JP7351938B2 - ヒータ基板、プローブカード用基板及びプローブカード - Google Patents

ヒータ基板、プローブカード用基板及びプローブカード Download PDF

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Description

本開示は、ヒータ基板、プローブカード用基板及びプローブカードに関する。
特開２０１０－１５１４９７号公報には、ウエハ状の半導体素子の電気的な検査に使用されるプローブカード用基板が示されている。このプローブカード用基板は、絶縁基板中にヒータ線を有するヒータ基板を含む。
本開示に係るヒータ基板は、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板内に位置するヒータ線と、
前記ヒータ線に電気的に接続された調整部と、
を備え、
前記調整部は、
前記第２面に位置し前記ヒータ線の一部の区間の両端にそれぞれ電気的に接続された一対の調整用端子と、
前記第２面に位置し前記一対の調整用端子に接続された調整用導体と、
を有する。
本開示に係るプローブカード用基板は、
前記第１面から前記第２面へかけて位置しかつ前記ヒータ線と絶縁された複数の第１回路導体を備える上記のヒータ基板と、
前記ヒータ基板の前記第１面上に位置し、複数の第２回路導体を有する回路基板とを備え、
前記複数の第２回路導体が前記複数の第１回路導体に接続されている。
本開示に係るプローブカードは、
上記のプローブカード用基板と、前記複数の第２回路導体に接続された複数のプローブピンと、を備える。
本開示の実施形態１に係るヒータ基板の第２面側の平面図である。 図１ＡのＢ－Ｂ線における断面図である。 本開示の実施形態２に係るヒータ基板の第２面側の平面図である。 変形例１のヒータ基板の第２面側の平面図である。 変形例２のヒータ基板の第２面側の平面図である。 変形例３のヒータ基板の第２面側の平面図である。 変形例４のヒータ線のパターンを示す平面図である。 変形例５のヒータ線のパターンを示す平面図である。 変形例６のヒータ線のパターンを示す平面図である。 変形例７のヒータ線のパターンを示す平面図である。 変形例８のヒータ線のパターンを示す平面図である。 変形例９のヒータ線のパターンを示す平面図である。 変形例１０のヒータ線のパターンを示す平面図である。 本開示の実施形態３に係るヒータ基板の第２面側の平面図である。 図１３ＡのＢ－Ｂ線における断面図である。 本開示の実施形態のプローブカードを示す平面図である。 図１４ＡのＢ－Ｂ線における断面図である。 本開示の実施形態のプローブカード用基板の第２面側の平面図である。 ヒータ線と回路導体とが交差する構造の一例を示す図である。
以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、また上下の区別は説明上の便宜的なものあって実際に回路基板等が使用されるときの上下を規制するものではない
（実施形態１）
図１Ａは、本開示の実施形態１に係るヒータ基板の第２面側の平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＢ－Ｂ線における断面図を示す。本開示の実施形態のヒータ基板１００は、第１面１１及び第１面とは反対側の第２面１２を有する絶縁基板１と、絶縁基板１内に位置するヒータ線３と、ヒータ線３の一部の区間ＳＣ１～ＳＣ４と電気的に接続された複数の調整部５とを備える。
絶縁基板１は、複数のセラミック絶縁層１ａが積層された積層体であり、絶縁性を有する。
ヒータ線３は、複数のセラミック絶縁層１ａと一緒に焼成されたメタライズ導体であり、複数のセラミック絶縁層１ａ、１ａの間に位置する。ヒータ線３の材料は、例えばタングステンであるが、モリブデン又はマンガンなどが適用されてもよいし、タングステン、モリブデン、マンガン、銅などの複数の金属成分を含む合金金属が採用されてもよい。ヒータ線３は、絶縁基板１の加熱領域Ｗ１を埋める線路パターンを有し、電流が流されることでジュール熱を発生（発熱）する。加熱領域Ｗ１は、絶縁基板１において加熱されるように設定された領域である。加熱領域Ｗ１は、ヒータ線３の線路パターンが配置される領域であり、ヒータ線３の配置領域に相当する。加熱領域Ｗ１は、加熱する対象がヒータ基板１００に対向する部分を含んだ領域であってもよく、例えばヒータ基板１００がプローブカードに組み込まれる場合にはウエハＳＷが対向する部分を含んだ領域であってもよい。ヒータ線３の両端部は、給電導体４に接続される。給電導体４は、第２面１２に位置する給電端子４３と、絶縁基板１の内部に位置し給電端子４３とヒータ線３の一端部とを電気的に接続させる内部導体４２とを含む。一対の給電端子４３は、ヒータ線３に給電するための端子である。内部導体４２は、例えば絶縁基板１の基板面（第１面１１又は第２面１２）に垂直な方向へ延在するビア導体であり、第２面１２からヒータ線３にかけて位置する。内部導体４２は、絶縁基板１の基板面に沿った方向に延在する導体を含んでいてもよい。
複数の調整部５は、ヒータ線３の一部の区間ＳＣ１～ＳＣ４とそれぞれ並列接続される。調整部５の電気抵抗の設計調整により、ヒータ線３及びヒータ線３の区間ＳＣ１～ＳＣ４に流れる電流を調整できる。各調整部５は、ヒータ線３の該当区間ＳＣ１（又はＳＣ２～ＳＣ４）の両端に接続される一対の内部導体５３と、一対の内部導体５３に接続される一対の調整用端子５１と、一対の調整用端子５１の間に接続される調整用導体５２とを備える。内部導体５３は、例えば絶縁基板１の基板面（第１面１１又は第２面１２）に垂直な方向へ延在するビア導体であり、第２面１２からヒータ線３にかけて位置する。調整用端子５１と調整用導体５２とは第２面１２に位置する。内部導体５３は、複数のセラミック絶縁層１ａと一緒に焼成される。
