JP7329740B2 - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD Embodiments relate to a display device and a manufacturing method thereof.

特許文献１に示されているように、近年、マイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を画素として用いた表示装置が提案されている。このような表示装置は、画素が自発光素子によって構成されるため、液晶パネルを用いた表示装置と比較して、解像度、コントラスト及び色再現性が高い。また、マイクロＬＥＤは主として無機の半導体材料により形成されるため、有機材料を用いる有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）素子と比較して、寿命が長く、焼き付きが生じにくい。 As disclosed in Patent Document 1, in recent years, a display device using micro LEDs (Light Emitting Diodes) as pixels has been proposed. Since pixels of such a display device are composed of self-luminous elements, the resolution, contrast, and color reproducibility are higher than those of a display device using a liquid crystal panel. In addition, since micro LEDs are mainly formed of inorganic semiconductor materials, they have a longer life and are less prone to burn-in than organic EL (Organic Electro-Luminescence) elements that use organic materials.

しかしながら、マイクロＬＥＤを用いた表示装置においては、発光素子の上面から光を取り出すと共に、発光素子の下面及び上面を配線と接続する必要がある。このため、発光素子の上面においては、高い導通性と高い光透過性を両立させることが要求される。この結果、マイクロＬＥＤを用いた表示装置の製造工程において、基板に発光素子を実装する工程の難易度が高くなり、製造コストが高くなるという問題がある。 However, in a display device using micro LEDs, it is necessary to extract light from the upper surface of the light emitting element and to connect the lower surface and the upper surface of the light emitting element with wiring. Therefore, the upper surface of the light emitting element is required to have both high conductivity and high light transmittance. As a result, in the manufacturing process of the display device using the micro-LED, there is a problem that the process of mounting the light-emitting element on the substrate becomes more difficult and the manufacturing cost increases.

特開２００６－１４０２４７号公報JP 2006-140247 A

本発明の一実施形態は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって、画素としてマイクロＬＥＤを用い、製造コストが低い表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 One embodiment of the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a display device using micro LEDs as pixels and having a low manufacturing cost, and a manufacturing method thereof.

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、サブピクセルが設定され、前記サブピクセル毎に第１配線が設けられた基板、及び、下面に第１電極が設けられ側面の少なくとも一部に第２電極が設けられた発光素子を準備する工程と、前記基板上に前記発光素子を搭載し、前記第１電極を前記第１配線に電気的に接続する工程と、前記基板上に、前記発光素子を覆う樹脂部材を形成する工程と、前記樹脂部材の上部を除去することにより、前記第２電極の一部が露出するまで前記発光素子の上部を前記樹脂部材の上面から露出させる工程と、前記樹脂部材の上面における前記発光素子の露出部分を除く領域上に第２配線を形成し、前記第２配線を前記第２電極に電気的に接続する工程と、を備える。 A method of manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate having subpixels set thereon and a first wiring provided for each of the subpixels; preparing a light-emitting element having a second electrode on the substrate; mounting the light-emitting element on the substrate and electrically connecting the first electrode to the first wiring; forming a resin member covering the light emitting element; and removing the upper part of the resin member to expose the upper part of the light emitting element from the upper surface of the resin member until a part of the second electrode is exposed. and forming a second wiring on a region of the upper surface of the resin member excluding the exposed portion of the light emitting element, and electrically connecting the second wiring to the second electrode.

本発明の一実施形態に係る表示装置は、サブピクセルが設定された基板と、前記基板上に前記サブピクセル毎に設けられた第１配線と、前記基板に前記サブピクセル毎に搭載された発光素子と、前記発光素子の下部及び前記第１配線を覆う樹脂部材と、前記樹脂部材上に設けられた第２配線と、を備える。前記発光素子は、半導体部材と、前記半導体部材の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続された第１電極と、前記半導体部材の側面の少なくとも一部に設けられ、一部が前記樹脂部材の上面から露出した第２電極と、を有する。前記発光素子の少なくとも一部は前記第２配線に覆われていない。前記第２配線は、前記第２電極における前記樹脂部材上に露出した部分に電気的に接続されている。 A display device according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate on which subpixels are set; first wirings provided on the substrate for each subpixel; and light emitting elements mounted on the substrate for each subpixel. an element, a resin member covering a lower portion of the light emitting element and the first wiring, and a second wiring provided on the resin member. The light emitting element includes a semiconductor member, a first electrode provided on the lower surface of the semiconductor member and electrically connected to the first wiring, and provided on at least a portion of a side surface of the semiconductor member. and a second electrode exposed from the upper surface of the resin member. At least part of the light emitting element is not covered with the second wiring. The second wiring is electrically connected to a portion of the second electrode exposed on the resin member.

本発明の一実施形態によれば、画素としてマイクロＬＥＤを用い、製造コストが低い表示装置及びその製造方法を実現できる。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to realize a display device using micro LEDs as pixels and a low manufacturing cost, and a manufacturing method thereof.

第１の実施形態に係る表示装置を示す上面図である。1 is a top view showing a display device according to a first embodiment; FIG. 図１に示すＡ－Ａ'線による斜視端面図である。FIG. 2 is a perspective end view along line AA' shown in FIG. 1; 図１に示すＡ－Ａ'線による端面図である。2 is an end view taken along line AA' shown in FIG. 1; FIG. 第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。3 is a top view showing light emitting elements of the display device according to the first embodiment; FIG. 第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。FIG. 2 is an end view showing light emitting elements of the display device according to the first embodiment; 第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す平面図である。2 is a plan view showing light emitting elements of the display device according to the first embodiment; FIG. 図４Ａに示すＢ－Ｂ’線による端面図である。4B is an end view taken along line B-B' shown in FIG. 4A; FIG. 第１の実施形態に係る表示装置の発光素子の第２電極を示す平面図である。4 is a plan view showing a second electrode of a light emitting element of the display device according to the first embodiment; FIG. 第１の実施形態に係る表示装置の発光素子の第１電極を示す平面図である。4 is a plan view showing first electrodes of light-emitting elements of the display device according to the first embodiment; FIG. 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。It is an end elevation which shows the manufacturing method of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。It is an end elevation which shows the manufacturing method of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。It is an end elevation which shows the manufacturing method of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。It is an end elevation which shows the manufacturing method of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。It is an end elevation which shows the manufacturing method of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。FIG. 11 is an end view showing a light emitting element of a display device according to a second embodiment; 第３の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。FIG. 11 is an end view showing a light-emitting element of a display device according to a third embodiment; 第４の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。It is a top view showing a light emitting element of a display device according to a fourth embodiment.

＜第１の実施形態＞
先ず、第１の実施形態について説明する。 <First Embodiment>
First, the first embodiment will be described.

本実施形態に係る表示装置１は、基板２０と、基板２０上にサブピクセル１１毎に設けられた第１配線２１と、基板２０にサブピクセル１１毎に搭載された発光素子３０と、発光素子３０の下部及び第１配線２１を覆う樹脂部材２３と、樹脂部材２３上に設けられた第２配線２４と、を備える。発光素子３０は、半導体部材３１と、半導体部材３１の下面３１ａに設けられ、第１配線２１に電気的に接続された第１電極３５と、半導体部材３１の側面３１ｂの少なくとも一部に設けられ、一部が樹脂部材２３の上面２３ａから露出した第２電極３３と、を有する。発光素子３０の少なくとも一部は第２配線２４に覆われていない。第２配線２４は、第２電極３３における樹脂部材２３上に露出した部分に電気的に接続されている。 The display device 1 according to this embodiment includes a substrate 20, a first wiring 21 provided on the substrate 20 for each sub-pixel 11, a light-emitting element 30 mounted on the substrate 20 for each sub-pixel 11, and a light-emitting element A resin member 23 that covers the lower portion of 30 and the first wiring 21 , and a second wiring 24 provided on the resin member 23 are provided. The light emitting element 30 is provided on a semiconductor member 31 , a first electrode 35 electrically connected to the first wiring 21 , and on at least a part of a side surface 31 b of the semiconductor member 31 . , and a second electrode 33 partially exposed from the upper surface 23 a of the resin member 23 . At least part of the light emitting element 30 is not covered with the second wiring 24 . The second wiring 24 is electrically connected to the portion of the second electrode 33 exposed on the resin member 23 .

