JP7352358B2

JP7352358B2 - Manufacturing method for multiple mounting boards

Info

Publication number: JP7352358B2
Application number: JP2019017773A
Authority: JP
Inventors: 正宏小西
Original assignee: Denka Co Ltd; Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 2019-02-04
Filing date: 2019-02-04
Publication date: 2023-09-28
Anticipated expiration: 2039-02-04
Also published as: JP2020126911A

Description

本発明は、複数の実装基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a plurality of mounting boards.

例えば、特許文献１には、複数の実装基板の製造方法が開示されている。この製造方法では、基板に複数の配線パターンを形成し、各配線パターンにそれぞれ電子部品（例えば発光素子）を実装し、基板を刃で切断して、複数の実装基板を製造している（特許文献１の明細書段落「００５８」～「００７１」、図７等）。 For example, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a plurality of mounting boards. In this manufacturing method, multiple wiring patterns are formed on a board, electronic components (e.g. light emitting elements) are mounted on each wiring pattern, and the board is cut with a blade to manufacture multiple mounted boards (patented). Specification paragraphs “0058” to “0071” of Document 1, FIG. 7, etc.).

特開２０１６－６８２８号公報JP2016-6828A

特許文献１に開示されている製造方法では、基板に電子部品を実装した後に、基板を切断して複数の実装基板を製造する。この製造方法の場合、基板の切断時に例えば電子部品と配線パターンとの接合部分（例えば、はんだ等）に負荷（応力）がかかる。そのため、この製造方法により製造された実装基板は、上記接合部分の接合不良を生じる虞がある。 In the manufacturing method disclosed in Patent Document 1, after electronic components are mounted on a board, the board is cut to manufacture a plurality of mounting boards. In the case of this manufacturing method, a load (stress) is applied to, for example, a joint (for example, solder) between an electronic component and a wiring pattern when the board is cut. Therefore, the mounting board manufactured by this manufacturing method may have a bonding failure at the above-mentioned bonding portion.

本発明は、基板を刃で切断して得られる複数の個片基板から複数の実装基板を製造する方法において、信頼性が高い複数の実装基板の製造方法の提供を目的とする。 The present invention aims to provide a highly reliable method for manufacturing a plurality of mounted boards from a plurality of individual boards obtained by cutting a board with a blade.

本発明の第１態様の複数の実装基板の製造方法は、表面に複数の配線パターンが形成され、裏面を固定部材で固定された基板を切断して複数の個片基板を得る工程であって、前記固定部材が前記基板に固定されたまま前記基板を刃で切断する切断工程と、前記固定部材に固定されたまま前記複数の個片基板がそれぞれ切断時の位置関係で並べられた状態で、前記複数の個片基板のそれぞれに電子部品を実装して複数の実装基板を得る実装工程と、前記複数の実装基板から前記固定部材を分離する分離工程と、を含み、
前記切断工程の前に、前記基板の前記表面に前記複数の配線パターンを形成するパターン形成工程を含み、
前記パターン形成工程の後かつ前記切断工程の前に、前記基板の表面に蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程を含み、
前記切断工程の後かつ前記分離工程の前に、前記実装工程を行い、
前記実装工程を、前記蛍光体層形成工程の後に行う。 A method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to a first aspect of the present invention is a step of obtaining a plurality of individual substrates by cutting a substrate having a plurality of wiring patterns formed on the front surface and fixed with a fixing member on the back surface. , a cutting step of cutting the substrate with a blade while the fixing member is fixed to the substrate, and a state in which the plurality of individual substrates are arranged in the positional relationship at the time of cutting while being fixed to the fixing member. , a mounting step of mounting electronic components on each of the plurality of individual boards to obtain a plurality of mounted boards, and a separating step of separating the fixing member from the plurality of mounted boards ,
Before the cutting step, a pattern forming step of forming the plurality of wiring patterns on the surface of the substrate,
After the pattern forming step and before the cutting step, a phosphor layer forming step of forming a phosphor layer on the surface of the substrate,
After the cutting step and before the separating step, performing the mounting step,
The mounting step is performed after the phosphor layer forming step .

本発明の第２態様の複数の実装基板の製造方法は、第１態様の複数の実装基板の製造方法において、前記電子部品は、はんだにより前記配線パターンに接合されて、前記複数の個片基板のそれぞれに実装される。 The method for manufacturing a plurality of mounted boards according to a second aspect of the present invention is the method for manufacturing a plurality of mounted boards according to the first aspect, in which the electronic component is bonded to the wiring pattern with solder, and the electronic component is bonded to the wiring pattern by solder. implemented in each.

本発明の第３態様の複数の実装基板の製造方法は、第１又は第２態様の複数の実装基板の製造方法において、前記基板の厚みは、６００μｍ以下である。 A method for manufacturing a plurality of mounting substrates according to a third aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounting substrates according to the first or second aspect, wherein the thickness of the substrate is 600 μm or less.

本発明の第４態様の複数の実装基板の製造方法は、第１～第３態様のいずれか一態様の複数の実装基板の製造方法において、前記固定部材は、前記基板の前記裏面における、前記刃で切断されて形成される切断線を挟んで両側の部分に跨って固定される。 A method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to a fourth aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to any one of the first to third aspects. It is fixed across both sides of the cut line formed by cutting with the blade.

本発明の第５態様の複数の実装基板の製造方法は、第１～第４態様のいずれか一態様の複数の実装基板の製造方法において、前記固定部材には、粘着材又は粘着層が設けられており、前記固定部材は、前記粘着材又は前記粘着層により前記裏面に粘着されて固定される。 A method for manufacturing a plurality of mounting substrates according to a fifth aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounting substrates according to any one of the first to fourth aspects, wherein the fixing member is provided with an adhesive material or an adhesive layer. The fixing member is adhered and fixed to the back surface by the adhesive material or the adhesive layer.

本発明の第６態様の複数の実装基板の製造方法は、第５態様の複数の実装基板の製造方法において、前記固定部材は、固定部材本体を有し、前記粘着材又は前記粘着層は、前記固定部材本体の表面に粘着されており、前記固定部材本体の表面に対する前記粘着材又は前記粘着層の粘着力は、前記基板の裏面に対する前記粘着材又は前記粘着層の粘着力よりも大きい。 A method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to a sixth aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to a fifth aspect, wherein the fixing member has a fixing member main body, and the adhesive material or the adhesive layer includes: It is adhered to the surface of the fixing member body, and the adhesive force of the adhesive material or the adhesive layer to the surface of the fixing member body is greater than the adhesive force of the adhesive material or the adhesive layer to the back surface of the substrate.

本発明の第７態様の複数の実装基板の製造方法は、第１～第６態様のいずれか一態様の複数の実装基板の製造方法において、前記パターン形成工程の後かつ前記分離工程の前に、前記電子部品の実装検査及び前記複数の実装基板の外観検査の一方又は両方を行う検査工程を含む。 A method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to a seventh aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to any one of the first to sixth aspects , in which the step of manufacturing a plurality of mounted substrates is performed after the pattern forming step and before the separating step. , includes an inspection step of performing one or both of a mounting inspection of the electronic component and an appearance inspection of the plurality of mounting boards.

本発明の第８態様の複数の実装基板の製造方法は、第１～第７態様のいずれか一態様の複数の実装基板の製造方法において、前記電子部品は、発光素子である。 A method for manufacturing a plurality of mounting substrates according to an eighth aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounting substrates according to any one of the first to seventh aspects, wherein the electronic component is a light emitting element.

本発明の第９態様の複数の実装基板の製造方法は、第１～６態様のいずれか一態様の複数の実装基板の製造方法において、前記パターン形成工程の後かつ前記分離工程の前に、前記電子部品の実装検査及び前記複数の実装基板の外観検査の一方又は両方を行う検査工程を含み、前記電子部品は、発光素子であり、前記検査工程における前記電子部品の前記実装検査として、前記発光素子の点灯検査を行う。 A method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to a ninth aspect of the present invention is a method for manufacturing a plurality of mounted substrates according to any one of the first to sixth aspects , after the pattern forming step and after the separating step. the electronic component is a light emitting element; Then, a lighting test of the light emitting element is performed.

本発明の複数の実装基板の製造方法によれば、基板を刃で切断して得られる複数の個片基板から複数の実装基板を製造する方法において、信頼性が高い。 According to the method of manufacturing a plurality of mounted boards of the present invention, reliability is high in the method of manufacturing a plurality of mounted boards from a plurality of individual boards obtained by cutting the board with a blade.

本実施形態の発光基板の製造方法のフロー図である。It is a flowchart of the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment. 本実施形態の製造方法により製造される発光基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a light emitting substrate manufactured by the manufacturing method of the present embodiment. 本実施形態の発光基板の底面図である。It is a bottom view of the light emitting board of this embodiment. 図２Ａの１Ｃ－１Ｃ切断線により切断した発光基板の部分断面図である。2A is a partial cross-sectional view of the light emitting substrate taken along the line 1C-1C in FIG. 2A. FIG. 本実施形態の蛍光体基板（蛍光体層を省略）の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a phosphor substrate (with a phosphor layer omitted) according to the present embodiment. 本実施形態の蛍光体基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a phosphor substrate of this embodiment. 本実施形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the light emitting operation of the light emitting substrate of the present embodiment. 本実施形態の発光基板の製造方法における第１工程の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a first step in the method for manufacturing a light emitting substrate according to the present embodiment. 本実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a second step in the method for manufacturing a light emitting substrate according to the present embodiment. 第２工程終了時に複数の電極層（複数の配線パターン）が形成されたマザーボードの平面図である。FIG. 3 is a plan view of the motherboard on which a plurality of electrode layers (a plurality of wiring patterns) are formed at the end of a second step. 本実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。It is an explanatory view of the 3rd process in the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment. 本実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。It is an explanatory view of the 4th process in the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment. 第４工程終了時に複数の電極層（複数の配線パターン）が形成されたマザーボードの平面図である。FIG. 7 is a plan view of the motherboard on which a plurality of electrode layers (a plurality of wiring patterns) are formed at the end of a fourth step. 本実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。It is an explanatory view of the 5th process in the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment. 本実施形態の発光基板の製造方法における第６工程の説明図である。It is an explanatory view of the 6th process in the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment. 本実施形態の発光基板の製造方法における第７工程の説明図である。It is an explanatory view of the 7th process in the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment. 本実施形態の発光基板の製造方法における第８工程の説明図である。It is an explanatory view of the 8th process in the manufacturing method of the light emitting board of this embodiment.

≪概要≫
以下、本実施形態について図面を参照しながら説明する。まず、本実施形態の発光基板１０（図２Ａ～図２Ｃ参照）の製造方法Ｓ１００（以下、本実施形態の製造方法Ｓ１００という。図１参照）により製造される発光基板１０の構成及び機能について説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。次いで、本実施形態の製造方法Ｓ１００について図１及び図５Ａ～図５Ｊを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の効果について図１等を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 ≪Overview≫
This embodiment will be described below with reference to the drawings. First, the structure and function of the light emitting substrate 10 manufactured by the manufacturing method S100 (hereinafter referred to as the manufacturing method S100 of the present embodiment, see FIG. 1) of the light emitting substrate 10 (see FIGS. 2A to 2C) of the present embodiment will be explained. do. Next, the light emitting operation of the light emitting substrate 10 of this embodiment will be explained with reference to FIG. 4. Next, the manufacturing method S100 of this embodiment will be explained with reference to FIG. 1 and FIGS. 5A to 5J. Next, the effects of this embodiment will be explained with reference to FIG. 1 and the like. Note that in all the drawings referred to in the following description, similar components are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted as appropriate.

≪本実施形態の製造方法Ｓ１００により製造される発光基板の構成及び機能≫
図２Ａは本実施形態の発光基板１０（実装基板の一例）の平面図（表面３１から見た図）、図２Ｂは本実施形態の発光基板１０の底面図（裏面３３から見た図）である。図２Ｃは、図２Ａの１Ｃ－１Ｃ切断線により切断した発光基板１０の部分断面図である。
本実施形態の発光基板１０は、表面３１及び裏面３３から見て、一例として矩形とされている。また、本実施形態の発光基板１０は、複数の発光素子２０（電子部品の一例）と、蛍光体基板３０と、コネクタ、ドライバＩＣ等の電子部品（図示省略）とを備えている。すなわち、本実施形態の発光基板１０は、蛍光体基板３０（個片基板及び配線基板の一例）に、複数の発光素子２０及び上記電子部品が実装されたものとされている。
本実施形態の発光基板１０は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電されると、発光する機能を有する。そのため、本実施形態の発光基板１０は、例えば照明装置（図示省略）等における主要な光学部品として利用される。 <<Configuration and functions of light emitting substrate manufactured by manufacturing method S100 of this embodiment>>
FIG. 2A is a plan view (view from the front surface 31) of the light emitting board 10 (an example of a mounting board) of the present embodiment, and FIG. 2B is a bottom view (view from the back surface 33) of the light emitting board 10 of the present embodiment. be. FIG. 2C is a partial cross-sectional view of the light emitting substrate 10 taken along the line 1C-1C in FIG. 2A.
The light emitting substrate 10 of this embodiment has a rectangular shape, for example, when viewed from the front surface 31 and the back surface 33. Further, the light emitting board 10 of this embodiment includes a plurality of light emitting elements 20 (an example of an electronic component), a phosphor substrate 30, and electronic components (not shown) such as a connector and a driver IC. That is, the light emitting board 10 of the present embodiment has a plurality of light emitting elements 20 and the electronic components described above mounted on a phosphor board 30 (an example of an individual board and a wiring board).
The light emitting board 10 of this embodiment has a function of emitting light when supplied with power from an external power source (not shown) via a connector. Therefore, the light emitting substrate 10 of this embodiment is used as a main optical component in, for example, a lighting device (not shown).

＜複数の発光素子＞
複数の発光素子２０は、それぞれ、一例として、フリップチップＬＥＤ２２（以下、ＬＥＤ２２という。）が組み込まれたＣＳＰ（Chip Scale Package）とされている（図２Ｃ参照）。複数の発光素子２０は、図２Ａに示されるように、蛍光体基板３０の表面３１に、表面３１の全体に亘って規則的に並べられた状態で、蛍光体基板３０に実装されている。なお、本実施形態の各発光素子２０が発光する光の相関色温度は、一例として３，０１８Ｋとされている。また、複数の発光素子２０は、発光動作時に、ヒートシンク（図示省略）や冷却ファン（図示省略）を用いることで、蛍光体基板３０を一例として常温から５０℃～１００℃に収まるように放熱（冷却）されるようになっている。ここで、本明細書で数値範囲に使用する「～」の意味について補足すると、例えば「５０℃～１００℃」は「５０℃以上１００℃以下」を意味する。そして、本明細書で数値範囲に使用する「～」は、「『～』の前の記載部分以上『～』の後の記載部分以下」を意味する。 <Multiple light emitting elements>
Each of the plurality of light emitting elements 20 is, for example, a CSP (Chip Scale Package) in which a flip chip LED 22 (hereinafter referred to as LED 22) is incorporated (see FIG. 2C). As shown in FIG. 2A, the plurality of light emitting elements 20 are mounted on the surface 31 of the phosphor substrate 30 in a state in which they are regularly arranged over the entire surface 31. Note that the correlated color temperature of the light emitted by each light emitting element 20 of this embodiment is, for example, 3,018K. In addition, during the light emitting operation, the plurality of light emitting elements 20 use a heat sink (not shown) and a cooling fan (not shown) to dissipate heat (using the phosphor substrate 30 as an example) so that the temperature ranges from room temperature to 50°C to 100°C. cooling). Here, to supplement the meaning of "~" used in numerical ranges in this specification, for example, "50°C to 100°C" means "50°C to 100°C". In this specification, "~" used in numerical ranges means "from the part written before '~' to the part written after '~'".

＜蛍光体基板＞
図３Ａは、本実施形態の蛍光体基板３０の図であって、蛍光体層３６を省略して図示した平面図（表面３１から見た図）である。図３Ｂは、本実施形態の蛍光体基板３０の平面図（表面３１から見た図）である。なお、本実施形態の蛍光体基板３０の底面図は、発光基板１０を裏面３３から見た図と同じである。また、本実施形態の蛍光体基板３０の部分断面図は、図２Ｃの部分断面図から発光素子２０を除いた場合の図と同じである。すなわち、本実施形態の蛍光体基板３０は、表面３１及び裏面３３から見て、一例として矩形とされている。 <Phosphor substrate>
FIG. 3A is a diagram of the phosphor substrate 30 of this embodiment, and is a plan view (viewed from the front surface 31) in which the phosphor layer 36 is omitted. FIG. 3B is a plan view (view from the front surface 31) of the phosphor substrate 30 of this embodiment. Note that the bottom view of the phosphor substrate 30 of this embodiment is the same as the view of the light emitting substrate 10 viewed from the back surface 33. Further, a partial cross-sectional view of the phosphor substrate 30 of this embodiment is the same as the partial cross-sectional view of FIG. 2C with the light emitting element 20 removed. That is, the phosphor substrate 30 of this embodiment has a rectangular shape, for example, when viewed from the front surface 31 and the back surface 33.

本実施形態の蛍光体基板３０は、絶縁層３２と、電極層３４（配線パターンの一例）と、蛍光体層３６と、裏面パターン層３８とを備えている（図２Ｂ、図２Ｃ、図３Ａ及び図３Ｂ参照）。なお、図３Ａでは蛍光体層３６が省略されているが、蛍光体層３６は、図３Ｂに示されるように、一例として、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、後述する複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されている。 The phosphor substrate 30 of this embodiment includes an insulating layer 32, an electrode layer 34 (an example of a wiring pattern), a phosphor layer 36, and a back pattern layer 38 (FIGS. 2B, 2C, and 3A). and FIG. 3B). Note that although the phosphor layer 36 is omitted in FIG. 3A, the phosphor layer 36 may include a plurality of electrodes, which will be described later, on the surface 31 of the insulating layer 32 and the electrode layer 34, as shown in FIG. 3B. It is arranged in a part other than pair 34A.

また、蛍光体基板３０には、図２Ｂ及び図３Ａに示されるように、四つ角付近の４箇所及び中央付近の２箇所の６箇所に貫通孔３９が形成されている。６箇所の貫通孔３９は、蛍光体基板３０及び発光基板１０の製造時に位置決め孔として利用されるようになっている。あわせて、６箇所の貫通孔３９は、（発光）灯具筐体への熱引き効果確保（基板反り及び浮き防止）のための取り付け用のネジ穴として利用される。なお、本実施形態の蛍光体基板３０は、後述するように、絶縁板の両面に銅箔層が設けられたマザーボードＭＢ（基板の一例、図５Ａ参照）を加工（エッチング等）して製造される。 Further, as shown in FIGS. 2B and 3A, through holes 39 are formed in six locations in the phosphor substrate 30, including four locations near the four corners and two locations near the center. The six through holes 39 are used as positioning holes when manufacturing the phosphor substrate 30 and the light emitting substrate 10. In addition, the six through-holes 39 are used as screw holes for mounting to ensure a heat removal effect (preventing board warping and floating) to the (light-emitting) lamp casing. Note that the phosphor substrate 30 of this embodiment is manufactured by processing (e.g., etching) a motherboard MB (an example of a substrate, see FIG. 5A) in which copper foil layers are provided on both sides of an insulating plate, as described later. Ru.

〔絶縁層〕
以下、本実施形態の絶縁層３２の主な特徴について説明する。
形状は、前述のとおり、一例として表面３１及び裏面３３から見て矩形である。
材質は、一例としてビスマレイミド樹脂及びガラスクロスを含む絶縁材である。また、当該絶縁材にはハロゲン及びリンは含まれていない（ハロゲンフリー、リンフリー）。
厚みは、一例として、５０μｍ～６００μｍ、好ましくは１００μｍ～２００μｍである。
縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、５０℃～１００℃の範囲において１０ｐｐｍ／℃以下である。また、別の見方をすると、縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、６ｐｐｍ／Ｋである。この値は、本実施形態の発光素子２０の場合とほぼ同等（９０％～１１０％、すなわち±１０％以内）である。
ガラス転移温度は、一例として、３００℃よりも高い。
貯蔵弾性率は、一例として、１００℃～３００℃の範囲において、１．０×１０^１０Ｐａよりも大きく１．０×１０^１１Ｐａよりも小さい。
縦方向及び横方向の曲げ弾性率は、一例として、それぞれ、常態において３５ＧＰａ及び３４ＧＰａである。
縦方向及び横方向の熱間曲げ弾性率は、一例として、２５０℃において１９ＧＰａである。
吸水率は、一例として、２３℃の温度環境で２４時間放置した場合に０．１３％である。
比誘電率は、一例として、１ＭＨｚ常態において４．６である。
誘電正接は、一例として、１ＭＨｚ常態において、０．０１０である。
なお、本実施形態の絶縁層３２はマザーボードＭＢの絶縁層の部分に相当するが、マザーボードＭＢには一例として利昌工業株式会社製のＣＳ－３３０５Ａが用いられる。 [Insulating layer]
The main features of the insulating layer 32 of this embodiment will be explained below.
As described above, the shape is, for example, a rectangle when viewed from the front surface 31 and the back surface 33.
The material is an insulating material including bismaleimide resin and glass cloth, for example. Further, the insulating material does not contain halogen or phosphorus (halogen-free, phosphorus-free).
The thickness is, for example, 50 μm to 600 μm, preferably 100 μm to 200 μm.
The coefficient of thermal expansion (CTE) in the longitudinal direction and in the transverse direction is, for example, 10 ppm/°C or less in the range of 50°C to 100°C, respectively. From another perspective, the longitudinal and transverse coefficients of thermal expansion (CTE) are each 6 ppm/K, for example. This value is almost the same as that of the light emitting element 20 of this embodiment (90% to 110%, ie, within ±10%).
The glass transition temperature is, for example, higher than 300°C.
As an example, the storage modulus is greater than 1.0×10 ¹⁰ Pa and smaller than 1.0×10 ¹¹ Pa in the range of 100° C. to 300° C.
The bending modulus in the longitudinal direction and in the transverse direction is, by way of example, 35 GPa and 34 GPa, respectively, under normal conditions.
The hot bending modulus in the longitudinal and transverse directions is, for example, 19 GPa at 250°C.
As an example, the water absorption rate is 0.13% when left for 24 hours in a temperature environment of 23°C.
The dielectric constant is, for example, 4.6 at 1 MHz normal state.
The dielectric loss tangent is, for example, 0.010 at a normal frequency of 1 MHz.
Note that the insulating layer 32 of this embodiment corresponds to the insulating layer portion of the motherboard MB, and as an example, CS-3305A manufactured by Risho Kogyo Co., Ltd. is used for the motherboard MB.

〔電極層〕
本実施形態の電極層３４は、絶縁層３２の表面３１側に設けられた金属層とされている。本実施形態の電極層３４は一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）とされている。別言すれば、本実施形態の電極層３４は、少なくともその表面が銅を含んで形成されている。
電極層３４は、絶縁層３２に設けられたパターンとされ、コネクタ（図示省略）が接合される端子３７と導通している。そして、電極層３４は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電された電力を、発光基板１０の構成時の複数の発光素子２０に供給するようになっている。そのため、電極層３４の一部は、複数の発光素子２０がそれぞれ接合される複数の電極対３４Ａとされている。すなわち、本実施形態の発光基板１０の電極層３４は、絶縁層３２に配置され、各発光素子２０に接続されている。また、別の見方をすると、本実施形態の蛍光体基板３０の電極層３４は、絶縁層３２に配置され、各発光素子２０に接続される。また、前述のとおり、本実施形態の発光基板１０における複数の発光素子２０は表面３１の全体に亘って規則的に並べられていることから、複数の電極対３４Ａも表面３１の全体に亘って規則的に並べられている（図３Ａ参照）。電極層３４における複数の電極対３４Ａ以外の部分を、配線部分３４Ｂという。本実施形態では、図２Ｃに示されるように、一例として、複数の電極対３４Ａは、配線部分３４Ｂよりも絶縁層３２（蛍光体基板３０）の厚み方向外側に突出している。別言すると、電極層３４における絶縁層３２の厚み方向外側に向く面において、それぞれ各発光素子２０が接合される面（接合面３４Ａ１）は、接合面３４Ａ１以外の面（非接合面３４Ｂ１）よりも、絶縁層３２の厚み方向外側に位置している。
なお、絶縁層３２の表面３１における電極層３４が配置されている領域（電極層３４の専有面積）は、一例として、絶縁層３２の表面３１の６０％以上の領域（面積）とされている（図３Ａ参照）。 [Electrode layer]
The electrode layer 34 of this embodiment is a metal layer provided on the surface 31 side of the insulating layer 32. The electrode layer 34 of this embodiment is, for example, a copper foil layer (layer made of Cu). In other words, the electrode layer 34 of this embodiment is formed so that at least its surface contains copper.
The electrode layer 34 is a pattern provided on the insulating layer 32, and is electrically connected to a terminal 37 to which a connector (not shown) is connected. The electrode layer 34 is configured to supply power supplied from an external power source (not shown) via the connector to the plurality of light emitting elements 20 when the light emitting board 10 is configured. Therefore, a part of the electrode layer 34 is made into a plurality of electrode pairs 34A to which the plurality of light emitting elements 20 are respectively bonded. That is, the electrode layer 34 of the light emitting substrate 10 of this embodiment is arranged on the insulating layer 32 and connected to each light emitting element 20. From another perspective, the electrode layer 34 of the phosphor substrate 30 of this embodiment is arranged on the insulating layer 32 and connected to each light emitting element 20. Further, as described above, since the plurality of light emitting elements 20 in the light emitting substrate 10 of this embodiment are regularly arranged over the entire surface 31, the plurality of electrode pairs 34A are also arranged over the entire surface 31. They are arranged regularly (see Figure 3A). A portion of the electrode layer 34 other than the plurality of electrode pairs 34A is referred to as a wiring portion 34B. In this embodiment, as shown in FIG. 2C, for example, the plurality of electrode pairs 34A protrude outward in the thickness direction of the insulating layer 32 (phosphor substrate 30) beyond the wiring portion 34B. In other words, in the surface of the electrode layer 34 facing outward in the thickness direction of the insulating layer 32, the surface to which each light emitting element 20 is bonded (the bonding surface 34A1) is closer to the surface other than the bonding surface 34A1 (the non-bonding surface 34B1). are also located on the outside of the insulating layer 32 in the thickness direction.
Note that the area on the surface 31 of the insulating layer 32 where the electrode layer 34 is arranged (the exclusive area of the electrode layer 34) is, for example, a region (area) that is 60% or more of the surface 31 of the insulating layer 32. (See Figure 3A).

〔蛍光体層〕
本実施形態の蛍光体層３６は、図３Ｂに示されるように、一例として、蛍光体層３６は、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されている。すなわち、蛍光体層３６は、電極層３４における複数の電極対３４Ａ以外の領域に配置されている。別言すると、蛍光体層３６の少なくとも一部は、表面３１における、各接合面３４Ａ１の周囲に配置されている（図２Ｃ及び図３Ｂ参照）。さらに、別の見方をすると、蛍光体層３６の少なくとも一部は、表面３１側から見て、各接合面３４Ａ１の周りを全周に亘って囲むように配置されている。そして、本実施形態では、絶縁層３２の表面３１における蛍光体層３６が配置されている領域は、一例として、絶縁層３２の表面３１における８０％以上の領域とされている。
なお、本実施形態では、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、電極層３４の接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向外側に位置している（図２Ｃ及び図５Ｅ参照）。しかしながら、本実施形態の場合と逆の構成、すなわち、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面が接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向内側に位置している構成（図示省略）であってもよい。また、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面が接合面３４Ａ１と当該厚み方向で同じ位置に位置している構成（図示省略）であってもよい。 [Phosphor layer]
In the phosphor layer 36 of this embodiment, as shown in FIG. 3B, for example, the phosphor layer 36 is arranged in a portion other than the plurality of electrode pairs 34A on the surface 31 of the insulating layer 32 and the electrode layer 34. ing. That is, the phosphor layer 36 is arranged in a region of the electrode layer 34 other than the plurality of electrode pairs 34A. In other words, at least a portion of the phosphor layer 36 is arranged around each bonding surface 34A1 on the front surface 31 (see FIGS. 2C and 3B). Furthermore, from another perspective, at least a portion of the phosphor layer 36 is arranged so as to surround each bonding surface 34A1 all the way around when viewed from the front surface 31 side. In this embodiment, the region on the surface 31 of the insulating layer 32 where the phosphor layer 36 is arranged is, for example, 80% or more of the surface 31 of the insulating layer 32.
In this embodiment, the surface of the phosphor layer 36 on the outer side in the thickness direction of the insulating layer 32 is located on the outer side in the thickness direction than the bonding surface 34A1 of the electrode layer 34 (see FIGS. 2C and 5E). However, a configuration opposite to that of the present embodiment, that is, a configuration in which the outer surface of the insulating layer 32 in the thickness direction of the phosphor layer 36 is located inside the bonding surface 34A1 in the thickness direction (not shown) is possible. It's okay. Alternatively, a configuration (not shown) may be adopted in which the outer surface of the insulating layer 32 in the phosphor layer 36 in the thickness direction is located at the same position as the bonding surface 34A1 in the thickness direction.

本実施形態の蛍光体層３６は、一例として、後述する蛍光体とバインダーとを含む、絶縁層とされている。蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、バインダーに分散された状態で保持されている微粒子とされ、各発光素子２０の発光を励起光として励起する性質を有する。具体的には、本実施形態の蛍光体は、発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある性質を有する。なお、バインダーは、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等で、ソルダーレジストに含まれるバインダーと同等の絶縁性を有するものであればよい。 The phosphor layer 36 of this embodiment is, for example, an insulating layer containing a phosphor and a binder, which will be described later. The phosphor contained in the phosphor layer 36 is made into fine particles that are held in a dispersed state in a binder, and has the property of exciting the light emitted from each light emitting element 20 as excitation light. Specifically, the phosphor of this embodiment has a property that the emission peak wavelength is in the visible light region when the emission from the light emitting element 20 is used as excitation light. Note that the binder may be, for example, an epoxy-based, acrylate-based, silicone-based, etc., as long as it has the same insulation properties as the binder contained in the solder resist.

（蛍光体の具体例）
ここで、本実施形態の蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、一例として、Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体及びＥｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の蛍光体とされている。なお、前述の蛍光体は、本実施形態の一例であり、ＹＡＧ、ＬｕＡＧ、ＢＯＳその他の可視光励起の蛍光体のように、前述の蛍光体以外の蛍光体であってもよい。 (Specific example of phosphor)
Here, the phosphors included in the phosphor layer 36 of this embodiment include, for example, an α-sialon phosphor containing Eu, a β-sialon phosphor containing Eu, a CASN phosphor containing Eu, and an Eu-containing sialon phosphor. At least one type of phosphor selected from the group consisting of SCASN phosphors containing Note that the above-mentioned phosphor is an example of this embodiment, and phosphors other than the above-mentioned phosphor may be used, such as YAG, LuAG, BOS, and other visible light-excited phosphors.

Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体は、一般式：Ｍ_ｘＥｕ_ｙＳｉ_{１２－（ｍ＋ｎ）}Ａｌ_{（ｍ＋ｎ）}Ｏ_ｎＮ_１６－ｎで表される。上記一般式中、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ及びランタニド元素（ただし、ＬａとＣｅを除く）からなる群から選ばれる、少なくともＣａを含む１種以上の元素であり、Ｍの価数をａとしたとき、ａｘ＋２ｙ＝ｍであり、ｘが０＜ｘ≦１．５であり、０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。 The α-type sialon phosphor containing Eu is represented by the general formula: M _x Eu _y Si _12-(m+n) Al _(m+n) O _n N _16-n . In the above general formula, M is one or more elements containing at least Ca selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Y, and lanthanide elements (excluding La and Ce), and the valence of M is When a, ax+2y=m, x satisfies 0<x≦1.5, 0.3≦m<4.5, and 0<n<2.25.

Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体は、一般式：Ｓｉ_６－ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８－ｚ（ｚ＝０．００５～１）で表されるβ型サイアロンに発光中心として二価のユーロピウム（Ｅｕ^２＋）を固溶した蛍光体である。 The β-sialon phosphor containing Eu is a β-sialon expressed by the general formula: Si _6-z Al _z O _z N _8-z (z = 0.005 to 1) and divalent europium as a luminescent center. It is a phosphor containing (Eu ²⁺ ) as a solid solution.

また、窒化物蛍光体として、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体等が挙げられる。 Examples of the nitride phosphor include a CASN phosphor containing Eu and a SCASN phosphor containing Eu.

Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体（窒化物蛍光体の一例）は、例えば、式ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋で表され、Ｅｕ^２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。なお、本明細書におけるＥｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体の定義では、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体が除かれる。 A CASN phosphor containing Eu (an example of a nitride phosphor) is, for example, represented by the formula CaAlSiN ₃ :Eu ²⁺ , in which Eu ²⁺ is used as an activator and crystals made of alkaline earth silicon nitride are used as a matrix. A red phosphor. Note that the definition of CASN phosphor containing Eu in this specification excludes SCASN phosphor containing Eu.

Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体（窒化物蛍光体の一例）は、例えば、式（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋で表され、Ｅｕ^２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。 A SCASN phosphor containing Eu (an example of a nitride phosphor) is, for example, represented by the formula (Sr,Ca)AlSiN ₃ :Eu ²⁺ , using Eu ²⁺ as an activator, and consisting of an alkaline earth silicon nitride. A red phosphor that has a crystal matrix.

〔裏面パターン層〕
本実施形態の裏面パターン層３８は、絶縁層３２の裏面３３側に設けられた金属層とされている。本実施形態の裏面パターン層３８は一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）とされている。
裏面パターン層３８は、図２Ｂに示されるように、絶縁層３２の長手方向に沿って直線状に並べられている複数の矩形部分の塊が短手方向において位相をずらしたよう隣接して並べられている層とされている。
なお、裏面パターン層３８は、一例として、独立フローティング層とされている。また、裏面パターン層３８は、絶縁層３２（蛍光体基板３０）の厚み方向において、一例として、表面３１に配置されている電極層３４の８０％以上の領域と重なっている。 [Back pattern layer]
The back pattern layer 38 of this embodiment is a metal layer provided on the back surface 33 side of the insulating layer 32. The back pattern layer 38 of this embodiment is, for example, a copper foil layer (layer made of Cu).
In the back pattern layer 38, as shown in FIG. 2B, a plurality of rectangular blocks arranged in a straight line along the longitudinal direction of the insulating layer 32 are arranged adjacently so as to be out of phase in the transverse direction. This layer is considered to be
Note that the back pattern layer 38 is, for example, an independent floating layer. Further, the back pattern layer 38 overlaps with, for example, 80% or more of the electrode layer 34 disposed on the front surface 31 in the thickness direction of the insulating layer 32 (phosphor substrate 30).

以上が、本実施形態の製造方法により製造される発光基板１０及び蛍光体基板３０の構成についての説明である。 The above is a description of the configurations of the light emitting substrate 10 and the phosphor substrate 30 manufactured by the manufacturing method of this embodiment.

≪本実施形態の発光基板の発光動作≫
次に、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。ここで、図４は、本実施形態の発光基板１０の発光動作を説明するための図である。 <<Light-emitting operation of the light-emitting substrate of this embodiment>>
Next, the light emitting operation of the light emitting substrate 10 of this embodiment will be described with reference to FIG. 4. Here, FIG. 4 is a diagram for explaining the light emitting operation of the light emitting substrate 10 of this embodiment.

まず、複数の発光素子２０を作動させる作動スイッチ（図示省略）がオンになると、コネクタ（図示省略）を介して外部電源（図示省略）から電極層３４への給電が開始され、複数の発光素子２０は光Ｌ光Ｌを放射状に発散出射し、その光Ｌの一部は蛍光体基板３０の表面３１に到達する。以下、出射された光Ｌの進行方向に分けて光Ｌの挙動について説明する。 First, when an activation switch (not shown) for activating the plurality of light emitting elements 20 is turned on, power supply from an external power source (not shown) to the electrode layer 34 is started via a connector (not shown), and the plurality of light emitting elements 20 20 emits light L in a radial and divergent manner, and a portion of the light L reaches the surface 31 of the phosphor substrate 30 . Hereinafter, the behavior of the emitted light L will be explained in terms of the traveling direction of the emitted light L.

各発光素子２０から出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射することなく外部に出射される。この場合、光Ｌの波長は、各発光素子２０から出射された際の光Ｌの波長と同じままである。 A portion of the light L emitted from each light emitting element 20 is emitted to the outside without entering the phosphor layer 36. In this case, the wavelength of the light L remains the same as the wavelength of the light L emitted from each light emitting element 20.

また、各発光素子２０から出射された光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光は、蛍光体層３６に入射する。ここで、前述の「光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光」とは、出射された光Ｌのうち各発光素子２０（ＣＳＰ自身）の蛍光体により色変換されていない光、すなわち、ＬＥＤ２２自身の光（一例として青色（波長が４７０ｎｍ近傍）の光）を意味する。そして、ＬＥＤ２２自身の光Ｌが蛍光体層３６に分散されている蛍光体に衝突すると、蛍光体が励起して励起光を発する。ここで、蛍光体が励起する理由は、蛍光体層３６に分散されている蛍光体が青色の光に励起ピークを持つ蛍光体（可視光励起蛍光体）を使用しているためである。これに伴い、光Ｌのエネルギーの一部は蛍光体の励起に使われることで、光Ｌはエネルギーの一部を失う。その結果、光Ｌの波長が変換される（波長変換がなされる）。例えば、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては（例えば、蛍光体に赤色系ＣＡＳＮを用いた場合には）光Ｌの波長が長くなる（例えば６５０ｎｍ等）。また、蛍光体層３６での励起光はそのまま蛍光体層３６から出射するものもあるが、一部の励起光は下側の電極層３４に向かう。そして、一部の励起光は電極層３４での反射により外部に出射する。以上のように、蛍光体による励起光の波長が６００ｎｍ以上の場合、電極層３４がＣｕでも反射効果が望める。なお、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては光Ｌの波長が前述の例と異なるが、いずれの場合であっても光Ｌの波長変換がなされることになる。例えば、励起光の波長が６００ｎｍ未満の場合、電極層３４又はその表面を例えばＡｇ（鍍金）とすれば反射効果が望める。 Further, the light of the LED 22 itself in a portion of the light L emitted from each light emitting element 20 enters the phosphor layer 36. Here, the above-mentioned "light of the LED 22 itself in a part of the light L" refers to the light that has not been color-converted by the phosphor of each light emitting element 20 (CSP itself) out of the emitted light L, that is, the light of the LED 22 itself in a part of the light L. It means its own light (for example, blue light (wavelength near 470 nm)). When the light L of the LED 22 itself collides with the phosphor dispersed in the phosphor layer 36, the phosphor is excited and emits excitation light. Here, the reason why the phosphor is excited is that the phosphor dispersed in the phosphor layer 36 is a phosphor having an excitation peak in blue light (visible light excited phosphor). Along with this, part of the energy of the light L is used to excite the phosphor, and the light L loses part of its energy. As a result, the wavelength of the light L is converted (wavelength conversion is performed). For example, depending on the type of phosphor in the phosphor layer 36 (for example, when red CASN is used as the phosphor), the wavelength of the light L becomes long (for example, 650 nm). Further, some of the excitation light in the phosphor layer 36 is emitted from the phosphor layer 36 as it is, but some of the excitation light is directed toward the lower electrode layer 34 . Then, a part of the excitation light is reflected by the electrode layer 34 and emitted to the outside. As described above, when the wavelength of excitation light from the phosphor is 600 nm or more, a reflection effect can be expected even if the electrode layer 34 is made of Cu. Although the wavelength of the light L differs from the above example depending on the type of phosphor in the phosphor layer 36, the wavelength of the light L is converted in any case. For example, when the wavelength of the excitation light is less than 600 nm, a reflective effect can be expected if the electrode layer 34 or its surface is made of Ag (plated), for example.

以上のとおり、各発光素子２０が出射した光Ｌ（各発光素子２０が放射状に出射した光Ｌ）は、それぞれ、上記のような複数の光路を経由して上記励起光とともに外部に照射される。そのため、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体の発光波長とが異なる場合、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と異なる波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。例えば、本実施形態の発光基板１０は、発光素子２０が出射した光（波長）と蛍光体層３６より出射された光（波長）との合成光を照射する。
これに対して、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体の発光波長とが同じ場合（同じ相関色温度の場合）、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と同じ波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。 As described above, the light L emitted by each light emitting element 20 (the light L radially emitted by each light emitting element 20) is irradiated to the outside together with the excitation light through the plurality of optical paths as described above. . Therefore, when the emission wavelength of the phosphor included in the phosphor layer 36 is different from the emission wavelength of the phosphor that seals (or covers) the LED 22 in the light emitting element 20 (CSP), the light emitting substrate 10 of this embodiment , a bundle of light L emitted by each light emitting element 20 is irradiated together with the excitation light as a bundle of light L including light L having a wavelength different from the wavelength of light L emitted by each light emitting element 20. For example, the light emitting substrate 10 of this embodiment emits a composite light of the light (wavelength) emitted by the light emitting element 20 and the light (wavelength) emitted from the phosphor layer 36.
On the other hand, if the emission wavelength of the phosphor included in the phosphor layer 36 is the same as the emission wavelength of the phosphor that seals (or covers) the LED 22 in the light emitting element 20 (CSP) (with the same correlated color temperature) case), the light emitting substrate 10 of this embodiment converts the bundle of light L emitted by each light emitting element 20 into a light L containing light L having the same wavelength as the wavelength of light L emitted by each light emitting element 20. It is irradiated as a bundle with the above excitation light.

以上が、本実施形態の発光基板１０の発光動作についての説明である。 The above is a description of the light emitting operation of the light emitting substrate 10 of this embodiment.

≪本実施形態の発光基板の製造方法≫
次に、本実施形態の製造方法Ｓ１００について、図１及び図５Ａ～図５Jを参照しながら説明する。ここで、図１は、本実施形態の発光基板の製造方法のフロー図である。本実施形態の製造方法Ｓ１００は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程、第５工程、第６工程、第７工程及び第８工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。 <<Method for manufacturing the light emitting substrate of this embodiment>>
Next, the manufacturing method S100 of this embodiment will be described with reference to FIG. 1 and FIGS. 5A to 5J. Here, FIG. 1 is a flow diagram of a method for manufacturing a light emitting substrate according to this embodiment. The manufacturing method S100 of this embodiment includes a first step, a second step, a third step, a fourth step, a fifth step, a sixth step, a seventh step, and an eighth step, and each step is described in these steps. It is done in order.

＜第１工程＞
図５Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程は、マザーボードＭＢの表面３１に厚み方向から見て電極層３４と同じパターン３４Ｃを、裏面３３に裏面パターン層３８を形成する工程である。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
なお、本工程では、対を成すパターン３４Ｃ及び裏面パターン層３８のセットを、マザーボードＭＢの複数箇所（一例として１５箇所（図５Ｃ参照））に形成する。 <First step>
FIG. 5A is a diagram showing the start and end of the first step. The first step is a step of forming a pattern 34C that is the same as the electrode layer 34 when viewed from the thickness direction on the front surface 31 of the motherboard MB, and forming a back pattern layer 38 on the back surface 33. This step is performed, for example, by etching using a mask pattern (not shown).
Note that in this step, a set of paired patterns 34C and back pattern layer 38 are formed at multiple locations (15 locations as an example (see FIG. 5C)) on the motherboard MB.

＜第２工程＞
図５Ｂは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程は、各パターン３４の一部をハーフハッチ（厚み方向の途中までエッチング）する工程である。本工程が終了すると、結果的に、複数の電極対３４Ａと配線部分３４Ｂとを有する複数（一例として１５個）の電極層３４が形成される。すなわち、本工程が終了すると、各電極層３４に複数の接合面３４Ａ１と複数の非接合面３４Ｂ１とが形成される。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
ここで、図５Ｃは、第２工程終了時に複数（１５個）の電極層３４（配線パターン）が形成されたマザーボードの平面図である。また、第１工程及び第２工程を組み合わせた工程は、第６工程（切断工程）の前に、マザーボードＭＢの表面３１に複数の電極層３４を形成するパターン形成工程（図１のＳ１１０参照）の一例である。 <Second process>
FIG. 5B is a diagram showing the start and end of the second step. The second step is a step in which a part of each pattern 34 is half hatched (etched halfway in the thickness direction). When this step is completed, a plurality of (15 as an example) electrode layers 34 having a plurality of electrode pairs 34A and wiring portions 34B are formed as a result. That is, when this step is completed, a plurality of bonding surfaces 34A1 and a plurality of non-bonding surfaces 34B1 are formed in each electrode layer 34. This step is performed, for example, by etching using a mask pattern (not shown).
Here, FIG. 5C is a plan view of the motherboard on which a plurality of (15) electrode layers 34 (wiring patterns) are formed at the end of the second process. In addition, the process combining the first process and the second process is a pattern forming process (see S110 in FIG. 1) of forming a plurality of electrode layers 34 on the surface 31 of the motherboard MB before the sixth process (cutting process). This is an example.

＜第３工程＞
図５Ｄは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程は、絶縁層３２の表面３１、すなわち電極層３４が形成された面の全面に蛍光体塗料３６Ｃを塗布する工程である。本工程では、例えば、印刷により蛍光体塗料３６Ｃを塗布する。この場合、蛍光体塗料３６Ｃをすべての電極対３４Ａよりも厚く塗布する。別言すると、この場合、蛍光体塗料３６Ｃを絶縁層３２の厚み方向において、各接合面３４Ａ１を厚み方向の外側から覆うように（各接合面３４Ａ１が蛍光体塗料３６Ｃで隠れるように）塗布する。
なお、第３工程は、第１工程及び第２工程を組み合わせた工程（パターン形成工程）の後かつ第６工程（切断工程）の前に、マザーボードＭＢの表面３１に蛍光体層３６を形成する蛍光体層形成工程（図１のＳ１２０参照）の一例である。 <3rd process>
FIG. 5D is a diagram showing the start and end of the third step. The third step is a step of applying phosphor paint 36C to the entire surface 31 of the insulating layer 32, that is, the surface on which the electrode layer 34 is formed. In this step, for example, the fluorescent paint 36C is applied by printing. In this case, the phosphor paint 36C is applied thicker than all the electrode pairs 34A. In other words, in this case, the phosphor paint 36C is applied in the thickness direction of the insulating layer 32 so as to cover each joint surface 34A1 from the outside in the thickness direction (so that each joint surface 34A1 is hidden by the phosphor paint 36C). .
Note that in the third step, a phosphor layer 36 is formed on the surface 31 of the motherboard MB after the step (pattern forming step) that combines the first step and the second step and before the sixth step (cutting step). This is an example of the phosphor layer forming step (see S120 in FIG. 1).

＜第４工程＞
図５Ｅは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体塗料３６Ｃが硬化した蛍光体層３６の一部を除去して、すべての電極対３４Ａの接合面３４Ａ１を露出させる工程である。ここで、蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料３６Ｃを硬化させた後に２次元レーザー加工装置（図示省略）を用いて蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分及び電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１付近の部分がアブレーションされて、各接合面３４Ａ１が露出する。以上の結果、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。 <4th step>
FIG. 5E is a diagram showing the start and end of the fourth step. The fourth step is a step in which a part of the phosphor layer 36 on which the phosphor paint 36C has been cured is removed to expose the bonding surfaces 34A1 of all the electrode pairs 34A. Here, if the binder of the phosphor paint 36C is, for example, a thermosetting resin, each bond in the phosphor layer 36 is cured by heating and then a two-dimensional laser processing device (not shown) is used. A portion on the surface 34A1 is selectively irradiated with laser light. As a result, a portion of the phosphor layer 36 on each bonding surface 34A1 and a portion of the electrode pair 34A near each bonding surface 34A1 are ablated, and each bonding surface 34A1 is exposed. As a result of the above, the phosphor substrate 30 of this embodiment is manufactured.

なお、本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えばＵＶ硬化性樹脂（感光性樹脂）である場合、各接合面３４Ａ１と重なる部分（塗料開口部）にマスクパターンをかけて、ＵＶ光を露光し、当該マスクパターン以外をＵＶ硬化させ、非露光部（未硬化部）を樹脂除去液により取り除くことで、各接合面３４Ａ１を露出させる。その後、一般的には、熱をかけてアフターキュアを行う（写真現像法）。 Note that this step may be performed, for example, by the following method in addition to the method described above. When the binder of the phosphor paint 36C is, for example, a UV curable resin (photosensitive resin), a mask pattern is applied to the portions (paint openings) that overlap with each bonding surface 34A1, and UV light is exposed to remove the parts other than the mask pattern. is cured with UV light, and the non-exposed portions (uncured portions) are removed with a resin removal liquid to expose each bonding surface 34A1. After that, generally heat is applied to perform after-cure (photographic development method).

ここで、図５Ｆは、第４工程終了時に複数の電極層３４（複数の配線パターン）が形成されたマザーボードＭＢの平面図である。「第４工程終了時に複数の電極層３４（複数の配線パターン）が形成されたマザーボードＭＢ」とは、互いに接続された状態の複数（一例として１５個）の蛍光体基板３０の集合体３０Ａを意味する。すなわち、第１～第４工程により、複数の蛍光体基板３０の集合体３０Ａが製造される。ここで、図中の線ＣＬ（仮想線）は、後述する第６工程（切断工程）の際に後述する刃型ＢＬ（刃の一例、図５Ｈ参照）により切断される切断線ＣＬとなる。なお、本工程は、蛍光体層３６の一部を除去する除去工程（図１のＳ１３０参照）の一例である。 Here, FIG. 5F is a plan view of the motherboard MB on which a plurality of electrode layers 34 (a plurality of wiring patterns) are formed at the end of the fourth step. "The motherboard MB on which a plurality of electrode layers 34 (a plurality of wiring patterns) are formed at the end of the fourth step" refers to an aggregate 30A of a plurality of (15 as an example) phosphor substrates 30 connected to each other. means. That is, through the first to fourth steps, an aggregate 30A of a plurality of phosphor substrates 30 is manufactured. Here, the line CL (imaginary line) in the figure is a cutting line CL cut by a blade type BL (an example of a blade, see FIG. 5H), which will be described later, during a sixth step (cutting step), which will be described later. Note that this step is an example of a removal step (see S130 in FIG. 1) in which a part of the phosphor layer 36 is removed.

＜第５工程＞
図５Ｇは、第５工程終了時を示す図である。第５工程は、マザーボードＭＢよりも大きい板状の固定部材ＦＭを第４工程終了後のマザーボードＭＢの裏面３３に固定する工程である。すなわち、本工程は、マザーボードＭＢに固定部材ＦＭを固定する固定工程（図１のＳ１４０参照）である。
固定部材ＦＭは、一例としてマザーボードＭＢよりも硬い材料で形成されている。また、固定部材ＦＭは、固定部材本体と、当該固定部材本体における表面（マザーボードＭＢに固定される側の面）の全域に配置された（粘着された）粘着層（図示省略）とを有している。すなわち、固定部材ＦＭの表面には、一例として粘着層が設けられている。なお、前述の固定部材本体は、外観上、図５Ｇ、図５Ｈ、図５Ｊ等に図示されているとおりの形状とされ、粘着層は、一例として、固定部材本体の厚みに比べて薄く、固定部材本体の表面に設けられている。そして、本実施形態の固定部材ＦＭは、マザーボードＭＢの裏面３３に固定される。この場合、マザーボードＭＢの裏面３３に対する粘着層の粘着力は、切断時（第６工程時）や実装時（第７工程時）に、マザーボードＭＢが動かない程度でできる限り小さくすることが好ましい。また、固定部材ＦＭは、マザーボードＭＢの裏面３３における、後述する刃型ＢＬ（図５Ｈ参照）で切断されて形成される切断線ＣＬを挟んで両側の部分に跨って固定される。なお、本実施形態では、固定部材本体の表面に対する粘着層の粘着力は、一例として、マザーボードＭＢ（又は蛍光体基板３０）の裏面３３に対する粘着層の粘着力よりも大きい。
前述の説明では、固定部材ＦＭの表面には一例として粘着層が設けられているとしたが、粘着層に換えて層状でない粘着材としてもよい。粘着材は、固定部材本体の表面の複数箇所に分かれて配置されていてもよい。 <5th step>
FIG. 5G is a diagram showing the end of the fifth step. The fifth step is a step of fixing a plate-shaped fixing member FM larger than the motherboard MB to the back surface 33 of the motherboard MB after the fourth step. That is, this step is a fixing step (see S140 in FIG. 1) that fixes the fixing member FM to the motherboard MB.
For example, the fixing member FM is made of a material harder than the motherboard MB. Furthermore, the fixing member FM includes a fixing member main body and an adhesive layer (not shown) disposed (attached) over the entire surface of the fixing member main body (the surface to be fixed to the motherboard MB). ing. That is, an adhesive layer is provided on the surface of the fixing member FM, for example. In addition, the above-mentioned fixing member main body has a shape as shown in FIGS. 5G, 5H, 5J, etc. in terms of appearance, and the adhesive layer is thinner than the thickness of the fixing member main body, and the adhesive layer is thinner than the thickness of the fixing member main body. It is provided on the surface of the member body. The fixing member FM of this embodiment is fixed to the back surface 33 of the motherboard MB. In this case, it is preferable that the adhesive force of the adhesive layer to the back surface 33 of the motherboard MB be as small as possible so that the motherboard MB does not move during cutting (sixth step) or mounting (seventh step). Furthermore, the fixing member FM is fixed across the portions on both sides of the back surface 33 of the motherboard MB across a cutting line CL cut by a blade type BL (see FIG. 5H), which will be described later. Note that in this embodiment, the adhesive force of the adhesive layer to the surface of the fixing member main body is, for example, greater than the adhesive force of the adhesive layer to the back surface 33 of the motherboard MB (or phosphor substrate 30).
In the above description, an adhesive layer is provided on the surface of the fixing member FM as an example, but a non-layered adhesive material may be used instead of the adhesive layer. The adhesive material may be arranged at multiple locations on the surface of the fixing member main body.

＜第６工程＞
図５Ｈは、第６工程の開始時、実行時及び終了時を示す図である。第６工程は、第５工程終了後のまま（固定部材ＦＭがマザーボードＭＢに固定されたまま）、マザーボードＭＢを刃型ＢＬで切断する切断工程（図１のＳ１５０参照）である。
ここで、本実施形態の刃型ＢＬは、切断線ＣＬ（図５Ｆ参照）のように、縦方向及び横方向にそれぞれ複数の刃を有する型とされている。
そして、本工程では、裏面３３を固定部材ＦＭで固定されたマザーボードＭＢ（複数の蛍光体基板３０の集合体３０Ａ）の表面３１側の定められた位置に、刃型ＢＬをセットし、刃型ＢＬを定められた距離移動させ、再度元の位置に戻す。この場合、固定部材ＦＭの固定部材本体は刃型ＢＬにより切断されないように設定されている。ここで、固定部材ＦＭの粘着層は、刃型ＢＬにより完全に切断されるように設定されていてもよく、その厚み方向の途中まで部分的に切断されるように設定されていてもよい。以上の結果、複数の蛍光体基板３０の集合体３０Ａは、裏面３３で固定部材ＦＭに固定されたまま切断線ＣＬに沿って切断されて個片化される。 <6th step>
FIG. 5H is a diagram showing the start, execution, and end of the sixth step. The sixth step is a cutting step (see S150 in FIG. 1) in which the motherboard MB is cut with the blade BL after the end of the fifth step (with the fixing member FM still fixed to the motherboard MB).
Here, the blade die BL of this embodiment has a plurality of blades in the vertical direction and the horizontal direction, as shown by the cutting line CL (see FIG. 5F).
Then, in this step, the blade mold BL is set at a predetermined position on the front surface 31 side of the motherboard MB (aggregate 30A of a plurality of phosphor substrates 30) whose back surface 33 is fixed with the fixing member FM, and the blade mold Move the BL a predetermined distance and return it to its original position. In this case, the fixing member main body of the fixing member FM is set so as not to be cut by the blade BL. Here, the adhesive layer of the fixing member FM may be set to be completely cut by the blade BL, or may be set to be partially cut halfway in the thickness direction. As a result of the above, the aggregate 30A of the plurality of phosphor substrates 30 is cut into pieces along the cutting line CL while the back surface 33 is fixed to the fixing member FM.

なお、第６工程が終了すると、複数の蛍光体基板３０と、複数の蛍光体基板３０の裏面３３に固定されている固定部材ＦＭと、を備える複数の蛍光体基板３０の集合体３０Ａが製造される（図５Ｈの第６工程終了時の図を参照）。この場合、複数の蛍光体基板３０には、定められた位置関係で並べられ、かつ、それぞれの表面３１に、電極層３４及び蛍光体層３６が配置されている。また、固定部材ＦＭは、複数の蛍光体基板３０が定められた位置関係で並べられた状態を維持するように、複数の蛍光体基板３０の裏面３３に固定されている（図５Ｈの第６工程終了時の図を参照）。ここで、定められた位置関係とは、一例として、図５Ｆにおける複数の蛍光体基板３０の位置関係を意味する。 Note that when the sixth step is completed, an assembly 30A of the plurality of phosphor substrates 30 including the plurality of phosphor substrates 30 and the fixing member FM fixed to the back surface 33 of the plurality of phosphor substrates 30 is manufactured. (See the diagram at the end of the sixth step in FIG. 5H). In this case, the plurality of phosphor substrates 30 are arranged in a predetermined positional relationship, and an electrode layer 34 and a phosphor layer 36 are disposed on each surface 31. Further, the fixing member FM is fixed to the back surface 33 of the plurality of phosphor substrates 30 so as to maintain the state in which the plurality of phosphor substrates 30 are arranged in a predetermined positional relationship (the sixth (See diagram at end of process). Here, the determined positional relationship means, as an example, the positional relationship of the plurality of phosphor substrates 30 in FIG. 5F.

＜第７工程＞
図５Ｉは、第７工程の開始時及び終了時を示す図である。第７工程は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を実装する工程である。本工程は、複数の蛍光体基板３０が固定部材ＦＭに固定されたまま、蛍光体基板３０の複数の電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰ（はんだの一例）を印刷し、各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０の各電極を位置合わせした状態ではんだペーストを一例として約２５０℃で溶かす。その後、はんだペーストＳＰが冷却された固化すると、各電極対３４Ａに各発光素子２０が接合される。すなわち、本工程は、一例としてリフロー工程により行われる。
以上のとおりであるから、本工程は、固定部材ＦＭに固定されたまま複数の蛍光体基板３０がそれぞれ切断時の位置関係で並べられた状態で、複数の蛍光体基板３０のそれぞれに発光素子２０を実装して複数の発光基板１０を得る実装工程（図１のＳ１６０参照）である。 <7th step>
FIG. 5I is a diagram showing the start and end of the seventh step. The seventh step is a step of mounting a plurality of light emitting elements 20 on the phosphor substrate 30. In this step, while the plurality of phosphor substrates 30 are fixed to the fixing member FM, solder paste SP (an example of solder) is printed on each joint surface 34A1 of the plurality of electrode pairs 34A of the phosphor substrate 30, and each joint For example, the solder paste is melted at about 250° C. with the electrodes of the plurality of light emitting elements 20 aligned with the surface 34A1. Thereafter, when the solder paste SP is cooled and solidified, each light emitting element 20 is joined to each electrode pair 34A. That is, this process is performed by a reflow process, for example.
As described above, in this process, light emitting elements are attached to each of the plurality of phosphor substrates 30 while the plurality of phosphor substrates 30 are arranged in the positional relationship at the time of cutting while being fixed to the fixing member FM. 20 to obtain a plurality of light emitting substrates 10 (see S160 in FIG. 1).

なお、第７工程が終了すると、複数の発光基板１０と、複数の発光基板１０の裏面３３に固定されている固定部材ＦＭと、を備える複数の発光基板１０の集合体１０Ａが製造される（図５Ｊ参照）。この場合、複数の発光基板１０には、定められた位置関係で並べられ、かつ、それぞれの表面３１に、電極層３４、蛍光体層３６及び電極層３４の電極対３４Ａに接合された発光素子２０が配置されている（図５Ｉ及び図５Ｊ参照）。また、固定部材ＦＭは、複数の発光基板１０が定められた位置関係で並べられた状態を維持するように、複数の発光基板１０の裏面３３に固定されている（図５Ｊ参照）。ここで、定められた位置関係とは、一例として、図５Ｆにおける複数の蛍光体基板３０の位置関係を意味する。 Note that when the seventh step is completed, an assembly 10A of the plurality of light emitting substrates 10 including the plurality of light emitting substrates 10 and the fixing member FM fixed to the back surface 33 of the plurality of light emitting substrates 10 is manufactured ( (see Figure 5J). In this case, the plurality of light emitting substrates 10 have light emitting elements arranged in a predetermined positional relationship and bonded to the electrode layer 34, the phosphor layer 36, and the electrode pair 34A of the electrode layer 34 on each surface 31. 20 (see FIGS. 5I and 5J). Further, the fixing member FM is fixed to the back surface 33 of the plurality of light emitting substrates 10 so as to maintain the state in which the plurality of light emitting substrates 10 are arranged in a predetermined positional relationship (see FIG. 5J). Here, the determined positional relationship means, as an example, the positional relationship of the plurality of phosphor substrates 30 in FIG. 5F.

＜第８工程＞
図５Ｊは、第８工程の開始時及び終了時を示す図である。第８工程は、複数の発光基板１０から固定部材ＦＭを分離する分離工程（図１のＳ１７０参照）である。本工程は、例えば、作業者による手作業で行われる。
そして、第８工程が終了すると、複数の発光基板１０が製造されて、本実施形態の製造方法が終了する。 <8th process>
FIG. 5J is a diagram showing the start and end of the eighth step. The eighth step is a separation step of separating the fixing member FM from the plurality of light emitting substrates 10 (see S170 in FIG. 1). This process is performed manually by an operator, for example.
Then, when the eighth step is completed, a plurality of light emitting substrates 10 are manufactured, and the manufacturing method of this embodiment is completed.

なお、第７工程の終了後かつ第８工程の開始前に、固定部材ＦＭに複数の発光基板１０が固定されている状態で、複数の発光素子２０等の電子部品が適切に実装されているか否かを検査する実装検査、複数の発光素子２０が適切に点灯するか否かを点灯検査、複数の発光基板１０の外観検査等を行ってもよい。 Note that after the end of the seventh step and before the start of the eighth step, with the plurality of light emitting substrates 10 fixed to the fixing member FM, check whether the plurality of electronic components such as the plurality of light emitting elements 20 are properly mounted. A mounting test to check whether the light emitting elements 20 are lit properly, a lighting test to check whether the plurality of light emitting elements 20 are lit properly, a visual inspection of the plurality of light emitting boards 10, etc. may be performed.

以上が、本実施形態の製造方法についての説明である。 The above is the description of the manufacturing method of this embodiment.

≪本実施形態の効果≫
次に、本実施形態の効果について図面を参照しながら説明する。 <<Effects of this embodiment>>
Next, the effects of this embodiment will be explained with reference to the drawings.

＜第１の効果＞
第１の効果については、本実施形態を以下に説明する比較形態（図示省略）と比較して説明する。ここで、比較形態の説明において、本実施形態と同じ構成要素等を用いる場合は、その構成要素等に本実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることとする。 <First effect>
The first effect will be explained by comparing this embodiment with a comparison mode (not shown) described below. Here, in the description of the comparative embodiment, when the same constituent elements as in the present embodiment are used, the same names, symbols, etc. as in the present embodiment are used for the constituent elements.

比較形態の発光基板１０の製造方法（以下、比較形態の製造方法という。）では、本実施形態の製造方法における第１～第４工程を行った後、複数の蛍光体基板３０の集合体３０Ａを構成する各蛍光体基板３０にそれぞれ複数の発光素子２０を実装してから切断線ＣＬに沿って集合体３０Ａを刃型ＢＬで切断して、複数の発光基板１０を得る。
比較形態の製造方法の場合、集合体３０Ａの切断時に例えば発光素子２０と電極層３４の電極対３４Ａとの接合部分（例えば、はんだ等）に負荷（応力）がかかる。そのため、比較形態の製造方法により製造された発光基板１０は、上記接合部分の接合不良を生じる虞がある。 In the method for manufacturing the light emitting substrate 10 of the comparative embodiment (hereinafter referred to as the manufacturing method of the comparative embodiment), after performing the first to fourth steps in the manufacturing method of the present embodiment, the aggregate 30A of the plurality of phosphor substrates 30 is After mounting a plurality of light emitting elements 20 on each of the phosphor substrates 30 constituting the phosphor substrate 30, the assembly 30A is cut along the cutting line CL with a blade BL to obtain a plurality of light emitting substrates 10.
In the case of the comparative manufacturing method, when the assembly 30A is cut, a load (stress) is applied, for example, to the joint portion (for example, solder) between the light emitting element 20 and the electrode pair 34A of the electrode layer 34. Therefore, in the light emitting substrate 10 manufactured by the manufacturing method of the comparative embodiment, there is a possibility that a bonding failure occurs at the bonding portion.

これに対して、本実施形態の場合、集合体３０Ａ（マザーボードＭＢ）を切断した後に、発光素子２０を実装する（図１参照）。そのため、本実施形態の場合、集合体３０Ａ（マザーボードＭＢ）の切断時に集合体３０Ａ（マザーボードＭＢ）に発光素子２０が実装されていない。すなわち、本実施形態の場合、そもそも、比較形態の場合のような接合不良が生じる状況が起こり得ない。 On the other hand, in the case of this embodiment, the light emitting element 20 is mounted after cutting the assembly 30A (motherboard MB) (see FIG. 1). Therefore, in the case of this embodiment, the light emitting element 20 is not mounted on the assembly 30A (motherboard MB) when the assembly 30A (motherboard MB) is cut. That is, in the case of this embodiment, a situation in which poor bonding occurs as in the case of the comparative embodiment cannot occur in the first place.

したがって、本実施形態の製造方法によれば、マザーボードＭＢを刃型ＢＬで切断して得られる複数の蛍光体基板３０から複数の発光基板１０を製造する方法において、比較形態の製造方法よりも、実装基板としての信頼性が高い。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、応力によるはんだクラック、電極ダメージ等の潜在的な不良の原因を削減することができる。 Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, in the method of manufacturing a plurality of light emitting substrates 10 from a plurality of phosphor substrates 30 obtained by cutting the motherboard MB with the blade type BL, compared to the manufacturing method of the comparative embodiment, High reliability as a mounting board. That is, according to the manufacturing method of this embodiment, potential causes of defects such as solder cracks and electrode damage due to stress can be reduced.

＜第２の効果＞
また、本実施形態の場合、第５工程（図１のＳ１４０、図５Ｇ等参照）において、固定部材ＦＭは、マザーボードＭＢの裏面３３における、刃型ＢＬで切断されて形成される切断線ＣＬを挟んで両側の部分に跨って固定される。そのうえで、本実施形態の場合、第６工程（図１のＳ１５０及び図５Ｈ参照）において、刃型ＢＬは、マザーボードＭＢのみを切断し、固定部材ＦＭの粘着層を切断しない。その後、本実施形態の場合、発光素子２０の実装工程が行われる（図１参照）。以上のとおりであるから、本実施形態の場合、切断後の各蛍光体基板３０同士の位置関係を保ったまま、各蛍光体基板３０に発光素子２０が実装される。すなわち、本実施形態の場合、発光素子２０の実装工程を、複数の蛍光体基板３０に対して同じセッティングで行うことができる（複数の蛍光体基板３０に対して別々に行う必要がない）。
したがって、本実施形態の製造方法によれば、第１の効果を奏しつつ、複数の発光基板１０の製造効率が高い。 <Second effect>
Further, in the case of the present embodiment, in the fifth step (see S140 in FIG. 1, FIG. 5G, etc.), the fixing member FM cuts the cutting line CL formed by cutting with the blade type BL on the back surface 33 of the motherboard MB. It is sandwiched and fixed across both sides. Furthermore, in the case of the present embodiment, in the sixth step (see S150 in FIG. 1 and FIG. 5H), the blade BL cuts only the motherboard MB and does not cut the adhesive layer of the fixing member FM. After that, in the case of this embodiment, a mounting process of the light emitting element 20 is performed (see FIG. 1). As described above, in this embodiment, the light emitting elements 20 are mounted on each phosphor substrate 30 while maintaining the positional relationship between the phosphor substrates 30 after cutting. That is, in the case of this embodiment, the mounting process of the light emitting element 20 can be performed on a plurality of phosphor substrates 30 with the same setting (there is no need to perform it separately on a plurality of phosphor substrates 30).
Therefore, according to the manufacturing method of this embodiment, the manufacturing efficiency of the plurality of light emitting substrates 10 is high while achieving the first effect.

＜第３の効果＞
また、本実施形態の場合、固定部材ＦＭは、粘着によりマザーボードＭＢに固定される。そのため、本実施形態の製造方法は、第８工程（図５Ｊ参照）の際に、簡単に、複数の発光基板１０から固定部材ＦＭを分離することができる。 <Third effect>
Further, in the case of this embodiment, the fixing member FM is fixed to the motherboard MB with adhesive. Therefore, in the manufacturing method of this embodiment, the fixing member FM can be easily separated from the plurality of light emitting substrates 10 in the eighth step (see FIG. 5J).

＜第４の効果＞
また、本実施形態の場合、固定部材本体の表面に対する粘着層の粘着力は、マザーボードＭＢ（又は蛍光体基板３０）の裏面３３に対する粘着層の粘着力よりも大きい。そのため、本実施形態の場合、第８工程時に、複数の発光基板１０から固定部材ＦＭを分離する場合に、粘着層は固定部材本体の表面に粘着したまま、複数の発光基板１０から分離する。
以上より、本実施形態によれば、固定部材ＦＭを複数回使いまわすことができる。別言すれば、本実施形態によれば、複数の発光基板１０の製造コストを低減することができる。 <Fourth effect>
Further, in the case of this embodiment, the adhesive force of the adhesive layer to the surface of the fixing member main body is greater than the adhesive force of the adhesive layer to the back surface 33 of the motherboard MB (or phosphor substrate 30). Therefore, in the case of the present embodiment, when separating the fixing member FM from the plurality of light emitting substrates 10 in the eighth step, the adhesive layer is separated from the plurality of light emitting substrates 10 while adhering to the surface of the fixing member main body.
As described above, according to this embodiment, the fixing member FM can be reused multiple times. In other words, according to this embodiment, the manufacturing cost of the plurality of light emitting substrates 10 can be reduced.

＜第５の効果＞
前述のとおり、本実施形態の製造方法は、第１～第３の効果を奏する。そのため、本実施形態の製造方法の途中で得られる複数の発光基板１０の集合体１０Ｂ（図５Ｊ参照）及び本実施形態の製造方法で製造される複数の発光基板１０は、製造安定性の高い製造方法により製造された物といえる。
したがって、本実施形態の複数の発光基板１０の集合体１０Ｂ及び発光基板１０は、品質が高い（安定した発光動作を実現することができる）。 <Fifth effect>
As described above, the manufacturing method of this embodiment has the first to third effects. Therefore, the assembly 10B of a plurality of light emitting substrates 10 obtained in the middle of the manufacturing method of this embodiment (see FIG. 5J) and the plurality of light emitting substrates 10 manufactured by the manufacturing method of this embodiment have high manufacturing stability. It can be said that it is a product manufactured by a manufacturing method.
Therefore, the aggregate 10B of the plurality of light emitting substrates 10 and the light emitting substrate 10 of this embodiment have high quality (stable light emitting operation can be realized).

以上が、本実施形態の効果についての説明である。 The above is a description of the effects of this embodiment.

以上のとおり、本発明について前述の実施形態を例として説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。 As mentioned above, although the present invention has been described by taking the above-described embodiments as examples, the present invention is not limited to the above-described embodiments. The technical scope of the present invention also includes, for example, the following forms (modifications).

例えば、本実施形態の説明では、発光素子２０の一例をＣＳＰであるとした。しかしながら、発光素子２０の一例はＣＳＰ以外でもよい。例えば、単にフリップチップを搭載したものでもよい。また、ＣＯＢデバイスの基板自身に応用することもできる。 For example, in the description of this embodiment, an example of the light emitting element 20 is a CSP. However, an example of the light emitting element 20 may be other than CSP. For example, it may simply be equipped with a flip chip. Moreover, it can also be applied to the substrate itself of a COB device.

また、本実施形態の固定部材ＦＭは、マザーボードＭＢの裏面３３の全域に粘着層により固定されるとして説明した。しかしながら、切断後の各蛍光体基板３０を定められた位置関係で維持することができれば、固定部材ＦＭは、マザーボードＭＢの裏面３３の全域を固定しなくてもよい。例えば、切断線ＣＬ挟んで両側の部分に跨って固定されればよい。 Furthermore, the fixing member FM of this embodiment has been described as being fixed to the entire area of the back surface 33 of the motherboard MB with an adhesive layer. However, if each phosphor substrate 30 after cutting can be maintained in a predetermined positional relationship, the fixing member FM does not need to fix the entire back surface 33 of the motherboard MB. For example, it may be fixed across both sides of the cutting line CL.

また、本実施形態の説明では、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、電極層３４の接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向外側に位置しているとした（図２Ｃ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面が電極層３４の接合面３４Ａ１と当該厚み方向において同じ又は接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向内側の位置としてもよい。 In addition, in the description of this embodiment, the surface of the phosphor layer 36 on the outer side in the thickness direction of the insulating layer 32 is located on the outer side in the thickness direction than the bonding surface 34A1 of the electrode layer 34 (see FIG. 2C). . However, considering the mechanism explaining the first effect described above, the surface of the phosphor layer 36 on the outside in the thickness direction of the insulating layer 32 is the same as the bonding surface 34A1 of the electrode layer 34 in the thickness direction, or is larger than the bonding surface 34A1. The position may be located on the inner side in the thickness direction.

