JP7354557B2 - 高分子化合物及びそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物及びそれを用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子に用いる高分子化合物として、例えば、下記式で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（特許文献１）が知られている。

特表２０１３－５３８４３８号公報

しかし、前記高分子化合物を用いて製造される発光素子は、その輝度寿命が必ずしも十分ではない。

そこで、本発明は、輝度寿命が優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］～［１３］を提供する。
［１］
式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位を有する高分子化合物。

［式中、
環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素環、芳香族炭化水素環又は複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらが結合して環を形成していてもよい。
Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。２つあるＲ²は、同一でも異なっていてもよい。
Ｌは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ'は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑは、単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
波線は、二重結合に結合するＲ¹及び環Ｂが、二重結合に対して同じ側であっても、反対側であってもよいことを表す。］
［２］
前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基が、前記Ｒ'から２個の水素原子を取り除いた基である、［１］に記載の高分子化合物。
［３］
前記式（１ａ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位を有する、［１］又は［２］に記載の高分子化合物。
［４］
環Ａ及び環Ｂがベンゼン環である、［１］～［３］のいずれかに記載の高分子化合物。
［５］
Ｒ¹が水素原子であり、Ｌ及びＱが単結合である、［１］～［４］のいずれかに記載の高分子化合物。
［６］
Ｒ'がアリール基である、［１］～［５］のいずれかに記載の高分子化合物。
［７］
更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の高分子化合物。

［式中、
ａ¹及びａ²は、それぞれ独立に、０以上２以下の整数を表す。
Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2又はＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは各々同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2又はＲ^X3が複数存在する場合、それらは各々同一でも異なっていてもよい。］
［８］
更に、前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個取り除いた基からなる構成単位とは異なる、式（Ｙ）で表される構成単位を含む、［１］～［７］のいずれかに記載の高分子化合物。

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［９］
前記式（Ｙ）で表される構成単位が、式（Ｙ－１）又は式（Ｙ－２）で表される構成単位である、［８］に記載の高分子化合物。

［式中、
Ｘ^Y1は、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－又は－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基を表す。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Y1、Ｒ^Y2及びＲ^Y4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11及びＲ^Y2は、各々、同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に結合するＲ^Y1同士、隣接する炭素原子に結合するＲ^Y2同士、又は、同一の炭素原子に結合するＲ^Y2同士は、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
［１０］
前記式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位の含有量が、高分子化合物に含まれる全構成単位の含有量に対して、0.01～30モル％である、［１］～［９］のいずれかに記載の高分子化合物。
［１１］
前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される化合物における１個以上の水素原子が、ハロゲン原子、－Ｂ（ＯＨ）₂で表される基又はホウ酸エステル残基で置換された化合物。
［１２］
［１］～［１０］のいずれかに記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
［１３］
［１］～［１０］のいずれかに記載の高分子化合物を含有する発光素子。

本発明によれば、輝度寿命が優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。また、本発明によれば、該高分子化合物を含有する組成物及び発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³～１×10⁸である重合体を意味する。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「脂肪族炭化水素環」は、シクロアルカン、シクロアルケン及びシクロアルキンを表し、単環であってもよく、複数の環から構成されていてもよい。脂肪族炭化水素環を形成する炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～２２であり、好ましくは６～１４であり、より好ましくは６、１０又は１４である。

「芳香族炭化水素環」は、芳香族性を示す炭化水素を表し、単環であってもよく、複数の環から構成されていてもよい。芳香族炭化水素環を形成する炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～２２であり、好ましくは６～１４であり、より好ましくは６、１０又は１４である。
芳香族炭化水素環は、置換基を有していてもよく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、インデン環、フェナントレン環、ピレン環、テトラセン環及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「複素環」は、環を形成する炭素原子の少なくとも１つを炭素原子以外の元素に置き換えた環式化合物を表し、単環であってもよく、複数の環から構成されていてもよいが、芳香族複素環であることが好ましい。複素環を形成する炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～２１であり、好ましくは５～１３である。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～60であり、好ましくは６～20であり、より好ましくは６～10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～40であり、好ましくは４～10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～40であり、好ましくは４～10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～40であり、好ましくは４～10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～60であり、好ましくは６～48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～60であり、好ましくは４～20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～30であり、好ましくは３～20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～30であり、好ましくは４～20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～30であり、好ましくは４～20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２～20であり、好ましくは３～20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～30であり、好ましくは４～20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～30であり、好ましくは４～20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６～60であり、好ましくは６～30であり、より好ましくは６～18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)～式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～60であり、好ましくは、３～20であり、より好ましくは、４～15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)～式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、以下の架橋基Ａ群の式(XL-1)～(XL-17)で表される架橋基である。
（架橋基Ａ群）

［式中、Ｒ^XLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎ^XLは、０～５の整数を表す。Ｒ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^XLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊は結合位置を表す。これらの架橋性基は置換基を有していてもよい。］

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位を有する。
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは５×１０³～２．５×１０⁵であり、より好ましくは１．５×１０⁴～１×１０⁵である。
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは１×１０⁴～５×１０⁵であり、より好ましくは３×１０⁴～２×１０⁵であり、更に好ましくは３×１０⁴～１×１０⁵である。

［式(１ａ)又は式(１ｂ)で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位］
式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位（以下、各々、単に「構成単位（１ａ）」、「構成単位（１ｂ）」と言うことがある。）は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは式(１ａ)で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位であり、より好ましくは式(１ａ)で表される化合物から水素原子を１～２個取り除いた基からなる構成単位であり、更に好ましくは式(１ａ)で表される化合物から水素原子を２個取り除いた基からなる構成単位である。

式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは環Ａ、環Ｂ又はＲ'から水素原子を１個以上取り除いた基であり、より好ましくはＲ'から水素原子を１個以上取り除いた基であり、更に好ましくはＲ'から水素原子を１～２個取り除いた基であり、特に好ましくはＲ'から水素原子を２個取り除いた基である。

環Ａ及び環Ｂは、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは芳香族炭化水素環又は複素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。

環Ａで表される芳香族炭化水素環としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはフェナントレン環、ベンゾナフタレン環、ベンゼン環又はナフタレン環であり、より好ましくはベンゼン環又はナフタレン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

環Ａで表される芳香族炭化水素環が有していてもよい置換基としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはアルキル基である。