以下、表示装置１の構成を詳細に説明する。
図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、本実施形態に係る表示装置１においては、基板２０が設けられている。基板２０においては、絶縁性の母材中に配線が設けられている。また、基板２０上には、アクティブ・マトリクス・トランジスタが形成されている。アクティブ・マトリクス・トランジスタは、サブピクセル１１毎に、発光素子３０に電力を供給するか否かを切り替えるスイッチング素子である。 The configuration of the display device 1 will be described in detail below.
As shown in FIGS. 1, 2A, and 2B, a substrate 20 is provided in the display device 1 according to this embodiment. In the substrate 20, wiring is provided in an insulating base material. Also formed on the substrate 20 are active matrix transistors. The active matrix transistor is a switching element that switches whether power is supplied to the light emitting element 30 for each subpixel 11 .

基板２０には複数のピクセル１０が設定されている。ピクセル１０は相互に直交する第１方向及び第２方向に沿ってマトリクス状に配列されている。各ピクセル１０には、１つ以上、例えば３つのサブピクセル１１が設定されている。一例では、各ピクセル１０に含まれる３つのサブピクセル１１は、赤色の光を出力するサブピクセル１１Ｒ、緑色の光を出力するサブピクセル１１Ｇ、及び、青色の光を出力するサブピクセル１１Ｂである。なお、各ピクセル１０に含まれるサブピクセル１１の数は３には限定されない。図１においては、１つのピクセル１０の外縁を二点鎖線で表し、１つのサブピクセル１１Ｒの外縁を破線で表している。 A plurality of pixels 10 are set on the substrate 20 . Pixels 10 are arranged in a matrix along first and second directions that are orthogonal to each other. One or more, for example three, sub-pixels 11 are set in each pixel 10 . In one example, the three sub-pixels 11 included in each pixel 10 are a sub-pixel 11R that outputs red light, a sub-pixel 11G that outputs green light, and a sub-pixel 11B that outputs blue light. Note that the number of sub-pixels 11 included in each pixel 10 is not limited to three. In FIG. 1, the outer edge of one pixel 10 is indicated by a two-dot chain line, and the outer edge of one sub-pixel 11R is indicated by a dashed line.

基板２０上には、第１配線２１が設けられている。上方から見て、第１配線２１の形状はサブピクセル１１毎に区画された島状であり、基板２０の配線に電気的に接続されている。また、基板２０上には、サブピクセル１１間に、電極２２が設けられている。上方から見て、電極２２の形状は、例えば格子状である。第１配線２１及び電極２２は金属を含み、例えば、同じ導電性を有する金属材料からなる。第１配線２１及び電極２２は、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）を含むものであって、例えば銀又は銅からなる。例えば、第１配線２１の厚さは電極２２の厚さに略等しい。電極２２の表面における光の反射率は、第１配線２１の表面における光の反射率よりも低いことが好ましい。これにより、サブピクセル１１間の領域の明るさを低減し、画面のコントラストを向上させることができる。電極２２の表面には、光の反射率を低減するために、例えば、粗化処理が施されていてもよく、黒色皮膜が形成されていてもよい。 A first wiring 21 is provided on the substrate 20 . When viewed from above, the shape of the first wiring 21 is an island shape partitioned for each sub-pixel 11 and electrically connected to the wiring of the substrate 20 . Further, electrodes 22 are provided between the sub-pixels 11 on the substrate 20 . When viewed from above, the shape of the electrode 22 is, for example, a lattice shape. The first wiring 21 and the electrodes 22 contain metal, and are made of, for example, metal materials having the same conductivity. The first wiring 21 and the electrodes 22 contain, for example, silver (Ag) or copper (Cu), and are made of silver or copper, for example. For example, the thickness of the first wiring 21 is approximately equal to the thickness of the electrode 22 . The light reflectance on the surface of the electrode 22 is preferably lower than the light reflectance on the surface of the first wiring 21 . Thereby, the brightness of the area between the sub-pixels 11 can be reduced, and the contrast of the screen can be improved. For example, the surface of the electrode 22 may be subjected to a roughening treatment or may be coated with a black film in order to reduce the reflectance of light.

第１配線２１上には、発光素子３０が設けられている。発光素子３０は第１配線２１を介して基板２０に搭載されている。発光素子３０はマイクロＬＥＤである。上面視で、マイクロＬＥＤの形状は、例えば、一辺の長さが５μｍ～１００μｍ程度であり、好ましくは１０μｍ～５０μｍ程度の矩形である。各サブピクセル１１には１以上、好ましくは２以上、例えば２つの発光素子３０が配置されている。一例では、サブピクセル１１Ｒには赤色の光を出力する発光素子３０が配置され、サブピクセル１１Ｇには緑色の光を出力する発光素子３０が配置され、サブピクセル１１Ｂには青色の光を出力する発光素子３０が配置されている。発光素子３０は、各サブピクセル１１に１以上配置されていればよく、必ずしも一方向に沿って整列されていなくてもよい。 A light emitting element 30 is provided on the first wiring 21 . The light emitting element 30 is mounted on the substrate 20 via the first wiring 21 . The light emitting element 30 is a micro LED. When viewed from above, the shape of the micro LED is, for example, a rectangle with a side length of about 5 μm to 100 μm, preferably about 10 μm to 50 μm. One or more, preferably two or more, for example two, light emitting elements 30 are arranged in each sub-pixel 11 . In one example, the sub-pixel 11R has a light-emitting element 30 that outputs red light, the sub-pixel 11G has a light-emitting element 30 that outputs green light, and the sub-pixel 11B has a blue light. A light emitting element 30 is arranged. One or more light emitting elements 30 need only be arranged in each sub-pixel 11 and need not necessarily be aligned along one direction.

基板２０上には、サブピクセル１１毎に、樹脂部材２３が設けられている。樹脂部材２３は、絶縁性の樹脂材料からなる。樹脂部材２３の形状は、例えば、略直方体又は四角錘台形である。第１配線２１は全体が樹脂部材２３によって覆われている。発光素子３０の下部は樹脂部材２３によって覆われており、上部は樹脂部材２３の上面２３ａから露出している。電極２２の幅方向両端部は樹脂部材２３によって覆われており、電極２２の幅方向中央部は樹脂部材２３間で露出している。 A resin member 23 is provided on the substrate 20 for each sub-pixel 11 . The resin member 23 is made of an insulating resin material. The shape of the resin member 23 is, for example, a substantially rectangular parallelepiped or a truncated quadrangular pyramid. The first wiring 21 is entirely covered with a resin member 23 . The light emitting element 30 has a lower portion covered with a resin member 23 and an upper portion exposed from an upper surface 23 a of the resin member 23 . Both ends of the electrode 22 in the width direction are covered with resin members 23 , and the central portion in the width direction of the electrode 22 is exposed between the resin members 23 .

