JP7324807B2 - 磁気光学材料およびその製造方法 - Google Patents
磁気光学材料およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7324807B2 JP7324807B2 JP2021134657A JP2021134657A JP7324807B2 JP 7324807 B2 JP7324807 B2 JP 7324807B2 JP 2021134657 A JP2021134657 A JP 2021134657A JP 2021134657 A JP2021134657 A JP 2021134657A JP 7324807 B2 JP7324807 B2 JP 7324807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- sample
- matrix
- magnetic
- nanogranular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 26
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 claims description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 10
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 3
- 229910003310 Ni-Al Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005288 electromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/093—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
- H01F1/0045—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use
- H01F1/0063—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use in a non-magnetic matrix, e.g. granular solids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/123—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys having a L10 crystallographic structure, e.g. [Co,Fe][Pt,Pd] thin films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/205—Hexagonal ferrites
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
ナノ粒子がマトリックスに分散しているナノグラニュラー構造を有し、
前記マトリックスが、Li、Be、Mg、Al、Si、Ca、Sr、Ba、Biおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含むフッ化物マトリックスであり、
前記ナノ粒子が、Fe-Pt合金、Co-Pt合金、Fe-Co―Ni―Al合金、CoフェライトおよびBaフェライトからなる群から選択される少なくとも1種の残留磁化を有し、Fe-Pt規則相、Co3-Pt規則相またはスピネル相からなる磁性ナノ粒子である。
また、400nm~2000nmの波長帯の入射光に対して光透過率が[1%/μm]以上であり、磁界が印加されていない状態において、磁化に伴うファラデー回転角の絶対値が0.2[deg./μm]以上である。
前記磁性ナノ粒子が前記フッ化物マトリックスに分散しているナノグラニュラー構造を有するナノグラニュラー材料を作製する工程と、
前記磁性ナノ粒子がFe-Pt規則相、Co-Pt規則相またはスピネル相を形成する温度範囲において、前記ナノグラニュラー材料を熱処理する工程と、を含んでいる。
本発明の磁気光学材料は、磁性ナノ粒子(ナノグラニュール)がフッ化物マトリックスに分散したナノグラニュラー構造を有し、磁性ナノ粒子が、Fe-Pt合金、Co-Pt合金、Fe-Co―Ni―Al合金、Coフェライト、Baフェライトのいずれかの残留磁化を有する磁石材料で構成され、マトリックスがLi、Be、Mg、Al、Si、Ca、Sr、Ba、Bi、希土類元素から選択される少なくとも1種以上の元素を含むフッ化物である。
次に、本発明に係る磁気光学材料の特性について説明する。
本発明に係る磁気光学材料は、波長が400nmから2000nmまでの可視光領域を含む紫外から近赤外領域での任意の波長の入射光に対して、厚さ1μmに対して1%以上の光透過率を有する。好ましくは、磁性体厚さ1μmに対して10%以上である。このように広い範囲で良好な光透過性を有するため、種々の光通信デバイスに適したものとなる。
本発明に係る磁気光学材料は、残留磁化を伴う強磁性を示す。残留磁化を有する磁石材料からなる磁性ナノ粒子の存在により、磁場を印可せずとも自発磁化に伴うファラデー効果を示す。本発明に係る磁気光学材料を用いることによって、ファラデー効果を発現させるための磁場印可機構が必要なくなり、デバイス構造の簡素化、微細化が可能となり、デバイスの製作工程も単純化することができる。これによりデバイスの低コスト化も可能となる。
光アイソレーターや光サーキュレーターなどの光通信素子には、磁場に平行な直線偏光を透過させたときに偏光面が回転する磁気光学効果(ファラデー効果)を示す磁性体が用いられるが、このような磁性体として従来用いられていたイットリウムガーネットやビスマス置換ガーネットを用いると、光通信に用いられる近赤外波長域(1550nm)ではファラデー回転角が非常に小さくなる。これに対し、本発明の磁気光学材料では、波長域によらず、ファラデー回転角が絶対値で0.1[deg./μm]以上、さらには0.3[deg./μm]以上となり、光通信に用いられる近赤外波長域(1550nm)において、従来のイットリウムガーネットやビスマス置換ガーネットを用いた場合に比べて大きなファラデー回転角が得られる。このように大きなファラデー回転角が得られるのは、微細な磁性グラニュールに光が透過もしくは反射することによる、強磁性金属の磁気光学効果、またマトリックスと磁性グラニュールの界面における電磁効果や量子効果による作用が考えられる。