環Ｂで表される芳香族炭化水素環としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環又はフルオレン環であり、より好ましくはベンゼン環又はナフタレン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらは置換基を有していてもよい。

環Ｂで表される芳香族炭化水素環が有していてもよい置換基としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはアルキル基である。置換基（特にアルキル基）が複数存在する場合、それらが結合して環を形成していてもよい。

Ｒ¹は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは水素原子、アルキル基又はアリール基であり、より好ましくは水素原子又はアリール基であり、更に好ましくは水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ²は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは水素原子、アルキル基又はアリール基であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、更に好ましくは水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌは、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは単結合、アルキレン基又はアリーレン基であり、より好ましくは単結合又はアリーレン基であり、更に好ましくは単結合であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌで表されるアリール基が有していてもよい置換基としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基である。

Ｒ'は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ'で表されるアリール基としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基又は4-フェニルフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基又は2-フルオレニル基であり、更に好ましくはフェニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ'で表されるアリール基が有していてもよい置換基としては、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくはアリール基、アルキル基又はシクロアルキル基である。

Ｑは、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、単結合であることが好ましい。

構成単位（１ａ）及び構成単位（１ｂ）においては、例えば、Ｌ－Ｑ－Ｒ'とＲ¹とが互いに異なるときに、幾何異性体を生じ得る。高分子化合物は、構成単位（１ａ）及び構成単位（１ｂ）として、同一の幾何異性体を有する構成単位のみを有していてもよく、互いに異なる幾何異性体を有する複数の構成単位を有していてもよい。幾何異性体としては、例えば、シス／トランス異性体及びＥ／Ｚ異性体が挙げられる。

本発明の高分子化合物において、構成単位（１ａ）及び構成単位（１ｂ）の合計量は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、高分子化合物に含まれる全構成単位の合計量に対して、好ましくは０．０１～３０モル％であり、より好ましくは０．１～１５モル％であり、更に好ましくは０．５～５モル％であり、特に好ましくは０．７～２．５モル％である。

構成単位（１ａ）としては、例えば、以下の表中の式(1a-1)～式(1a-14)で表される構成単位が挙げられる。なお、表中の＊は結合位置を表し、Ｊは構成単位の結合手（即ち、式（１ａ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位の結合手）を表す。

構成単位（１ｂ）としては、例えば、以下の表中の式(1b-1)～式(1b-14)で表される構成単位が挙げられる。なお、表中の＊は結合位置を表し、Ｊは構成単位の結合手（即ち、式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個以上取り除いた基からなる構成単位の結合手）を表す。

構成単位（１ａ）及び構成単位（１ｂ）は、各々、本発明の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

［その他の構成単位］
本発明の高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

ａ¹は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。

ａ²は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1～Ｒ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)又は式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)又は式(AA-7)～式(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)～式(A-11)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1～Ａｒ^X4及びＲ^X1～Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式(X-1)～式(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-3)～式(X-7)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)～式(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4及びＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に結合するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、本発明の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１～５０モル％であり、より好ましくは０．５～３０モル％であり、更に好ましくは１～１０モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)～(X1-19)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-6)～(X1-14)で表される構成単位である。

本発明の高分子化合物において、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

本発明の高分子化合物は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、更に、式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物から水素原子を１個取り除いた基からなる構成単位とは異なる、式(Ｙ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

本発明の高分子化合物は、本発明の発光素子の発光効率が優れるので、更に、式(Ｘ)で表される構成単位及び式(Ｙ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)～式(A-11)、式(A-13)又は式(A-19)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)、式(A-7)、式(A-9)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-13)、式(AA-15)、式(AA-18)又は式(AA-20)で表される基であり、更に好ましくは式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-18)又は式(AA-20)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｘ)のＡｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)～式(Y-7)で表される構成単位が挙げられ、本発明の発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは式(Y-1)又は式(Y-2)で表される構成単位である。

［式中、
Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に結合するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは後述の式（Ｄ－Ａ）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－又は－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは双方がアルキル基、又は、双方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)～式(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基は、好ましくは式(Y-B1)～式(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

［式中、
Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-5)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-5')で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y11は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1及びＲ^Y4は前記を同じ意味を表す。］

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-11)～式(Y-56)で表される構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、本発明の発光素子の輝度寿命がより優れるので、本発明の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは３０～９８モル％であり、より好ましくは５０～９５モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５～３０モル％であり、より好ましくは１．５～１５モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

本発明の高分子化合物としては、例えば、表５に示す高分子化合物Poly-1～Poly-4が挙げられる。ここで、「その他の構成単位」とは、構成単位（１ａ）、構成単位（１ｂ）、式（Ｘ）又は式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、各構成単位のモル比率を表す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝100であり、かつ、70≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦100である。］

高分子化合物Poly-1～Poly-4における、構成単位（１ａ）、構成単位（１ｂ）、式（Ｘ）又は式（Ｙ）で表される構成単位の例及び好ましい範囲は、上述のとおりである。

本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素－炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

本発明の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。

本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される化合物における１個以上の水素原子（特には、Ｒ'で表される基における２個の水素原子）が、ハロゲン原子、－Ｂ（ＯＨ）₂で表される基又はホウ酸エステル残基で置換された化合物を用いて製造することができる。ここでは、その一例を説明すると、本発明の高分子化合物は、例えば、式(M-1)で表される化合物及び／又は式(M-2)で表される化合物と、式(M-3)で表される化合物及び／又は式(M-4)で表される化合物を縮合重合させることにより製造することができる。また、本発明のその他の高分子化合物についても、同様に製造することができる。本明細書において、本発明の高分子化合物の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。
ここで、式(M-1)～式（M-4）で表される化合物は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［式中、
環Ａ、環Ｂ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｌ、Ｑ、波線、ａ¹、ａ²、Ａｒ^X1～Ａｒ^X4、Ｒ^X1～Ｒ^X3及びＡｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ''は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基として、Ｚ^C1とＺ^C2、又は、Ｚ^C3とＺ^C4を有する。
Ｚ^C1～Ｚ^C8は、それぞれ独立に、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］

Ｒ''の好ましい範囲は、Ｒ'の好ましい範囲と同じである。

例えば、Ｚ^C1、Ｚ^C2、Ｚ^C3及びＺ^C4が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C5、Ｚ^C6、Ｚ^C7及びＺ^C8は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。

