JP7357999B2 - タッチ検出方法及びタッチ検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、タッチ検出方法及びタッチ検出装置に関する。

静電容量方式のタッチ検出装置は、それぞれＹ方向に延在する複数のＸ電極と、それぞれＸ方向に延在する複数のＹ電極とが交差して配置されたタッチセンサを有しており、例えば、Ｙ電極に対して所定の信号を入力し、各Ｘ電極から順にこの信号を取り出す、という処理をすべてのＹ電極に対して順に繰り返すように構成される。タッチ面に指やスタイラスなどの指示体が近づくと、その近傍にあるＸ電極及びＹ電極との間に静電容量が生じ、この静電容量を通じてＸ電極に流れていた電流の一部が指示体方向に電流が吸い取られるようになるため、Ｘ電極から取り出される信号の振幅が小さくなる。タッチ検出装置は、この振幅の変化から座標ごとの静電容量を検出し、検出した静電容量が閾値以上となっている領域の重心を示す座標を、指示体の位置座標として導出するよう構成される。

特許文献１には、静電容量方式のタッチ検出装置の例が開示されている。この例によるタッチ検出装置は、１回目のタッチを検出すると、まず第１の閾値を用いて、タッチしているのが指及びスタイラスのいずれであるか否かを決定する。そして、決定結果の関数としての検出モードであって、後続のタッチが第１の閾値よりも低い第２の閾値で解釈されるモードを含む検出モードに入る。この第２の閾値に関して、特許文献１の［００２５］段落には、タッチしているのがスタイラスであった場合に第１の閾値より低い閾値を用いることが記載されている。一方特許文献１の［００２８］段落には、逆に、タッチしているのが指であった場合に第１の閾値より低い閾値を用いることが記載されている。

米国特許公開第２０１１／０００１７０８号明細書

しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、指及びスタイラスの検出を好適に行えない場合がある。以下、詳しく説明する。

まず指の検出のために第１の閾値より低い第２の閾値を用いるとすると、指の場合、静電容量の最大値が第１の閾値に比べてかなり大きい値になるので、第２の閾値で検出されるエリア（静電容量が第２の閾値を上回っている領域）は広大なものになる。そうすると、その重心を示す座標と、本来のスタイラスの指示位置とのずれが大きくなってしまい、指の検出を好適に行うことが困難になる。

次に、スタイラスのために第１の閾値より低い第２の閾値を用いる場合であるが、スタイラスがタッチ面に接近又は接触することによる静電容量の変化は非常に小さいため、静電容量の閾値判定によってスタイラスの位置を正確に検出することはそもそも困難である。したがって、第１の閾値より低い第２の閾値を用いても、スタイラスの検出を好適に行うことは難しい。

したがって、本発明の目的の一つは、指及びスタイラスの検出を好適に行えるタッチ検出方法及びタッチ検出装置を提供することにある。

本発明によるタッチ検出方法は、タッチ面を構成するタッチセンサに接続されたタッチ検出装置によって実行されるタッチ検出方法であって、それぞれ前記タッチ面内に含まれる複数の座標に対応する複数の第１の静電容量が第１の閾値を上回る前記タッチ面内の第１のエリアに基づき、検出されている指示体の種類を判定するステップと、前記判定するステップにおいて前記指示体がスタイラスであると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量を第１のフィルタによって処理することにより、前記複数の第１の静電容量に比べてピークが強調されてなる複数の第２の静電容量を取得するステップと、前記複数の第２の静電容量が前記第１の閾値より大きい前記第２の閾値を上回る前記タッチ面内の第２のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記スタイラスの位置を示す座標を導出するステップと、前記判定するステップにおいて前記指示体が指であると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量が前記第１の閾値より大きい第３の閾値を上回る前記タッチ面内の第３のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記指の位置を示す座標を導出するステップと、を含むタッチ検出方法である。

