JP7329519B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
図1~図6は、本開示の第1実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本開示の半導体レーザ装置A1は、ステム1、複数のリード13,14,15、半導体レーザ素子2、サブマウント基板3、複数のワイヤ4、およびキャップ部8を備えている。半導体レーザ装置A1の用途は特に限定されず、たとえば様々な電子機器に搭載される光源装置として用いられる。
図7は、半導体レーザ装置A1の第1変形例を示す断面図である。本例の半導体レーザ装置A11は、半導体レーザ素子2とサブマウント基板3とのz方向における位置関係が上述した例と異なる。
図8および図9は、本開示の第2実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置A2は、半導体レーザ素子2とサブマウント基板3との位置関係および寸法関係が、上述した実施形態と異なる。
図10は、本開示の第3実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置A3は、主にサブマウント基板3の構成が上述した実施形態と異なっている。
図11および図12は、本開示の第4実施形態に係る半導体レーザ装置を示している。本実施形態の半導体レーザ装置A4は、主に半導体レーザ素子2およびサブマウント基板3の構成が上述した実施形態と異なっている。
図13および図14は、半導体レーザ装置A4の第1変形例を示している。本変形例の半導体レーザ装置A41は、半導体レーザ素子2の配置が、上述した例と異なっている。
図15は、半導体レーザ装置A4の第2変形例を示す要部正面図である。本変形例の半導体レーザ装置A42は、主に、ワイヤ4の配置が上述した例と異なる。
半導体レーザ素子と、
厚さ方向において互いに反対側を向く基材第1面および基材第2面を有する絶縁材料からなる基材と、前記基材を前記厚さ方向に貫通する1以上の貫通導電部と、を有するサブマウント基板と、を備え、
前記半導体レーザ素子は、前記基材第1面上に配置されており、
前記貫通導電部は、前記半導体レーザ素子に導通している、半導体レーザ装置。
[付記2]
前記サブマウント基板は、前記基材第1面上に配置された第1導電層を有する、付記1に記載の半導体レーザ装置。
[付記3]
前記サブマウント基板は、前記基材第2面上に配置された第2導電層を有する、付記2に記載の半導体レーザ装置。
[付記4]
前記第1導電層および前記第2導電層は、前記貫通導電部を介して導通している、付記3に記載の半導体レーザ装置。
[付記5]
1以上の前記貫通導電部は、前記厚さ方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、付記4に記載の半導体レーザ装置。
[付記6]
前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記基材第1面と同じ側を向く素子第1面、前記厚さ方向において前記基材第2面と同じ側を向く素子第2面、前記厚さ方向と直角である第1方向を向き且つレーザ光が出射される素子第3面、および前記第1方向において前記素子第3面と反対側を向く素子第4面、を有する半導体層を備え、
前記基材は、前記第1方向において前記素子第3面と同じ側を向く基材第3面、および前記第1方向において前記素子第4面と同じ側を向く基材第4面を有する、付記4または5に記載の半導体レーザ装置。
[付記7]
前記厚さ方向から視て前記半導体レーザ素子に重なる前記貫通導電部は、前記第1方向において前記半導体層の中心よりも前記素子第3面側に配置されている、付記6に記載の半導体レーザ装置。
[付記8]
前記第1方向における前記素子第3面と前記基材第3面との距離である第1距離は、前記第1方向における前記素子第4面と前記基材第4面との距離である第2距離よりも小さい、付記6または7に記載の半導体レーザ装置。
[付記9]
前記素子第3面は、前記厚さ方向から視て前記基材第3面よりも前記第1方向において前記基材第4面とは反対側に位置する、付記8に記載の半導体レーザ装置。
[付記10]
前記素子第3面は、前記厚さ方向から視て前記基材第3面よりも前記第1方向において前記基材第4面側に位置する、付記8に記載の半導体レーザ装置。
[付記11]
前記半導体レーザ素子は、前記素子第1面上に配置された第1電極および前記素子第2面上に配置された第2電極を有し、
前記第2電極と前記第1導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、付記6ないし10のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
[付記12]
前記第1電極に接続されたワイヤを備える、付記11に記載の半導体レーザ装置。
[付記13]
前記ワイヤは、前記第1電極に接合されたボンディング部を有しており、
前記ボンディング部は、前記厚さ方向から視て前記貫通導電部に重なる、付記12に記載の半導体レーザ装置。
[付記14]
前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記素子第2面と同じ側を向き且つ前記厚さ方向から視て互いに離間した第2電極および第3電極を有し、
前記サブマウント基板は、前記基材第1面上に配置され且つ前記厚さ方向から視て前記第1導電層と離間した第3導電層を有し、
前記第2電極および前記第3電極のいずれか一方と前記第1導電層とが、導電性接合部を介して接合されており、
前記第2電極および前記第3電極のいずれか一方と前記第3導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、付記6ないし10のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
[付記15]
前記第3導電層に接続されたワイヤを備える、付記14に記載の半導体レーザ装置。
[付記16]
前記ワイヤは、前記第3導電層に接合されたボンディング部を有しており、
前記ボンディング部は、前記厚さ方向および前記第1方向に対して直角である第2方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、付記15に記載の半導体レーザ装置。
[付記17]
前記ワイヤは、前記第3導電層に接合されたボンディング部を有しており、