例えば、Ｚ^C1、Ｚ^C2、Ｚ^C3及びＺ^C4が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C5、Ｚ^C6、Ｚ^C7及びＺ^C8は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、－Ｏ－Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1（式中、Ｒ^C1は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。

＜置換基Ｂ群＞
ホウ酸エステル残基（即ち、－Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基）；
－ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
－ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
－ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
－Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

－Ｂ(ＯＲ^C2)₂で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基及び置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。

縮合重合は、通常、触媒、塩基及び溶媒の存在下で行われるが、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。

触媒としては、例えば、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリス－ｏ－メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、酢酸パラジウム等のパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、［１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（１，４－シクロオクタジエン）ニッケル（０）等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ（ｏ－トリル）ホスフィン、 トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、0.00001～３モル当量である。

塩基及び相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基及び相間移動触媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

塩基及び相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001～100モル当量である。

溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計100質量部に対して、10～100000質量部である。

縮合重合の反応温度は、通常-100～200℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、又は組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、晶析、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

式（Ｍ－１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ－１－ａ）で表される化合物を塩基と反応させた後、その反応液と塩化トリアルキルシランとを反応させることにより、式（Ｍ－１－ｂ）で表される化合物を製造する工程（第１工程）と、式（Ｍ－１－ｂ）で表される化合物を塩基と反応させた後、その反応液と式（Ｍ－１－ｃ）で表される化合物とを反応させることにより、式（Ｍ－１）で表される化合物を製造する工程（第２工程）とにより製造することができる。なお、式（Ｍ－２）で表される化合物も、同様にして、製造することができる。ここで、式（Ｍ－１－ａ）～式（Ｍ－１－ｃ）で表される化合物、塩基及び塩化トリアルキルシランは、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［式中、
環Ａ、環Ｂ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｌ、Ｑ、Ｒ''、Ｚ^C1及びＺ^C2は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Siは、置換基を有していてもよいアルキル基を表し、３つあるＲ^Siは、同一でも異なっていてもよい。］

３つあるＲ^Siは、原料の入手が容易であるので、同一であることが好ましい。また、Ｒ^Siで表されるアルキル基は、式（Ｍ－１）で表される化合物の収率が優れるので、ブチル基、プロピル基、エチル基、メチル基であることが好ましい。

第１工程及び第２工程は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒が挙げられる。

第１工程において、塩基及び塩化トリアルキルシランの使用量は、各々、式（Ｍ－１－ａ）で表される化合物のモル数に対して、通常、０．１～１０モル当量である。

第２工程において、塩基及び式（Ｍ－１－ｃ）で表される化合物の使用量は、各々、式（Ｍ－１－ｂ）で表される化合物のモル数に対して、通常、０．１～１０モル当量である。

第１工程及び第２工程の反応時間は、各々、通常、０．５～５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

第１工程及び第２工程で使用できる塩基としては、例えば、ｎ－ブチルリチウム、ｓｅｃ－ブチルリチウム、ｔｅｒｔ－ブチルリチウム、水素化ナトリウム、リチウムジイソプロピルアミド、水素化ジイソブチルアルミニウム、ｔｅｒｔ－ブトキシカリウム等が挙げられる。

第１工程における塩化トリアルキルシラン及び式（Ｍ－１－ａ）で表される化合物、並びに、第２工程における式（Ｍ－１－ｃ）で表される化合物は、市販の試薬を使用してもよいし、別途、合成したものを使用してもよい。

＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する。ここで、これらの材料は、本発明の高分子化合物とは異なる。

本発明の高分子化合物及び溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１～20mPa・sである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の高分子化合物100質量部に対して、通常、1000～100000質量部であり、好ましくは2000～20000質量部である。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物100質量部に対して、通常、１～400質量部であり、好ましくは５～150質量部である。正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、及び、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物100質量部に対して、通常、１～400質量部であり、好ましくは５～150質量部である。電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、及び、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、本発明の高分子化合物100質量部に対して、通常、１～400質量部であり、好ましくは５～150質量部である。正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm～１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、式Ir-1～式Ir-5で表される金属錯体等のイリジウム錯体が好ましい。

［式中、
Ｒ^D1～Ｒ^D8、Ｒ^D11～Ｒ^D20、Ｒ^D21～Ｒ^D26及びＲ^D31～Ｒ^D37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1～Ｒ^D8、Ｒ^D11～Ｒ^D20、Ｒ^D21～Ｒ^D26及びＲ^D31～Ｒ^D37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
－Ａ^D1---Ａ^D2－は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1及びＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。－Ａ^D1---Ａ^D2－が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ_D1は、１、２又は３を表し、ｎ_D2は、１又は２を表す。］

式Ir-1で表される金属錯体において、Ｒ^D1～Ｒ^D8の少なくとも１つは、好ましくは、式(D-A)で表される基である。
式Ir-2で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D11～Ｒ^D20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
式Ir-3で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D1～Ｒ^D8及びＲ^D11～Ｒ^D20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
式Ir-4で表される金属錯体において、好ましくはＲ²¹～Ｒ^D26の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
式Ir-5で表される金属錯体において、好ましくはＲ^D31～Ｒ^D37の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。

［式中、
ｍ^DA1～ｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1～Ａｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1～Ａｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

ｍ^DA1～ｍ^DA3は、通常10以下の整数であり、好ましくは5以下の整数であり、より好ましくは0又は1である。ｍ^DA1～ｍ^DA3は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)～式(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊、＊＊及び＊＊＊は、各々、Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2及びＡｒ^DA3との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1～Ａｒ^DA3は、好ましくは式(ArDA-1)～式(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｔ^DAは、好ましくは式(TDA-1)～式(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DA及びＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)～式(D-A3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1～Ｒ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1及びＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０～５の整数を表し、ｎｐ２は０～３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは１～３の整数であり、更に好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^p1～Ｒ^p3は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基である。

－Ａ^D1---Ａ^D2－で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］

式Ir-1で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-11～Ir-13で表される金属錯体である。式Ir-2で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-21で表される金属錯体である。式Ir-3で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-31～Ir-33で表される金属錯体である。式Ir-4で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-41～Ir-43で表される金属錯体である。式Ir-5で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-51～Ir-53で表される金属錯体である。

