JP7368648B1 - 不焼成塩基性れんがの製造方法 - Google Patents
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1.
粒径75μm未満のマグネシア及び粒径75μm未満のマグクロのうち少なくとも一種を合計で0.2質量%以上30質量%以下、並びに粒径75μm未満のシリカを0.3質量%以上2.5質量%以下含有する耐火原料配合物に、水を添加して混練し、プレス成形後、60℃以上1000℃以下の温度で熱処理を行う、不焼成塩基性れんがの製造方法。
2.
粒径75μm未満のマグネシアとして軽焼マグネシア、粒径75μm未満のシリカとしてシリカフラワーを使用する、1に記載の不焼成塩基性れんがの製造方法。
3.
前記熱処理が加温養生を含む、1又は2に記載の不焼成塩基性れんがの製造方法。
そのメカニズムは以下の通りと考えられる。すなわち、マグネシア微粉及びマグクロ微粉のうち少なくとも一種並びにシリカ微粉は、水の存在下でゲル状のケイ酸マグネシウム水和物を形成するため、60℃以上の熱処理でもれんが中の水分が減少することで、れんがのマトリクス部でバインダーとして機能する。その後れんがの温度が上昇してケイ酸マグネシウム水和物が脱水しても非晶質のケイ酸マグネシウムボンドを形成するため強度を維持し、更に熱を受けると非晶質のケイ酸マグネシウムがフォルステライトとなるため使用温度まで強度の低下を抑制することができる。そして、このケイ酸マグネシウムのボンドは特に600~1000℃の熱間強度が高いことが特徴で、溶融金属容器の内張材として使用した場合には、れんが組織の脆弱化に起因する稼働面の剥離を抑制する効果が大きい。
また、本発明においてシリカフラワーとは、平均粒径が10μm以下の微粒子シリカのことであり、シリカヒューム、ヒュームドシリカ、ホワイトカーボンを総称して指す。シリカヒュームはフェロシリコン、金属シリコン、電融ジルコニアなどの精錬過程で発生する排ガスを集塵して得られる副産物であり、比較的安価に入手が可能である。ヒュームドシリカは四塩化ケイ素を始めとしたケイ素化合物を原料として酸素と水素の火炎中で加水分解して製造される。また、ホワイトカーボンは珪酸ナトリウムの酸又はアルカリを用いた分解によって得られる。これらのシリカフラワーは、マグネシア微粉が一部溶解したアルカリ性の水に溶解しやすいため、れんが組織中でケイ酸マグネシウムのボンドがよく発達しれんがの強度を高めることができる。
また、本発明でいう平均粒径とは、レーザ回折散乱式粒度分布計で測定された累積曲線の中央累積値(D50)にあたる体積平均粒径をいう。
また、本発明で使用するマグネシアも、耐火物の原料として一般的に使用されているものを使用することができ、例えば電融マグネシア、焼結マグネシア等である。
また上述の通り、マグクロれんがのクロム源としてクロム鉱及び酸化クロムのうち少なくとも一種を使用することができ、この場合、クロム鉱の含有率は40質量%以下、酸化クロムの含有率は10質量%以下とすることができる。クロム鉱としては、天然に産出するクロム鉱を使用することができる。
なお、本発明の耐火原料配合物は、上記以外に、金属粉、炭化珪素、黒鉛、ピッチ、カーボンブラック、炭化硼素、スピネル、アルミナ及びジルコニアのうち一種以上を5質量%以下の含有率で含有することができる。
そして熱処理の温度を600℃~1000℃とすると、このケイ酸マグネシウム水和物の一部又は全部がフォルステライト(2MgO・SiO2)になる。フォルステライトは融点が1880℃であり、600℃付近から使用温度の1600℃前後までの温度範囲で十分な強度を発揮する。
600℃での熱間曲げ強さの測定は、熱処理温度を250℃として得た各例のれんがについて3点曲げで実施した。具体的には、20×20×80mmの短冊試料を作製し、予熱炉にて600℃に加熱した後、試験炉に移し、600℃に到達後20分間保持し、0.05mm/sのクロスヘッド速度で曲げ強さを測定した。
これに対して比較例1は、マグネシア微粉を含有しない場合であり、低強度となり耐食性も不十分であった。また比較例2は、マグネシア微粉の含有率が本発明の上限値を上回っており、耐食性が低下した。
実施例15は、マグネシア微粉とマグクロ微粉を併用した場合であるが、本発明の範囲内であり良好な結果となった。
Claims (3)
- 粒径75μm未満のマグネシア及び粒径75μm未満のマグクロのうち少なくとも一種を合計で0.2質量%以上30質量%以下、並びに粒径75μm未満のシリカを0.3質量%以上2.5質量%以下含有する耐火原料配合物に、水を添加して混練し、プレス成形後、60℃以上1000℃以下の温度で熱処理を行う、不焼成塩基性れんがの製造方法。
- 粒径75μm未満のマグネシアとして軽焼マグネシア、粒径75μm未満のシリカとしてシリカフラワーを使用する、請求項1に記載の不焼成塩基性れんがの製造方法。
- 前記熱処理が加温養生を含む、請求項1又は請求項2に記載の不焼成塩基性れんがの製造方法。
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2023
- 2023-03-13 JP JP2023038927A patent/JP7368648B1/ja active Active
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