前記ボンディング部は、前記第1方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、付記15に記載の半導体レーザ装置。
Claims (16)
- 半導体レーザ素子と、
厚さ方向において互いに反対側を向く基材第1面および基材第2面を有する絶縁材料からなる基材と、前記基材を前記厚さ方向に貫通する複数の貫通導電部と、を有するサブマウント基板と、を備え、
前記半導体レーザ素子は、前記基材第1面上に配置されており、
前記貫通導電部は、前記半導体レーザ素子に導通しており、
前記複数の貫通導電部は、前記厚さ方向から視て前記半導体レーザ素子に重なる第1貫通導電部と、前記厚さ方向から視て前記半導体レーザ素子から離間した第2貫通導電部と、を含み、
前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において互いに反対側を向く第1電極および第2電極を有し、
前記第2電極と前記サブマウント基板とが、導電性接合部を介して接合されており、
前記導電性接合部は、前記厚さ方向から視て、前記第1貫通導電部および前記第2貫通導電部と重なる、半導体レーザ装置。 - 前記サブマウント基板は、前記基材第1面上に配置された第1導電層を有する、請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記サブマウント基板は、前記基材第2面上に配置された第2導電層を有する、請求項2に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1導電層および前記第2導電層は、前記貫通導電部を介して導通している、請求項3に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記基材第1面と同じ側を向く素子第1面、前記厚さ方向において前記基材第2面と同じ側を向く素子第2面、前記厚さ方向と直角である第1方向を向き且つレーザ光が出射される素子第3面、および前記第1方向において前記素子第3面と反対側を向く素子第4面、を有する半導体層を備え、
前記基材は、前記第1方向において前記素子第3面と同じ側を向く基材第3面、および前記第1方向において前記素子第4面と同じ側を向く基材第4面を有する、請求項4に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1貫通導電部は、前記第1方向において前記半導体層の中心よりも前記素子第3面側に配置されている、請求項5に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1方向における前記素子第3面と前記基材第3面との距離である第1距離は、前記第1方向における前記素子第4面と前記基材第4面との距離である第2距離よりも小さい、請求項5または6に記載の半導体レーザ装置。
- 前記素子第3面は、前記厚さ方向から視て前記基材第3面よりも前記第1方向において前記基材第4面とは反対側に位置する、請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- 前記素子第3面は、前記厚さ方向から視て前記基材第3面よりも前記第1方向において前記基材第4面側に位置する、請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1電極に接続されたワイヤを備える、請求項5ないし9のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記ワイヤは、前記第1電極に接合されたボンディング部を有しており、
前記ボンディング部は、前記厚さ方向から視て前記第1貫通導電部に重なる、請求項10に記載の半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において前記素子第2面と同じ側を向き且つ前記厚さ方向から視て前記第2電極から離間した第3電極を有し、
前記サブマウント基板は、前記基材第1面上に配置され且つ前記厚さ方向から視て前記第1導電層と離間した第3導電層を有し、
前記第2電極および前記第3電極のいずれか一方と前記第1導電層とが、導電性接合部を介して接合されており、
前記第2電極および前記第3電極のいずれか一方と前記第3導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、請求項5に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第3導電層に接続されたワイヤを備える、請求項12に記載の半導体レーザ装置。
- 前記ワイヤは、前記第3導電層に接合されたボンディング部を有しており、
前記ボンディング部は、前記厚さ方向および前記第1方向に対して直角である第2方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、請求項13に記載の半導体レーザ装置。 - 前記ワイヤは、前記第3導電層に接合されたボンディング部を有しており、
前記ボンディング部は、前記第1方向から視て、前記半導体レーザ素子に重なる、請求項13に記載の半導体レーザ装置。 - 半導体レーザ素子と、
厚さ方向において互いに反対側を向く基材第1面および基材第2面を有する絶縁材料からなる基材と、前記基材を前記厚さ方向に貫通する1以上の貫通導電部と、を有するサブマウント基板と、を備え、
前記半導体レーザ素子は、前記基材第1面上に配置されており、
前記貫通導電部は、前記半導体レーザ素子に導通しており、
前記サブマウント基板は、前記基材第1面上に配置された第1導電層と、前記基材第2面上に配置された第2導電層と、を有し、
前記第1導電層および前記第2導電層は、前記貫通導電部を介して導通しており、
前記半導体レーザ素子は、前記厚さ方向において同じ側を向き且つ前記厚さ方向から視て互いに離間した第2電極および第3電極を有し、
前記サブマウント基板は、前記基材第1面上に配置され且つ前記厚さ方向から視て前記第1導電層と離間した第3導電層を有し、
前記第2電極および前記第3電極のいずれか一方と前記第1導電層とが、導電性接合部を介して接合されており、
前記第2電極および前記第3電極のいずれか一方と前記第3導電層とが、導電性接合部を介して接合されている、半導体レーザ装置。
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