JP7331351B2 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LAMINATED FILM FOR TEMPORARY FIXING MATERIAL - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルムに関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a laminated film for a temporary fixing material.
半導体装置の分野では、近年、複数の半導体素子を積層したＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージに関する技術が著しく成長している。ＳＩＰ型のパッケージでは半導体素子が多数積層されるため、半導体素子には、薄厚化が要求される。この要求に応じて、半導体素子には、半導体部材（例えば、半導体ウェハ）に集積回路を組み入れた後に、例えば、半導体部材の裏面を研削する薄厚化、半導体ウェハをダイシングする個別化等の加工処理が施される。これら半導体部材の加工処理は、通常、仮固定材層によって、半導体部材を支持部材に仮固定して行われる（例えば、特許文献１～３を参照。）。
2. Description of the Related Art In the field of semiconductor devices, in recent years, there has been remarkable growth in technology related to a package called SIP (System in Package) in which a plurality of semiconductor elements are stacked. Since a large number of semiconductor elements are stacked in the SIP type package, the semiconductor elements are required to be thin. In response to this demand, after an integrated circuit is incorporated into a semiconductor member (for example, a semiconductor wafer), a semiconductor element is subjected to processing such as thinning by grinding the back surface of the semiconductor member and individualization by dicing the semiconductor wafer. is applied. These semiconductor members are usually processed by temporarily fixing the semiconductor member to a supporting member with a temporary fixing material layer (see, for example,
加工処理が施された半導体部材は、仮固定材層を介して支持部材と強固に固定されている。そのため、半導体装置の製造方法においては、半導体部材のダメージ等を防ぎつつ、加工処理後の半導体部材を支持部材から分離できることが求められる。特許文献１には、このような半導体部材を分離する方法として、仮固定材層を加熱しながら物理的に分離する方法が開示されている。また、特許文献２、３には、仮固定材層にレーザー光（コヒーレント光）を照射することによって、半導体部材を分離する方法が開示されている。
The processed semiconductor member is firmly fixed to the supporting member via the temporary fixing material layer. Therefore, in the method of manufacturing a semiconductor device, it is required to be able to separate the processed semiconductor member from the support member while preventing damage to the semiconductor member. As a method for separating such a semiconductor member,
しかし、特許文献１に開示されている方法では、熱履歴によるダメージ等が半導体ウェハに発生し、歩留まりが低下してしまう問題がある。一方で、特許文献２、３に開示されている方法では、レーザー光の照射面積が狭く、半導体部材全体に対して何度も繰り返して照射することから時間がかかってしまうこと、レーザー光の焦点を制御してスキャン照射することから工程が複雑になってしまうこと、及び高価な装置を要することの問題がある。
However, in the method disclosed in
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、仮固定材として有用な仮固定材用積層フィルムを提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device that allows the temporarily fixed semiconductor member to be easily separated from the supporting member. Another object of the present invention is to provide a laminated film for a temporary fixing material that is useful as a temporary fixing material.
本発明の一側面は、支持部材と、光を吸収して熱を発生する仮固定材層と、半導体部材とがこの順に積層された積層体を準備する準備工程と、積層体における仮固定材層に光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する分離工程とを備え、仮固定材層が、光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層とを有し、硬化性樹脂成分が、アクリル樹脂を含み、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が、２～１５ＭＰａである、半導体装置の製造方法を提供する。 One aspect of the present invention is a preparation step of preparing a laminate in which a support member, a temporary fixing material layer that absorbs light and generates heat, and a semiconductor member are laminated in this order, and a temporary fixing material in the laminate. a separation step of irradiating the layer with light to separate the semiconductor member from the support member, and the temporary fixing material layer comprises a light absorption layer that absorbs light and generates heat and a cured product of the curable resin component. and a resin cured product layer containing a curable resin component, the curable resin component contains an acrylic resin, and the storage elastic modulus at 250 ° C. of the cured product of the curable resin component is 2 to 15 MPa. do.
分離工程における光の光源が、キセノンランプであってよい。分離工程における光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。 The light source in the separation process may be a xenon lamp. The light in the separation step may be light containing at least infrared light.
分離工程は、支持部材を介して仮固定材層に光を照射する工程であってよい。 The separation step may be a step of irradiating the temporary fixing material layer with light through the support member.
硬化性樹脂成分は、熱硬化性樹脂をさらに含んでいてもよい。 The curable resin component may further contain a thermosetting resin.
別の側面において、本発明は、半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用積層フィルムであって、光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分を含む樹脂層とを有し、硬化性樹脂成分が、アクリル樹脂を含み、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が、２～１５ＭＰａである、仮固定材用積層フィルムを提供する。 In another aspect, the present invention provides a laminated film for a temporary fixing material for temporarily fixing a semiconductor member to a supporting member, comprising a light absorbing layer that absorbs light and generates heat, and a curable resin component. A laminated film for a temporary fixing material having a resin layer, a curable resin component containing an acrylic resin, and a cured product of the curable resin component having a storage elastic modulus at 250° C. of 2 to 15 MPa.
樹脂層の厚みは、５０μｍ以下であってよい。 The thickness of the resin layer may be 50 μm or less.
本発明の半導体装置の製造方法によれば、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離することが可能となる。また、本発明によれば、仮固定材として有用な仮固定材用積層フィルムが提供される。 According to the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention, it is possible to easily separate the temporarily fixed semiconductor member from the supporting member. Moreover, according to the present invention, a laminated film for a temporary fixing material useful as a temporary fixing material is provided.
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with appropriate reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In the following embodiments, the constituent elements (including steps and the like) are not essential unless otherwise specified. The sizes of the components in each figure are conceptual, and the relative sizes of the components are not limited to those shown in each figure.
本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。 The same applies to numerical values and their ranges in this specification, and they do not limit the present invention. In this specification, the numerical range indicated using "to" indicates the range including the numerical values before and after "to" as the minimum and maximum values, respectively. In the numerical ranges described stepwise in this specification, the upper limit or lower limit described in one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit of the numerical range described in other steps. good. Moreover, in the numerical ranges described in this specification, the upper and lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
本明細書において、（メタ）アクリル酸は、アクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。 As used herein, (meth)acrylic acid means acrylic acid or its corresponding methacrylic acid. The same applies to other similar expressions such as (meth)acrylate and (meth)acryloyl groups.
［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、支持部材と、光を吸収して熱を発生する仮固定材層（以下、単に「仮固定材層」という場合がある。）と、半導体部材とがこの順に積層された積層体を準備する準備工程と、積層体における仮固定材層に光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する分離工程とを備える。
[Method for manufacturing a semiconductor device]
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes a support member, a temporary fixing material layer that absorbs light and generates heat (hereinafter, may be simply referred to as a "temporary fixing material layer"), and a semiconductor member. and a separation step of irradiating the temporary fixing material layer in the laminate with light to separate the semiconductor member from the supporting member.
