JP7360906B2

JP7360906B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置

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Publication number: JP7360906B2
Application number: JP2019206822A
Authority: JP
Inventors: 秀一宮坂; 可純西野
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2019-11-15
Filing date: 2019-11-15
Publication date: 2023-10-13
Anticipated expiration: 2039-11-15
Also published as: JP2021082643A

Description

この発明は、半導体素子がホール素子である半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

半導体素子がホール素子である半導体装置は、スマートフォンなど様々な電子機器に用いられている。たとえば、スマートフォンのカメラモジュールを制御する際、当該半導体装置を用いることで、レンズの位置を調整してオートフォーカスの機能を実現することができる。特許文献１には、ホール素子である半導体素子のペレットを備える半導体装置の一例が開示されている。

国際公開第２０１４／０９１７１４号

ところで、半導体素子がホール素子である半導体装置が用いられる電子機器の薄型化に伴い、当該半導体装置についても低背化が要求されている。

この発明は、上述の実情に鑑みて提案されるものであって、ホール素子の半導体素子を備える半導体装置を低背化するような半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するために、この出願に係る半導体装置の製造方法は、金属板の主面に電鋳による電極が形成された電鋳基板を提供する工程と、金属板の主面に半導体素子を搭載する工程と、電極の頂面と搭載された半導体素子の頂面とをボンディングワイヤで接続する工程と、電極、半導体素子及びボンディングワイヤを覆うように金属板の主面を封止樹脂で封止する工程と、電極、半導体素子及びボンディングワイヤを覆う封止樹脂から電鋳基板の金属板を剥離する工程と、電鋳基板の金属板を剥離した後で、封止樹脂をダイシングして個片化する工程とを含んでいる。

ボンディングワイヤで接続する工程は、電極の頂面から半導体素子の頂面の順に接続してもよい。電鋳基板に半導体素子を搭載する工程は、半導体素子の底面に形成された粘着層によって半導体素子を電鋳基板の主面に取り付けてもよい。電鋳基板を剥離する工程の後で、封止樹脂をダイシングする工程の前に、封止樹脂を研削して高さを小さくする工程をさらに含んでもよい。

半導体素子を搭載する工程は、隣接する電極に半導体素子の側面が対向するように搭載してもよい。半導体素子を搭載する工程は、隣接する電極に半導体素子の側面が交わる稜線が対向するように搭載してもよい。

封止樹脂をダイシングする工程は、ダイシングにより形成した封止樹脂の側面から電極が所定深さにあるようにしてもよい。封止樹脂をダイシングする工程は、ダイシングにより形成した封止樹脂の側面から電極の断面が露出するようにしてもよい。

半導体素子は、ホール素子であってもよい。電鋳基板の金属板は、ステンレス鋼によって構成されてもよい。

電極は、金、ニッケル及び銀が順に積層され、ニッケルの層が金及び銀の層よりも厚くてもよい。電極は、金、ニッケル、銅及び銀が順に積層され、ニッケルの層が金及び銀の層よりも厚くてもよい。

この出願に係る半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を取り囲むように配置された電極と、半導体素子の頂面と電極の頂面とを接続するボンディングワイヤと、底面及び側面を含み、ボンディングワイヤ、底面に沿って配置された半導体素子、及び側面に沿って配置された電極を、電極が底面から露出するように覆って封止した封止樹脂とを含み、電極は、封止樹脂の底面から露出した底面からその頂面に向けて複数の金属層が積層されて構成されたものである。

封止樹脂は、封止樹脂の側面から電極が所定深さにあるように電極を覆ってもよい。封止樹脂は、封止樹脂の側面から電極が露出するように電極を覆ってもよい。電極は、その頂面から所定厚さが封止樹脂の内部に向けて当該電極の側面よりも突出してもよい。半導体素子は、ホール素子であってもよい。

この発明によると、ホール素子の半導体素子を備える半導体素子を低背化することができる。

第１の実施の形態の半導体装置を示す図である。第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。図２に続く第１の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。第１の実施の形態の電鋳基板の製造方法の工程を示す断面図である。第１の実施の形態の変形例の電鋳基板を示す断面図である。ホール素子にダイアタッチメントフィルムを形成する工程を示す断面図である。第１の実施の形態の変形例の半導体装置を示す図である。第２の実施の形態の半導体装置を示す図である。第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。図９に続く第２の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程を示す断面図である。第２の実施の形態の電鋳基板の製造方法の工程を示す断面図である。第２の実施の形態の変形例の電鋳基板を示す断面図である。第２の実施の形態の変形例の半導体装置を示す図である。

以下、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法及び半導体装置について、図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態では、封止樹脂の側面から所定深さに電極が配置され、封止樹脂の側面から電極が露出しない半導体装置を第１の実施の形態、封止樹脂の側面から電極の断面が露出する半導体装置を第２の実施の形態として、第１の実施の形態の半導体装置と第２の実施の形態の半導体装置とについて順に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態の半導体装置１を示す図である。図１（ａ）は半導体装置１の斜視図であり、図１（ｂ）は半導体装置１の平面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）の切断線Ｉ－Ｉによる半導体装置１の断面図である。図１（ａ）から図１（ｃ）は、半導体装置１の内部の構造を明らかにするため、封止樹脂１９を省略して描いた。第１の実施の形態の半導体装置１においては、電極１１は、封止樹脂１９の側面１９ｂから所定深さに配置され、封止樹脂１９の側面１９ｂによって覆われ、封止樹脂１９の側面１９ｂからは露出していない。

第１の実施の形態の半導体装置１は、やや平坦な略直方体の形状を有し、平面視で略正方形の形状のホール素子１３を半導体素子として有している。ホール素子１３は、底面１３ａにダイアタッチメントフィルム１４が形成され、頂面１３ｄに４個の電極パッド１３ｅが形成されている。ホール素子１３は、例えば平面視の一辺１００～３００μｍの範囲にあり、高さが３０～１００μｍの範囲にあってもよい。また、ダイアタッチメントフィルム１４は、厚さが１～２０μｍの範囲にあってもよい。