［式中、
ｎ_D2は、１又は２を表す。
Dは、式(D-A)で表される基を表す。複数存在するDは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^DCは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^DCは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^DDは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^DDは、同一でも異なっていてもよい。］

三重項発光錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の高分子化合物100質量部に対して、通常、0.1～400質量部である。発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の高分子化合物100質量部に対して、通常、0.001～10質量部である。酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の高分子化合物を含有する発光素子である。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物を含有する層とを有する。

［層構成］
本発明の高分子化合物を含有する層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含有する。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、及び、電子注入層の材料としては、本発明の高分子化合物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料、及び、電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料、及び、発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層、及び、発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数、及び、厚さは、発光効率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。

［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
本発明の発光素子を用いて、例えば、面状、パターン状の発光を得ることができる。パターン状の発光を用いた表示装置としては、例えば、セグメントタイプ、ドットマトリックスタイプの表示装置が挙げられる。本発明の発光素子は、例えば、表示装置として、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができるほか、照明等にも用いることができる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動層にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。なお、SECの各測定条件は、次のとおりである。

測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ－Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ－ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ－８３２０ＧＰＣ）を用いた。

ＬＣ－ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ－ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ－ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ－ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＴＬＣ－ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５－１００）上に塗布し、ＴＬＣ－ＭＳ（日本電子社製、商品名：ＪＭＳ－Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００～４００℃の範囲で調節した。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５～１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ₃）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２－プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００又はＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ－２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１～０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１～１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０～０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜実施例１＞ 化合物Ｍ１の合成

（化合物Ｍ１ｂの合成）
撹拌子を備えた３０ｍＬの二口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ１ａ（１．０ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、１０ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、３．１ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下し、０～５℃で１時間撹拌し、スラリーＡを得た。その後、スラリーＡを室温まで昇温した。
別途、撹拌子を備えた５０ｍＬの三つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、クロロトリメチルシラン（０．７０ｍL）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、５．０ｍＬ）を加え、撹拌しながら５～１０℃に冷却し、反応混合物を得た。
その後、そこへ、スラリーＡを反応混合物の温度を５～１０℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下した後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に２時間撹拌した。その後、そこへ、イオン交換水（５．０ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、油状物を得た。得られた油状物を、ｎ－ヘプタンを用いた晶析を行うことにより、化合物Ｍ１ｂ（０．４６ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｍ１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ－ＭＳ（ＥＳＩ ｎｅｇａｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝ ２８７［Ｍ－Ｈ］^-
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０１－７．９７（ｍ，２Ｈ），７．９１－７．８８（ｍ，２Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．５８（ｄ，１Ｈ），７．４９（ｄｔ，１Ｈ），７．４３（ｄｔ，１Ｈ），７．３６（ｄｔ，１Ｈ），７．２９（ｄｔ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），－０．２２（ｓ，９Ｈ）．

（化合物Ｍ１の合成）
撹拌子を備えた５０ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ１ｂ（０．４６ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、９．２ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、０．９４ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下し、０～５℃で３０分間撹拌した。その後、そこへ、化合物Ｍ１ｃ（０．４３ｇ）のシクロペンチルメチルエーテル（２．３ｍＬ）溶液を、反応混合物の温度を０～１０℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下した後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に３時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（１０ｍＬ）及びイオン交換水（５．０ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、固体を得た。得られた固体にトルエンを加え、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析を行うことにより、化合物Ｍ１（０．５３ｇ）を橙色固体として得た。化合物Ｍ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。¹Ｈ－ＮＭＲにより、化合物Ｍ１はＥ／Ｚ異性体混合物であることが判明した。

ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＰＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝ ４６０［Ｍ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．５３（ｄ，１Ｈ），８．１７（ｓ，１Ｈ），７．９３－７．６７（ｍ，６Ｈ），７．６０－７．５５（ｍ，１Ｈ），７．４７－７．４３（ｍ，１Ｈ），７．３７－７．２９（ｍ，２Ｈ），７．２３－７．１５（ｍ，１Ｈ），７．０８－７．０１（ｍ，１Ｈ）．

＜実施例２＞ 化合物Ｍ２の合成

（化合物Ｍ２ｂの合成）
撹拌子を備えた３０ｍＬの二口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ２ａ（１．２ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、１２ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、３．７ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下し、０～５℃で１時間撹拌し、スラリーＢを得た。その後、スラリーＢを室温まで昇温した。
別途、撹拌子を備えた５０ｍＬの三つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、クロロトリメチルシラン（０．８４ｍL）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、６．０ｍＬ）を加え、撹拌しながら５～１０℃に冷却し、反応混合物を得た。
その後、そこへ、スラリーＢを反応混合物の温度を５～１０℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下した後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に３時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（６．０ｍＬ）及びイオン交換水（６．０ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析を行うことにより、化合物Ｍ２ｂ（１．２ｇ）をごく薄い桃白色固体として得た。化合物Ｍ２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．２７（ｓ，１Ｈ），７．９９－７．８４（ｍ，４Ｈ），７．５３－７．５０（ｍ，１Ｈ），７．４５－７．４１（ｍ，２Ｈ），７．３９－７．３１（ｍ，２Ｈ），４．０１（ｓ，１Ｈ），－０．０６（ｓ，９Ｈ）．

（化合物Ｍ２の合成）
撹拌子を備えた１００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ２ｂ（１．０ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、２５ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、２．１ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下し、０～５℃で３０分間撹拌した。その後、そこへ、化合物Ｍ１ｃ（０．９３ｇ）のシクロペンチルメチルエーテル（５．０ｍＬ）溶液を、反応混合物の温度を０～１０℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下した後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に３時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（１５ｍＬ）及びイオン交換水（１０ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた固体にトルエンを加え、シリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物を、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析を行い、次いで、メタノール及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた逆相クロマトグラフィー（充填剤：ワコーゲル １５Ｃ１８）により精製した後、溶媒を減圧留去することにより、化合物Ｍ２（０．３０ｇ）を黄色固体として得た。化合物Ｍ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。¹Ｈ－ＮＭＲにより、化合物Ｍ２はＥ／Ｚ異性体混合物であることが判明した。

