JP7328316B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に係る。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

半導体素子又は液晶ディスプレーを製造するために、基板にフォトリソグラフィー、蝕刻、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、そして洗浄等の多様な工程が遂行される。この中で、蝕刻工程は基板上に形成された薄膜の中で不必要な領域を除去する工程で、薄膜に対する高い選択比及び高蝕刻率が要求される。 Various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display. Among these processes, the etching process is a process for removing unnecessary regions in the thin film formed on the substrate, and requires a high selectivity and a high etching rate for the thin film.

一般的に基板の蝕刻工程又は洗浄工程は大きくケミカル処理段階、リンス処理段階、そして乾燥処理段階が順次的に遂行される。ケミカル処理段階には基板上に形成された薄膜を蝕刻処理するか、或いは基板の上の異物を除去するためのケミカルが基板に供給し、リンス処理段階には基板上に純水のようなリンス液が供給される。 In general, an etching process or a cleaning process for a substrate is roughly performed in sequence of chemical treatment, rinsing, and drying. In the chemical treatment step, chemicals for etching a thin film formed on the substrate or removing foreign matter on the substrate are supplied to the substrate, and in the rinsing step, the substrate is rinsed with pure water. Liquid is supplied.

国際特許公開２０１２／００１３５８３Ａ１号公報International Patent Publication No. 2012/0013583A1

本発明の一目的は基板を効率的に処理する基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing substrates.

また、本発明の一目的は選択比高く基板を処理することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing substrates with a high selectivity.

また、本発明の一目的は選択比高く基板を処理することができる基板処理装置において、ノズルを最小化してノズル間の干渉を解消することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing nozzles to eliminate interference between nozzles in a substrate processing apparatus capable of processing substrates with high selectivity. be.

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。 The objects of the present invention are not limited here, and other objects not mentioned should be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板処理装置は、基板を支持し、回転可能に提供される支持部材と、高温の第１処理液及び高温の第２処理液を選択的に前記基板に供給する処理液ノズルと、前記処理液ノズルが前記第１処理液を前記基板に先に供給した後、前記第２処理液を前記基板に供給するように前記処理液ノズルを制御する制御器と、を含む。 The present invention provides an apparatus for processing substrates. In one embodiment, the substrate processing apparatus includes a rotatable supporting member that supports a substrate, and a processing liquid nozzle that selectively supplies a high-temperature first processing liquid and a high-temperature second processing liquid to the substrate. and a controller for controlling the processing liquid nozzle to supply the second processing liquid to the substrate after the processing liquid nozzle first supplies the first processing liquid to the substrate.

一実施形態において、前記基板は窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供されることができる。 In one embodiment, the substrate may be provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon.

一実施形態において、前記第１処理液はリン酸とシリコンの混合液で提供されることができる。 In one embodiment, the first processing liquid may be provided as a mixture of phosphoric acid and silicon.

一実施形態において、前記第２処理液は純リン酸で提供されることができる。 In one embodiment, the second treatment liquid may be provided with pure phosphoric acid.

一実施形態において、前記第１処理液を貯蔵する第１処理液タンクと、前記第２処理液を貯蔵する第２処理液タンクと、前記第１処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第１処理液タンクに貯蔵された前記第１処理液を前記処理液ノズルに伝達する第１液供給配管と、前記第２処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第２処理液タンクに貯蔵された前記第２処理液を前記処理液ノズルに伝達する第２液供給配管と、を含み、前記第１液供給配管と前記第２液供給配管は一領域以上が接するように提供されることができる。 In one embodiment, a first processing liquid tank storing the first processing liquid, a second processing liquid tank storing the second processing liquid, and the first processing liquid tank and the processing liquid nozzle are connected to each other. a first liquid supply pipe for transmitting the first processing liquid stored in the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle; and a second processing liquid for connecting the second processing liquid tank and the processing liquid nozzle. a second liquid supply pipe for transferring the second processing liquid stored in the tank to the processing liquid nozzle, wherein the first liquid supply line and the second liquid supply line are provided so that one or more areas are in contact with each other. can be

一実施形態において、前記第１液供給配管と前記第２液供給配管は一地点で前記処理液ノズルまで接するように提供されることができる。 In one embodiment, the first liquid supply pipe and the second liquid supply pipe may be provided to contact the processing liquid nozzle at one point.

一実施形態において、前記第１液供給配管は、前記第１処理液タンクで前記処理液ノズルに供給される前記第１処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第１処理液タンクと連結される第１上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第１下流配管と、を含み、前記第２液供給配管は、前記第２処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第２処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第２処理液タンクと連結される第２上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第２下流配管と、を含み、前記第１下流配管と前記第２下流配管は接するように提供されることができる。 In one embodiment, the first liquid supply pipe is arranged upstream of the first processing liquid tank with respect to the flow of the first processing liquid supplied to the processing liquid nozzle in the first processing liquid tank. and a first downstream pipe disposed downstream and connected to the processing liquid nozzle, wherein the second liquid supply line extends from the second processing liquid tank to the processing liquid With reference to the flow of the second processing liquid supplied to the nozzle, a second upstream pipe is disposed upstream and connected to the second processing liquid tank, and a second upstream pipe is disposed downstream and connected to the processing liquid nozzle. and a second downstream pipe, wherein the first downstream pipe and the second downstream pipe may be provided in contact.

一実施形態において、前記第１上流配管には第１ヒーター及びバルブが提供され、前記第２上流配管には第２ヒーター及びバルブが提供されることができる。 In one embodiment, the first upstream pipe may be provided with a first heater and valve, and the second upstream pipe may be provided with a second heater and valve.

一実施形態において、前記第１ヒーターは前記第１処理液を高温に加熱し、前記第２ヒーターは前記第２処理液を高温に加熱することができる。 In one embodiment, the first heater may heat the first processing liquid to a high temperature, and the second heater may heat the second processing liquid to a high temperature.

一実施形態において、前記第１ヒーターは前記第１処理液を１６０℃以上に加熱し、前記第２ヒーターは前記第２処理液を１６０℃以上に加熱することができる。 In one embodiment, the first heater may heat the first treatment liquid to 160° C. or higher, and the second heater may heat the second treatment liquid to 160° C. or higher.

一実施形態において、前記処理液ノズルは、第１ノズル部と第２ノズル部を含み、前記第１ノズル部は前記第１液供給配管と連結され、前記第２ノズル部は前記第２液供給配管と連結されることができる。 In one embodiment, the treatment liquid nozzle includes a first nozzle section and a second nozzle section, the first nozzle section is connected to the first liquid supply pipe, and the second nozzle section supplies the second liquid. It can be connected with piping.

一実施形態において、前記基板に純水を供給する純水ノズルをさらに含むことができる。 In one embodiment, the substrate may further include a pure water nozzle for supplying pure water to the substrate.

一実施形態において、前記制御器は、前記基板が回転される状態で前記基板に前記純水を設定時間供給するプリウェット工程と、前記プリウェット工程の後に、前記基板が回転される状態で前記基板に前記第１処理液及び前記第２処理液を順次的に供給する蝕刻工程を遂行するように制御することができる。 In one embodiment, the controller comprises a pre-wetting step of supplying the pure water to the substrate for a set time while the substrate is being rotated; The etching process may be controlled to sequentially supply the first processing liquid and the second processing liquid to the substrate.

一実施形態において、前記制御器は、前記蝕刻工程の後に、前記基板に対して純水を供給するリンス工程を遂行するように制御することができる。 In one embodiment, the controller may control to perform a rinse process of supplying pure water to the substrate after the etching process.

本発明は窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される基板を蝕刻する方法を提供する。一実施形態において、基板処理方法は、前記基板が回転される状態で高温の第１処理液を前記基板に先に供給した後、高温の第２処理液を前記基板に供給して基板に対する蝕刻工程を遂行する。 The present invention provides a method of etching a substrate provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon. In one embodiment, the substrate processing method comprises first supplying a high-temperature first processing liquid to the substrate while the substrate is being rotated, and then supplying a high-temperature second processing liquid to the substrate to etch the substrate. carry out the process.

本発明の他の観点にしたがう実施形態による基板処理方法は、窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される基板を蝕刻する方法において、高温の第１処理液に前記基板を設定時間浸漬し、その後前記基板を高温の第２処理液に浸漬して基板に対する蝕刻工程を遂行する。 A substrate processing method according to an embodiment according to another aspect of the present invention is a method for etching a substrate provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer, wherein the substrate is set in a high-temperature first processing liquid. After soaking for a period of time, the substrate is soaked in a high-temperature second processing solution to perform an etching process on the substrate.

一実施形態において、前記第１処理液はリン酸とシリコンの混合液で提供されることができる。 In one embodiment, the first processing liquid may be provided as a mixture of phosphoric acid and silicon.

一実施形態において、前記第２処理液は純リン酸で提供されることができる。 In one embodiment, the second treatment liquid may be provided with pure phosphoric acid.