半導体装置１は、ホール素子１３を四方から取り囲むように配置された、ホール素子１３よりも低い４個の電極１１を有している。電極１１は、金（Ａｕ）による第１層１１ａ、ニッケル（Ｎｉ）による第２層１１ｂ及び銀（Ａｇ）による第３層１１ｃが順に積層されて構成され、第２層１１ｂは第１層１１ａ及び第３層１１ｃよりも厚い。また、電極１１は、頂面１１ｆから所定厚さの部分が幅方向に側面１１ｅから所定長さにわたり突出し、マッシュルーム状の形状を有している。突出した部分は、第２層１１ｂ及び第３層１１ｃから構成され、第２層１１ｂを第３層１１ｃが覆っている。

電極１１は、径が８０～２００μｍの範囲にあってもよく、高さが３０～８０μｍの範囲にあってもよい。電極１１の第１層１１ａは厚さが０．０１～０．２μｍの範囲にあってもよく、第２層１１ｂは厚さが２８～７６μｍの範囲にあってもよく、第３層１１ｃは厚さが１～５μｍの範囲にあってもよい。電極１１の頂面１１ｆから幅方向に突出した部分は、厚さが５～４０μｍの範囲にあってもよく、突出した長さが５～４０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１とホール素子１３とは、ボンディングワイヤ１５によって接続されている。ボンディングワイヤ１５は、所定径を有し、金によって構成されている。ボンディングワイヤ１５は、電極１１の頂面１１ｆに金属ボールを介して立ち上がるようにボールボンディングにより接続され、電極１１に隣接するホール素子１３の頂面１３ｄの電極パッド１３ｅにボンディングワイヤ１５の側面が接するよう接続されている。電極１１の頂面１１ｆからのボンディングワイヤ１５の最大の高さＨ１２は、４２～６０μｍの範囲にあってもよい。

ボンディングワイヤ１５によって接続された電極１１及びホール素子１３は、封止樹脂１９によって封止されている。封止樹脂１９は、電気絶縁性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などから構成されてもよい。封止樹脂１９は、平面視で略矩形を有するやや平坦な略直方体の形状のパッケージを形成し、内部の略中央にホール素子１３を封止し、ホール素子１３の底面１３ａに形成されたダイアタッチメントフィルム１４は封止樹脂１９の底面１９ａから露出している。

封止樹脂１９が形成するパッケージは、平面視で長辺が６００～１０００μｍの範囲にあってもよく、短辺が３００～６００μｍの範囲にあってもよく、高さＨ１が８０～１５０μｍの範囲にあってもよい。また、パッケージの底面１９ａから電極１１の頂面１１ｆまでの高さＨ１１は、電極１１の高さに相当し、前述のように３０～８０μｍの範囲にあってもよい。ボンディングワイヤ１５の最も高い部分からパッケージの上面１９ｃまでの高さＨ１３が１０～４０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１は、平面視で略矩形を有する封止樹脂のパッケージの長辺及び短辺の垂直二等分線にそれぞれ略対称な位置になるように、対向する長辺に沿ってそれぞれ２個が配置されている。電極１１は、封止樹脂１９の側面１９ｂから所定深さに配置され、封止樹脂１９の側面１９ｂによって覆われ、封止樹脂１９の側面１９ｂからは露出していない。電極１１の底面１１ｄは、封止樹脂１９のパッケージの底面１９ａから露出している。封止樹脂１９の底面１９ａから露出した電極１１の底面１１ｄは、金属膜によって覆われてもよい。この金属膜は、スズ（Ｓｎ）であってもよい。

平面視で略正方形を有するホール素子１３は、隣接する電極１１に側面１３ｂが対向するように配置されている。換言すると、ホール素子１３の側面１３ｂが交わって形成する稜線１３ｃは、隣接する電極１１から遠くなるように配置されている。

第１の実施の形態の半導体装置１において、電極１１は封止樹脂１９のパッケージの側面１９ｂに露出していない。このため、半導体装置１を基板に取り付けたときに封止樹脂１９の側面１９ｂを通じて横方向に他の構成部品等と短絡したりすることがなく、半導体装置１の安定した動作を確保することができる。

半導体装置１においては、ホール素子１３の底面１３ａは、封止樹脂１９の底面１９ａに露出するダイアタッチメントフィルム１４によって覆われている。ダイアタッチメントフィルム１４は薄く形成することができるため、半導体装置１の低背化が図られている。

また、ホール素子１３と電極１１とを接続するボンディングワイヤ１５は、ホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極１１の頂面１１ｆにボールボンディングにより接続されるが、電極１１の頂面１１ｆより高いホール素子１３の頂面１３ｄではボンディングワイヤ１５の側面が接続されている。したがって、ボンディングワイヤ１５のために確保する高さが抑えられ、半導体装置１の低背化が図られている。

半導体装置１においては、ホール素子１３は、隣接する電極１１に側面１３ｂが対向するように配置されている。ホール素子１３は、側面１３ｂが交わる稜線１３ｃを隣接する電極１１と電極１１との間隙に収容するように配置できるため、半導体装置１の小型化を図ることができる。

図２は、第１の実施の形態の半導体装置１の製造方法の工程を示す断面図である。以下の半導体の製造方法において、図１に示した半導体装置１と共通する構成要素については、同様の符号を付して対応関係を明らかにすることにする。

図２（ａ）に示す工程では、金属板２１の主面２１ａに電鋳によって電極１１が形成された電鋳基板２０が提供される。第１の実施の形態においては、半導体装置１を構成する電極１１は電鋳基板２０において当初から個別に形成されている。金属板２１はステンレス鋼によって構成され、電極１１は、金属板２１の主面２１ａ上の所定位置に配置されている。電極１１は、所定径で所定高さを有し、Ａｕによる第１層１１ａ、Ｎｉによる第２層１１ｂ、及びＡｇによる第３層１１ｃが積層されて構成されている。電極１１の頂面１１ｆから所定厚さの部分は、側面１１ｅから幅方向に所定長さにわたり突出している。突出した部分は、第２層１１ｂ及び第３層１１ｃから構成され、第２層１１ｂを第３層１１ｃが覆っている。