本発明によるタッチ検出装置は、タッチ面を構成するタッチセンサに接続されたタッチ検出装置であって、それぞれ前記タッチ面内に含まれる複数の座標に対応する複数の第１の静電容量が第１の閾値を上回る前記タッチ面内の第１のエリアに基づき、検出されている指示体の種類を判定し、前記指示体がスタイラスであると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量を第１のフィルタによって処理することにより、前記複数の第１の静電容量に比べてピークが強調されてなる複数の第２の静電容量を取得し、前記複数の第２の静電容量が前記第１の閾値より大きい第２の閾値を上回る前記タッチ面内の第２のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記スタイラスの位置を示す座標を導出し、前記指示体が指であると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量が前記第１の閾値より大きい第３の閾値を上回る前記タッチ面内の第３のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記指の位置を示す座標を導出する、タッチ検出装置である。

本発明によれば、指及びスタイラスの検出を好適に行うことが可能になる。

本発明の実施の形態によるタッチ検出装置１の機能ブロックを示す略ブロック図である。 タッチ検出部１５によって実行される処理を示すフロー図である。 （ａ）は、タッチ面内に指Ｆが存在している場合の静電容量Ｃの分布を示す模式図であり、（ｂ）は、タッチ面内にスタイラスＰが存在している場合の静電容量Ｃの分布を示す模式図である。 図２のステップＳ６で用いるガウシアンフィルタの例を示す図である。 （ａ）（ｂ）はそれぞれ、図２のステップＳ７で用いるハイパスフィルタの例を示す図である。 （ａ）は、図３（ｂ）に示した静電容量Ｃを図４に示したガウシアンフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ１を示す模式図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電容量Ｃ１を図５（ａ）又は図５（ｂ）に示したハイパスフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ２を示す模式図である。 （ａ）は、タッチ面に指Ｆが接触している場合に検出される静電容量Ｃのより具体的な例を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電容量Ｃの分布を示す３Ｄ等高線図である。 （ａ）は、タッチ面にスタイラスＰが接触している場合に検出される静電容量Ｃのより具体的な例を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電容量Ｃの分布を示す３Ｄ等高線図である。 （ａ）は、図８（ａ）に示した静電容量Ｃを図４のガウシアンフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ１を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電容量Ｃ１の分布を示す３Ｄ等高線図である。 （ａ）は、図９（ａ）に示した静電容量Ｃ１を図５（ｂ）のハイパスフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ２を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した静電容量Ｃ２の分布を示す３Ｄ等高線図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本実施の形態によるタッチ検出装置１の機能ブロックを示す略ブロック図である。同図に示すように、タッチ検出装置１は、タッチセンサ２と、タッチセンサコントローラ１０と、記憶部２０と、ホストＣＰＵとを有して構成される。本実施の形態によるタッチ検出方法は、このうちタッチセンサコントローラ１０によって実行される。

タッチセンサ２は、指Ｆ又はスタイラスＰによるタッチ操作を検出するための装置であり、例えば図示しない表示装置の表示面上に配置される。表示装置は、ホストＣＰＵの制御に基づいて文字や画像を表示する装置であり、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイを表示装置として好適に用いることができる。タッチセンサ２の上面は平坦な表面を構成しており、タッチ検出装置１のタッチ面を構成する。なお、本発明は、表示機能を有するタッチ検出装置１に限定されるものではなく、デジタイザなどの表示機能を有しないタッチ検出装置にも適用可能である。

タッチセンサ２は、具体的には静電容量方式のタッチセンサであり、図１に示すように、それぞれＹ方向に延在し、Ｘ方向に等間隔で配置された複数のＸ電極２ｘと、それぞれＸ方向に延在し、Ｙ方向に等間隔で配置された複数のＹ電極２ｙとが交差して配置された構成を有して構成される。これらＸ電極２ｘ及びＹ電極２ｙは、タッチセンサ２のセンサ電極を構成する。各Ｘ電極２ｘ及び各Ｙ電極２ｙはいずれもＩＴＯ透明導電性フィルムなどの透明な導電材料によって構成されており、したがってタッチ検出装置１のユーザは、タッチ面を通して表示装置の表示面を見ることができる。タッチ面に指Ｆ又はスタイラスＰが接触すると、指Ｆと、その近傍にあるＸ電極２ｘ及びＹ電極２ｙとの間に静電容量が発生する。タッチセンサコントローラ１０は、この静電容量の変化を利用して、タッチ面上における指Ｆ又はスタイラスＰの位置を検出するように構成される。この点については、後ほど再度より詳しく説明する。

