JP7333973B2 - 2つのガス入口部を有するプラズマ装置 - Google Patents
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Description
1.微生物の増殖したTSBプレートから単一のコロニーを選択し、TSB培地の入った5mlチューブ内に継代して、微生物を振盪培養器において30℃の条件下で14~24時間培養する。
2.培養液100μlを採取して10倍希釈し、分光計でOD600を検知する(1 OD=1×109 cfu/ml)。
3.水を用いて連続希釈を行い、微生物の濃度を105(8.67×105 cfu/ml)に希釈する。
4.500μlの希釈された微生物(105)を採取し、TSBプレートにおいて培養する。
5.本開示の装置で発生させたプラズマによって、プレート上の微生物を処理する。ノズルの開口部とプレートとの間の距離は、5mmである。
6.微生物を30℃の条件下で1~2日間培養し、増殖阻止域を観察する。
Claims (6)
- 制御ユニットと、
前記制御ユニットに接続されたプラズマ発生器と、
を備え、
前記制御ユニットは、
第1ガス入口部及び第1ガス制御部を有する第1ガスモジュールと、
第2ガス入口部及び第2ガス制御部を有する第2ガスモジュールと、
総ガス流検知器と、
高電圧発生器と、
を備え、
前記プラズマ発生器は、
第1端部及び第2端部を有するプラズマチューブと、
前記プラズマチューブの内面上に配置された第1誘電体層と、
前記第1誘電体層上に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された第2誘電体層と、
前記第2誘電体層上に配置された第2電極と、
前記プラズマチューブの第2端部に配置されたプラズマノズルと、
を備え、
前記第2電極は、内部に複数の中空の円筒部を有する円筒形状であり、
前記複数の中空の円筒部は、前記第2電極の延在方向に沿って延在している、
2つのガス入口部を有する装置。 - 制御ユニットと、
前記制御ユニットに接続されたプラズマ発生器と、
を備え、
前記制御ユニットは、
第1ガス入口部及び第1ガス制御部を有する第1ガスモジュールと、
第2ガス入口部及び第2ガス制御部を有する第2ガスモジュールと、
総ガス流検知器と、
高電圧発生器と、
を備え、
前記プラズマ発生器は、
第1端部及び第2端部を有するプラズマチューブと、
前記プラズマチューブの内面上に配置された第1誘電体層と、
前記第1誘電体層上に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された第2誘電体層と、
前記第2誘電体層上に配置された第2電極と、
前記プラズマチューブの第2端部に配置されたプラズマノズルと、
を備え、
前記第2電極は、内部に複数の小葉形状の中空の管部を有する円筒形状であり、
前記複数の小葉形状の中空の管部は、前記第2電極の延在方向に沿って延在している、
2つのガス入口部を有する装置。 - 前記プラズマ発生器は、実質的に回転対称形状の前記第2電極を備える、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記プラズマ発生器は、前記第1端部及び前記第2端部にそれぞれ配置された上部カバーと底部カバーとを更に備え、
前記上部カバーは、コネクタを介して前記制御ユニットに接続され、
前記底部カバーに、プラズマノズルが配置される、
請求項1又は2に記載の装置。 - 前記制御ユニットは、
プログラマブルロジックコントローラ(PLC)と、
ブザーと、
交流/直流変換器と、
ヒューマンマシンインターフェース(HMI)と、
を更に備える、
請求項4に記載の装置。 - 前記制御ユニットは、電源に接続される、請求項1又は2に記載の装置。
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