図２（ｂ）に示す工程では、図２（ａ）の工程で提供された電鋳基板２０にホール素子１３が搭載される。やや平坦な略直方体の形状を有して平面視で略正方形の形状のホール素子１３は、各側面１３ｂが隣接する４個の電極１１にそれぞれ対向するように設置される。ホール素子１３の底面１３ａには粘着性を有する所定厚さのダイアタッチメントフィルム１４による粘着層が予め形成され、ホール素子１３はダイアタッチメントフィルム１４によって金属板２１の主面２１ａに取り付けられる。ダイアタッチメントフィルム１４は、次の図２（ｃ）のボンディングワイヤ１５を接続する工程の前に、加熱されて硬化される。

図２（ｃ）に示す工程では、図２（ｂ）の工程で電鋳基板２０に搭載されたホール素子１３と電極１１とがボンディングワイヤ１５で接続される。ボンディングワイヤ１５は、ホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極の頂面１１ｆに金属ボールを介して立ち上がるようにボールボンディングにより接続され、続いて電極１１に隣接するホール素子１３の電極パッド１３ｅにボンディングワイヤ１５の側面が接するように接続される。

図３は、図２に続く第１の実施の形態の半導体装置１の製造工程を示す断面図である。図３（ａ）に示す工程では、ホール素子１３及び電極１１、及び図２（ｃ）の工程でホール素子１３及び電極１１を接続したボンディングワイヤ１５を覆うように、電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａから所定高さまでに封止樹脂１９が形成される。後述する図３（ｂ）の封止樹脂１９から電鋳基板２０の金属板２１を剥離する工程の後で、封止樹脂１９をダイシングする工程の前に、封止樹脂１９が所定高さになるように、封止樹脂１９を研削する工程を含んでもよい。

図３（ｂ）に示す工程では、電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに形成された封止樹脂１９から電鋳基板２０の金属板２１を剥離する。このため、封止樹脂１９の上面１９ｃに図示しないテープを張り付け、張り付けたテープとともに封止樹脂１９を電鋳基板２０の金属板２１から剥離する。剥離により、封止樹脂１９の底面１９ａが露出する。封止樹脂１９の底面１９ａには、電極１１の底面１１ｄが露出している。

図３（ｃ）に示す工程では、封止樹脂１９をダイシングして個片化する。図３（ｂ）の工程で電鋳基板２０の金属板２１を剥離した封止樹脂１９について、電極１１が封止樹脂１９の断面から所定深さにあり、封止樹脂１９によって覆われて露出しないように、ホール素子１３の間であって、隣接する電極１１の間の所定位置をブレードで切り離す。封止樹脂１９は個片化されて半導体装置１が得られる。ダイシングの工程は封止樹脂１９の上面１９ｃにテープを張り付けた状態で実施し、ダイシングが終わってからテープを剥離する。このため、ダイシングにより個片化された半導体装置１がバラバラになることがない。ダイシングの後で、封止樹脂１９の底面１９ａから露出した電極１１の底面１１ｄに金属膜を形成する工程をさらに含んでもよい。この金属膜は、Ｓｎであってもよい。

第１の実施の形態の半導体装置１の製造方法においては、封止樹脂１９をダイシングする工程では、電極１１が封止樹脂１９の断面から所定深さにあるように、ホール素子１３及び電極１１の間の封止樹脂１９を切り離している。ダイシングは、封止樹脂１９を切り離すだけで足り、金属で構成された電極１１を切り離す必要はないので容易である。

また、半導体装置１の製造方法においては、電極１１は電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに電鋳により形成されている。このため、電極１１は、所望の高さや構成で形成することができる。

半導体装置１においては、封止樹脂１９が封止するホール素子１３は、底面１３ａに形成されたダイアタッチメントフィルム１４によって電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに取り付けられている。封止樹脂１９でホール素子１３を封止した後で電鋳基板２０の金属板２１を剥離すると、ホール素子１３は封止樹脂１９の底面１９ａに露出するダイアタッチメントフィルム１４によって覆われている。ダイアタッチメントフィルム１４は薄く形成することができるため、半導体装置１の低背化が図られている。

ホール素子１３と電極１１とを接続するボンディングワイヤ１５は、最初にホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極１１の頂面１１ｆにボールボンディングにより接続され、次に電極１１の頂面１１ｆより高いホール素子１３の頂面１３ｄに接続される。高い方のホール素子１３の頂面にはボンディングワイヤ１５の側面を接続しているため、ボンディングワイヤ１５のために確保する高さが抑えられ、半導体装置１の低背化が図られている。

電極１１は、頂面１１ｆから所定厚さの部分が電極１１の側面１１ｅから突出している。このため、封止樹脂１９から電鋳基板２０の金属板２１を剥離するときに、電極１１の突出した部分が封止樹脂１９に対して電極１１を支持し、電極１１が封止樹脂１９とともに金属板２１から剥離することを保証している。

図４は、電鋳基板２０の製造方法の工程を示す断面図である。電鋳基板２０は、図２（ａ）の工程で半導体装置１を製造するために提供したものである。図４（ａ）に示す工程では、電鋳基板２０の金属板２１として所定厚さのステンレス鋼板を用意し、電極１１を形成する主面２１ａの所定範囲のみが露出するように所定厚さのレジスト２５で覆い、レジスト２５から露出した部分の金属板２１に、電鋳により所定厚さでＡｕによる第１層１１ａを形成する。

図４（ｂ）に示す工程では、図４（ａ）の工程で形成された第１層１１ａの上に電鋳により所定厚さでＮｉによる第２層１１ｂを形成する。第２層１１ｂは、第１層１１ａよりも厚く、レジスト２５の上面の開口を超えて形成され、第２層１１ｂの外周はレジスト２５の開口の外周を超えて外側に突出する。

図４（ｃ）に示す工程では、図４（ｂ）の工程で形成された第２層１１ｂの上に電鋳により所定厚さでＡｇによる第３層１１ｃが形成される。第３層１１ｃは、第２層１１ｂよりも薄い。第２層１１ｂはレジスト２５の開口の高さを超えて形成されているため、第３層１１ｃもレジスト２５の開口を超えて形成され、第３層１１ｃの外周はレジスト２５の開口の外周を超えて外側に突出する。