タッチセンサコントローラ１０は、図１に示すように、発振器１１と、マルチプレクサ１２，１３と、アナログデジタル変換器（Ａ／Ｄ）１４と、タッチ検出部１５とを有して構成される。

発振器１１は、所定周波数の信号を発振する回路である。また、マルチプレクサ１２は、複数のＸ電極２ｘを所定の時間間隔で１つずつ順次選択し、選択したＸ電極２ｘに発振器１１を接続する役割を果たす回路である。このマルチプレクサ１２の働きにより、発振器１１が出力した信号は、複数のＸ電極２ｘのそれぞれに順に供給されることになる。Ｘ電極２ｘに供給された信号は、各Ｙ電極２ｙとの交差位置（ｉ，ｊ）を通じて、各Ｙ電極２ｙに供給される。ここで、ｉ，ｊはそれぞれＸ電極２ｘ及びＹ電極２ｙの通番を示す自然数であり、ｉとｊの組み合わせ（ｉ，ｊ）により、タッチ面上における各交差位置の座標が示される。ｉ，ｊそれぞれの最大値は、図１に示すようにＭ，Ｎである。

マルチプレクサ１３は、複数のＹ電極２ｙを所定の時間間隔で１つずつ順次選択し、選択したＹ電極２ｙをアナログデジタル変換器１４の入力端に接続する役割を果たす回路である。アナログデジタル変換器１４は、各Ｙ電極２ｙから供給された信号に標本化及び量子化を施すことによってデジタル信号を生成し、生成したデジタル信号をタッチ検出部１５に供給する機能を有する。

いずれかの交差位置（ｉ，ｊ）の近くに指Ｆ又はスタイラスＰが接近していると、その交差位置（ｉ，ｊ）の近傍にあるＸ電極２ｘ及びＹ電極２ｙと指Ｆ又はスタイラスＰとの間に静電容量が生じて人体方向に信号が吸い取られる。その結果、そのＹ電極２ｙからアナログデジタル変換器１４に供給される信号の振幅が小さくなり、それがデジタル信号の値に反映される。タッチ検出部１５は、こうしてデジタル信号の値に反映される振幅の変化に基づき、交差位置（ｉ，ｊ）ごとに、指Ｆ又はスタイラスＰとタッチセンサ２間の静電容量Ｃ（ｉ，ｊ）（第１の静電容量）を検出し、記憶部２０内のフレームメモリＦＭに書き込むよう構成される。なお、タッチ検出部１５の具体的な構成としては、例えばプログラマブルロジックコントローラのようなハードウェア回路により構成することが好適であるが、図示しないメモリ中に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより後述の各機能を実現するプロセッサによりタッチ検出部１５を構成してもよい。

タッチ検出部１５は、フレームメモリＦＭに書き込んだ複数の静電容量Ｃを用いて、指Ｆ又はスタイラスＰの検出と、検出した指Ｆ又はスタイラスＰのタッチ面内における位置を示す座標の導出とを行う。以下、これらの処理について詳しく説明する。

図２は、タッチ検出部１５によって実行される処理を示すフロー図である。タッチ検出部１５は、同図に示す処理を周期的に繰り返し実行するよう構成される。

図２に示すように、タッチ検出部１５はまず、閾値ＴＨ１（第１の閾値）を用いてグローバルラベリングを実施する（ステップＳ１）。グローバルラベリングは、複数の静電容量Ｃが閾値ＴＨ１を上回るタッチ面内のエリア（第１のエリア）を特定する処理であり、検出されている指示体の種類を判定するために実行される。

