理的な特性を予測する工程を有する、
    請求項１に記載の測定方法。
  3. 前記治具は、前記チャンバ内の載置台に載置され、
    前記特性は、前記載置台の温度である、
    請求項２に記載の測定方法。
  4. 前記治具に搭載された複数の前記センサのそれぞれに固有の共振周波数を有し、
    前記特性を予測する工程は、複数の前記センサのそれぞれにより検知される共振周波数を有する前記第２の測定データを取得し、前記基準データを減算後の前記第２の測定データに含まれる共振周波数に基づき複数の前記センサのそれぞれにおける前記温度を予測する、
    請求項３に記載の測定方法。
  5. 前記治具に搭載されたセンサに固有の共振周波数のピークにおけるノイズに対する信号（Ｓ／Ｎ）比を算出する工程と、
    算出した前記ノイズに対する信号比が予め定められた閾値よりも大きい場合、前記治具に搭載されたセンサが検出した検出値に基づき、温度を算出する、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の測定方法。
  6. チャンバを有する半導体製造装置、無線通信が可能な治具、リーダアンテナ及び情報処理装置を有する測定システムであって、
    前記リーダアンテナは、前記治具を前記チャンバ内に配置しない状態で、前記チャンバ内に送信された電気信号に基づき、前記チャンバ内の共振周波数を有する第１の測定データを受信し、
    前記情報処理装置は、前記リーダアンテナが受信した第１の測定データを基準データとして取得し、
    前記リーダアンテナは、前記治具を前記チャンバ内に配置した状態で、前記チャンバ内に送信された電気信号に基づき、前記治具に搭載されたセンサが検知した共振周波数及び前記チャンバ内の共振周波数を有する第２の測定データを受信し、
    前記情報処理装置は、前記リーダアンテナが受信した第２の測定データを取得し、取得した前記第２の測定データから前記基準データを減算し、ノイズを除去する、測定システム。
  7. 前記治具は、ウェハ形状である、
    請求項６に記載の測定システム。
  8. 前記治具は、シリコン基板のベースの上に複数の前記センサが搭載される、
    請求項６又は７に記載の測定システム。
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