最後に、図４（ｃ）の工程で第３層１１ｃが形成された金属板２１からレジスト２５を除去することにより電鋳基板２０が得られる。図４（ｂ）及び図４（ｃ）の工程において、Ｎｉによる第２層１１ｂ及びＡｇによる第３層１１ｃがレジスト２５の開口の外周を超えて外側に突出するように形成されたため、電極１１は第２層１１ｂ及び第３層１１ｃからなる頂面１１ｆから所定厚さの部分が幅方向に側面１１ｅから所定長さにわたり突出した形状に形成されている。この後、電鋳基板２０が所望のサイズになるように切断してもよい。

図５は、第１の実施の形態の変形例の電鋳基板を示す図である。変形例の電極１２は、Ａｕの第１層１２ａ、Ｎｉの第２層１２ｂ、銅（Ｃｕ）の第３層１２ｃ、及びＡｇの第４層１２ｄが順に積層されて構成され、第３層１２ｃは第１層１２ａ、第２層１２ｂ及び第４層１２ｄよりも厚い。変形例の電鋳基板は、電極１２が第１層１２ａから第４層１２ｄから構成されることを除いて、第１の実施の形態の電鋳基板２０と同様の構成を有している。このため、電極１２を除いた電鋳基板２０の構成要素には、第１の実施の形態の電鋳基板２０と同様の符号を用いて対応関係を示すことにする。

電極１２は、頂面１２ｇから所定厚さの部分が幅方向に側面１２ｆから所定長さにわたり突出し、マッシュルーム状の形状を有している。突出した部分は、第３層１２ｃ及び第４層１２ｄから構成され、第３層１２ｃを第４層１２ｄが覆っている。

電極１２において、第１層１２ａは厚さが０．０１～０．２μｍの範囲にあってもよく、第２層１２ｂは厚さが２～１５μｍの範囲にあってもよく、第３層１２ｃは厚さが２０～６０μｍの範囲にあってもよく、第４層１２ｄは厚さが１～５μｍの範囲にあってもよい。電極１２の頂面１２ｇから幅方向に突出した部分は、厚さが５～４０μｍの範囲にあってもよく、突出した長さが５～４０μｍの範囲にあってもよい。

変形例の電極１２は、第１層１２ａ、第２層１２ｂ及び第４層１２ｄより厚い第３層１２ｃが反磁性体のＣｕによって構成されている。半導体装置１は磁界を検出するホール素子１３を有しているため、周囲の磁界の影響を受けることがある。変形例の電極１２は、厚い第３層１２ｃが反磁性体のＣｕによって構成され、電極１２がホール素子１３に及ぼす影響が低減されている。変形例の電極１２は、半導体装置１において、第１の実施の形態の電極１１に代えて使用することもできる。

図６は、ホール素子１３にダイアタッチメントフィルム１４を形成する工程を示す断面図である。このダイアタッチメントフィルム１４を形成する工程は、第１の実施の形態とともに、第２の実施の形態にも同様に適用される。

図６（ａ）に示した工程では、第１テープ３１に頂面１３ｄが張り付けられたホール素子１３が提供される。このホール素子１３の底面１３ａに液状のダイアタッチメントフィルム３５を噴霧し、スピンコートにより液状のダイアタッチメントフィルム３５の厚さを一定にする。ホール素子１３は裏返しにされて第１テープ３１に張り付けられているため、ホール素子１３の底面１３ａが図中で上方になっている。

図６（ｂ）に示す工程では、図６（ａ）の工程でホール素子１３の底面１３ａに形成された所定厚さの液状のダイアタッチメントフィルム３５に紫外線を照射し、液状のダイアタッチメントフィルム３５を固化して粘着性を有するダイアタッチメントフィルム１４を形成する。

図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）の工程で底面１３ａにダイアタッチメントフィルム１４が形成されたホール素子１３を第１テープ３１から剥離し、裏返しされていたホール素子１３の向きを元に戻して底面１３ａに形成されたダイアタッチメントフィルム１４を介して第２テープ３２に搭載する。第２テープ３２に搭載されたホール素子１３は、図２（ｂ）で示した工程において、第２テープ３２から剥離されて電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに搭載される。

図７は、第１の実施の形態の変形例の半導体装置２を示す図である。図７（ａ）は半導体装置２の平面図であり、図７（ｃ）は図７（ｂ）の切断線ＶＩＩ－ＶＩＩによる半導体装置２の断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、半導体装置２の内部の構造を明らかにするため、封止樹脂１９を省略して描いた。

変形例の半導体装置２は、ホール素子１３の配置を除いて、第１の実施の形態の半導体装置１と同様の構成を有している。このため、第１の実施の形態の半導体装置１と同様の符号を用いて対応関係を示すことにする。

変形例の半導体装置２は、やや平坦な略直方体の形状を有し、平面視で略正方形の形状のホール素子１３を半導体素子として有している。ホール素子１３は、底面１３ａにダイアタッチメントフィルム１４が形成され、頂面１３ｄに４個の電極パッド１３ｅが形成されている。

半導体装置２は、ホール素子１３を四方から取り囲むように配置された、ホール素子１３の頂面１３ｄよりも低い４個の電極１１を有している。電極１１は、Ａｕによる第１層１１ａ、Ｎｉによる第２層１１ｂ及びＡｇによる第３層１１ｃが順に積層されて構成され、第２層１１ｂは第１層１１ａ及び第３層１１ｃよりも厚い。また、電極１１は、頂面１１ｆから所定厚さの部分が幅方向に側面１１ｅから所定長さにわたり突出し、マッシュルーム状の形状を有している。突出した部分は、第２層１１ｂ及び第３層１１ｃから構成され、第２層１１ｂを第３層１１ｃが覆っている。電極１１は、高さが３０～８０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１とホール素子１３とは、ボンディングワイヤ１５によって接続されている。ボンディングワイヤ１５は、所定径を有し、金によって構成されている。ボンディングワイヤ１５は、電極１１の頂面１１ｆに金属ボールを介して立ち上がるようにボールボンディングにより接続され、電極１１に隣接するホール素子１３の頂面１３ｄの電極パッド１３ｅにボンディングワイヤ１５の側面が接するように接続されている。電極１１の頂面１１ｆからのボンディングワイヤ１５の最大の高さＨ２２は、３０～６０μｍの範囲にあってもよい。