図３（ａ）は、タッチ面内に指Ｆが存在している場合の静電容量Ｃの分布を示す模式図であり、図３（ｂ）は、タッチ面内にスタイラスＰが存在している場合の静電容量Ｃの分布を示す模式図である。これらの図を比較すると理解されるように、タッチ面内に指Ｆが存在している場合、タッチ面内にスタイラスＰが存在している場合に比べて、静電容量Ｃのピーク値が相当程度大きくなる。なお、図３（ｂ）の分布は、大きな広がりを有する山の上に小さな凸部が配置されているような形状を有しているが、山の部分は雑音性ノイズなどのノイズ（タッチ面の撓みに起因するノイズを含む）によるものであり、凸部の部分がスタイラスＰの位置に対応している。

図７（ａ）は、タッチ面に指Ｆが接触している場合に検出される静電容量Ｃのより具体的な例を示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示した静電容量Ｃの分布を示す３Ｄ等高線図である。また、図８（ａ）は、タッチ面にスタイラスＰが接触している場合に検出される静電容量Ｃのより具体的な例を示す図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示した静電容量Ｃの分布を示す３Ｄ等高線図である。これらの図からも、タッチ面内に指Ｆが存在している場合、タッチ面内にスタイラスＰが存在している場合に比べて、静電容量Ｃのピーク値が相当程度大きくなることが理解される。また、後述する図９及び図１０も参照すると理解されるように、図８の分布は、広がりを有する山の上に小さな凸部が配置されたものとなっている。

図３に戻る。閾値ＴＨ１は、上記凸部の上端と下端の間に位置することが通常期待される値に設定される。閾値ＴＨ１をこのような値に設定すると、図３（ａ）及び図３（ｂ）から理解されるように、静電容量Ｃが閾値ＴＨ１を上回るエリアの面積は、タッチ面内に指Ｆが存在している場合（図示したエリアＧＬＦ）に相対的に大きくなり、タッチ面内にスタイラスＰが存在している場合（図示したエリアＧＬＰ）に相対的に小さくなる。したがって、タッチ検出部１５は、複数の静電容量Ｃが閾値ＴＨ１を上回るタッチ面内のエリアの面積を算出することにより、検出されている指示体の種類を判定することができる。

図２に戻る。ステップＳ１を実行したタッチ検出部１５は、グローバルラベリングにより特定したエリア（エリアＧＬＦ又はエリアＧＬＰ）に基づいて、検出されている指示体の種類を判定する（ステップＳ２）。ステップＳ２において指Ｆと判定した場合、タッチ検出部１５は、検出されている静電容量の最大値から指Ｆ検出用の閾値ＴＨ＿Ｆ（第３の閾値）を導出する（ステップＳ３）。

閾値ＴＨ＿Ｆの導出について、再び図３（ａ）を参照して説明する。同図に示すように、タッチ検出部１５は、検出されている静電容量の最大値ＭＡＸから所定値Ｄ＿Ｆ（第２の値）を減算することにより、閾値ＴＨ＿Ｆ＝ＭＡＸ－Ｄ＿Ｆを導出する。所定値Ｄ＿Ｆの値は、閾値ＴＨ＿Ｆが閾値ＴＨ１よりも大きな値となるように予め決定される。

図２に戻る。タッチ検出部１５は、導出した閾値ＴＨ＿Ｆを用いて、ローカルラベリングを実施する（ステップＳ４）。この場合のローカルラベリングは、静電容量Ｃが閾値ＴＨ＿Ｆを上回るタッチ面内のエリア（第３のエリア）を特定する処理である。図３（ａ）に示したエリアＬＬＦは、こうして特定される第３のエリアの例である。次いでタッチ検出部１５は、ローカルラベリングの結果に基づき、指Ｆの位置を示す座標を導出する（ステップＳ５）。具体的な例では、タッチ検出部１５は、第３のエリアの重心を、指Ｆの位置を示す座標として導出する。タッチ検出部１５は、導出した指Ｆの位置を示す座標をホストＣＰＵ（図２を参照）に出力し、処理を終了する。