ＬＣ－ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝ ４６１［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１８－８．１０（ｍ，１Ｈ），８．０９－７．９８（ｍ，１Ｈ），７．９１－７．８４（ｍ，３Ｈ），７．７９－７．７０（ｍ，３Ｈ），７．６４－７．６０（ｍ，１Ｈ），７．５０－７．１３（ｍ，５Ｈ）．

＜合成例１＞ 化合物Ｍ３の合成

（化合物Ｍ３ｂの合成）
撹拌機を備えた５００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ３ａ（２４ｇ）、化合物Ｂ０（３２ｇ）、［１，１'－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（６．５ｇ）、酢酸カリウム（２５ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、１６５ｍＬ）を加え、１０６℃で２２時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（１６５ｍＬ）を加え、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、濾塊をトルエン（１７０ｍＬ）で洗浄し、得られた溶液を減圧濃縮した。得られた濃縮物に、ｎ－ヘプタン、トルエン及び活性炭を加え、室温で１時間攪拌した。得られた混合物を、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、油状物を得た。得られた油状物を、ヘキサン及びトルエンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、溶媒を減圧留去することにより、化合物Ｍ３ｂ（１５ｇ）を緑白色固体として得た。化合物Ｍ３ｂのＧＣ面積百分率値は９８．０％であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０６（ｄ，１Ｈ），７．７６－７．７３（ｍ，２Ｈ），７．４２（ｄｔ，１Ｈ），７．３６（ｄｔ，１Ｈ），７．２８（ｄ，１Ｈ），２．５８（ｓ，３Ｈ），１．４４（ｓ，１２Ｈ）．

（化合物Ｍ３ｃの合成）
撹拌機を備えた３００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ３ｂ（６．０ｇ）、１－ブロモ－２－クロロベンゼン（４．５ｇ）、トルエン（６０ｍＬ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２',６'－ジメトキシビフェニル（０．３８ｇ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０） ０．７５・ジベンジリデンアセトン付加物（０．２４ｇ）及び２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（４９ｇ）を加え、８３℃で１４時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、イオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物に、ｎ－ヘプタン、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた混合物を、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｍ３ｃ（５．７ｇ）を琥珀色油状物として得た。化合物Ｍ３ｃのＧＣ面積百分率値は９６．０％であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８４（ｄ，１Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．５８－７．５５（ｍ，１Ｈ），７．４４－７．３８（ｍ，４Ｈ），７．３２（ｄｔ，１Ｈ），７．２５－７．２２（ｍ，１Ｈ），７．１９（ｄ，１Ｈ），２．１７（ｓ，３Ｈ）．

（化合物Ｍ３ｄの合成）
撹拌子を備えた２００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ３ｃ（４．９ｇ）、１－メチル－２－ピロリドン（超脱水品、５８ｍＬ）、無水炭酸カリウム（微細粉末、２．９ｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．１１ｇ）及び１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（０．４２ｇ）を加え、１４３℃で１５時間撹拌した。得られた反応混合物にトルエン（５８ｍＬ）を加え、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、濾塊をトルエン（１２０ｍＬ）で洗浄した。得られた溶液を、イオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物に、トルエン及び活性炭を加え、室温で１時間攪拌した。得られた混合物を、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をトルエン及びエタノールの混合溶媒を用いた晶析を行うことにより、化合物Ｍ３ｄ（１．２ｇ）を灰白色固体として得た。化合物Ｍ３ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．７５（ｄ，１Ｈ），８．３８（ｄ，１Ｈ），７．９６（ｄ，１Ｈ），７．８２（ｄ，１Ｈ），７．７１－７．６３（ｍ，３Ｈ），７．５４－７．４６（ｍ，２Ｈ），７．３２（ｔ，１Ｈ），４．０２（ｓ，２Ｈ）．

（化合物Ｍ３ｅの合成）
撹拌子を備えた５０ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ３ｄ（１．１ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、１１ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、３．６ｍＬ）を、反応混合物の温度を５～１０℃に維持した状態で撹拌しながら滴下した後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に１時間撹拌した。その後、そこへ、クロロトリメチルシラン（０．７８ｍL）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、５．６ｍＬ）を、撹拌しながら室温で滴下し、得られた反応混合物を、室温で更に１時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（１１ｍＬ）及びイオン交換水（１１ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物に、ｎ－ヘプタン、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた混合物を、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた固体を、エタノールを用いた晶析を行うことにより、化合物Ｍ３ｅ（０．９４ｇ）をごく薄い桃白色固体として得た。化合物Ｍ３ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９７．８％であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．８０（ｄ，１Ｈ），８．４５（ｄ，１Ｈ），７．９６（ｄ，１Ｈ），７．８０（ｄ，１Ｈ），７．６９－７．６１（ｍ，３Ｈ），７．５０（ｄｔ，１Ｈ），７．４５（ｔ，１Ｈ），７．３３（ｄｔ，１Ｈ），４．０８（ｓ，１Ｈ），－０．０９（ｓ，９Ｈ）．

（化合物Ｍ３の合成）
撹拌子を備えた１００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ３ｅ（０．７２ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、２２ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、１．７ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下し、０～５℃で３０分間撹拌した。その後、そこへ、化合物Ｍ１ｃ（０．６９ｇ）のシクロペンチルメチルエーテル（３．６ｍＬ）溶液を、反応混合物の温度を０～１０℃に維持した状態で撹拌しながら、滴下した後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に２時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（２２ｍＬ）及びイオン交換水（１０ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物を、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）（日本分析工業株式会社製、ＪＡＩＧＥＬ－２ＨＨ－４０とＪＡＩＧＥＬ－２．５ＨＨ－４０）による精製、並びに、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析を順次行うことにより、化合物Ｍ３（０．３ｇ）を橙色固体として得た。化合物Ｍ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。¹Ｈ－ＮＭＲにより、化合物Ｍ３はＥ／Ｚ異性体混合物であることが判明した。

ＬＣ－ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝ ４６１［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．６９（ｔ，１Ｈ），８．３０－８．２７（ｍ，１Ｈ），７．９４（ｄ，１Ｈ），７．９０－７．８１（ｍ，２Ｈ），７．７４－７．６９（ｍ，３Ｈ），７．６６－７．５９（ｍ，２Ｈ），７．５７－７．１１（ｍ，４Ｈ）．

