JP7363165B2 - 半導体光増幅器、光出力装置、および距離計測装置 - Google Patents
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Description
図1および図2を参照して本実施の形態に係る半導体光増幅器10について説明する。図1(a)は半導体光増幅器10の平面図、図1(b)は図1(a)に示すA-A’線に沿った断面図である。図1に示すように、半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)10は、光増幅部50、および光結合部52を備えている。
sinθ=n×sqrt(1-(λ/λc)2) ・・・ (式1)
ここで、θ:放射角、n:導波路屈折率、λ:種光Lsの波長、λc:カットオフ波長(垂直共振波長)
なお、図2において、「強度」の単位は「cnts」(カウント/s)としているが、これは、センサとして用いたCCDにおいて、光電変換され蓄積された電荷の数を示す。なお、2次元センサの結果を1次元データに変換する場合は、各ラインの電荷の数を積算する。
図3を参照して、本実施の形態に係る半導体光増幅器10Aについて説明する。図3(a)は半導体光増幅器10Aの平面図を、図3(b)は図3(a)におけるB-B’線で切断した断面図を、各々示している。半導体光増幅器10Aは、半導体光増幅器10の光結合部52の配置された領域に、光源部として機能する、例えばVCSEL等の発光素子を半導体光増幅器と一体に形成した形態である。従って、同様の構成には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
次に図4を参照して、本実施の形態に係る光出力装置、および距離計測装置について説明する。図4(a)は本発明に係る光出力装置の一例としての光加工装置70のブロック図を示し、図4(b)は距離計測装置90のブロック図を示している。
18、18-1、18-2 P電極
30 基板
32 下部DBR
34 活性領域
36 上部DBR
40 N電極
50 光増幅部
52 光結合部
54 絶縁部
56 酸化フロント
58 導電領域
60 非導電領域
62 種光部
64 位相制御層
66 p-DBR
68 i-DBR
69 光ファイバ
70 光加工装置
71 半導体光増幅器
72 レンズ
90 距離計測装置
91 半導体光増幅器
92 測距センサ
93 計測部
Lf 出力光
Ls 種光
Po 光出力
Pt 投光光
Pr 受光光
OB1 加工対象物
OB2 被測定物
Claims (9)
- 基板上に形成されるとともに、前記基板の基板面に沿い予め定めた方向に延伸して形成された活性領域を備え、レーザ光を出射する光源から前記予め定めた方向に伝播する伝播光を増幅し、増幅した前記伝播光を前記基板面と交差する方向に出射光として出射する光増幅部を含み、
前記レーザ光の波長が、前記活性領域が有する利得スペクトルのピーク波長よりも長波長側の波長であり、前記利得スペクトルにおいて前記ピーク波長における利得の1/10以下の利得となる波長であり、前記光増幅部の垂直共振波長より短い、
半導体光増幅器。 - 前記光源は、前記半導体光増幅器の外部に設けられた外部光源であり、
前記外部光源から出射された光を前記半導体光増幅器内に入力させる入力部をさらに含む 請求項1に記載の半導体光増幅器。 - 前記入力部は、前記半導体光増幅器の一部を削除した部分に設けられている
請求項2に記載の半導体光増幅器。 - 前記光源は、前記光増幅部と一体に形成されている
請求項1に記載の半導体光増幅器。 - 前記レーザ光の波長を制御する制御部を備える
請求項4に記載の半導体光増幅器。 - 前記レーザ光と前記出射光とは、波長の数が同じである
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体光増幅器。 - 前記波長の数が、単一である
請求項6に記載の半導体光増幅器。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器から出射された光を集光する集光部と、を含む
光出力装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器から出射され、被測定対象物で反射した反射光を受光する受光部と、
前記受光部が受光した反射光に基づき、前記被測定対象物までの距離を計測する計測部と、を含む
距離計測装置。
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