ボンディングワイヤ１５によって接続された電極１１及びホール素子１３は、封止樹脂１９によって封止されている。封止樹脂１９は、電気絶縁性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などから構成されてもよい。封止樹脂１９は、平面視で略矩形を有するやや平坦な略直方体の形状のパッケージを形成し、内部の略中央にホール素子１３を封止し、ホール素子１３の底面１３ａに形成されたダイアタッチメントフィルム１４は封止樹脂１９の底面１９ａから露出している。封止樹脂１９が形成するパッケージは、高さＨ２が３０～１５０μｍの範囲にあってもよい。また、ボンディングワイヤ１５の最も高い部分からパッケージの上面１９ｃまでの高さＨ２３は、１０～４０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１は、平面視で略矩形を有する封止樹脂のパッケージの長辺及び短辺の垂直二等分線にそれぞれ略対称な位置になるように、対向する長辺に沿ってそれぞれ２個の電極１１を配置している。電極１１は、封止樹脂１９の側面１９ｂから所定深さに配置され、封止樹脂１９の側面１９ｂによって覆われ、封止樹脂１９の側面１９ｂからは露出していない。電極１１の底面１１ｄは、パッケージの底面１９ａに露出している。封止樹脂１９の底面１９ａから露出した電極１１の底面１１ｄは、金属膜によって覆われてもよい。この金属膜は、Ｓｎであってもよい。

平面視で略正方形を有するホール素子１３は、隣接する電極１１に側面１３ｂが交わって形成する稜線１３ｃが対向するように配置されている。換言すると、ホール素子１３の側面１３ｂは、隣接する電極１１から遠くなるように配置されている。

半導体装置２においては、ホール素子１３の底面１３ａは、封止樹脂１９の底面１９ａに露出するダイアタッチメントフィルム１４によって覆われている。ダイアタッチメントフィルム１４は薄く形成することができるため、半導体装置２の低背化が図られている。

また、ホール素子１３と電極１１とを接続するボンディングワイヤ１５は、ホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極１１の頂面１１ｆにボールボンディングにより接続されるが、電極１１の頂面１１ｆより高いホール素子１３の頂面１３ｄではボンディングワイヤ１５の側面が接続される。したがって、ボンディングワイヤ１５のために確保する高さが抑えられ、半導体装置２の低背化が図られている。

半導体装置２においては、ホール素子１３は、隣接する電極１１に側面１３ｂが交わって形成する稜線１３ｃが対向するように配置されている。このため、ホール素子１３の頂面１３ｄの電極パッド１３ｅを稜線１３ｃの近くに配置することにより、ボンディングワイヤ１５の配線を短縮することができる。

（第２の実施の形態）
図８は、第２の実施の形態の半導体装置３を示す図である。図８（ａ）は半導体装置３の斜視図であり、図８（ｂ）は半導体装置３の平面図であり、図８（ｃ）は図８（ｂ）の切断線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩによる半導体装置３の断面図である。図８（ａ）から図８（ｃ）は、半導体装置３の内部の構造を明らかにするため、封止樹脂１９を省略して描いた。

第２の実施の形態の半導体装置３においては、封止樹脂１９の側面１９ｂから電極１１の断面１１ｇが露出している点が、封止樹脂１９の側面１９ｂから電極１１が露出していない第１の実施の形態の半導体装置１と相違している。その他の構成について、第２の実施の形態の半導体装置３は第１の実施の形態の半導体装置１と同様であるため、第１の実施の形態の半導体装置１と同様の符号を用いて対応関係を示すことにする。

第２の実施の形態の半導体装置３は、やや平坦な略直方体の形状を有し、平面視で略正方形の形状のホール素子１３を半導体素子として有している。ホール素子１３は、底面１３ａにダイアタッチメントフィルム１４が形成され、頂面１３ｄに４個の電極パッド１３ｅが形成されている。ホール素子１３は、例えば平面視の一辺１００～３００μｍの範囲にあり、高さが３０～１００μｍの範囲にあってもよい。また、ダイアタッチメントフィルム１４は、厚さが１～２０μｍの範囲にあってもよい。

半導体装置３は、ホール素子１３を四方から取り囲むように配置された、ホール素子１３よりも低い４個の電極１１を有している。電極１１は、Ａｕによる第１層１１ａ、Ｎｉによる第２層１１ｂ及びＡｇによる第３層１１ｃが順に積層されて構成され、第２層１１ｂは第１層１１ａ及び第３層１１ｃよりも厚い。また、電極１１は、頂面１１ｆから所定厚さの部分が幅方向に側面１１ｅから所定長さにわたり突出し、マッシュルーム状の形状を有している。突出した部分は、第２層１１ｂ及び第３層１１ｃから構成され、第２層１１ｂを第３層１１ｃが覆っている。

電極１１とホール素子１３とは、ボンディングワイヤ１５によって接続されている。ボンディングワイヤ１５は、所定径を有し、金によって構成されている。ボンディングワイヤ１５は、電極１１の頂面１１ｆに金属ボールを介して立ち上がるようにボールボンディングにより接続され、電極１１に隣接するホール素子１３の頂面１３ｄの電極パッド１３ｅにボンディングワイヤ１５の側面が接するよう接続されている。電極１１の頂面１１ｆからのボンディングワイヤ１５の最大の高さＨ３２は、４２～６０μｍの範囲にあってもよい。

封止樹脂１９が形成するパッケージは、平面視で長辺が６００～１０００μｍの範囲にあってもよく、短辺が３００～６００μｍの範囲にあってもよく、高さＨ３が８０～１５０μｍの範囲にあってもよい。また、パッケージの底面１９ａから電極１１の頂面１１ｆまでの高さＨ３１は、電極１１の高さに相当し、前述のように３０～８０μｍの範囲にあってもよい。ボンディングワイヤ１５の最も高い部分からパッケージの上面１９ｃまでの高さＨ３３が１０～４０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１は、平面視で略矩形を有する封止樹脂のパッケージの長辺及び短辺の垂直二等分線にそれぞれ略対称な位置になるように、対向する長辺に沿ってそれぞれ２個が配置されている。電極１１には、封止樹脂１９の側面１９ｂ内にあって露出するように断面１１ｇが形成されている。また、電極１１の底面１１ｄは、封止樹脂１９のパッケージの底面１９ａから露出している。封止樹脂１９の側面１９ｂから露出した電極の断面１１ｇと、底面１９ａから露出した電極１１の底面１１ｄとは、金属膜によって覆われてもよい。この金属膜は、Ｓｎであってもよい。