本発明の磁気光学材料は、コンベンショナルなスパッタ装置、RFスパッタ装置で薄膜として成膜することができる。スパッタ法またはRFスパッタ成膜装置を用い、純Fe、純Co、純NiあるいはFe、Co、Ni、Pt、Al、Baのいずれかを含む合金円板ターゲット、さらにはこれらの金属円板ターゲット上にPt、Al、Baチップを均等に配置した複合ターゲットとフッ化物ターゲットを同時にスパッタして行うと、nmサイズ(50nm以下)の磁性ナノ粒子がフッ化物からなるマトリックス中に分散したナノグラニュラー構造膜が得られる。このとき、薄膜形成のための基体としては、半導体基板および/または絶縁体基板などの各種基板のほか、これら表面に半導体および/または絶縁体の層が形成された当該基板が用いられてもよい。
磁性ナノ粒子が残留磁化を伴う磁石特性を発揮するためには、規則相あるいはスピネル相を有することが必要である。規則相、スピネル相を得るためには、成膜後に所定の熱処理といった加熱工程が必要となる。これに必要な温度は500℃以上であり、真空中、あるいは酸素雰囲気中において500℃~800℃の温度範囲に含まれている所定の温度での熱処理を行う。
基板として、約0.5mm厚のコーニング社製#7059、#2000、#XG(コーニング社の商品名)ガラス、0.5mm厚で表面を熱酸化したSiウエハ、および0.5mm厚の石英ガラスが用いられた。
薄膜試料の作製条件の一例が表1にまとめて示されている。
Claims (3)
- ナノ粒子がマトリックスに分散しているナノグラニュラー構造を有し、
前記マトリックスが、Li、Be、Mg、Al、Si、Ca、Sr、Ba、Biおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも1種以上の元素を含むフッ化物マトリックスであり、
前記ナノ粒子が、Fe-Pt合金、Co-Pt合金、Fe-Co―Ni―Al合金、CoフェライトおよびBaフェライトからなる群から選択される少なくとも1種の磁化を有し、Fe-Pt規則相、Co3-Pt規則相またはスピネル相からなる磁性ナノ粒子であり、
400nm~2000nmの波長帯の入射光に対して光透過率が[1%/μm]以上であり、
磁界が印加されていない状態において、600nm~1600nmの波長帯のうち少なくとも一部の波長帯の光に対して残留磁化に伴うファラデー回転角の絶対値が0.2[deg./μm]以上である
磁気光学材料。 - 請求項1に記載の磁気光学材料において、
ナノグラニュラー構造中に含まれる全部の磁性ナノ粒子のマトリックスに対する体積比率が10%以上50%以下である
磁気光学材料。 - 請求項1~2のうちいずれか1項に記載の磁気光学材料の製造方法であって、
前記磁性ナノ粒子が前記フッ化物マトリックスに分散しているナノグラニュラー構造を有するナノグラニュラー材料を作製する工程と、
前記磁性ナノ粒子が規則化する温度範囲において、前記ナノグラニュラー材料を熱処理する工程と、を含んでいる
磁気光学材料の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021134657A JP7324807B2 (ja) | 2021-08-20 | 2021-08-20 | 磁気光学材料およびその製造方法 |
DE112022000092.9T DE112022000092T5 (de) | 2021-08-20 | 2022-07-07 | Magnetooptisches material und verfahren zur herstellung hiervon |
PCT/JP2022/026985 WO2023021877A1 (ja) | 2021-08-20 | 2022-07-07 | 磁気光学材料およびその製造方法 |
US18/019,543 US20240069124A1 (en) | 2021-08-20 | 2022-07-07 | Magneto-optical material and method for producing same |
CN202280050305.6A CN117651897B (zh) | 2021-08-20 | 2022-07-07 | 磁光材料及其制造方法 |
TW111126620A TWI842014B (zh) | 2021-08-20 | 2022-07-15 | 磁性光學材料及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021134657A JP7324807B2 (ja) | 2021-08-20 | 2021-08-20 | 磁気光学材料およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023028766A JP2023028766A (ja) | 2023-03-03 |
JP7324807B2 true JP7324807B2 (ja) | 2023-08-10 |
Family
ID=85240541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021134657A Active JP7324807B2 (ja) | 2021-08-20 | 2021-08-20 | 磁気光学材料およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240069124A1 (ja) |
JP (1) | JP7324807B2 (ja) |
CN (1) | CN117651897B (ja) |
DE (1) | DE112022000092T5 (ja) |
WO (1) | WO2023021877A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024043235A1 (ja) * | 2022-08-22 | 2024-02-29 | シチズンファインデバイス株式会社 | 等方性グラニュラー薄膜 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001273622A (ja) | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | ナノグラニュラー薄膜および磁気記録媒体 |
JP2003099920A (ja) | 2001-09-21 | 2003-04-04 | National Institute For Materials Science | FePt磁性薄膜の製造方法 |
JP2005194591A (ja) | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Tohoku Univ | FePt合金、及びFePt合金の作製方法 |
WO2011016891A2 (en) | 2009-05-14 | 2011-02-10 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Magnetic-nanoparticle-polymer composites with enhanced magneto-optical properties |