＜積層体の準備工程＞
図１は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図１（ａ）及び（ｂ）は、各工程を示す模式断面図である。図１（ａ）に示すとおり、積層体の準備工程においては、支持部材１０と、仮固定材層３０ｃと、半導体部材４０とがこの順に積層された積層体１００を準備する。
<Laminate preparation process>
1A and 1B are schematic cross-sectional views for explaining an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, and FIGS. 1A and 1B are schematic cross-sectional views showing respective steps. As shown in FIG. 1(a), in the laminate preparation step, a
支持部材１０は、特に制限されないが、例えば、ガラス基板、樹脂基板、シリコンウェハ、金属薄膜等であってよい。支持部材１０は、光の透過を妨げない基板であってよく、ガラス基板であってよい。
The
支持部材１０の厚みは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってよい。厚みが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にあり、厚みが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。
The thickness of the
仮固定材層３０ｃは、支持部材１０と半導体部材４０とを仮固定するための層であって、光を照射したときに、光を吸収して熱を発生する層である。仮固定材層３０ｃにおける吸収の対象となる光は、赤外光、可視光、又は紫外光のいずれかを含む光であってよい。後述の光吸収層が熱を効率よく発生させることができることから、仮固定材層３０ｃにおける吸収の対象となる光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。また、仮固定材層３０ｃは、赤外光を含む光を照射したときに、赤外光を吸収して熱を発生する層であってよい。
The temporary
図１（ａ）に示す積層体１００は、例えば、支持部材上に仮固定材前駆体層を形成し、仮固定材前駆体層上に半導体部材を配置し、仮固定材前駆体層における硬化性樹脂成分を硬化させ、仮固定材層を形成することによって作製することができる。
The
仮固定材前駆体層は、光を吸収して熱を発生する光吸収層と硬化性樹脂成分を含む樹脂層とを有する。図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、仮固定材前駆体層の一実施形態を示す模式断面図である。仮固定材前駆体層３０としては、光吸収層３２と樹脂層３４とを有しているのであれば、その構成に特に制限されないが、例えば、光吸収層３２と樹脂層３４とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図２（ａ））、樹脂層３４と光吸収層３２とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図２（ｂ））、光吸収層３２と樹脂層３４と光吸収層３２とをこの順に有する構成（図２（ｃ））等が挙げられる。これらのうち、仮固定材前駆体層３０は、光吸収層３２と樹脂層３４とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図２（ａ））であってよい。以下では、主に図２（ａ）で示す構成の仮固定材前駆体層３０を用いた態様について詳細に説明する。
The temporary fixing material precursor layer has a light absorption layer that absorbs light to generate heat and a resin layer that contains a curable resin component. FIGS. 2(a), (b), and (c) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of the temporary fixing material precursor layer. The structure of the temporary fixing
光吸収層３２の一態様は、光を吸収して熱を発生する導電体（以下、単に「導電体」という場合がある。）からなる層（以下、「導電体層」という場合がある。）である。このような導電体層を構成する導電体は、光を吸収して熱を発生する導電体であれば特に制限されないが、赤外光を吸収して熱を発生する導電体であってよい。導電体としては、例えば、クロム、銅、チタン、銀、白金、金等の金属、ニッケル－クロム、ステンレス鋼、銅－亜鉛等の合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化ニオブ等の金属酸化物、導電性カーボン等のカーボン材料などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、導電体は、クロム、チタン、銅、アルミニウム、銀、金、白金、又はカーボンであってよい。
One aspect of the
光吸収層３２は、複数の導電体層から構成されていてもよい。このような光吸収層としては、例えば、支持部材１０上に設けられる第１の導電体層と第１の導電体層の支持部材１０の反対側の面上に設けられる第２の導電体層とから構成される光吸収層等が挙げられる。第１の導電体層における導電体は、支持部材（例えば、ガラス）との密着性、成膜性、熱伝導性、低熱容量等の観点から、チタンであってよい。第２の導電体層における導電体は、高膨張係数、高熱伝導等の観点から、銅、アルミニウム、銀、金、又は白金であってよく、これらの中でも、銅又はアルミニウムであることが好ましい。
The
光吸収層３２は、これらの導電体を、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）、電解めっき、無電解めっき、プラズマ化学蒸着等の化学気相成長（ＣＶＤ）によって、支持部材１０に直接形成することができる。これらのうち、導電体層は、大面積に導電体層を形成できることから、物理気相成長を用いて形成してもよく、スパッタリング又は真空蒸着を用いて形成してもよい。
The
光吸収層３２の一態様の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。光吸収層３２が、第１の導電体層と第２の導電体層とから構成される場合、第１の導電体層の厚みは、１～１０００ｎｍ、５～５００ｎｍ、又は１０～１００ｎｍであってよく、第２の導電体層の厚みは、１～５０００ｎｍ、１０～５００ｎｍ、又は５０～２００ｎｍであってよい。
The thickness of one embodiment of the
光吸収層３２の他の態様は、光を吸収して熱を発生する導電性粒子を含む硬化性樹脂組成物の硬化物を含有する層である。硬化性樹脂組成物は、導電性粒子及び硬化性樹脂成分を含有するものであってよい。硬化性樹脂成分は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂成分であり得る。硬化性樹脂成分としては、特に制限されず、例えば、後述の樹脂層における硬化性樹脂成分で例示したもの等が挙げられる。
Another aspect of the
導電性粒子は、光を吸収して熱を発生するものであれば特に制限されないが、赤外光を吸収して熱を発生するものであってよい。導電性粒子は、例えば、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、クロム粉、鉄粉、真鋳粉、スズ粉、チタン合金、金粉、合金銅粉、酸化銅粉、酸化銀粉、酸化スズ粉、及び導電性カーボン（炭素）粉からなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。導電性粒子は、取り扱い性及び安全性の観点から、銀粉、銅粉、酸化銀粉、酸化銅粉、及びカーボン（炭素）粉からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。また、導電性粒子は、樹脂又は金属をコアとし、当該コアをニッケル、金、銀等の金属でめっきした粒子であってもよい。さらに、導電性粒子は、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。 The conductive particles are not particularly limited as long as they absorb light and generate heat, but may be those that absorb infrared light and generate heat. Examples of conductive particles include silver powder, copper powder, nickel powder, aluminum powder, chromium powder, iron powder, brass powder, tin powder, titanium alloy, gold powder, alloy copper powder, copper oxide powder, silver oxide powder, and tin oxide powder. , and conductive carbon (carbon) powder. The conductive particles may be at least one selected from the group consisting of silver powder, copper powder, silver oxide powder, copper oxide powder, and carbon (carbon) powder from the viewpoint of handleability and safety. Also, the conductive particles may be particles in which a resin or metal core is plated with a metal such as nickel, gold, or silver. Furthermore, from the viewpoint of dispersibility with a solvent, the conductive particles may be particles whose surfaces are treated with a surface treatment agent.
導電性粒子の含有量は、硬化性樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってよい。なお、硬化性樹脂組成物の導電性粒子以外の成分には、後述の有機溶剤は包含されない。導電性粒子の含有量は、１５質量部以上、２０質量部以上、又は２５質量部以上であってもよい。導電性粒子の含有量は、８０質量部以下又は５０質量部以下であってもよい。 The content of the conductive particles may be 10 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of components other than the conductive particles in the curable resin composition. The components other than the conductive particles of the curable resin composition do not include the organic solvent described below. The content of the conductive particles may be 15 parts by mass or more, 20 parts by mass or more, or 25 parts by mass or more. The content of the conductive particles may be 80 parts by mass or less or 50 parts by mass or less.
硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有していてもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってよい。硬化剤及び硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。 The curable resin composition may contain a thermosetting resin, a curing agent, and a curing accelerator. The content of the thermosetting resin may be 10 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of components other than the conductive particles in the curable resin composition. The content of the curing agent and the curing accelerator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermosetting resin.
光吸収層３２は、光を吸収して熱を発生する導電性粒子を含む硬化性樹脂組成物から形成することができる。硬化性樹脂組成物は、有機溶剤で希釈された硬化性樹脂組成物のワニスとして用いてもよい。有機溶剤としては、例えば、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いていてもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
The
光吸収層３２は、硬化性樹脂組成物を、支持部材１０に直接塗布することによって形成することができる。有機溶剤で希釈された硬化性樹脂組成物のワニスを用いる場合、硬化性樹脂組成物を支持部材１０に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。
The
光吸収層３２の他の態様の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。
Another embodiment of the
続いて、光吸収層３２上に樹脂層３４を形成する。
Subsequently, a
樹脂層３４は、導電性粒子を含有しない層であって、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂成分を含む層である。樹脂層３４は、硬化性樹脂成分からなる層であってもよい。硬化性樹脂成分は、アクリル樹脂を含み、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が、２～１５ＭＰａである。
The
アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含む重合体である。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含む重合体であってよい。アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体であるアクリルゴムであってもよい。アクリル樹脂は、所望の貯蔵弾性率が得られ易いことから、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むアクリルゴムであってよい。 Acrylic resins are polymers containing structural units derived from (meth)acrylic acid esters. The acrylic resin may be a polymer containing, as a structural unit, a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group. The acrylic resin may be acrylic rubber, which is a copolymer of (meth)acrylic acid ester and acrylonitrile. The acrylic resin may be an acrylic rubber containing a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester having a crosslinkable functional group, since a desired storage elastic modulus can be easily obtained.
アクリル樹脂のＴｇは、－１００～５００℃、－５０～３００℃、又は－５０～５０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが５００℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。アクリル樹脂のＴｇが－１００℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。 The Tg of the acrylic resin may be -100 to 500°C, -50 to 300°C, or -50 to 50°C. If the Tg of the acrylic resin is 500° C. or lower, the film-like temporary fixing material tends to have flexibility and improve low-temperature sticking properties. If the acrylic resin has a Tg of −100° C. or higher, it tends to be possible to suppress deterioration in handleability and peelability due to excessive flexibility when forming a temporary fixing material in the form of a film.