ステップＳ２においてスタイラスＰと判定した場合、タッチ検出部１５はまず、検出されている複数の静電容量を所定の第２のフィルタによって処理することにより、複数の静電容量Ｃに含まれる雑音性ノイズなどのノイズを低減する処理を行う（ステップＳ６）。第２のフィルタは、具体的には、複数の静電容量Ｃを平滑化するガウシアンフィルタである。

図４は、ステップＳ６で用いるガウシアンフィルタの例を示す図である。この例によるガウシアンフィルタは３行３列の行列であり、タッチ検出部１５は、以下の式（１）に従って、ガウシアンフィルタによる処理後の静電容量Ｃ１（ｉ，ｊ）を取得する。ただし、式（１）中のｍ，ｎはそれぞれ１～３の整数であり、Ｇ（ｍ，ｎ）はガウシアンフィルタのｍ行ｎ列の要素を示している。

図６（ａ）は、図３（ｂ）に示した静電容量Ｃを図４に示したガウシアンフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ１を示す模式図である。図６（ａ）と図３（ｂ）とを比較すると理解されるように、静電容量Ｃ１は、ガウシアンフィルタによる処理の結果として、静電容量Ｃに比べて雑音性ノイズなどのノイズが低減されたものとなっている。

図９（ａ）は、図８（ａ）に示した静電容量Ｃを図４のガウシアンフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ１を示す図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示した静電容量Ｃ１の分布を示す３Ｄ等高線図である。図９（ａ）（ｂ）を図８（ａ）（ｂ）と比較することによっても、ガウシアンフィルタで処理することにより、静電容量Ｃから雑音性ノイズなどのノイズを除去できることが理解される。

図２に戻る。ステップＳ６を実行したタッチ検出部１５は次に、検出されている複数の静電容量Ｃ１を所定の第１のフィルタによって処理することにより、複数の静電容量Ｃ１に含まれるピークを強調する処理を行う（ステップＳ７）。第１のフィルタは、具体的には、タッチ面内における静電容量Ｃ１の変化を強調するハイパスフィルタである。

図５（ａ）（ｂ）はそれぞれ、ステップＳ７で用いるハイパスフィルタの例を示す図である。なお、図５（ｂ）に示したハイパスフィルタにおいて縦方向の数列（０，９，０）と横方向の数列（－２，９，－２）とが異なっているのは、タッチ面の撓みの影響を低減するためである。これらの例によるハイパスフィルタは３行３列の行列であり、タッチ検出部１５は、以下の式（２）に従って、ハイパスフィルタによる処理後の静電容量Ｃ２（ｉ，ｊ）（第２の静電容量）を取得する。ただし、式（２）中のｍ，ｎはそれぞれ１～３の整数であり、Ｈ（ｍ，ｎ）はハイパスフィルタの各要素を示している。

図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した静電容量Ｃ１を図５（ａ）又は図５（ｂ）に示したハイパスフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ２を示す模式図である。図６（ｂ）と図３（ｂ）及び図６（ａ）とを比較すると理解されるように、静電容量Ｃ２は、ハイパスフィルタによる処理の結果として、静電容量Ｃ，Ｃ１に比べてピークが強調されたものとなっている。

図１０（ａ）は、図９（ａ）に示した静電容量Ｃ１を図５（ｂ）のハイパスフィルタで処理することによって得られる静電容量Ｃ２を示す図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示した静電容量Ｃ２の分布を示す３Ｄ等高線図である。図１０（ａ）（ｂ）を図９（ａ）（ｂ）と比較することによっても、ハイパスフィルタで処理することにより、静電容量Ｃ１に含まれるピークを強調できることが理解される。

図２に戻る。ステップＳ６，Ｓ７を実行したタッチ検出部１５は次に、静電容量Ｃ２の最大値からスタイラスＰ検出用の閾値ＴＨ＿Ｐ（第２の閾値）を導出する（ステップＳ８）。