また、本実施形態の説明では、蛍光体基板３０の裏面３３に裏面パターン層３８が備えられているとした（図２Ｂ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体基板３０の裏面３３に裏面パターン層３８が備えられていなくても第１の効果を奏することは明らかである。しかたがって、裏面３３に裏面パターン層３８がない点のみ本実施形態の蛍光体基板３０及び発光基板１０と異なる形態であっても、当該形態は本発明の技術的範囲に属するといえる。 Furthermore, in the description of this embodiment, it is assumed that the back surface pattern layer 38 is provided on the back surface 33 of the phosphor substrate 30 (see FIG. 2B). However, considering the mechanism explained above for the first effect, it is clear that the first effect can be achieved even if the back surface pattern layer 38 is not provided on the back surface 33 of the phosphor substrate 30. Therefore, even if the configuration differs from the phosphor substrate 30 and the light emitting substrate 10 of this embodiment only in that the back surface pattern layer 38 is not provided on the back surface 33, it can be said that the configuration belongs to the technical scope of the present invention.

また、本実施形態の説明では、蛍光体層３６は、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されているとした（図３Ｂ参照）。しかしながら、前述の第１の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体基板３０の表面３１における複数の電極対３４Ａ以外の部分の全域に亘って配置されていなくても第１の効果を奏することは明らかである。しかたがって、本実施形態の場合と異なる表面３１の範囲に蛍光体層３６が配置されている点のみ本実施形態の蛍光体基板３０及び発光基板１０と異なる形態であっても、当該形態は本発明の技術的範囲に属するといえる。 Furthermore, in the description of the present embodiment, it is assumed that the phosphor layer 36 is arranged in a portion of the surface 31 of the insulating layer 32 and the electrode layer 34 other than the plurality of electrode pairs 34A (see FIG. 3B). However, considering the mechanism explained above for the first effect, the first effect can be achieved even if the electrodes are not arranged over the entire area other than the plurality of electrode pairs 34A on the surface 31 of the phosphor substrate 30. is clear. Therefore, even if the form differs from the phosphor substrate 30 and light emitting substrate 10 of this embodiment only in that the phosphor layer 36 is disposed in a range of the surface 31 that is different from that of the present embodiment, the form is It can be said that it belongs to the technical scope of the present invention.

また、本実施形態の説明では、蛍光体基板３０及び発光基板１０を製造するに当たり、利昌工業株式会社製のＣＳ－３３０５ＡをマザーボードＭＢとして用いると説明した。しかしながら、これは一例であり、異なるマザーボードＭＢを用いてもよい。例えば、利昌工業株式会社製のＣＳ－３３０５Ａの絶縁層厚、銅箔厚等の標準仕様にこだわるものではなく、特に銅箔圧は更に厚いものを用いてもよい。 Furthermore, in the description of this embodiment, CS-3305A manufactured by Risho Kogyo Co., Ltd. is used as the motherboard MB in manufacturing the phosphor substrate 30 and the light emitting substrate 10. However, this is just an example, and a different motherboard MB may be used. For example, the standard specifications such as the insulation layer thickness and copper foil thickness of CS-3305A manufactured by Risho Kogyo Co., Ltd. are not limited, and a thicker copper foil thickness may be used.

なお、本実施形態では、実装基板の一例を発光基板１０として説明した。しかしながら、本実施形態の製造方法は、マザーボードＭＢを用いて複数の実装基板（配線パターンが形成された個片基板に電子部品が実装された基板）を製造する方法に適用してもよい。 In addition, in this embodiment, the light emitting board 10 was explained as an example of the mounting board. However, the manufacturing method of this embodiment may be applied to a method of manufacturing a plurality of mounting boards (boards in which electronic components are mounted on individual boards on which wiring patterns are formed) using the motherboard MB.

１０発光基板（実装基板の一例）
１０Ａ複数の発光基板の集合体
１０Ｂ複数の蛍光体基板の集合体
２０発光素子（電子部品の一例）
３０蛍光体基板（個片基板の一例）
３１表面
３２絶縁層
３３裏面
３４電極層（配線パターンの一例）
３４Ａ電極対
３４Ａ１接合面
３４Ｂ配線部分
３４Ｂ１非接合面
３６蛍光体層
３８裏面パターン層
ＢＬ刃型（刃の一例）
ＦＭ固定部材
Ｌ光
ＭＢマザーボード（基板の一例）
ＳＰはんだペースト（はんだの一例） 10 Light emitting board (an example of a mounting board)
10A Assembly of a plurality of light emitting substrates 10B Assembly of a plurality of phosphor substrates 20 Light emitting element (an example of an electronic component)
30 Phosphor substrate (an example of a discrete substrate)
31 Front surface 32 Insulating layer 33 Back surface 34 Electrode layer (an example of a wiring pattern)
34A Electrode pair 34A1 Bonding surface 34B Wiring portion 34B1 Non-bonding surface 36 Phosphor layer 38 Back pattern layer BL Blade shape (an example of a blade)
FM fixing member L Optical MB Motherboard (an example of a board)
SP Solder paste (an example of solder)

Claims

表面に複数の配線パターンが形成され、裏面を固定部材で固定された基板を切断して複数の個片基板を得る工程であって、前記固定部材が前記基板に固定されたまま前記基板を刃で切断する切断工程と、
前記固定部材に固定されたまま前記複数の個片基板がそれぞれ切断時の位置関係で並べられた状態で、前記複数の個片基板のそれぞれに電子部品を実装して複数の実装基板を得る実装工程と、
前記複数の実装基板から前記固定部材を分離する分離工程と、
を含み、
前記切断工程の前に、前記基板の前記表面に前記複数の配線パターンを形成するパターン形成工程を含み、
前記パターン形成工程の後かつ前記切断工程の前に、前記基板の表面に蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程を含み、
前記切断工程の後かつ前記分離工程の前に、前記実装工程を行い、
前記実装工程を、前記蛍光体層形成工程の後に行う、
複数の実装基板の製造方法。 A process of obtaining a plurality of individual boards by cutting a board on which a plurality of wiring patterns are formed on the front surface and fixed on the back side with a fixing member, the board being cut with a knife while the fixing member is fixed to the board. A cutting process of cutting with
Mounting electronic components on each of the plurality of individual substrates while the plurality of individual substrates are arranged in the positional relationship at the time of cutting while being fixed to the fixing member to obtain a plurality of mounted substrates. process and
a separation step of separating the fixing member from the plurality of mounting boards;
including;
Before the cutting step, a pattern forming step of forming the plurality of wiring patterns on the surface of the substrate,
After the pattern forming step and before the cutting step, a phosphor layer forming step of forming a phosphor layer on the surface of the substrate,
After the cutting step and before the separating step, performing the mounting step,
The mounting step is performed after the phosphor layer forming step.
A method for manufacturing multiple mounting boards.

前記電子部品は、はんだにより前記配線パターンに接合されて、前記複数の個片基板のそれぞれに実装される、
請求項１に記載の複数の実装基板の製造方法。 The electronic component is bonded to the wiring pattern with solder and mounted on each of the plurality of individual substrates,
The method of manufacturing a plurality of mounting boards according to claim 1.

前記基板の厚みは、６００μｍ以下である、
請求項１又は２に記載の複数の実装基板の製造方法。 The thickness of the substrate is 600 μm or less,
The method for manufacturing a plurality of mounting boards according to claim 1 or 2.

前記固定部材は、前記基板の前記裏面における、前記刃で切断されて形成される切断線を挟んで両側の部分に跨って固定される、
請求項１～３のいずれか１項に記載の複数の実装基板の製造方法。 The fixing member is fixed across parts on both sides of the back surface of the substrate across a cutting line formed by cutting with the blade.
The method for manufacturing a plurality of mounting boards according to any one of claims 1 to 3.

前記固定部材には、粘着材又は粘着層が設けられており、
前記固定部材は、前記粘着材又は前記粘着層により前記裏面に粘着されて固定される、
請求項１～４のいずれか１項に記載の複数の実装基板の製造方法。 The fixing member is provided with an adhesive material or an adhesive layer,
The fixing member is adhered and fixed to the back surface by the adhesive material or the adhesive layer.
The method for manufacturing a plurality of mounting boards according to any one of claims 1 to 4.

前記固定部材は、固定部材本体を有し、
前記粘着材又は前記粘着層は、前記固定部材本体の表面に粘着されており、
前記固定部材本体の表面に対する前記粘着材又は前記粘着層の粘着力は、前記基板の裏面に対する前記粘着材又は前記粘着層の粘着力よりも大きい、
請求項５に記載の複数の実装基板の製造方法。 The fixing member has a fixing member main body,
The adhesive material or the adhesive layer is adhered to the surface of the fixing member main body,
The adhesive force of the adhesive material or the adhesive layer to the surface of the fixing member main body is greater than the adhesive force of the adhesive material or the adhesive layer to the back surface of the substrate.
The method for manufacturing a plurality of mounting boards according to claim 5.

前記パターン形成工程の後かつ前記分離工程の前に、前記電子部品の実装検査及び前記複数の実装基板の外観検査の一方又は両方を行う検査工程を含む、
請求項１～６のいずれか１項に記載の複数の実装基板の製造方法。 After the pattern formation step and before the separation step, an inspection step of performing one or both of a mounting inspection of the electronic component and an appearance inspection of the plurality of mounting boards;
A method for manufacturing a plurality of mounting boards according to any one of claims 1 to 6.

前記電子部品は、発光素子である、
請求項１～７のいずれか１項に記載の複数の実装基板の製造方法。 the electronic component is a light emitting element;
A method for manufacturing a plurality of mounting boards according to any one of claims 1 to 7.

前記パターン形成工程の後かつ前記分離工程の前に、前記電子部品の実装検査及び前記複数の実装基板の外観検査の一方又は両方を行う検査工程を含み、
前記電子部品は、発光素子であり、
前記検査工程における前記電子部品の前記実装検査として、前記発光素子の点灯検査を行う、
請求項１～６のいずれか１項に記載の複数の実装基板の製造方法。 After the pattern forming step and before the separating step, an inspection step of performing one or both of a mounting inspection of the electronic component and an appearance inspection of the plurality of mounting boards,
The electronic component is a light emitting element,
performing a lighting test of the light emitting element as the mounting test of the electronic component in the test step;
A method for manufacturing a plurality of mounting boards according to any one of claims 1 to 6.