第２の実施の形態の半導体装置３においては、電極１１の断面１１ｇは封止樹脂１９のパッケージの側面１９ｂに露出している。このため、半導体装置１を基板に取り付けるときに、半導体装置３の封止樹脂１９の側面１９ｂに露出した電極１１の断面１１ｇも利用してはんだにより確実に固定することができる。また、半導体装置３の封止樹脂１９の側面１９ｂに露出する電極１１の断面１１ｇがはんだで固定されたかどうかを半導体装置３の上方から視覚的に確認することができる。

半導体装置３においては、ホール素子１３の底面１３ａは、封止樹脂１９の底面１９ａに露出するダイアタッチメントフィルム１４によって覆われている。ダイアタッチメントフィルム１４は薄く形成することができるため、半導体装置３の低背化が図られている。

また、ホール素子１３と電極１１とを接続するボンディングワイヤ１５は、ホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極１１の頂面１１ｆにボールボンディングにより接続されるが、電極１１の頂面１１ｆより高いホール素子１３の頂面１３ｄではボンディングワイヤ１５の側面が接続されている。したがって、ボンディングワイヤ１５のために確保する高さが抑えられ、半導体装置３の低背化が図られている。

半導体装置３においては、ホール素子１３は、隣接する電極１１に側面１３ｂが対向するように配置されている。ホール素子１３は、側面１３ｂが交わる稜線１３ｃを隣接する電極１１と電極１１との間隙に収容するように配置できるため、半導体装置３の小型化を図ることができる。

図９は、第２の実施の形態の半導体装置３の製造方法の工程を示す断面図である。以下の半導体の製造方法において、図８に示した半導体装置３と共通する構成要素については、同様の符号を付して対応関係を明らかにすることにする。

図９（ａ）に示す工程では、金属板２１の主面２１ａに電鋳によって電極１１が形成された電鋳基板２０が提供される。第２の実施の形態においては、隣接する半導体装置３に属する隣接する２個の電極１１が、電鋳基板２０において一体に形成されている。これら一体に形成された２個の電極１１は、後のダイシングの工程で切り離される。電極１１は、所定径で所定高さを有し、Ａｕによる第１層１１ａ、Ｎｉによる第２層１１ｂ、及びＡｇによる第３層１１ｃが積層されて構成されている。電極１１の頂面１１ｆから所定厚さの部分は、側面１１ｅから幅方向に所定長さにわたり突出している。突出した部分は、第２層１１ｂ及び第３層１１ｃから構成され、第２層１１ｂを第３層１１ｃが覆っている。

図９（ｂ）に示す工程では、図９（ａ）の工程で提供された電鋳基板２０にホール素子１３が搭載される。やや平坦な略直方体の形状を有して平面視で略正方形の形状のホール素子１３は、各側面１３ｂが隣接する４個の電極１１にそれぞれ対向するように設置される。ホール素子１３の底面１３ａには粘着性を有する所定厚さのダイアタッチメントフィルム１４による粘着層が予め形成され、ホール素子１３はダイアタッチメントフィルム１４によって金属板２１の主面２１ａに取り付けられる。ダイアタッチメントフィルム１４は、次の図９（ｃ）のボンディングワイヤ１５を接続する工程の前に、加熱されて硬化される。

図９（ｃ）に示す工程では、図９（ｂ）の工程で電鋳基板２０に搭載されたホール素子１３と電極１１とがボンディングワイヤ１５で接続される。ボンディングワイヤ１５は、ホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極の頂面１１ｆに金属ボールを介して立ち上がるようにボールボンディングにより接続され、続いて電極１１に隣接するホール素子１３の電極パッド１３ｅにボンディングワイヤ１５の側面が接するように接続される。

図１０は、図９に続く第２の実施の形態の半導体装置３の製造工程を示す断面図である。図１０（ａ）に示す工程では、ホール素子１３及び電極１１、及び図９（ｃ）の工程でホール素子１３及び電極１１を接続したボンディングワイヤ１５を覆うように、電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａから所定高さまでに封止樹脂１９が形成される。後述する図１０（ｂ）の封止樹脂１９から電鋳基板２０の金属板２１を剥離する工程の後で、封止樹脂１９をダイシングする工程の前に、封止樹脂１９が所定高さになるように、封止樹脂１９を研削する工程を含んでもよい。

図１０（ｂ）に示す工程では、電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに形成された封止樹脂１９から電鋳基板２０の金属板２１を剥離する。このため、封止樹脂１９の上面１９ｃに図示しないテープを張り付け、張り付けたテープとともに封止樹脂１９を電鋳基板２０の金属板２１から剥離する。剥離により、封止樹脂１９の底面１９ａが露出する。封止樹脂１９の底面１９ａには、電極１１の底面１１ｄが露出している。

図１０（ｃ）に示す工程では、封止樹脂１９をダイシングして個片化する。図１０（ｂ）の工程で電鋳基板２０の金属板２１を剥離した封止樹脂１９について、ホール素子１３の間の所定位置をブレードで切り離し、電極１１の断面１１ｇが封止樹脂１９の断面から露出するようにする。ダイシングにより、封止樹脂１９は個片化されて半導体装置３が得られる。ダイシングの工程は封止樹脂１９の上面１９ｃにテープを張り付けた状態で実施し、ダイシングが終わってからテープを剥離する。このため、ダイシングにより個片化された半導体装置３がバラバラになることがない。ダイシングの後で、封止樹脂１９の側面１９ｂから露出した電極１１の断面１１ｇと、封止樹脂１９の底面１９ａから露出した電極１１の底面１１ｄとに金属膜を形成する工程をさらに含んでもよい。この金属膜は、Ｓｎであってもよい。

