JP7330326B2 - 走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法 - Google Patents
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Description
走査型静電容量顕微鏡法(SCM)は、対象構造(分析すべきトランジスタまたはダイオード等)のドーパント分布を得るための重要なツールのひとつであり、IC製造工程およびIC欠陥分析において広く用いられてきた。ドーパントの空間的分布を得るために、サンプルは断面の形態で準備せねばならない。現在では、準備方法は手動研削であり、試験片の位置を確認するために光学顕微鏡法が利用される。しかしながら、研削精度および光学顕微鏡法の解像度にはそれぞれ限界がある。比較的大きい構造サイズを有する試験片については、研削の制御可能性は問題ではないが、試験片の構造サイズが光学顕微鏡法の解像度に近くなるまでさらに縮小されるか、さらにはこれを超過して縮小された場合には、断面サンプルの準備における信頼度は著しく減少し、困難度がより一層困難になり、特定の分析位置までの研削が要求される場合については言うまでもない。
本発明は、走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法であって、
少なくとも1つの分析対象物を含むサンプルを提供するステップと、
前記サンプルを、前記サンプルのエッジから、前記分析対象物を含む目標領域に向かって、徐々に手動で研削し、前記目標領域内の前記少なくとも1つの分析対象物の長手方向断面から距離d1において停止し、研削停止面を形成するステップと、
走査型電子顕微鏡法に備えられたプラズマフォーカスイオンビームによって、前記目標領域に向かって前記研削停止面を切削し、前記長手方向断面から距離d2において停止して、切削停止面を形成するステップであって、0<d2<d1である、切削停止面を形成するステップと、
前記切削停止面を手動で研削して研磨し、前記長手方向断面と前記切削停止面との間の前記サンプルの部分を徐々に除去して、前記少なくとも1つの分析対象物の前記長手方向断面を露出させ、走査型静電容量顕微鏡法のための試験片の準備を完了するステップと、
を備える、方法を提供する。
Claims (7)
- 走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法であって、
少なくとも1つの分析対象物を含むサンプルを提供するステップと、
前記サンプルを、前記サンプルのエッジから、前記分析対象物を含む目標領域に向かって、徐々に手動で研削し、前記目標領域内の前記少なくとも1つの分析対象物の長手方向断面から距離d1において停止し、研削停止面を形成するステップと、
走査型電子顕微鏡法に備えられたプラズマフォーカスイオンビームによって、前記目標領域に向かって前記研削停止面を切削し、前記長手方向断面から距離d2において停止して、切削停止面を形成するステップであって、0<d2<d1である、切削停止面を形成するステップと、
前記切削停止面を手動で研削して研磨し、前記長手方向断面と前記切削停止面との間の前記サンプルの部分を徐々に除去して、前記少なくとも1つの分析対象物の前記長手方向断面を露出させ、走査型静電容量顕微鏡法のための試験片の準備を完了するステップと、
を備える、方法。 - 前記分析対象物は半導体デバイスである、請求項1に記載の走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法。
- 前記半導体デバイスはトランジスタまたはダイオードである、請求項2に記載の走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法。
- 前記プラズマフォーカスイオンビームは、そのイオン源として希ガスを用いるプラズマフォーカスイオンビームである、請求項1に記載の走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法。
- 前記希ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴンまたはクリプトンである、請求項4に記載の走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法。
- 0.1μm≦d2≦0.2μmである、請求項1に記載の走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法。
- 5μm≦d1≦10μmである、請求項6に記載の走査型静電容量顕微鏡法のための試験片を準備する方法。
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