閾値ＴＨ＿Ｐの導出について、再び図６（ｂ）を参照して説明する。同図に示すように、タッチ検出部１５は、検出されている静電容量Ｃ２の最大値ＭＡＸから所定値Ｄ＿Ｐ（第１の値）を減算することにより、閾値ＴＨ＿Ｐ＝ＭＡＸ－Ｄ＿Ｐを導出する。所定値Ｄ＿Ｐの値は、閾値ＴＨ＿Ｐが閾値ＴＨ１よりも大きな値となるように予め決定される。なお、所定値Ｄ＿Ｐは、上述した所定値Ｄ＿Ｆに等しい値であるとすることも可能である。

図２に戻る。タッチ検出部１５は、導出した閾値ＴＨ＿Ｐを用いて、ローカルラベリングを実施する（ステップＳ９）。この場合のローカルラベリングは、静電容量Ｃ２が閾値ＴＨ＿Ｐを上回るタッチ面内のエリア（第２のエリア）を特定する処理である。図６（ｂ）に示したエリアＬＬＰは、こうして特定される第２のエリアの例である。次いでタッチ検出部１５は、ローカルラベリングの結果に基づき、スタイラスＰの位置を示す座標を導出する（ステップＳ１０）。具体的な例では、タッチ検出部１５は、第２のエリアの重心を、スタイラスＰの位置を示す座標として導出する。タッチ検出部１５は、導出したスタイラスＰの位置を示す座標をホストＣＰＵ（図２を参照）に出力し、処理を終了する。

以上説明したように、本実施の形態によるタッチ検出方法及びタッチ検出装置１によれば、指Ｆについては、第１の閾値より大きい第３の閾値を用いて検出を行うので、指Ｆの検出を好適に行うことができる。また、スタイラスＰについては、フィルタによってピークを強調した後に第１の閾値より大きい第２の閾値を用いて検出を行うので、スタイラスＰの検出も好適に行うことができる。したがって、本実施の形態によるタッチ検出方法及びタッチ検出装置１によれば、指Ｆ及びスタイラスＰの検出を好適に行うことが可能になる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。

例えば、タッチ検出部１５は、例えば特許５９０１８７０号公報に記載されているように、静電容量Ｃ（ｉ，ｊ）に代え、静電容量Ｃ（ｉ，ｊ）から交差位置（ｉ，ｊ）ごとの基準値を減じてなる値をフレームメモリＦＭに書き込むこととしてもよい。そして、フレームメモリＦＭに書き込んだこの値を用いて、上記実施の形態で説明したように、指Ｆ又はスタイラスＰの検出と、検出した指Ｆ又はスタイラスＰのタッチ面内における位置を示す座標の導出とを行うこととしてもよい。こうすることで、タッチ面の押下によって生ずる撓みの影響を低減することが可能になる。

また、図４及び図５（ａ）（ｂ）には３行３列の行列であるフィルタを示したが、他の種類のフィルタを用いることも可能である。さらに、図２には、ガウシアンフィルタとハイパスフィルタをこの順で適用する例を示したが、ハイパスフィルタを先に適用することとしてもよい。その他、ガウシアンフィルタによるノイズの低減は省略することとしてもよい。

１ タッチ検出装置
２ タッチセンサ
２ｘ，２ｙ 電極
１０ タッチセンサコントローラ
１１ 発振器
１２，１３ マルチプレクサ
１４ アナログデジタル変換器（Ａ／Ｄ）
１５ タッチ検出部
２０ 記憶部
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２ 静電容量
Ｄ＿Ｆ，Ｄ＿Ｐ 所定値
Ｆ 指
ＦＭ フレームメモリ
ＧＬＦ，ＧＬＰ グローバルラベリングにより特定されるエリア
ＬＬＦ，ＬＬＰ ローカルラベリングにより特定されるエリア
Ｐ スタイラス
ＴＨ１，ＴＨ＿Ｆ，ＴＨ＿Ｐ 閾値

Claims (8)