各サブピクセル１１には、樹脂部材２３を覆うように、第２配線２４が設けられている。第２配線２４は樹脂部材２３の上面２３ａ及び側面２３ｂに設けられているが、樹脂部材２３の上面２３ａにおける各発光素子３０の露出部分の少なくとも一部には設けられていない。また、第２配線２４の周縁部は、電極２２に接続されている。これにより、全ての第２配線２４が電極２２を介して接続されている。 A second wiring 24 is provided in each sub-pixel 11 so as to cover the resin member 23 . The second wiring 24 is provided on the upper surface 23 a and the side surface 23 b of the resin member 23 , but is not provided on at least part of the exposed portion of each light emitting element 30 on the upper surface 23 a of the resin member 23 . A peripheral portion of the second wiring 24 is connected to the electrode 22 . All the second wirings 24 are thereby connected via the electrodes 22 .

例えば、第２配線２４には、発光素子３０に対応する領域に開口部２４ａが形成されている。開口部２４ａにおいては、発光素子３０の上面のうち、周縁部を除く領域が露出している。したがって、各発光素子３０の少なくとも一部は、第２配線２４に覆われていない。また、第２配線２４における開口部２４ａを除く部分は、樹脂部材２３の上面２３ａ及び側面２３ｂに連続して設けられている。これにより、各発光素子３０の側面の一部は、第２配線２４に接触している。 For example, the second wiring 24 has an opening 24 a formed in a region corresponding to the light emitting element 30 . In the opening 24a, the upper surface of the light emitting element 30 is exposed except for the peripheral portion. Therefore, at least part of each light emitting element 30 is not covered with the second wiring 24 . A portion of the second wiring 24 excluding the opening 24 a is provided continuously with the upper surface 23 a and the side surface 23 b of the resin member 23 . Thereby, a part of the side surface of each light emitting element 30 is in contact with the second wiring 24 .

次に、発光素子３０の構成を詳細に説明する。
図３Ａ及び図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、発光素子３０においては、半導体部材３１、光反射層３２、第２電極３３、絶縁層３４、第１電極３５、保護層３６、第１導電層３７及び第２導電層３８が設けられている。上方から見て、発光素子３０の形状は、例えば矩形である。なお、図３Ａ及び図３Ｂは概略図であり、半導体部材３１、第１電極３５、第２電極３３及び光反射層３２のみを単純化して示し、他の構成要素は省略している。後述する図１０においても同様である。図４Ａ～図５Ｂは発光素子３０の構成を詳細に示す図である。図を見やすくするために、図５Ａにおいては、第２電極３３にハッチングを付しており、図５Ｂにおいては、第１電極３５にハッチングを付している。また、図４Ａ、図５Ａ、図５Ｂにおいては、半導体部材３１を省略している。 Next, the configuration of the light emitting element 30 will be described in detail.
As shown in FIGS. 3A and 3B, FIGS. 4A and 4B, and FIGS. 5A and 5B, in the light emitting device 30, a semiconductor member 31, a light reflecting layer 32, a second electrode 33, an insulating layer 34, and a first electrode 35 , a protective layer 36, a first conductive layer 37 and a second conductive layer 38 are provided. When viewed from above, the shape of the light emitting element 30 is, for example, rectangular. 3A and 3B are schematic diagrams, showing only the semiconductor member 31, the first electrode 35, the second electrode 33, and the light reflecting layer 32 in a simplified manner, and omitting other components. The same applies to FIG. 10 described later. 4A to 5B are diagrams showing in detail the configuration of the light emitting element 30. FIG. 5A, the second electrode 33 is hatched, and in FIG. 5B, the first electrode 35 is hatched. Moreover, the semiconductor member 31 is omitted in FIGS. 4A, 5A, and 5B.

半導体部材３１の形状は、例えば、図４Ｂに示すように、概ね逆四角錐台形であり、下面３１ａ、４つの側面３１ｂ、上面３１ｃを有している。例えば、上面３１ｃは粗面化されている。半導体部材３１においては、第１半導体層３１ｐ、発光層３１ｔ及び第２半導体層３１ｎが積層されている。第１半導体層３１ｐの下面には第１導電層３７が設けられており、第２半導体層３１ｎの下面の例えば中央部には第２導電層３８が設けられている。 For example, as shown in FIG. 4B, the shape of the semiconductor member 31 is generally an inverted truncated quadrangular pyramid, and has a lower surface 31a, four side surfaces 31b, and an upper surface 31c. For example, the upper surface 31c is roughened. In the semiconductor member 31, a first semiconductor layer 31p, a light emitting layer 31t and a second semiconductor layer 31n are laminated. A first conductive layer 37 is provided on the lower surface of the first semiconductor layer 31p, and a second conductive layer 38 is provided, for example, in the central portion of the lower surface of the second semiconductor layer 31n.

半導体部材３１の下面３１ａ及び側面３１ｂには、絶縁性の光反射層３２が設けられている。光反射層３２は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射層）であり、例えば、酸化ニオブ層（ＮｂＯ）と酸化アルミニウム層（ＡｌＯ）が交互に積層された多層膜である。光反射層３２における半導体部材３１の下方に配置された部分には、開口部３２ａ及び３２ｂが形成されている。開口部３２ａは、例えば、下面３１ａの中心を含む領域に１ヶ所形成されており、その形状は例えば円形である。平面視で、開口部３２ａの内部には第２導電層３８が配置されている。開口部３２ｂは、例えば、下面３１ａの対角周辺に２ヶ所形成されており、その形状は例えば斜辺が凹状の円弧となった略直角二等辺三角形である。平面視で、半導体部材３１の第１半導体層３１ｐ及び発光層３１ｔ、並びに、第１導電層３７は、開口部３２ｂの内部のみに配置されている。これに対して、平面視で、半導体部材３１の第２半導体層３１ｎは、光反射層３２によって囲まれる領域の全体に配置されている。 An insulating light reflecting layer 32 is provided on the lower surface 31 a and the side surface 31 b of the semiconductor member 31 . The light reflecting layer 32 is, for example, a DBR (Distributed Bragg Reflector), and is a multilayer film in which, for example, niobium oxide layers (NbO) and aluminum oxide layers (AlO) are alternately laminated. Openings 32a and 32b are formed in portions of the light reflecting layer 32 located below the semiconductor member 31 . For example, one opening 32a is formed in a region including the center of the lower surface 31a, and has a circular shape, for example. In plan view, the second conductive layer 38 is arranged inside the opening 32a. The openings 32b are formed, for example, at two locations on the diagonal periphery of the lower surface 31a, and have a shape of, for example, a substantially right-angled isosceles triangle with a concave arc on the hypotenuse. In plan view, the first semiconductor layer 31p and the light emitting layer 31t of the semiconductor member 31 and the first conductive layer 37 are arranged only inside the opening 32b. On the other hand, the second semiconductor layer 31n of the semiconductor member 31 is arranged over the entire region surrounded by the light reflecting layer 32 in plan view.

光反射層３２の外側には、第２電極３３が設けられている。すなわち、第２電極３３は、光反射層３２を介して、半導体部材３１の下面３１ａ上及び側面３１ｂ上に配置されている。換言すれば、光反射層３２は、半導体部材３１の下面３１ａ及び側面３１ｂと第２電極３３との間に設けられている。第２電極３３は、半導体部材３１の側面３１ｂの上端まで到達しており、第２電極３３の一部は樹脂部材２３の上面２３ａから露出している。第２電極３３は金属材料からなり、例えば、銀又はアルミニウムからなる。 A second electrode 33 is provided outside the light reflecting layer 32 . That is, the second electrode 33 is arranged on the lower surface 31a and the side surface 31b of the semiconductor member 31 with the light reflecting layer 32 interposed therebetween. In other words, the light reflecting layer 32 is provided between the lower surface 31 a and the side surface 31 b of the semiconductor member 31 and the second electrode 33 . The second electrode 33 reaches the upper end of the side surface 31 b of the semiconductor member 31 , and part of the second electrode 33 is exposed from the upper surface 23 a of the resin member 23 . The second electrode 33 is made of a metal material, such as silver or aluminum.

第２電極３３における光反射層３２の開口部３２ａに相当する部分は、開口部３２ａ内に進入するように上方に向けて突出している。第２電極３３は、光反射層３２の開口部３２ａを介して、第２導電層３８に電気的に接続されている。第２導電層３８は、半導体部材３１の下面３１ａにおいて、半導体部材３１の第２半導体層３１ｎに電気的に接続されている。一方、第２電極３３における光反射層３２の開口部３２ｂに相当する部分には、開口部３３ａが形成されている。すなわち、開口部３２ｂの直下域には、第２電極３３は設けられていない。 A portion of the second electrode 33 corresponding to the opening 32a of the light reflecting layer 32 protrudes upward to enter the opening 32a. The second electrode 33 is electrically connected to the second conductive layer 38 through the opening 32 a of the light reflecting layer 32 . The second conductive layer 38 is electrically connected to the second semiconductor layer 31n of the semiconductor member 31 on the lower surface 31a of the semiconductor member 31 . On the other hand, an opening 33a is formed in a portion of the second electrode 33 corresponding to the opening 32b of the light reflecting layer 32 . That is, the second electrode 33 is not provided directly below the opening 32b.

本実施形態においては、第２電極３３の形状は半導体部材３１の上面３１ｃ以外の表面を包む略カップ状であり、上方から見て、第２電極３３は半導体部材３１の周囲に設けられている。すなわち、半導体部材３１の４つの側面３１ｂの全てに第２電極３３が設けられている。但し、後述するように、第２電極３３は、半導体部材３１の側面３１ｂの少なくとも一部に設けられていればよい。また、第２電極３３は、半導体部材３１の下面３１ａにおいて、光反射層３２の開口部３２ａに相当する領域に配置されており、第２電極３３における側面３１ｂに設けられた部分に接続されている。 In this embodiment, the shape of the second electrode 33 is a substantially cup-like shape surrounding the surface of the semiconductor member 31 other than the upper surface 31c, and the second electrode 33 is provided around the semiconductor member 31 when viewed from above. . That is, the second electrodes 33 are provided on all four side surfaces 31 b of the semiconductor member 31 . However, the second electrode 33 may be provided on at least a portion of the side surface 31b of the semiconductor member 31, as will be described later. The second electrode 33 is arranged in a region corresponding to the opening 32a of the light reflecting layer 32 on the lower surface 31a of the semiconductor member 31, and is connected to the portion of the second electrode 33 provided on the side surface 31b. there is

第２電極３３の下部を覆うように、絶縁層３４が設けられている。絶縁層３４における光反射層３２の開口部３２ａに相当する部分は、開口部３２ａ内に進入するように、上方に向けて突出している。一方、絶縁層３４における光反射層３２の開口部３２ｂに相当する部分には、開口部３４ａが形成されている。すなわち、開口部３２ｂの直下域には、絶縁層３４は設けられていない。絶縁層３４の上端は、第２電極３３の上端よりも低い位置にある。このため、絶縁層３４は、第２電極３３の上部は覆っていない。絶縁層３４が第２電極３３の上部を覆っていないことにより、後述するように、第２電極３３は第２配線２４と電気的に接続可能となる。 An insulating layer 34 is provided to cover the lower portion of the second electrode 33 . A portion of the insulating layer 34 corresponding to the opening 32a of the light reflecting layer 32 protrudes upward so as to enter the opening 32a. On the other hand, openings 34a are formed in portions of the insulating layer 34 corresponding to the openings 32b of the light reflecting layer 32 . That is, the insulating layer 34 is not provided in the area immediately below the opening 32b. The upper end of the insulating layer 34 is positioned lower than the upper end of the second electrode 33 . Therefore, the insulating layer 34 does not cover the upper portion of the second electrode 33 . Since the insulating layer 34 does not cover the upper portion of the second electrode 33, the second electrode 33 can be electrically connected to the second wiring 24 as described later.

絶縁層３４の下方には、第１電極３５が設けられている。第１電極３５は金属材料からなり、例えば、銀又は銅を含む金属であって、例えば、銀又は銅であってもよい。第１電極３５は、光反射層３２、第２電極３３及び絶縁層３４を介して、半導体部材３１の下面３１ａ上の略全体に設けられている。第１電極３５における光反射層４２の開口部３２ａ及び開口部３２ｂに相当する部分は、それぞれ、開口部３２ａ内及び開口部３２ｂ内に進入するように、上方に向けて突出している。第１電極３５は、絶縁層３４の開口部３４ａ、第２電極３３の開口部３３ａ及び光反射層３２の開口部３２ｂを介して、第１導電層３７に電気的に接続されている。第１導電層３７は、半導体部材３１の下面３１ａにおいて、半導体部材３１の第１半導体層３１ｐに電気的に接続されている。半導体部材３１の上面３１ｃには、保護層３６が設けられている。 A first electrode 35 is provided below the insulating layer 34 . The first electrode 35 is made of a metal material, such as a metal containing silver or copper, and may be, for example, silver or copper. The first electrode 35 is provided over substantially the entire lower surface 31 a of the semiconductor member 31 with the light reflecting layer 32 , the second electrode 33 and the insulating layer 34 interposed therebetween. Portions of the first electrode 35 corresponding to the openings 32a and 32b of the light reflecting layer 42 protrude upward to enter the openings 32a and 32b, respectively. The first electrode 35 is electrically connected to the first conductive layer 37 through the opening 34 a of the insulating layer 34 , the opening 33 a of the second electrode 33 and the opening 32 b of the light reflecting layer 32 . The first conductive layer 37 is electrically connected to the first semiconductor layer 31p of the semiconductor member 31 on the lower surface 31a of the semiconductor member 31 . A protective layer 36 is provided on the upper surface 31 c of the semiconductor member 31 .

そして、発光素子３０の下面において、第１電極３５が第１配線２１に電気的に接続されている。発光素子３０の半導体部材３１の第１半導体層３１ｐは、第１導電層３７、第１電極３５、第１配線２１、基板２０内に配線を介して、アクティブ・マトリクス・トランジスタに接続される。一方、第２半導体層３１ｎは、第２導電層３８を介して第２電極３３に接続されている。発光素子３０の上部において、第２電極３３における樹脂部材２３の上面２３ａから露出した部分が第２配線２４に電気的に接続されている。これにより、半導体部材３１の第１半導体層３１ｐと第２半導体層３１ｎとの間に電力が供給される。 A first electrode 35 is electrically connected to the first wiring 21 on the lower surface of the light emitting element 30 . The first semiconductor layer 31p of the semiconductor member 31 of the light emitting element 30 is connected to the active matrix transistor via the first conductive layer 37, the first electrode 35, the first wiring 21, and wiring in the substrate 20. FIG. On the other hand, the second semiconductor layer 31n is connected to the second electrode 33 via the second conductive layer 38 . Above the light emitting element 30 , the portion of the second electrode 33 exposed from the top surface 23 a of the resin member 23 is electrically connected to the second wiring 24 . Thereby, power is supplied between the first semiconductor layer 31p and the second semiconductor layer 31n of the semiconductor member 31 .

図１に示すように、表示装置１においては、第２配線２４に断線部２４ｃを形成することができる。断線部２４ｃの形状は、欠陥を有する発光素子３０ｘを囲む枠状であり、第２配線２４は、断線部２４ｃの内側に配置された部分と外側に配置された部分とで分離されている。これにより、欠陥を有する発光素子３０ｘを第２配線２４から分離することができる。発光素子３０ｘの欠陥とは、例えば、短絡、断線及び不安定な導通等である。 As shown in FIG. 1, in the display device 1, the disconnection portion 24c can be formed in the second wiring 24. As shown in FIG. The disconnection portion 24c has a frame shape surrounding the defective light-emitting element 30x, and the second wiring 24 is separated into a portion disposed inside the disconnection portion 24c and a portion disposed outside. Thereby, the defective light emitting element 30 x can be separated from the second wiring 24 . The defect of the light emitting element 30x is, for example, a short circuit, disconnection, unstable conduction, or the like.

次に、本実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
図６Ａ～図７Ｃは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。 Next, a method for manufacturing the display device according to this embodiment will be described.
6A to 7C are end views showing the manufacturing method of the display device according to this embodiment.

（基板２０及び発光素子３０を準備する工程）
先ず、図６Ａに示すように、基板２０及び発光素子３０を準備する。基板２０には、ピクセル１０がマトリクス状に設定されており、各ピクセル１０には１以上のサブピクセル１１が含まれている。基板２０の上面２０ａには、サブピクセル１１毎に第１配線２１が設けられており、サブピクセル１１間に電極２２が設けられている。第１配線２１上には導電性ペースト層１０２が設けられている。 (Step of preparing substrate 20 and light emitting element 30)
First, as shown in FIG. 6A, a substrate 20 and light emitting elements 30 are prepared. Pixels 10 are arranged in a matrix on the substrate 20 , and each pixel 10 includes one or more sub-pixels 11 . A first wiring 21 is provided for each sub-pixel 11 on the upper surface 20 a of the substrate 20 , and an electrode 22 is provided between the sub-pixels 11 . A conductive paste layer 102 is provided on the first wiring 21 .

発光素子３０は、例えば、支持基板１００の下面１００ａに接着シート１０１によって接着されている。支持基板１００における各サブピクセル１１に相当する領域に、１つ以上、好ましくは２つ以上、例えば２つの発光素子３０が接着されている。発光素子３０の構成は上述のとおりである。すなわち、発光素子３０の下面には第１電極３５が設けられており、側面の少なくとも一部、例えば４つの側面には、第２電極３３が設けられている。 The light emitting element 30 is adhered to the lower surface 100a of the support substrate 100 with an adhesive sheet 101, for example. One or more, preferably two or more, for example two, light-emitting elements 30 are adhered to regions of the support substrate 100 corresponding to the sub-pixels 11 . The configuration of the light emitting element 30 is as described above. That is, a first electrode 35 is provided on the lower surface of the light emitting element 30, and a second electrode 33 is provided on at least part of the side surfaces, for example, four side surfaces.

（基板２０に発光素子３０を搭載し、第１電極３５を第１配線２１に接続する工程）
次に、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、発光素子３０が接着された支持基板１００の下面１００ａを基板２０の上面２０ａに対向させて、発光素子３０の第１電極３５を導電性ペースト層１０２に当接させる。次に、導電性ペースト層１０２を焼結させる。これにより、発光素子３０の第１電極３５が第１配線２１に電気的に接続されると共に、発光素子３０が基板２０に搭載される。以後、導電性ペースト層１０２は第１配線２１の一部として示す。 (Step of mounting light emitting element 30 on substrate 20 and connecting first electrode 35 to first wiring 21)
Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the lower surface 100a of the support substrate 100 to which the light emitting element 30 is adhered is opposed to the upper surface 20a of the substrate 20, and the first electrode 35 of the light emitting element 30 is adhered to the conductive paste layer. 102. Next, the conductive paste layer 102 is sintered. Thereby, the first electrode 35 of the light emitting element 30 is electrically connected to the first wiring 21 and the light emitting element 30 is mounted on the substrate 20 . Hereinafter, the conductive paste layer 102 will be shown as part of the first wiring 21 .

次に、接着シート１０１を例えば溶解させることにより除去する。これにより、支持基板１００を発光素子３０から剥離する。このようにして、発光素子３０が支持基板１００から基板２０に転写される。このとき、例えば、各サブピクセル１１には２つの発光素子３０が搭載される。また、上方から見て、発光素子３０の形状は例えば矩形である。 Next, the adhesive sheet 101 is removed by, for example, dissolving it. Thereby, the support substrate 100 is separated from the light emitting element 30 . In this manner, the light emitting element 30 is transferred from the supporting substrate 100 to the substrate 20. FIG. At this time, for example, two light emitting elements 30 are mounted on each sub-pixel 11 . Moreover, the shape of the light emitting element 30 is, for example, a rectangle when viewed from above.

（樹脂部材２３を形成する工程）
次に、図７Ａに示すように、基板２０上に発光素子３０を覆う樹脂部材２３を形成する。例えば、基板２０の上面２０ａに感光性樹脂を塗布し、現像して硬化させる。又は、感光性樹脂からなるドライフィルムを基板２０の上面２０ａに貼付する。このようにして、樹脂部材２３が形成される。この時点では、樹脂部材２３は複数のサブピクセル１１に搭載された複数の発光素子３０を全て覆う。 (Step of Forming Resin Member 23)
Next, as shown in FIG. 7A, a resin member 23 is formed on the substrate 20 to cover the light emitting elements 30 . For example, a photosensitive resin is applied to the upper surface 20a of the substrate 20, developed and cured. Alternatively, a dry film made of a photosensitive resin is attached to the upper surface 20a of the substrate 20 . Thus, the resin member 23 is formed. At this point, the resin member 23 covers all of the multiple light emitting elements 30 mounted on the multiple sub-pixels 11 .

（第２電極３３を樹脂部材２３から露出させる工程）
次に、図７Ｂに示すように、樹脂部材２３の上面２３ａに対してエッチング、例えば、酸素ガス（Ｏ２）を用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）を施すことにより、樹脂部材２３の上部を除去する。これにより、第２電極３３の上部を含む発光素子３０の上部が、樹脂部材２３の上面２３ａから露出する。また、このとき、樹脂部材２３をサブピクセル１１毎に区画して、電極２２を露出させる。これにより、樹脂部材２３の形状は、例えば、略直方体又は四角錘台形となる。 (Step of exposing the second electrode 33 from the resin member 23)
Next, as shown in FIG. 7B, the upper surface 23a of the resin member 23 is etched, for example, by RIE (Reactive Ion Etching) using oxygen gas (O 2 ), thereby removing the resin member. Remove the top of 23. As a result, the upper portion of the light emitting element 30 including the upper portion of the second electrode 33 is exposed from the upper surface 23 a of the resin member 23 . Also, at this time, the resin member 23 is partitioned for each sub-pixel 11 to expose the electrode 22 . Thereby, the shape of the resin member 23 becomes, for example, a substantially rectangular parallelepiped shape or a truncated square pyramid shape.

（樹脂部材２３上に第２配線２４を形成する工程）
次に、図７Ｃに示すように、樹脂部材２３の側面２３ｂ、及び、上面２３ａにおける発光素子３０の露出部分を除く領域上に、第２配線２４を形成する。第２配線２４の形状は、例えば面状であり、例えば、樹脂部材２３の上面２３ａ及び側面２３ｂにおける発光素子３０の露出部分以外の部分を全て覆っている。第２配線２４は、例えば、スピンコート法により導電性ペーストを全面に塗布し、焼結させることにより、形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、レジストパターンを形成する。このレジストパターンにおいては、発光素子３０の直上域に開口部が形成されている。そして、このレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等のエッチング処理を施す。これにより、第２配線２４における発光素子３０を覆っている部分を除去して、開口部２４ａを形成する。なお、発光素子３０を覆うレジストパターンを形成した後、全面に第２配線２４を形成し、その後、第２配線２４における発光素子３０の直上域に形成された部分をリフトオフすることにより、開口部２４ａを形成してもよい。 (Step of Forming Second Wiring 24 on Resin Member 23)
Next, as shown in FIG. 7C, the second wiring 24 is formed on the side surface 23b and the upper surface 23a of the resin member 23 except for the exposed portion of the light emitting element 30. Next, as shown in FIG. The shape of the second wiring 24 is, for example, a planar shape, and covers, for example, all portions of the upper surface 23a and side surfaces 23b of the resin member 23 other than the exposed portion of the light emitting element 30 . The second wiring 24 is formed by, for example, applying a conductive paste to the entire surface by spin coating and sintering the paste. Then, a resist pattern is formed by photolithography. In this resist pattern, an opening is formed directly above the light emitting element 30 . Using this resist pattern as a mask, an etching process such as RIE (Reactive Ion Etching) is performed. As a result, a portion of the second wiring 24 covering the light emitting element 30 is removed to form an opening 24a. After forming a resist pattern covering the light-emitting element 30, the second wiring 24 is formed on the entire surface, and then the portion of the second wiring 24 formed directly above the light-emitting element 30 is lifted off to form an opening. 24a may be formed.

この結果、第２配線２４は、各発光素子３０の第２電極３３における樹脂部材２３の上面２３ａ上に露出した部分に接触し、電気的に接続される。また、第２配線２４は電極２２にも接触し、電気的に接続される。この結果、全ての発光素子３０の第２電極３３は、第２配線２４に共通接続される。このようにして、発光素子３０は、第１配線２１及び第２配線２４に接続される。 As a result, the second wiring 24 contacts and is electrically connected to the portion of the second electrode 33 of each light emitting element 30 exposed on the upper surface 23a of the resin member 23 . In addition, the second wiring 24 is also in contact with the electrode 22 and is electrically connected. As a result, the second electrodes 33 of all the light emitting elements 30 are commonly connected to the second wiring 24 . Thus, the light emitting element 30 is connected to the first wiring 21 and the second wiring 24 .

（欠陥を有する発光素子３０ｘを第２配線２４から分離する工程）
次に、図１に示すように、各発光素子３０を検査し、欠陥を有する発光素子３０ｘを検出したら、例えばレーザー加工によって、第２配線２４における発光素子３０ｘを囲む部分を選択的に除去し、断線部２４ｃを形成する。これにより、発光素子３０ｘを第２配線２４から分離する。その後、電極２２及び第２配線２４の表面に対して粗化処理を施して、表面をマット状にしたり、黒化処理等を施して黒色被膜を形成することにより、電極２２及び第２配線２４における光の反射率を低下させる。これにより、画面のコントラストが向上する。このようにして、本実施形態に係る表示装置１が製造される。 (Step of separating defective light emitting element 30x from second wiring 24)
Next, as shown in FIG. 1, each light emitting element 30 is inspected, and when a defective light emitting element 30x is detected, a portion of the second wiring 24 surrounding the light emitting element 30x is selectively removed by, for example, laser processing. , forming a disconnection portion 24c. Thereby, the light emitting element 30 x is separated from the second wiring 24 . After that, the surfaces of the electrodes 22 and the second wirings 24 are roughened to make the surfaces matte, or blackened to form a black film, whereby the electrodes 22 and the second wirings 24 are roughened. reduce the reflectance of light in This improves the contrast of the screen. Thus, the display device 1 according to this embodiment is manufactured.

次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係る表示装置１においては、各発光素子３０において、半導体部材３１の側面３１ｂの少なくとも一部に第２電極３３が設けられている。また、第２配線２４が樹脂部材２３の上面２３ａにおける発光素子３０の露出部分を除く領域上に設けられている。このため、発光素子３０の位置及び角度が設計から多少ずれたとしても、各発光素子３０の第２電極３３は第２配線２４に接触する。したがって、発光素子３０を基板２０に搭載するときの位置精度を過度に精密にしなくても、発光素子３０の第１電極３５が第１配線２１に当接する程度に精密であれば、発光素子３０を第１配線２１と第２配線２４に電気的に接続することができる。このため、発光素子３０を基板２０に搭載する際の位置及び角度のマージンが大きい。この結果、表示装置１は製造が容易であり、製造コストが低い。 Next, the effects of this embodiment will be described.
In the display device 1 according to this embodiment, the second electrode 33 is provided on at least part of the side surface 31b of the semiconductor member 31 in each light emitting element 30 . Also, the second wiring 24 is provided on a region of the upper surface 23 a of the resin member 23 excluding the exposed portion of the light emitting element 30 . Therefore, the second electrode 33 of each light emitting element 30 is in contact with the second wiring 24 even if the positions and angles of the light emitting elements 30 are slightly deviated from the design. Therefore, even if the positional accuracy when mounting the light emitting element 30 on the substrate 20 is not excessively precise, if the first electrode 35 of the light emitting element 30 is accurate enough to contact the first wiring 21, the light emitting element 30 can be electrically connected to the first wiring 21 and the second wiring 24 . Therefore, there is a large margin of position and angle when mounting the light emitting element 30 on the substrate 20 . As a result, the display device 1 is easy to manufacture, and the manufacturing cost is low.

また、本実施形態においては、第２電極３３を発光素子３０の側面に配置しているため、第２電極３３は半導体部材３１の上面を覆う必要がない。このため、半導体部材３１から上方に出射する光を、効率的に利用することができる。 Further, in this embodiment, since the second electrode 33 is arranged on the side surface of the light emitting element 30 , the second electrode 33 need not cover the upper surface of the semiconductor member 31 . Therefore, the light emitted upward from the semiconductor member 31 can be efficiently used.

更に、第２配線２４を金属により形成しているため、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide：酸化インジウムスズ）等の導電性透明材料により形成する場合と比較して、配線の電気抵抗が低い。このため、表示装置１は電力の利用効率が高い。 Furthermore, since the second wiring 24 is made of metal, the electrical resistance of the wiring is lower than when it is made of a conductive transparent material such as ITO (Indium-Tin-Oxide). Therefore, the display device 1 has high power utilization efficiency.

更にまた、表示装置１においては、各サブピクセル１１に２つの発光素子３０を設けている。この２つの発光素子３０は第１配線２１と第２配線２４との間に並列に接続される。あるサブピクセル１１に配置された２つの発光素子３０がいずれも正常であれば、この２つの発光素子３０には並列に電流が流れる。これに対して、２つの発光素子３０のうち一方が欠陥を有する場合は、第２配線２４に断線部２４ｃを形成することにより、欠陥を有する発光素子３０ｘを第２配線２４から分離する。これにより、発光素子３０の欠陥が、直ちにサブピクセル１１の欠陥、例えば、輝点又は暗点となることを防止できる。この場合は、欠陥を有する発光素子３０ｘが電流回路から切り離されるため、正常な１つの発光素子３０に通常の２倍の電流が流れ、約２倍の光を出力する。このため、サブピクセル１１に欠陥を有する発光素子３０が存在しない場合も、欠陥を有する発光素子３０が１つ存在する場合も、サブピクセル１１全体の輝度は略同じとなる。 Furthermore, in the display device 1 , two light emitting elements 30 are provided in each sub-pixel 11 . These two light emitting elements 30 are connected in parallel between the first wiring 21 and the second wiring 24 . If both of the two light emitting elements 30 arranged in a certain sub-pixel 11 are normal, currents flow through these two light emitting elements 30 in parallel. On the other hand, when one of the two light emitting elements 30 has a defect, the defective light emitting element 30x is separated from the second wiring 24 by forming the disconnection portion 24c in the second wiring 24. FIG. This prevents defects in the light emitting element 30 from immediately becoming defects in the sub-pixels 11, such as bright spots or dark spots. In this case, since the defective light-emitting element 30x is disconnected from the current circuit, a current twice as much as usual flows through one normal light-emitting element 30, and approximately twice as much light is output. Therefore, the brightness of the entire sub-pixel 11 is substantially the same whether the sub-pixel 11 has no defective light-emitting element 30 or has one defective light-emitting element 30 .

このように、本実施形態によれば、サブピクセル１１に配置する発光素子３０に冗長性を持たせることができ、１つの発光素子３０に欠陥が発生した場合でも、サブピクセル１１を正常に機能させることができる。これにより、表示装置１の歩留まりが向上し、製造コストを低減することができる。なお、各サブピクセル１１には、３つ以上の発光素子３０を設けてもよい。 As described above, according to the present embodiment, the light emitting elements 30 arranged in the sub-pixel 11 can be provided with redundancy, and even if one light emitting element 30 is defective, the sub-pixel 11 can function normally. can be made Thereby, the yield of the display device 1 can be improved and the manufacturing cost can be reduced. Note that each sub-pixel 11 may be provided with three or more light-emitting elements 30 .

＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。 <Second embodiment>
Next, a second embodiment will be described.
FIG. 8 is an end view showing the light emitting element of the display device according to this embodiment.

図８に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ａが設けられている。発光素子３０ａにおいては、第２電極３３が半導体部材３１の上面３１ｃにおける周辺部まで到達している。これにより、第２配線２４を第２電極３３に確実に接続することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。 As shown in FIG. 8, the display device according to the present embodiment is provided with a light emitting element 30a. In the light emitting element 30a, the second electrode 33 reaches the peripheral portion of the upper surface 31c of the semiconductor member 31. As shown in FIG. Thereby, the second wiring 24 can be reliably connected to the second electrode 33 . The configuration, manufacturing method, and effects of this embodiment other than those described above are the same as those of the first embodiment.

＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。
図９は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。 <Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described.
FIG. 9 is an end view showing the light emitting element of the display device according to this embodiment.

図９に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ｂが設けられている。発光素子３０ｂにおいては、第２電極３３が第１部分３３ｂと第２部分３３ｃとに分かれている。第１部分３３ｂは半導体部材３１の下面３１ａ及び側面３１ｂに設けられており、第２部分３３ｃは半導体部材３１の上面３１ｃの周辺部に設けられている。第２部分３３ｃは第１部分３３ｂから離隔している。また、発光素子３０ｂにおいては、金属めっき層３９が設けられている。金属めっき層３９は、第２電極３３の第１部分３３ｂを第２部分３３ｃに電気的に接続している。金属めっき層３９は、例えば、電解めっき法により形成されたものである。 As shown in FIG. 9, a light emitting element 30b is provided in the display device according to this embodiment. In the light emitting element 30b, the second electrode 33 is divided into a first portion 33b and a second portion 33c. The first portion 33b is provided on the lower surface 31a and the side surface 31b of the semiconductor member 31, and the second portion 33c is provided on the periphery of the upper surface 31c of the semiconductor member 31. As shown in FIG. The second portion 33c is separated from the first portion 33b. A metal plating layer 39 is provided in the light emitting element 30b. The metal plating layer 39 electrically connects the first portion 33b of the second electrode 33 to the second portion 33c. The metal plating layer 39 is formed, for example, by electroplating.

本実施形態によれば、第２電極３３を形成する際の成膜状態により、第２電極３３が第１部分３３ｂと第２部分３３ｃとに分離されてしまった場合でも、金属めっき層３９を形成することにより、第２部分３３ｃを第２電極３３の一部として機能させることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。 According to the present embodiment, even if the second electrode 33 is separated into the first portion 33b and the second portion 33c due to the state of film formation when the second electrode 33 is formed, the metal plating layer 39 can be removed. By forming the second portion 33 c , the second portion 33 c can function as a part of the second electrode 33 . The configuration, manufacturing method, and effects of this embodiment other than those described above are the same as those of the first embodiment.

＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態について説明する。
図１０は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。 <Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described.
FIG. 10 is a top view showing the light emitting element of the display device according to this embodiment.

図１０に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ｃが設けられている。発光素子３０ｃにおいては、第２電極３３が半導体部材３１の１つの側面３１ｂの一部のみに設けられている。この場合でも、第２電極３３は第２配線２４に接続される。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。 As shown in FIG. 10, the display device according to this embodiment is provided with a light emitting element 30c. In the light emitting element 30c, the second electrode 33 is provided only on a part of one side surface 31b of the semiconductor member 31. As shown in FIG. Even in this case, the second electrode 33 is connected to the second wiring 24 . The configuration, manufacturing method, and effects of this embodiment other than those described above are the same as those of the first embodiment.

なお、第２電極３３の形状及び位置は、上述の実施形態には限定されない。第２電極３３が半導体部材３１の側面３１ｂの一部に設けられており、第２電極３３の一部が樹脂部材２３上に露出しており、この露出した部分が第２配線２４に電気的に接続されていればよい。例えば、第２電極３３は、半導体部材３１の３つの側面３１ｂに設けられていてもよく、相互に対向する２つの側面３１ｂに設けられていてもよく、相互に交差する２つの側面３１ｂに設けられていてもよく、１つ以上の側面３１ｂのそれぞれの一部に設けられていてもよい。 In addition, the shape and position of the second electrode 33 are not limited to the above-described embodiment. A second electrode 33 is provided on a part of the side surface 31 b of the semiconductor member 31 , a part of the second electrode 33 is exposed on the resin member 23 , and the exposed part is electrically connected to the second wiring 24 . should be connected to For example, the second electrodes 33 may be provided on three side surfaces 31b of the semiconductor member 31, may be provided on two mutually opposing side surfaces 31b, or may be provided on two mutually intersecting side surfaces 31b. or may be provided on a portion of each of the one or more side surfaces 31b.

本発明は、例えば、視覚的に情報を表示する装置に利用することができ、例えば、携帯用電子機器、テレビ受像器、多人数向けのディスプレイ等に利用することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used, for example, in devices that visually display information, such as portable electronic devices, television receivers, displays for many people, and the like.

１：表示装置
１０：ピクセル
１１、１１Ｂ、１１Ｇ、１１Ｒ：サブピクセル
２０：基板
２０ａ：上面
２１：第１配線
２２：電極
２３：樹脂部材
２３ａ：上面
２３ｂ：側面
２４：第２配線
２４ａ：開口部
２４ｃ：断線部
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｘ：発光素子
３１：半導体部材
３１ａ：下面
３１ｂ：側面
３１ｃ：上面
３１ｎ：第２半導体層
３１ｔ：発光層
３１ｐ：第１半導体層
３２：光反射層
３２ａ、３２ｂ：開口部
３３：第２電極
３３ａ：開口部
３３ｂ：第１部分
３３ｃ：第２部分
３４：絶縁層
３４ａ：開口部
３５：第１電極
３６：保護層
３７：第１導電層
３８：第２導電層
３９：金属めっき層
１００：支持基板
１００ａ：下面
１０１：接着シート
１０２：導電性ペースト層 1: Display device 10: Pixel 11, 11B, 11G, 11R: Sub-pixel 20: Substrate 20a: Top surface 21: First wiring 22: Electrode 23: Resin member 23a: Top surface 23b: Side surface 24: Second wiring 24a: Opening 24c: disconnection part 30, 30a, 30b, 30c, 30x: light emitting element 31: semiconductor member 31a: lower surface 31b: side surface 31c: upper surface 31n: second semiconductor layer 31t: light emitting layer 31p: first semiconductor layer 32: light reflecting layer 32a, 32b: opening 33: second electrode 33a: opening 33b: first portion 33c: second portion 34: insulating layer 34a: opening 35: first electrode 36: protective layer 37: first conductive layer 38: Second conductive layer 39: Metal plating layer 100: Support substrate 100a: Lower surface 101: Adhesive sheet 102: Conductive paste layer

Claims (11)

サブピクセルが設定され、前記サブピクセル毎に第１配線が設けられた基板、及び、下面に第１電極が設けられ側面の少なくとも一部に第２電極が設けられた発光素子を準備する工程と、
前記基板上に前記発光素子を搭載し、前記第１電極を前記第１配線に電気的に接続する工程と、
前記基板上に、前記発光素子を覆う樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材の上部を除去することにより、前記第２電極の一部が露出するまで前記発光素子の上部を前記樹脂部材の上面から露出させる工程と、
前記樹脂部材の上面における前記発光素子の露出部分を除く領域上に第２配線を形成し、前記第２配線を前記第２電極に電気的に接続する工程と、
を備えた表示装置の製造方法。 preparing a substrate on which sub-pixels are set and on which a first wiring is provided for each sub-pixel; ,
mounting the light emitting element on the substrate and electrically connecting the first electrode to the first wiring;
forming a resin member covering the light emitting element on the substrate;
exposing an upper portion of the light emitting element from the upper surface of the resin member until a portion of the second electrode is exposed by removing the upper portion of the resin member;
forming a second wiring on the upper surface of the resin member except for the exposed portion of the light emitting element, and electrically connecting the second wiring to the second electrode;
A method of manufacturing a display device comprising 前記発光素子は半導体部材を含み、上方から見て、前記第２電極は前記半導体部材の周囲に設けられている請求項１記載の表示装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein said light emitting element includes a semiconductor member, and said second electrode is provided around said semiconductor member when viewed from above. 前記発光素子は半導体部材を含み、前記第２電極は前記半導体部材の上面の一部にも設けられている請求項１記載の表示装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein the light emitting element includes a semiconductor member, and the second electrode is provided also on a part of the upper surface of the semiconductor member. 上方から見たときに、前記発光素子の形状は矩形である請求項１～３のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。 4. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein the shape of the light emitting element is rectangular when viewed from above. 少なくとも１つの前記サブピクセルに２つ以上の前記発光素子を搭載する請求項１～４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。 5. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein two or more of the light emitting elements are mounted in at least one of the sub-pixels. 欠陥を有する１つの前記発光素子を前記第２配線から分離する工程をさらに備えた請求項５記載の表示装置の製造方法。 6. The method of manufacturing a display device according to claim 5, further comprising the step of isolating one of said light emitting elements having a defect from said second wiring. 前記樹脂部材を形成する工程において、前記樹脂部材は複数の前記サブピクセルに搭載された複数の前記発光素子を覆い、
前記露出させる工程において、前記樹脂部材を前記サブピクセル毎に区画する請求項１～６のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。 In the step of forming the resin member, the resin member covers the plurality of light emitting elements mounted on the plurality of sub pixels,
7. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein in the exposing step, the resin member is partitioned for each of the sub-pixels. サブピクセルが設定された基板と、
前記基板上に前記サブピクセル毎に設けられた第１配線と、
前記基板に前記サブピクセル毎に搭載された発光素子と、
前記発光素子の下部及び前記第１配線を覆う樹脂部材と、
前記樹脂部材上に設けられた第２配線と、
を備え、
前記発光素子は、
半導体部材と、
前記半導体部材の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続された第１電極と、
前記半導体部材の側面の少なくとも一部に設けられ、一部が前記樹脂部材の上面から露出した第２電極と、
前記半導体部材の側面と前記第２電極との間に設けられた絶縁性の光反射層と、
有し、
前記発光素子の少なくとも一部は前記第２配線に覆われておらず、
前記第２配線は、前記第２電極における前記樹脂部材上に露出した部分に電気的に接続されており、
上方から見て、前記第２電極は前記半導体部材の周囲に設けられており、
前記第２電極は前記半導体部材の下面に電気的に接続されている表示装置。 a substrate with sub-pixels;
a first wiring provided on the substrate for each sub-pixel;
a light-emitting element mounted on the substrate for each sub-pixel;
a resin member covering a lower portion of the light emitting element and the first wiring;
a second wiring provided on the resin member;
with
The light emitting element is
a semiconductor member;
a first electrode provided on the lower surface of the semiconductor member and electrically connected to the first wiring;
a second electrode provided on at least a portion of the side surface of the semiconductor member and partially exposed from the upper surface of the resin member;
an insulating light reflecting layer provided between the side surface of the semiconductor member and the second electrode;
have
at least part of the light emitting element is not covered with the second wiring,
The second wiring is electrically connected to a portion of the second electrode exposed on the resin member,
When viewed from above, the second electrode is provided around the semiconductor member,
A display device , wherein the second electrode is electrically connected to the lower surface of the semiconductor member . サブピクセルが設定された基板と、
前記基板上に前記サブピクセル毎に設けられた第１配線と、
前記基板に前記サブピクセル毎に搭載された発光素子と、
前記発光素子の下部及び前記第１配線を覆う樹脂部材と、
前記樹脂部材上に設けられた第２配線と、
を備え、
前記発光素子は、
半導体部材と、
前記半導体部材の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続された第１電極と、
前記半導体部材の側面の少なくとも一部に設けられ、一部が前記樹脂部材の上面から露出した第２電極と、
有し、
前記発光素子の少なくとも一部は前記第２配線に覆われておらず、
前記第２配線は、前記第２電極における前記樹脂部材上に露出した部分に電気的に接続されており、
少なくとも１つの前記サブピクセルに２つ以上の前記発光素子が設けられており、
欠陥を有する１つの前記発光素子が前記第２配線から分離されている表示装置。 a substrate with sub-pixels;
a first wiring provided on the substrate for each sub-pixel;
a light-emitting element mounted on the substrate for each sub-pixel;
a resin member covering a lower portion of the light emitting element and the first wiring;
a second wiring provided on the resin member;
with
The light emitting element is
a semiconductor member;
a first electrode provided on the lower surface of the semiconductor member and electrically connected to the first wiring;
a second electrode provided on at least a portion of the side surface of the semiconductor member and partially exposed from the upper surface of the resin member;
have
at least part of the light emitting element is not covered with the second wiring,
The second wiring is electrically connected to a portion of the second electrode exposed on the resin member,
at least one of the sub-pixels is provided with two or more of the light-emitting elements;
A display device in which one said defective light emitting element is isolated from said second wiring . 少なくとも１つの前記サブピクセルに２つ以上の前記発光素子が設けられた請求項８記載の表示装置。 9. The display device according to claim 8 , wherein at least one of the sub-pixels is provided with two or more of the light-emitting elements. 欠陥を有する１つの前記発光素子が前記第２配線から分離されている請求項１０記載の表示装置。 11. The display device according to claim 10, wherein one said defective light emitting element is isolated from said second wiring.
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