JP7333226B2 - Display device manufacturing method and display device - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置の製造方法及び表示装置に関する。 The present invention relates to a display device manufacturing method and a display device.

近年、表示素子として微小サイズの発光ダイオード（マイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ））を用いた表示装置が注目されている。例えば特許文献１には、白色の光を発光する発光ダイオードに赤色のカラーフィルタを重ねることで、赤色を表現する表示装置が記載されている。 2. Description of the Related Art In recent years, attention has been focused on display devices using micro-sized light-emitting diodes (micro LEDs) as display elements. For example, Patent Literature 1 describes a display device that expresses red by overlapping a red color filter on a light emitting diode that emits white light.

米国特許出願公開第２０１８／０２０６２９９号公報U.S. Patent Application Publication No. 2018/0206299

ここで、発光ダイオードは、例えば基板上で製造されてから、表示装置１のアレイ基板（バックプレーン）に搭載される。発光ダイオードは、適切に発光できない不良品が製造されてしまうことがあり、そのような不良品が表示装置に搭載されると、表示装置が適切に画像を表示できなくなるおそれがある。不良品の代わりに別の発光ダイオードを表示装置に搭載することも可能であるが、搭載工程の作業負荷が高くなる場合もある。従って、不良品の発光ダイオードが製造された場合にも、製造の作業負荷が高くなることを抑制しつつ、適切に画像を表示可能な表示装置を提供することが求められている。 Here, the light-emitting diodes are manufactured on a substrate, for example, and then mounted on the array substrate (backplane) of the display device 1 . A defective light-emitting diode that cannot emit light properly may be manufactured, and if such a defective product is mounted on a display device, the display device may not be able to display an image properly. Although it is possible to mount another light-emitting diode on the display device instead of the defective one, the workload of the mounting process may increase. Therefore, it is desired to provide a display device capable of appropriately displaying an image while suppressing an increase in manufacturing workload even when a defective light-emitting diode is manufactured.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、不良が起きた場合にも、製造の作業負荷が高くなることを抑制しつつ、適切に画像を表示可能な表示装置、及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a display device that can appropriately display an image while suppressing an increase in manufacturing workload even when a defect occurs, and a display device. The object is to provide a manufacturing method.

本発明の一態様による表示装置の製造方法は、アレイ基板及びマトリクス状に並ぶ複数の無機発光素子を備える表示装置の製造方法であって、形成基板上に形成された複数の前記無機発光素子から、不良となる前記無機発光素子である不良無機発光素子を検出する検出ステップと、前記形成基板上に形成された前記無機発光素子のうち、前記不良無機発光素子以外の前記無機発光素子を、前記アレイ基板上に搭載する第１搭載ステップと、前記不良無機発光素子とは異なる色の光を発光する代替無機発光素子を、前記アレイ基板上に搭載する第２搭載ステップと、前記代替無機発光素子と重畳する位置に、前記代替無機発光素子からの光を前記不良無機発光素子からの光と同じ色の光にして出射するフィルタ部を形成するフィルタ部形成ステップと、を含む。 A method of manufacturing a display device according to an aspect of the present invention is a method of manufacturing a display device including an array substrate and a plurality of inorganic light emitting elements arranged in a matrix, wherein the plurality of inorganic light emitting elements formed on a formation substrate are a detection step of detecting a defective inorganic light emitting element that is the inorganic light emitting element to be defective; a first mounting step of mounting on an array substrate; a second mounting step of mounting, on the array substrate, a substitute inorganic light emitting element that emits light of a color different from that of the defective inorganic light emitting element; and the substitute inorganic light emitting element. and forming a filter portion for outputting the light from the substitute inorganic light emitting element in the same color as the light from the defective inorganic light emitting element.

本発明の一態様による表示装置は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光素子を備える表示装置であって、複数の前記無機発光素子は、所定の色の光を発光する無機発光素子と、前記所定の色の光とは異なる色の光を発光する代替無機発光素子と、を含み、前記代替無機発光素子と重畳する位置に設けられ、前記代替無機発光素子からの光を前記所定の色の光と同じ色の光にして出射するフィルタ部が設けられる。 A display device according to an aspect of the present invention is a display device including a plurality of inorganic light-emitting elements arranged in a matrix, wherein the plurality of inorganic light-emitting elements include an inorganic light-emitting element that emits light of a predetermined color and the predetermined color of light. and a substitute inorganic light emitting element that emits light of a color different from the color of the light of the predetermined color. A filter section is provided for outputting light having the same color as the light.

図１は、本実施形態に係る表示装置の構成例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a display device according to this embodiment. 図２は、複数の画素を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a plurality of pixels. 図３は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a pixel circuit of a display device. 図４は、図１のＩＶ－ＩＶ’断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along IV-IV' in FIG. 図５は、本実施形態に係る無機発光体の構成例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration example of an inorganic light emitter according to this embodiment. 図６は、代替無機発光体が搭載された場合の例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing an example when an alternative inorganic light emitter is mounted. 図７は、代替無機発光体が搭載された場合の例を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing an example when an alternative inorganic light emitter is mounted. 図８は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。8A and 8B are diagrams for explaining the manufacturing method of the display device according to the present embodiment. 図９は、代替無機発光体が搭載された場合の他の例を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing another example when an alternative inorganic light emitter is mounted. 図１０は、代替無機発光体が搭載された場合の他の例を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing another example when an alternative inorganic light emitter is mounted. 図１１は、代替無機発光体が搭載された場合の他の例を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing another example when an alternative inorganic light emitter is mounted.

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Each embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive appropriate modifications while keeping the gist of the invention are, of course, included in the scope of the present invention. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual embodiment, but this is only an example, and the interpretation of the present invention is not intended. It is not limited. In addition, in this specification and each figure, the same reference numerals may be given to the same elements as those described above with respect to the existing figures, and detailed description thereof may be omitted as appropriate.

（表示装置の構成）
図１は、本実施形態に係る表示装置の構成例を示す平面図である。図１に示すように、表示装置１は、アレイ基板２と、画素Ｐｉｘと、駆動回路１２と、駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１０と、カソード配線６０と、を含む。アレイ基板２は、各画素Ｐｉｘを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。アレイ基板２は、基板１０、複数のトランジスタ、複数の容量及び各種配線等を有する。 (Configuration of display device)
FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a display device according to this embodiment. As shown in FIG. 1 , the display device 1 includes an array substrate 2 , pixels Pix, a drive circuit 12 , a drive IC (Integrated Circuit) 210 and cathode wiring 60 . The array substrate 2 is a drive circuit substrate for driving each pixel Pix, and is also called a backplane or an active matrix substrate. The array substrate 2 has a substrate 10, a plurality of transistors, a plurality of capacitors, various wirings, and the like.

図１に示すように、表示装置１は、表示領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。表示領域ＡＡは、複数の画素Ｐｉｘが配置される領域であり、画像を表示する領域である。周辺領域ＧＡは、複数の画素Ｐｉｘと重ならない領域であり、表示領域ＡＡの外側に配置される。 As shown in FIG. 1, the display device 1 has a display area AA and a peripheral area GA. The display area AA is an area in which a plurality of pixels Pix are arranged, and is an area for displaying an image. The peripheral area GA is an area that does not overlap with the plurality of pixels Pix, and is arranged outside the display area AA.

複数の画素Ｐｉｘは、基板１０の表示領域ＡＡにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列される。なお、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙは、アレイ基板２の基板１０の第１面１０ａ（図４参照）に対して平行な方向である。第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交する。ただし、第１方向Ｄｘは、第２方向Ｄｙと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、例えば、基板１０の法線方向に対応する。以下、平面視とは、第３方向Ｄｚから見た場合の位置関係を示す。 A plurality of pixels Pix are arranged in the first direction Dx and the second direction Dy in the display area AA of the substrate 10 . The first direction Dx and the second direction Dy are directions parallel to the first surface 10a (see FIG. 4) of the substrate 10 of the array substrate 2. As shown in FIG. The first direction Dx is orthogonal to the second direction Dy. However, the first direction Dx may intersect the second direction Dy without being orthogonal. The third direction Dz is a direction orthogonal to the first direction Dx and the second direction Dy. The third direction Dz corresponds to the normal direction of the substrate 10, for example. Hereinafter, a planar view indicates a positional relationship when viewed from the third direction Dz.

駆動回路１２は、基板１０の周辺領域ＧＡに設けられる。駆動回路１２は、駆動ＩＣ２１０からの各種制御信号に基づいて複数のゲート線（例えば、発光制御走査線ＢＧ、リセット制御走査線ＲＧ、初期化制御走査線ＩＧ及び書込制御走査線ＳＧ（図３参照））を駆動する回路である。駆動回路１２は、複数のゲート線を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線にゲート駆動信号を供給する。これにより、駆動回路１２は、ゲート線に接続された複数の画素Ｐｉｘを選択する。 The drive circuit 12 is provided in the peripheral area GA of the substrate 10 . Based on various control signals from the drive IC 210, the drive circuit 12 operates a plurality of gate lines (for example, the light emission control scanning line BG, the reset control scanning line RG, the initialization control scanning line IG, and the write control scanning line SG (see FIG. 3). ))). The drive circuit 12 sequentially or simultaneously selects a plurality of gate lines and supplies gate drive signals to the selected gate lines. Thereby, the drive circuit 12 selects a plurality of pixels Pix connected to the gate line.

駆動ＩＣ２１０は、表示装置１の表示を制御する回路である。駆動ＩＣ２１０は、基板１０の周辺領域ＧＡにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）として実装されてもよい。これに限定されず、駆動ＩＣ２１０は、基板１０の周辺領域ＧＡに接続された配線基板の上にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）として実装されてもよい。なお、基板１０に接続される配線基板は、例えば、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ基板）やリジット基板（ＰＣＢ基板）である。 The drive IC 210 is a circuit that controls the display of the display device 1 . The drive IC 210 may be mounted as a COG (Chip On Glass) in the peripheral area GA of the substrate 10 . Without being limited to this, the drive IC 210 may be mounted as a COF (Chip On Film) on a wiring substrate connected to the peripheral area GA of the substrate 10 . The wiring board connected to the board 10 is, for example, a flexible printed board (FPC board) or a rigid board (PCB board).

カソード配線６０は、基板１０の周辺領域ＧＡに設けられる。カソード配線６０は、表示領域ＡＡの複数の画素Ｐｉｘ及び周辺領域ＧＡの駆動回路１２を囲んで設けられる。複数の無機発光体１００（図４参照）のカソード（カソード電極１１４（図４参照））は、共通のカソード配線６０に接続され、固定電位（例えば、グランド電位）が供給される。より具体的には、無機発光体１００のカソード電極１１４は、アレイ基板２上の対向カソード電極９０ｅを介して、カソード配線６０に接続される。なお、カソード配線６０は、一部にスリットを有し、基板１０上において、２つの異なる配線で形成されてもよい。 The cathode wiring 60 is provided in the peripheral area GA of the substrate 10 . The cathode wiring 60 is provided surrounding the plurality of pixels Pix in the display area AA and the drive circuit 12 in the peripheral area GA. The cathodes (cathode electrodes 114 (see FIG. 4)) of the plurality of inorganic light emitters 100 (see FIG. 4) are connected to a common cathode wiring 60 and supplied with a fixed potential (eg, ground potential). More specifically, the cathode electrode 114 of the inorganic light emitter 100 is connected to the cathode wiring 60 via the opposing cathode electrode 90 e on the array substrate 2 . Note that the cathode wiring 60 may have a slit in part and may be formed of two different wirings on the substrate 10 .

図２は、複数の画素を示す平面図である。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘは、複数の画素４９を含む。例えば、画素Ｐｉｘは、第１画素４９Ｒと、第２画素４９Ｇと、第３画素４９Ｂとを有する。第１画素４９Ｒは、第１色としての原色の赤色を表示する。第２画素４９Ｇは、第２色としての原色の緑色を表示する。第３画素４９Ｂは、第３色としての原色の青色を表示する。図２に示すように、１つの画素Ｐｉｘにおいて、第１画素４９Ｒと第３画素４９Ｂは第１方向Ｄｘで並ぶ。また、第２画素４９Ｇと第３画素４９Ｂは第２方向Ｄｙで並ぶ。なお、第１色、第２色、第３色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、第１画素４９Ｒと、第２画素４９Ｇと、第３画素４９Ｂとをそれぞれ区別する必要がない場合、画素４９という。なお、１つの画素Ｐｉｘに含まれる画素４９は３つに限らず、４以上の画素４９が対応づけられていてもよい。また、複数の画素４９の配置は、図２に示す構成に限定されない。例えば、第１画素４９Ｒは第２画素４９Ｇと第１方向Ｄｘに隣り合っていてもよい。また、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ、及び、第３画素４９Ｂが、この順で第１方向Ｄｘに繰り返し配列されてもよい。 FIG. 2 is a plan view showing a plurality of pixels. As shown in FIG. 2, one pixel Pix includes multiple pixels 49 . For example, the pixel Pix has a first pixel 49R, a second pixel 49G, and a third pixel 49B. The first pixel 49R displays the primary color red as the first color. The second pixel 49G displays the primary color green as the second color. The third pixel 49B displays the primary color blue as the third color. As shown in FIG. 2, in one pixel Pix, the first pixel 49R and the third pixel 49B are arranged in the first direction Dx. Also, the second pixel 49G and the third pixel 49B are arranged in the second direction Dy. Note that the first, second, and third colors are not limited to red, green, and blue, respectively, and arbitrary colors such as complementary colors can be selected. Hereinafter, the first pixel 49R, the second pixel 49G, and the third pixel 49B are referred to as pixels 49 when there is no need to distinguish between them. Note that the number of pixels 49 included in one pixel Pix is not limited to three, and four or more pixels 49 may be associated. Also, the arrangement of the plurality of pixels 49 is not limited to the configuration shown in FIG. For example, the first pixel 49R may be adjacent to the second pixel 49G in the first direction Dx. Alternatively, the first pixels 49R, the second pixels 49G, and the third pixels 49B may be repeatedly arranged in this order in the first direction Dx.

画素４９は、それぞれ、無機発光素子１０２を有する無機発光体１００を備える。表示装置１は、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂにおいて、無機発光体１００ごとに異なる光を出射することで画像を表示する。無機発光体１００は、平面視で、数μｍ以上、３００μｍ以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）チップであり、一般的には、一つのチップサイズが１００μｍ以上をミニＬＥＤ（ｍｉｎｉＬＥＤ）、１００μｍ未満～数μｍのサイズをマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）と呼ばれる。本発明ではいずれのサイズのＬＥＤも用いることができ、表示装置の画面サイズ（一画素の大きさ）に応じて使い分ければよい。各画素にマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）を備える表示装置は、マイクロＬＥＤ表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロＬＥＤのマイクロは、無機発光体１００の大きさを限定するものではない。 Pixels 49 each comprise an inorganic light emitter 100 having an inorganic light emitting element 102 . The display device 1 displays an image by emitting different light for each inorganic light emitter 100 in the first pixel 49R, the second pixel 49G, and the third pixel 49B. The inorganic light emitting body 100 is an inorganic light emitting diode (LED) chip having a size of several μm or more and 300 μm or less in a plan view. An LED (miniLED) and a size of less than 100 μm to several μm are called a micro LED (micro LED). In the present invention, LEDs of any size can be used, and may be used according to the screen size (size of one pixel) of the display device. A display device having a micro LED in each pixel is also called a micro LED display device. Note that the micro of the micro LED does not limit the size of the inorganic light emitter 100 .

図３は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。図３に示す画素回路ＰＩＣＡは、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂのそれぞれに設けられる。画素回路ＰＩＣＡは、基板１０に設けられ、駆動信号（電流）を無機発光体１００に供給する回路である。なお、図３において、画素回路ＰＩＣＡについての説明は、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂのそれぞれが有する画素回路ＰＩＣＡに適用できる。 FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a pixel circuit of a display device. The pixel circuit PICA shown in FIG. 3 is provided in each of the first pixel 49R, the second pixel 49G and the third pixel 49B. The pixel circuit PICA is a circuit that is provided on the substrate 10 and supplies a drive signal (current) to the inorganic light emitter 100 . Note that the description of the pixel circuit PICA in FIG. 3 can be applied to the pixel circuit PICA included in each of the first pixel 49R, the second pixel 49G, and the third pixel 49B.

図３に示すように、画素回路ＰＩＣＡは、無機発光体１００と、５つのトランジスタと、２つの容量と、を含む。具体的には、画素回路ＰＩＣＡは、発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、書込トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ及び駆動トランジスタＤＲＴを含む。一部のトランジスタは、隣接する複数の画素４９で共有されていてもよい。例えば、発光制御トランジスタＢＣＴは、共通配線を介して、３つの画素４９で共有されていてもよい。また、リセットトランジスタＲＳＴは、周辺領域ＧＡに設けられ、例えば画素４９の各行に１つ設けられていてもよい。この場合、リセットトランジスタＲＳＴは、共通配線を介して複数の駆動トランジスタＤＲＴのソースに接続される。 As shown in FIG. 3, the pixel circuit PICA includes an inorganic light emitter 100, five transistors and two capacitors. Specifically, the pixel circuit PICA includes a light emission control transistor BCT, an initialization transistor IST, a write transistor SST, a reset transistor RST, and a drive transistor DRT. Some transistors may be shared by adjacent pixels 49 . For example, the emission control transistor BCT may be shared by three pixels 49 via a common wiring. Also, the reset transistor RST may be provided in the peripheral area GA, for example, one reset transistor RST may be provided in each row of the pixels 49 . In this case, the reset transistor RST is connected to the sources of the multiple drive transistors DRT via a common wiring.