1. タッチ面を構成するタッチセンサに接続されたタッチ検出装置によって実行されるタッチ検出方法であって、
   それぞれ前記タッチ面内に含まれる複数の座標に対応する複数の第１の静電容量が第１の閾値を上回る前記タッチ面内の第１のエリアに基づき、検出されている指示体の種類を判定するステップと、
   前記判定するステップにおいて前記指示体がスタイラスであると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量を第１のフィルタによって処理することにより、前記複数の第１の静電容量に比べてピークが強調されてなる複数の第２の静電容量を取得するステップと、
   前記複数の第２の静電容量が前記第１の閾値より大きい第２の閾値を上回る前記タッチ面内の第２のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記スタイラスの位置を示す座標を導出するステップと、
   前記判定するステップにおいて前記指示体が指であると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量が前記第１の閾値より大きい第３の閾値を上回る前記タッチ面内の第３のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記指の位置を示す座標を導出するステップと、
   を含むタッチ検出方法。
2. 前記第１のエリア内における前記複数の第２の静電容量の最大値から所定の第１の値を減算することによって前記第２の閾値を導出するステップ、
   をさらに含む請求項１に記載のタッチ検出方法。
3. 前記第１のエリア内における前記複数の第１の静電容量の最大値から所定の第２の値を減算することによって前記第３の閾値を導出するステップ、
   をさらに含む請求項２に記載のタッチ検出方法。
4. 前記第１の値と前記第２の値とは等しい、
   請求項３に記載のタッチ検出方法。
5. 前記複数の第２の静電容量を取得するステップは、前記複数の第１の静電容量を第１及び第２のフィルタのそれぞれによって処理することにより、前記複数の第１の静電容量に比べてピークが強調され、かつ、前記複数の第１の静電容量に比べて雑音性ノイズが低減されてなる前記複数の第２の静電容量を取得するすステップである、
   請求項１に記載のタッチ検出方法。
6. 前記複数の第２の静電容量を取得するステップは、前記複数の第１の静電容量を前記第１のフィルタによって処理し、前記第１のフィルタによる処理後の前記複数の第１の静電容量を前記第２のフィルタによって処理するステップであり、
   前記第１のフィルタは、前記タッチ面内における前記複数の第１の静電容量の変化を強調するハイパスフィルタであり、
   前記第２のフィルタは、前記第１のフィルタによる処理後の前記複数の第１の静電容量を平滑化するガウシアンフィルタである、
   請求項５に記載のタッチ検出方法。
7. 前記複数の第２の静電容量を取得するステップは、前記複数の第１の静電容量を前記第２のフィルタによって処理し、前記第２のフィルタによる処理後の前記複数の第１の静電容量を前記第１のフィルタによって処理するステップであり、
   前記第２のフィルタは、前記複数の第１の静電容量を平滑化するガウシアンフィルタであり、
   前記第１のフィルタは、前記タッチ面内における前記第１のフィルタによる処理後の前記複数の第１の静電容量の変化を強調するハイパスフィルタである、
   請求項５に記載のタッチ検出方法。
8. タッチ面を構成するタッチセンサに接続されたタッチ検出装置であって、
   それぞれ前記タッチ面内に含まれる複数の座標に対応する複数の第１の静電容量が第１の閾値を上回る前記タッチ面内の第１のエリアに基づき、検出されている指示体の種類を判定し、
   前記指示体がスタイラスであると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量を第１のフィルタによって処理することにより、前記複数の第１の静電容量に比べてピークが強調されてなる複数の第２の静電容量を取得し、
   前記複数の第２の静電容量が前記第１の閾値より大きい第２の閾値を上回る前記タッチ面内の第２のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記スタイラスの位置を示す座標を導出し、
   前記指示体が指であると判定した場合に、前記複数の第１の静電容量が前記第１の閾値より大きい第３の閾値を上回る前記タッチ面内の第３のエリアに基づき、前記タッチ面内における前記指の位置を示す座標を導出する、
   タッチ検出装置。

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