第２の実施の形態の半導体装置３の製造方法においては、電極１１は電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに電鋳により形成されている。このため、電極１１は、所望の高さや構成で形成することができる。

半導体装置３においては、封止樹脂１９が封止するホール素子１３は、底面１３ａに形成されたダイアタッチメントフィルム１４によって電鋳基板２０の金属板２１の主面２１ａに取り付けられている。封止樹脂１９でホール素子１３を封止した後で電鋳基板２０の金属板２１を剥離すると、ホール素子１３は封止樹脂１９の底面１９ａに露出するダイアタッチメントフィルム１４によって覆われている。ダイアタッチメントフィルム１４は薄く形成することができるため、半導体装置３の低背化が図られている。

ホール素子１３と電極１１とを接続するボンディングワイヤ１５は、最初にホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極１１の頂面１１ｆにボールボンディングにより接続され、次に電極１１の頂面１１ｆより高いホール素子１３の頂面１３ｄに接続される。高い方のホール素子１３の頂面にはボンディングワイヤ１５の側面を接続しているため、ボンディングワイヤ１５のために確保する高さが抑えられ、半導体装置３の低背化が図られている。

図１１は、電鋳基板２０の製造方法の工程を示す断面図である。電鋳基板２０は、図９（ａ）の工程で半導体装置３を製造するために提供したものである。図１１（ａ）に示す工程では、電鋳基板２０の金属板２１として所定厚さのステンレス鋼板を用意し、電極１１を形成する主面２１ａの所定範囲のみが露出するように所定厚さのレジスト２５で覆い、レジスト２５から露出した部分の金属板２１に、電鋳により所定厚さでＡｕによる第１層１１ａを形成する。

図１１（ｂ）に示す工程では、図１１（ａ）の工程で形成された第１層１１ａの上に電鋳により所定厚さでＮｉによる第２層１１ｂを形成する。第２層１１ｂは、第１層１１ａよりも厚く、レジスト２５の上面の開口を超えて形成され、第２層１１ｂの外周はレジスト２５の開口の外周を超えて外側に突出する。

図１１（ｃ）に示す工程では、図１１（ｂ）の工程で形成された第２層１１ｂの上に電鋳により所定厚さでＡｇによる第３層１１ｃが形成される。第３層１１ｃは、第２層１１ｂよりも薄い。第２層１１ｂはレジスト２５の開口の高さを超えて形成されているため、第３層１１ｃもレジスト２５の開口を超えて形成され、第３層１１ｃの外周はレジスト２５の開口の外周を超えて外側に突出する。

最後に、図１１（ｃ）の工程で第３層１１ｃが形成された金属板２１からレジスト２５を除去することにより電鋳基板２０が得られる。図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）の工程において、Ｎｉによる第２層１１ｂ及びＡｇによる第３層１１ｃがレジスト２５の開口の外周を超えて外側に突出するように形成されたため、電極１１は第２層１１ｂ及び第３層１１ｃからなる頂面１１ｆから所定厚さの部分が幅方向に側面１１ｅから所定長さにわたり突出した形状に形成されている。この後、電鋳基板２０が所望のサイズになるように切断してもよい。

図１２は、第２の実施の形態の変形例の電鋳基板を示す図である。変形例の電極１２は、Ａｕの第１層１２ａ、Ｎｉの第２層１２ｂ、銅（Ｃｕ）の第３層１２ｃ、及びＡｇの第４層１２ｄが順に積層されて構成され、第３層１２ｃは第１層１２ａ、第２層１２ｂ及び第４層１２ｄよりも厚い。変形例の電鋳基板は、電極１２が第１層１２ａから第４層１２ｄから構成されることを除いて、第２の実施の形態の電鋳基板２０と同様の構成を有している。このため、電極１２を除いた電鋳基板２０の構成要素には、第２の実施の形態の電鋳基板２０と同様の符号を用いて対応関係を示すことにする。

変形例の電極１２は、第１層１２ａ、第２層１２ｂ及び第４層１２ｄより厚い第３層１２ｃが反磁性体のＣｕによって構成されている。半導体装置３は磁界を検出するホール素子１３を有しているため、周囲の磁界の影響を受けることがある。変形例の電極１２は、厚い第３層１２ｃが反磁性体のＣｕによって構成され、電極１２がホール素子１３に及ぼす影響が低減されている。変形例の電極１２は、半導体装置１において、第２の実施の形態の電極１１に代えて使用することもできる。

図１３は、第２の実施の形態の変形例の半導体装置４を示す図である。図１３（ａ）は半導体装置４の平面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ｂ）の切断線ＸＩＩＩ－ＸＩＩＩによる半導体装置４の断面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、半導体装置４の内部の構造を明らかにするため、封止樹脂１９を省略して描いた。

変形例の半導体装置４は、ホール素子１３の配置を除いて、第２の実施の形態の半導体装置３と同様の構成を有している。このため、第２の実施の形態の半導体装置３と同様の符号を用いて対応関係を示すことにする。

変形例の半導体装置４は、やや平坦な略直方体の形状を有し、平面視で略正方形の形状のホール素子１３を半導体素子として有している。ホール素子１３は、底面１３ａにダイアタッチメントフィルム１４が形成され、頂面１３ｄに４個の電極パッド１３ｅが形成されている。

半導体装置４は、ホール素子１３を四方から取り囲むように配置された、ホール素子１３の頂面１３ｄよりも低い４個の電極１１を有している。電極１１は、Ａｕによる第１層１１ａ、Ｎｉによる第２層１１ｂ及びＡｇによる第３層１１ｃが順に積層されて構成され、第２層１１ｂは第１層１１ａ及び第３層１１ｃよりも厚い。また、電極１１は、頂面１１ｆから所定厚さの部分が幅方向に側面１１ｅから所定長さにわたり突出し、マッシュルーム状の形状を有している。突出した部分は、第２層１１ｂ及び第３層１１ｃから構成され、第２層１１ｂを第３層１１ｃが覆っている。電極１１は、高さが３０～８０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１とホール素子１３とは、ボンディングワイヤ１５によって接続されている。ボンディングワイヤ１５は、所定径を有し、金によって構成されている。ボンディングワイヤ１５は、電極１１の頂面１１ｆに金属ボールを介して立ち上がるようにボールボンディングにより接続され、電極１１に隣接するホール素子１３の頂面１３ｄの電極パッド１３ｅにボンディングワイヤ１５の側面が接するように接続されている。電極１１の頂面１１ｆからのボンディングワイヤ１５の最大の高さＨ４２は、３０～６０μｍの範囲にあってもよい。

ボンディングワイヤ１５によって接続された電極１１及びホール素子１３は、封止樹脂１９によって封止されている。封止樹脂１９は、電気絶縁性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などから構成されてもよい。封止樹脂１９は、平面視で略矩形を有するやや平坦な略直方体の形状のパッケージを形成し、内部の略中央にホール素子１３を封止し、ホール素子１３の底面１３ａに形成されたダイアタッチメントフィルム１４は封止樹脂１９の底面１９ａから露出している。封止樹脂１９が形成するパッケージは、高さＨ４が３０～１５０μｍの範囲にあってもよい。また、ボンディングワイヤ１５の最も高い部分からパッケージの上面１９ｃまでの高さＨ４３は、１０～４０μｍの範囲にあってもよい。

電極１１は、平面視で略矩形を有する封止樹脂のパッケージの長辺及び短辺の垂直二等分線にそれぞれ略対称な位置になるように、対向する長辺に沿ってそれぞれ２個の電極１１を配置している。電極１１には、封止樹脂１９の側面１９ｂ内にあって露出するように断面１１ｇが形成されている。また、電極１１の底面１１ｄは、パッケージの底面１９ａに露出している。封止樹脂１９の側面１９ｂから露出した電極の断面ｇと、底面１９ａから露出した電極１１の底面１１ｄは、金属膜によって覆われてもよい。この金属膜は、Ｓｎであってもよい。

半導体装置４においては、ホール素子１３の底面１３ａは、封止樹脂１９の底面１９ａに露出するダイアタッチメントフィルム１４によって覆われている。ダイアタッチメントフィルム１４は薄く形成することができるため、半導体装置４の低背化が図られている。

また、ホール素子１３と電極１１とを接続するボンディングワイヤ１５は、ホール素子１３の頂面１３ｄより低い電極１１の頂面１１ｆにボールボンディングにより接続されるが、電極１１の頂面１１ｆより高いホール素子１３の頂面１３ｄではボンディングワイヤ１５の側面が接続される。したがって、ボンディングワイヤ１５のために確保する高さが抑えられ、半導体装置４の低背化が図られている。

半導体装置４においては、ホール素子１３は、隣接する電極１１に側面１３ｂが交わって形成する稜線１３ｃが対向するように配置されている。このため、ホール素子１３の頂面１３ｄの電極パッド１３ｅを稜線１３ｃの近くに配置することにより、ボンディングワイヤ１５の配線を短縮することができる。

この発明は、スマートフォンの製造に利用することができ、例えばスマートフォンのカメラモジュールの製造に利用することができる。

１、２、３、４半導体装置
１１電極
１３ホール素子
１４ダイアタッチメントフィルム
１５ボンディングワイヤ
１９封止樹脂

Claims

半導体装置の製造方法であって、
金属板の主面に電鋳により電極を形成する工程と、
前記電極が形成された金属板の主面に半導体素子を搭載する工程と、
前記電極の頂面と前記搭載された半導体素子の頂面とをボンディングワイヤで接続する工程と、
前記電極、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを覆うように前記金属板の主面を封止樹脂で封止する工程と、
前記電極、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを覆う前記封止樹脂から前記金属板を剥離する工程と、
前記金属板を剥離した後で、前記封止樹脂をダイシングして個片化する工程と
を含み、
前記半導体素子はホール素子であり、前記電極を形成する工程は、電鋳により金、ニッケル、銅及び銀を順に積層し、銅の層が金、ニッケル及び銀の層よりも厚い半導体装置の製造方法。
前記ボンディングワイヤで接続する工程は、前記電極の頂面から前記半導体素子の頂面の順に接続する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記金属板の主面に前記半導体素子を搭載する工程は、前記半導体素子の底面に形成された粘着層によって前記半導体素子を前記金属板の主面に取り付ける請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
前記金属板を剥離する工程の後で、前記封止樹脂をダイシングする工程の前に、前記封止樹脂を研削して高さを小さくする工程をさらに含む請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体素子を搭載する工程は、隣接する前記電極に前記半導体素子の側面が対向するように搭載する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体素子を搭載する工程は、隣接する電極に前記半導体素子の側面が交わる稜線が対向するように搭載する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記封止樹脂をダイシングする工程は、ダイシングにより形成した前記封止樹脂の側面から前記電極が所定深さにあるようにする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記封止樹脂をダイシングする工程は、ダイシングにより形成した前記封止樹脂の側面から前記電極の断面が露出するようにする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記金属板は、ステンレス鋼によって構成された請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
半導体装置であって、
半導体素子と、
前記半導体素子を取り囲むように配置された電極と、
前記半導体素子の頂面と前記電極の頂面とを接続するボンディングワイヤと、
底面及び側面を含み、前記ボンディングワイヤ、前記底面に沿って配置された前記半導体素子、及び前記側面に沿って配置された前記電極を、前記電極が前記底面から露出するように覆って封止した封止樹脂と
を含み、前記半導体素子はホール素子であり、前記電極は、前記封止樹脂の底面から露出した底面からその頂面に向けて金、ニッケル、銅及び銀が順に積層され、銅の層が金、ニッケル及び銀の層よりも厚い半導体装置。
前記封止樹脂は、前記封止樹脂の側面から前記電極が所定深さにあるように前記電極を覆う請求項１０に記載の半導体装置。
前記封止樹脂は、前記封止樹脂の側面から前記電極が露出するように前記電極を覆う請求項１０又は１１に記載の半導体装置。
前記電極は、その頂面から所定厚さが前記封止樹脂の内部に向けて当該電極の側面よりも突出している請求項１０から１２のいずれか一項に記載の半導体装置。