画素回路ＰＩＣＡが有する複数のトランジスタは、それぞれｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成される。ただし、これに限定されず、各トランジスタは、それぞれｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。ｐ型ＴＦＴを用いる場合は、適宜電源電位や保持容量Ｃｓ１及び容量Ｃｓ２の接続を適合させてもよい。 Each of the plurality of transistors included in the pixel circuit PICA is composed of an n-type TFT (Thin Film Transistor). However, it is not limited to this, and each transistor may be composed of a p-type TFT. When a p-type TFT is used, the power supply potential and the connection of the storage capacitor Cs1 and the capacitor Cs2 may be appropriately adapted.

発光制御走査線ＢＧは、発光制御トランジスタＢＣＴのゲートに接続される。初期化制御走査線ＩＧは、初期化トランジスタＩＳＴのゲートに接続される。書込制御走査線ＳＧは、書込トランジスタＳＳＴのゲートに接続される。リセット制御走査線ＲＧは、リセットトランジスタＲＳＴのゲートに接続される。 The emission control scanning line BG is connected to the gate of the emission control transistor BCT. The initialization control scanning line IG is connected to the gate of the initialization transistor IST. The write control scanning line SG is connected to the gate of the write transistor SST. The reset control scanning line RG is connected to the gate of the reset transistor RST.

発光制御走査線ＢＧ、初期化制御走査線ＩＧ、書込制御走査線ＳＧ及びリセット制御走査線ＲＧは、それぞれ、駆動回路１２（図１参照）に接続される。駆動回路１２は、発光制御走査線ＢＧ、初期化制御走査線ＩＧ、書込制御走査線ＳＧ及びリセット制御走査線ＲＧに、それぞれ、発光制御信号Ｖｂｇ、初期化制御信号Ｖｉｇ、書込制御信号Ｖｓｇ及びリセット制御信号Ｖｒｇを供給する。 The emission control scanning line BG, the initialization control scanning line IG, the write control scanning line SG, and the reset control scanning line RG are each connected to the drive circuit 12 (see FIG. 1). The drive circuit 12 applies the emission control signal Vbg, the initialization control signal Vig, and the write control signal Vsg to the emission control scanning line BG, the initialization control scanning line IG, the writing control scanning line SG, and the reset control scanning line RG, respectively. and a reset control signal Vrg.

駆動ＩＣ２１０（図１参照）は、第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂのそれぞれの画素回路ＰＩＣＡに、時分割で映像信号Ｖｓｉｇを供給する。第１画素４９Ｒ、第２画素４９Ｇ及び第３画素４９Ｂの各列と、駆動ＩＣ２１０との間には、マルチプレクサ等のスイッチ回路が設けられる。映像信号Ｖｓｉｇは、映像信号線Ｌ２を介して書込トランジスタＳＳＴに供給される。また、駆動ＩＣ２１０は、リセット信号線Ｌ３を介して、リセット電源電位ＶｒｓｔをリセットトランジスタＲＳＴに供給する。駆動ＩＣ２１０は、初期化信号線Ｌ４を介して、初期化電位Ｖｉｎｉを初期化トランジスタＩＳＴに供給する。 The drive IC 210 (see FIG. 1) supplies the video signal Vsig in a time division manner to the pixel circuits PICA of the first pixels 49R, the second pixels 49G and the third pixels 49B. A switch circuit such as a multiplexer is provided between each column of the first pixels 49R, the second pixels 49G, and the third pixels 49B and the driving IC 210 . The video signal Vsig is supplied to the write transistor SST via the video signal line L2. Further, the driving IC 210 supplies the reset power supply potential Vrst to the reset transistor RST through the reset signal line L3. The drive IC 210 supplies the initialization potential Vini to the initialization transistor IST through the initialization signal line L4.

発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、書込トランジスタＳＳＴ、及びリセットトランジスタＲＳＴは、２ノード間の導通と非導通とを選択するスイッチング素子として機能する。駆動トランジスタＤＲＴは、ゲートとドレインとの間の電圧に応じて、無機発光体１００に流れる電流を制御する電流制御素子として機能する。 The light emission control transistor BCT, initialization transistor IST, write transistor SST, and reset transistor RST function as switching elements that select conduction or non-conduction between two nodes. The drive transistor DRT functions as a current control element that controls the current flowing through the inorganic light emitter 100 according to the voltage between the gate and the drain.

無機発光体１００のカソード（カソード電極１１４）は、カソード電源線Ｌ１０に接続される。また、無機発光体１００のアノード（アノード電極１１２）は、駆動トランジスタＤＲＴ及び発光制御トランジスタＢＣＴを介してアノード電源線Ｌ１（第１電源線）に接続される。アノード電源線Ｌ１には、アノード電源電位ＰＶＤＤ（第１電位）が供給される。カソード電源線Ｌ１０には、カソード電源電位ＰＶＳＳ（第２電位）が供給される。アノード電源電位ＰＶＤＤは、カソード電源電位ＰＶＳＳよりも高い電位である。カソード電源線Ｌ１０は、カソード配線６０を含む。 The cathode (cathode electrode 114) of the inorganic light emitter 100 is connected to the cathode power line L10. Also, the anode (anode electrode 112) of the inorganic light emitter 100 is connected to the anode power line L1 (first power line) via the drive transistor DRT and the light emission control transistor BCT. An anode power supply potential PVDD (first potential) is supplied to the anode power supply line L1. A cathode power supply potential PVSS (second potential) is supplied to the cathode power supply line L10. The anode power supply potential PVDD is higher than the cathode power supply potential PVSS. Cathode power supply line L<b>10 includes a cathode wiring 60 .

また、画素回路ＰＩＣＡは、容量Ｃｓ１及び容量Ｃｓ２を含む。容量Ｃｓ１は、駆動トランジスタＤＲＴのゲートとソースとの間に形成される保持容量である。容量Ｃｓ２は、駆動トランジスタＤＲＴのソース及び無機発光体１００のアノードと、カソード電源線Ｌ１０との間に形成される付加容量である。 Also, the pixel circuit PICA includes a capacitor Cs1 and a capacitor Cs2. A capacitance Cs1 is a holding capacitance formed between the gate and source of the driving transistor DRT. A capacitance Cs2 is an additional capacitance formed between the source of the drive transistor DRT, the anode of the inorganic light emitter 100, and the cathode power line L10.

表示装置１は、１行目の画素４９から最終行の画素４９まで駆動を行い１フレーム分の画像を１フレーム期間に表示する。 The display device 1 drives the pixels 49 on the first row to the pixels 49 on the last row to display an image for one frame in one frame period.

リセット期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御走査線ＢＧの電位がＬ（ロウ）レベルとなり、リセット制御走査線ＲＧの電位がＨ（ハイ）レベルとなる。これにより、発光制御トランジスタＢＣＴがオフ（非導通状態）となり、リセットトランジスタＲＳＴがオン（導通状態）となる。 In the reset period, each control signal supplied from the drive circuit 12 causes the potential of the light emission control scanning line BG to be at L (low) level, and the potential of the reset control scanning line RG to be at H (high) level. As a result, the light emission control transistor BCT is turned off (non-conducting state), and the reset transistor RST is turned on (conducting state).

リセット期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御走査線ＢＧの電位がＬ（ロウ）レベルとなり、リセット制御走査線ＲＧの電位がＨ（ハイ）レベルとなる。これにより、発光制御トランジスタＢＣＴがオフ（非導通状態）となり、リセットトランジスタＲＳＴがオン（導通状態）となる。 In the reset period, each control signal supplied from the drive circuit 12 causes the potential of the light emission control scanning line BG to be at L (low) level, and the potential of the reset control scanning line RG to be at H (high) level. As a result, the light emission control transistor BCT is turned off (non-conducting state), and the reset transistor RST is turned on (conducting state).

これにより、画素４９内に残留していた電荷が、リセットトランジスタＲＳＴを通じて外部に流れ、駆動トランジスタＤＲＴのソースがリセット電源電位Ｖｒｓｔに固定される。リセット電源電位Ｖｒｓｔは、カソード電源電位ＰＶＳＳに対して所定の電位差を有して設定される。この場合、リセット電源電位Ｖｒｓｔとカソード電源電位ＰＶＳＳとの電位差は、無機発光体１００が発光を開始する電位差よりも小さい。 As a result, the charge remaining in the pixel 49 flows to the outside through the reset transistor RST, fixing the source of the drive transistor DRT to the reset power supply potential Vrst. Reset power supply potential Vrst is set to have a predetermined potential difference with respect to cathode power supply potential PVSS. In this case, the potential difference between the reset power supply potential Vrst and the cathode power supply potential PVSS is smaller than the potential difference at which the inorganic light emitter 100 starts to emit light.

次に、駆動回路１２から供給される各制御信号により、初期化制御走査線ＩＧの電位がＨレベルとなる。初期化トランジスタＩＳＴは、オンとなる。初期化トランジスタＩＳＴを介して駆動トランジスタＤＲＴのゲートが初期化電位Ｖｉｎｉに固定される。 Next, each control signal supplied from the drive circuit 12 causes the potential of the initialization control scanning line IG to go high. The initialization transistor IST is turned on. The gate of the drive transistor DRT is fixed to the initialization potential Vini through the initialization transistor IST.

また、駆動回路１２は、発光制御トランジスタＢＣＴをオンとし、リセットトランジスタＲＳＴをオフとする。駆動トランジスタＤＲＴは、ソース電位が（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）になるとオフになる。これにより、画素４９ごとに駆動トランジスタＤＲＴのしきい値電圧Ｖｔｈを取得することができ、画素４９ごとのしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきがオフセットされる。 Further, the drive circuit 12 turns on the light emission control transistor BCT and turns off the reset transistor RST. The drive transistor DRT turns off when the source potential reaches (Vini-Vth). As a result, the threshold voltage Vth of the drive transistor DRT can be obtained for each pixel 49, and variations in the threshold voltage Vth for each pixel 49 are offset.

次に、映像信号書込動作期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御トランジスタＢＣＴがオフになり、初期化トランジスタＩＳＴがオフになり、書込トランジスタＳＳＴがオンになる。１行に属する画素４９において、映像信号Ｖｓｉｇが駆動トランジスタＤＲＴのゲートに入力される。映像信号線Ｌ２は、第２方向Ｄｙに延在し、同列に属する複数行の画素４９に接続される。このため、映像信号書込動作期間は、１行ごとに実施される。 Next, in the video signal write operation period, each control signal supplied from the drive circuit 12 turns off the light emission control transistor BCT, turns off the initialization transistor IST, and turns on the write transistor SST. In the pixels 49 belonging to one row, the video signal Vsig is input to the gate of the drive transistor DRT. The video signal line L2 extends in the second direction Dy and is connected to multiple rows of pixels 49 belonging to the same column. Therefore, the video signal write operation period is performed for each row.

次に、発光動作期間では、駆動回路１２から供給される各制御信号により、発光制御トランジスタＢＣＴがオンになり、書込トランジスタＳＳＴがオフになる。アノード電源線Ｌ１から、発光制御トランジスタＢＣＴを介して駆動トランジスタＤＲＴにアノード電源電位ＰＶＤＤが供給される。駆動トランジスタＤＲＴは、ゲートソース間の電圧に応じた電流を、無機発光体１００に供給する。無機発光体１００は、この電流に応じた輝度で発光する。 Next, in the light emission operation period, each control signal supplied from the drive circuit 12 turns on the light emission control transistor BCT and turns off the write transistor SST. An anode power supply potential PVDD is supplied from the anode power supply line L1 to the drive transistor DRT via the light emission control transistor BCT. The drive transistor DRT supplies the inorganic light emitter 100 with a current corresponding to the voltage between the gate and the source. The inorganic light emitter 100 emits light with luminance according to this current.

なお、駆動回路１２は、１行ごとに画素４９を駆動してもよいし、２行の画素４９を同時に駆動してもよいし、３行分以上の画素４９を同時に駆動してもよい。 The drive circuit 12 may drive the pixels 49 for each row, may drive the pixels 49 in two rows at the same time, or may drive the pixels 49 in three or more rows at the same time.

なお、上述した図３に示す画素回路ＰＩＣＡの構成はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば１つの画素４９での配線の数及びトランジスタの数は異なっていてもよい。また、画素回路ＰＩＣＡはカレントミラー回路等の構成を採用することもできる。 Note that the configuration of the pixel circuit PICA shown in FIG. 3 described above is merely an example, and can be changed as appropriate. For example, the number of wires and the number of transistors in one pixel 49 may be different. Also, the pixel circuit PICA may employ a configuration such as a current mirror circuit.

図４は、図１のＩＶ－ＩＶ’断面図である。図４に示すように、表示装置１のアレイ基板２は、基板１０と、複数のトランジスタと、を備える。基板１０は、第１面１０ａと、第１面１０ａの反対側の第２面１０ｂとを有する。基板１０は、絶縁基板であり、例えば、ガラス基板、石英基板、又は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、若しくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂製のフレキシブル基板である。 FIG. 4 is a sectional view taken along IV-IV' in FIG. As shown in FIG. 4, the array substrate 2 of the display device 1 includes a substrate 10 and a plurality of transistors. The substrate 10 has a first surface 10a and a second surface 10b opposite the first surface 10a. The substrate 10 is an insulating substrate, such as a glass substrate, a quartz substrate, or a flexible substrate made of acrylic resin, epoxy resin, polyimide resin, or polyethylene terephthalate (PET) resin.

なお、本明細書において、基板１０の表面に垂直な方向において、基板１０から無機発光体１００に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、無機発光体１００から基板１０に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。また、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。 In this specification, the direction from the substrate 10 toward the inorganic light emitter 100 in the direction perpendicular to the surface of the substrate 10 is referred to as "upper" or simply "upper". Also, the direction from the inorganic light emitter 100 toward the substrate 10 is referred to as "lower side" or simply "lower side." In addition, when expressing a form in which another structure is placed on top of another structure, unless otherwise specified, when simply using the notation “above”, it means that another structure It includes both the case of arranging a structure and the case of arranging another structure above a certain structure via another structure.

アンダーコート層２０は、基板１０の第１面１０ａ上に設けられる。複数のトランジスタは、アンダーコート層２０上に設けられる。例えば、基板１０の表示領域ＡＡには、複数のトランジスタとして、画素４９に含まれる駆動トランジスタＤＲＴ及び書込トランジスタＳＳＴがそれぞれ設けられている。基板１０の周辺領域ＧＡには、複数のトランジスタとして、駆動回路１２に含まれるトランジスタＴｒＣが設けられている。なお、複数のトランジスタのうち、駆動トランジスタＤＲＴ、書込トランジスタＳＳＴ、及び、トランジスタＴｒＣを示しているが、画素回路ＰＩＣＡに含まれる発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ及びリセットトランジスタＲＳＴも、駆動トランジスタＤＲＴと同様の積層構造を有する。なお、以下の説明において、複数のトランジスタを区別して説明する必要が無い場合は、単にトランジスタＴｒと表す。 The undercoat layer 20 is provided on the first surface 10a of the substrate 10 . A plurality of transistors are provided on the undercoat layer 20 . For example, in the display area AA of the substrate 10, the drive transistor DRT and the write transistor SST included in the pixel 49 are provided as a plurality of transistors. In the peripheral area GA of the substrate 10, transistors TrC included in the drive circuit 12 are provided as a plurality of transistors. Of the plurality of transistors, the drive transistor DRT, write transistor SST, and transistor TrC are shown. It has a laminated structure similar to DRT. In the following description, when there is no need to distinguish between a plurality of transistors, they are simply referred to as transistors Tr.

トランジスタＴｒは、例えば両面ゲート構造のＴＦＴである。トランジスタＴｒは、それぞれ、第１ゲート電極２１と、第２ゲート電極３１と、半導体層２５と、ソース電極４１ｓと、ドレイン電極４１ｄと、を有する。第１ゲート電極２１は、アンダーコート層２０上に設けられる。絶縁膜２４は、アンダーコート層２０上に設けられて第１ゲート電極２１を覆う。半導体層２５は、絶縁膜２４上に設けられる。半導体層２５は、例えば、ポリシリコンが用いられる。ただし、半導体層２５は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン等であってもよい。絶縁膜２９は、半導体層２５上に設けられる。第２ゲート電極３１は、絶縁膜２９上に設けられる。 The transistor Tr is, for example, a double-sided gate structure TFT. Each transistor Tr has a first gate electrode 21, a second gate electrode 31, a semiconductor layer 25, a source electrode 41s, and a drain electrode 41d. A first gate electrode 21 is provided on the undercoat layer 20 . The insulating film 24 is provided on the undercoat layer 20 to cover the first gate electrode 21 . The semiconductor layer 25 is provided on the insulating film 24 . Polysilicon, for example, is used for the semiconductor layer 25 . However, the semiconductor layer 25 is not limited to this, and may be a microcrystalline oxide semiconductor, an amorphous oxide semiconductor, low-temperature polysilicon, or the like. The insulating film 29 is provided on the semiconductor layer 25 . A second gate electrode 31 is provided on the insulating film 29 .