アクリル樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。アクリル樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。 The Tg of an acrylic resin is the midpoint glass transition temperature value obtained by differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, the Tg of the acrylic resin is measured at a heating rate of 10 ° C./min and measured at a temperature of -80 to 80 ° C. The midpoint glass transition calculated by a method in accordance with JIS K 7121. temperature.
アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～５００万又は１０万～２００万であってよい。重量平均分子量が１万以上であると、形成される仮固定材層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、フィルム状の仮固定材層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。 The acrylic resin may have a weight average molecular weight (Mw) of 10,000 to 5,000,000 or 100,000 to 2,000,000. When the weight-average molecular weight is 10,000 or more, it tends to be easy to ensure the heat resistance of the temporary fixing material layer to be formed. When the weight-average molecular weight is 5,000,000 or less, it tends to be easy to suppress deterioration in flow and adhesion when a film-like temporary fixing material layer is formed. The weight-average molecular weight is a polystyrene-equivalent value obtained by gel permeation chromatography (GPC) using a standard polystyrene calibration curve.
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、ＳＧ－２８０ ＥＫ２３、ＨＴＲ－８６０Ｐ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ－３ＤＢ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。 Commercially available acrylic resins include, for example, SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P, HTR-860P-3CSP, HTR-860P-3CSP-3DB (all manufactured by Nagase ChemteX Corporation).
アクリル樹脂の含有量は、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が２～１５ＭＰａの範囲となるように適宜設定することができる。アクリル樹脂の含有量は、例えば、樹脂層の全質量１００質量部に対して、４０～９０質量部であってよい。アクリル樹脂の含有量は、５０質量部以上又は６０質量部以上であってもよい。アクリル樹脂の含有量は、８５質量部以下又は８０量部以下あってもよい。アクリル樹脂の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。 The content of the acrylic resin can be appropriately set so that the cured product of the curable resin component has a storage modulus at 250° C. of 2 to 15 MPa. The content of the acrylic resin may be, for example, 40 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the resin layer. The content of the acrylic resin may be 50 parts by mass or more or 60 parts by mass or more. The content of the acrylic resin may be 85 parts by mass or less or 80 parts by mass or less. When the content of the acrylic resin is within the above range, the temporary fixing material layer tends to be more excellent in thin film formability and flatness.
硬化性樹脂成分は、熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂は、熱により硬化する樹脂であれば特に制限されない。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってよい。熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂硬化剤と組み合わせて用いてもよい。 The curable resin component may contain a thermosetting resin. The thermosetting resin is not particularly limited as long as it is a resin that is cured by heat. Examples of thermosetting resins include epoxy resins, acrylic resins, silicone resins, phenol resins, thermosetting polyimide resins, polyurethane resins, melamine resins, and urea resins. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, the thermosetting resin may be an epoxy resin because it is superior in heat resistance, workability, and reliability. When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, it may be used in combination with an epoxy resin curing agent.
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、又は脂環式エポキシ樹脂であってもよい。 The epoxy resin is not particularly limited as long as it cures and has a heat-resistant effect. Examples of epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, phenol novolak type epoxy resins, and novolak type epoxy resins such as cresol novolak type epoxy resins. Also, the epoxy resin may be a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, a heterocyclic-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin.
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、硬化性樹脂成分は、エポキシ樹脂硬化剤を含んでいてもよい。エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。 When an epoxy resin is used as the thermosetting resin, the curable resin component may contain an epoxy resin curing agent. A commonly used known curing agent can be used as the epoxy resin curing agent. Epoxy resin curing agents include, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups per molecule such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol novolacs. Phenol resins such as resins, bisphenol A novolak resins, cresol novolak resins, and phenol aralkyl resins can be used.
熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、１０～６０質量部であってよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、１５質量部以上又は２０質量部以上であってもよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量は、５０質量部以下又は４０質量部以下であってもよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。熱硬化性樹脂及び硬化剤の合計の含有量が上記範囲内であると、耐熱性がより優れる傾向にある。 The total content of the thermosetting resin and curing agent may be 10 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the curable resin component. The total content of the thermosetting resin and curing agent may be 15 parts by mass or more or 20 parts by mass or more. The total content of the thermosetting resin and curing agent may be 50 parts by mass or less or 40 parts by mass or less. When the total content of the thermosetting resin and the curing agent is within the above range, the temporary fixing material layer tends to be more excellent in thin film formability and flatness. When the total content of the thermosetting resin and the curing agent is within the above range, the heat resistance tends to be more excellent.
硬化性樹脂成分は、硬化促進剤をさらに含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。 The curable resin component may further contain a curing accelerator. Curing accelerators include, for example, imidazole derivatives, dicyandiamide derivatives, dihydrazide dicarboxylic acid, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo[5, 4,0]undecene-7-tetraphenylborate and the like. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び硬化剤の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性が向上し、耐熱性がより優れる傾向にある。 The content of the curing accelerator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the thermosetting resin and the curing agent. When the content of the curing accelerator is within the above range, the curability tends to improve and the heat resistance tends to be more excellent.
硬化性樹脂成分は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含んでいてもよい。重合性モノマーは、加熱又は紫外光等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってよい。重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、（メタ）アクリレートであってもよい。（メタ）アクリレートは、単官能（１官能）、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。 The curable resin component may further contain a polymerizable monomer and a polymerization initiator. The polymerizable monomer is not particularly limited as long as it is polymerized by heating or irradiation with ultraviolet light or the like. The polymerizable monomer may be, for example, a compound having a polymerizable functional group such as an ethylenically unsaturated group, from the viewpoint of material selectivity and availability. Examples of polymerizable monomers include (meth)acrylates, vinylidene halides, vinyl ethers, vinyl esters, vinylpyridines, vinylamides, and vinyl arylates. Among these, the polymerizable monomer may be (meth)acrylate. The (meth)acrylate may be monofunctional (monofunctional), difunctional, or trifunctional or higher. From the viewpoint of obtaining sufficient curability, a difunctional or higher (meth)acrylate may good.
単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、（メタ）アクリル酸；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。 Monofunctional (meth)acrylates include, for example, (meth)acrylic acid; methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, butoxy Ethyl (meth)acrylate, isoamyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octylheptyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, ethoxypolyethylene aliphatic (meth)acrylates such as glycol (meth)acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth)acrylate, ethoxypolypropylene glycol (meth)acrylate, mono(2-(meth)acryloyloxyethyl)succinate; benzyl (meth)acrylate, Phenyl (meth) acrylate, o-biphenyl (meth) acrylate, 1-naphthyl (meth) acrylate, 2-naphthyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, p-cumylphenoxyethyl (meth) acrylate, o- phenylphenoxyethyl (meth)acrylate, 1-naphthoxyethyl (meth)acrylate, 2-naphthoxyethyl (meth)acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, nonylphenoxypolyethyleneglycol (meth)acrylate, phenoxypolypropylene glycol (meth)acrylate, 2 -hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-(o-phenylphenoxy)propyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-(1-naphthoxy)propyl (meth)acrylate, 2-hydroxy -Aromatic (meth)acrylates such as 3-(2-naphthoxy)propyl (meth)acrylate.
２官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３－メチル－１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化２－メチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。 Examples of bifunctional (meth)acrylates include ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, and polyethylene glycol di(meth)acrylate. acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, dipropylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, tetrapropylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di(meth)acrylate (meth)acrylates, 1,3-butanediol di(meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 3-methyl-1,5-pentanediol di( meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol di(meth)acrylate, 1,9-nonanediol di(meth)acrylate, 1, Aliphatic (meth)acrylates such as 10-decanediol di(meth)acrylate, glycerine di(meth)acrylate, tricyclodecanedimethanol (meth)acrylate, ethoxylated 2-methyl-1,3-propanediol di(meth)acrylate, etc. ) acrylate; ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, propoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, ethoxylated bisphenol F di(meth)acrylate, propoxylated bisphenol F di(meth)acrylate (meth)acrylate, ethoxylated propoxylated bisphenol F di(meth)acrylate, ethoxylated fluorene-type di(meth)acrylate, propoxylated fluorene-type di(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated fluorene-type di(meth)acrylate, etc. Aromatic (meth)acrylates and the like are included.
３官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。 Examples of tri- or higher polyfunctional (meth)acrylates include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tri(meth)acrylate, propoxylated pentaerythritol tri(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated pentaerythritol tri(meth)acrylate, penta Erythritol tetra(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, propoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, ethoxylated propoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, dipentaerythritol hexa( Aliphatic (meth)acrylates such as meth)acrylates; aromatic epoxy (meth)acrylates such as phenol novolac type epoxy (meth)acrylates and cresol novolak type epoxy (meth)acrylates.
これらの（メタ）アクリレートは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、これらの（メタ）アクリレートをその他の重合性モノマーと組み合わせて用いてもよい。 These (meth)acrylates may be used singly or in combination of two or more. Furthermore, these (meth)acrylates may be used in combination with other polymerizable monomers.
重合性モノマーの含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、１０～６０質量部であってよい。 The content of the polymerizable monomer may be 10 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the curable resin component.
重合開始剤は、加熱又は紫外光等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってよい。 The polymerization initiator is not particularly limited as long as it initiates polymerization by heating or irradiation with ultraviolet light or the like. For example, when a compound having an ethylenically unsaturated group is used as the polymerizable monomer, the polymerizable initiator may be a thermal radical polymerization initiator or a photoradical polymerization initiator.
熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウリレート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２’－ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物などが挙げられる。 Thermal radical polymerization initiators include, for example, octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, stearyl peroxide, diacyl peroxide such as benzoyl peroxide; t-butyl peroxypivalate, t-hexyl peroxypivalate, 1, 1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 2,5-dimethyl-2,5-bis(2-ethylhexanoylperoxy)hexane, t-hexylperoxy-2-ethyl Hexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate ate, t-butyl peroxylaurylate, t-butyl peroxy isopropyl monocarbonate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-butyl peroxybenzoate, t-hexyl peroxybenzoate, 2,5-dimethyl -2,5-bis(benzoylperoxy)hexane, peroxy esters such as t-butyl peroxyacetate; 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis(2,4-dimethylvalero) nitrile), and azo compounds such as 2,2'-azobis(4-methoxy-2'-dimethylvaleronitrile).
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシドなどが挙げられる。 Examples of photoradical polymerization initiators include benzoin ketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane; -1-one, α-hydroxyketones such as 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one; bis(2,4,6-trimethyl and phosphine oxides such as benzoyl)phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide.
これらの熱及び光ラジカル重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。 These thermal and photoradical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。 The content of the polymerization initiator may be 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of polymerizable monomers.
硬化性樹脂成分は、その他の成分として、絶縁性フィラー、増感剤、酸化防止剤等をさらに含んでいてもよい。 The curable resin component may further contain an insulating filler, a sensitizer, an antioxidant, etc. as other components.
絶縁性フィラーは、樹脂組成物に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加される。絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、上述のシランカップリング剤と同様のものを用いることができる。 The insulating filler is added for the purpose of imparting low thermal expansion and low hygroscopicity to the resin composition. Examples of insulating fillers include nonmetallic inorganic fillers such as silica, alumina, boron nitride, titania, glass, and ceramics. You may use these insulating fillers individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The insulating filler may be particles whose surfaces are treated with a surface treatment agent from the viewpoint of dispersibility with a solvent. As the surface treatment agent, the same silane coupling agent as described above can be used.
絶縁性フィラーの含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、５～２０質量部であってよい。絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上させることができる傾向にある。また、絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、軽剥離性にも寄与する可能性がある。 The content of the insulating filler may be 5 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total weight of the curable resin component. When the content of the insulating filler is within the above range, the heat resistance tends to be further improved without impeding light transmission. In addition, if the content of the insulating filler is within the above range, it may contribute to easy peelability.
増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。 Sensitizers include, for example, anthracene, phenanthrene, chrysene, benzopyrene, fluoranthene, rubrene, pyrene, xanthone, indanthrene, thioxanthen-9-one, 2-isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, 4- isopropyl-9H-thioxanthen-9-one, 1-chloro-4-propoxythioxanthone and the like.
増感剤の含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であってよい。増感剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性樹脂成分の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。 The content of the sensitizer may be 0.01 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total weight of the curable resin component. When the content of the sensitizer is within the above range, the properties of the curable resin component and the thin film properties tend to be less affected.
酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。 Antioxidants include, for example, quinone derivatives such as benzoquinone and hydroquinone, phenol derivatives such as 4-methoxyphenol and 4-t-butylcatechol, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl, 4- Examples include aminoxyl derivatives such as hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl, hindered amine derivatives such as tetramethylpiperidyl methacrylate, and the like.
酸化防止剤の含有量は、硬化性樹脂成分の全質量１００質量部に対して、０．１～１０質量部であってよい。酸化防止剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性樹脂成分の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。 The content of the antioxidant may be 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total weight of the curable resin component. When the content of the antioxidant is within the above range, decomposition of the curable resin component tends to be suppressed and contamination can be prevented.
硬化性樹脂成分の硬化物（後述の樹脂硬化物層）における２５０℃の貯蔵弾性率は、２～１５ＭＰａである。硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率は、２．３ＭＰａ以上、２．５ＭＰａ以上、又は２．６ＭＰａ以上であってもよく、１３ＭＰａ以下、１２ＭＰａ以下、１０ＭＰａ以下、８ＭＰａ以下、又は６ＭＰａ以下であってもよい。硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率は、適宜調整することが可能であり、例えば、アクリル樹脂の割合を増やす（熱硬化性樹脂の割合を減らす）高Ｔｇのアクリル樹脂を適用する、絶縁性フィラーを添加する等によって、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率を向上させることができる。硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が２ＭＰａ以上であると、取り扱い性が向上し、硬化性樹脂成分の染み出しを抑制できる傾向にある。硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が１５ＭＰａ以下であると、基材への貼り付け性が良好となり、バンプ等が存在する場合においても埋め込み性が良好となる傾向にある。なお、本明細書において、硬化性樹脂成分の硬化物における貯蔵弾性率は、実施例に記載の硬化方法及び測定手順で測定されものを意味する。 The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product of the curable resin component (cured resin layer described later) is 2 to 15 MPa. The storage modulus at 250° C. of the cured product of the curable resin component may be 2.3 MPa or more, 2.5 MPa or more, or 2.6 MPa or more, 13 MPa or less, 12 MPa or less, 10 MPa or less, 8 MPa or less, or It may be 6 MPa or less. The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product of the curable resin component can be adjusted as appropriate. For example, by increasing the proportion of the acrylic resin (reducing the proportion of the thermosetting resin), a high Tg acrylic resin is applied. The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product of the curable resin component can be improved by, for example, adding an insulating filler. When the storage elastic modulus at 250° C. of the cured product of the curable resin component is 2 MPa or more, the handleability is improved and the exudation of the curable resin component tends to be suppressed. When the storage elastic modulus at 250° C. of the cured product of the curable resin component is 15 MPa or less, the sticking property to the substrate becomes good, and the embedding property tends to be good even when there are bumps or the like. In addition, in this specification, the storage elastic modulus of the cured product of the curable resin component means that measured by the curing method and measurement procedure described in the Examples.
樹脂層３４は、アクリル樹脂を含む硬化性樹脂成分（導電性粒子を含まない硬化性樹脂組成物）から形成することができる。硬化性樹脂成分は、溶剤で希釈され硬化性樹脂成分のワニスとして用いてもよい。溶剤は、絶縁性フィラー以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、ヘプタン、又はシクロヘキサンであってもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
The
硬化性樹脂成分のワニスは、アクリル樹脂を含む硬化性樹脂成分及び溶剤を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ビーズミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。 A varnish of a curable resin component can be prepared by mixing and kneading a curable resin component containing an acrylic resin and a solvent. Mixing and kneading can be carried out by appropriately combining ordinary dispersing machines such as a stirrer, a kneading machine, a triple roll and a bead mill.
樹脂層３４は、硬化性樹脂成分を、光吸収層３２に直接塗布することによって形成することができる。溶剤で希釈された硬化性樹脂成分のワニスを用いる場合、硬化性樹脂成分を光吸収層３２に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。また、樹脂層３４は、硬化性樹脂成分からなる硬化性樹脂成分フィルムを作製することによっても形成することができる。
The
樹脂層３４の厚みは、仮固定材層２０の厚みに合わせて調整することができる。樹脂層３４の厚みは、応力緩和の観点から、例えば、５０μｍ以下であってよい。樹脂層３４の厚みは、０．１～４０μｍ又は１～３０μｍであってもよい。
The thickness of the
仮固定材前駆体層３０は、光吸収層３２と樹脂層３４とを有する積層フィルム（以下、「仮固定材用積層フィルム」という場合がある。）を予め作製し、これを光吸収層３２と支持部材１０とが接するようにラミネートすることによっても作製することができる。
For the temporary fixing
仮固定材用積層フィルムにおける光吸収層３２及び樹脂層３４の構成は、光吸収層３２と樹脂層３４とを有しているのであれば、その構成に特に制限されないが、例えば、光吸収層３２と樹脂層３４とを有する構成、光吸収層３２と樹脂層３４と光吸収層３２とをこの順に有する構成等が挙げられる。これらのうち、仮固定材用積層フィルムは、光吸収層３２と樹脂層３４とを有する構成であってよい。光吸収層３２は、導電体からなる層（導電体層）であっても、導電性粒子を含有する層であってもよい。仮固定材用積層フィルムは、支持フィルム上に設けられていてもよく、支持フィルムとは反対側の表面上に、必要に応じて、保護フィルムが設けられていてもよい。
The structure of the
支持フィルムとしては、特に制限されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。これらは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルムの厚みは、例えば、３～２５０μｍであってよい。 The support film is not particularly limited, and examples thereof include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polycarbonates, polyamides, polyimides, polyamideimides, polyetherimides, poly Ether sulfide, polyether sulfone, polyether ketone, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, poly(meth)acrylate, polysulfone, liquid crystal polymer film and the like. These may be subjected to mold release treatment. The thickness of the support film may be, for example, 3-250 μm.
保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンなどが挙げられる。保護フィルムの厚みは、例えば、１０～２５０μｍであってよい。 Examples of protective films include polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; and polyolefins such as polyethylene and polypropylene. The thickness of the protective film may be, for example, 10-250 μm.
仮固定材用積層フィルムにおける光吸収層３２の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ（０．００１～５μｍ）又は５０～３０００ｎｍ（０．０５～３μｍ）であってよい。
The thickness of the
仮固定材用積層フィルムにおける樹脂層３４の厚みは、応力緩和の観点から、例えば、５０μｍ以下であってよい。樹脂層３４の厚みは、０．１～４０μｍ又は１～３０μｍであってもよい。
The thickness of the
仮固定材用積層フィルムの厚みは、所望の仮固定材層の厚みに合わせて調整することができる。仮固定材用積層フィルムの厚みは、応力緩和の観点から、０．１～５５μｍ又は１０～４０μｍであってよい。 The thickness of the temporary fixing material laminated film can be adjusted according to the desired thickness of the temporary fixing material layer. The thickness of the laminated film for temporary fixing material may be 0.1 to 55 μm or 10 to 40 μm from the viewpoint of stress relaxation.
図２（ｂ）で示す構成の仮固定材前駆体層３０は、例えば、支持部材１０上に樹脂層３４を形成し、続いて、光吸収層３２を形成することによって作製することができる。図２（ｃ）で示す構成の仮固定材前駆体層３０は、例えば、支持部材１０上に光吸収層３２、樹脂層３４、及び光吸収層３２を交互に形成することによって作製することができる。これらの仮固定材前駆体層３０は、予め上記構成の仮固定材用積層フィルムを作製し、支持部材１０にラミネートすることによって作製してもよい。
The temporary fixing
仮固定材前駆体層３０の厚み（光吸収層３２と樹脂層３４との合計の厚み）は、上述の仮固定材用積層フィルムの厚みと同様であってよい。
The thickness of the temporary fixing material precursor layer 30 (total thickness of the
次いで、作製した仮固定材前駆体層上に半導体部材を配置し、仮固定材前駆体層における硬化性樹脂成分を硬化させ、光吸収層と、硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層とを有する仮固定材層を形成することによって、支持部材１０と仮固定材層３０ｃと半導体部材４０とがこの順に積層された積層体を作製する（図１（ｂ））。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）は、図２（ａ）に示す仮固定材前駆体層を用いて形成される積層体を示す模式断面図である。
Next, a semiconductor member is placed on the prepared temporary fixing material precursor layer, the curable resin component in the temporary fixing material precursor layer is cured, and a light absorbing layer and a cured resin material containing a cured product of the curable resin component are obtained. By forming a temporary fixing material layer having a layer, a laminate in which the
半導体部材４０は、半導体ウェハ又は半導体ウェハを所定サイズに切断してチップ状に個片化した半導体チップであってよい。半導体部材４０として、半導体チップを用いる場合、通常、複数の半導体チップが用いられる。半導体部材４０の厚みは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってよい。半導体ウェハ又は半導体チップには、再配線層、パターン層、又は外部接続端子を有する外部接続部材が備えられていてもよい。
The
作製した仮固定材前駆体層３０を設けた支持部材１０を、真空プレス機又は真空ラミネーター上に設置し、半導体部材４０をプレスで圧着して配置することができる。
The
真空プレス機を用いる場合は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度１２０～２００℃、保持時間１００～３００秒間で、仮固定材前駆体層３０に半導体部材４０を圧着する。
When using a vacuum press, the
真空ラミネーターを用いる場合は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度６０～１８０℃又は８０～１５０℃、ラミネート圧力０．０１～０．５Ｍｐａ又は０．１～０．５Ｍｐａ、保持時間１～６００秒間又は３０～３００秒間で、仮固定材前駆体層３０に半導体部材４０を圧着する。
When using a vacuum laminator, for example, pressure of 1 hPa or less, pressure bonding temperature of 60 to 180 ° C. or 80 to 150 ° C., lamination pressure of 0.01 to 0.5 Mpa or 0.1 to 0.5 Mpa, holding time of 1 to 600 seconds or The
仮固定材前駆体層３０を介して支持部材１０上に半導体部材４０を配置した後、仮固定材前駆体層３０における硬化性樹脂成分を所定条件で熱硬化又は光硬化させる。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００～２００℃で、１～１８０分間又は１～６０分間であってよい。このようにして、硬化性樹脂成分の硬化物が形成され、半導体部材４０は、支持部材１０に硬化性樹脂成分の硬化物を含む仮固定材層３０ｃを介して仮固定され、積層体３００が得られる。仮固定材層３０ｃは、図３（ａ）に示すとおり、光吸収層３２と硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層３４ｃとから構成され得る。
After placing the
積層体は、例えば、仮固定材層を形成した後に、半導体部材を配置することによっても作製することができる。図５は、図１（ａ）に示す積層体の製造方法の一例を説明するための模式断面図であり、図５（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）は、各工程を示す模式断面図である。図５の各工程は、図２（ａ）に示す仮固定材前駆体層を使用するものである。積層体は、支持部材１０上に硬化性樹脂成分を含む仮固定材前駆体層３０を形成し（図５（ａ））、仮固定材前駆体層３０における硬化性樹脂成分を硬化させて硬化性樹脂成分の硬化物を含む仮固定材層３０ｃを形成し（図５（ｂ））、形成した仮固定材層３０ｃ上に半導体部材４０を配置することによって作製することができる（図５（ｃ））。このような製造方法では、半導体部材４０を配置する前に、仮固定材層２０ｃ上に再配線層、パターン層等の配線層４１を設けることができるため、配線層４１上に半導体部材４０を配置することによって、配線層４１を有する半導体部材４０を形成することができる。
The laminated body can also be produced, for example, by arranging the semiconductor member after forming the temporary fixing material layer. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the method for manufacturing the laminate shown in FIG. 1(a), and FIGS. It is a sectional view. Each step in FIG. 5 uses the temporary fixing material precursor layer shown in FIG. 2(a). The laminate is obtained by forming a temporary fixing
積層体１００における半導体部材４０（支持部材１０に仮固定された半導体部材４０）は、さらに加工されていてもよい。図３（ａ）に示す積層体３００における半導体部材４０を加工することによって、積層体３１０（図３（ｂ））、３２０（図３（ｃ））、３３０（図３（ｄ））等が得られる。半導体部材の加工は、特に制限されないが、例えば、半導体部材の薄化、貫通電極の作製、再配線層、パターン層等の配線層の形成、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理等が挙げられる。
The semiconductor member 40 (the
半導体部材の薄化は、グラインダー等で、半導体部材４０の仮固定材層３０ｃに接している面とは反対側の面を研削することによって行うことができる。薄化された半導体部材の厚みは、例えば、１００μｍ以下であってよい。
The thinning of the semiconductor member can be performed by grinding the surface of the
研削条件は、所望の半導体部材の厚み、研削状態等に応じて任意に設定することができる。 The grinding conditions can be arbitrarily set according to the desired thickness of the semiconductor member, the grinding state, and the like.
貫通電極の作製は、薄化した半導体部材４０の仮固定材層３０ｃに接している面とは反対側の面に、ドライイオンエッチング、ボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理することによって行うことができる。
The through electrodes are formed by subjecting the surface of the thinned
このようにして半導体部材４０に加工が施され、例えば、半導体部材４０が薄化され、貫通電極４４が設けられた積層体３１０（図３（ｂ））を得ることができる。
In this way, the
図３（ｂ）で示す積層体３１０は、図３（ｃ）に示すように、封止層５０で覆われていてもよい。封止層５０の材質には特に制限はないが、耐熱性、その他の信頼性等の観点から、熱硬化性樹脂組成物であってよい。封止層５０に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。封止層５０を形成するための組成物には、フィラー及び／又はブロム化合物等の難燃性物質等の添加剤が添加されていてもよい。
The laminate 310 shown in FIG. 3(b) may be covered with a
封止層５０の供給形態は、特に制限されないが、固形材、液状材、細粒材、フィルム材等であってよい。
The supply form of the
封止フィルムから形成される封止層５０による加工半導体部材４２の封止には、例えば、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。上記装置を使用して、例えば、４０～１８０℃（又は６０～１５０℃）、０．１～１０ＭＰａ（又は０．５～８ＭＰａ）、かつ０．５～１０分間の条件で熱溶融させた封止フィルムにて加工半導体部材４２を覆うことによって、封止層５０を形成することができる。封止フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の剥離ライナー上に積層された状態で準備されてもよい。この場合、封止フィルムを加工半導体部材４２上に配置し、加工半導体部材４２を埋め込んだ後、剥離ライナーを剥離することによって封止層５０を形成することができる。このようにして、図３（ｃ）で示す積層体３２０を得ることができる。
For sealing the processed
封止フィルムの厚みは、封止層５０が加工半導体部材４２の厚み以上になるように調整する。封止フィルムの厚みは、５０～２０００μｍ、７０～１５００μｍ、又は１００～１０００μｍであってよい。
The thickness of the sealing film is adjusted so that the
封止層５０を有する加工半導体部材４２は、図３（ｄ）に示すように、ダイシングによって個片化されていてもよい。このようにして、図３（ｄ）で示す積層体３３０を得ることができる。なお、ダイシングによる個片化は、後述の半導体部材の分離工程後に実施されてもよい。
The processed
＜半導体部材の分離工程＞
図１（ｂ）に示すとおり、半導体部材の分離工程においては、積層体１００における仮固定材層３０ｃに光を照射して、支持部材１０から半導体部材４０を分離する。
<Semiconductor member separation process>
As shown in FIG. 1B, in the semiconductor member separating step, the temporary
図４は、図３（ｄ）に示す積層体を用いた本発明の半導体装置の製造方法を説明するための模式断面図であり、図４（ａ）及び（ｂ）は、各工程を示す模式断面図である。 4A and 4B are schematic cross-sectional views for explaining the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention using the laminate shown in FIG. 3D, and FIGS. It is a schematic cross-sectional view.
仮固定材層３０ｃは、光を照射することによって、光吸収層３２が光を吸収して熱を瞬間的に発生し、界面又はバルクにおいて、樹脂硬化物層３４ｃの溶融、支持部材１０と半導体部材４０（加工半導体部材４２）との応力、光吸収層３２の飛散等が発生し得る。このような現象の発生によって、仮固定されている加工半導体部材４２を、支持部材１０から容易に分離（剥離）することができる。なお、分離工程においては、光の照射とともに、加工半導体部材４２に対して、支持部材１０の主面に対して平行な方向に応力をわずかに加えてもよい。
When the temporary
分離工程における光は、インコヒーレント光であってよい。インコヒーレント光は、干渉縞が発生しない、可干渉性が低い、指向性が低いといった性質を有する電磁波であり、光路長が長くなるほど、減衰する傾向にある。インコヒーレント光は、コヒーレント光でない光である。レーザー光は、一般にコヒーレント光であるのに対して、太陽光、蛍光灯の光等の光は、インコヒーレント光である。インコヒーレント光は、レーザー光を除く光ということもできる。インコヒーレント光の照射面積は、コヒーレント光（すなわち、レーザー光）よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすること（例えば、１回）が可能である。 The light in the separation step may be incoherent light. Incoherent light is an electromagnetic wave that does not generate interference fringes, has low coherence, and has low directivity, and tends to attenuate as the optical path length increases. Incoherent light is light that is not coherent light. Laser light is generally coherent light, whereas light such as sunlight and fluorescent light is incoherent light. Incoherent light can also be said to be light other than laser light. Since the irradiation area of incoherent light is overwhelmingly wider than that of coherent light (that is, laser light), the number of times of irradiation can be reduced (for example, once).
分離工程における光は、少なくとも赤外光を含む光であってよい。分離工程における光の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外光領域から赤外光領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却時間が短く、連続的な作業が可能である。また、キセノンランプの照射面積は、レーザー光よりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすること（例えば、１回）が可能である。 The light in the separation step may be light containing at least infrared light. The light source in the separation step is not particularly limited, but may be a xenon lamp. A xenon lamp is a lamp that utilizes light emission by applying and discharging an arc tube in which xenon gas is sealed. Since the xenon lamp discharges while repeating ionization and excitation, it stably has continuous wavelengths from the ultraviolet light region to the infrared light region. Since the xenon lamp requires less time to start than lamps such as metal halide lamps, the time required for the process can be greatly shortened. In addition, since high voltage must be applied for light emission, high heat is generated instantaneously, but the cooling time is short and continuous work is possible. Moreover, since the irradiation area of the xenon lamp is overwhelmingly wider than that of the laser light, the number of times of irradiation can be reduced (for example, once).
キセノンランプによる照射条件は、印加電圧、パルス幅、照射時間、照射距離（光源と仮固定材層との距離）、照射エネルギー等を任意に設定することができる。キセノンランプによる照射条件は、１回の照射で分離できる条件を設定してもよく、２回以上の照射で分離できる条件を設定してもよいが、加工半導体部材４２のダメージを低減する観点から、キセノンランプによる照射条件は、１回の照射で分離できる条件を設定してもよい。 Irradiation conditions of the xenon lamp can be arbitrarily set, such as applied voltage, pulse width, irradiation time, irradiation distance (distance between the light source and the temporary fixing material layer), irradiation energy, and the like. The irradiation conditions by the xenon lamp may be set such that separation can be achieved by one irradiation, or can be set such that separation can be achieved by irradiation two or more times. , and the irradiation conditions by the xenon lamp may be set such that separation can be achieved with one irradiation.
分離工程は、支持部材１０を介して仮固定材層３０ｃに光を照射する工程であってよい（図４（ａ）の方向Ａ）。すなわち、仮固定材層３０ｃに対する光による照射は、支持部材１０側からの照射であってよい。支持部材１０を介して仮固定材層３０ｃに光を照射することによって、仮固定材層３０ｃ全体を照射することが可能となる。
The separation step may be a step of irradiating the temporary
支持部材１０から半導体部材４０又は加工半導体部材４２を分離したときに、半導体部材４０又は加工半導体部材４２に仮固定材層の残さ３０ｃ’（図４（ａ）、（ｂ））が付着している場合、これらは、溶剤で洗浄することができる。溶剤としては、特に制限されないが、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これら溶剤に浸漬させてもよく、超音波洗浄を行ってもよい。さらに、１００℃以下の範囲で、加熱してもよい。
When the
このように支持部材から半導体部材を分離することによって、半導体部材４０又は加工半導体部材４２を備える半導体素子６０が得られる（図４（ｂ））。得られた半導体素子６０を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。
By separating the semiconductor member from the supporting member in this manner, a
［仮固定材用積層フィルム］
上述の光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分を含む樹脂層とを有し、硬化性樹脂成分が、アクリル樹脂を含み、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が、２～１５ＭＰａである積層フィルムは、半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材として好適に用いることができる。
[Laminate film for temporary fixing material]
It has a light absorption layer that absorbs the above light and generates heat, and a resin layer containing a curable resin component, the curable resin component contains an acrylic resin, and the cured product of the curable resin component has a temperature of 250 ° C. A laminated film having a storage modulus of 2 to 15 MPa can be suitably used as a temporary fixing material for temporarily fixing a semiconductor member to a supporting member.
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
＜硬化性樹脂成分の調製＞
アクリル樹脂として、エポキシ基含有アクリル樹脂（アクリルゴム）（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ、ナガセケムテックス株式会社製、重量平均分子量：８０万、グリシジル官能基モノマー比率：３％、Ｔｇ：－７℃）７０質量部、エポキシ樹脂として、クレゾールノボラック型多官能エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ７００－１０、新日鉄住金化学株式会社）１６質量部、エポキシ樹脂硬化剤として、フェノールアラルキル樹脂（商品名：ＸＬＣ－ＬＬ、三井化学株式会社）１４質量部、及び硬化促進剤として、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（商品名：キュアゾール１Ｂ２ＭＺ、四国化成工業株式会社）１質量部を混合して混合物を得た。なお、アクリル樹脂はシクロヘキサノンで固形分２５質量％に希釈したものを用いた。これらを、自動撹拌装置を用いて、２２００回転／分で１０分間撹拌することによって、溶剤としてトルエンを含む硬化性樹脂成分のワニスを調製した。
(Example 1)
<Preparation of curable resin component>
As the acrylic resin, an epoxy group-containing acrylic resin (acrylic rubber) (trade name: HTR-860P, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, weight average molecular weight: 800,000, glycidyl functional group monomer ratio: 3%, Tg: -7 ° C.) 70 parts by mass, 16 parts by mass of cresol novolak type polyfunctional epoxy resin (trade name: YDCN700-10, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) as epoxy resin, phenol aralkyl resin (trade name: XLC-LL, Mitsui Chemicals, Inc.) and 1-benzyl-2-methylimidazole (trade name: Cursol 1B2MZ, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) as a curing accelerator were mixed to obtain a mixture. The acrylic resin used was diluted with cyclohexanone to a solid content of 25% by mass. These were stirred at 2200 rpm for 10 minutes using an automatic stirrer to prepare a varnish of a curable resin component containing toluene as a solvent.
＜硬化性樹脂成分の作製＞
得られた硬化性樹脂成分のワニスを、精密塗工機を用いて、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚み：３８μｍ）の離型処理面に厚みが２０μｍとなるように塗工し、９０℃で１０分間加熱して、溶剤を乾燥除去し、厚みが２０μｍである硬化性樹脂成分フィルム（樹脂層）を作製した。また、厚みが２００μｍとなるように塗工し、９０℃で１５～２０分間加熱して、溶剤を乾燥除去し、厚みが２００μｍである硬化性樹脂成分フィルム（樹脂層）を作製した。
<Production of curable resin component>
The obtained varnish of the curable resin component was applied to a release-treated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (Purex A31, Teijin DuPont Films Ltd., thickness: 38 μm) using a precision coating machine to a thickness of 20 μm. and heated at 90° C. for 10 minutes to remove the solvent by drying to prepare a curable resin component film (resin layer) having a thickness of 20 μm. Further, it was coated so as to have a thickness of 200 μm and heated at 90° C. for 15 to 20 minutes to remove the solvent by drying to prepare a curable resin component film (resin layer) having a thickness of 200 μm.
＜貯蔵弾性率の測定＞
得られた厚みが２００μｍである硬化性樹脂成分フィルムを、所定のサイズ（縦（チャック間距離）２０ｍｍ×横５．０ｍｍ）に切り出し、クリーンオーブン（エスペック株式会社製）中で１８０℃、２時間の条件で熱硬化させることによって、硬化性樹脂成分フィルムの硬化物（硬化性樹脂成分の硬化物）である測定サンプルを得た。硬化性樹脂成分フィルムの硬化物（樹脂硬化物層）における２５０℃の貯蔵弾性率を、以下の条件で測定した。結果を表２に示す。
<Measurement of storage modulus>
The obtained curable resin component film having a thickness of 200 μm was cut into a predetermined size (length (distance between chucks) 20 mm×width 5.0 mm), and was placed in a clean oven (manufactured by Espec Co., Ltd.) at 180° C. for 2 hours. to obtain a measurement sample that is a cured product of the curable resin component film (cured product of the curable resin component). The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product (cured resin layer) of the curable resin component film was measured under the following conditions. Table 2 shows the results.
装置名：動的粘弾性測定装置（ＴＡインストルメント株式会社製、ＲＳＡ－Ｇ２）
測定温度領域：－７０～３００℃
昇温速度：５℃／分
周波数：１Ｈｚ
測定モード：引張モード
Device name: dynamic viscoelasticity measuring device (RSA-G2, manufactured by TA Instruments Co., Ltd.)
Measurement temperature range: -70 to 300°C
Heating rate: 5°C/min Frequency: 1Hz
Measurement mode: Tensile mode
＜光吸収層の作製＞
支持部材であるスライドガラス（サイズ：４０ｍｍ×４０ｍｍ、厚み：０．８μｍ）上にスパッタで第１の導電体層がチタン、第２の導電体層が銅である光吸収層を作製し、光吸収層を備える支持部材を得た。なお、当該光吸収層は、逆スパッタリングによる前処理（Ａｒ流速：１．２×１０－２Ｐａ・ｍ３／ｓ（７０ｓｃｃｍ）、ＲＦ電力：３００Ｗ、時間：３００秒間）後、表１に示す処理条件でＲＦスパッタリングを行い、チタン層／銅層の厚みを５０ｎｍ／２００ｎｍとすることによって作製した。
<Preparation of light absorption layer>
On a slide glass (size: 40 mm × 40 mm, thickness: 0.8 µm), which is a support member, a light absorption layer was formed by sputtering with titanium as the first conductor layer and copper as the second conductor layer. A support member with an absorbent layer was obtained. The light absorption layer was pretreated by reverse sputtering (Ar flow rate: 1.2 × 10 -2 Pa·m 3 /s (70 sccm), RF power: 300 W, time: 300 seconds), as shown in Table 1. It was fabricated by RF sputtering under the process conditions and with titanium/copper layer thicknesses of 50 nm/200 nm.
＜仮固定材用積層フィルムの作製＞
厚みが２０μｍである硬化性樹脂成分フィルム（樹脂層）を４０ｍｍ×４０ｍｍに切り出した。得られた光吸収層を備える支持部材の光吸収層上に、切り出した硬化性樹脂成分フィルム（樹脂層）を配置し、真空ラミネートを行うことによって、支持部材上に設けられた実施例１の仮固定材用積層フィルムを作製した。
<Preparation of laminated film for temporary fixing material>
A curable resin component film (resin layer) having a thickness of 20 μm was cut into a size of 40 mm×40 mm. A cut-out curable resin component film (resin layer) is placed on the light-absorbing layer of the support member provided with the obtained light-absorbing layer, and vacuum lamination is performed to obtain the structure of Example 1 provided on the support member. A laminated film for a temporary fixing material was produced.
＜積層体の作製＞
得られた仮固定材用積層フィルムの硬化性樹脂成分フィルム（樹脂層）上に、半導体部材である半導体チップ（サイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚み：１５０μｍ）を搭載し、１８０℃で１時間の条件で熱硬化させることによって、実施例１の積層体を得た。
<Production of laminate>
A semiconductor chip (size: 10 mm × 10 mm, thickness: 150 µm), which is a semiconductor member, is mounted on the curable resin component film (resin layer) of the obtained laminated film for temporary fixing material, and the condition is 180 ° C. for 1 hour. The laminate of Example 1 was obtained by thermally curing with.
（実施例２）
アクリル樹脂とエポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との質量比を７０：１６：１４から６０：２１：１９に変更した以外は、実施例１と同様にして、硬化性樹脂成分フィルムの硬化物（樹脂硬化物層）における２５０℃の貯蔵弾性率を測定し、実施例２の仮固定材用積層フィルム及び積層体を作製した。２５０℃の貯蔵弾性率の結果を表２に示す。
(Example 2)
A cured product of a curable resin component film (resin The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product layer) was measured, and a laminated film for a temporary fixing material and a laminated body of Example 2 were produced. Table 2 shows the storage modulus results at 250°C.