＜合成例２＞ 化合物Ｍ４の合成

（化合物Ｍ４ｂの合成）
撹拌機を備えた１Ｌの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ４ａ（２６ｇ）及びジクロロメタン（２３０ｍＬ）を加え、撹拌しながら０～５℃に冷却した。その後、そこへ、内温を０～１０℃に保ちながらトリエチルアミン（３０ｍＬ）を加えた後、次いで、内温を０～１０℃に保ちながら無水トリフルオロメタンスルホン酸（３２ｍＬ）を滴下し、室温に昇温して更に３時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（２３０ｍＬ）を加え、シリカゲルを用いてろ過し、濾塊をトルエン（２６０ｍＬ）で洗浄し、得られた溶液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をトルエンに溶解させた後、イオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮し、油状物を得た。得られた油状物を、ヘキサン及びトルエンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、溶媒を減圧留去することにより、化合物Ｍ４ｂ（３４ｇ）を淡黄色油状物として得た。化合物Ｍ４ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．７％であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．３１（ｄ，１Ｈ），７．９３（ｄ，１Ｈ），７．８８（ｄ，１Ｈ），７．７１（ｄｔ，１Ｈ），７．６４（ｄｔ，１Ｈ），７．４４（ｄ，１Ｈ）．

（化合物Ｍ４ｃの合成）
撹拌機を備えた５００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ４ｂ（１１．２ｇ）、（３，５，５，８，８－ペンタメチル－５，６，７，８－テトラヒドロナフタレン－２－イル）ボロン酸（９．５ｇ）、臭化リチウム（３．１ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）ジクロリド（０．６３ｇ）、１,２－ジメトキシエタン（９０ｍＬ）、及び１５質量％炭酸ナトリウム水溶液（６６ｇ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、そこへトルエン（１３４ｍＬ）、およびイオン交換水を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルを用いてろ過し、濾塊をトルエンで洗浄し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物に、トルエン及びシリカゲルを加え、室温で３０分間攪拌した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｍ４ｃ（１３．６ｇ）を淡黄色飴状物として得た。化合物Ｍ４ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９６．３％であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．３５（ｄ，１Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），７．８０（ｄ，１Ｈ），７．６３（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｔ，１Ｈ），７．３３（ｄ，１Ｈ），７．２３（ｓ，１Ｈ），７．１４（ｓ，１Ｈ），２．０７（ｓ，３Ｈ），１．７２（ｓ，４Ｈ），１．３５（ｓ，３Ｈ），１．３１（ｓ，３Ｈ），１．２６（ｓ，３Ｈ），１．２５（ｓ，３Ｈ）．

（化合物Ｍ４ｄの合成）
撹拌子を備えた３００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ４ｃ（１３．０ｇ）、１－メチル－２－ピロリドン（超脱水品、１０４ｍＬ）、無水炭酸カリウム（微細粉末、１４．９ｇ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．４０ｇ）及び１，３－ビス（２，６－ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（１．５３ｇ）を加え、１５３℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物にトルエン（１５６ｍＬ）を加え、セライトとシリカゲルを用いてろ過し、濾塊をトルエン（７８ｍＬ）で洗浄した。得られた溶液を、イオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物に、トルエン及びシリカゲルを加え、室温で３０分間攪拌した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をヘキサン及びトルエンの混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエン、アセトニトリル、及びエタノールの混合溶媒を用いた晶析を行うことにより、化合物Ｍ４ｄ（６．１ｇ）を白色固体として得た。化合物Ｍ４ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９９（ｄ，１Ｈ），７．９１－７．８３（ｍ，３Ｈ），７．７５（ｓ，１Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ），７．５１（ｄｔ，１Ｈ），７．４２（ｄｔ，１Ｈ），４．１１（ｓ，２Ｈ），１．７３（ｓ，４Ｈ），１．３７（ｓ，６Ｈ），１．３４（ｓ，６Ｈ）．

（化合物Ｍ４ｅの合成）
撹拌子を備えた３００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ４ｄ（４．００ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、４８ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５５ｍｏｌ／Ｌ、８．１ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら滴下し、得られた反応混合物を０～５℃で３０分間撹拌した。その後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に２時間撹拌した。その後、そこへ、クロロトリメチルシラン（３．９ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら滴下し、得られた反応混合物を０～５℃で２時間撹拌した。その後、そこへ、イオン交換水（４０ｍＬ）を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物を、アセトニトリルを用いて晶析することにより、化合物Ｍ４ｅ（４．５７ｇ）をごく薄い桃白色固体として得た。化合物Ｍ４ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．４％であった。上記の操作を繰り返し行うことにより、合計５．７ｇのＭ４ｅを得た。

¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９８－７．９４（ｍ，２Ｈ），７．８８（ｄ，１Ｈ），７．８０（ｓ，１Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），
７．４９（ｓ，１Ｈ），７．４６（ｄｔ，１Ｈ），７．４０（ｄｔ，１Ｈ），４．３８（ｓ，１Ｈ），１．７４（ｓ，４Ｈ），１．３８－１．３７（ｍ，９Ｈ），１．３２（ｓ，３Ｈ），－０．２２（ｓ，９Ｈ）．

（化合物Ｍ４の合成）
撹拌子を備えた５００ｍＬの四つ口フラスコ内の気体をアルゴンガスで置換した後、化合物Ｍ４ｅ（５．５０ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（超脱水品、１６５ｍＬ）を加え、撹拌しながら０℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５５ｍｏｌ／Ｌ、９．１ｍＬ）を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら滴下し、０～５℃で３０分間撹拌した。その後、得られた反応混合物を室温まで昇温し、更に２時間撹拌した。その後、そこへ、化合物Ｍ１ｃ（３．７５ｇ）のシクロペンチルメチルエーテル（２４ｍＬ）溶液を、反応混合物の温度を０～５℃に維持した状態で撹拌しながら滴下し、０～５℃で１時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（１１０ｍＬ）及びイオン交換水を加えた後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物にトルエン及びｎ－ヘプタンを加え、シリカゲルを用いてろ過し、濾塊をトルエン及びｎ－ヘプタンの混合溶媒で洗浄し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた濃縮物をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析により繰り返し精製することで、化合物Ｍ４（６．４ｇ）を橙色固体として得た。化合物Ｍ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。¹Ｈ－ＮＭＲにより、化合物Ｍ４はＥ／Ｚ異性体混合物であることが判明した。