なお、図１Ａの領域Ｄ１に示すように、ヒータ線３の給電点と、調整部５の接続点とは、同一点であってもよく、この場合、給電端子４３と調整用端子５１が兼用され、給電用の内部導体４２と調整部５の内部導体５３とが兼用される。
調整用導体５２は、ヒータ線３と抵抗比が異なる金属材料（例えば銅）から構成される。調整用導体５２の比抵抗はヒータ線３の比抵抗よりも小さいが、大きくてもよい。調整用導体５２は、絶縁基板１の焼成工程後の別のパターン形成工程により形成される。調整用導体５２の線幅、パターン長、厚み、材料は、ヒータ線３を含んだ絶縁基板１の焼成後、ヒータ線３の抵抗値の計測結果に基づいて、ヒータ線３及び調整部５が接続される区間ＳＣ１（又はＳＣ２～ＳＣ４）に流れる電流値を目標値に近づけるように選定できる。
実施形態１において、複数の調整部５は加熱領域Ｗ１内の外周部に位置し、第２面１２において分散配置されている。分散配置とは、第２面１２を第２面１２の中央から放射状の分割線で３個以上に等角に分割したときに、各分割領域に調整部５が含まれる配置を意味する。あるいは、分散配置とは、第２面１２が一方に長い形状の場合に、長手方向において第２面１２を等間隔に３個以上の領域に分割したときに、各分割領域に調整部５が含まれる配置を意味する。
調整部５を有することで、ヒータ線３を含んだ焼成後の絶縁基板１にロットごとあるいは個体ごとに発熱量のばらつきがある場合、あるいは、加熱領域Ｗ１の領域ごとに発熱量又は目標値からの誤差にばらつきがある場合に、このようなばらつきを修正することができる。すなわち、ヒータ線３を含んだ絶縁基板１を焼成後、ヒータ線３及び各区間ＳＣ１～ＳＣ４の抵抗を計測し、抵抗の目標値とのずれを計算する。次に、これらのずれを低減するように調整用導体５２の抵抗値を求め、求められた抵抗値を実現するように調整用導体５２のパターン及び材質を選定する。その後、調整用導体５２を絶縁基板１の第２面１２に形成することで、上記のばらつきを修正し、ヒータ線３の全発熱量及び領域ごとの発熱量を目標値に近づけることができる。ヒータ線３は絶縁基板１内に位置するため、絶縁基板１の焼成後にヒータ線３をトリミングしたりすることは困難であるが、調整部５の調整用端子５１及び内部導体５３を有することで、絶縁基板１の焼成後に、調整用導体５２を接続してヒータ線３の発熱量の調整が可能となる。
さらに、複数の調整部５が、第２面１２に分散配置されていることで、加熱領域Ｗ１内の各部に発熱量のバラツキがあったり、発熱量の所望の目標値からの誤差にバラツキがあったりしたときに、このようなバラツキを低減する調整が可能となる。
さらに、調整用導体５２の比抵抗がヒータ線３の比抵抗と異なるため、大きな比抵抗の導体を採用したり、小さな比抵抗の導体を採用することができ、調整用導体５２の抵抗値の設計自由度を高めることができる。
（実施形態２）
図２は、本開示の実施形態２に係るヒータ基板の第２面側の平面図である。実施形態２のヒータ基板１００は、第２面１２の中央部Ｃ１に位置する調整部５Ａ、５Ｂを含んでいる。本明細書において、絶縁基板１の中央部Ｃ１とは第２面の縦横中央を中心とする縦寸１／３及び横寸１／３の楕円内を意味する。
絶縁基板１の中央部Ｃ１において、ヒータ線３からの熱は、第１面１１側と第２面１２側とに移動するほか、基板面（第１面１１又は第２面１２）に沿った方向へは隣り合ったヒータ線３の別区間があるため移動しにくい。したがって、中央部Ｃ１は熱がこもりやすい。中央部Ｃ１に位置する調整部５Ａ、５Ｂは、中央部Ｃ１の発熱量を減じる作用を及ぼすので、ヒータ線３の線路パターンが加熱領域を埋めるように配置されたヒータ基板１００において、中央部Ｃ１の内部と外部とで加熱温度を均一化する場合に、調整が容易となる。加熱温度とはヒータ線３を駆動したときの第１面１１の温度を意味する。
（変形例１）
図３から図５は、変形例１～変形例３のヒータ基板の第２面側の平面図である。変形例１のヒータ基板１００（図３）は、左右対称なヒータ線３の線路パターンと、左右対称な調整部５Ｃ～５Ｆとを有する。調整部５Ｃ、５Ｄが隣接する場合、第２面１２の中央部Ｃ１に位置する。調整部５Ｃに含まれる一方の調整用端子５１及び内部導体５３と、隣接する調整部５Ｄに含まれる一方の調整用端子５１及び内部導体５３と、は兼用されてもよい。調整部５Ｅ、５Ｆが隣接する場合、調整部５Ｅに含まれる一方の調整用端子５１及び内部導体５３と、隣接する調整部５Ｆに含まれる一方の調整用端子５１及び内部導体５３と、は兼用されてもよい。
左右対称なヒータ線３に対して、左右対称な調整部５Ｃ～５Ｆを設けることで、容易に左右対称な発熱量分布を維持しつつ発熱量を調整できる。また、目標の温度分布が左右対称である一方、ヒータ線３の特性に左右対称からズレがある場合に、調整部５Ｃ～５Ｆの調整用導体５２を左右で異なる抵抗値として、精度高く左右対称な発熱量分布を達成することもできる。左右対称な調整部は、中央部Ｃ１よりも外部に位置していてもよい。
変形例１の調整部５Ｃ～５Ｆが、第２面１２の中央部Ｃ１に位置することで、熱がこもりやすい中央部Ｃ１の発熱量を減じて、中央部Ｃ１の内部と外部とで加熱温度の均一化を図りやすいという効果を奏する。
変形例１においては、領域Ｆ１に含まれるようなヒータ線３の折り返し部の温度が高くなりやすい。よって、ヒータ基板１００は、折り返し部又は折り返し部の近傍に接続される調整部を有し、調整部により折り返し部の温度を下げる調整が行われてもよい。中央部Ｃ１における折り返し部は、さらに温度が高くなりやすいので、ヒータ基板１００は、中央部Ｃ１の折り返し部又は折り返し部の近傍に接続される調整部を有し、調整部により中央部Ｃ１の折り返し部の温度を下げる調整が行われてもよい。
（変形例２）
変形例２のヒータ基板１００（図４）は、基板面が矩形状の絶縁基板１と、ミアンダパターンのヒータ線３と、基板面の中央部Ｃ１に位置する複数の調整部５Ｇ～５Ｊとを有する。調整部５Ｇ～５Ｊは、中央部Ｃ１に重なるヒータ線３の各区間の両端に接続されている。
変形例２のヒータ基板１００においては、ミアンダパターンを有するヒータ線３により矩形状の領域の各部で均等な発熱量の発生が可能となる。さらに、中央部Ｃ１と重なるヒータ線３の各区間の両端に接続される調整部５Ｇ～５Ｊを有することで、矩形状の加熱領域Ｗ１においても、加熱領域の中央に熱がこもることを低減し、矩形領域の加熱温度の均一化を図ることができる。
なお、変形例２の絶縁基板１において中央部Ｃ１の外に１つ又は複数の調整部が位置してもよいし、複数の調整部が絶縁基板１の長手方向において分散配置されてもよいし、１つの調整部がミアンダパターンにおける蛇行のコーナー部をショートカットするように接続されてもよい。ミアンダパターンにおいても、領域Ｆ２に含まれるようなヒータ線３の折り返し部の温度が高くなりやすいが、ミアンダパターンの折り返し部は、加熱領域Ｗ１の外縁部に位置し、放熱されやすい。よって、調整部は、中央部Ｃ１に位置する構成としてもよい。
（変形例３）
変形例３のヒータ基板１００（図５）は、基板面が矩形状の絶縁基板１と、ミアンダパターンを有しかつ二分割されたヒータ線３ａ、３ｂと、基板面の中央部Ｃ１に位置する調整部５Ｋ、５Ｌとを有する。第２面１２には、一方のヒータ線３ａの両端に電気的に接続された一対の給電端子４３と、他方のヒータ線３ｂの両端に電気的に接続された一対の給電端子４３とが位置する。調整部５Ｋは一方のヒータ線３ａの一部区間に接続され、調整部５Ｌは他方のヒータ線３ｂの一部区間に接続される。分割され異なる電流を流すことが可能な複数のヒータ線３ａ、３ｂのそれぞれに調整部５Ｋ、５Ｌが接続されていることで、調整部５Ｋ、５Ｌの抵抗の調整により、複数のヒータ線３ａ、３ｂの各々の発熱量の調整が可能となる。
（変形例４～変形例１０）
図６～図１２は、変形例４～変形例１０のヒータ線のパターンを示す平面図である。図６～図１２は、絶縁基板１におけるヒータ線３Ａ～３Ｍが配置されているセラミック絶縁層１ａ、１ａ間を示している。
変形例４（図６）は、絶縁基板１の基板面が左右及び上下対称な八角形であり、ヒータ線３Ａが、両端が外周部に位置する渦巻状のパターンを有する。
変形例５（図７）は、絶縁基板１の基板面が正方形であり、ヒータ線３Ｂが、径の異なる同心円状の複数の区間を有し、複数の区間が１つに連続するように接続されたパターンを有する。各区間の接続部は、同心円の中央から図７の紙面上方の角度範囲Ｈ１に位置してもよいし、各区間の接続部は同心円の中央を中心とする複数の角度方向に分散配置されてもよい。
変形例６（図８）は、絶縁基板１の基板面が正十角形であり、ヒータ線３Ｃが、径の異なる同心円状の複数の区間を有し、複数の区間が一つに連続するように接続されたパターンを有する。各区間の接続部は、同心円の中央から図８の紙面上方の角度範囲Ｈ２と紙面下方の角度範囲Ｈ３とに位置し、ヒータ線３Ｃの両端が加熱領域Ｗ１の外周部で隣り合うように位置してもよい。
変形例７（図９）は、絶縁基板１の基板面が正十二角形であり、渦巻き状で一端から他端にかけて互いに隣り合う２本のヒータ線３Ｄ、３Ｅを有する例である。２本のヒータ線３Ｄ、３Ｅの端部は、加熱領域Ｗ１の中央と外周部とにそれぞれ配置されてもよい。
変形例８（図１０）は、絶縁基板１の基板面が円形であり、加熱領域Ｗ１における中央部の円形の領域Ｗ２に１本のヒータ線３Ｆが位置し、領域Ｗ２の外側の領域Ｗ３に別の１本のヒータ線３Ｇが位置する例である。ヒータ線３Ｆは、径の異なる同心円状の複数の区間を有し、複数の区間が一つに連続するように接続されたパターンを有する。ヒータ線３Ｇは、径の異なる同心円状の複数の区間を有し、複数の区間が一つに連続するように接続されたパターンを有する。ヒータ線３Ｆの複数の区間の接続部と、ヒータ線３Ｇの複数の区間の接続部とは、同心円状の区間の中心角で１８０度異なる範囲に位置してもよい。
変形例９（図１１）は、絶縁基板１の基板面が正八角形であり、加熱領域Ｗ１を中心線で二分割した一方の領域Ｗ４に一本のヒータ線３Ｈが位置し、他方の領域Ｗ５に一本のヒータ線３Ｉが位置する例である。ヒータ線３Ｈは、径の異なる同心半円状の複数の区間を有し、複数の区間が一つに連続するように接続されたパターンを有する。ヒータ線３Ｉは、ヒータ線３Ｈのパターンと同一としてもよいし、あるいは、領域Ｗ４、Ｗ５の間の境界線に対して対称なパターンとしてもよい。
変形例１０（図１２）は、絶縁基板１の基板面と加熱領域Ｗ１とが９０度の回転に対して対称な多角形であり、加熱領域Ｗ１を中心角９０度で四分割した各領域Ｗ６～Ｗ９に１本ずつヒータ線３Ｊ～３Ｍが位置する例である。ヒータ線３Ｊは、加熱領域Ｗ１の中心からの距離が異なりかつ加熱領域Ｗ１の辺と平行に延在し、加熱領域Ｗ１の角部に対応する位置で曲がった複数の区間を有し、複数の区間が一つに連続するように接続されたパターンを有する。さらに、ヒータ線３Ｊは、加熱領域Ｗ１の中央から外周部に延びる直線区間を有し、直線区間によりヒータ線３Ｊの一端が外周部に位置してもよい。直線区間は、互いに隣り合う領域Ｗ６、Ｗ７の境界に渡って位置する。このような直線区間を有することで、ヒータ線３Ｊの両方の端部とも、加熱領域Ｗ１の外周部に配置することができる。ヒータ線３Ｋ～３Ｍのパターンは、ヒータ線３Ｊのパターンと同様にしてもよい。
本開示に係るヒータ基板において、絶縁基板の形状及びヒータ線のパターンは、実施形態４から実施形態１０に示したように、様々な形状及びパターンを適用可能である。変形例４（図６）における領域Ｆ３に含まれるようなヒータ線３Ａの折り返し部、変形例５（図７）における角度範囲Ｈ１に含まれるようなヒータ線３Ｂの折り返し部（各区間の接続部）、変形例６（図８）における角度範囲Ｈ２、Ｈ３に含まれるようなヒータ線３Ｃの折り返し部（各区間の接続部）についても、温度が高くなりやすい。また、変形例８（図１０）における領域Ｆ４、Ｆ５に含まれるようなヒータ線３Ｆ、３Ｇの折り返し部（各区間の接続部）、変形例９（図１１）における領域Ｗ４、Ｗ５の境界部分に位置する折り返し部（各区間の接続部）、変形例１０（図１２）におけるヒータ線３Ｊ～３Ｍの折り返し部（各区間の接続部）についても、温度が高くなりやすい。よって、ヒータ基板１００は、これらの折り返し部又は折り返し部の近傍に接続される調整部を有し、調整部により折り返し部の温度を下げる調整が行われてもよい。中央部における折り返し部は、さらに温度が高くなりやすいので、ヒータ基板１００は、中央部の折り返し部又は折り返し部の近傍に接続される調整部を有し、調整部により中央部の折り返し部の温度を下げる調整が行われてもよい。実施形態１、実施形態２、変形例４（図６）及び変形例７（図９）のヒータ線３、３Ａ、３Ｅ、３Ｄのように、渦巻き状のヒータ線は温度が高くなりやすい折り返し部を含まないか、折り返し部が少ないので、均熱性という観点で有利である。また、加熱する対象（例えばウエハＳＷ）が対向する領域の外側にヒータ線がある場合、ヒータ基板は、この部分のヒータ線に接続される調整部を有してもよい。この調整部による発熱量の調整は、加熱する対象に対する均熱性へ及ぼす影響を小さくできる。
（実施形態３）
図１３Ａは、本開示の実施形態３に係るヒータ基板の第２面側の平面図である。図１３Ｂは、図１３ＡのＢ－Ｂ線における断面図を示す。実施形態３のヒータ基板１００は、調整部５の内部導体５３Ａの構造と、調整用端子５１及び調整用導体５２の配置が、実施形態１と異なり、他の構成要素は実施形態１と同様である。以下、異なる構成要素について詳細に説明する。
各調整部５は、ヒータ線３の一部の区間の両端に接続される一対の内部導体５３Ａと、第２面１２に位置しかつ一対の内部導体５３Ａにそれぞれ接続される一対の調整用端子５１と、一対の調整用端子５１に接続される調整用導体５２とを備える。内部導体５３Ａは、絶縁基板１の基板面に垂直な方向に延在する第１内部導体５３Ａａ及び第３内部導体５３Ａｃと、絶縁基板１の基板面に沿った方向に延在する第２内部導体５３Ａｂとを有する。第１内部導体５３Ａａは、ヒータ線３と第２内部導体５３Ａｂとに接続されてヒータ線３と第２内部導体５３Ａｂとを導通する。第３内部導体５３Ａｃは、第２内部導体５３Ａｂと調整用端子５１とに接続されて第２内部導体５３Ａｂと調整用端子５１とを導通する。第２内部導体５３Ａｂは、絶縁基板１のヒータ線３が配置される層間（隣接する一対のセラミック絶縁層１ａ、１ａの間）と、第２面１２と、の間の層間（隣接する一対のセラミック絶縁層１ａ、１ａの間）に位置する。第２内部導体５３Ａｂは、絶縁基板１の基板面に垂直な方向から透視したとき、ヒータ線３の外周部から加熱領域Ｗ１の外方に延在する。加熱領域Ｗ１は、ヒータ線３の配置領域に相当する。加熱領域Ｗ１は、加熱対象物が対向する領域を含み、この領域よりも大きくてもよい。例えば、ヒータ基板１００がプローブカード７００に適用される場合、加熱領域Ｗ１は、加熱対象物であるウエハＳＷが対向する領域を含み、ウエハＳＷが対向する領域よりも大きくてもよい（図１４Ａを参照）。第３内部導体５３Ａｃは、第２内部導体５３Ａｂの加熱領域Ｗ１よりも外方に位置する部位に接続され、調整用端子５１及び調整用導体５２は加熱領域Ｗ１の外側に位置する（図１３Ａを参照）。
実施形態３のヒータ基板１００によれば、実施形態１と比較して、調整用導体５２を第２面１２の周縁部に配置できる。第２面１２の中央又は加熱領域Ｗ１に配置する他の構成要素が多く、調整用導体５２の配置スペースが確保しにくい場合に、有用である。さらに、加熱領域Ｗ１は加熱対象物が対向する領域よりも大きく、加熱領域Ｗ１の外周部は加熱対象物が対向する領域から外れている場合がある。加熱領域Ｗ１の外周部は放熱性がよいため温度が低くなりやすいが、調整部によりさらに温度が低くされても、加熱対象物が対向していなければ、加熱対象物に対する均熱性に影響を及ぼしにくいという利点がある。
（プローブカード用基板）
図１４Ａは、本開示の実施形態のプローブカードを示す平面図である。図１４Ｂは、図１４ＡのＢ－Ｂ線における断面図である。図１５は、本開示の実施形態のプローブカード用基板の第２面側の平面図である。図１６は、ヒータ線と回路導体とが交差する構造の一例を示す図である。
本開示の実施形態のプローブカード７００は、ウエハＳＷ上の複数の半導体素子を検査する装置に組み込まれる部品であり、半導体素子の端子にプローブピン４００を接触させた状態で、半導体素子に信号又は電圧を送り、半導体素子から信号又は電圧を受ける。プローブカード７００は、プローブカード用基板３００と、プローブカード用基板３００に固定されたプローブピン４００とを備える。プローブカード用基板３００は、ヒータ基板１００と、ヒータ基板１００の第１面１１上に位置する回路基板２００とを備える。
ヒータ基板１００は、実施形態１から実施形態３に示した構成に加え、第１面１１から第２面１２に渡って位置しかつヒータ線３と絶縁された複数の第１回路導体２を備える。各第１回路導体２は、第１面１１に位置する接合導体２１と、絶縁基板１内に位置する内部導体２２と、第２面１２に位置する外部端子２３と、を有する。内部導体２２は、一端が接合導体２１に接続され、他端が外部端子２３に接続され、外部端子２３と接合導体２１とを電気的に接続する。内部導体２２は、ヒータ基板１００の基板面に垂直な方向に延在する部分と、基板面に沿った方向に延在する部分とを含んでいてもよい。図１６に示すように、ヒータ線３は貫通孔３０を有し、ヒータ線３と交差する位置に配置された内部導体２２は、ヒータ線３の貫通孔３０を通ることで、ヒータ線３と絶縁され、かつ、ヒータ線３を交差して第１面１１から第２面１２へ延在する。図１４Ｂに１本のように描かれた内部導体２２は、図１６に示すように、複数の内部導体２２の束であってもよい。ヒータ線３に給電を行う内部導体４２についても図１Ｂで１本のように描かれた部分は、複数の内部導体４２の束であってもよい。ヒータ線３に接続される調整部５の内部導体５３についても、同様である。
図１５に示すように、ヒータ基板１００の第２面１２には、第１回路導体２の複数の外部端子２３が配列される。複数の外部端子２３は、調整用端子５１と調整用導体５２と離間して配置される。複数の外部端子２３は、第２面１２の周縁部を避けて位置する。このような構成においては、領域Ｄ２、Ｄ３に示すように、調整用端子５１と調整用導体５２とは第２面１２の周縁部に位置する構成の方が、調整用端子５１及び調整用導体５２が外部端子２３の配置スペースを狭めてしまうことを抑制できるので、有利である。
回路基板２００は、積層された複数の樹脂絶縁層２１０と、第２回路導体２２０とを有する。第２回路導体２２０は、回路基板２００の第３面２０１に位置する複数の接合導体２２１と、第３面２０１の反対側の第４面２０２に位置する複数の接合導体２２３と、回路基板２００の内部で第３面２０１から第４面２０２にかけて位置し、複数の接合導体２２１と複数の接合導体２２３とを電気的に接続させる複数の内部導体２２２とを有する。
複数の接合導体２２１は、ウエハＳＷ上の半導体素子の端子に対応して配置され、各々にプローブピン４００が接合される。複数の接合導体２２３は、ヒータ基板１００の複数の接合導体２１に対応して配置され、当該複数の接合導体２１に接続される。
ヒータ基板１００を有するプローブカード７００によれば、ヒータ線３を発熱させることで、ヒータ基板１００、回路基板２００及び検査対象のウエハＳＷを加熱することができる。さらに、ヒータ基板１００の調整部５により、ヒータ線３の発熱量が、ロットごと又は個体ごとのバラツキ、又は、加熱領域内の各部のバラツキを低減するように調整されている。あるいは、調整部５により、加熱領域Ｗ１内の複数の部位の発熱量が、所望の目標値に近づくように調整されている。したがって、高精度の温度条件でウエハＳＷの検査が可能となる。
＜製造方法の一例＞
絶縁基板１のセラミック絶縁層１ａは、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体、ムライト質焼結体又はガラスセラミックス等のセラミック焼結体からなる。ムライト質焼結体及びガラスセラミックスの一部は上記の他のセラミック焼結体と比較して熱膨張係数が小さく、検査対象のウエハＳＷの基体のシリコンの熱膨張係数に近い熱膨張系を有している。そのため、ヒータ基板１００をプローブカード７００として検査に用いた際に、検査時の環境の温度によってウエハＳＷ上の電極とプローブピン４００との位置ずれが発生し難い。そのため、検査精度に優れたプローブカード７００を提供することができる。酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体を用いた場合には、これらのセラミック焼結体は、ムライト質焼結体及びガラスセラミックスに対して強度が高く、熱伝導率も高いので剛性が高くヒータ線３で発生した熱のウエハＳＷへの熱伝導性に優れるものになる。
絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製することができる。まず、酸化アルミニウム粉末及び焼結助剤成分となる酸化ケイ素等の粉末を主成分とする原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練してスラリーとするとともに、このスラリーをドクターブレード法又はリップコータ法等の成形方法でシート状に成形してセラミック絶縁層１ａとなるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を作製する。次に、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を約１３００℃～１６００℃程度の温度で焼成することによって絶縁基板１を作製できる。
第１回路導体２は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン又は銅等の金属材料、もしくは、これらの金属材料の合金材料を導体成分として含むものである。例えば、これらの金属材料（合金材料）をセラミックグリーンシートの焼成と同時に焼結させて、絶縁基板１の表面及び内部にメタライズ導体として形成されている。例えば、焼結性を高めるためあるいはセラミックとの接合強度を高めるために、ガラスやセラミックス等の無機成分を含むものとすることもできる。
第１回路導体２の接合導体２１、内部導体２２の内部導体層（基板面に沿った方向に延在する部分）及び外部端子２３は、例えば、タングステンのメタライズ層である場合には、以下のようにして形成することができる。例えば、タングステンの粉末を有機溶剤及び有機バインダと混合して作製した金属ペーストをセラミック絶縁層１ａとなる上記グリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷してグリーンシートとともに焼成する方法で形成することができる。また、内部導体２２のビア導体（基板面に垂直な方向に延在する部分）は、上記の金属ペーストの印刷に先駆けてグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておくことで形成することができる。
接合導体２１及び外部端子２３のように露出する導体層の表面には、１～１０μｍ程度のニッケル膜及び０．１～３μｍ程度の金膜を順に形成して、その表面を保護するとともに、ろう材やはんだ等の接合性を高めることができる。ニッケル膜及び金膜は、電解めっきによるめっき膜あるいは薄膜で形成することができる。
接合導体２１は、上記のようなメタライズ導体で形成することもできるが、薄膜導体の配線層で形成することもできる。薄膜導体の配線層は、例えば以下のようにして作製することができる。例えばスパッタ法等の薄膜形成法を用いて、まず、メタライズ導体の内部導体２２及び外部端子２３を有する絶縁基板１の第１面１１の全面に０．１～３μｍ程度のチタンやクロム等の接合金属層を形成する。次に、この接合金属層の全面に２～１０μｍ程度の銅等の主導体層を形成して、導電性薄膜層を形成する。必要に応じてバリア層等を形成してもよい。そして、フォトリソグラフィーにより導電性薄膜層をパターン加工することで薄膜の接合導体２１を形成することができる。
絶縁基板１の第１面１１は、その上に上記の薄膜の接合導体２１を形成する前に、研磨加工等で平坦化しておくことができる。これにより薄膜の接合導体２１を精度よく形成することができる。
ヒータ線３、並びに、給電導体４の給電端子４３は、調整部５の調整用端子５１及び第２内部導体５３Ａｂ、第１回路導体２の接合導体２１、内部導体２２の内部導体層及び外部端子２３と同様の材料及び方法で、メタライズ層で形成することができる。ヒータ線３用の金属ペーストとして、第１回路導体２用の金属ペーストに対して、例えばセラミック粒子等の高抵抗成分を加えた金属ペーストを用いることもできる。ヒータ線３の貫通孔３０は、グリーンシートにスクリーン印刷する際のスクリーンパターンにより設定することができる。給電導体４の内部導体４２、並びに、調整部５の内部導体５３、第１内部導体５３Ａａ、第３内部導体５３Ａｃは、内部導体２２のビア導体と同様の材料及び方法で形成することができる。
回路基板２００は、上述したように積層された複数の樹脂絶縁層２１０（樹脂絶縁基板）を含んでいる。樹脂絶縁層２１０の数及び厚みは検査対象の半導体素子の電極の数等によって設定され、ヒータ基板１００の第１回路導体２（接合導体２１）に接続して展開できるように設定される。
樹脂絶縁層２１０は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリキノリン樹脂、フッ素樹脂等の絶縁樹脂から成るものである。
樹脂絶縁層２１０は、成形性や熱膨張係数の調整のためにフィラーを含むものであってもよい。フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン、マイカ、タルク、ノイブルグ珪土、有機ベントナイト、リン酸ジルコニウム等の無機フィラーが挙げられる。これらの１種を単独で、又は２種以上を適宜組み合わせて用いることができる。
樹脂絶縁基板は、例えば、複数のフィルム状の樹脂絶縁層２１０を積層して接着することで形成する方法、液状の前駆体樹脂を塗布して硬化させて樹脂絶縁層２１０を形成し、その上に液状の前駆体液状樹脂で樹脂絶縁層２１０を形成する工程を繰り返す方法で作製することができる。フィルム状の樹脂絶縁層２１０を積層する方法の方がより効率的である。
第２回路導体２２０の接合導体２２１、２２３及び内部導体２２２の形成は、例えば、以下のようにすればよい。まず、内部導体２２２のビア導体（基板面に垂直な方向に延在する部分）及び薄膜配線層（基板面に沿った方向に延在する部分）に対応する開口を有するレジスト膜を樹脂絶縁層２１０となる樹脂層上に形成するとともに、エッチング加工又はレーザー加工することによって薄膜配線層に対応する凹部、及びビア導体に対応する貫通孔を形成する。薄膜配線層に対応する凹部は必ずしも必要ではないが、凹部を設けることで薄膜配線層と樹脂絶縁層２１０との接合信頼性を高めることができる。次に、蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法により、樹脂絶縁層２１０の凹部及び貫通孔内に、例えばクロム（Ｃｒ）－銅（Ｃｕ）合金層やチタン（Ｔｉ）－銅（Ｃｕ）合金層から成る下地導体層を形成する。次に、めっき等で銅や金等の電気抵抗の小さい金属で凹部及び貫通孔を埋めてレジストを剥離することで内部導体２２２を形成することができる。
第２回路導体２２０の接合導体２２１の表面には、１～１０μｍ程度のニッケル膜及び０．１～３μｍ程度の金膜を順に形成して、接合導体２２１の表面を保護するとともに、ろう材やはんだ等の接合性を高めることができる。ニッケル膜及び金膜は、電解めっきによるめっき膜あるいは薄膜で形成することができる。
ヒータ基板１００と回路基板２００とを積層構造にする方法は、例えば、回路基板２００を作製しておいてヒータ基板１００の上面（第１面１１）に接着する方法、あるいはヒータ基板１００の上面（第１面１１）に樹脂絶縁層２１０を１層ずつ積層していく方法がある。樹脂絶縁層２１０を１層ずつ積層していく方法は、上述したフィルム状の樹脂を用いる方法、液状の前駆体樹脂を用いる方法いずれでもよい。回路基板２００を作製しておいて複数の樹脂絶縁層２１０（及び第２回路導体２２０）を一括してヒータ基板１００の上面（第１面１１）に接着する方法はより効率的である。
このようにして作製されたプローブカード用基板３００の第２回路導体２２０（接合導体２２１）にプローブピン４００を取り付けることでプローブカード７００となる。プローブピン４００は接合導体２２１に機械的に接合されるとともに電気的に接続されている。
プローブピン４００は、例えば、ニッケルやタングステンなどの金属からなるものである。プローブピン４００がニッケルからなる場合であれば、例えば、以下のようにして作製される。まず、シリコン基板の１面にエッチングで複数のプローブピンの雌型を形成する。雌型はプローブカード用基板３００の接合導体２２１の配置に対応するように配置されている。次に、シリコン基板の雌型を形成した面にめっき法を用いてニッケルから成る金属を被着させて、さらに雌型をニッケルで埋め込む。この雌型に埋め込まれたニッケル以外の、シリコン基板の上面に被着しているニッケルをエッチング法等の加工を用いて除去して、ニッケル製プローブピンが埋設されたシリコン基板を作製する。このシリコン基板に埋設されたニッケル製プローブピンをプローブカード用基板３００の接合導体２２１にはんだ等の導電性の接合材で接合する。そして、シリコン基板を水酸化カリウム水溶液で除去することによって、プローブカード用基板３００の接合導体２２１にプローブピン４００が接合されたプローブカード７００が得られる。
以上、本開示の各実施形態について説明した。しかし、本開示のヒータ基板、プローブカード用基板及びプローブカードは上記実施形態に限られるものでない。例えば、上記実施形態では、ヒータ基板をプローブカード用基板に適用する例を示したが、ヒータ基板は、その他、加熱を要する様々な基板に適用されてもよい。また、上記実施形態に示される調整部の数、配置、調整部が接続されるヒータ線の区間、調整用導体のパターンは、一例に過ぎず、様々に変更可能である。調整用導体のパターンは、調整部が接続されるヒータ線の区間のパターンと相似形であってもよいし、異なるパターンであってもよい。その他、実施形態で示した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
本開示は、ヒータ基板、プローブカード用基板及びプローブカードに利用できる。
１ 絶縁基板
１ａ セラミック絶縁層
２ 第１回路導体
３、３Ａ～３Ｍ ヒータ線
４ 給電導体
１１ 第１面
１２ 第２面
２１ 接合導体
２２ 内部導体
２３ 外部端子
３０ 貫通孔
４２ 内部導体
４３ 給電端子
５、５Ａ～５Ｌ 調整部
５１ 調整用端子
５２ 調整用導体
５３、５３Ａ 内部導体
５３Ａａ 第１内部導体
５３Ａｂ 第２内部導体
５３Ａｃ 第３内部導体
１００ ヒータ基板
２００ 回路基板
２０１ 第３面
２０２ 第４面
２１０ 樹脂絶縁層
２２０ 第２回路導体
２２１、２２３ 接合導体
２２２ 内部導体
３００ プローブカード用基板
４００ プローブピン
７００ プローブカード
Ｃ１ 中央部
ＳＣ１～ＳＣ４ 区間
ＳＷ ウエハ
Ｗ１ 加熱領域（配置領域）

Claims (9)

  1. 第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有する絶縁基板と、
    前記絶縁基板内に位置するヒータ線と、
    前記ヒータ線に電気的に接続された調整部と、
    を備え、
    前記調整部は、
    前記第２面に位置し前記ヒータ線の一部の区間の両端にそれぞれ電気的に接続された一対の調整用端子と、
    前記第２面に位置し前記一対の調整用端子に接続された調整用導体と、
    を有する、
    ヒータ基板。
  2. 複数の前記調整部を備え、
    前記複数の調整部が前記第２面において分散配置されている、
    請求項１記載のヒータ基板。
  3. 前記第２面の中央部に位置する前記調整部を含む、
    請求項１又は請求項２に記載のヒータ基板。
  4. 前記調整部は、
    前記調整用端子と前記ヒータ線とを電気的に接続する内部導体を有し、
    前記内部導体は、前記第１面に垂直な方向に延在する第１内部導体と、前記絶縁基板の基板面に沿った方向に延在する第２内部導体とを含む、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のヒータ基板。
  5. 前記第１面に垂直な方向から透視したとき、前記第２内部導体は前記ヒータ線の配置領域の周縁部から前記配置領域の外方へ延在する、
    請求項４記載のヒータ基板。
  6. 前記調整用導体の比抵抗と前記ヒータ線の比抵抗とが異なる、
    請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のヒータ基板。
  7. 前記第１面から前記第２面へかけて位置し、前記ヒータ線と絶縁された複数の第１回路導体を更に備える、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のヒータ基板。
  8. 請求項７に記載のヒータ基板と、
    前記ヒータ基板の前記第１面上に位置し、複数の第２回路導体を有する回路基板とを備え、
    前記複数の第２回路導体が前記複数の第１回路導体に接続されている、
    プローブカード用基板。
  9. 請求項８に記載のプローブカード用基板と、前記複数の第２回路導体に接続された複数のプローブピンと、を備えるプローブカード。

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020017916A1 (en) 1999-01-26 2002-02-14 Simon Costello Termperature-controlled semiconductor wafer chuck system
JP2002184558A (ja) 2000-12-12 2002-06-28 Ibiden Co Ltd ヒータ
JP2011069759A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Kyocera Corp プローブカード用基板，プローブカードおよびこれを用いた半導体ウエハ検査装置
JP2017201669A (ja) 2016-05-06 2017-11-09 日本特殊陶業株式会社 加熱部材及び静電チャック

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5895591A (en) * 1994-07-06 1999-04-20 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic heater and oxygen sensor
DE102008013978B4 (de) * 2007-03-16 2021-08-12 Cascade Microtech, Inc. Chuck mit triaxialem Aufbau
KR100891384B1 (ko) * 2007-06-14 2009-04-02 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 기판 접합 및 탈착장치
JP5074878B2 (ja) * 2007-10-15 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 検査装置
EP2341800B8 (en) * 2008-07-18 2012-12-26 Gentherm Incorporated Climate controlled bed assembly
US9224626B2 (en) * 2012-07-03 2015-12-29 Watlow Electric Manufacturing Company Composite substrate for layered heaters
JP6703367B2 (ja) * 2014-12-05 2020-06-03 デクセリアルズ株式会社 加熱基板、保護素子および電子機器
EP3994002A4 (en) * 2019-07-01 2023-07-26 Coorstek Inc. MULTI-ZONE SILICON NITRIDE WAFER HEATER ASSEMBLY HAVING A CORROSION PROTECTIVE LAYER, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME
US20220413015A1 (en) * 2019-11-27 2022-12-29 Kyocera Corporation Circuit board, probe card substrate, and probe card

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020017916A1 (en) 1999-01-26 2002-02-14 Simon Costello Termperature-controlled semiconductor wafer chuck system
JP2002184558A (ja) 2000-12-12 2002-06-28 Ibiden Co Ltd ヒータ
JP2011069759A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Kyocera Corp プローブカード用基板，プローブカードおよびこれを用いた半導体ウエハ検査装置
JP2017201669A (ja) 2016-05-06 2017-11-09 日本特殊陶業株式会社 加熱部材及び静電チャック

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