アンダーコート層２０、絶縁膜２４、２９，４５は、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる。第３方向Ｄｚにおいて、第１ゲート電極２１と第２ゲート電極３１は、絶縁膜２４、半導体層２５及び絶縁膜２９を介して、対向している。絶縁膜２４、２９において、第１ゲート電極２１と第２ゲート電極３１とに挟まれた部分がゲート絶縁膜として機能する。また、半導体層２５において、第１ゲート電極２１と第２ゲート電極３１とに挟まれた部分がトランジスタＴｒのチャネル領域２７となる。半導体層２５において、ソース電極４１ｓと接続する部分がトランジスタＴｒのソース領域であり、ドレイン電極４１ｄと接続する部分がトランジスタＴｒのドレイン領域である。チャネル領域２７とソース領域との間及びチャネル領域２７とドレイン領域との間には、それぞれ低濃度不純物領域が設けられる。なお、トランジスタＴｒとして、ｎ型ＴＦＴのみ示しているが、ｐ型ＴＦＴを同時に形成しても良い。 The undercoat layer 20 and the insulating films 24, 29, and 45 are inorganic insulating films, and are made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN). In the third direction Dz, the first gate electrode 21 and the second gate electrode 31 face each other with the insulating film 24, the semiconductor layer 25 and the insulating film 29 interposed therebetween. A portion of the insulating films 24 and 29 sandwiched between the first gate electrode 21 and the second gate electrode 31 functions as a gate insulating film. In addition, in the semiconductor layer 25, the portion sandwiched between the first gate electrode 21 and the second gate electrode 31 becomes the channel region 27 of the transistor Tr. In the semiconductor layer 25, the portion connected to the source electrode 41s is the source region of the transistor Tr, and the portion connected to the drain electrode 41d is the drain region of the transistor Tr. Low-concentration impurity regions are provided between the channel region 27 and the source region and between the channel region 27 and the drain region, respectively. Although only an n-type TFT is shown as the transistor Tr, a p-type TFT may be formed at the same time.

ゲート線３１ａは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ゲート電極３１に接続される。基板１０とゲート線３１ａとの間に絶縁膜２９が設けられ、ゲート線３１ａと基板１０との間に容量ＣＳが形成される。第１ゲート電極２１、第２ゲート電極３１及びゲート線３１ａは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金膜で構成されている。 The gate line 31a is connected to the second gate electrode 31 of the drive transistor DRT. An insulating film 29 is provided between the substrate 10 and the gate line 31 a , and a capacitor CS is formed between the gate line 31 a and the substrate 10 . The first gate electrode 21, the second gate electrode 31, and the gate line 31a are made of, for example, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), or an alloy film thereof.

本実施形態において、トランジスタＴｒは両面ゲート構造に限定されるものではない。トランジスタＴｒは、ゲート電極が第１ゲート電極２１のみで構成されるボトムゲート型であってもよい。また、トランジスタＴｒは、ゲート電極が第２ゲート電極３１のみで構成されるトップゲート型であってもよい。また、アンダーコート層２０は無くてもよい。 In this embodiment, the transistor Tr is not limited to the double-sided gate structure. The transistor Tr may be of a bottom gate type in which the gate electrode is composed only of the first gate electrode 21 . Further, the transistor Tr may be of a top-gate type in which the gate electrode is composed only of the second gate electrode 31 . Also, the undercoat layer 20 may be omitted.

表示装置１は、基板１０の第１面１０ａ上に設けられて複数のトランジスタＴｒを覆う絶縁膜３５を有する。ソース電極４１ｓは、絶縁膜３５上に設けられ、絶縁膜３５に設けられた貫通孔を介して複数のトランジスタＴｒの各ソースに接続される。ドレイン電極４１ｄは、絶縁膜３５上に設けられ、絶縁膜３５に設けられた貫通孔を介して複数のトランジスタＴｒの各ドレインに接続される。周辺領域ＧＡにおいてカソード配線６０は、絶縁膜３５上に設けられる。絶縁膜４２は、ソース電極４１ｓ、ドレイン電極４１ｄ及びカソード配線６０を覆う。絶縁膜３５は無機絶縁膜、絶縁膜４２は、有機絶縁膜である。ソース電極４１ｓ及びドレイン電極４１ｄは、チタンとアルミニウムとの積層構造であるＴｉＡｌＴｉ又はＴｉＡｌの積層膜で構成されている。また、絶縁膜４２は、感光性アクリル等の有機材料が用いられる。 The display device 1 has an insulating film 35 provided on the first surface 10a of the substrate 10 and covering the plurality of transistors Tr. The source electrode 41 s is provided on the insulating film 35 and connected to each source of the plurality of transistors Tr through through holes provided in the insulating film 35 . The drain electrode 41 d is provided on the insulating film 35 and connected to each drain of the plurality of transistors Tr through through holes provided in the insulating film 35 . The cathode wiring 60 is provided on the insulating film 35 in the peripheral area GA. The insulating film 42 covers the source electrode 41 s, the drain electrode 41 d and the cathode wiring 60 . The insulating film 35 is an inorganic insulating film, and the insulating film 42 is an organic insulating film. The source electrode 41s and the drain electrode 41d are composed of a laminated film of TiAlTi or TiAl, which is a laminated structure of titanium and aluminum. Also, an organic material such as photosensitive acrylic is used for the insulating film 42 .

ソース電極４１ｓの一部は、ゲート線３１ａと重なる領域に形成される。絶縁膜３５を介して対向するゲート線３１ａとソース電極４１ｓとで、容量Ｃｓ１が形成される。また、ゲート線３１ａは、半導体層２５の一部と重なる領域に形成される。容量Ｃｓ１は、絶縁膜２４を介して対向する半導体層２５とゲート線３１ａとで形成される容量も含む。 A portion of the source electrode 41s is formed in a region overlapping with the gate line 31a. A capacitance Cs1 is formed by the gate line 31a and the source electrode 41s facing each other with the insulating film 35 interposed therebetween. Also, the gate line 31 a is formed in a region overlapping with a part of the semiconductor layer 25 . The capacitance Cs1 also includes a capacitance formed by the semiconductor layer 25 and the gate line 31a facing each other with the insulating film 24 interposed therebetween.

表示装置１は、ソース接続配線４３ｓと、ドレイン接続配線４３ｄと、絶縁膜４５と、対向アノード電極５０ｅと、絶縁膜６６と、接続層５０ｆと、無機発光体１００と、絶縁膜７０と、平坦化膜８０と、対向カソード電極９０ｅと、平坦化膜９２と、カバー部９４と、を有する。ソース接続配線４３ｓは、絶縁膜４２上に設けられ、絶縁膜４２に設けられた貫通孔を介してソース電極４１ｓに接続される。ドレイン接続配線４３ｄは、絶縁膜４２上に設けられ、絶縁膜４２に設けられた貫通孔を介してドレイン電極４１ｄに接続される。絶縁膜４５は、絶縁膜４２上に設けられてソース接続配線４３ｓとドレイン接続配線４３ｄとを覆う。対向アノード電極５０ｅは、絶縁膜４５上に設けられ、絶縁膜４５に設けられた貫通孔を介して駆動トランジスタＤＲＴのドレイン接続配線４３ｄに接続される。ソース接続配線４３ｓおよびドレイン接続配線４３ｄは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ、Indium Tin Oxide）等の透明性導電体で形成される。 The display device 1 includes a source connection wiring 43s, a drain connection wiring 43d, an insulating film 45, a counter anode electrode 50e, an insulating film 66, a connection layer 50f, an inorganic light emitter 100, an insulating film 70, and a flat surface. It has a planarization film 80 , a counter cathode electrode 90 e , a planarization film 92 , and a cover portion 94 . The source connection wiring 43 s is provided on the insulating film 42 and connected to the source electrode 41 s through a through hole provided in the insulating film 42 . The drain connection wiring 43 d is provided on the insulating film 42 and connected to the drain electrode 41 d through a through hole provided in the insulating film 42 . The insulating film 45 is provided on the insulating film 42 to cover the source connection wiring 43s and the drain connection wiring 43d. The counter anode electrode 50 e is provided on the insulating film 45 and connected to the drain connection wiring 43 d of the driving transistor DRT through a through hole provided in the insulating film 45 . 43 s of source connection wirings and 43 d of drain connection wirings are formed with transparent conductors, such as indium tin oxide (ITO, Indium Tin Oxide), for example.

絶縁膜６６は、絶縁膜４５上に設けられて、対向アノード電極５０ｅを覆う。接続層５０ｆは、絶縁膜６６上に設けられ、絶縁膜６６に設けられた貫通孔を介して対向アノード電極５０ｅに接続される。無機発光体１００は、接続層５０ｆの上に設けられる、対向アノード電極５０ｅは、接続層５０ｆを介して、無機発光体１００のアノード電極１１２と接続されている。絶縁膜４５を介して対向する対向アノード電極５０ｅとソース接続配線４３ｓとの間に容量Ｃｓ２が形成される。 The insulating film 66 is provided on the insulating film 45 and covers the counter anode electrode 50e. The connection layer 50 f is provided on the insulating film 66 and connected to the opposing anode electrode 50 e through a through hole provided in the insulating film 66 . The inorganic light emitter 100 is provided on the connection layer 50f, and the opposing anode electrode 50e is connected to the anode electrode 112 of the inorganic light emitter 100 via the connection layer 50f. A capacitance Cs2 is formed between the opposing anode electrode 50e and the source connection wiring 43s facing each other with the insulating film 45 interposed therebetween.

絶縁膜７０は、絶縁膜６６上に設けられて、接続層５０ｆと、無機発光体１００のアノード電極１１２の側面とを覆う。絶縁膜７０は、アノード電極１１２と重なる位置に、無機発光体１００を実装するための開口を有する。平坦化膜８０は、絶縁膜７０上に設けられて無機発光体１００の側面を覆う。対向カソード電極９０ｅは、平坦化膜８０上に設けられる。絶縁膜７０は、無機絶縁膜であり、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）からなる。平坦化膜８０は、有機絶縁膜あるいは無機有機ハイブリッド絶縁膜（Ｓｉ－Ｏ主鎖に、たとえば有機基（メチル基あるいはフェニル基）が結合した材料）である。無機発光体１００の上面（カソード電極１１４）は、平坦化膜８０から露出している。対向カソード電極９０ｅは、無機発光体１００のカソード電極１１４に接続される。なお、図４の積層構造は、一例である。例えば、絶縁膜７０は、設けられていなくてもよい。また例えば、絶縁膜６６及び接続層５０ｆは、設けられていなくてもよく、この場合、例えば、対向アノード電極５０ｅとアノード電極１１２とが、直接接続する。 The insulating film 70 is provided on the insulating film 66 to cover the connection layer 50 f and the side surface of the anode electrode 112 of the inorganic light emitter 100 . The insulating film 70 has an opening for mounting the inorganic light emitter 100 at a position overlapping the anode electrode 112 . The planarizing film 80 is provided on the insulating film 70 to cover the side surface of the inorganic light emitter 100 . A counter cathode electrode 90 e is provided on the planarizing film 80 . The insulating film 70 is an inorganic insulating film, and is made of, for example, a silicon nitride film (SiN). The planarizing film 80 is an organic insulating film or an inorganic-organic hybrid insulating film (a material in which an organic group (methyl group or phenyl group) is bonded to the Si—O main chain). The upper surface (cathode electrode 114 ) of the inorganic light emitter 100 is exposed from the planarizing film 80 . The opposing cathode electrode 90 e is connected to the cathode electrode 114 of the inorganic light emitter 100 . In addition, the laminated structure of FIG. 4 is an example. For example, the insulating film 70 may not be provided. Also, for example, the insulating film 66 and the connection layer 50f may not be provided, and in this case, for example, the opposing anode electrode 50e and the anode electrode 112 are directly connected.

対向カソード電極９０ｅは、表示領域ＡＡの外側に設けられたコンタクトホールＣＨ１を介して、アレイ基板２側に設けられたカソード配線６０と接続される。具体的には、コンタクトホールＣＨ１は、平坦化膜８０及び絶縁膜４２に設けられ、コンタクトホールＣＨ１の底面にカソード配線１４が設けられる。カソード配線６０は、絶縁膜３５の上に設けられる。つまり、カソード配線６０は、ソース電極４１ｓ、ドレイン電極４１ｄと同層に設けられ、同じ材料で形成される。対向カソード電極９０ｅは、表示領域ＡＡから周辺領域ＧＡまで連続して設けられ、コンタクトホールＣＨ１の底部でカソード配線６０と接続される。 The counter cathode electrode 90e is connected to the cathode wiring 60 provided on the array substrate 2 side through a contact hole CH1 provided outside the display area AA. Specifically, the contact hole CH1 is provided in the planarizing film 80 and the insulating film 42, and the cathode wiring 14 is provided on the bottom surface of the contact hole CH1. The cathode wiring 60 is provided on the insulating film 35 . That is, the cathode wiring 60 is provided in the same layer as the source electrode 41s and the drain electrode 41d, and is made of the same material. The counter cathode electrode 90e is continuously provided from the display area AA to the peripheral area GA, and is connected to the cathode wiring 60 at the bottom of the contact hole CH1.

平坦化膜９２は、対向カソード電極９０ｅ上に設けられる。平坦化膜９２は、透光性の絶縁膜であり、有機絶縁膜、無機絶縁膜、又は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との積層体などであってよい。カバー部９４は、平坦化膜９２上に設けられる。カバー部９４は、表示装置１の最も上側に設けられるカバーである。カバー部９４は、透光性の部材であり、例えばカバーガラスである。ただし、平坦化膜９２及びカバー部９４は、必須の構成ではない。 The planarizing film 92 is provided on the opposing cathode electrode 90e. The planarizing film 92 is a translucent insulating film, and may be an organic insulating film, an inorganic insulating film, or a laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film. The cover part 94 is provided on the planarizing film 92 . The cover part 94 is a cover provided on the uppermost side of the display device 1 . The cover portion 94 is a translucent member such as a cover glass. However, the planarizing film 92 and the cover portion 94 are not essential components.

次に、無機発光体１００の構成について説明する。図５は、本実施形態に係る無機発光体の構成例を示す断面図である。図５に示すように、無機発光体１００は、無機発光素子１０２と、アノード電極１１２と、カソード電極１１４とを有している。なお、ここでは、無機発光素子１０２とアノード電極１１２とカソード電極１１４とを区別しているが、アノード電極１１２とカソード電極１１４とを含めて、無機発光素子１０２としてもよい。 Next, the configuration of the inorganic light emitter 100 will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration example of an inorganic light emitter according to this embodiment. As shown in FIG. 5 , the inorganic light emitter 100 has an inorganic light emitting element 102 , an anode electrode 112 and a cathode electrode 114 . Although the inorganic light emitting element 102, the anode electrode 112, and the cathode electrode 114 are distinguished here, the inorganic light emitting element 102 may include the anode electrode 112 and the cathode electrode 114. FIG.

無機発光素子１０２は、発光を行う発光層である。無機発光素子１０２は、ｎ型クラッド層１０４と、ｐ型クラッド層１０６と、ｐ型クラッド層１０６とｎ型クラッド層１０４との間に設けられる発光層１０８と、を有する。本実施形態において、無機発光素子１０２は、上側に向かって、ｐ型クラッド層１０６、発光層１０８、ｎ型クラッド層１０４の順で積層されて構成される。無機発光素子１０２としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）あるいはアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）あるいはガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）等の化合物半導体が用いられる。さらに言えば、本実施形態において、ｐ型クラッド層１０６及びｎ型クラッド層１０４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）などが用いられる。また、発光層１０８としては、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）などが用いられる。発光層１０８は、ＩｎＧａＮ、ＧａＮが積層された多量子井戸構造(ＭＱＷ)でもよい。 The inorganic light emitting element 102 is a light emitting layer that emits light. The inorganic light emitting device 102 has an n-type clad layer 104 , a p-type clad layer 106 , and a light-emitting layer 108 provided between the p-type clad layer 106 and the n-type clad layer 104 . In this embodiment, the inorganic light-emitting element 102 is configured by stacking a p-type clad layer 106, a light-emitting layer 108, and an n-type clad layer 104 in this order from the top. As the inorganic light emitting element 102, a compound semiconductor such as gallium nitride (GaN), aluminum indium gallium phosphide (AlInGaP), aluminum gallium arsenide (AlGaAs), or gallium arsenide phosphide (GaAsP) is used. Furthermore, in this embodiment, gallium nitride (GaN) or the like is used for the p-type clad layer 106 and the n-type clad layer 104 . Indium gallium nitride (InGaN) or the like is used as the light emitting layer 108 . The light emitting layer 108 may be a multiple quantum well structure (MQW) in which InGaN and GaN are stacked.

無機発光体１００は、上側に向かって、アノード電極１１２、ｐ型クラッド層１０６、発光層１０８、ｎ型クラッド層１０４、カソード電極１１４の順で積層されている。無機発光体１００の下には、対向アノード電極５０ｅが設けられ、無機発光体１００の上には、対向カソード電極９０ｅが設けられる。 The inorganic light emitter 100 has an anode electrode 112, a p-type clad layer 106, a light-emitting layer 108, an n-type clad layer 104, and a cathode electrode 114 stacked in this order from the top. A counter anode electrode 50 e is provided below the inorganic light emitter 100 , and a counter cathode electrode 90 e is provided above the inorganic light emitter 100 .

対向アノード電極５０ｅは、導電性の部材、ここでは金属材料を含む。本実施形態では、対向アノード電極５０ｅは、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）とを含み、例えば、チタンの層とアルミニウムの層とが第３方向Ｄｚに沿って積層されている。対向アノード電極５０ｅは、画素電極として、無機発光体１００（画素４９）毎に設けられている。 The counter anode electrode 50e includes a conductive member, here a metal material. In this embodiment, the counter anode electrode 50e contains titanium (Ti) and aluminum (Al), and for example, a titanium layer and an aluminum layer are laminated along the third direction Dz. The counter anode electrode 50e is provided for each inorganic light emitter 100 (pixel 49) as a pixel electrode.

アノード電極１１０は、対向アノード電極５０ｅの上に設けられる。アノード電極１１０は、透光性を有する導電性の部材であり、例えばＩＴＯである。アノード電極１１０は、対向アノード電極５０ｅに電気的に接続されている。アノード電極１１０の上には、ｐ型クラッド層１０６が設けられている。アノード電極１１０は、ｐ型クラッド層１０６と接続されている。 The anode electrode 110 is provided on the opposing anode electrode 50e. The anode electrode 110 is a translucent conductive member such as ITO. The anode electrode 110 is electrically connected to the opposing anode electrode 50e. A p-type clad layer 106 is provided on the anode electrode 110 . Anode electrode 110 is connected to p-type clad layer 106 .

カソード電極１１４は、ｎ型クラッド層１０４の上に設けられる。カソード電極１１４は、透光性を有する導電性の部材であり、例えばＩＴＯである。カソード電極１１４は、対向カソード電極９０ｅに接続されている。 Cathode electrode 114 is provided on n-type clad layer 104 . The cathode electrode 114 is a translucent conductive member such as ITO. The cathode electrode 114 is connected to the opposing cathode electrode 90e.

対向電極としての対向カソード電極９０ｅは、透光性を有する導電性の部材であり、例えばＩＴＯである。対向カソード電極９０ｅは、複数の（ここでは全ての）無機発光体１００（画素４９）に共通して設けられる共通電極であり、複数の（ここでは全ての）無機発光体１００のカソード電極１１４に接続されている。 The counter cathode electrode 90e as the counter electrode is a translucent conductive member such as ITO. The counter cathode electrode 90 e is a common electrode provided in common to a plurality of (here, all) inorganic light emitters 100 (pixels 49 ), and is connected to the cathode electrodes 114 of a plurality of (here, all) inorganic light emitters 100 . It is connected.

本実施形態においては、表示装置１は、無機発光体１００（無機発光素子１０２）として、第１色の光ＬＲを発光する第１無機発光体１００Ｒ（第１無機発光素子１０２Ｒ）と、第２色の光ＬＧを発光する第２無機発光体１００Ｇ（第２無機発光素子１０２Ｇ）と、第３色の光ＬＢを発光する第３無機発光体１００Ｂ（第３無機発光素子１０２Ｂ）と、を備える。第１無機発光体１００Ｒと第２無機発光体１００Ｇと第３無機発光体１００Ｂとは、例えば、無機発光素子１０２における材料の組成比が異なることにより、それぞれ、第１色の光ＬＲ、第２色の光ＬＧ、第３色の光ＬＢという、異なる色の光を発光する。第１無機発光体１００Ｒが発光する第１色の光ＬＲは、第１波長帯の光であり、第１波長帯は、例えば６２０ｎｍ以上７５０ｎｍ未満である。なお、第１波長帯の光であるとは、第１波長帯の波長範囲内における少なくとも１つの波長の光であることを指し、他の波長帯の光についても同様である。第２無機発光体１００Ｇが発光する第２色の光ＬＧは、第２波長帯の光であり、第２波長帯は、例えば４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ未満である。第３無機発光体１００Ｂが発光する第３色の光ＬＢは、第３波長帯の光であり、第３波長帯は、例えば４５０ｎｍ以上４９５ｎｍ未満である。 In the present embodiment, the display device 1 includes, as the inorganic light emitting bodies 100 (inorganic light emitting elements 102), a first inorganic light emitting body 100R (first inorganic light emitting element 102R) that emits light of a first color LR , and a first inorganic light emitting element 102R. A second inorganic light emitting element 100G (second inorganic light emitting element 102G) that emits light of two colors LG , and a third inorganic light emitting element 100B (third inorganic light emitting element 102B) that emits light of a third color LB. , provided. For example, the first inorganic light emitter 100R, the second inorganic light emitter 100G, and the third inorganic light emitter 100B have different composition ratios of materials in the inorganic light emitting element 102 . Light of different colors, ie, light of two colors LG and light of third color LB , is emitted. The first color light L R emitted by the first inorganic light emitter 100R is light in a first wavelength band, and the first wavelength band is, for example, 620 nm or more and less than 750 nm. Note that light in the first wavelength band means light of at least one wavelength within the wavelength range of the first wavelength band, and the same applies to light in other wavelength bands. The second color light LG emitted by the second inorganic light emitter 100G is light in the second wavelength band, and the second wavelength band is, for example, 495 nm or more and less than 570 nm. The third color light LB emitted by the third inorganic light emitter 100B is light in the third wavelength band, and the third wavelength band is, for example, 450 nm or more and less than 495 nm.

ここで、無機発光素子１０２は、アレイ基板２とは別の基板である形成基板上に形成されて、形成基板から、アレイ基板２上に移し替えられる。無機発光素子１０２は、形成基板上で形成される際に、例えば製造不良などが原因で、不良となる場合がある。ここでの不良とは、無機発光素子１０２が適切に発光しない場合や、適切に発光する場合であっても欠陥などが形成されており短期間で発光不良となる場合などを指す。以下、不良となっている無機発光素子１０２（無機発光体１００）を、不良無機発光素子１０２ａ（不良無機発光体１００ａ）と記載する。不良無機発光素子１０２ａがアレイ基板２上に移し替えられると、不良無機発光素子１０２ａの発光不良により表示装置１が適切に画像を表示できなくなるなど、品質上問題となる可能性がある。そのため、本実施形態においては、不良無機発光素子１０２ａをアレイ基板２に搭載せずに、代わりの無機発光素子１０２として、代替無機発光素子１０２Ｗをアレイ基板２上に搭載して、代わりの無機発光体１００である代替無機発光体１００Ｗを形成する。 Here, the inorganic light emitting elements 102 are formed on a formation substrate which is a substrate different from the array substrate 2 and transferred onto the array substrate 2 from the formation substrate. The inorganic light emitting device 102 may become defective when formed on the formation substrate due to, for example, manufacturing defects. The term "defective" as used herein refers to a case where the inorganic light emitting element 102 does not emit light properly, or a case where even if the inorganic light emitting element 102 emits light properly, a defect or the like is formed, resulting in poor light emission in a short period of time. Hereinafter, the defective inorganic light emitting element 102 (inorganic light emitting body 100) is referred to as a defective inorganic light emitting element 102a (defective inorganic light emitting body 100a). If the defective inorganic light emitting element 102a is transferred onto the array substrate 2, there is a possibility that the display device 1 will not be able to properly display an image due to the defective light emission of the defective inorganic light emitting element 102a, resulting in a quality problem. Therefore, in the present embodiment, the defective inorganic light emitting element 102a is not mounted on the array substrate 2, and the substitute inorganic light emitting element 102W is mounted on the array substrate 2 as a substitute inorganic light emitting element 102 to provide a substitute inorganic light emitting element. An alternative inorganic light emitter 100W, which is body 100, is formed.

代替無機発光体１００Ｗ（代替無機発光素子１０２Ｗ）は、代替色の光ＬＷを発光する無機発光体１００（無機発光素子１０２）である。代替色は、第１色、第２色、及び第３色と異なる色の光であり、本実施形態では、第１色の光、第２色の光、及び第３色の光が合成された光であるともいえる。代替色は、本実施形態では白色の光である。代替無機発光体１００Ｗが発光する代替色の光ＬＢは、第１波長帯、第２波長帯、及び第３波長帯の波長範囲の光を含む。代替無機発光体１００Ｗは、複数の無機発光体を含むものでなく、１つの無機発光体で、代替色（ここでは白色）の光を発光する。代替無機発光体１００Ｗは、発光層１０８として、多量子井戸構造(ＭＱＷ)で構成された発光層を有する。代替無機発光体１００Ｗの発光層１０８は、例えば、障壁層と井戸層とが複数積層されて構成される。井戸層は、例えば、ガリウムを含むＩＩＩ族窒化物半導体材料で構成され、窒化ガリウム又は窒化ガリウムと窒化インジウムとの混晶などで構成されてよい。障壁層は、例えば、井戸層よりも禁止帯幅エネルギーが大きい材料で構成され、例えば窒化ガリウムなど、ＩＩＩ族窒化物半導体材料で構成されてよい。ただし、代替無機発光体１００Ｗは、代替色を発光可能であれば、材料及び構成はこれに限られない。 The alternative inorganic light emitting element 100W (alternative inorganic light emitting element 102W) is the inorganic light emitting element 100 (inorganic light emitting element 102) that emits light LW of an alternative color. The alternative colors are lights of colors different from the first, second, and third colors. In the present embodiment, the first, second, and third colors of light are synthesized. It can also be said that it is a bright light. The alternative color is white light in this embodiment. The alternative color light LB emitted by the alternative inorganic light emitter 100W includes light in the wavelength ranges of the first, second, and third wavelength bands. The alternative inorganic light emitter 100W does not include a plurality of inorganic light emitters, but a single inorganic light emitter that emits light of an alternative color (here, white). The alternative inorganic light emitter 100W has, as the light-emitting layer 108, a light-emitting layer composed of a multiple quantum well structure (MQW). The light-emitting layer 108 of the alternative inorganic light-emitting body 100W is configured by laminating a plurality of barrier layers and well layers, for example. The well layer is made of, for example, a Group III nitride semiconductor material containing gallium, and may be made of gallium nitride or a mixed crystal of gallium nitride and indium nitride. The barrier layers are, for example, composed of a material with a higher bandgap energy than the well layers, and may be composed of a III-nitride semiconductor material, such as gallium nitride. However, the material and configuration of the alternative inorganic light emitter 100W are not limited to these as long as they can emit alternative colors.

また、表示装置１は、代替無機発光体１００Ｗの上に、カラーフィルタであるフィルタ部９６が設けられる。フィルタ部９６は、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷのうち、不良無機発光素子１０２ａが正常であれば発光していた光の色と同じ色の光を、言い換えれば、表示装置１に搭載された正常な無機発光素子１０２の１つと同じ色の光を、透過する。ここでの同じ色の光とは、同じ波長帯の範囲内の光を指し、フィルタ部９６は、不良無機発光素子１０２ａが正常であれば発光していた光と同じ波長帯の範囲内の光を、言い換えれば表示装置１に搭載された他の無機発光素子１０２の１つと同じ波長帯の光を、透過するといえる。以下、具体的に説明する。 In addition, the display device 1 is provided with a filter section 96, which is a color filter, on the alternative inorganic light emitter 100W. The filter unit 96 filters light of the same color as the light emitted when the defective inorganic light emitting element 102a is normal, out of the light LW of the alternative color from the substitute inorganic light emitting element 100W, in other words, the display device. The light of the same color as one of the normal inorganic light emitting elements 102 mounted on 1 is transmitted. Here, the light of the same color refers to light within the same wavelength band, and the filter unit 96 filters light within the same wavelength band as the light that would have been emitted if the defective inorganic light emitting element 102a was normal. In other words, it can be said that light in the same wavelength band as one of the other inorganic light emitting elements 102 mounted on the display device 1 is transmitted. A specific description will be given below.

図６及び図７は、代替無機発光体が搭載された場合の例を示す模式図である。図６は、表示装置１の代替無機発光体１００Ｗを平面視した場合の模式図であり、図７は、表示装置１の代替無機発光体１００Ｗの近傍における模式的な断面図である。図６に示すように、代替無機発光体１００Ｗは、不良無機発光体１００ａ以外の無機発光体１００と共に、マトリクス状に並んで設けられ、図７に示すように、不良無機発光体１００ａ以外の無機発光体１００と同じ層に設けられる。代替無機発光体１００Ｗは、不良無機発光体１００ａを搭載予定だった位置に搭載される。なお、図７は、１つの第１無機発光体１００Ｒが不良無機発光体１００ａとして検出された場合の例を示している。そのため、図７の例においては、不良無機発光体１００ａとして検出された第１無機発光体１００Ｒが搭載予定だった位置に、代替無機発光体１００Ｗが搭載されている。 FIGS. 6 and 7 are schematic diagrams showing examples in which alternative inorganic light emitters are mounted. 6 is a schematic plan view of the alternative inorganic light emitter 100W of the display device 1, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the alternative inorganic light emitter 100W of the display device 1. FIG. As shown in FIG. 6, the substitute inorganic light emitters 100W are arranged in a matrix together with the inorganic light emitters 100 other than the defective inorganic light emitters 100a, and as shown in FIG. It is provided in the same layer as the light emitter 100 . The replacement inorganic light emitter 100W is mounted at the position where the defective inorganic light emitter 100a was to be mounted. Note that FIG. 7 shows an example in which one first inorganic light emitter 100R is detected as the defective inorganic light emitter 100a. Therefore, in the example of FIG. 7, the alternative inorganic light emitter 100W is mounted at the position where the first inorganic light emitter 100R detected as the defective inorganic light emitter 100a was to be mounted.

図７に示すように、代替無機発光体１００Ｗの上には、フィルタ部９６が設けられている。フィルタ部９６は、平面視において、代替無機発光体１００Ｗと重なるように設けられており、代替無機発光体１００Ｗ以外の無機発光体１００には重ならない。フィルタ部９６は、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷのうち、代替無機発光体１００Ｗに置き換えられた不良無機発光体１００ａからの光と異なる波長帯（色）の光を吸収して、代替無機発光体１００Ｗに置き換えられた不良無機発光素子１０２ａからの光と同じ波長帯（色）の光を透過する。図７に示すように、不良無機発光素子１０２ａが第１無機発光素子１０２Ｒである場合、その不良無機発光素子１０２ａの代替無機発光体１００Ｗに重畳するフィルタ部９６として、フィルタ部９６Ｒが設けられる。フィルタ部９６Ｒは、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷのうち、第１色以外の色（第１波長帯の範囲外）の光を遮断し、第１色（第１波長帯の範囲内）の光を透過する。また、不良無機発光素子１０２ａが第２無機発光素子１０２Ｇである場合、その不良無機発光素子１０２ａの代替無機発光体１００Ｗに重畳するフィルタ部９６として、フィルタ部９６Ｇが設けられる。フィルタ部９６Ｇは、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷのうち、第２色以外の色（第２波長帯の範囲外）の光を遮断し、第２色（第２波長帯の範囲内）の光を透過する。また、不良無機発光素子１０２ａが第３無機発光素子１０２Ｂである場合、その不良無機発光素子１０２ａの代替無機発光体１００Ｗに重畳するフィルタ部９６として、フィルタ部９６Ｂが設けられる。フィルタ部９６Ｂは、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷのうち、第３色以外の色（第３波長帯の範囲外）の光を遮断し、第３色（第３波長帯の範囲内）の光を透過する。なお、フィルタ部９６の材料としては、例えば赤色、緑色、青色に相当するカラーフィルタが挙げられる。 As shown in FIG. 7, a filter section 96 is provided on the alternative inorganic light emitter 100W. The filter section 96 is provided so as to overlap the substitute inorganic light emitter 100W in plan view, and does not overlap the inorganic light emitters 100 other than the substitute inorganic light emitter 100W. The filter unit 96 absorbs light in a wavelength band (color) different from the light from the defective inorganic light emitter 100a replaced by the substitute inorganic light emitter 100W , out of the alternative color light LW from the alternative inorganic light emitter 100W. Therefore, light in the same wavelength band (color) as the light from the defective inorganic light emitting element 102a replaced by the substitute inorganic light emitting element 100W is transmitted. As shown in FIG. 7, when the defective inorganic light emitting element 102a is the first inorganic light emitting element 102R, a filter section 96R is provided as the filter section 96 overlapping the substitute inorganic light emitting element 100W for the defective inorganic light emitting element 102a. The filter unit 96R blocks light of a color other than the first color (outside the range of the first wavelength band) of the alternative color light LW from the alternative inorganic light emitter 100W, and filters the light of the first color (the first wavelength band (within the range of ). Further, when the defective inorganic light emitting element 102a is the second inorganic light emitting element 102G, a filter section 96G is provided as the filter section 96 superimposed on the substitute inorganic light emitting element 100W for the defective inorganic light emitting element 102a. The filter unit 96G blocks light of a color other than the second color (outside the range of the second wavelength band) among the alternative color light LW from the alternative inorganic light emitting body 100W, and filters the light of the second color (the second wavelength band (within the range of ). Further, when the defective inorganic light emitting element 102a is the third inorganic light emitting element 102B, a filter section 96B is provided as the filter section 96 superimposed on the substitute inorganic light emitting element 100W for the defective inorganic light emitting element 102a. The filter unit 96B blocks the light of a color other than the third color (outside the range of the third wavelength band) among the alternative color light LW from the alternative inorganic light emitter 100W, and blocks the light of the third color (the third wavelength band (within the range of ). The material of the filter portion 96 includes, for example, color filters corresponding to red, green, and blue.

図７に示すように、代替無機発光体１００Ｗが発光した光ＬＷは、代替無機発光体１００Ｗの上側のフィルタ部９６（図７の例ではフィルタ部９６Ｒ）に入射して、フィルタ部９６において、不良無機発光素子１０２ａと同じ色の光、言い換えれば、表示装置１に搭載された他の１つの無機発光素子１０２と同じ色の光（図７の例では第１無機発光素子１０２Ｒと同じ第１色の光ＬＲ）を透過して、表示装置１の外部に出射する。このように、本実施形態に係る表示装置１は、不良無機発光素子１０２ａを搭載しない場合にも、代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６により、不良無機発光素子１０２ａが正常に搭載されていれば発光していた色と同じ色の光を照射することができる。言い換えれば、表示装置１は、代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６によって、不良無機発光素子１０２ａが構成する予定だった画素４９（図７の例では第１画素４９Ｒ）を、代理で構成することが可能となる。このように、本実施形態によると、不良無機発光素子１０２ａを搭載しないことで、表示装置１の画像表示が不適切となることを抑えつつ、不良無機発光素子１０２ａが受け持つはずたった画素４９の機能を代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６で代用することができるため、不良無機発光素子１０２ａを搭載しない場合にも、適切に画像を表示することができる。 As shown in FIG. 7, the light LW emitted by the alternative inorganic light emitter 100W enters the upper filter portion 96 (the filter portion 96R in the example of FIG. 7) of the alternative inorganic light emitter 100W, and , light of the same color as the defective inorganic light emitting element 102a, in other words, light of the same color as the other inorganic light emitting element 102 mounted on the display device 1 (in the example of FIG. 7, light of the same color as the first inorganic light emitting element 102R). The light L R ) of one color is transmitted and emitted to the outside of the display device 1 . As described above, in the display device 1 according to the present embodiment, even when the defective inorganic light-emitting element 102a is not mounted, the substitute inorganic light-emitting element 100W and the filter section 96 allow the defective inorganic light-emitting element 102a to be mounted normally. It is possible to irradiate the light of the same color as the emitted light. In other words, the display device 1 substitutes the pixel 49 (the first pixel 49R in the example of FIG. 7), which was to be formed by the defective inorganic light emitting element 102a, by using the substitute inorganic light emitting element 100W and the filter section 96. becomes possible. As described above, according to the present embodiment, by not mounting the defective inorganic light emitting element 102a, the image display of the display device 1 is prevented from becoming inappropriate, while the function of the pixel 49 that the defective inorganic light emitting element 102a is supposed to be in charge of. can be substituted with the substitute inorganic light emitting element 100W and the filter section 96, an image can be appropriately displayed even when the defective inorganic light emitting element 102a is not mounted.

本実施形態に係る表示装置１は、所定の色の光を発光する無機発光体１００と、所定の色とは異なる代替色の光ＬＷを発光する代替無機発光体１００Ｗと、フィルタ部９６と、を備えるといえる。フィルタ部９６は、平面視において代替無機発光体１００Ｗと重畳する位置に設けられて、代替無機発光体１００Ｗからの光ＬＷのうち、所定の色の光を透過する。すなわち、本実施形態に係る表示装置１は、代替無機発光素子１０２Ｗから発光されてフィルタ部９６を透過した光の色を、他の１つの無機発光素子１０２から発光される光の色と同じにしている。さらに言えば、代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６が設けられない１つの画素Ｐｉｘにおいては、第１無機発光体１００Ｒと第２無機発光体１００Ｇと第３無機発光体１００Ｂとが設けられる。一方、代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６が設けられる１つの画素Ｐｉｘにおいては、フィルタ部９６が透過する光の色と同じ色の光を発光する無機発光体１００が、設けられない。例えばフィルタ部９６Ｒが設けられる画素Ｐｉｘには、第１無機発光体１００Ｒが設けられず、代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６Ｒと、第２無機発光体１００Ｇと、第３無機発光体１００Ｂとが設けられる。また、表示装置１全体に着目すると、所定の色（例えば第１色）を表示する画素４９（例えば第１画素４９Ｒ）として、その所定の色の光を発光する無機発光体１００（例えば第１無機発光体１００Ｒ）を含む画素４９と、代替色の光ＬＷを発光する代替無機発光体１００Ｗ、及びその所定の色の光を透過するフィルタ部９６（例えばフィルタ部９６Ｒ）を含む画素４９と、が含まれる。 The display device 1 according to the present embodiment includes an inorganic light emitter 100 that emits light of a predetermined color, an alternative inorganic light emitter 100W that emits light LW of an alternative color different from the predetermined color, and a filter section 96. , can be said to be provided. The filter section 96 is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitter 100W in plan view, and transmits light of a predetermined color among the light LW from the substitute inorganic light emitter 100W. That is, the display device 1 according to the present embodiment makes the color of the light emitted from the alternative inorganic light emitting element 102W and transmitted through the filter section 96 the same as the color of the light emitted from the other inorganic light emitting element 102. ing. Furthermore, in one pixel Pix in which the substitute inorganic light emitter 100W and the filter section 96 are not provided, the first inorganic light emitter 100R, the second inorganic light emitter 100G, and the third inorganic light emitter 100B are provided. On the other hand, in one pixel Pix in which the alternative inorganic light emitter 100W and the filter section 96 are provided, the inorganic light emitter 100 that emits light of the same color as the light transmitted through the filter section 96 is not provided. For example, in the pixel Pix provided with the filter section 96R, the first inorganic light emitter 100R is not provided, and the alternative inorganic light emitter 100W and the filter section 96R, the second inorganic light emitter 100G, and the third inorganic light emitter 100B are included. be provided. Focusing on the display device 1 as a whole, the pixels 49 (for example, the first pixels 49R) that display a predetermined color (for example, the first color) are the inorganic light emitters 100 (for example, the first color) that emit light of the predetermined color. a pixel 49 that includes an inorganic light emitter 100R), an alternative inorganic light emitter 100W that emits alternative color light LW , and a pixel 49 that includes a filter portion 96 (for example, a filter portion 96R) that transmits the predetermined color light. , is included.

なお、本実施形態においては、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷは、不良無機発光素子１０２ａの光と同じ波長帯の光を含み、フィルタ部９６は、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷのうち、不良無機発光素子１０２ａからの光の波長帯(色）と、同じ波長帯（色）の光を透過する。ただし、代替色の光ＬＷは、不良無機発光素子１０２ａの光と同じ波長帯の光を含まなくてよい。この場合、フィルタ部９６は、例えば、代替無機発光体１００Ｗからの代替色の光ＬＷの波長（色）を、不良無機発光素子１０２ａからの光と同じ波長帯（色）に変換する、波長変換フィルタであってもよい。すなわち、フィルタ部９６は、代替無機発光体１００Ｗからの光ＬＷを、不良無機発光素子１０２ａからの光と同じ色の光にして出射するものであればよい。 In the present embodiment, the alternative color light LW from the alternative inorganic light emitting body 100W includes light in the same wavelength band as the light from the defective inorganic light emitting element 102a, and the filter section 96 filters the light from the alternative inorganic light emitting body 100W. of the alternative color light LW , the light in the same wavelength band (color) as the light from the defective inorganic light emitting element 102a is transmitted. However, the alternative color light LW does not have to include light in the same wavelength band as the light from the defective inorganic light emitting element 102a. In this case, the filter unit 96 converts, for example, the wavelength (color) of the alternative color light LW from the alternative inorganic light emitter 100W into the same wavelength band (color) as the light from the defective inorganic light emitting element 102a. It may be a conversion filter. In other words, the filter section 96 may emit the light LW from the substitute inorganic light emitting element 100W in the same color as the light from the defective inorganic light emitting element 102a.

（表示装置の製造方法）
次に、表示装置１の製造方法、より具体的には代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６の搭載方法について説明する。図８は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する図である。図８のステップＳ１０に示すように、本実施形態に係る表示装置１の製造方法においては、表示装置１のアレイ基板２を形成する。すなわち、表示装置１における、アノード電極１１２より下側の各部と、アノード電極１１２とを形成する。また、本製造方法においては、アレイ基板２とは別の形成基板２００上に、無機発光素子１０２を形成する。本実施形態においては、無機発光素子１０２の種類毎に、別の形成基板２００を用いて形成する。すなわち、１つの形成基板２００上には同じ色の光を発光する無機発光素子１０２を形成するものであり、図８の例では、形成基板２００Ｒ上に複数の第１無機発光素子１０２Ｒを形成し、形成基板２００Ｇ上に複数の第２無機発光素子１０２Ｇを形成し、形成基板２００Ｂ上に複数の第３無機発光素子１０２Ｂを形成する。 (Manufacturing method of display device)
Next, a method for manufacturing the display device 1, more specifically, a method for mounting the alternative inorganic light emitter 100W and the filter section 96 will be described. 8A and 8B are diagrams for explaining the manufacturing method of the display device according to the present embodiment. As shown in step S10 of FIG. 8, in the manufacturing method of the display device 1 according to this embodiment, the array substrate 2 of the display device 1 is formed. That is, each part below the anode electrode 112 and the anode electrode 112 in the display device 1 are formed. Further, in this manufacturing method, the inorganic light emitting elements 102 are formed on the formation substrate 200 different from the array substrate 2 . In this embodiment, different formation substrates 200 are used for each type of inorganic light emitting device 102 . That is, the inorganic light emitting elements 102 that emit light of the same color are formed on one formation substrate 200. In the example of FIG. 8, a plurality of first inorganic light emitting elements 102R are formed on the formation substrate 200R. , a plurality of second inorganic light emitting devices 102G are formed on a forming substrate 200G, and a plurality of third inorganic light emitting devices 102B are formed on a forming substrate 200B.

本実施形態においては、形成基板２００上に形成された無機発光素子１０２に対して検出ステップを実行して、形成基板２００上に形成された無機発光素子１０２のうちから、不良無機発光素子１０２ａを検出する。不良無機発光素子１０２ａの検出方法としては、例えば、フォトルミネッセンス法が用いられる。フォトルミネッセンス法においては、無機発光素子１０２に光を照射して、励起された無機発光素子１０２の電子が基底状態に戻る際に発光される光を検出して、その光に基づき、欠陥など、無機発光素子１０２の状態を検出する。そして、例えばフォトルミネッセンス法で検出した無機発光素子１０２の状態に基づき、不良無機発光素子１０２ａであるかを判断する。例えばフォトルミネッセンス法で欠陥が検出された無機発光素子１０２を、不良無機発光素子１０２ａとして判断してよい。ただし、不良無機発光素子１０２ａの検出方法は、これに限られず任意である。 In this embodiment, the detection step is performed on the inorganic light emitting devices 102 formed on the forming substrate 200 to detect the defective inorganic light emitting device 102a from among the inorganic light emitting devices 102 formed on the forming substrate 200. To detect. As a method for detecting the defective inorganic light emitting element 102a, for example, a photoluminescence method is used. In the photoluminescence method, the inorganic light emitting element 102 is irradiated with light, and the light emitted when the excited electrons of the inorganic light emitting element 102 return to the ground state is detected. The state of the inorganic light emitting element 102 is detected. Then, based on the state of the inorganic light emitting element 102 detected by, for example, a photoluminescence method, it is determined whether the inorganic light emitting element 102a is defective. For example, an inorganic light emitting element 102 in which a defect is detected by a photoluminescence method may be determined as a defective inorganic light emitting element 102a. However, the method for detecting the defective inorganic light emitting element 102a is not limited to this, and is arbitrary.

本製造方法においては、形成基板２００上に形成された無機発光素子１０２のうち、不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２を、アレイ基板２上に搭載する。図８では、形成基板２００Ｒ上の複数の第１無機発光素子１０２Ｒから、不良無機発光素子１０２ａが検出されたことを例にして説明する。ステップＳ１０においては、形成基板２００Ｒ上の複数の第１無機発光素子１０２Ｒのうち、不良無機発光素子１０２ａ以外の第１無機発光素子１０２Ｒを、アレイ基板２のアノード電極１１２上に搭載する。不良無機発光素子１０２ａが搭載される予定だったアレイ基板２のアノード電極１１２上には、第１無機発光素子１０２Ｒが搭載されず、無機発光素子１０２が搭載可能なスペースが残る。本実施形態では、レーザリフトオフによって、無機発光素子１０２をアレイ基板２上に搭載する。具体的には、形成基板２００Ｒの第１無機発光素子１０２Ｒが形成された面をアレイ基板２のアノード電極１１２が形成された面に対向させる。そして、形成基板２００Ｒの第１無機発光素子１０２Ｒが形成された面と反対側の面から、形成基板２００Ｒ上の不良無機発光素子１０２ａ以外の第１無機発光素子１０２Ｒに、レーザ光ＬＩを照射する。これにより、不良無機発光素子１０２ａ以外の第１無機発光素子１０２Ｒは、形成基板２００Ｒ上から剥離して、アレイ基板２のアノード電極１１２上に転写される。本製造方法においては、形成基板２００Ｒの面全体にレーザ光ＬＩを照射させつつ、不良無機発光素子１０２ａにはレーザ光ＬＩが当たらないようにマスキングなどをすることで、不良無機発光素子１０２ａ以外の第１無機発光素子１０２Ｒにだけレーザ光ＬＩを照射してよい。これにより、例えば１回のレーザ光ＬＩの照射で、不良無機発光素子１０２ａ以外の複数の第１無機発光素子１０２Ｒを、選択的に剥離できる。ただし、不良無機発光素子１０２ａ以外の第１無機発光素子１０２Ｒのそれぞれに、個別にレーザ光ＬＩを照射させてもよい。また、アレイ基板２に無機発光素子１０２を搭載する方法は、レーザリフトオフに限られず任意であってよい。 In this manufacturing method, among the inorganic light emitting elements 102 formed on the formation substrate 200 , the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting elements 102 a are mounted on the array substrate 2 . In FIG. 8, an example in which defective inorganic light emitting elements 102a are detected from a plurality of first inorganic light emitting elements 102R on the formation substrate 200R will be described. In step S10, among the plurality of first inorganic light emitting elements 102R on the formation substrate 200R, the first inorganic light emitting elements 102R other than the defective inorganic light emitting elements 102a are mounted on the anode electrodes 112 of the array substrate 2. FIG. The first inorganic light emitting element 102R is not mounted on the anode electrode 112 of the array substrate 2 on which the defective inorganic light emitting element 102a was to be mounted, leaving a space where the inorganic light emitting element 102 can be mounted. In this embodiment, the inorganic light emitting device 102 is mounted on the array substrate 2 by laser lift-off. Specifically, the surface of the formation substrate 200R on which the first inorganic light emitting elements 102R are formed faces the surface of the array substrate 2 on which the anode electrodes 112 are formed. Then, the first inorganic light emitting elements 102R other than the defective inorganic light emitting elements 102a on the forming substrate 200R are irradiated with a laser beam LI from the surface of the forming substrate 200R opposite to the surface on which the first inorganic light emitting elements 102R are formed. . As a result, the first inorganic light emitting elements 102R other than the defective inorganic light emitting elements 102a are separated from the forming substrate 200R and transferred onto the anode electrode 112 of the array substrate 2. FIG. In this manufacturing method, while the entire surface of the formation substrate 200R is irradiated with the laser light LI, the defective inorganic light emitting elements 102a are masked so that the laser light LI does not hit them. Only the first inorganic light emitting element 102R may be irradiated with the laser light LI. As a result, the first inorganic light emitting elements 102R other than the defective inorganic light emitting elements 102a can be selectively peeled off, for example, by one irradiation of the laser beam LI. However, each of the first inorganic light emitting elements 102R other than the defective inorganic light emitting element 102a may be individually irradiated with the laser light LI. Moreover, the method of mounting the inorganic light emitting elements 102 on the array substrate 2 is not limited to laser lift-off, and may be arbitrary.

なお、図８の例では、形成基板２００上に形成される無機発光素子１０２の位置と、アレイ基板２上に形成されるアノード電極１１２の位置とが対応しており、言い換えれば、形成基板２００上に形成される無機発光素子１０２の数及びピッチ（隣り合う無機発光素子１０２の中心間距離）が、アレイ基板２上に形成されるアノード電極１１２の数及びピッチ（隣り合う無機発光素子１０２の中心間距離）と同じである。形成基板２００上における無機発光素子１０２の座標と、アレイ基板２上におけるアノード電極１１２の座標とが、対応していると言い換えることもできる。図８の例では、形成基板２００Ｒ上の第１無機発光素子１０２Ｒの数及びピッチは、アレイ基板２上の無機発光素子１０２（第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、第３無機発光素子１０２Ｂ）が搭載予定のアノード電極１１２の数及びピッチに対応している。ただし、形成基板２００上に形成される第１無機発光素子１０２Ｒの数及びピッチは、それに限られず任意であってよい。例えば、形成基板２００Ｒ上の第１無機発光素子１０２Ｒの数及びピッチは、アレイ基板２上の第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定のアノード電極１１２の数及びピッチに対応してもよい。また例えば、形成基板２００Ｒ上に形成される第１無機発光素子１０２Ｒの数が、アレイ基板２上の無機発光素子１０２が搭載予定のアノード電極１１２の数の任意の整数ｎ倍となっており、形成基板２００Ｒ上に形成される第１無機発光素子１０２Ｒのピッチが、アレイ基板２上の第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定のアノード電極１１２のピッチに対して整数ｎ分の１倍となっていてもよい。この場合は、アレイ基板２に転写する形成基板２００上の無機発光素子１０２のみに、レーザ光ＬＩを照射する。形成基板２００Ｇ、２００Ｂ上の第２無機発光素子１０２Ｇ、第３無機発光素子１０２Ｂの数及びピッチや、後述の形成基板２０２上の代替無機発光素子１０２Ｗの数及びピッチについても、形成基板２００Ｒ上の第１無機発光素子１０２Ｒの数及びピッチと同様に設定されていてよい。 In the example of FIG. 8, the positions of the inorganic light emitting elements 102 formed on the formation substrate 200 correspond to the positions of the anode electrodes 112 formed on the array substrate 2. In other words, the formation substrate 200 The number and pitch of the inorganic light emitting elements 102 formed thereon (center-to-center distance between the adjacent inorganic light emitting elements 102) correspond to the number and pitch of the anode electrodes 112 formed on the array substrate 2 (the distance between the adjacent inorganic light emitting elements 102). center-to-center distance). It can also be said that the coordinates of the inorganic light emitting element 102 on the formation substrate 200 and the coordinates of the anode electrode 112 on the array substrate 2 correspond to each other. In the example of FIG. 8, the number and pitch of the first inorganic light emitting elements 102R on the formation substrate 200R are the same as the number and pitch of the inorganic light emitting elements 102 on the array substrate 2 (the first inorganic light emitting elements 102R, the second inorganic light emitting elements 102G, the third inorganic light emitting elements 102R, the The light emitting element 102B) corresponds to the number and pitch of the anode electrodes 112 to be mounted. However, the number and pitch of the first inorganic light emitting elements 102R formed on the formation substrate 200 are not limited to this and may be arbitrary. For example, the number and pitch of the first inorganic light emitting elements 102R on the formation substrate 200R may correspond to the number and pitch of the anode electrodes 112 on which the first inorganic light emitting elements 102R on the array substrate 2 are to be mounted. Further, for example, the number of the first inorganic light emitting elements 102R formed on the formation substrate 200R is an arbitrary integer n times the number of the anode electrodes 112 on which the inorganic light emitting elements 102 on the array substrate 2 are to be mounted, The pitch of the first inorganic light-emitting elements 102R formed on the formation substrate 200R is one times the pitch of the anode electrodes 112 on which the first inorganic light-emitting elements 102R are to be mounted on the array substrate 2 by an integer n. may In this case, only the inorganic light emitting elements 102 on the formation substrate 200 to be transferred to the array substrate 2 are irradiated with the laser light LI. The number and pitch of the second inorganic light emitting elements 102G and the third inorganic light emitting elements 102B on the forming substrates 200G and 200B, and the number and pitch of the alternative inorganic light emitting elements 102W on the forming substrate 202, which will be described later, are also the same on the forming substrate 200R. It may be set in the same manner as the number and pitch of the first inorganic light emitting elements 102R.

次に、ステップＳ１２に示すように、形成基板２００Ｇ上の複数の第２無機発光素子１０２Ｇを、アレイ基板２のアノード電極１１２上に搭載する。具体的には、形成基板２００Ｇの第２無機発光素子１０２Ｇが形成された面をアレイ基板２のアノード電極１１２が形成された面に対向させて、形成基板２００Ｇの第２無機発光素子１０２Ｇが形成された面と反対側の面から、形成基板２００Ｇ上の第２無機発光素子１０２Ｇに、レーザ光ＬＩを照射する。これにより、第２無機発光素子１０２Ｇを形成基板２００Ｇ上から剥離させて、第２無機発光素子１０２Ｇをアレイ基板２のアノード電極１１２上に転写する。なお、本実施形態では、形成基板２００Ｇ上の複数の第２無機発光素子１０２Ｇについても不良無機発光素子１０２ａの検出を行っており、不良無機発光素子１０２ａがある場合には、不良無機発光素子１０２ａ以外の第２無機発光素子１０２Ｇを、アレイ基板２のアノード電極１１２上に搭載する。 Next, as shown in step S12, the plurality of second inorganic light emitting elements 102G on the formation substrate 200G are mounted on the anode electrodes 112 of the array substrate 2. Next, as shown in FIG. Specifically, the surface of the formation substrate 200G on which the second inorganic light emitting elements 102G are formed faces the surface of the array substrate 2 on which the anode electrodes 112 are formed, and the second inorganic light emitting elements 102G of the formation substrate 200G are formed. The second inorganic light-emitting element 102G on the formation substrate 200G is irradiated with the laser beam LI from the surface opposite to the surface where the laser beam is formed. As a result, the second inorganic light-emitting element 102G is separated from the formation substrate 200G and transferred onto the anode electrode 112 of the array substrate 2 . In this embodiment, the defective inorganic light emitting element 102a is also detected for the plurality of second inorganic light emitting elements 102G on the formation substrate 200G. The second inorganic light emitting element 102G other than the above is mounted on the anode electrode 112 of the array substrate 2. As shown in FIG.

次に、ステップＳ１４に示すように、形成基板２００Ｂ上の複数の第３無機発光素子１０２Ｂを、アレイ基板２のアノード電極１１２上に搭載する。具体的には、形成基板２００Ｂの第３無機発光素子１０２Ｂが形成された面をアレイ基板２のアノード電極１１２が形成された面に対向させて、形成基板２００Ｂの第３無機発光素子１０２Ｂが形成された面と反対側の面から、形成基板２００Ｂ上の第３無機発光素子１０２Ｂに、レーザ光ＬＩを照射する。これにより、第３無機発光素子１０２Ｂを形成基板２００Ｂ上から剥離させて、第３無機発光素子１０２Ｂをアレイ基板２のアノード電極１１２上に転写する。なお、本実施形態では、形成基板２００Ｂ上の複数の第３無機発光素子１０２Ｂについても不良無機発光素子１０２ａの検出を行っており、不良無機発光素子１０２ａがある場合には、不良無機発光素子１０２ａ以外の第３無機発光素子１０２Ｂを、アレイ基板２のアノード電極１１２上に搭載する。 Next, as shown in step S14, the plurality of third inorganic light emitting elements 102B on the formation substrate 200B are mounted on the anode electrodes 112 of the array substrate 2. Next, as shown in FIG. Specifically, the surface of the formation substrate 200B on which the third inorganic light emitting elements 102B are formed faces the surface of the array substrate 2 on which the anode electrodes 112 are formed, and the third inorganic light emitting elements 102B of the formation substrate 200B are formed. The third inorganic light emitting element 102B on the formation substrate 200B is irradiated with the laser beam LI from the surface opposite to the surface where the laser beam is formed. As a result, the third inorganic light-emitting element 102B is separated from the formation substrate 200B and transferred onto the anode electrode 112 of the array substrate 2 . In this embodiment, the defective inorganic light emitting element 102a is also detected for the plurality of third inorganic light emitting elements 102B on the formation substrate 200B. A third inorganic light-emitting element 102B other than the above is mounted on the anode electrode 112 of the array substrate 2 .

このように、図８の例では、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、第３無機発光素子１０２Ｂの順で、アレイ基板２のアノード電極１１２上への搭載を行ったが、搭載の順番は任意である。また、本実施形態では、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、第３無機発光素子１０２Ｂをそれぞれ別の形成基板２００に形成して、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、第３無機発光素子１０２Ｂをそれぞれ別のタイミングでアレイ基板２に移し替えている。ただし例えば、１つの形成基板２００に第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、及び第３無機発光素子１０２Ｂを形成して、それらを一度にアレイ基板２に移し替えてもよい。 As described above, in the example of FIG. 8, the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B are mounted in this order on the anode electrode 112 of the array substrate 2. The order of mounting is arbitrary. Further, in the present embodiment, the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B are formed on separate formation substrates 200, respectively, and the first inorganic light emitting element 102R and the second inorganic light emitting element 102R The element 102G and the third inorganic light emitting element 102B are transferred to the array substrate 2 at different timings. However, for example, the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B may be formed on one formation substrate 200 and transferred to the array substrate 2 at once.

第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、第３無機発光素子１０２Ｂのアレイ基板２への搭載が終了したら、ステップＳ１６に示すように、代替無機発光素子１０２Ｗを、アレイ基板２のアノード電極１１２上へ搭載する。より詳しくは、アレイ基板２の不良無機発光素子１０２ａが搭載される予定だった位置に、代替無機発光素子１０２Ｗを搭載する。本実施形態では、形成基板２０２上に、すなわち第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、及び第３無機発光素子１０２Ｂが搭載されていた形成基板２００とは別の基板上に、代替無機発光素子１０２Ｗを形成する。そして、形成基板２０２上に形成された代替無機発光素子１０２Ｗを、アレイ基板２のアノード電極１１２上へ搭載する。具体的には、形成基板２０２の代替無機発光素子１０２Ｗが形成された面をアレイ基板２のアノード電極１１２が形成された面に対向させて、形成基板２０２の代替無機発光素子１０２Ｗが形成された面と反対側の面から、形成基板２０２上の代替無機発光素子１０２Ｗに、レーザ光ＬＩを照射する。これにより、代替無機発光素子１０２Ｗを形成基板２０２上から剥離させて、代替無機発光素子１０２Ｗをアレイ基板２のアノード電極１１２上に転写する。なお、ここでは、不良無機発光素子１０２ａが搭載される予定だったアレイ基板２のアノード電極１１２に対向する位置にある代替無機発光素子１０２Ｗに、レーザ光ＬＩを当てる。これにより、形成基板２０２上の代替無機発光素子１０２Ｗのうち、不良無機発光素子１０２ａが搭載される予定だったアノード電極１１２に対向する位置にある代替無機発光素子１０２Ｗのみを剥離させて、不良無機発光素子１０２ａが搭載される予定だったアノード電極１１２上に、代替無機発光素子１０２Ｗを搭載できる。なお、形成基板２０２上の代替無機発光素子１０２Ｗについても不良の検査を行ってよく、不良でない代替無機発光素子１０２Ｗを、アレイ基板２に搭載してよい。 After the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B have been mounted on the array substrate 2, the alternative inorganic light emitting element 102W is placed on the anode of the array substrate 2 as shown in step S16. It is mounted on electrode 112 . More specifically, the substitute inorganic light emitting element 102W is mounted at the position where the defective inorganic light emitting element 102a of the array substrate 2 was to be mounted. In this embodiment, an alternative An inorganic light emitting element 102W is formed. Then, the alternative inorganic light emitting element 102 W formed on the formation substrate 202 is mounted on the anode electrode 112 of the array substrate 2 . Specifically, the surface of the formation substrate 202 on which the alternative inorganic light emitting elements 102W are formed faces the surface of the array substrate 2 on which the anode electrodes 112 are formed, and the alternative inorganic light emitting elements 102W of the formation substrate 202 are formed. The alternative inorganic light emitting element 102W on the formation substrate 202 is irradiated with the laser light LI from the opposite side. As a result, the substitute inorganic light emitting element 102W is separated from the formation substrate 202 and transferred onto the anode electrode 112 of the array substrate 2 . Here, the replacement inorganic light emitting element 102W located opposite the anode electrode 112 of the array substrate 2 on which the defective inorganic light emitting element 102a was to be mounted is irradiated with the laser beam LI. As a result, of the substitute inorganic light emitting elements 102W on the formation substrate 202, only the substitute inorganic light emitting elements 102W at positions facing the anode electrodes 112 on which the defective inorganic light emitting elements 102a were to be mounted are peeled off. A substitute inorganic light emitting element 102W can be mounted on the anode electrode 112 where the light emitting element 102a was to be mounted. The substitute inorganic light emitting element 102W on the formation substrate 202 may also be inspected for defects, and the non-defective substitute inorganic light emitting element 102W may be mounted on the array substrate 2. FIG.

ステップＳ１６で代替無機発光素子１０２Ｗをアレイ基板２上に搭載することにより、ステップＳ１８に示すように、不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２と、代替無機発光素子１０２Ｗとが、アレイ基板２上に搭載される。本実施形態では、ステップＳ１０、Ｓ１２、Ｓ１４（第１搭載ステップ）で不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２を搭載した後に、ステップＳ１６（第２搭載ステップ）で代替無機発光素子１０２Ｗを搭載するが、順番はこれに限られず、例えば先に代替無機発光素子１０２Ｗを搭載してよい。この場合、予め形成基板２００上の不良無機発光素子１０２ａを検出しておき、アレイ基板２上の不良無機発光素子１０２ａに対応するアノード電極１１２（不良無機発光素子１０２ａが搭載予定のアノード電極１１２）を検出する。そして、アレイ基板２上の不良無機発光素子１０２ａに対応するアノード電極１１２に対して、代替無機発光素子１０２Ｗを搭載して、その後、不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２を搭載すればよい。 By mounting the substitute inorganic light emitting element 102W on the array substrate 2 in step S16, the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting element 102a and the substitute inorganic light emitting element 102W are mounted on the array substrate 2 as shown in step S18. mounted on top. In this embodiment, after the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting element 102a are mounted in steps S10, S12, and S14 (first mounting step), the substitute inorganic light emitting element 102W is mounted in step S16 (second mounting step). However, the order is not limited to this, and for example, the alternative inorganic light emitting element 102W may be mounted first. In this case, the defective inorganic light emitting elements 102a on the formation substrate 200 are detected in advance, and the anode electrodes 112 corresponding to the defective inorganic light emitting elements 102a on the array substrate 2 (the anode electrodes 112 on which the defective inorganic light emitting elements 102a are to be mounted) are detected. to detect Then, the substitute inorganic light emitting element 102W is mounted on the anode electrode 112 corresponding to the defective inorganic light emitting element 102a on the array substrate 2, and then the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting element 102a are mounted. .

不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２と代替無機発光素子１０２Ｗとを搭載したら、ステップＳ２０に示すように、無機発光素子１０２上のそれぞれに、すなわち不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２及び代替無機発光素子１０２Ｗの上のそれぞれに、カソード電極１１４を形成する。これにより、アノード電極１１２、無機発光素子１０２及びカソード電極１１４を含んだ無機発光体１００が形成される。そして、無機発光体１００上に、すなわち不良無機発光体１００ａ以外の無機発光体１００及び代替無機発光体１００Ｗ上に、対向カソード電極９０ｅを形成する（対向電極形成ステップ）。対向カソード電極９０ｅは、全ての無機発光体１００に対して共通に設けられる。なお、図８の例では、アノード電極１１２及びカソード電極１１４が含まれない無機発光素子１０２を形成基板上に形成して、アレイ基板２に転写しているが、例えばアノード電極１１２と無機発光素子１０２とカソード電極１１４とを形成基板上に形成して、アレイ基板２に転写してもよい。 After the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting element 102a and the substitute inorganic light emitting elements 102W are mounted, as shown in step S20, on each of the inorganic light emitting elements 102, that is, the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting element 102a. and a cathode electrode 114 is formed on each of the alternative inorganic light emitting elements 102W. As a result, the inorganic light emitter 100 including the anode electrode 112, the inorganic light emitting element 102, and the cathode electrode 114 is formed. Then, a counter cathode electrode 90e is formed on the inorganic light emitter 100, that is, on the inorganic light emitters 100 other than the defective inorganic light emitter 100a and the substitute inorganic light emitter 100W (counter electrode forming step). The counter cathode electrode 90e is commonly provided for all the inorganic light emitters 100. As shown in FIG. In the example of FIG. 8, the inorganic light-emitting elements 102 that do not include the anode electrode 112 and the cathode electrode 114 are formed on the formation substrate and transferred to the array substrate 2. For example, the anode electrode 112 and the inorganic light-emitting element 102 and cathode electrode 114 may be formed on a formation substrate and transferred to array substrate 2 .

対向カソード電極９０ｅを形成したら、ステップＳ２２（フィルタ部形成ステップ）に示すように、対向カソード電極９０ｅ上の、平面視で代替無機発光体１００Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６を形成する。本製造方法においては、例えば液状のフィルタ部９６を、対向カソード電極９０ｅ上の、平面視で代替無機発光体１００Ｗに重なる位置に塗布して、液状のフィルタ部９６を固化させることにより、フィルタ部９６を形成する。ただし、例えば固形状のフィルタ部９６を、対向カソード電極９０ｅ上の、平面視で代替無機発光体１００Ｗに重なる位置に貼り付けてもよい。ステップＳ２２では、搭載しなかった不良無機発光体１００ａの種類、すなわち不良無機発光体１００ａの発光する色に応じて、フィルタ部９６を選択して、選択したフィルタ部９６を対向カソード電極９０ｅ上に形成する。すなわち、代替無機発光体１００Ｗが搭載される位置に搭載予定だった不良無機発光体１００ａが第１無機発光体１００Ｒである場合、その代替無機発光体１００Ｗに重なる位置には、フィルタ部９６Ｒを形成し、代替無機発光体１００Ｗが搭載される位置に搭載予定だった不良無機発光体１００ａが第２無機発光体１００Ｇである場合、その代替無機発光体１００Ｗに重なる位置には、フィルタ部９６Ｇを形成し、代替無機発光体１００Ｗが搭載される位置に搭載予定だった不良無機発光体１００ａが第３無機発光体１００Ｂである場合、その代替無機発光体１００Ｗに重なる位置には、フィルタ部９６Ｂを形成する。 After the opposed cathode electrode 90e is formed, as shown in step S22 (filter portion forming step), a filter portion 96 is formed on the opposed cathode electrode 90e at a position overlapping the alternative inorganic light emitter 100W in plan view. In this manufacturing method, for example, the liquid filter portion 96 is applied on the opposed cathode electrode 90e at a position overlapping the alternative inorganic light emitter 100W in a plan view, and the liquid filter portion 96 is solidified to form a filter portion. Form 96. However, for example, a solid filter portion 96 may be attached to a position on the opposing cathode electrode 90e that overlaps the alternative inorganic light emitter 100W in a plan view. In step S22, the filter section 96 is selected according to the type of the defective inorganic light-emitting body 100a that was not mounted, that is, the color of light emitted by the defective inorganic light-emitting body 100a, and the selected filter section 96 is placed on the counter cathode electrode 90e. Form. That is, when the defective inorganic light emitting body 100a to be mounted at the position where the alternative inorganic light emitting body 100W is to be mounted is the first inorganic light emitting body 100R, the filter portion 96R is formed at the position overlapping the alternative inorganic light emitting body 100W. However, if the defective inorganic light emitter 100a to be mounted at the position where the alternative inorganic light emitter 100W is to be mounted is the second inorganic light emitter 100G, the filter section 96G is formed at the position overlapping the alternative inorganic light emitter 100W. However, if the defective inorganic light emitter 100a to be mounted at the position where the alternative inorganic light emitter 100W is to be mounted is the third inorganic light emitter 100B, the filter section 96B is formed at the position overlapping the alternative inorganic light emitter 100W. do.

フィルタ部９６を形成したら、ステップＳ２４に示すように、対向カソード電極９０ｅ上に平坦化膜９２及びカバー部９４を形成して、表示装置１の製造を完了する。ただし、ステップＳ２４の工程は必須でなく、ステップＳ２２でフィルタ部９６を形成して、表示装置１の製造を完了させてもよい。 After forming the filter portion 96, as shown in step S24, the flattening film 92 and the cover portion 94 are formed on the counter cathode electrode 90e, and the manufacture of the display device 1 is completed. However, the process of step S24 is not essential, and the manufacturing of the display device 1 may be completed by forming the filter section 96 in step S22.

以上説明したように、本実施形態に係る、アレイ基板２及びマトリクス状に並ぶ複数の無機発光素子１０２を備える表示装置１の製造方法は、検出ステップと、第１搭載ステップと、第２搭載ステップと、フィルタ部形成ステップと、を含む。検出ステップにおいては、形成基板２００上に形成された無機発光素子１０２から、不良となる無機発光素子１０２である不良無機発光素子１０２ａを検出する。第１搭載ステップにおいては、形成基板２００上に形成された無機発光素子１０２のうち、不良無機発光素子１０２ａ以外の無機発光素子１０２を、アレイ基板２上に搭載する。第２搭載ステップにおいては、不良無機発光素子１０２ａとは異なる色の光を発光する代替無機発光素子１０２Ｗを、アレイ基板２上に搭載する。フィルタ部形成ステップにおいては、アレイ基板２上の無機発光素子１０２からの光の進行方向から見て（平面視において）、代替無機発光素子１０２Ｗと重畳する位置に、代替無機発光素子１０２Ｗからの光ＬＷを不良無機発光素子１０２ａからの光と同じ色の光にして出射するフィルタ部９６を形成する。 As described above, the method of manufacturing the display device 1 including the array substrate 2 and the plurality of inorganic light emitting elements 102 arranged in a matrix according to the present embodiment includes the detection step, the first mounting step, and the second mounting step. and a filter portion forming step. In the detection step, a defective inorganic light emitting element 102 a that is a defective inorganic light emitting element 102 is detected from the inorganic light emitting elements 102 formed on the formation substrate 200 . In the first mounting step, among the inorganic light emitting elements 102 formed on the formation substrate 200 , the inorganic light emitting elements 102 other than the defective inorganic light emitting elements 102 a are mounted on the array substrate 2 . In the second mounting step, a replacement inorganic light emitting element 102W that emits light of a color different from that of the defective inorganic light emitting element 102a is mounted on the array substrate 2. FIG. In the filter section forming step, when viewed from the traveling direction of the light from the inorganic light emitting elements 102 on the array substrate 2 (in a plan view), the light from the alternative inorganic light emitting element 102W is superimposed on the alternative inorganic light emitting element 102W. A filter portion 96 is formed to convert LW into light of the same color as the light from the defective inorganic light emitting element 102a and emit it.

本実施形態によると、不良無機発光素子１０２ａを表示装置１に搭載しないことで、不良無機発光素子１０２ａの発光不良に起因して表示装置１の画像表示が不適切となることを、抑えることができる。さらに、不良無機発光素子１０２ａの代わりに代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６を搭載することで、不良無機発光素子１０２ａが受け持つはずたった画素４９の機能を代替無機発光体１００Ｗ及びフィルタ部９６で代用することができるため、不良無機発光素子１０２ａが製造されてしまった場合にも、適切に画像を表示することができる。また、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、及び第３無機発光素子１０２Ｂの全てに、不良となる可能性がある。この場合、不良無機発光素子１０２ａと同じ色の光を発光する無機発光素子１０２を代替無機発光体とすると、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、及び第３無機発光素子１０２Ｂのそれぞれを、代替無機発光体として表示装置１に搭載する必要性が生じる。この場合、例えば、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、及び第３無機発光素子１０２Ｂの３回分の、代替無機発光体の搭載工程が必要となる。一方、本実施形態においては、フィルタ部９６によって不良無機発光素子１０２ａが発光するはずだった色を表現するため、第１無機発光素子１０２Ｒ、第２無機発光素子１０２Ｇ、及び第３無機発光素子１０２Ｂのいずれに対しても、１種類の代替無機発光素子１０２Ｗを準備すれば足りる。そのため、代替無機発光素子１０２Ｗの搭載工程を、１回にすることが可能となり、代替無機発光素子１０２Ｗの搭載工程の負荷を、すなわち製造における作業負荷を、低減することができる。 According to the present embodiment, by not mounting the defective inorganic light emitting element 102a in the display device 1, it is possible to suppress inappropriate image display of the display device 1 due to the light emission failure of the defective inorganic light emitting element 102a. can. Furthermore, by mounting the substitute inorganic light emitting element 100W and the filter section 96 in place of the defective inorganic light emitting element 102a, the function of the pixel 49 that the defective inorganic light emitting element 102a should take charge of is substituted by the substitute inorganic light emitting element 100W and the filter section 96. Therefore, even if a defective inorganic light emitting element 102a is manufactured, an image can be properly displayed. In addition, all of the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B may become defective. In this case, if the inorganic light emitting element 102 that emits light of the same color as the defective inorganic light emitting element 102a is used as the substitute inorganic light emitting element, the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B There arises a need to mount each of them on the display device 1 as an alternative inorganic light emitter. In this case, for example, the step of mounting the substitute inorganic light emitting elements three times for the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B is required. On the other hand, in the present embodiment, the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B are used to express the color that should have been emitted by the defective inorganic light emitting element 102a by the filter section 96. , it is sufficient to prepare one type of substitute inorganic light-emitting element 102W. Therefore, the process of mounting the alternative inorganic light emitting element 102W can be performed only once, and the load of the process of mounting the alternative inorganic light emitting element 102W, that is, the workload in manufacturing can be reduced.

また、第２搭載ステップにおいては、アレイ基板２上の不良無機発光素子１０２ａを搭載予定だった位置に、代替無機発光素子１０２Ｗを搭載する。これにより、不良無機発光素子１０２ａが受け持つ予定だった画素４９の機能を、代替無機発光素子１０２Ｗが受け持つことが可能となり、不良無機発光素子１０２ａが製造されてしまった場合にも、適切に画像を表示することができる。 Also, in the second mounting step, the replacement inorganic light emitting element 102W is mounted at the position where the defective inorganic light emitting element 102a on the array substrate 2 was to be mounted. As a result, the substitute inorganic light emitting element 102W can take charge of the function of the pixel 49 that was supposed to be handled by the defective inorganic light emitting element 102a, and even if the defective inorganic light emitting element 102a is manufactured, the image can be properly displayed. can be displayed.

また、第２搭載ステップにおいては、形成基板２００とは異なる基板（形成基板２０２）上に形成された代替無機発光素子１０２Ｗを、アレイ基板２上に搭載する。本製造方法によれば、形成基板２０２上に形成された代替無機発光素子１０２Ｗをアレイ基板２上に搭載するため、代替無機発光素子１０２Ｗを適切にアレイ基板２上に搭載することができる。 In the second mounting step, the alternative inorganic light emitting device 102W formed on a substrate (formation substrate 202) different from the formation substrate 200 is mounted on the array substrate 2. FIG. According to this manufacturing method, since the alternative inorganic light emitting element 102W formed on the formation substrate 202 is mounted on the array substrate 2, the alternative inorganic light emitting element 102W can be appropriately mounted on the array substrate 2.

また、本製造方法は、アレイ基板２上に搭載された無機発光素子１０２及び代替無機発光素子１０２Ｗの上に、対向電極（対向カソード電極９０ｅ）を形成する対向電極形成ステップをさらに含む。フィルタ部形成ステップにおいては、対向カソード電極９０ｅ上に、フィルタ部９６を形成する。本製造方法によれば、対向カソード電極９０ｅ上にフィルタ部９６を形成するため、不良無機発光素子１０２ａが製造されてしまった場合にも、適切に画像を表示することができる。 In addition, this manufacturing method further includes a counter electrode forming step of forming a counter electrode (counter cathode electrode 90e) on the inorganic light emitting elements 102 and the alternative inorganic light emitting elements 102W mounted on the array substrate 2. FIG. In the filter portion forming step, the filter portion 96 is formed on the opposing cathode electrode 90e. According to this manufacturing method, since the filter portion 96 is formed on the opposing cathode electrode 90e, an image can be properly displayed even when a defective inorganic light emitting element 102a is manufactured.

また、フィルタ部９６は、代替無機発光素子１０２Ｗからの光ＬＷのうち、不良無機発光素子１０２ａからの光と同じ波長帯の光を透過する部材で構成される。このようなフィルタ部９６を用いることで、不良無機発光素子１０２ａが製造されてしまった場合にも、適切に画像を表示することができる。 The filter section 96 is configured by a member that transmits light in the same wavelength band as the light from the defective inorganic light emitting element 102a, out of the light LW from the replacement inorganic light emitting element 102W. By using such a filter section 96, an image can be properly displayed even when a defective inorganic light emitting element 102a is manufactured.

形成基板２００上に形成される無機発光素子１０２は、赤色、緑色、又は青色のいずれかの光を発光し、代替無機発光素子１０２Ｗは、白色の光を発光する。白色の光を発光する代替無機発光素子１０２Ｗを用いることで、フィルタ部９６により、赤色、緑色、及び青色の光にすることが可能となり、不良無機発光素子１０２ａが製造されてしまった場合にも、適切に画像を表示することができる。 The inorganic light emitting element 102 formed on the forming substrate 200 emits either red, green, or blue light, and the alternative inorganic light emitting element 102W emits white light. By using the substitute inorganic light emitting element 102W that emits white light, it is possible to convert the light to red, green, and blue by the filter section 96, even if the defective inorganic light emitting element 102a is manufactured. , the image can be displayed properly.

本実施形態に係る表示装置１は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光素子１０２と、フィルタ部９６とを備える。複数の無機発光素子１０２は、所定の色の光を発光する無機発光素子１０２と、所定の色の光とは異なる色（代替色）の光ＬＷを発光する代替無機発光素子１０２Ｗと、を備える。フィルタ部９６は、無機発光素子１０２からの光の進行方向から見て（平面視で）、代替無機発光素子１０２Ｗと重畳する位置に設けられ、代替無機発光素子１０２Ｗからの光ＬＷを所定の色の光と同じ色の光にして出射する。すなわち、本実施形態に係る表示装置１は、代替無機発光素子１０２Ｗから発光されてフィルタ部９６を透過した光の色が、他の無機発光素子１０２から発光される光の色と同じになっている。そのため、表示装置１によると、搭載されなかった不良無機発光素子１０２ａが発光すべきだった色の光を、代替無機発光素子１０２Ｗ及びフィルタ部９６で発光できるため、不良無機発光素子１０２ａが製造されてしまった場合にも、適切に画像を表示することができる。 The display device 1 according to this embodiment includes a plurality of inorganic light-emitting elements 102 arranged in a matrix and a filter section 96 . The plurality of inorganic light emitting elements 102 includes an inorganic light emitting element 102 that emits light of a predetermined color and alternative inorganic light emitting elements 102W that emit light LW of a color (alternative color) different from the light of the predetermined color. Prepare. The filter unit 96 is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W when viewed from the traveling direction of the light from the inorganic light emitting element 102 (in a plan view), and filters the light L W from the substitute inorganic light emitting element 102W into a predetermined It emits light of the same color as the colored light. That is, in the display device 1 according to the present embodiment, the color of the light emitted from the alternative inorganic light emitting element 102W and transmitted through the filter section 96 is the same as the color of the light emitted from the other inorganic light emitting elements 102. there is Therefore, according to the display device 1, the substitute inorganic light emitting element 102W and the filter section 96 can emit the light of the color that should have been emitted by the defective inorganic light emitting element 102a that was not mounted. The image can be displayed properly even when the image is lost.

以下で、本実施形態の他の例について説明する。図９は、代替無機発光体が搭載された場合の他の例を示す模式図である。例えば図９に示すように、本製造方法は、表示装置１の対向カソード電極９０ｅの上側の面９０ｅａ１に、凹部９０ｅｂを形成してもよい。凹部９０ｅｂは、対向カソード電極９０ｅの上側の面９０ｅａ１に形成された開口であり、対向カソード電極９０ｅの下側の面９０ｅａ２までは貫通していない。凹部９０ｅｂは、平面視において、代替無機発光素子１０２Ｗと重畳する位置に設けられる。このように凹部９０ｅｂを設けることで、凹部９０ｅｂにフィルタ部９６を設けることが可能となり、フィルタ部９６の位置決めを容易にでき、液状のフィルタ部９６を塗布する場合には他の無機発光体１００に重なる位置までフィルタ部９６が広がってしまうことを抑制できる。なお、凹部９０ｅｂは、代替無機発光素子１０２Ｗと重畳する位置のみに形成されてもよいし、全ての無機発光体１００に重畳する位置に設けられてもよい。凹部９０ｅｂが全ての無機発光体１００に重畳する位置に設けられる場合には、代替無機発光素子１０２Ｗに重畳する凹部９０ｅｂにのみ、フィルタ部９６を形成する。 Another example of this embodiment will be described below. FIG. 9 is a schematic diagram showing another example when an alternative inorganic light emitter is mounted. For example, as shown in FIG. 9, this manufacturing method may form a concave portion 90eb in the upper surface 90ea1 of the counter cathode electrode 90e of the display device 1. As shown in FIG. The recess 90eb is an opening formed in the upper surface 90ea1 of the opposing cathode electrode 90e and does not penetrate to the lower surface 90ea2 of the opposing cathode electrode 90e. The concave portion 90eb is provided at a position overlapping the alternative inorganic light emitting element 102W in plan view. By providing the concave portion 90eb in this way, the filter portion 96 can be provided in the concave portion 90eb, and the positioning of the filter portion 96 can be facilitated. It is possible to prevent the filter portion 96 from spreading to a position overlapping with the . The concave portion 90eb may be formed only at a position overlapping with the alternative inorganic light-emitting element 102W, or may be provided at a position overlapping with all the inorganic light-emitting bodies 100. FIG. When the concave portion 90eb is provided at a position overlapping all the inorganic light emitting elements 100, the filter portion 96 is formed only in the concave portion 90eb overlapping the alternative inorganic light emitting element 102W.

図１０は、代替無機発光体が搭載された場合の他の例を示す模式図である。本実施形態の無機発光体１００は、図５に示したように、下部に設けられるアノード電極１１２が対向アノード電極５０ｅに接続し、上部に設けられるカソード電極１１４が対向カソード電極９０ｅに接続するタイプ（以下、フェイスアップタイプという）であった。しかし、無機発光体１００は、フェイスアップタイプに限定されない。例えば、無機発光体１００は、図１０に示すように、下部が対向アノード電極５０ｅと対向カソード電極９０ｅとの両方に接続するフェイスダウンタイプであってもよい。 FIG. 10 is a schematic diagram showing another example when an alternative inorganic light emitter is mounted. As shown in FIG. 5, the inorganic light emitter 100 of this embodiment is of a type in which the anode electrode 112 provided at the bottom is connected to the counter anode electrode 50e, and the cathode electrode 114 provided at the top is connected to the counter cathode electrode 90e. (hereinafter referred to as face-up type). However, the inorganic light emitter 100 is not limited to the face-up type. For example, as shown in FIG. 10, the inorganic light emitter 100 may be a face-down type in which the lower portion is connected to both the opposing anode electrode 50e and the opposing cathode electrode 90e.

フェイスダウンタイプにおいては、無機発光素子１０２のｎ型クラッド層１０４は、平面視で、ｐ型クラッド層１０６及び発光層１０８よりも面積が広くなるように構成される。無機発光体１００は、ｎ型クラッド層１０４がｐ型クラッド層１０６及び発光層１０８に重畳する領域ＡＲ１と、ｎ型クラッド層１０４がｐ型クラッド層１０６及び発光層１０８に重畳しない領域ＡＲ２とを含む。領域ＡＲ１においては、無機発光体１００は、上側に向けて、対向アノード電極５０ｅ、接続層５０ｆ、アノード電極１１２、ｐ型クラッド層１０６、発光層１０８、ｎ型クラッド層１０４の順に積層されている。一方、領域ＡＲ２において、無機発光体１００は、上側に向けて、対向カソード電極９０ｅ、接続層９０ｆ、カソード電極１１４ａ、ｎ型クラッド層１０４の順に積層されている。図５とは異なり、図０の対向カソード電極９０ｅは、無機発光素子１０２よりも下側に設けられている。接続層９０ｆは、例えば接続層５０ｆと同じ部材で構成されてよい。また、カソード電極１１４ａは、図５に示したカソード電極１１４と異なり透光性を有していなくてもよく、導電性を有する材料であればよい。例えば、カソード電極１１４ａは、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）とを含み、例えば、チタンの層とアルミニウムの層とチタンの層とが第３方向Ｄｚに沿って積層されている。 In the face-down type, the n-type clad layer 104 of the inorganic light-emitting element 102 is configured to have a wider area than the p-type clad layer 106 and the light-emitting layer 108 in plan view. The inorganic light emitter 100 has a region AR1 where the n-type clad layer 104 overlaps the p-type clad layer 106 and the light-emitting layer 108, and a region AR2 where the n-type clad layer 104 does not overlap the p-type clad layer 106 and the light-emitting layer 108. include. In the region AR1, the inorganic light-emitting body 100 has a facing anode electrode 50e, a connection layer 50f, an anode electrode 112, a p-type cladding layer 106, a light-emitting layer 108, and an n-type cladding layer 104 which are stacked in this order from the top. . On the other hand, in the region AR2, the inorganic light emitter 100 is laminated in order of the facing cathode electrode 90e, the connection layer 90f, the cathode electrode 114a, and the n-type clad layer 104 facing upward. 5, the opposing cathode electrode 90e in FIG. 0 is provided below the inorganic light emitting element 102. As shown in FIG. The connection layer 90f may be made of the same material as the connection layer 50f, for example. Further, unlike the cathode electrode 114 shown in FIG. 5, the cathode electrode 114a does not have to be translucent, and may be made of any conductive material. For example, the cathode electrode 114a contains titanium (Ti) and aluminum (Al), and for example, a titanium layer, an aluminum layer, and a titanium layer are laminated along the third direction Dz.

フェイスダウンタイプにおいては、対向カソード電極９０ｅが無機発光素子１０２の下側に設けられているので、代替無機発光体１００Ｗにおいては、代替無機発光体１００Ｗのｎ型クラッド層１０４の上側に、フィルタ部９６が設けられる。 In the face-down type, the opposing cathode electrode 90e is provided below the inorganic light-emitting element 102. Therefore, in the alternative inorganic light-emitting element 100W, the filter portion 96 are provided.

図１１は、代替無機発光体が搭載された場合の他の例を示す模式図である。図７においては、第１無機発光素子１０２Ｒが不良無機発光素子１０２ａである場合の例を示したが、図１１は、他の第１無機発光素子１０２Ｒが不良無機発光素子１０２ａである場合の例を示している。 FIG. 11 is a schematic diagram showing another example when an alternative inorganic light emitter is mounted. FIG. 7 shows an example in which the first inorganic light emitting element 102R is the defective inorganic light emitting element 102a, but FIG. 11 shows an example in which another first inorganic light emitting element 102R is the defective inorganic light emitting element 102a. is shown.

図１１の（Ａ）は、１つの第２無機発光素子１０２Ｇが不良無機発光素子１０２ａとして検出された場合の例を示している。この場合、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置に、代替無機発光素子１０２Ｗが搭載されている。そして、平面視において、代替無機発光体１００Ｗと重なる位置に、フィルタ部９６Ｇが設けられている。図１１の（Ｂ）は、１つの第３無機発光素子１０２Ｂが不良無機発光素子１０２ａとして検出された場合の例を示している。この場合、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置に、代替無機発光素子１０２Ｗが搭載されている。そして、平面視において、代替無機発光体１００Ｗと重なる位置に、フィルタ部９６Ｂが設けられている。 FIG. 11A shows an example in which one second inorganic light emitting element 102G is detected as a defective inorganic light emitting element 102a. In this case, the substitute inorganic light emitting element 102W is mounted at the position where the second inorganic light emitting element 102G detected as the defective inorganic light emitting element 102a was to be mounted. A filter portion 96G is provided at a position overlapping with the alternative inorganic light emitter 100W in plan view. FIG. 11B shows an example in which one third inorganic light emitting element 102B is detected as a defective inorganic light emitting element 102a. In this case, the replacement inorganic light emitting element 102W is mounted at the position where the third inorganic light emitting element 102B detected as the defective inorganic light emitting element 102a was to be mounted. A filter portion 96B is provided at a position overlapping with the alternative inorganic light emitter 100W in plan view.

図１１の（Ｃ）は、第１無機発光素子１０２Ｒと第２無機発光素子１０２Ｇとが不良無機発光素子１０２ａとして検出された場合の例を示している。この場合、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定だった位置と、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置とに、代替無機発光素子１０２Ｗが搭載されている。そして、第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｒが設けられる。そして、第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｇが設けられる。 FIG. 11C shows an example in which the first inorganic light emitting element 102R and the second inorganic light emitting element 102G are detected as the defective inorganic light emitting elements 102a. In this case, the position where the first inorganic light emitting element 102R detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted and the position where the second inorganic light emitting element 102G detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted, An alternative inorganic light emitting device 102W is mounted. A filter portion 96R is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the first inorganic light emitting element 102R was to be mounted. A filter portion 96G is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the second inorganic light emitting element 102G was to be mounted.

図１１の（Ｄ）は、第１無機発光素子１０２Ｒと第３無機発光素子１０２Ｂとが不良無機発光素子１０２ａとして検出された場合の例を示している。この場合、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定だった位置と、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置とに、代替無機発光素子１０２Ｗが搭載されている。そして、第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｒが設けられる。そして、第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｂが設けられる。 FIG. 11D shows an example in which the first inorganic light emitting element 102R and the third inorganic light emitting element 102B are detected as the defective inorganic light emitting elements 102a. In this case, the position where the first inorganic light emitting element 102R detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted and the position where the third inorganic light emitting element 102B detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted are: An alternative inorganic light emitting device 102W is mounted. A filter portion 96R is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the first inorganic light emitting element 102R was to be mounted. Then, the filter portion 96B is provided at a position overlapping the alternative inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the third inorganic light emitting element 102B was to be mounted.

図１１の（Ｅ）は、第２無機発光素子１０２Ｇと第３無機発光素子１０２Ｂとが不良無機発光素子１０２ａとして検出された場合の例を示している。この場合、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置と、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置とに、代替無機発光素子１０２Ｗが搭載されている。そして、第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｇが設けられる。そして、第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｂが設けられる。 (E) of FIG. 11 shows an example in which the second inorganic light emitting element 102G and the third inorganic light emitting element 102B are detected as the defective inorganic light emitting elements 102a. In this case, the position where the second inorganic light emitting element 102G detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted, and the position where the third inorganic light emitting element 102B detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted, An alternative inorganic light emitting device 102W is mounted. A filter portion 96G is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the second inorganic light emitting element 102G was to be mounted. Then, the filter portion 96B is provided at a position overlapping the alternative inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the third inorganic light emitting element 102B was to be mounted.

図１１の（Ｆ）は、第１無機発光素子１０２Ｒと第２無機発光素子１０２Ｇと第３無機発光素子１０２Ｂとが不良無機発光素子１０２ａとして検出された場合の例を示している。この場合、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定だった位置と、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置と、不良無機発光素子１０２ａとして検出された第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置とに、代替無機発光素子１０２Ｗが搭載されている。そして、第１無機発光素子１０２Ｒが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｒが設けられる。そして、第２無機発光素子１０２Ｇが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｇが設けられる。そして、第３無機発光素子１０２Ｂが搭載予定だった位置に搭載された代替無機発光素子１０２Ｗに重なる位置に、フィルタ部９６Ｂが設けられる。 FIG. 11F shows an example in which the first inorganic light emitting element 102R, the second inorganic light emitting element 102G, and the third inorganic light emitting element 102B are detected as the defective inorganic light emitting elements 102a. In this case, the position where the first inorganic light emitting element 102R detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted, the position where the second inorganic light emitting element 102G detected as the defective inorganic light emitting element 102a was planned to be mounted, and the defective A substitute inorganic light emitting element 102W is mounted at the position where the third inorganic light emitting element 102B detected as the inorganic light emitting element 102a was to be mounted. A filter portion 96R is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the first inorganic light emitting element 102R was to be mounted. A filter portion 96G is provided at a position overlapping the substitute inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the second inorganic light emitting element 102G was to be mounted. Then, the filter portion 96B is provided at a position overlapping the alternative inorganic light emitting element 102W mounted at the position where the third inorganic light emitting element 102B was to be mounted.

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 In addition, other actions and effects brought about by the aspects described in the present embodiment that are obvious from the description of the present specification or that can be appropriately conceived by those skilled in the art are naturally understood to be brought about by the present invention. .

１ 表示装置
２ アレイ基板
９０ｅ 対向カソード電極（対向電極）
９６ フィルタ部
１００ 無機発光体
１００ａ 不良無機発光体
１００Ｗ 代替無機発光体
１０２ 無機発光素子
１０２ａ 不良無機発光素子
１０２Ｗ 代替無機発光素子 1 display device 2 array substrate 90e counter cathode electrode (counter electrode)
96 Filter part 100 Inorganic light emitting element 100a Defective inorganic light emitting element 100W Substitute inorganic light emitting element 102 Inorganic light emitting element 102a Defective inorganic light emitting element 102W Substitute inorganic light emitting element

Claims (6)

アレイ基板及びマトリクス状に並ぶ複数の無機発光素子を備える表示装置の製造方法であって、
形成基板上に形成された複数の前記無機発光素子から、不良となる前記無機発光素子である不良無機発光素子を検出する検出ステップと、
前記形成基板上に形成された前記無機発光素子のうち、前記不良無機発光素子を前記形成基板上に残したまま、前記不良無機発光素子以外の前記無機発光素子を、前記アレイ基板上に搭載する第１搭載ステップと、
前記不良無機発光素子とは異なる色の光を発光する代替無機発光素子を、前記アレイ基板上に搭載する第２搭載ステップと、
前記アレイ基板上に搭載された前記無機発光素子及び前記代替無機発光素子の上に、対向電極を形成する対向電極形成ステップと、
前記対向電極の、平面視で前記代替無機発光素子と重畳する位置に、凹部を形成する凹部形成ステップと、
前記凹部に、前記代替無機発光素子からの光を前記不良無機発光素子からの光と同じ色の光にして出射するフィルタ部を形成するフィルタ部形成ステップと、
を含む、
表示装置の製造方法。 A method for manufacturing a display device comprising an array substrate and a plurality of inorganic light emitting elements arranged in a matrix,
a detection step of detecting a defective inorganic light emitting element, which is the inorganic light emitting element to be defective, from the plurality of the inorganic light emitting elements formed on the formation substrate;
Among the inorganic light emitting elements formed on the formation substrate, the inorganic light emitting elements other than the defective inorganic light emitting elements are mounted on the array substrate while the defective inorganic light emitting elements remain on the formation substrate. a first mounting step;
a second mounting step of mounting, on the array substrate, a substitute inorganic light emitting element that emits light of a color different from that of the defective inorganic light emitting element;
a counter electrode forming step of forming a counter electrode on the inorganic light emitting device and the alternative inorganic light emitting device mounted on the array substrate;
a recess forming step of forming a recess at a position of the counter electrode overlapping with the alternative inorganic light emitting element in plan view;
a filter portion forming step of forming a filter portion in the concave portion for outputting the light from the substitute inorganic light emitting device in the same color as the light from the defective inorganic light emitting device;
including,
A method for manufacturing a display device. 前記第２搭載ステップにおいて、前記アレイ基板上の前記不良無機発光素子を搭載予定だった位置に、前記代替無機発光素子を搭載する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein in said second mounting step, said replacement inorganic light emitting element is mounted at a position on said array substrate where said defective inorganic light emitting element was to be mounted. 前記第２搭載ステップにおいて、前記形成基板とは異なる基板上に形成された前記代替無機発光素子を、前記アレイ基板上に搭載する、請求項１又は請求項２に記載の表示装置の製造方法。 3. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein in said second mounting step, said alternative inorganic light emitting element formed on a substrate different from said formation substrate is mounted on said array substrate. 前記フィルタ部は、前記代替無機発光素子からの光のうち、前記不良無機発光素子からの光と同じ波長帯の光を透過する部材で構成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 4. The filter section according to any one of claims 1 to 3 , wherein the filter section is made of a member that transmits light in the same wavelength band as light from the defective inorganic light emitting element among the light from the substitute inorganic light emitting element. 10. A method for manufacturing the display device according to claim 1. 前記形成基板上に形成される無機発光素子は、赤色、緑色、又は青色のいずれかの光を発光し、前記代替無機発光素子は、白色の光を発光する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 The inorganic light emitting device formed on the forming substrate emits either red, green, or blue light, and the alternative inorganic light emitting device emits white light. A method of manufacturing the display device according to any one of the items. マトリクス状に並ぶ複数の無機発光素子を備える表示装置であって、
複数の前記無機発光素子は、所定の色の光を発光する無機発光素子と、前記所定の色の光とは異なる色の光を発光する代替無機発光素子と、を含み、
前記無機発光素子及び前記代替無機発光素子の上に、対向電極が設けられ、
前記対向電極の、平面視で前記代替無機発光素子と重畳する位置に、凹部が設けられ、
前記凹部に設けられ、前記代替無機発光素子からの光を前記所定の色の光と同じ色の光にして出射するフィルタ部が設けられる、表示装置。 A display device comprising a plurality of inorganic light-emitting elements arranged in a matrix,
The plurality of inorganic light emitting elements includes an inorganic light emitting element that emits light of a predetermined color and an alternative inorganic light emitting element that emits light of a color different from the predetermined color of light,
A counter electrode is provided on the inorganic light emitting device and the alternative inorganic light emitting device,
A concave portion is provided at a position of the counter electrode that overlaps with the alternative inorganic light emitting element in plan view,
A display device, further comprising: a filter portion provided in the concave portion for converting the light from the alternative inorganic light emitting element into light of the same color as the light of the predetermined color and emitting the same.
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