（実施例３）
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、及びエポキシ樹脂硬化剤の全量を基準として１０質量％のシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２、日本アエロジル株式会社）を加えた以外は、実施例１と同様にして、硬化性樹脂成分フィルムの硬化物（樹脂硬化物層）における２５０℃の貯蔵弾性率を測定し、実施例３の仮固定材用積層フィルム及び積層体を作製した。２５０℃の貯蔵弾性率の結果を表２に示す。
(Example 3)
A curable resin was prepared in the same manner as in Example 1, except that 10% by mass of silica filler (trade name: R972, Nippon Aerosil Co., Ltd.) was added based on the total amount of acrylic resin, epoxy resin, and epoxy resin curing agent. The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product (resin cured product layer) of the component film was measured, and the laminated film for temporary fixing material and the laminate of Example 3 were produced. Table 2 shows the storage modulus results at 250°C.
（比較例１）
アクリル樹脂とエポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との質量比を７０：１６：１４から８０：１１：９に変更した以外は、実施例１と同様にして、硬化性樹脂成分フィルムの硬化物（樹脂硬化物層）における２５０℃の貯蔵弾性率を測定し、比較例１の仮固定材用積層フィルム及び積層体を作製した。２５０℃の貯蔵弾性率の結果を表２に示す。
(Comparative example 1)
A cured product of a curable resin component film (resin The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product layer) was measured, and a laminated film for a temporary fixing material and a laminated body of Comparative Example 1 were produced. Table 2 shows the storage modulus results at 250°C.
（比較例２）
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、及びエポキシ樹脂硬化剤の全量を基準として２０質量％のシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２、日本アエロジル株式会社）を加えた以外は、実施例１と同様にして、硬化性樹脂成分フィルムの硬化物（樹脂硬化物層）における２５０℃の貯蔵弾性率を測定し、比較例２の仮固定材用積層フィルム及び積層体を作製した。２５０℃の貯蔵弾性率の結果を表２に示す。
(Comparative example 2)
A curable resin was prepared in the same manner as in Example 1, except that 20% by mass of silica filler (trade name: R972, Nippon Aerosil Co., Ltd.) was added based on the total amount of acrylic resin, epoxy resin, and epoxy resin curing agent. The storage elastic modulus at 250° C. of the cured product (resin cured product layer) of the component film was measured, and a laminate film for temporary fixing material and a laminate of Comparative Example 2 were produced. Table 2 shows the storage modulus results at 250°C.
＜剥離性試験＞
積層体をそれぞれ２つ用意した。印加電圧３８００Ｖ、パルス幅２００μｓ、照射距離５０ｍｍ、照射回数１回、及び照射時間２００μｓの照射条件Ａ、並びに、印加電圧２７００Ｖ、パルス幅１０００μｓ、照射距離５０ｍｍ、照射回数１回、及び照射時間１０００μｓの照射条件Ｂの２種類の照射条件でそれぞれ積層体をキセノンランプで照射し、支持部材からの剥離性を評価した。キセノンランプは、Ｘｅｎｏｎ社製のＳ２３００（波長範囲：２７０ｎｍ～近赤外領域、単位面積あたりの照射エネルギー：７Ｊ／ｃｍ２（予測値、照射条件Ａ）、１３Ｊ／ｃｍ２（予測値、照射条件Ｂ））を用い、キセノンランプ照射は、積層体の支持部材（スライドガラス）側から行った。照射距離は、光源とスライドガラスを設置したステージとの距離である。剥離性試験の評価は、キセノンランプ照射後、自然に半導体チップがスライドガラスから剥離したものを「Ａ」と評価し、いずれかの照射条件で半導体チップとスライドガラスとの間にピンセットを差し込んだときに、半導体チップが破損することなく、分離したものを「Ｂ」と評価し、いずれかの照射条件で分離しなかったものを「Ｃ」と評価した。結果を表２に示す。
<Peelability test>
Two laminates were prepared for each. Irradiation condition A with an applied voltage of 3800 V, a pulse width of 200 μs, an irradiation distance of 50 mm, the number of irradiation times of 1 time, and an irradiation time of 200 μs, and an applied voltage of 2700 V, a pulse width of 1000 μs, an irradiation distance of 50 mm, the number of irradiation times of 1 time, and an irradiation time of 1000 μs. The laminate was irradiated with a xenon lamp under two types of irradiation conditions B, and the peelability from the supporting member was evaluated. The xenon lamp is S2300 manufactured by Xenon (wavelength range: 270 nm to near-infrared region, irradiation energy per unit area: 7 J/cm 2 (predicted value, irradiation condition A), 13 J/cm 2 (predicted value, irradiation condition B)) was used, and xenon lamp irradiation was performed from the support member (slide glass) side of the laminate. The irradiation distance is the distance between the light source and the stage on which the slide glass is placed. In the evaluation of the peelability test, a semiconductor chip that spontaneously peeled off from the slide glass after irradiation with a xenon lamp was evaluated as "A", and tweezers were inserted between the semiconductor chip and the slide glass under any irradiation condition. When the semiconductor chip was separated without being damaged, it was evaluated as "B", and when it was not separated under any of the irradiation conditions, it was evaluated as "C". Table 2 shows the results.
表２に示すように、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が２～１５ＭＰａである実施例１～３の積層体は、硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が上記要件を満たさない比較例１、２の積層体と比較して、支持部材からの剥離性に優れていた。以上の結果から、本発明の半導体装置の製造方法が、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離できることが確認された。 As shown in Table 2, the laminates of Examples 1 to 3, in which the cured product of the curable resin component has a storage modulus of 250° C. of 2 to 15 MPa, have storage elastic modulus of 250° C. in the cured product of the curable resin component. Compared to the laminates of Comparative Examples 1 and 2, which do not satisfy the above requirements, the peelability from the support member was excellent. From the above results, it was confirmed that the semiconductor device manufacturing method of the present invention can easily separate the temporarily fixed semiconductor member from the supporting member.
１０…支持部材、３０…仮固定材前駆体層、３０ｃ…仮固定材層、３０ｃ’…仮固定材層の残さ、３２…光吸収層、３４…樹脂層、３４ｃ…樹脂硬化物層、４０…半導体部材、４１…配線層、４２…加工半導体部材、４４…貫通電極、５０…封止層、６０…半導体素子、１００，３００，３１０，３２０，３３０…積層体。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記積層体における前記仮固定材層に光を照射して、前記支持部材から前記半導体部材を分離する分離工程と、
を備え、
前記仮固定材層が、光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層とを有し、
前記光吸収層が、光を吸収して熱を発生する金属又は合金からなる層であり、
前記硬化性樹脂成分が、アクリル樹脂を含み、
前記硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が、２～１５ＭＰａである、半導体装置の製造方法。 a preparation step of preparing a laminate in which a support member, a temporary fixing material layer that absorbs light and generates heat, and a semiconductor member are laminated in this order;
a separating step of irradiating the temporary fixing material layer in the laminate with light to separate the semiconductor member from the supporting member;
with
The temporary fixing material layer has a light absorption layer that absorbs light and generates heat, and a cured resin layer that contains a cured resin component,
The light absorption layer is a layer made of a metal or alloy that absorbs light and generates heat,
The curable resin component contains an acrylic resin,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the cured product of the curable resin component has a storage elastic modulus at 250° C. of 2 to 15 MPa.
光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分を含む樹脂層とを有し、
前記光吸収層が、光を吸収して熱を発生する金属又は合金からなる層であり、
前記硬化性樹脂成分が、アクリル樹脂を含み、
前記硬化性樹脂成分の硬化物における２５０℃の貯蔵弾性率が、２～１５ＭＰａである、仮固定材用積層フィルム。 A laminated film for temporary fixing material for temporarily fixing a semiconductor member to a supporting member,
Having a light absorption layer that absorbs light and generates heat, and a resin layer that contains a curable resin component,
The light absorption layer is a layer made of a metal or alloy that absorbs light and generates heat,
The curable resin component contains an acrylic resin,
A laminated film for a temporary fixing material, wherein the cured product of the curable resin component has a storage elastic modulus at 250° C. of 2 to 15 MPa.
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