ＬＣ－ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝ ５７１［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂-ｄ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．５３－８．０８（ｍ，１Ｈ），７．９１－７．４１（ｍ，９Ｈ），７．３１－７．０２（ｍ，２Ｈ），１．７３－１．６１（ｍ，４Ｈ），１．３６（ｓ，６Ｈ），１．３２（ｓ，３Ｈ），１．０７（ｓ，３Ｈ）．

＜合成例３＞ 化合物Ｍ１１～Ｍ２０の合成
化合物Ｍ１１は、特開２０１１－１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１２は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１３は、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１４は、特開２００４－１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１５は、特開２０１０－０３１２５９号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１６は、特表２０１３－５３８４３８号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１７は、国際公開第２０１５／１６３２４１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１８は、特開２０１１－１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１９は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２０は、特開２００８－１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例４＞ 高分子化合物Ｐ－１の合成
高分子化合物Ｐ－１は、化合物Ｍ１１～化合物Ｍ１５を用いて、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ－１のＭｎは８．５×１０⁴であり、Ｍｗは２．３×１０⁵であった。

高分子化合物Ｐ－１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位とが、５０：３２：１０：３：５のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜実施例３＞ 高分子化合物Ｐ－２の合成
(工程１)反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(２．１０５ｇ)、化合物Ｍ１３(１．２０４ｇ)、化合物Ｍ１２(０．３２９ｇ)、化合物Ｍ１４(０．１３３ｇ)、化合物Ｍ１５(０．３５１ｇ)、化合物Ｍ１(０．０２８ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)及びトルエン(６０ｍＬ)を加え、８０℃に加熱した。
(工程２)その後、そこへ、１０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(４２ｍＬ)を滴下し、３．５時間還流させた。
(工程３)その後、そこへ、フェニルボロン酸(２９５ｍｇ)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)を加え、６時間還流させた。
(工程４)得られた反応混合物を冷却した後、イオン交換水で１回、10質量％塩酸水溶液で１回、３質量％アンモニア水で１回、イオン交換水で１回、順次洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて攪拌し、得られた混合物をアルミナカラム、シリカゲルカラムの順番に通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ－２を１．８５ｇ得た。高分子化合物Ｐ－２のＭｎは３．２×１０⁴であり、Ｍｗは７．１×１０⁴であった。

高分子化合物Ｐ－２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１から誘導される構成単位とが、５０：３１：１０：３：５：１のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜比較例１＞ 高分子化合物Ｐ－３の合成
実施例３における(工程１)を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(２．１３９ｇ)、化合物Ｍ１３(１．２０４ｇ)、化合物Ｍ１２(０．３２９ｇ)、化合物Ｍ１４(０．１３３ｇ)、化合物Ｍ１５(０．３５１ｇ)、化合物Ｍ１６(０．０２９ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)及びトルエン(６０ｍＬ)を加え、８０℃に加熱した。」とする以外は、実施例３と同様にして、高分子化合物Ｐ－３を２．２５ｇ得た。高分子化合物Ｐ－３のＭｎは２.９×１０⁴であり、Ｍｗは６.７×１０⁴であった。

高分子化合物Ｐ－３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１６から誘導される構成単位とが、５０：３１：１０：３：５：１のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜比較例２＞ 高分子化合物Ｐ－４の合成
実施例３における(工程１)を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(２．１６７ｇ)、化合物Ｍ１３(１．２１６ｇ)、化合物Ｍ１２(０．３３２ｇ)、化合物Ｍ１４(０．１３５ｇ)、化合物Ｍ１５(０．３５５ｇ)、化合物Ｍ１７(０．０２５ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)及びトルエン(６０ｍＬ)を加え、８０℃に加熱した。」とする以外は、実施例３と同様にして、高分子化合物Ｐ－４を０．３８ｇ得た。高分子化合物Ｐ－４のＭｎは３.２×１０⁴であり、Ｍｗは７.４×１０⁴であった。

高分子化合物Ｐ－４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１７から誘導される構成単位とが、５０：３１：１０：３：５：１のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜比較例３＞ 高分子化合物Ｐ－５の合成
実施例３における(工程１)を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(２．１８５ｇ)、化合物Ｍ１３(１．２６６ｇ)、化合物Ｍ１２(０．３３５ｇ)、化合物Ｍ１４(０．１３６ｇ)、化合物Ｍ１５(０．３５８ｇ)、化合物Ｍ３(０．０２８ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)及びトルエン(６０ｍＬ)を加え、８０℃に加熱した。」とする以外は、実施例３と同様にして、高分子化合物Ｐ－５を０．９３ｇ得た。高分子化合物Ｐ－５のＭｎは３.４×１０⁴であり、Ｍｗは７.４×１０⁴であった。

高分子化合物Ｐ－５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、５０：３１：１０：３：５：１のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜実施例４＞ 高分子化合物Ｐ－６の合成
実施例３における(工程１)を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(２．１０５ｇ)、化合物Ｍ１３(１．２０４ｇ)、化合物Ｍ１２(０．３２９ｇ)、化合物Ｍ１４(０．１３３ｇ)、化合物Ｍ１５(０．３５１ｇ)、化合物Ｍ２(０．０２８ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)及びトルエン(６０ｍＬ)を加え、８０℃に加熱した。」とする以外は、実施例３と同様にして、高分子化合物Ｐ－６を１．７５ｇ得た。高分子化合物Ｐ－６のＭｎは２．９×１０⁴であり、Ｍｗは６．６×１０⁴であった。

高分子化合物Ｐ－６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とが、５０：３１：１０：３：５：１のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜実施例５＞ 高分子化合物Ｐ－７の合成
実施例３における(工程１)を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１１(２．１０５ｇ)、化合物Ｍ１２(０．３２９ｇ)、化合物Ｍ１３(１．２０４ｇ)、化合物Ｍ１４(０．１３３ｇ)、化合物Ｍ１５(０．３５１ｇ)、化合物Ｍ４(０．０３４ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(２．７ｍｇ)及びトルエン(６０ｍＬ)を加え、８０℃に加熱した。」とする以外は、実施例３と同様にして、高分子化合物Ｐ－７を１．９１ｇ得た。高分子化合物Ｐ－７のＭｎは３．０×１０⁴であり、Ｍｗは７．０×１０⁴であった。