JP2014175617A (ja) | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Research Institute For Electromagnetic Materials | 高電気抵抗強磁性薄膜 |
JP2017041599A (ja) | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 超高周波強磁性薄膜とその製造方法 |
JP2017098423A (ja) | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 透光性磁性体 |
JP2018206978A (ja) | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 大同特殊鋼株式会社 | 金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜、及び薄膜磁気センサ |
JP2020031084A (ja) | 2018-08-20 | 2020-02-27 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 強磁性積層膜および強磁性積層膜の製造方法ならびに電磁誘導性電子部品 |
JP2020088078A (ja) | 2018-11-21 | 2020-06-04 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 強磁性積層膜およびその製造方法ならびに電磁誘導性電子部品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI384503B (zh) * | 2009-01-07 | 2013-02-01 | Nat Univ Tsing Hua | 具有序化相之鐵鉑合金奈米粒子的磁性材料及其製作方法 |
-
2021
- 2021-08-20 JP JP2021134657A patent/JP7324807B2/ja active Active
-
2022
- 2022-07-07 WO PCT/JP2022/026985 patent/WO2023021877A1/ja active Application Filing
- 2022-07-07 CN CN202280050305.6A patent/CN117651897B/zh active Active
- 2022-07-07 DE DE112022000092.9T patent/DE112022000092T5/de active Pending
- 2022-07-07 US US18/019,543 patent/US20240069124A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001273622A (ja) | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | ナノグラニュラー薄膜および磁気記録媒体 |
JP2003099920A (ja) | 2001-09-21 | 2003-04-04 | National Institute For Materials Science | FePt磁性薄膜の製造方法 |
JP2005194591A (ja) | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Tohoku Univ | FePt合金、及びFePt合金の作製方法 |
WO2011016891A2 (en) | 2009-05-14 | 2011-02-10 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Magnetic-nanoparticle-polymer composites with enhanced magneto-optical properties |
JP2014175617A (ja) | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Research Institute For Electromagnetic Materials | 高電気抵抗強磁性薄膜 |
JP2017041599A (ja) | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 超高周波強磁性薄膜とその製造方法 |
JP2017098423A (ja) | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 透光性磁性体 |
JP2018206978A (ja) | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 大同特殊鋼株式会社 | 金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜、及び薄膜磁気センサ |
JP2020031084A (ja) | 2018-08-20 | 2020-02-27 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 強磁性積層膜および強磁性積層膜の製造方法ならびに電磁誘導性電子部品 |
JP2020088078A (ja) | 2018-11-21 | 2020-06-04 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 強磁性積層膜およびその製造方法ならびに電磁誘導性電子部品 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
小林 伸聖、 池田 賢司、 荒井 賢一,FeCo-BaFおよびFeCo-SiN系ナノグラニュラー膜の 巨大ファラデー効果,電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌),日本,一般社団法人 電気学会,2021年02月01日,第141巻,第2号,p.123-127,https://doi.org/10.1541/ieejfms.141.123 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240069124A1 (en) | 2024-02-29 |
WO2023021877A1 (ja) | 2023-02-23 |
JP2023028766A (ja) | 2023-03-03 |
TW202319815A (zh) | 2023-05-16 |