一実施形態において、前記第１処理液と前記第２処理液は１６０℃以上に供給されることができる。 In one embodiment, the first treatment liquid and the second treatment liquid may be supplied at a temperature of 160° C. or higher.

一実施形態において、前記蝕刻工程の前に、前記基板が回転される状態で前記基板に純水を設定時間供給するプリウェット工程と、前記蝕刻工程の後に、前記基板に対して純水を供給するリンス工程をさらに遂行することができる。 In one embodiment, a pre-wetting process of supplying pure water to the substrate for a set time while the substrate is being rotated before the etching process, and supplying pure water to the substrate after the etching process. A further rinsing step may be performed.

本発明の他の観点にしたがう実施形態による基板処理装置は、基板を支持し、回転可能に提供される支持部材と、高温の第１処理液及び高温の第２処理液を選択的に前記基板に供給する処理液ノズルと、前記第１処理液としてリン酸とシリコンの混合液を貯蔵する第１処理液タンクと、前記第２処理液として純リン酸を貯蔵する第２処理液タンクと、前記第１処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第１処理液タンクに貯蔵された前記第１処理液を前記処理液ノズルに伝達する第１液供給配管と、前記第２処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第２処理液タンクに貯蔵された前記第２処理液を前記処理液ノズルに伝達する第２液供給配管と、を含み、前記第１液供給配管は、前記第１処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第１処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第１処理液タンクと連結され、第１ヒーター及びバルブが提供される第１上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第１下流配管と、を含み、前記第２液供給配管は、前記第２処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第２処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第２処理液タンクと連結され、第２ヒーター及びバルブが提供される第２上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第２下流配管と、を含み、前記第１下流配管と前記第２下流配管は接するように提供され、前記処理液ノズルが前記第１処理液を前記基板に先に供給した後、前記第２処理液を前記基板に供給するように前記処理液ノズルを制御する制御器を含み、前記基板は窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される。 A substrate processing apparatus according to an embodiment according to another aspect of the present invention includes a support member rotatably provided to support a substrate, and a high-temperature first processing liquid and a high-temperature second processing liquid selectively dispersing the substrate. a first processing liquid tank for storing a mixture of phosphoric acid and silicon as the first processing liquid; a second processing liquid tank for storing pure phosphoric acid as the second processing liquid; a first liquid supply pipe for connecting the first processing liquid tank and the processing liquid nozzle and transmitting the first processing liquid stored in the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle; and the second processing liquid. a second liquid supply pipe that connects the tank and the processing liquid nozzle to transmit the second processing liquid stored in the second processing liquid tank to the processing liquid nozzle, wherein the first liquid supply line is , with respect to the flow of the first processing liquid supplied from the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle, a first heater and a valve are provided upstream and connected to the first processing liquid tank. and a first downstream pipe arranged downstream and connected to the processing liquid nozzle, wherein the second liquid supply pipe supplies the processing liquid nozzle from the second processing liquid tank to the processing liquid nozzle. Based on the flow of the second processing liquid, a second upstream pipe is arranged upstream and connected to the second processing liquid tank and provided with a second heater and a valve, and a second upstream pipe is arranged downstream of the processing liquid. a second downstream pipe connected to a liquid nozzle, wherein the first downstream pipe and the second downstream pipe are provided to be in contact with each other, and the processing liquid nozzle first supplies the first processing liquid to the substrate. After that, a controller is provided for controlling the processing liquid nozzle to supply the second processing liquid to the substrate, and the substrate is provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon.

本発明の様々な実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。 According to various embodiments of the present invention, substrates can be efficiently processed.

本発明の様々な実施形態によれば、選択比高く基板を処理することができる。 According to various embodiments of the present invention, substrates can be processed with high selectivity.

本発明の様々な実施形態によれば、選択比高く基板を処理することができる基板処理装置において、ノズルを最小化してノズル間の干渉を解消することができる。 According to various embodiments of the present invention, nozzles can be minimized to eliminate interference between nozzles in a substrate processing apparatus capable of processing substrates with high selectivity.

本発明の効果は上述した効果に限定されることではなく、本発明の詳細な説明又は特許請求の範囲に記載された発明の構成から推論可能なすべての効果を含むことと理解されなければならない。 It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the effects described above, but include all effects that can be inferred from the detailed description of the present invention or the configuration of the invention described in the claims. .

本発明の一実施形態による基板処理装置を示す平面図である。1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention; FIG. 工程チャンバーの一例を示す図面である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a process chamber; FIG. 一実施形態に係る処理液ノズル、及び処理液ノズルが第１処理液タンク及び第２処理液タンクと連結された連結関係を示す図面である。4A and 4B are diagrams illustrating a treatment liquid nozzle and a connection relationship in which the treatment liquid nozzle is connected to a first treatment liquid tank and a second treatment liquid tank according to an exemplary embodiment; 他の実施形態に係る処理液ノズル、及び処理液ノズルが第１処理液タンク及び第２処理液タンクと連結された連結関係を示す図面である。FIG. 10 is a view showing a treatment liquid nozzle according to another embodiment and a connection relationship in which the treatment liquid nozzle is connected to the first treatment liquid tank and the second treatment liquid tank; FIG. 本発明の一実施形態に係って基板が処理される過程を示す図面である。4A and 4B are diagrams illustrating a process of processing a substrate according to an embodiment of the present invention;

以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. This invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In addition, in describing the preferred embodiments of the present invention in detail, when it is determined that the detailed description of related well-known functions or configurations may unnecessarily obscure the gist of the present invention. , the detailed description is omitted. Also, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and actions.

ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。 To 'include' an element means to include other elements, not to exclude other elements, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "including" or "having" are intended to specify that the features, numbers, steps, acts, components, parts, or combinations thereof described in the specification are present. and does not preclude the possibility of the presence or addition of one or more other features, figures, steps, acts, components, parts, or combinations thereof.

単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。 Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Also, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によっって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第１構成要素は第２構成要素と称されることができ、類似に第２構成要素とも第１構成要素と称されることができる。 Although the terms first, second, etc. may be used to describe various components, the components should not be limited by the terms. The terms may be used to distinguish one component from another. For example, a first component could be termed a second component, and similarly a second component could be termed a first component, without departing from the scope of the present invention.

ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“～間に”と“すぐ～間に”又は“～に隣接する”と“～に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。 When a component is referred to as being “coupled” or “connected” to another component, it is directly coupled or connected to the other component, It should be understood that there may be other components in between. Conversely, when a component is referred to as being "directly coupled" or "directly connected" to another component, it should be understood that there are no other components in between. be. Other expressions describing relationships between components, ie, "between" and "immediately between" or "adjacent to" and "immediately adjacent to", etc., should be similarly analyzed.

異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。 Unless otherwise defined, all terms, including technical or scientific terms, used herein are commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. has the same meaning as Commonly used pre-defined terms that are identical should be interpreted to have a meaning consistent with the meaning they have on the context of the relevant art, unless explicitly defined in this application. , should not be interpreted in an ideal or overly formal sense.

図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.

図１を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール１０と工程処理モジュール２０を有する。インデックスモジュール１０はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２０は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２０が配列された方向を第１の方向１２とし、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面と垂直である方向を第３方向１６とする。 Referring to FIG. 1, substrate processing apparatus 1 includes index module 10 and process processing module 20 . Index module 10 has a load port 120 and a transport frame 140 . The load ports 120, transfer frames 140, and processing modules 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing modules 20 are arranged will be referred to as a first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above will be referred to as a second direction 14. A third direction 16 is a direction perpendicular to a plane containing the first direction 12 and the second direction 14 .

ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が位置される。ロードポート１２０は複数に提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件等に応じて変更されることができる。キャリヤー１３０には基板がＷを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。キャリヤー１３０としては前面開放一体型ポッド（ＦｒｏｎｔＯｐｅｎｉｎｇＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。 A carrier 130 containing substrates W is positioned at the load port 120 . A plurality of load ports 120 are provided and arranged in a row along the second direction 14 . The number of load ports 120 may vary depending on the process efficiency and footprint requirements of the process module 20 . The carrier 130 is formed with a number of slots (not shown) for accommodating the substrate W horizontally to the ground. A front opening unified pod (FOUP) can be used as the carrier 130 .

工程処理モジュール２０はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、そして工程チャンバー２６０を有する。移送チャンバー２４０はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバー２４０の両側には各々工程チャンバー２６０が配置される。移送チャンバー２４０の一側及び他側で工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー２４０の一側には複数の工程チャンバー２６０が提供される。工程チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には工程チャンバー２６０がＡＸＢの配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー２６０が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６０の数は変更されることができる。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。 The process module 20 has a buffer unit 220 , a transfer chamber 240 and a process chamber 260 . The transfer chamber 240 is arranged with its longitudinal direction parallel to the first direction 12 . Process chambers 260 are arranged on both sides of the transfer chamber 240 . Process chambers 260 are provided on one side and the other side of the transfer chamber 240 so as to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240 . A plurality of process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240 . A portion of the process chamber 260 is arranged along the length of the transfer chamber 240 . In addition, some of them are arranged to be stacked on each other in the process chamber 260 . That is, on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an AXB arrangement. Here, A is the number of process chambers 260 arranged in a line along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 arranged in a line along the third direction 16 . When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in a 2X2 or 3X2 arrangement. The number of process chambers 260 can be changed. Unlike the above, the process chamber 260 can be provided only on one side of the transfer chamber 240 . Also, the process chamber 260 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240 .

バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と対向する面及び移送チャンバー２４０と対向する面が開放される。 Buffer unit 220 is disposed between transfer frame 140 and transfer chamber 240 . The buffer unit 220 provides a space between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140 in which the substrate W stays before being transferred. A slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided inside the buffer unit 220 . A plurality of slots (not shown) are provided spaced apart from each other along the third direction 16 . The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 open.

移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２０からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２０に基板Ｗを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。 The transfer frame 140 transfers the substrate W between the carrier 130 seated on the load port 120 and the buffer unit 220 . A transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144 . An index rail 142 is provided with its longitudinal direction aligned with the second direction 14 . The indexing robot 144 is installed on the indexing rail 142 and linearly moved along the indexing rail 142 in the second direction 14 . The indexing robot 144 has a base 144a, a body 144b and an indexing arm 144c. A base 144 a is installed to be movable along the index rail 142 . Body 144b is coupled to base 144a. A body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. An indexing arm 144c is coupled to body 144b and provided for forward and rearward movement relative to body 144b. A plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are arranged to be stacked in a spaced apart manner along the third direction 16 . A part of the index arm 144c is used when transferring the substrate W from the process module 20 to the carrier 130, and another part is used when transferring the substrate W from the carrier 130 to the process module 20. can be done. This can prevent particles generated from the pre-processed substrate W from being attached to the post-processed substrate W while the index robot 144 is loading and unloading the substrate W. FIG.

移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、そして工程チャンバー２６０の間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、本体２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。本体２４４ｂはベース２４４ａに結合される。本体２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは本体２４４ｂに結合され、これは本体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。 The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260 . A guide rail 242 and a main robot 244 are provided in the transfer chamber 240 . The guide rail 242 is arranged so that its length direction is aligned with the first direction 12 . The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242 . The main robot 244 has a base 244a, a body 244b and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rails 242. As shown in FIG. Body 244b is coupled to base 244a. A body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Also, body 244b is provided to be rotatable on base 244a. Main arm 244c is coupled to body 244b and is provided for forward and backward movement relative to body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are arranged to be stacked apart from each other along the third direction 16 .

工程チャンバー２６０は基板Ｗに対して洗浄工程を遂行する。工程チャンバー２６０は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の工程チャンバー２６０は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー２６０は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する工程チャンバー２６０の構造は互いに異なりに提供されることができる。 A cleaning process is performed on the substrate W in the process chamber 260 . The process chamber 260 may have different structures according to the type of cleaning process to be performed. Alternatively, each process chamber 260 may have the same structure. Alternatively, the process chambers 260 may be divided into a plurality of groups, the process chambers 260 belonging to the same group may have the same structure, and the process chambers 260 belonging to different groups may have different structures.

図２は工程チャンバーの一例を示す図面である。 FIG. 2 is a drawing showing an example of a process chamber.

図２を参照すれば、工程チャンバー２６０はカップ３２０、支持部材３４０、昇降ユニット３６０、処理液供給ユニット３８０、純水供給ユニット４００、及び制御器５００を含む。 2, the process chamber 260 includes a cup 320, a support member 340, an elevating unit 360, a processing solution supply unit 380, a pure water supply unit 400, and a controller 500. As shown in FIG.

カップ３２０は内部に基板Ｗが処理される処理空間を提供する。カップ３２０は上部が開放された筒形状を有する。カップ３２０は内部回収筒３２２、中間回収筒３２４、そして外部回収筒３２６を有する。各々の回収筒３２２、３２４、３２６は工程に使用された処理液の中で互いに異なる処理液を回収する。内部回収筒３２２は支持部材３４０を囲む環状のリング形状に提供される。中間回収筒３２４は内部回収筒３２２を囲む環状のリング形状に提供される。外部回収筒３２６は中間回収筒３２４を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒３２２の内側空間３２２ａ、内部回収筒３２２と中間回収筒３２４との間の空間３２４ａ、そして中間回収筒３２４と外部回収筒３２６との間の空間３２６ａは各々内部回収筒３２２、中間回収筒３２４、そして外部回収筒３２６に処理液が流入される流入口として機能する。一例によれば、各々の流入口は互いに異なる高さに位置されることができる。各々の回収筒３２２、３２４、３２６の底面下には回収配管３２２ｂ、３２４ｂ、３２６ｂが連結される。各々の回収筒３２２、３２４、３２６に流入された処理液は回収配管３２２ｂ、３２４ｂ、３２６ｂを通じて外部の処理液再生システム（図示せず）に提供されて再使用されることができる。 The cup 320 provides a processing space in which the substrate W is processed. The cup 320 has a cylindrical shape with an open top. Cup 320 has an inner collection tube 322 , an intermediate collection tube 324 , and an outer collection tube 326 . Each recovery cylinder 322, 324, 326 recovers a different processing liquid among the processing liquids used in the process. The inner collection tube 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support member 340 . The intermediate collection tube 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner collection tube 322 . The outer collection tube 326 is provided in an annular ring shape surrounding the intermediate collection tube 324 . The inner space 322a of the inner recovery tube 322, the space 324a between the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 324, and the space 326a between the intermediate recovery tube 324 and the outer recovery tube 326 are the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 326, respectively. It functions as an inlet through which the treatment liquid flows into the tube 324 and the external collection tube 326 . According to one example, each inlet can be positioned at a different height. Recovery pipes 322b, 324b, and 326b are connected under the bottom surfaces of the recovery cylinders 322, 324, and 326, respectively. The treated liquid flowing into each of the recovery cylinders 322, 324 and 326 can be supplied to an external treated liquid regeneration system (not shown) through recovery pipes 322b, 324b and 326b for reuse.

支持部材３４０は工程進行の中で基板Ｗを支持し、基板Ｗを回転させる。支持部材３４０はスピンチャック３４２、支持ピン３４４、チョクピン３４６、そして支持軸３４８を有する。スピンチャック３４２は上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。スピンチャック３４２の外側面は段差付けるように提供される。スピンチャック３４２はその底面が上部面に比べて小さい直径を有するように提供される。スピンチャック３４２の外側面は第１傾斜面３４１、水平面３４３、そして第２傾斜面３４５を有する。第１傾斜面３４１はスピンチャック３４２の上部面から下に延長される。水平面３４３は第１傾斜面３４１の下端から内側方向に延長される。第２傾斜面３４５は水平面３４３の内側端から下に延長される。第１傾斜面３４１及び第２傾斜面３４５の各々は本体の中心軸と近くなるほど、下方傾いた方向に向かうように提供される。 The support member 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The support member 340 has a spin chuck 342 , support pins 344 , choke pins 346 and a support shaft 348 . The spin chuck 342 has a generally circular upper surface when viewed from above. The outer surface of spin chuck 342 is provided to be stepped. The spin chuck 342 is provided such that its bottom surface has a smaller diameter than its top surface. The outer surface of the spin chuck 342 has a first inclined surface 341 , a horizontal surface 343 and a second inclined surface 345 . The first inclined surface 341 extends downward from the upper surface of the spin chuck 342 . The horizontal surface 343 extends inward from the lower end of the first inclined surface 341 . The second inclined surface 345 extends downward from the inner edge of the horizontal surface 343 . Each of the first slanted surface 341 and the second slanted surface 345 is inclined downward as it is closer to the central axis of the body.

支持ピン３４４は複数が提供される。支持ピン３４４はスピンチャック３４２の上部面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し、スピンチャック３４２から上部に突出される。支持ピン３４４は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン３４４はスピンチャック３４２の上部面から基板Ｗが一定距離離隔されるように基板Ｗの背面縁を支持する。 A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are arranged at the edge of the upper surface of the spin chuck 342 at a predetermined interval, and protrude upward from the spin chuck 342 . The support pins 344 are arranged to have a generally annular ring shape by interlocking with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W so that the substrate W is separated from the upper surface of the spin chuck 342 by a predetermined distance.

チャックピン３４６は複数が提供される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の中心軸で支持ピン３４４より遠く離れるように配置される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２から上部に突出されるように提供される。チャックピン３４６は支持部材３４０が回転される時、基板Ｗが正位置から側方向に離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の半径方向に沿って待機位置と支持位置との間に直線移動可能するように提供される。待機位置は支持位置に比べてスピンチャック３４２の中心から遠く離れた場所である。基板Ｗが支持部材３４０にローディング又はアンローディングされる時、チャックピン３４６は待機位置に位置され、基板Ｗに対して工程を遂行する時、チャックピン３４６は支持位置に位置される。支持位置でチャックピン３４６は基板Ｗの側部と接触される。 A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is arranged far away from the support pin 344 on the central axis of the spin chuck 342 . A chuck pin 346 is provided to protrude upward from the spin chuck 342 . The chuck pins 346 support the sides of the substrate W so that the substrate W is not laterally removed from the normal position when the support member 340 is rotated. A chuck pin 346 is provided to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the spin chuck 342 . The standby position is farther from the center of the spin chuck 342 than the support position. When the substrate W is loaded or unloaded on the support member 340, the chuck pins 346 are positioned at the waiting position, and when the substrate W is processed, the chuck pins 346 are positioned at the supporting position. The chuck pins 346 are in contact with the sides of the substrate W at the supporting position.

支持軸３４８はスピンチャック３４２を回転可能に支持する。支持軸３４８はスピンチャック３４２の下に位置される。支持軸３４８は回転軸３４７及び固定軸３４９を含む。回転軸３４７は内軸として提供され、固定軸３４９は外軸として提供される。回転軸３４７はその長さ方向が第３方向に向かうように提供される。回転軸３４７はスピンチャック３４２の底面に固定結合される。回転軸３４７は駆動部材３５０によって回転できるように提供される。スピンチャック３４２は回転軸３４７と共に回転されるように提供される。固定軸３４９は回転軸３４７を囲む中空の円筒形状を有する。固定軸３４９は回転軸３４７に比べて大きい直径を有するように提供される。固定軸３４９の内側面は回転軸３４７と離隔されるように位置される。固定軸３４９は回転軸が回転される際に固定された状態を維持する。 A support shaft 348 rotatably supports the spin chuck 342 . A support shaft 348 is positioned below the spin chuck 342 . Support shaft 348 includes rotating shaft 347 and fixed shaft 349 . Rotating shaft 347 is provided as an inner shaft and fixed shaft 349 is provided as an outer shaft. The rotating shaft 347 is provided with its longitudinal direction facing the third direction. The rotating shaft 347 is fixedly coupled to the bottom surface of the spin chuck 342 . Rotating shaft 347 is provided to be rotatable by driving member 350 . A spin chuck 342 is provided to rotate with a rotating shaft 347 . The fixed shaft 349 has a hollow cylindrical shape surrounding the rotating shaft 347 . The fixed shaft 349 is provided to have a diameter larger than that of the rotating shaft 347 . An inner surface of the fixed shaft 349 is positioned apart from the rotating shaft 347 . The fixed shaft 349 remains fixed as the rotary shaft is rotated.

昇降ユニット３６０はカップ３２０を上下方向に移動させる。カップ３２０が上下に移動されることによって支持部材３４０に対するカップ３２０の相対高さが変更される。昇降ユニット３６０はブラケット３６２、移動軸３６４、そして駆動器３６６を有する。ブラケット３６２はカップ３２０の外壁に設置され、ブラケット３６２には駆動器３６６によって上下方向に移動される移動軸３６４が結合される。基板Ｗが支持部材３４０に置かれるか、或いは支持部材３４０から持ち上げられる時、支持部材３４０がカップ３２０の上部に突出されるようにカップ３２０は下降される。また、工程が進行される時には基板Ｗに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒３２２、３２４、３２６に流入されるようにカップ３２０の高さが調節する。選択的に、昇降ユニット３６０は支持部材３４０を上下方向に移動させることができる。 The lifting unit 360 moves the cup 320 vertically. The relative height of the cup 320 with respect to the support member 340 is changed by moving the cup 320 up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362 , a moving shaft 364 and a driver 366 . A bracket 362 is installed on the outer wall of the cup 320 , and a moving shaft 364 vertically moved by a driver 366 is coupled to the bracket 362 . When the substrate W is placed on or lifted from the support member 340 , the cup 320 is lowered such that the support member 340 protrudes above the cup 320 . In addition, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing liquid flows into preset collection cylinders 322, 324, and 326 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W during the process. Optionally, the lifting unit 360 can move the support member 340 up and down.

処理液供給ユニット３８０は基板Ｗ上に処理液を供給する。処理液供給ユニット３８０は基板Ｗの処理効率を増加させるために設定温度に加熱された処理液を基板Ｗに供給することができる。 The processing liquid supply unit 380 supplies the processing liquid onto the substrate W. FIG. The processing liquid supply unit 380 can supply the processing liquid heated to a set temperature to the substrate W in order to increase the processing efficiency of the substrate W. FIG.

処理液供給ユニット３８０は支持軸３８６、アーム３８２、そして処理液ノズル３８１を含む。支持軸３８６はカップ３２０の一側に配置される。支持軸３８６はその長さ方向が上下方向に提供されるロード形状を有する。支持軸３８６は駆動部材３９４によって回転及び昇降運動が可能である。これと異なりに、支持軸３８６は駆動部材３９４によって水平方向に直線移動及び昇降運動することができる。アーム３８２は処理液ノズル３８１を支持する。アーム３８２は支持軸３８６に結合され、終端底面には処理液ノズル３８１が固定結合される。処理液ノズル３８１は支持軸３８６の回転によってスイング移動されることができる。処理液ノズル３８１第３支持軸３８６の回転によって工程位置と待機位置に移動可能である。ここで、工程位置は処理液ノズル３８１が支持部材３４０と対向される位置であり、待機位置は処理液ノズル３８１が工程位置をから逸脱された場所である。処理液ノズル３８１は基板Ｗ上に第１処理液及び第２処理液を選択的に供給する。一実施形態によれば、第１処理液はリン酸（Ｈ３ＰＯ４）とシリコン（Ｓｉ）の混合液である。一実施形態によれば、第２処理液は純リン酸である。本明細書で定義する純リン酸とは何も添加されないリン酸水溶液を意味する。一実施形態によれば、純リン酸はリン酸が９０％含有されたリン酸水溶液であり得る。 The processing liquid supply unit 380 includes a support shaft 386 , an arm 382 and a processing liquid nozzle 381 . The support shaft 386 is arranged on one side of the cup 320 . The support shaft 386 has a load shape with its length extending vertically. The support shaft 386 can be rotated and moved up and down by a driving member 394 . Alternatively, the support shaft 386 can be horizontally linearly moved and vertically moved by the drive member 394 . Arm 382 supports treatment liquid nozzle 381 . The arm 382 is coupled to a support shaft 386, and a treatment liquid nozzle 381 is fixedly coupled to the terminal bottom surface. The processing liquid nozzle 381 can be swung by the rotation of the support shaft 386 . The treatment liquid nozzle 381 can be moved between the process position and the standby position by rotating the third support shaft 386 . Here, the process position is the position where the processing liquid nozzle 381 faces the support member 340, and the standby position is the position where the processing liquid nozzle 381 deviates from the process position. The processing liquid nozzle 381 selectively supplies the first processing liquid and the second processing liquid onto the substrate W. FIG. According to one embodiment, the first processing liquid is a mixture of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and silicon (Si). According to one embodiment, the second treatment liquid is pure phosphoric acid. Pure phosphoric acid as defined herein means an aqueous solution of phosphoric acid to which nothing has been added. According to one embodiment, the pure phosphoric acid may be a phosphoric acid aqueous solution containing 90% phosphoric acid.

純水供給ユニット４００は支持部材３４０に位置された基板Ｗに純水（ＤＩＷ）を供給する。一例として、純水供給ユニット４００は処理液供給ユニット３８０と同一又は類似な構造によって工程位置と待機位置との間を移動可能に提供されることができる。純水供給ユニット４００に提供されるノズルはカップ３２０の上部に配置されて、基板に純水を供給可能に提供されることができる。 The pure water supply unit 400 supplies pure water (DIW) to the substrate W positioned on the support member 340 . For example, the pure water supply unit 400 may be movable between the process position and the standby position with the same or similar structure as the treatment liquid supply unit 380 . A nozzle provided in the pure water supply unit 400 may be disposed above the cup 320 to supply pure water to the substrate.

図３は一実施形態に係る処理液ノズル、及び処理液ノズルが第１処理液タンク及び第２処理液タンクと連結された連結関係を示す図面である。 FIG. 3 is a diagram illustrating a treatment liquid nozzle and a connection relationship in which the treatment liquid nozzle is connected to a first treatment liquid tank and a second treatment liquid tank according to an embodiment.

図３を参照すれば、処理液ノズル３８１は第１ノズル部３８１ａと第２ノズル部３８１ｂを含む。第１ノズル部３８１ａと第２ノズル部３８１ｂは１つの本体に連結されて処理液ノズル３８１をなす。第１ノズル部３８１ａは基板Ｗに第１処理液を供給し、第２ノズル部３８１ｂは基板Ｗに第２処理液を供給する。一実施形態によれば、第１処理液はリン酸（Ｈ３ＰＯ４）とシリコン（Ｓｉ）の混合液である。一実施形態によれば、第２処理液は純リン酸である。本明細書で定義する純リン酸とは何も添加されないリン酸水溶液を意味する。一実施形態によれば、純リン酸はリン酸が９０％含有されたリン酸水溶液であり得る。 Referring to FIG. 3, the treatment liquid nozzle 381 includes a first nozzle portion 381a and a second nozzle portion 381b. The first nozzle part 381 a and the second nozzle part 381 b are connected to one main body to form the processing liquid nozzle 381 . The first nozzle portion 381a supplies the substrate W with the first processing liquid, and the second nozzle portion 381b supplies the substrate W with the second processing liquid. According to one embodiment, the first processing liquid is a mixture of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and silicon (Si). According to one embodiment, the second treatment liquid is pure phosphoric acid. Pure phosphoric acid as defined herein means an aqueous solution of phosphoric acid to which nothing has been added. According to one embodiment, the pure phosphoric acid may be a phosphoric acid aqueous solution containing 90% phosphoric acid.

処理液ノズル３８１は第１処理液タンク６１０及び第２処理液タンク６２０に連結される。第１処理液タンク６１０は設定濃度の第１処理液を貯蔵するように提供される。第２処理液タンク６２０は設定濃度の第２処理液を貯蔵するように提供される。 The processing liquid nozzle 381 is connected to the first processing liquid tank 610 and the second processing liquid tank 620 . A first processing liquid tank 610 is provided to store a first processing liquid of a set concentration. A second processing liquid tank 620 is provided to store a second processing liquid of a set concentration.

第１処理液タンク６１０は第１液供給配管６１１によって第１ノズル部３８１ａと連結される。第１液供給配管６１１は第１上流配管６１１ｂと第１下流配管６１１ａを含む。第１処理液タンク６１０で第１ノズル部３８１ａに供給される第１処理液の流れに応じて、第１液供給配管６１１上で第１上流配管６１１ｂは上流に配置し、第１下流配管６１１ａは下流に配置される。第１上流配管６１１ｂの一端は第１処理液タンク６１０と連結され、他端は第１下流配管６１１ａと連結される。第１下流配管６１１ａの一端は第１上流配管６１１ｂと連結され、他端は第１ノズル部３８１ａと連結される。実施形態によれば、第１上流配管６１１ｂには第１ヒーター６１２及び第１バルブ６１５が設置される。第１ヒーター６１２は第１処理液を設定温度に加熱する。設定温度は１６０℃以上であり得る。第１バルブ６１５は流路の開閉が可能な開閉バルブで提供されることができる。また、第１バルブ６１５は流路の開放程度を調節して流量を調節する流量制御バルブであり得る。第１下流配管６１１ａは後述する第２下流配管６２１ａと接触する。第１下流配管６１１ａと第２下流配管６２１ａは処理液ノズル３８１まで続く経路まで接触する。第１下流配管６１１ａと第２下流配管６２１ａが互いに接触した状態に処理液ノズル３８１まで続くことによって、各々を通じて伝送される処理液の温度を相互補完することができる。 The first processing liquid tank 610 is connected to the first nozzle portion 381 a by a first liquid supply pipe 611 . The first liquid supply pipe 611 includes a first upstream pipe 611b and a first downstream pipe 611a. According to the flow of the first processing liquid supplied to the first nozzle portion 381a from the first processing liquid tank 610, the first upstream pipe 611b is arranged upstream on the first liquid supply pipe 611, and the first downstream pipe 611a is arranged upstream. are placed downstream. One end of the first upstream pipe 611b is connected to the first processing liquid tank 610, and the other end is connected to the first downstream pipe 611a. One end of the first downstream pipe 611a is connected to the first upstream pipe 611b, and the other end is connected to the first nozzle portion 381a. According to an embodiment, a first heater 612 and a first valve 615 are installed in the first upstream pipe 611b. The first heater 612 heats the first processing liquid to a set temperature. The set temperature can be 160° C. or higher. The first valve 615 may be provided as an open/close valve capable of opening and closing the flow path. Also, the first valve 615 may be a flow control valve that controls the flow rate by controlling the opening degree of the flow path. The first downstream pipe 611a contacts a second downstream pipe 621a, which will be described later. The first downstream pipe 611 a and the second downstream pipe 621 a are in contact with each other up to the route leading to the processing liquid nozzle 381 . Since the first downstream pipe 611a and the second downstream pipe 621a are in contact with each other and continue to the processing liquid nozzle 381, the temperatures of the processing liquids transmitted through each can complement each other.

第２処理液タンク６２０は第２液供給配管６２１によって第２ノズル部３８１ｂと連結される。第２液供給配管６２１は第２上流配管６２１ｂと第２下流配管６２１ａを含む。第２処理液タンク６２０から第２ノズル部３８１ｂに供給される第２処理液の流れに応じて、第２液供給配管６２１上で第２上流配管６２１ｂは上流に配置し、第２下流配管６２１ａは下流に配置される。第２上流配管６２１ｂの一端は第１処理液タンク６１０と連結され、他端は第２下流配管６２１ａと連結される。第２下流配管６２１ａの一端は第２上流配管６２１ｂと連結され、他端は第２ノズル部３８１ｂと連結される。実施形態によれば、第２上流配管６２１ｂには第２ヒーター６２２及び第２バルブ６２５が設置される。第２ヒーター６２２は第２処理液を設定温度に加熱する。設定温度は１６０℃以上であり得る。第２バルブ６２５は流路の開閉が可能な開閉バルブで提供されることができる。また、第２バルブ６２５は流路の開放程度を調節して流量を調節する流量制御バルブであり得る。第２下流配管６２１ａは第１下流配管６１１ａと接触する。第２下流配管６２１ａと第１下流配管６１１ａは処理液ノズル３８１まで続く経路まで接触する。第１下流配管６１１ａと第２下流配管６２１ａが互いに接触した状態に処理液ノズル３８１まで続くことによって、各々を通じて伝送される処理液の温度を相互補完することができる。 The second processing liquid tank 620 is connected to the second nozzle portion 381b by a second liquid supply pipe 621 . The second liquid supply pipe 621 includes a second upstream pipe 621b and a second downstream pipe 621a. According to the flow of the second processing liquid supplied from the second processing liquid tank 620 to the second nozzle portion 381b, the second upstream piping 621b is arranged upstream on the second liquid supply piping 621, and the second downstream piping 621a is arranged upstream. are placed downstream. One end of the second upstream pipe 621b is connected to the first processing liquid tank 610, and the other end is connected to the second downstream pipe 621a. One end of the second downstream pipe 621a is connected to the second upstream pipe 621b, and the other end is connected to the second nozzle portion 381b. According to an embodiment, a second heater 622 and a second valve 625 are installed in the second upstream pipe 621b. A second heater 622 heats the second treatment liquid to a set temperature. The set temperature can be 160° C. or higher. The second valve 625 may be provided as an open/close valve capable of opening and closing the flow path. Also, the second valve 625 may be a flow control valve that controls the flow rate by controlling the opening degree of the flow path. The second downstream pipe 621a contacts the first downstream pipe 611a. The second downstream pipe 621 a and the first downstream pipe 611 a are in contact with each other up to the route leading to the processing liquid nozzle 381 . Since the first downstream pipe 611a and the second downstream pipe 621a are in contact with each other and continue to the processing liquid nozzle 381, the temperatures of the processing liquids transmitted through each can complement each other.

図４は他の実施形態に係る処理液ノズル、及び処理液ノズルが第１処理液タンク及び第２処理液タンクと連結された連結関係を示す図面である。 FIG. 4 is a diagram illustrating a processing liquid nozzle and a connection relationship in which the processing liquid nozzle is connected to the first processing liquid tank and the second processing liquid tank according to another embodiment.

図４を参照すれば、処理液ノズル１３８１は第１処理液タンク１６１０及び第２処理液タンク１６２０に連結される。第１処理液タンク１６１０は設定濃度の第１処理液を貯蔵するように提供される。第２処理液タンク１６２０は設定濃度の第２処理液を貯蔵するように提供される。 Referring to FIG. 4, the processing liquid nozzle 1381 is connected to the first processing liquid tank 1610 and the second processing liquid tank 1620 . A first processing liquid tank 1610 is provided to store a first processing liquid of a set concentration. A second processing liquid tank 1620 is provided to store a second processing liquid of a set concentration.

第１処理液タンク１６１０は第１液供給配管１６１１によって処理液ノズル１３８１と連結される。第１液供給配管１６１１は第１上流配管１６１１ｂと第１下流配管１６１１ａを含む。第１処理液タンク１６１０から処理液ノズル１３８１に供給される第１処理液の流れに応じて、第１液供給配管１６１１上で第１上流配管１６１１ｂは上流に配置し、第１下流配管１６１１ａは下流に配置される。第１上流配管１６１１ｂの一端は第１処理液タンク１６１０と連結され、他端は第１下流配管１６１１ａと連結される。第１下流配管１６１１ａの一端は第１上流配管１６１１ｂと連結され、他端は処理液ノズル１３８１と連結される。実施形態によれば、第１上流配管１６１１ｂには第１ヒーター１６１２及び第１バルブ１６１５が設置される。第１ヒーター１６１２は第１処理液を設定温度に加熱する。設定温度は１６０℃以上であり得る。また、設定温度は第１処理液の沸点以下であり得る。第１バルブ１６１５は流路の開閉が可能な開閉バルブで提供されることができる。また、第１バルブ１６１５は流路の開放程度を調節して流量を調節する流量制御バルブであり得る。第１下流配管１６１１ａは後述する第２下流配管１６２１ａと接触する。第１下流配管１６１１ａと第２下流配管１６２１ａは処理液ノズル１３８１まで続く経路まで接触する。第１下流配管１６１１ａと第２下流配管１６２１ａが互いに接触した状態に処理液ノズル１３８１まで続くことによって、各々を通じて伝送される処理液の温度を相互補完することができる。 The first processing liquid tank 1610 is connected to the processing liquid nozzle 1381 by a first liquid supply pipe 1611 . The first liquid supply pipe 1611 includes a first upstream pipe 1611b and a first downstream pipe 1611a. According to the flow of the first processing liquid supplied from the first processing liquid tank 1610 to the processing liquid nozzle 1381, the first upstream piping 1611b is arranged upstream on the first liquid supply piping 1611, and the first downstream piping 1611a is arranged upstream. placed downstream. One end of the first upstream pipe 1611b is connected to the first processing liquid tank 1610, and the other end is connected to the first downstream pipe 1611a. One end of the first downstream pipe 1611 a is connected to the first upstream pipe 1611 b and the other end is connected to the processing liquid nozzle 1381 . According to embodiments, a first heater 1612 and a first valve 1615 are installed in the first upstream pipe 1611b. A first heater 1612 heats the first processing liquid to a set temperature. The set temperature can be 160° C. or higher. Also, the set temperature may be equal to or lower than the boiling point of the first treatment liquid. The first valve 1615 may be provided as an open/close valve capable of opening and closing the flow path. Also, the first valve 1615 may be a flow control valve that controls the flow rate by controlling the opening degree of the flow path. The first downstream pipe 1611a contacts a second downstream pipe 1621a, which will be described later. The first downstream pipe 1611 a and the second downstream pipe 1621 a are in contact with each other up to a route leading to the processing liquid nozzle 1381 . Since the first downstream pipe 1611a and the second downstream pipe 1621a are in contact with each other and continue to the processing liquid nozzle 1381, the temperatures of the processing liquid transmitted through each can complement each other.

第２処理液タンク１６２０は第２液供給配管１６２１によって処理液ノズル１３８１と連結される。第２液供給配管１６２１は第２上流配管１６２１ｂと第２下流配管１６２１ａを含む。第２処理液タンク１６２０から処理液ノズル１３８１に供給される第２処理液の流れに応じて、第２液供給配管１６２１上で第２上流配管１６２１ｂは上流に配置し、第２下流配管１６２１ａは下流に配置される。第２上流配管１６２１ｂの一端は第１処理液タンク１６１０と連結され、他端は第２下流配管１６２１ａと連結される。第２下流配管１６２１ａの一端は第２上流配管１６２１ｂと連結され、他端は処理液ノズル１３８１と連結される。実施形態によれば、第２上流配管１６２１ｂには第２ヒーター１６２２及び第２バルブ６２５が設置される。第２ヒーター１６２２は第２処理液を設定温度に加熱する。設定温度は１６０℃以上であり得る。また、設定温度は第１処理液の沸点以下であり得る。第２バルブ６２５は流路の開閉が可能な開閉バルブで提供されることができる。また、第２バルブ６２５は流路の開放程度を調節して流量を調節する流量制御バルブであり得る。第２下流配管１６２１ａは第１下流配管１６１１ａと接触する。第２下流配管１６２１ａと第１下流配管１６１１ａは処理液ノズル１３８１まで続く経路まで接触する。第１下流配管１６１１ａと第２下流配管１６２１ａが互いに接触した状態に処理液ノズル１３８１まで続くことによって、各々を通じて伝送される処理液の温度を相互補完することができる。 The second processing liquid tank 1620 is connected to the processing liquid nozzle 1381 by a second liquid supply pipe 1621 . The second liquid supply pipe 1621 includes a second upstream pipe 1621b and a second downstream pipe 1621a. According to the flow of the second processing liquid supplied from the second processing liquid tank 1620 to the processing liquid nozzle 1381, the second upstream piping 1621b is arranged upstream on the second liquid supply piping 1621, and the second downstream piping 1621a is arranged upstream. placed downstream. One end of the second upstream pipe 1621b is connected to the first processing liquid tank 1610, and the other end is connected to the second downstream pipe 1621a. One end of the second downstream pipe 1621 a is connected to the second upstream pipe 1621 b and the other end is connected to the processing liquid nozzle 1381 . According to an embodiment, a second heater 1622 and a second valve 625 are installed in the second upstream pipe 1621b. A second heater 1622 heats the second processing liquid to a set temperature. The set temperature can be 160° C. or higher. Also, the set temperature may be equal to or lower than the boiling point of the first treatment liquid. The second valve 625 may be provided as an open/close valve capable of opening and closing the flow path. Also, the second valve 625 may be a flow control valve that controls the flow rate by controlling the opening degree of the flow path. The second downstream pipe 1621a contacts the first downstream pipe 1611a. The second downstream pipe 1621a and the first downstream pipe 1611a are in contact with each other up to the route leading to the processing liquid nozzle 1381. FIG. Since the first downstream pipe 1611a and the second downstream pipe 1621a are in contact with each other and continue to the processing liquid nozzle 1381, the temperatures of the processing liquid transmitted through each can complement each other.

図３及び図４で図示し、説明した実施形態によれば、第１処理液供給タンク及び第２処理液供給タンクで各々供給された１つの処理液ノズルで吐出可能になることによって、複数のノズルが提供されることにしたがうノズル間の干渉を解消することができ、さらに第１処理液供給配管と第２処理液供給配管を密着させることによって、相互間の温度を補完することができる。 According to the embodiments illustrated and described with reference to FIGS. 3 and 4, a plurality of processing liquid nozzles, each supplied from a first processing liquid supply tank and a second processing liquid supply tank, can discharge a plurality of liquids. Interference between the nozzles can be eliminated according to the provision of the nozzles, and the temperatures between the first processing liquid supply pipe and the second processing liquid supply pipe can be complemented by closely contacting each other.

図５は本発明の一実施形態に係って基板が処理される過程を示す図面である。図５を参照して本発明の一実施形態に係る基板処理方法を説明する。 FIG. 5 illustrates a process of processing a substrate according to an embodiment of the present invention. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

基板に対する蝕刻工程の前に、プリウェット工程を遂行することができる（Ｓ１００）。プリウェット工程は純水供給ユニット４００が基板に純水（ＤＩＷ）を供給して遂行されることができる。純水（ＤＩＷ）が供給される時、制御器５００は基板が設定速力に回転されるように支持部材３４０を制御することができる。 A pre-wet process may be performed before etching the substrate (S100). The pre-wetting process can be performed by supplying DIW to the substrate from the DIW supply unit 400 . When DIW is supplied, the controller 500 can control the support member 340 so that the substrate is rotated at a set speed.

蝕刻工程は第１処理液による処理工程（Ｓ２００）と、第２処理液による処理工程（Ｓ３００）に進行される。基板Ｗは窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される。例えば、基板はＶ－ｎａｎｄメモリを製造する過程に提供されて、窒化シリコン層及び酸化シリコン層が交互に積層された状態に提供されることができる。蝕刻工程によって窒化シリコン層が選択的に蝕刻される。 The etching process proceeds to a treatment process using a first treatment liquid (S200) and a treatment process using a second treatment liquid (S300). A substrate W is provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon. For example, the substrate may be provided in the process of manufacturing the V-nand memory, and may be provided in a state in which silicon nitride layers and silicon oxide layers are alternately stacked. The etching process selectively etches the silicon nitride layer.

第１処理液による処理工程（Ｓ２００）では基板Ｗを支持する支持部材３４０が回転される状態で基板Ｗ上に第１処理液を供給する。第１処理液は高温（例えば、１６０℃以上）に供給される。処理液ノズル３８１は固定又はスキャン方式に第１処理液を基板Ｗに供給する。第１処理液はリン酸（Ｈ３ＰＯ４）とシリコン（Ｓｉ）の混合液である。 In the treatment step (S200) using the first treatment liquid, the first treatment liquid is supplied onto the substrate W while the support member 340 supporting the substrate W is being rotated. The first treatment liquid is supplied at a high temperature (for example, 160° C. or higher). The processing liquid nozzle 381 supplies the first processing liquid to the substrate W in a fixed or scanning manner. The first treatment liquid is a mixture of phosphoric acid (H3PO4) and silicon (Si).

第２処理液による基板処理工程（Ｓ３００）で第２処理液は高温（例えば、１６０℃以上）に供給され、処理液ノズル３８１は固定又はスキャン方式に第２処理液を基板Ｗに供給する。第２処理液は純リン酸である。この時、第２処理液の供給流量は１００乃至１５００ｃｃ／ｍｉｎであり、支持部材３４０は１０乃至１５００ｒｐｍに回転される。 In the substrate processing step S300 using the second processing liquid, the second processing liquid is supplied at a high temperature (eg, 160° C. or higher), and the processing liquid nozzle 381 supplies the second processing liquid to the substrate W in a fixed or scanning manner. The second treatment liquid is pure phosphoric acid. At this time, the supply flow rate of the second processing liquid is 100 to 1500 cc/min, and the support member 340 is rotated at 10 to 1500 rpm.

本発明の実施形態によれば、第１処理液を供給するノズルと第２処理液を供給するノズルが処理液ノズル３８１に提供されることによって、Ｓ３００工程で直ちにＳ４００工程を進行することができる。また、本発明の実施形態によれば、基板Ｗをリン酸とシリコン（Ｓｉ）の混合液で提供される第１処理液で処理した後、純水（ＤＩＷ）ではない純リン酸で提供される第２処理液でリンスされることができる。第２処理液で提供される純リン酸は基板Ｗの酸素（Ｏ）とリン酸とシリコン（Ｓｉ）の混合液で提供される第１処理液の中で、シリコン（Ｓｉ）の反応で形成された副産物の結合を切り、パーティクルを除去することができる。したがって、本発明の実施形態によれば、ＳＣ－１薬液の使用は必要としない。即ち、追加的な洗浄工程は必要としない。 According to an embodiment of the present invention, a nozzle for supplying the first treatment liquid and a nozzle for supplying the second treatment liquid are provided to the treatment liquid nozzle 381, so that the process of S400 can be performed immediately after the process of S300. . In addition, according to an embodiment of the present invention, the substrate W is treated with the first treatment liquid provided as a mixed solution of phosphoric acid and silicon (Si), and then provided with pure phosphoric acid instead of pure water (DIW). can be rinsed with a second processing liquid. The pure phosphoric acid provided by the second treatment liquid is formed by the reaction of silicon (Si) in the first treatment liquid provided by a mixture of oxygen (O), phosphoric acid, and silicon (Si) on the substrate W. You can cut the bonds of the generated by-products and remove the particles. Therefore, according to embodiments of the present invention, the use of SC-1 chemistry is not required. Thus, no additional washing steps are required.

基板に対する蝕刻工程が完了されれば、リンス工程が遂行されることができる（Ｓ４００）。リンス工程は純水ノズル４００が基板に純水を供給して遂行されることができる。純水が供給される時、制御器５００は基板が設定速力に回転されるように支持部材３４０を制御することができる。その後、基板Ｗには乾燥工程（Ｓ５００）が遂行されることができる。乾燥工程はスピンドライ又は、超臨界乾燥等が適用されることができる。 After the etching process for the substrate is completed, a rinsing process may be performed (S400). The rinsing process can be performed by supplying pure water to the substrate from the pure water nozzle 400 . When pure water is supplied, the controller 500 can control the support member 340 so that the substrate is rotated at a set speed. Thereafter, the substrate W may be subjected to a drying process (S500). Spin drying, supercritical drying, or the like can be applied to the drying process.

制御器５００は基板処理装置を制御することができる。制御器５００は上述したように基板を設定工程に応じて処理されるように工程チャンバー２６０の構成要素を制御することができる。また、制御器５００は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピュータ）で成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等に成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは記憶部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。 Controller 500 may control the substrate processing apparatus. The controller 500 can control the components of the process chamber 260 to process the substrate according to the set process as described above. The controller 500 includes a process controller composed of a microprocessor (computer) for executing control of the substrate processing apparatus, a keyboard for the operator to input commands for managing the substrate processing apparatus, and a keyboard for operating the substrate processing apparatus. A user interface that visualizes and displays the operating status, a control program for executing the processing executed by the substrate processing apparatus under the control of the process controller, and various configurations according to various data and processing conditions. A storage unit can be provided in which a program for causing the unit to execute a process, that is, a processing recipe is stored. Also, the user interface and storage can be connected to the process controller. The processing recipe can be stored in a storage medium in the storage unit, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or a DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory. may

本発明の実施形態として、枚葉式装置を説明したが、バッチ式装置でも本発明の実施形態に係る基板処理方法を適用することができる。例えば、処理液が収容される水槽に複数の基板を浸漬して処理することができる。一実施形態において、基板処理方法は、基板を純水（ＤＩＷ）が入った水槽に浸漬してプリウェットする段階と、第１処理液が入った水槽に浸漬して蝕刻する段階と、第２処理液が入った水槽に浸漬してリンスする段階と、純水（ＤＩＷ）が入った水槽に浸漬してリンスする段階と、を順番に進行する。第１処理液は高温（例えば、１６０℃以上）に加熱されたリン酸とシリコンの混合液である。第１処理液は高温（例えば、１６０℃以上）に加熱された純リン酸である。その後、純水によってリンスされた基板には乾燥工程が行われる。乾燥工程はスピンドライ又は超臨界乾燥が適用されることができる。以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。 Although the single-wafer type apparatus has been described as an embodiment of the present invention, the substrate processing method according to the embodiment of the present invention can also be applied to a batch type apparatus. For example, a plurality of substrates can be immersed in a water bath containing a processing liquid for processing. In one embodiment, the substrate processing method includes pre-wetting the substrate by immersing it in a water tank containing DIW, etching the substrate by immersing it in a water tank containing a first processing solution, and performing a second process. A step of immersing in a water tank containing a treatment liquid for rinsing and a step of immersing in a water tank containing pure water (DIW) for rinsing are sequentially performed. The first treatment liquid is a mixed liquid of phosphoric acid and silicon heated to a high temperature (for example, 160° C. or higher). The first treatment liquid is pure phosphoric acid heated to a high temperature (for example, 160° C. or higher). After that, the substrate rinsed with pure water is subjected to a drying process. Spin drying or supercritical drying can be applied to the drying process. The foregoing detailed description illustrates the invention. In addition, the foregoing is a description of preferred embodiments of the invention as examples, and the invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the inventive concept disclosed herein, the scope of equivalents of the above disclosure, and/or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments describe the best state for embodying the technical idea of the present invention, and various modifications required for specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed implementations. The appended claims should be interpreted to include other implementations as well.

３２０ カップ
３４０ 支持部材
３６０ 昇降ユニット
３８０ 処理液供給ユニット
３８１ 処理液ノズル
４００ 純水供給ユニット
５００ 制御器
６１０、６２０ 処理液タンク
６１２、６２２ ヒーター
６１５、６２５ バルブ 320 cup 340 support member 360 lifting unit 380 treatment liquid supply unit 381 treatment liquid nozzle 400 pure water supply unit 500 controller 610, 620 treatment liquid tank 612, 622 heater 615, 625 valve

Claims (17)

基板を支持し、回転可能に提供される支持部材と、
加熱された第１処理液及び加熱された第２処理液を選択的に前記基板に供給する処理液ノズルと、
前記処理液ノズルが前記第１処理液を前記基板に先に供給した後、前記第２処理液を前記基板に供給するように前記処理液ノズルを制御する制御器と、を含み、
前記第１処理液は、リン酸とシリコンの混合液で提供され、
前記第２処理液は、純リン酸で提供される、基板処理装置。 a support member that supports the substrate and is rotatably provided;
a processing liquid nozzle for selectively supplying a heated first processing liquid and a heated second processing liquid to the substrate;
a controller for controlling the processing liquid nozzle to supply the second processing liquid to the substrate after the processing liquid nozzle first supplies the first processing liquid to the substrate ;
The first treatment liquid is provided as a mixture of phosphoric acid and silicon,
The substrate processing apparatus , wherein the second processing liquid is pure phosphoric acid . 前記基板は、窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される請求項１に記載の基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the substrate is provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon. 前記第１処理液を貯蔵する第１処理液タンクと、
前記第２処理液を貯蔵する第２処理液タンクと、
前記第１処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第１処理液タンクに貯蔵された前記第１処理液を前記処理液ノズルに伝達する第１液供給配管と、
前記第２処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第２処理液タンクに貯蔵された前記第２処理液を前記処理液ノズルに伝達する第２液供給配管と、を含み、
前記第１液供給配管と前記第２液供給配管は、一領域以上が接するように提供される請求項１に記載の基板処理装置。 a first processing liquid tank for storing the first processing liquid;
a second processing liquid tank for storing the second processing liquid;
a first liquid supply pipe connecting the first processing liquid tank and the processing liquid nozzle and transmitting the first processing liquid stored in the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle;
a second liquid supply pipe connecting the second processing liquid tank and the processing liquid nozzle to transmit the second processing liquid stored in the second processing liquid tank to the processing liquid nozzle;
2. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the first liquid supply pipe and the second liquid supply pipe are provided such that one or more areas are in contact with each other. 前記第１液供給配管と前記第２液供給配管は、一地点で前記処理液ノズルまで接するように提供される請求項３に記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus of claim 3 , wherein the first liquid supply pipe and the second liquid supply pipe are provided to contact the processing liquid nozzle at one point. 前記第１液供給配管は、
前記第１処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第１処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第１処理液タンクと連結される第１上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第１下流配管と、を含み、
前記第２液供給配管は、
前記第２処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第２処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第２処理液タンクと連結される第２上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第２下流配管と、を含み、
前記第１下流配管と前記第２下流配管は、接するように提供される請求項３に記載の基板処理装置。 The first liquid supply pipe is
With reference to the flow of the first processing liquid supplied from the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle, a first upstream pipe is arranged upstream and connected to the first processing liquid tank, and a first upstream pipe is arranged downstream. a first downstream pipe connected to and connected to the processing liquid nozzle;
The second liquid supply pipe,
With reference to the flow of the second processing liquid supplied from the second processing liquid tank to the processing liquid nozzle, a second upstream pipe is arranged upstream and connected to the second processing liquid tank, and a second upstream pipe is arranged downstream. a second downstream pipe connected to and connected to the processing liquid nozzle;
4. The substrate processing apparatus of claim 3 , wherein the first downstream pipe and the second downstream pipe are provided to contact each other. 前記第１上流配管には第１ヒーター及びバルブが提供され、
前記第２上流配管には第２ヒーター及びバルブが提供される請求項５に記載の基板処理装置。 a first heater and a valve are provided in the first upstream pipe;
6. The substrate processing apparatus of claim 5 , wherein the second upstream pipe is provided with a second heater and a valve. 前記第１ヒーターは、前記第１処理液を加熱し、
前記第２ヒーターは、前記第２処理液を加熱する請求項６に記載の基板処理装置。 The first heater heats the first treatment liquid,
7. The substrate processing apparatus of claim 6 , wherein the second heater heats the second processing liquid. 前記第１ヒーターは、前記第１処理液を１６０℃以上に加熱し、
前記第２ヒーターは、前記第２処理液を１６０℃以上に加熱する請求項６に記載の基板処理装置。 The first heater heats the first treatment liquid to 160° C. or higher,
7. The substrate processing apparatus of claim 6 , wherein the second heater heats the second processing liquid to 160[deg.] C. or higher. 前記処理液ノズルは、
第１ノズル部と第２ノズル部を含み、
前記第１ノズル部は、前記第１液供給配管と連結され、
前記第２ノズル部は、前記第２液供給配管と連結される請求項５に記載の基板処理装置。 The treatment liquid nozzle is
including a first nozzle section and a second nozzle section,
The first nozzle part is connected to the first liquid supply pipe,
6. The substrate processing apparatus of claim 5 , wherein the second nozzle part is connected to the second liquid supply pipe. 前記基板に純水を供給する純水ノズルをさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus of claim 1, further comprising a pure water nozzle for supplying pure water to the substrate. 前記制御器は、
前記基板が回転される状態で前記基板に前記純水を設定時間供給するプリウェット工程と、
前記プリウェット工程の後に、前記基板が回転される状態で前記基板に前記第１処理液及び前記第２処理液を順次的に供給する蝕刻工程と、を遂行するように制御する請求項１０に記載の基板処理装置。 The controller is
a pre-wetting step of supplying the pure water to the substrate for a set time while the substrate is being rotated;
11. The method according to claim 10 , wherein after the pre-wetting process, an etching process of sequentially supplying the first processing liquid and the second processing liquid to the substrate while the substrate is being rotated is performed. A substrate processing apparatus as described. 前記制御器は、
前記蝕刻工程の後に、前記基板に対して純水を供給するリンス工程を遂行するように制御する請求項１１に記載の基板処理装置。 The controller is
12. The substrate processing apparatus of claim 11 , wherein control is performed to perform a rinse process of supplying pure water to the substrate after the etching process. 窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される基板を蝕刻する方法において、
前記基板が回転される状態で加熱された第１処理液を前記基板に先に供給した後、加熱された第２処理液を前記基板に供給して基板に対する蝕刻工程を遂行し、
記第１処理液は、リン酸とシリコンの混合液で提供され、
前記第２処理液は純リン酸で提供される、基板処理方法。 A method of etching a substrate provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon, comprising:
first supplying a heated first processing liquid to the substrate while the substrate is being rotated, and then supplying a heated second processing liquid to the substrate to perform an etching process on the substrate ;
The first treatment liquid is provided as a mixture of phosphoric acid and silicon,
The substrate processing method , wherein the second processing liquid is pure phosphoric acid . 窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される基板を蝕刻する方法において、
加熱された第１処理液に前記基板を設定時間浸漬し、その後前記基板を加熱された第２処理液に浸漬して基板に対する蝕刻工程を遂行し、
記第１処理液は、リン酸とシリコンの混合液で提供され、
前記第２処理液は純リン酸で提供される、基板処理方法。 A method of etching a substrate provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon, comprising:
immersing the substrate in a heated first processing liquid for a set time, and then immersing the substrate in a heated second processing liquid to perform an etching process on the substrate ;
The first treatment liquid is provided as a mixture of phosphoric acid and silicon,
The substrate processing method , wherein the second processing liquid is pure phosphoric acid . 前記第１処理液と前記第２処理液は、１６０℃以上に供給される請求項１３又は請求項１４に記載の基板処理方法。 15. The substrate processing method according to claim 13 , wherein the first processing liquid and the second processing liquid are supplied at 160[deg.] C. or higher. 前記蝕刻工程の前に、前記基板が回転される状態で前記基板に純水を設定時間供給するプリウェット工程と、
前記蝕刻工程の後に、前記基板に対して純水を供給するリンス工程をさらに遂行する請求項１３に記載の基板処理方法。 a pre-wetting step of supplying pure water to the substrate for a set time while the substrate is being rotated before the etching step;
14. The substrate processing method of claim 13 , further comprising performing a rinse process of supplying pure water to the substrate after the etching process. 基板を支持し、回転可能に提供される支持部材と、
加熱された第１処理液及び加熱された第２処理液を選択的に前記基板に供給する処理液ノズルと、
前記第１処理液としてリン酸とシリコンの混合液を貯蔵する第１処理液タンクと、
前記第２処理液として純リン酸を貯蔵する第２処理液タンクと、
前記第１処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第１処理液タンクに貯蔵された前記第１処理液を前記処理液ノズルに伝達する第１液供給配管と、
前記第２処理液タンクと前記処理液ノズルを連結して前記第２処理液タンクに貯蔵された前記第２処理液を前記処理液ノズルに伝達する第２液供給配管と、を含み、
前記第１液供給配管は、
前記第１処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第１処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第１処理液タンクと連結され、第１ヒーター及びバルブが提供される第１上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第１下流配管と、を含み、
前記第２液供給配管は、
前記第２処理液タンクから前記処理液ノズルに供給される前記第２処理液の流れを基準に、上流に配置されて前記第２処理液タンクと連結され、第２ヒーター及びバルブが提供される第２上流配管と、下流に配置されて前記処理液ノズルと連結される第２下流配管と、を含み、
前記第１下流配管と前記第２下流配管は、接するように提供され、
前記処理液ノズルが前記第１処理液を前記基板に先に供給した後、前記第２処理液を前記基板に供給するように前記処理液ノズルを制御する制御器を含み、
前記基板は、窒化シリコン層及び酸化シリコン層が形成された状態に提供される基板処理装置。
a support member that supports the substrate and is rotatably provided;
a processing liquid nozzle for selectively supplying a heated first processing liquid and a heated second processing liquid to the substrate;
a first processing liquid tank for storing a mixture of phosphoric acid and silicon as the first processing liquid;
a second processing liquid tank for storing pure phosphoric acid as the second processing liquid;
a first liquid supply pipe that connects the first processing liquid tank and the processing liquid nozzle and transmits the first processing liquid stored in the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle;
a second liquid supply pipe that connects the second processing liquid tank and the processing liquid nozzle to transmit the second processing liquid stored in the second processing liquid tank to the processing liquid nozzle;
The first liquid supply pipe is
Based on the flow of the first processing liquid supplied from the first processing liquid tank to the processing liquid nozzle, a first heater and a valve are provided upstream and connected to the first processing liquid tank. a first upstream pipe and a first downstream pipe arranged downstream and connected to the treatment liquid nozzle;
The second liquid supply pipe is
Based on the flow of the second processing liquid supplied from the second processing liquid tank to the processing liquid nozzle, a second heater and a valve are provided upstream and connected to the second processing liquid tank. a second upstream pipe and a second downstream pipe arranged downstream and connected to the treatment liquid nozzle;
the first downstream pipe and the second downstream pipe are provided to be in contact;
a controller for controlling the processing liquid nozzle to supply the second processing liquid to the substrate after the processing liquid nozzle first supplies the first processing liquid to the substrate;
A substrate processing apparatus, wherein the substrate is provided with a silicon nitride layer and a silicon oxide layer formed thereon.
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