高分子化合物Ｐ－７は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とが、５０：３１：１０：３：５：１のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜合成例５＞ 高分子化合物ＨＴＬ－１の合成
高分子化合物ＨＴＬ－１は、化合物Ｍ１８、化合物Ｍ１２、化合物Ｍ１９及び化合物Ｍ２０を用いて、特開２０１２－１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ－１のＭｎは７．８×１０⁴であり、Ｍｗは２．６×１０⁵であった。
高分子化合物ＨＴＬ－１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１８から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２０から誘導される構成単位とが、５０：１２．５：３０：７．５のモル比で構成されるランダム共重合体であり、末端基としてフェニル基を有する。

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により45nmの厚みでITO膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるAQ-1200(Plectronics社製)をスピンコート法により50nmの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で170℃、15分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ－１を0.6質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により20nmの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で180℃、60分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ－１及び高分子化合物Ｐ－２（高分子化合物Ｐ－１／高分子化合物Ｐ－２＝50質量％／50質量％）を1.2質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上に、スピンコート法により60nmの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で150℃、10分加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１×10^-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上に、フッ化ナトリウムを約４nm、次いで、フッ化ナトリウム層の上に、アルミニウムを約80nm蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりEL発光が観測された。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ²で定電流駆動させ、輝度が初期輝度の７５％となるまでの時間（以下、「ＬＴ７５」という。）を測定した。結果を表６に示す。

＜比較例ＣＤ１～ＣＤ４＞ 発光素子ＣＤ１～ＣＤ４の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）において、発光層の材料及び組成比を表６に記載のとおりにした以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１～ＣＤ４を作製した。発光素子ＣＤ１～ＣＤ４の各々に電圧を印加したところ、EL発光が観測された。発光素子ＣＤ１～ＣＤ４を初期輝度３０００ｃｄ／ｍ²で定電流駆動させ、ＬＴ７５を測定した。結果を表６に示す。

＜実施例Ｄ２、比較例ＣＤ５～ＣＤ６＞ 発光素子Ｄ２、ＣＤ５～ＣＤ６の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）において、発光層の材料及び組成比を表７に記載のとおりにした以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２、ＣＤ５～ＣＤ６を作製した。発光素子Ｄ２、ＣＤ５～ＣＤ６の各々に電圧を印加したところ、EL発光が観測された。発光素子Ｄ２、ＣＤ５～ＣＤ６を初期輝度６０００ｃｄ／ｍ²で定電流駆動させ、輝度が初期輝度の５０％となるまでの時間（以下、「ＬＴ５０」という。）を測定した。結果を表７に示す。

発光素子Ｄ１と発光素子ＣＤ１～４との比較、及び、発光素子Ｄ２と発光素子ＣＤ５～６との比較から、本発明の高分子化合物を用いて製造される発光素子の輝度寿命が優れていることが分かる。

＜実施例Ｄ３、比較例ＣＤ７～ＣＤ９＞ 発光素子Ｄ３、ＣＤ７～ＣＤ９の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）において、発光層の材料及び組成比を表８に記載のとおりにした以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３、ＣＤ７～ＣＤ９を作製した。発光素子Ｄ３、ＣＤ７～ＣＤ９の各々に電圧を印加したところ、EL発光が観測された。発光素子Ｄ３、ＣＤ７～ＣＤ９を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ²で定電流駆動させ、輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間（以下、「ＬＴ８０」という。）を測定した。結果を表８に示す。

発光素子Ｄ３と発光素子ＣＤ７～９との比較から、本発明の高分子化合物を用いて製造される発光素子の輝度寿命が優れていることが分かる。

Claims (11)

1. 式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物におけるＲ’から水素原子を２個取り除いた基からなる構成単位を有する高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらが結合して環を形成していてもよい。
   Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。２つあるＲ²は、同一でも異なっていてもよい。
   Ｌは、単結合を表す。
   Ｒ'は、アリール基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
   Ｑは、単結合を表す。
   波線は、二重結合に結合するＲ¹及び環Ｂが、二重結合に対して同じ側であっても、反対側であってもよいことを表す。］
2. 前記式（１ａ）で表される化合物におけるＲ’から水素原子を２個取り除いた基からなる構成単位を有する、請求項１に記載の高分子化合物。
3. 環Ａ及び環Ｂがベンゼン環である、請求項１又は２に記載の高分子化合物。
4. Ｒ¹が水素原子である、請求項１～３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
5. 更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   ａ¹及びａ²は、それぞれ独立に、０以上２以下の整数を表す。
   Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2又はＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは各々同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2又はＲ^X3が複数存在する場合、それらは各々同一でも異なっていてもよい。］
6. 更に、前記式（１ａ）又は前記式（１ｂ）で表される化合物におけるＲ’から水素原子を２個取り除いた基からなる構成単位とは異なる、式（Ｙ）で表される構成単位を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
7. 前記式（Ｙ）で表される構成単位が、式（Ｙ－１）又は式（Ｙ－２）で表される構成単位である、請求項６に記載の高分子化合物。
   

   

   ［式中、
   Ｘ^Y1は、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－又は－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基を表す。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^Y1、Ｒ^Y2及びＲ^Y4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1及びＲ^Y2は、各々、同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に結合するＲ^Y1同士、隣接する炭素原子に結合するＲ^Y2同士、又は、同一の炭素原子に結合するＲ^Y2同士は、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
8. 前記式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物におけるＲ’から水素原子を２個取り除いた基からなる構成単位の含有量が、高分子化合物に含まれる全構成単位の含有量に対して、0.01～30モル％である、請求項１～７のいずれか一項に記載の高分子化合物。
9. 式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される化合物のＲ’における２個の水素原子が、ハロゲン原子、－Ｂ（ＯＨ）₂で表される基又はホウ酸エステル残基で置換された化合物。
   

   

   ［式中、
   環Ａ及び環Ｂは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。
   Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。２つあるＲ²は、同一でも異なっていてもよい。
   Ｌは、単結合を表す。
   Ｒ'は、アリール基を表し、この基は置換基を有していてもよい。
   Ｑは、単結合を表す。
   波線は、二重結合に結合するＲ¹及び環Ｂが、二重結合に対して同じ側であっても、反対側であってもよいことを表す。］
10. 請求項１～８のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
    正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
11. 請求項１～８のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する発光素子。