CN117651897B (zh) | 2024-06-21 |
DE112022000092T5 (de) | 2023-05-17 |
CN117651897A (zh) | 2024-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6619216B2 (ja) | 透光性磁性体 | |
Yang et al. | FMR-driven spin pumping in Y3Fe5O12-based structures | |
Xiao et al. | Giant magnetoresistance in nonmultilayer magnetic systems | |
Tietze et al. | XMCD studies on Co and Li doped ZnO magnetic semiconductors | |
Park et al. | Semiconducting and ferromagnetic behavior of sputtered Co-doped TiO 2 thin films above room temperature | |
US5534355A (en) | Artificial multilayer and method of manufacturing the same | |
Troyanchuk et al. | Magnetic phase transitions in the system La 1− x Bi x MnO 3+ λ | |
Nur-E-Alam et al. | Recent developments in magneto-optic garnet-type thin-film materials synthesis | |
WO2023021877A1 (ja) | 磁気光学材料およびその製造方法 | |
Salaheldeen et al. | Unveiling the effect of annealing on magnetic properties of nanocrystalline half-metallic Heusler Co2FeSi alloy glass-coated microwires | |
Elhamali et al. | Oxygen vacancy-dependent microstructural, optical and magnetic properties of sol-gel Tb0. 2 Er1 Y2. 8 Fe5 O12 films | |
Liu et al. | Strain-induced magnetic anisotropy of REIG thin films grown on YAG (111) substrates by pulsed laser deposition | |
Maklakov et al. | Mössbauer study of disordering in thin sputtered FeCo–SiO2 and FeCo films | |
Jang et al. | Formation of Y3Fe5O12 matrix including ε-phase Fe2O3 with the giant coercive field via optimized sol–gel method | |
Akyol et al. | Structural, magnetic and optical properties of Au/YIG, YIG/Au and Au/YIG/Au multilayer thin film stacks | |
TWI842014B (zh) | 磁性光學材料及其製造方法 | |
CN100430335C (zh) | 铁磁性材料 | |
Nur-E-Alam et al. | YIG: Bi2O3 Nanocomposite thin films for magnetooptic and microwave applications | |
Huang et al. | Exchange coupling at the interface of antiferromagnet and rare-earth bilayers | |
Edelman et al. | The competition between magnetocrystalline and shape anisotropy on the magnetic and magneto-transport properties of crystallographically aligned CuCr2Se4 thin films | |
Pimachev et al. | Room temperature d 0 ferromagnetism in PbS films: nonuniform distribution of Pb vacancies | |
Nur-E-Alam et al. | Garnet multilayer thin film structure with magnetostatically-altered and improved magnetic properties prepared by RF magnetron sputtering | |
Rinkevich et al. | Magnetic and Microwave Properties of 3-D Nanocomposites With Transition Metal and Palladium Particles | |
Voronov et al. | Bismuth‐Substituted Iron Garnet Films for Magnetophotonics: Part A–Fabrication Methods and Microstructure Property Study | |
Stobiecki et al. | Correlation between structure and exchange coupling parameters of IrMn based MTJ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210927 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221122 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20221122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7324807 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |