JP7322944B2 - センサ、入力装置、ロボットおよび電子機器 - Google Patents

Description

本技術は、センサ、入力装置、ロボットおよび電子機器に関する。

近年、入力操作を静電的に検出することが可能なセンサは、モバイルＰＣ（Personal Computer）やタブレットＰＣなどの様々な電子機器に広く用いられている。電子機器用のセンサとして、容量素子を備え、入力操作面に対する操作子の操作位置と押圧力とを検出することが可能な構成を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１－１７０６５９号公報

本技術の目的は、荷重感度におけるダイナミックレンジを向上することができるセンサ、入力装置、ロボットおよび電子機器を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、高分子樹脂を含む外装体と、第１の面および第２の面を有する感圧センサと、外装体と第１の面とが対向するように感圧センサを支持する支持体と、第１の面と外装体との間および第２の面と支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサは、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器である。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
第２の技術は、高分子樹脂を含む外装体と、第１の面および第２の面を有する感圧センサと、外装体と第１の面とが対向するように感圧センサを支持する支持体と、第１の面と外装体との間および第２の面と支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサは、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器である。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
第３の技術は、高分子樹脂を含む外装体と、第１の面および第２の面を有する感圧センサと、外装体と第１の面とが対向するように感圧センサを支持する支持体と、第１の面と外装体との間および第２の面と支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサは、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器である。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）

第４の技術は、金属を含む外装体と、第１の面および第２の面を有する感圧センサと、外装体と第１の面とが対向するように感圧センサを支持する支持体と、第１の面と外装体との間および第２の面と支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサは、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器である。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
第５の技術は、金属を含む外装体と、第１の面および第２の面を有する感圧センサと、外装体と第１の面とが対向するように感圧センサを支持する支持体と、第１の面と外装体との間および第２の面と支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサは、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器である。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
第６の技術は、金属を含む外装体と、第１の面および第２の面を有する感圧センサと、外装体と第１の面とが対向するように感圧センサを支持する支持体と、第１の面と外装体との間および第２の面と支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサは、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器である。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）

第７の技術は、第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、第１の面および第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサ本体は、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサである。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）

第８の技術は、第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、第１の面および第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサ本体は、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサである。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
第９の技術は、第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、第１の面および第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層とを備え、感圧センサ本体は、センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、リファレンス電極層と、リファレンス電極層とセンサ電極部との間に設けられた第２の変形層とを備え、第１の変形層および第２の変形層が誘電体を含み、第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下であり、第１の変形層および第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサである。
第１の変形層の弾性率≦第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層の厚み≧第２の変形層の厚み ・・・（２）
第１の変形層の面積占有率≦第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）

本技術によれば、荷重感度におけるダイナミックレンジを向上することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の外観を示す平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線に沿った断面図である。 図２は、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の構成を示す分解斜視図である。 図３Ａは、センサの形状を示す斜視図である。図３Ｂは、センサの配置形態を示す斜視図である。 図４は、センサの構成を示す断面図である。 図５は、フレキシブルプリント基板の構成を示す平面図である。 図６は、センシング部の構成を示す平面図である。 図７は、第１の変形層の形状パターンの一例を示す斜視図である。 図８は、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の回路構成を示すブロック図である。 図９は、本技術の第１の実施形態に係る電子機器の各領域を説明するための概略図である。 図１０は、ウェイクアップ操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。 図１１は、スライド操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。 図１２は、カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。 図１３は、右手／左手の検出機能における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。 図１４は、ユーザが電子機器を左手で保持したときの出力値（デルタ値）のプロファイルの一例を示す概略図である。 図１５Ａ、図１５Ｂはそれぞれ、第１の変形層の配置形態の変形例を示す断面図である。 図１６は、リファレンス電極層の変形例を示す断面図である。 図１７Ａは、フレキシブルプリント基板の変形例を示す概略図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示したフレキシブルプリント基板の配置形態を示す概略図である。 図１８は、フレキシブルプリント基板の変形例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８ＡのＸＶIIIＢ－ＸＶIIIＢ線に沿った断面図である。 図１９は、ウェイクアップ操作時における電子機器の動作の変形例を説明するためのフローチャートである。 図２０Ａ、図２０Ｂは、ウェイクアップ操作時における電子機器の動作を説明するための概略図である。 図２１は、サンプル１－１～１－４のセンサの構成を示す概略断面図である。 図２２Ａは、サンプル１－１～１－４のセンサにおける荷重と変位量との関係を示すグラフである。図２２Ｂは、サンプル１－１～１－４のセンサにおける荷重とデルタとの関係を示すグラフである。 図２３は、本技術の第２の実施形態に係る電子機器の構成を示す分解射視図である。 図２４は、側壁部の一部を拡大して表す平面図である。 図２５Ａは、図２４のＸＸＶＡ－ＸＸＶＡ線に沿った断面図である。図２５Ｂは、図２４のＸＸＶＢ－ＸＸＶＢ線に沿った断面図である。 図２６は、センサ支持部の構成の示す分解斜視図である。 図２７は、センサの構成を示す断面図である。 図２８Ａは、センシング部または共振用のコンデンサーを兼ねるセンシング部の構成を示す平面図である。図２８Ｂは、グランド電極または自己容量方式のセンシング部となる構成を示す平面図である。 図２９は、ボリューム操作時における電子機器の動作について説明するためのフローチャートである。 図３０Ａ、３０Ｂはそれぞれ、センサの構成を示す断面図である。 図３１は、センサの構成を示す断面図である。 図３２は、センサ支持部の構成の示す断面図である。 図３３Ａは、センサ支持部の構成を示す分解斜視図である。図３３Ｂは、センサ支持部の構成を示す斜視図である。

本技術において、センサの検出回路の方式としては、例えば、相互容量方式（例えば、タッチパネルなどに用いられる電荷転送方式で動作するもの）、自己容量方式（例えば、タッチスイッチなどに用いられる電荷転送方式で動作するもの、または液量計などに用いられる交流共振回路を利用し動作するもの）などを用いることができる。

本技術において、センサ電極部としては、例えば、相互容量式の電極部、自己容量式の電極部、コイル（共振用のコイルを兼ねる）を用いることができる。相互容量式の電極部としては、例えば、格子状または櫛歯状のパルス電極とセンス電極とを備えるものを用いることができる。自己容量式の電極部としては、例えば、１つの薄膜状の電極を備えるもの、２つの格子状または櫛歯状の電極が共振用のコンデンサーを兼ねるもの、２つの薄膜状の電極が共振用のコンデンサーを兼ねるものを用いることができる

本技術において、センサとしては、例えば、ＬＣ共振回路のコイル・コンデンサを用いることができる。より具体的には、センサとしては、センシング電極１つと、基板側に共振用のＬとＣの２チップとを備えるもの、センシング兼共振用のコイル１つと、基板側に共振用のＣの１チップとを備えるもの、センシング兼共振用のコンデンサー１つと、基板側に共振用のＬの１チップとを備えるものを用いることができる。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態
１．１ 概要
１．２ 電子機器の構成
１．３ センサの動作
１．４ 電子機器の動作
１．５ 効果
１．６ 変形例
２ 第２の実施形態
２．１ 電子機器の構成
２．２ センサ、弾性体およびスペーサの配置手順
２．３ 電子機器の動作
２．４ 効果
２．５ 変形例

［１．１ 概要］
スマートフォンや携帯音楽プレイヤーなど筐体（特に筐体内部）にセンサを実装する場合、実装場所の制約が大きい。また、筐体の寸法や実装における交差（クリアランス）精度にバラツキがある。上記の実装制約の中でセンサを取り付けるためには、センサのセンシング面および裏面の少なくとも一方に変形層（以下「第１の変形層」という。）を設けることが好ましい。しかしながら、実装時に第１の変形層にプリテンションが加わった場合、センサ内部の変形層（以下「第２の変形層」という。）が潰れ、感度が低下する虞がある。そこで、本実施形態では、第２の変形層の潰れを抑制するために、第１、２の変形層が、後述の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすようにしている。

［１．２ 電子機器の構成］
以下、図１Ａ、図１Ｂ、図２を参照して、本技術の第１の実施形態に係る電子機器１０について説明する。本技術の第１の実施形態に係る電子機器１０は、いわゆるスマートフォンであり、筐体である外装体１１と、センシング面（第１の面）２０Ｓとそれとは反対側の裏面（第２の面）とを有する２つのセンサ２０、２０と、外装体１１の内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとセンシング面２０Ｓとが対向するようにセンサ２０、２０を支持する支持体としてのフレーム１２と、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間に設けられた第１の変形層２８、２８と、フレーム１２内に配置された基板１３と、フレーム１２上に設けられたフロントパネル１４とを備える。

電子機器１０では、その側面１０ＳＲ、１０ＳＬを手や指などで押圧することで、（１）ウェイクアップ操作、（２）スライド操作、（３）カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作、（４）右手／左手の検出機能などを実行可能である。

外装体１１と、センサ２０と、第１の変形層２８と、支持体としてのフレーム１２とにより入力装置が構成される。入力装置は、必要に応じて、基板１３をさらに備えていてもよい。

（外装体）
外装体１１は、電子機器１０の裏面を構成する矩形状の主面部１１Ｍと、この主面部１１Ｍの両長辺側に設けられた側壁部１１Ｒ、１１Ｌとを備える。フレーム１２は、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの間に収容されている。側壁部１１Ｒ、１１Ｌは、側壁部１１Ｒ、１１Ｌをセンシング面２０Ｓに向けて押圧することで、第１の変形層２８を介してセンシング面２０Ｓを押圧可能に構成されている。内側面１１ＳＲの先端部の近傍には凸部１１ａが設けられている。凸部１１ａは、フレーム１２の支持面１２ＳＲに設けられた凹部１２ａと噛み合うように構成されている。内側面１１ＳＬ、支持面１２ＳＬもそれぞれ、上記内側面１１ＳＲ、支持面１２ＳＲと同様の構成を有している。

外装体１１は、例えば、金属、高分子樹脂または木材などを含んでいる。金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、銅、鉄などの単体、またはこれらを２種以上含む合金が挙げられる。合金の具体例としては、ステンレス鋼（Stainless Used Steel：ＳＵＳ）、アルミニウム合金、マグネシウム合金、チタン合金などが挙げられる。高分子樹脂としては、例えば、アクリロニトリル、ブタジエンおよびスチレンの共重合合成樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ＰＣ－ＡＢＳアロイ樹脂などが挙げられる。

（フレーム）
主面部１１Ｍに垂直な方向からフレーム１２を平面視すると、フレーム１２は、主面部１１Ｍよりやや小さい矩形状を有している。フレーム１２は、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＲそれぞれに対向する支持面１２ＳＲ、１２ＳＬを有している。支持面１２ＳＲには、側壁部１１Ｒの内側面１１ＳＲとセンシング面２０Ｓとが対向するようにして、センサ２０が支持されている。センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲとの間には第１の変形層２８が設けられている。支持面１２ＳＬには、側壁部１１Ｌの内側面１１ＳＬとセンシング面２０Ｓとが対向するようにして、センサ２０が支持されている。センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＬとの間には第１の変形層２８が設けられている。

（基板）
基板１３は、電子機器１０のメイン基板であり、コントローラＩＣ（Integrated Circuit）（以下単に「ＩＣ」という。）１３ａと、メインＣＰＵ（Central Processing Unit）（以下単に「ＣＰＵ」という。）１３ｂとを備える。ＩＣ１３ａは、２つのセンサ２０を制御し、それぞれのセンシング面２０Ｓに加わる圧力を検出する制御部である。ＣＰＵ１３ｂは、電子機器１０の全体を制御する制御部である。例えば、ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給される信号に基づき、各種処理を実行する。

（フロントパネル）
フロントパネル１４は表示装置１４ａを備え、この表示装置１４ａの表面には静電容量式のタッチパネルが設けられている。表示装置１４ａは、ＣＰＵ１３ｂから供給される映像信号などに基づき、映像（画面）を表示する。表示装置１４ａとしては、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。

（センサ）
センサ２０は、いわゆる感圧センサであり、図３Ａに示すように、長尺の矩形状を有している。センサ２０の長辺の中央から接続部４１が延設されている。より具体的には、センサ２０は、図５に示すように、長尺の矩形状を有するセンサ電極部３０を含み、接続部４１は、このセンサ電極部３０の長辺の中央から延設されている。センサ電極部３０と接続部４１とは１つのフレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuits、以下「ＦＰＣ」という。）４０により一体的に構成されている。

側壁部１１Ｒ側のセンサ２０は、図３Ｂに示すように、接着層２７を介してフレーム１２の支持面１２ＳＲに貼り合わされている。側壁部１１Ｌ側のセンサ２０も、上記の側壁部１１Ｒのセンサ２０と同様に支持面１２ＳＬに貼り合わされている。また、ＦＰＣ４０に力が加わるとノイズが発生するため、接続部４１は、フレーム１２に対して接着層２９を介して貼り合わされていることが好ましい。

センサ２０は、いわゆる感圧センサであり、図４に示すように、複数のセンシング部３０ＳＥを含む静電容量式のセンサ電極部３０と、電極基材２１、２２と、第２の変形層２３、２４と、接着層２５～２７とを備える。センサ２０の裏面は支持面１２ＳＲ、１２ＳＬに貼り合わされている。なお、本明細書において、センサ２０の長手方向を±Ｘ軸方向といい、幅方向（短手方向）を±Ｙ軸方向といい、長手方向および幅方向に垂直な方向（すなわちセンシング面２０Ｓに垂直な方向）を±Ｚ軸方向という。

電極基材２１とセンサ電極部３０とは、電極基材２１とセンサ電極部３０との主面同士が対向するように配置されている。第２の変形層２３は、電極基材２１とセンサ電極部３０との主面間に設けられ、センシング面２０Ｓに加わる圧力により弾性変形する。第２の変形層２３と電極基材２１とは接着層２５により貼り合わされ、第２の変形層２３とセンサ電極部３０とは接着層２６により貼り合わされている。

電極基材２２とセンサ電極部３０とは、電極基材２２とセンサ電極部３０との主面同士が対向するように配置されている。第２の変形層２４は、電極基材２２とセンサ電極部３０との間に設けられ、センシング面２０Ｓに加わる圧力により弾性変形する。第２の変形層２４は、接着材を含み、接着層としての機能も有しており、電極基材２２とセンサ電極部３０とは第２の変形層２４により貼り合わされている。

（センサ電極部）
センサ電極部３０は、上述したように、長尺の矩形状を有し、ＦＰＣ４０の一部である。このようにセンサ電極部３０をＦＰＣ４０の一部とすることで、部品点数を減らすことができる。また、センサ２０と基板１３との接続の衝撃耐久性を向上できる。ＦＰＣ４０は、図５に示すように、センサ電極部３０と、このセンサ電極部３０の長辺の中央から延設された接続部４１とを備える。

センサ電極部３０は、図６に示すように、可撓性を有する基材３１の一方の主面に設けられた複数のパルス電極３２、１つのセンス電極３３および１つのグランド電極３４ａと、基材３１の他方の主面に設けられた１つのグランド電極３４ｂとを備える。パルス電極３２とセンス電極３３とによりセンシング部３０ＳＥが構成されている。Ｚ軸方向から複数のセンシング部３０ＳＥを平面視すると、複数のセンシング部３０ＳＥは、Ｘ軸方向に等間隔で一列をなすように１次元的に配置されている。

接続部４１は、基材３１の一方の主面に設けられた配線３２ｄ、３３ｅと接続端子４２とを備える。配線３２ｄは、センサ電極部３０のパルス電極３２およびグランド電極３４ａ、３４ｂと、接続部４１の先端に設けられた接続端子４２とを電気的に接続している。配線３３ｅは、センサ電極部３０のセンス電極３３と、接続部４１の先端に設けられた接続端子４２とを電気的に接続している。接続端子４２は基板１３と電気的に接続される。

ＦＰＣ４０は、パルス電極３２、センス電極３３および配線３２ｄ、３３ｅを覆うカバーレイフルムなどの絶縁層（図示せず）を基材３１の一方の主面にさらに備えるようにしてもよい。

基材３１は、高分子樹脂を含み、可撓性を有する基板である。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。

第１電極であるパルス電極３２は、図６に示すように、１つの単位電極体３２ａを備える。複数のパルス電極３２がそれぞれ備える単位電極体３２ａは、Ｘ軸方向に一定間隔で一列をなすように１次元的に配置されている。第２電極であるセンス電極３３は、図６に示すように、複数の単位電極体３３ａと、１つの接続部３３ｄとを備える。複数の単位電極体３３ａは、Ｘ軸方向に一定間隔で一列をなすように１次元的に配置されており、隣接する単位電極体３３ａの間は、接続部３３ｄにより接続されている。

パルス電極３２から配線３２ｄが引き出され、基材３１の一主面の周縁部に引き回れて接続部４１を通って接続端子４２に接続されている。センス電極３３から配線３３ｅが引き出され、基材３１の一主面の周縁部に引き回れて接続部４１を通って接続端子４２に接続されている。

単位電極体３２ａ、３３ａは、櫛歯状を有し、櫛歯の部分を噛み合わせるようにして配置されている。具体的には、単位電極体３２ａは、線状を有する複数のサブ電極３２ｂと、線状を有する連結部３２ｃとを備える。単位電極体３３ａは、線状を有する複数のサブ電極３３ｂと、線状を有する連結部３３ｃとを備える。複数のサブ電極３２ｂ、３３ｂは、Ｘ軸方向に延設され、Ｙ軸方向に向かって所定間隔で交互に離間して設けられている。隣接するサブ電極３２ｂ、３３ｂは、容量結合を形成可能に構成されている。

連結部３２ｃは、Ｙ軸方向に延設されており、複数のサブ電極３２ｂの一端を連結している。連結部３３ｃは、Ｙ軸方向に延設されており、複数のサブ電極３３ｂの他端を連結している。サブ電極３２ｂ、３３ｂの間隔は一定であってもよいし、変動していてもよい。噛み合わされるように配置された単位電極体３２ａ、３３ａによって、センシング部３０ＳＥが構成されている。

（電極基材）
電極基材２１、２２は、可撓性を有する電極フィルムである。電極基材２１は、センサ２０のセンシング面２０Ｓを構成し、電極基材２２は、センサ２０の裏面を構成している。

電極基材２１は、可撓性を有する基材２１ａと、基材２１ａの一方の主面に設けられたリファレンス電極層（以下「ＲＥＦ電極層」という。）２１ｂとを備える。電極基材２１は、ＲＥＦ電極層２１ｂがセンサ電極部３０の一方の主面に対向するようにして、センサ電極部３０の一方の主面側に配置されている。電極基材２２は、可撓性を有する基材２２ａと、基材２２ａの一方の主面に設けられたＲＥＦ電極層２２ｂとを備える。電極基材２２は、ＲＥＦ電極層２２ｂがセンサ電極部３０の他方の主面に対向するようにして、センサ電極部３０の他方の主面側に配置されている。

基材２１ａ、２２ａは、フィルム状を有している。基材２１ａ、２２ａの材料としては、上述の基材３１と同様の高分子樹脂が例示される。ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂは、いわゆる接地電極であり、グランド電位となっている。ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂの形状としては、例えば、薄膜状、箔状、メッシュ状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂは、電気的導電性を有するものであればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導電層、有機系導電材料を含む有機導電層、無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機－無機導電層などを用いることができる。無機系導電材料および有機系導電材料は、粒子であってもよい。

無機系導電材料としては、例えば、金属、金属酸化物などが挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられるが、これに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛－酸化錫系、酸化インジウム－酸化錫系、酸化亜鉛－酸化インジウム－酸化マグネシウム系などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、導電性ポリマーなどが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ナノホーンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができるが、これに限定されるものではない。

ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂは、ドライプロセスおよびウエットプロセスのいずれで作製された薄膜であってもよい。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法、蒸着法などを用いることができるが、特にこれらに限定されるものではない。

電極基材２１、２２がセンサ電極部３０の両主面側に設けられていることで、外部ノイズ（外部電場）がセンサ２０の両主面側からセンサ電極部３０内に入り込むことを抑制できる。したがって、外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下または誤検出を抑制できる。

（第１、第２の変形層）
第１の変形層２８は、側壁部１１Ｒ、１１Ｌに加えられる圧力により弾性変形するフィルムである。電子機器１０では、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間に弾性変形可能な柔らかい第１の変形層２８、２８を挟むことで、センサ２０の荷重感度におけるダイナミックレンジを向上している。

第１の変形層２８は、センシング面２０Ｓの全体を埋め尽くすように連続的に設けられていてもよいし、図７に示すように、所定の形状パターンを有していてもよい。形状パターンは、規則的であってもよいし、不規則的であってもよい。形状パターンとしては、例えば、ストライプ状、メッシュ状、放射状、幾何学模様状、ミアンダ状、同心状、螺旋状、蜘蛛の巣状、ツリー状、魚の骨状、リング状、格子状または不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、図７では、第１の変形層２８がストライプ状を有する例が示されている。

第２の変形層２３は、センサ２０のセンシング面２０Ｓに加えられる圧力により弾性変形するフィルムである。センサ２０では、センサ電極部３０と電極基材２１との主面間に弾性変形可能な柔らかい第２の変形層２３を挟むことで、センサ２０の感度とダイナミックレンジを調整している。第２の変形層２３は、貫通孔などの孔部（図示せず）を有することが好ましい。荷重感度を向上できるからである。

第１、第２の変形層２８、２３は、発泡樹脂または絶縁性エラストマなどの誘電体を含んでいる。発泡樹脂は、いわゆるスポンジであり、例えば、発泡ポリウレタン、発泡ポリエチレン、発泡ポリオレフィンおよびスポンジゴムなどのうちの少なくとも１種である。絶縁性エラストマは、例えば、シリコーン系エラストマ、アクリル系エラストマ、ウレタン系エラストマおよびスチレン系エラストマなどのうちの少なくとも１種である。なお、第１、第２の変形層２８、２３が図示しない基材上に設けられていてもよい。

第２の変形層２４は、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤およびウレタン系接着剤などからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。ここでは、粘着（pressure sensitive adhesion）は接着（adhesion）の一種と定義する。この定義に従えば、粘着層は接着層の一種と見なされる。第２の変形層２４は、接着剤または両面接着テープにより構成されるが、接着層２５～２７に比べて厚いため、良好な第２の変形層として機能する。なお、第２の変形層２４が、第２の変形層２３と同様の材料により構成されていてもよい。

第１の変形層２８および第２の変形層２３、２４が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たし、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも２つの関係を満たしていることが好ましく、以下の式（１）から（３）の３つすべてを満たしていることがより好ましい。例えば、少なくとも式（１）、（２）の関係を満たしていてもよいし、少なくとも式（１）、（３）の関係を満たしていてもよい。
第１の変形層２８の弾性率≦第２の変形層２３、２４の弾性率 ・・・（１）
第１の変形層２８の厚み≧第２の変形層２３、２４の厚み ・・・（２）
第１の変形層２８の面積占有率≦第２の変形層２３、２４の面積占有率 ・・・（３）
ここで、第１の変形層２８の面積占有率とは、センシング面２０Ｓの面積ＳＡに対する第１の変形層２８の面積ＳＢの割合［％］（＝（ＳＢ／ＳＡ）×１００）を意味する。また、第２の変形層２３、２４の面積占有率とは、センシング面２０Ｓの面積ＳＡに対する第２の変形層２３、２４の面積ＳＣの割合［％］（＝（ＳＣ／ＳＡ）×１００）を意味する。

第１の変形層２８および第２の変形層２３、２４が、上記の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすと、外装体１１の内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとフレーム１２との間にセンサ２０、２０を配置する際に、外装体１１およびフレーム１２の寸法のバラツキ（公差）などによって、第２の変形層２３、２４が潰れるのを抑制することができる。すなわち、第１の変形層２８が第２の変形層２３、２４に代わって外装体１１およびフレーム１２の寸法のバラツキ（公差）などを吸収することができる。したがって、荷重感度におけるダイナミックレンジを向上することができる。

第１の変形層２８および第２の変形層２３、２４が、ダイナミックレンジの向上の観点から、以下の式（４）から（６）のうちの少なくとも１つの関係を満たしていることが好ましく、以下の式（４）から（６）のうちの少なくとも２つの関係を満たしていることがより好ましく、以下の式（４）から（６）の３つすべてを満たしていることが更により好ましい。例えば、少なくとも式（４）、（５）の関係を満たしていてもよいし、少なくとも式（４）、（６）の関係を満たしていてもよい。
第１の変形層２８の弾性率＜第２の変形層２３、２４の弾性率 ・・・（４）
第１の変形層２８の厚み＞第２の変形層２３、２４の厚み ・・・（５）
第１の変形層２８の面積占有率＜第２の変形層２３、２４の面積占有率 ・・・（６）

外装体１１の寸法のバラツキと、センサ２０の検出必要変位量との総和の範囲で、感度がノイズレベル以上、かつセンサ２０の感度のリニアリティ範囲内であることが好ましい。ここで、センサ２０の検出必要変位量とは、実際に加わる荷重に対する外装体１１の変形量の範囲を意味する

弾性率（２５％ＣＬＤ）は、好ましくは０．０４Ｍｐａ以下、より好ましくは０．０３Ｍｐａ以下である。弾性率が０．０４Ｍｐａを超えると、第１の変形層２８が硬くなりすぎるため、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。ここで、弾性率（２５％ＣＬＤ）は、ＪＩＳ Ｋ ６２５４に準拠して測定される値である。

第１の変形層２８の厚みは、好ましくは１０μｍ以上１０００μｍ以下である。第１の変形層２８の厚みが１０μｍ未満であると、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。一方、第１の変形層２８の厚みが１０００μｍを超えると、微小変形感度が低下する虞がある。

第１の変形層２８の面積積占有率は、好ましくは１００％以下、より好ましくは１０％以上１００％以下である。第１の変形層２８の面積積占有率が１００％以上を超えると、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。一方、第１の変形層２８の面積積占有率が、１０％未満であると、第１の変形層２８の加工が困難になる虞がある。

なお、スマートフォン以外の硬い筐体を有する電子機器に本技術を適用する場合にも、上記弾性率、厚みおよび面積占有率の数値範囲を採用することが好ましい。

（接着層）
接着層２５～２７は、例えば、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。接着剤としては、上述の第２の変形層２４の接着剤と同様のものを例示できる。

［電子機器の回路構成］
電子機器１０は、図８に示すように、２つのセンサ２０と、ＣＰＵ１３ｂと、ＩＣ１３ａと、ＧＰＳ部５１と、無線通信部５２と、音声処理部５３と、マイクロフォン５４と、スピーカ５５と、ＮＦＣ通信部５６と、電源部５７と、記憶部５８と、バイブレータ５９と、表示装置１４ａと、モーションセンサ６０と、カメラ６１とを備える。

ＧＰＳ部５１は、ＧＰＳ（Global Positioning System）と称されるシステムの衛星からの電波を受信して、現在位置の測位を行う測位部である。無線通信部５２は、例えばBluetooth（登録商標）の規格で他の端末と近距離無線通信を行う。ＮＦＣ通信部５６は、ＮＦＣ（Near Field Communication）の規格で、近接したリーダー／ライタと無線通信を行う。これらのＧＰＳ部５１、無線通信部５２およびＮＦＣ通信部５６で得たデータは、ＣＰＵ１３ｂに供給される。

音声処理部５３には、マイクロフォン５４とスピーカ５５とが接続され、音声処理部５３が、無線通信部５２での無線通信で接続された相手と通話の処理を行う。また、音声処理部５３は、音声入力操作のための処理を行うこともできる。

電源部５７は、電子機器１０に備えられたＣＰＵ１３ｂや表示装置１４ａなどに電力を供給する。電源部５７は、リチウムイオン二次電池などの二次電池、およびこの二次電池に対する充放電を制御する充放電制御回路などを備える。なお、図８には示さないが、電子機器１０は、二次電池を充電するための端子を備える。

記憶部５８は、ＲＡＭ（Random Access Memory）などであり、ＯＳ（Operating System）、アプリケーション、動画、画像、音楽および文書などの各種データを記憶する。

バイブレータ５９は、電子機器１０を振動させる部材である。例えば、電子機器１０は、バイブレータ５９により電子機器１０を振動して、電話の着信や電子メールの受信などを通知する。

表示装置１４ａは、ＣＰＵ１３ｂから供給される映像信号などに基づき、各種画面を表示する。また、表示装置１４ａの表示面に対するタッチ操作に応じた信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。

モーションセンサ６０は、電子機器１０を保持するユーザの動きを検出する。モーションセンサ６０としては、加速度センサ、ジャイロセンサ、電子コンパス、気圧センサなどが使用される。

カメラ６１は、レンズ群およびＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などの撮像素子を備え、ＣＰＵ１３ｂの制御に基づき静止画または動画などの画像を撮影する。撮影された静止画や動画などは記憶部５８に記憶される。

センサ２０は、高感度かつ位置分解能の高い圧力センサであり、センシング面２０Ｓに対応する押圧操作に応じた静電容量を検出し、それに応じた出力信号をＩＣ１３ａに出力する。

ＩＣ１３ａは、センサ２０を制御するためのファームウェアを記憶しており、センサ２０が有する各センシング部３０ＳＥの静電容量の変化（圧力）を検出し、その結果に応じた信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。

ＣＰＵ１３ｂは、ＩＣ１３ａから供給される信号に基づく、各種の処理を実行する。また、ＣＰＵ１３ｂは、ＧＰＳ部５１、無線通信部５２、ＮＦＣ通信部５６およびモーションセンサ６０などから供給されるデータを処理する。

［電子機器の各領域］
図９に示すように、センサ２０は、接続部４１を介してＩＣ１３ａに接続されている。ＩＣ１３ａとＣＰＵ１３ｂとはＩ^２Ｃなどのバス４３により接続されている。図９では、センサ２０が１６個のセンシング部３０ＳＥを有している場合が示されているが、センシング部３０ＳＥの個数はこれに限定されるものではなく、所望とするセンサ２０の特性に応じて適宜設定することが可能である。また、センサ２０の構成を理解しやすくするために、センシング面２０ＳがＸＺ面に平行となるように図示されているが、実際にはセンシング面２０ＳはＸＹ面に平行に維持されている。

（音量調整領域）
電子機器１０は、音量を調整するための音量調整領域１１ＶＲを側面１０ＳＲに有している。音量調整領域１１ＶＲを指で上方向（第１方向）にスライドさせることで、音量を上げることが可能であり、音量調整領域１１ＶＲを指で下方向（第２方向）にスライドさせることで、音量を下げることが可能である。ここで、上方向とは＋Ｘ軸方向を意味し、下方向とは－Ｘ軸方向を意味するものとする。なお、音量調整領域１１ＶＲは、スライド操作領域の一例である。

なお、図９に示した音量調整領域１１ＶＲの位置は一例であって、音量調整領域１１ＶＲの位置はこれに限定されるものではない。また、図９では、電子機器１０が、音量調整領域１１ＶＲを側面１０ＳＬのみに備える構成が示されているが、音量調整領域１１ＶＲを側面１０ＳＲ、１０ＳＬの両方に備えるようにしてもよい。

音量調整領域１１ＶＲは、２以上のセンシング部３０ＳＥを有している。ＩＣ１３ａは、音量調整領域１１ＶＲが有するセンシング部３０ＳＥから供給される信号に基づき、音量調整領域１１ＶＲに対して上方向または下方向にスライド操作がなされたか否かを判断する。上方向または下方向にスライド操作がなされたと判断された場合には、ＩＣ１３ａは、上方向または下方向にスライド操作がなされていることを通知する信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。

（カメラ保持領域）
電子機器１０は、側面１０ＳＲ、１０ＳＬそれぞれの両端にカメラ保持領域１１ＣＲを有している。ユーザが４つのカメラ保持領域１１ＣＲを指で保持すると、カメラプリケーションが自動的に起動する。カメラ保持領域１１ＣＲは、少なくとも１つのセンシング部３０ＳＥを有している。

ＩＣ１３ａは、各カメラ保持領域１１ＣＲが有するセンシング部３０ＳＥから供給される信号に基づき、ユーザが４つのカメラ保持領域１１ＣＲを指で保持されているか否かを判断する。４つのカメラ保持領域１１ＣＲが指で保持されていると判断された場合には、ＩＣ１３ａは、カメラプリケーションの起動を要求する信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。

（シャッター操作領域）
電子機器１０は、側面１０ＳＬの上方向の一端部にシャッター操作領域１１ＳＨＲを有している。なお、図９では、シャッター操作領域１１ＳＨＲと４つのカメラ保持領域１１ＣＲのうちの１つとが同一領域である場合が示されているが、異なる領域であってもよい。

ＩＣ１３ａは、シャッター操作領域１１ＳＨＲが有するセンシング部３０ＳＥから供給される信号に基づき、シャッター操作領域１１ＳＨＲが指で押圧されているか否かを判断する。シャッター操作領域１１ＳＨＲが指で保持されていると判断された場合には、ＩＣ１３ａは、シャッター操作（すなわち画像の取り込み操作）を要求する信号をＣＰＵ１３ｂに供給する。

［１．３ センサの動作］
次に、本技術の第１の実施形態に係るセンサ２０の動作について説明する。ＩＣ１３ａがパルス電極３２およびセンス電極３３の間、すなわちサブ電極３２ｂ、３３ｂ間に電圧を印加すると、サブ電極３２ｂ、３３ｂ間に電気力線（容量結合）が形成される。

センサ２０のセンシング面２０Ｓが押圧されると、第２の変形層２３、２４が弾性変形し、電極基材２１がセンサ電極部３０に向けて撓むと共に、センサ電極部３０が電極基材２２に向けて撓む。これにより、電極基材２１とセンサ電極部３０とが接近すると共に、センサ電極部３０と電極基材２２とが接近し、サブ電極３２ｂ、３３ｂ間の電気力線の一部が電極基材２１、２２に流れて、センシング部３０ＳＥの静電容量が変化する。ＩＣ１３ａは、この静電容量の変化に基づいて、センサ２０の一主面に加わる圧力を検出し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。

［１．４ 電子機器の動作］
次に、（１）ウェイクアップ操作、（２）スライド操作、（３）カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作、（４）右手／左手の検出機能における電子機器１０の動作について順次説明する。

（１）ウェイクアップ操作
ウェイクアップ操作は、ユーザがスリーピングモードにある電子機器１０を握ることで、ＣＰＵ１３ｂがスリーピングモードから復帰し、表示装置１４ａを駆動させるものである。ウェイクアップ操作の具体例としては、ユーザが、机の上に置かれているスリーピングモードの電子機器１０を取り上げ、電子機器１０を握ることで、表示装置１４ａの画面を表示させる例が挙げられる。

以下、図１０を参照して、ウェイクアップ操作時における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、ステップＳ１１の前にはＣＰＵ１３ｂはスリーピングモードにあり、図１０に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。なお、フレームとは、ＩＣ１３ａが接続されたセンサ２０に対してスキャン動作を行い、信号処理を経て圧力分布（静電容量分布）を得、その結果を元に（場合によっては過去複数フレーム間の時系列的な圧力分布変化も併せ）ユーザが行った入力操作を解釈し、必要に応じて上位制御部（ここではＣＰＵ１３ｂ）にユーザの入力操作内容を出力するまでの一連の処理、またはその期間を意味する。通常、ＩＣ１３ａは予め決められた一定時間毎にこのフレーム処理を繰り返す事により、ユーザの入力操作を解釈し、その結果をＣＰＵ１３ｂに出力する。

まず、ステップＳ１１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ１２において、ＩＣ１３ａは、全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ１２にて全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ１３において、ＩＣ１３ａはウェイクアップ割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。ウェイクアップ割り込み信号は、ＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ機能を実行させるための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、スリーピングモードからウェイクアップし、通常の起動状態に復帰する。一方、ステップＳ１２にて全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。

（２）スライド操作
スライド操作は、ユーザが側面１０ＳＬに設けられた音量調整領域１１ＶＲを指で上下方向にスライドすることで、電子機器１０の音量を調整する操作である。

以下、図１１を参照して、スライド操作時における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、スライド操作は、例えばホーム画面が表示されている状態で行うことができる操作であり、図１１に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。

まず、ステップＳ２１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ２２において、ＩＣ１３ａは、音量調整領域１１ＶＲに含まれるすべてのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ２２にて音量調整領域１１ＶＲに含まれるすべてのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ２３において、ＩＣ１３ａは、スライドする指の重心座標Ｘ_Ｇ（以下「スライダ座標Ｘ_Ｇ」という。）を計算する。具体的には、音量調整領域１１ＶＲに含まれる各センシング部３０ＳＥ（連続した複数のセンシング部３０ＳＥ）における出力値の重心値を、以下の式を用いて計算する。一方、ステップＳ２２にて音量調整領域１１ＶＲに含まれるすべてのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。

（但し、ｍ_ｉ：音量調整領域１１ＶＲのｉ番目のセンシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）、ｘ_ｉ：音量調整領域１１ＶＲのｉ番目のセンシング部３０ＳＥが配置された位置）

なお、センシング部３０ＳＥの番号は、側面１０ＳＬの長手方向の一端から他端に向けて（すなわち＋Ｘ軸方向に向けて）増加するものとする。また、座標ｘ_ｉの原点は、センシング部３０ＳＥの長手方向（すなわち＋Ｘ軸方向）における音量調整領域１１ＶＲの中央位置とする。

次に、ステップＳ２４において、ＩＣ１３ａは、前フレームにて計算したスライダ座標Ｘ_Ｇと、今回のフレームにて計算したスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分ΔＸ_Ｇ（＝（今回のフレームにて計算したスライダ座標Ｘ_Ｇ）－（前フレームにて計算したスライダ座標Ｘ_Ｇ））を計算する。次に、ステップＳ２５において、ＩＣ１３ａは、スライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値＋ΔＡ以上であるか否かを判断する。

ステップＳ２４にてスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値＋ΔＡ以上であると判断された場合には、ステップＳ２６において、ＩＣ１３ａは、スライダ操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。

一方、ステップＳ２４にてスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値＋ΔＡ以上でないと判断された場合には、ステップＳ２７において、ＩＣ１３ａは、スライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値－ΔＡ以下であるか否かを判断する。

ステップＳ２７にてスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値－ΔＡ以下であると判断された場合には、ステップＳ２８において、ＩＣ１３ａは、スライダ操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。一方、ステップＳ２７にてスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値－ΔＡ以下でないと判断された場合には、処理は終了となる。

ここで、スライダ操作検出割り込み信号は、スライド操作の検出およびスライド操作の方向をＣＰＵ１３ｂに通知するための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにスライダ操作検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、スライド操作の方向に応じて音量を調整する。具体的には、ＣＰＵ１３ｂは、スライド操作の方向が上方向である場合には（すなわちスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値＋ΔＡ以上である場合には）、音量を増加するように、音量調整を制御する。一方、スライド操作の方向が下方向である場合には（すなわちスライダ座標Ｘ_Ｇとの差分値が閾値－ΔＡ以下である場合には）、音量を減少するように、音量調整を制御する。

（３）カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作
カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作は、側面１０ＳＲ、１０ＳＬに設けられた４つのカメラ保持領域１１ＣＲをユーザが指で保持することにより、カメラプリケーションを自動的に起動する操作である。

以下、図１２を参照して、カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作時における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、カメラアプリケーションの自動立ち上げ操作は、例えばホーム画面が表示されている状態で行うことができる操作であり、図１２に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。

まず、ステップＳ３１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。この際、センサ２０の全てのセンシング部３０ＳＥの出力値を検出してもよいが、４つのカメラ保持領域１１ＣＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力値のみを検出するようにしてもよい。

次に、ステップＳ３２において、ＩＣ１３ａは、カメラモード中であることを通知する信号（以下「カメラモード通知信号」という。）がＣＰＵ１３ｂからから供給されているか否かを判断する。ステップＳ３２にてカメラモード通知信号がＣＰＵ１３ｂからから供給されていないと判断された場合には、ステップＳ３３において、ＩＣ１３ａは、４つのカメラ保持領域１１ＣＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ３３にて４つのカメラ保持領域１１ＣＲの出力の合計値が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ３４において、ＩＣ１３ａは、カメラ持ち操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。カメラ持ち操作検出割り込み信号は、カメラアプリケーションの起動をＣＰＵ１３ｂに通知するための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにカメラ持ち操作検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、カメラアプリケーションを起動する。一方、ステップＳ３３にて４つのカメラ保持領域１１ＣＲの出力の合計値が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。

ステップＳ３２にてカメラモード通知信号がＣＰＵ１３ｂからから供給されていると判断された場合には、ステップＳ３５において、ＩＣ１３ａは、シャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上であるか否かを判断する。なお、シャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの個数が１個のみである場合には、そのセンシング部３０ＳＥの出力が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ３５にてシャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上であると判断された合には、ステップＳ３６において、ＩＣ１３ａは、シャッター操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。シャッター操作検出割り込み信号は、シャッター操作（すなわち画像の取り込み操作）をＣＰＵ１３ｂに要求する信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにシャッター操作検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、画像を取り込み、記憶部５８に記憶する。一方、ステップＳ３５にてシャッター操作領域１１ＳＨＲに含まれるセンシング部３０ＳＥの出力の合計値が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。

なお、電子機器１０が、シャッター操作領域１１ＳＨＲによりフォーカス調整も行えるように構成されていてもよい。例えば、シャッター操作領域１１ＳＨＲを半押しすると、フォーカス調整が行われるようにしてもよい。具体的には、ＩＣ１３ａは、センシング部３０ＳＥの出力の合計値が第１の閾値以上第２の閾値未満と判断した場合には、フォーカス調整検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。フォーカス調整検出割り込み信号は、カメラ６１のカフォーカス調整をＣＰＵ１３ｂに要求するための信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂにフォーカス調整検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、カメラ６１のフォーカスを調整する。ＩＣ１３ａが第２の閾値以上と判断した場合には、シャッター操作検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。

（４）右手／左手の検出機能
右手／左手の検出機能は、ＩＣ１３ａが、ユーザが電子機器１０を右手および左手のいずれで保持しているかを判断し、保持している手に応じて画面表示（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を自動的に変更する機能である。具体的には、ユーザが電子機器１０を右手で保持していると判断した場合には、右手用の画面を表示し、ユーザが電子機器１０を左手で保持していると判断した場合には、左手用の画面を表示する。

例えば、アプリケーション表示であれば、ＩＣ１３ａは以下のように画面表示を自動的に変更する。すなわち、ＩＣ１３ａは、右手で電子機器１０を保持していると判断した場合には、右手の親指が届き易い範囲にメニューを整列するか、もしくは右手の親指が届き易いように、メニューを画面の中心位置から右手の親指が位置する側面１０ＳＲ側にずらして表示する。一方、ＩＣ１３ａは、左手で電子機器１０を保持していると判断した場合には、左手の親指が届き易い範囲にメニューを整列するか、もしくは左手の親指が届き易いように、メニューを画面の中心位置から左手の親指が位置する側面１０ＳＬ側にずらして表示する。

以下、図１３を参照して、右手／左手の検出機能における電子機器１０の動作について説明する。ここでは、右手／左手の検出機能は、ホーム画面またはメニュー画面などが表示されている状態で行うことができる操作であり、図１３に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。

まず、ステップＳ４１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ４２において、ＩＣ１３ａは、ステップＳ４１にて検出した各センシング部３０ＳＥの出力値に基づき、ユーザが電子機器１０を右手および左手のいずれで保持しているかを判断する。具体的には、ＩＣ１３ａは、全てのセンシング部３０ＳＥから出力される出力値（デルタ値）のプロファイルと、ＩＣ１３ａのメモリ内に予め記憶されている右手用および左手用のプロファイルとの相関性から、ユーザの持ち手を判断する。図１４は、ユーザが電子機器１０を左手で保持してときの出力値（デルタ値）のプロファイルの一例を示している。

ステップＳ４２にてユーザが電子機器１０を右手で保持していると判断された場合には、ステップＳ４３において、ＩＣ１３ａは、右手持ち検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。右手持ち検出割り込み信号は、右手持ち用の画面表示をＣＰＵ１３ｂに要求する信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂに右手持ち検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、右手持ち用の画面（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を表示する。

一方、Ｓ４２にてユーザが電子機器１０を左手で保持していると判断された場合には、ステップＳ４４において、ＩＣ１３ａは、左手持ち検出割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。左手持ち検出割り込み信号は、左手持ち用の画面表示をＣＰＵ１３ｂに要求する信号であり、ＩＣ１３ａからＣＰＵ１３ｂに左手持ち検出割り込み信号が供給されると、ＣＰＵ１３ｂは、左手持ち用の画面（例えばアプリケーション表示や操作メニュー表示など）を表示する。

［１．５ 効果］
第１の実施形態に係る電子機器１０は、外装体１１と、センシング面２０Ｓを有するセンサ２０と、外装体１１の内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとセンシング面２０Ｓとが対向するようにセンサ２０、２０を支持するフレーム１２と、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間に設けられた第１の変形層２８、２８とを備える。センサ２０は、複数のセンシング部３０ＳＥを有する静電容量式のセンサ電極部３０と、ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂと、電極基材２１とセンサ電極部３０との間に設けられた第２の変形層２３と、電極基材２２とセンサ電極部３０との間に設けられた第２の変形層２４とを備える。第１の変形層１８および第２の変形層２３、２４が、上記の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす。これにより、外装体１１の内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとフレーム１２との間にセンサ２０、２０を配置する際に、外装体１１およびフレーム１２の寸法のバラツキ（公差）などによって、第２の変形層２３、２４が潰れるのを抑制することができる。したがって、荷重感度におけるダイナミックレンジを向上することができる。

また、側壁部１１Ｒ、１１Ｌをセンシング面２０Ｓに向けて押圧すると、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬによりセンシング面２０Ｓが押圧される。したがって、ＩＣ１３ａにより電子機器１０の側面１０ＳＲ、１０ＳＬの押圧を検出することができる。

［１．６ 変形例］
（第１の変形層の配置形態の変形例）
第１の変形層２８が、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間に代えて、図１５Ａに示すように、センサ２０の裏面とフレーム１２の支持面１２ＳＲ、１２ＳＬとの間に設けられていてもよい。また、第１の変形層２８が、図１５Ｂに示すように、センシング面２０Ｓと内側面１１ＳＲ、１１ＳＬとの間、およびセンサ２０の裏面とフレーム１２の支持面１２ＳＲ、１２ＳＬとの間の両方に設けられていてもよい。

（センサの変形例）
上述の第１の実施形態では、センサ２０が電極基材２２を備える構成について説明したが、センサ２０が電極基材２２を備えていなくてもよい。但し、外部ノイズ（外部電場）がセンサ２０の裏面から内部に入り込むことを抑制する、すなわち外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下または誤検出を抑制するためには、センサ２０が電極基材２２を備えることが好ましい。

（センサ層の変形例）
上述の第１の実施形態では、センサ２０が相互容量方式のセンサ電極部３０を備える場合について説明したが、センサ２０が自己容量方式のセンサ層を備えるようにしてもよい。具体的には、センサ２０が、薄板状の電極を有するセンサ層を備え、この電極が、センサ層の面内方向に、当該センサ層のほぼ全体に広がっていてもよい。

（電極基材の変形例）
基材２１ａは無くてもよい。すなわち、センサ２０が、電極基材２１に代えてＲＥＦ電極層２１ｂを備えるようにしてもよい。同様に、基材２２ａも無くてもよい。すなわち、センサ２０が、電極基材２２に代えてＲＥＦ電極層２２ｂを備えるようにしてもよい。

また、図１６に示すように、センサ２０が電極基材２１および第１の変形層２８に代えて第１の変形層２８の機能を有するＲＥＦ電極層８１を備えるようにしてもよい。この場合、ＲＥＦ電極層８１が図示しない基材上に設けられていてもよい。なお、ＲＥＦ電極層８１は、ＲＥＦ電極層２１ｂの機能を有する第１の変形層とみなすこともできる。ＲＥＦ電極層８１は、導電材料と、発泡樹脂または絶縁性エラストマなどの誘電体とを含んでいる。導電材料は誘電体に分散されていることが好ましい。導電材料は、無機系導電材料および有機導電材料のうちの少なくとも１種である。無機系導電材料および有機導電材料としては、ＲＥＦ電極層２１ｂ、２２ｂに含まれるものと同様のものを例示することができる。ＲＥＦ電極層８１の具体例としては、信越化学製の導電ゴム（EC-20BH、EC-40BH、EC-20BM、EC-40BMなど）、寺岡製作所製の導電性布粘着テープ（1825）などが挙げられる。

同様に、センサ２０が電極基材２２に代えて、第１の変形層２８の機能を有するＲＥＦ電極層を備えるようにしてもよい。この場合にも、ＲＥＦ電極層が図示しない基材上に設けられていてもよい。なお、上記ＲＥＦ電極層は、ＲＥＦ電極層２２ｂの機能を有する第１の変形層とみなすこともできる。

（ＦＰＣの変形例）
図１７Ａに示すように、ＦＰＣ４０が長尺の矩形状を有していてもよい。この場合、ＦＰＣ４０の一端に設けられた接続部４１は、図１７Ｂに示すように、フレーム１２の支持面１２ＳＲの一端において屈曲され、支持面１２ＳＲの裏側の面にて接着層２９を介して貼り合わされていてもよい。ＦＰＣ４０に力が加わると、ノイズが発生するため、上記のように接続部４１をフレーム１２に固定することが好ましい。

図１８に示すように、基材３１が貫通孔としてのビアホール３３ｆ、３３ｇを有していてもよい。この場合、ビアホール３３ｆ、３３ｇは連結部３２ｃを間に挟むようにして設けられる。接続部３３ｄは、ビアホール３３ｆを介して基材３１の一主面から他主面に引き回されたのち、ビアホール３３ｇを介して他主面から一主面に戻るようにして、隣接する単位電極体３３ａ同士を接続する。これにより、ジャンパー配線などを用いずに、隣接する単位電極体３３ａ同士を接続できる。したがって、カバーレイフルムなどの絶縁層（図示せず）が厚くなって電極基材２１の変形を阻害することを抑制できる。また、ジャンパー配線などを用いる場合に比して単位電極体３３ａ同士を安定して接続できる。

また、上述の第１の実施形態では、基材３１の同一面にパルス電極３２およびセンス電極３３が設けられた構成について説明したが、基材３１の一方の面にパルス電極３２が設けられ、他方の面にセンス電極３３が設けられた構成を採用してもよい。この場合、単位電極体３２Ａ、３３Ａは、櫛歯状以外の形状を有していてもよく、例えば、メッシュ状、同心状または螺旋状などを有していてもよい。また、パルス電極３２とセンス電極３３との構成を入れ替えてもよい。

（センサの配置形態の変形例）
上述の第１の実施形態では、電子機器１０が外装体１１の側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬにそれぞれセンサ２０、２０を備える構成について説明したが、外装体１１の主面部１１Ｍの内側面にセンサ２０を備えるようにしてもよいし、フロントパネル１４の内側面にセンサ２０を備えるようにしてもよい。

（電子機器の動作の変形例）
ウェイクアップ操作時に電子機器１０が以下の動作を行うようにしてもよい。ＩＣ１３ａが、規定個数のフレーム連続して全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であるか否かを判断し、規定個数のフレーム連続して全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であると判断した場合に、ＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ割り込み信号を出力するようにしてもよい。電子機器１０が上記のように動作した場合には、電子機器１０の側面１０ＳＲ、１０ＳＬに物体が当たり瞬間的に衝撃が加えられた場合の誤検知を抑制できる。

また、ウェイクアップ操作時に電子機器１０が、図１９に示す以下の動作を行うようにしてもよい。まず、ステップＳ５１において、ＩＣ１３ａは、各センシング部３０ＳＥの出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ５２において、ＩＣ１３ａは、規定個数のフレーム連続して全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ５２にて規定個数のフレーム連続して全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ５３において、ＩＣ１３ａは、上記規定個数のフレームに続く規定個数のフレームに内に、全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以下となるフレームが少なくとも１つあるか否かを判断する。一方、ステップＳ５２にて規定個数のフレーム連続して全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。

ステップＳ５３にて規定個数のフレーム内に全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以下となるフレームが少なくとも１つあると判断された場合には、ウェイクアップ割り込み信号をＣＰＵ１３ｂに出力する。一方、ステップＳ５３にて規定個数のフレーム内に全てのセンシング部３０ＳＥの出力値の合計が閾値以下となるフレームが少なくとも１つないと判断された場合には、処理は終了となる。

電子機器１０が上記のように動作した場合には、満員電車などにおいて、鞄や衣服のポケットなどに収容した電子機器１０が長時間押圧された場合におけるウェイクアップ機能の誤作動を抑制できる。

また、ウェイクアップ操作時に電子機器１０が以下の動作を行うようにしてもよい。ＩＣ１３ａが、全てのセンシング部３０ＳＥのうち規定位置にあるセンシング部３０ＳＥの出力値が閾値以上であるか否かを判断し、規定位置にあるセンシング部３０ＳＥの出力値が閾値以上である判断した場合に、ＣＰＵ１３ｂにウェイクアップ割り込み信号を出力するようにしてもよい。

例えば、図２０Ａに示すように、一方の側面１０ＳＬにあるセンサ２０のセンシング部３０ＳＥが押圧されても、ＣＰＵ１３ｂは起動せずスリーピングモードが維持される。一方、図２０Ｂに示すように、両方の側面１０ＳＲ、１０ＳＬにあるセンサ２０、２０のセンシング部３０ＳＥのうち規定位置にあるセンシング部３０ＳＥが押圧されると、ＣＰＵ１３ｂはスリーピングモードからウェイクアップし、通常の起動状態に復帰する。

電子機器１０が上記のように動作した場合には、ユーザが意識的に特定の握り方をした場合にのみ、ＣＰＵ１３ｂはスリーピングモードからウェイクアップし、通常の起動状態に復帰する。したがって、ウェイクアップ機能の誤作動を抑制できる。また、電子機器１０のセキュリティ性を向上できる。

（スマートフォン以外の電子機器の例）
上述の第１の実施形態では、電子機器がスマートフォンである場合を例として説明したが、本技術はこれに限定されるものではなく、筐体などの外装体を有する種々の電子機器に適用可能である。例えば、パーソナルコンピュータ、スマートフォン以外の携帯電話、テレビ、リモートコントローラ、カメラ、ゲーム機器、ナビゲーションシステム、電子書籍、電子辞書、携帯音楽プレイヤー、スマートウオッチやヘッドマウンドディスプレイなどのウェアラブル端末、ラジオ、ステレオ、医療機器、ロボットに適用可能である。

（電子機器以外の例）
本技術は電子機器に限定されるものではなく、電子機器以外の様々なものにも適用可能である。例えば、電動工具、冷蔵庫、エアコン、温水器、電子レンジ、食器洗浄器、洗濯機、乾燥機、照明機器、玩具などの電気機器に適用可能である。更に、住宅をはじめとする建築物、建築部材、乗り物、テーブルや机などの家具、製造装置、分析機器などにも適用可能である。建築部材としては、例えば、敷石、壁材、フロアータイル、床板などが挙げられる。乗り物としては、例えば、車両（例えば自動車、オートバイなど）、船舶、潜水艦、鉄道車両、航空機、宇宙船、エレベータ、遊具などが挙げられる。

（その他の変形例）
第１の実施形態では、電子機器１０の側面１０ＳＲ、１０ＳＬに本技術を適用する例について説明したが、電子機器の背面または前面に本技術を適用してもよい。
第１の実施形態では、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬと第１の変形層２８との間に空間が設けられていてもよいし、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬと第１の変形層２８とが接するまたはほぼ接するように設けられていてもよいし、内側面１１ＳＲ、１１ＳＬと第１の変形層２８とが内側面１１ＳＲ、１１ＳＬにより第１の変形層２８が予め押圧されるように設けられていてもよい。

第１の実施形態では、電子機器１０が、電極基材２１とセンサ電極部３０との間に第２の変形層２３を備えると共に、電極基材２２とセンサ電極部３０との間に第２の変形層２４を備える例について説明したが、第２の変形層２３、２４のうち一方のみを備えるようにしてもよい。

第１の実施形態では、複数のセンシング部３０ＳＥがＸ軸方向に一列をなすように配置された例について説明したが、二列以上の列をなすように配置されていてもよい。
電子機器１０が、スライド操作領域として、スライド操作によりカメラのズームインおよびズームアウト操作が可能なズームイン／ズームアウト操作領域を側面１０ＳＲ、１０ＳＬに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、ズームイン／ズームアウト操作領域に対するスライド操作に応じて、カメラのズームインおよびズームアウトを制御するようにすればよい。

電子機器１０が、スライド操作領域として、スライド操作により画面スクロールまたはポインタ移動などの画面表示の操作を行うための画面操作領域を側面１０ＳＲ、１０ＳＬに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、画面操作領域に対するスライド操作に応じて、画面スクロールまたはポインタ移動などの画面表示を制御するようにすればよい。なお、音量調整領域ＶＲ、ズームイン／ズームアウト操作領域および画面操作領域は同一の領域であってもよいし、異なる領域であってもよい。

第２の変形層２３、２４のうちの少なくとも一方は無くてもよい。第２の変形層２３がない場合には、電極基材２１とセンサ電極部３０とは薄い接着層により貼り合わされる。一方、第２の変形層２４がない場合には、電極基材２２とセンサ電極部３０とは薄い接着層により貼り合わされる。

第２の変形層２３、２４が、所定の形状パターンを有していてもよいし、複数の柱状体により構成されていてもよい。所定の形状パターンとしては、第１の変形層２８の形状パターンと同様のものを例示することができる。

第１の変形層２８は、センサ２０のセンシング面２０Ｓおよび裏面の少なくとも一方に貼り合わされ、センサ２０のセンシング面２０Ｓおよび裏面に予め設けられていてもよいし、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬに貼り合わされ、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬに予め設けられていてもよいし、フレーム１２の支持面１２ＳＲ、１２ＳＬに貼り合わされて、フレーム１２の支持面１２ＳＲ、１２ＳＬに予め設けられていてもよい。

上述の第１の実施形態では、センサ２０が複数のセンシング部３０ＳＥを有する構成について説明したが、１つのセンシング部３０ＳＥを有する構成を採用してもよい。

上述の第１の実施形態では、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの内側面１１ＳＲ、１１ＳＬにセンサ２０、２０を設ける構成について説明したが、側壁部１１Ｒ、１１Ｌの外側面にセンサ２０、２０を設ける構成を採用してもよい。

シート・体重計などの機器の柔らかい筐体内または筐体外にセンサ２０を適用する場合には、第１の変形層２８の弾性率（２５％ＣＬＤ）は、好ましくは０．４Ｍｐａ以下、より好ましくは０．３Ｍｐａ以下である。弾性率が０．４Ｍｐａを超えると、第１の変形層２８が硬くなりすぎるため、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。ここで、弾性率（２５％ＣＬＤ）は、ＪＩＳ Ｋ ６２５４に準拠して測定される値である。
また、第１の変形層２８の厚みは、好ましくは１００μｍ以上１００００μｍ以下である。第１の変形層２８の厚みが１００μｍ未満であると、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。一方、第１の変形層２８の厚みが１００００μｍを超えると、変形感度が低下する虞がある。
また、第１の変形層２８の面積占有率は、好ましくは１００％以下、より好ましくは１０％以上１００％以下である。第１の変形層２８の面積積占有率が１００％を超えると、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。一方、第１の変形層２８の面積積占有率が１０％未満であると、第１の変形層２８の加工が困難になる虞がある。

感圧や突起などを検出する業務用機器などの、面内分布を高感度に計測する機器にセンサ２０を適用する場合には、第１の変形層２８の弾性率（２５％ＣＬＤ）は、好ましくは０．０４Ｍｐａ以下、より好ましくは０．０３Ｍｐａ以下である。弾性率が０．０４Ｍｐａを超えると、第１の変形層２８が硬くなりすぎるため、第１の変形層２８の機能が低下する虞があるからである。ここで、弾性率（２５％ＣＬＤ）は、ＪＩＳ Ｋ ６２５４に準拠して測定される値である。
また、第１の変形層２８の厚みは、好ましくは１０μｍ以上１０００μｍ以下である。
第１の変形層２８の厚みが１０μｍ未満であると、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。一方、第１の変形層２８の厚みが１０００μｍを超えると、微小変形感度が低下する虞がある。
また、第１の変形層２８の面積占有率は、好ましくは１００％以下、より好ましくは５０％以上１００％以下である。第１の変形層２８の面積積占有率が１００％を超えると、第１の変形層２８の機能が低下する虞がある。一方、第１の変形層２８の面積積占有率が５０％未満であると、面内感度均一性が劣化する虞がある。

＜２ 第２の実施形態＞
［２．１ 電子機器の構成］
本技術の第２の実施形態に係る電子機器１１０は、図２３に示すように、いわゆるスマートフォンであり、一方の主面が解放された薄い箱状を有する、外装体としての筐体１１１と、筐体１１１内に収容された基板１３と、解放された一方の主面を塞ぐように設けられたフロントパネル１４とを備える。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（筐体）
筐体１１１は、電子機器１０の裏面を構成する矩形板状の底部１１１Ｍと、この底部１１１Ｍの周縁に設けられた壁部１１１Ｎとを備える。壁部１１１Ｎは、底部１１１Ｍに対して垂直に立てられており、底部１１１Ｍの両長辺側に設けられた側壁部１１１Ｒ、１１１Ｌを有している。筐体１１１の厚みは、好ましくは１ｍｍ以上、例えば１．０８ｍｍまたは１．４ｍｍである。

側壁部１１１Ｒの外側面１１１ＳＡは、側壁部１１１Ｒの長さ方向（すなわち壁部１１１Ｎの周方向）に並んで設けられた窪み１１１Ａ、１１１Ｂを有している。窪み１１１Ａ、１１１Ｂは、擬似的なボリュームボタンとしての機能を有している。具体的には、一方の窪み１１１Ａを指で押圧すると、ボリュームアップ処理が実行されるのに対して、他方の窪み１１１Ｂを指で押圧すと、ボリュームダウン処理が実行される。

押圧部としての窪み１１１Ａ、１１１Ｂの長さは、窪み１１１Ａ、１１１Ｂそれぞれに指が一本かかるようにするために、好ましくは約１０ｍｍ以上約２０ｍｍ以下、例えば約１２ｍｍである。

以下、図２４、２５Ａ、２５Ｂ、２６を参照して、上述の擬似的なボリュームボタンとしての機能を実現するための押圧検出部の構成について説明する。筐体１１１は、図２４、図２５Ａ、２５Ｂに示すように、側壁部１１１Ｒの内側面１１１ＳＢに沿って設けられた溝部１１２を有している。この溝部１１２に、フィルム状を有する長尺のセンサ１２０、フィルム状を有する長尺の弾性体１５１およびフィルム状を有する長尺のスペーサ１５２が、それぞれの主面が内側面１１１ＳＢと平行になるようにして収容されている。なお、本技術においては、フィルムには、シートも含まれるものとする。また、センサ１２０、弾性体１５１およびスペーサ１５２のうちの少なくとも１つが、板状を有していてもよい。

溝部１１２内において、センサ１２０、弾性体１５１、スペーサ１５２は、内側面１１１ＳＢの側から遠ざかる方向にセンサ１２０、弾性体１５１、スペーサ１５２の順序で重ね合わされている。弾性体１５１は、センサ１２０に対して両面接着テープなどにより貼り合わされていてもよい。

第２の実施形態においては、筐体１１１とセンサ１２０とにより入力装置が構成される。この入力装置が、必要に応じて、基板１３をさらに備えていてもよい。

（弾性体）
弾性体１５１は、第１の実施形態の第１の変形層２８と同様である。

（スペーサ）
スペーサ１５２は、弾性体１５１と溝部１１２の側面との間に圧入されている。このようにスペーサ１５２を圧入することで、溝部１１２やセンサ１２０などの寸法のバラツキ（公差）により生じる隙間を埋めることができる。スペーサ１５２の幅方向の一端は、圧入を容易とするために、楔状となっている。スペーサ１５２は、弾性体１５１よりも高い弾性率を有している。スペーサ１５２は、例えば金属板、樹脂板またはそれらを積層した積層板などである。

スペーサ１５２の両端部には、一方の主面に垂直な方向に突出する突出部１５２Ａ、１５２Ｂが設けられている。そして、溝部１１２の両端には、突出部１５２Ａ、１５２Ｂを嵌め合わせるための窪み１１２Ａ、１１２Ｂが設けられている。

（センサ）
センサ１２０は、図２６に示すように、細長の矩形状を有し、センサ１２０の一方の長辺の中央から接続部１４１が延設されている。延設された接続部１４１の先端には、図２４に示すように、コネクタ１４２が設けられており、このコネクタ１４２が、基板１３に設けられた図示しないコネクタに接続される。センサ１２０の一方の主面が、押圧を検出するセンシング面１２０Ｓとなっており、センサ１２０は、センシング面１２０Ｓが内側面１１１ＳＢに押し付けられるようにして溝部１１２に収容されている。

センサ１２０と接続部１４１とは、Ｔ字状を有する１つのＦＰＣ１４０により一体的に構成されている。このような構成を採用することで、部品点数を減らすことができる。また、センサ１２０と基板１３との接続の衝撃耐久性を向上できる。但し、センサ１２０と接続部１４１とが別体で構成されていてもよい。この構成の場合、センサ１２０が、例えばリジッド基板またはリジッドフレキシブル基板で構成されていてもよい。

センサ１２０は、いわゆる感圧センサであり、図２７に示すように、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２を含むセンサ電極層１３０と、金属層１２１、１２２と、複数の支持体１２３と、接着層１２４とを備える。センサ１２０の幅は、好ましくは約２ｍｍ以上約４ｍｍ以下、例えば約２．５ｍｍである。取付構造を含めたセンサ１２０の厚み、好ましくは２ｍｍ以下、例えば１．５３ｍｍである。

金属層１２１とセンサ電極層１３０とは、金属層１２１とセンサ電極層１３０との主面同士が対向するように配置されている。複数の支持体１２３は、金属層１２１とセンサ電極層１３０との主面間に設けられ、金属層１２１とセンサ電極層１３０との間が離間するように、金属層１２１をセンサ電極層１３０の一方の主面にて支持する。

金属層１２２とセンサ電極層１３０とは、金属層１２２とセンサ電極層１３０との主面同士が対向するように配置されている。接着層１２４は、金属層１２２とセンサ電極層１３０との間に設けられ、金属層１２２とセンサ電極層１３０とを貼り合わせる。

金属層１２１、１２２は、センサ電極層１３０に電界または磁界について影響をあたえるために、どの電極とも接続せず配置されるか、またはグラウンド電圧の電極や電源電圧の電極と接続される場合がある。例えばグラウンド電圧の電極と接続する場合は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film)などの接続部材１３２Ａ、１３２Ｂを介してグランド電極端子１３１Ａ、１３１Ｂに接続する。または、グラウンド電圧の電極の１つとして、筐体へと金網状ガスケットや銅箔導電テープなどの導電素材で接続する。

（金属層）
金属層１２１、１２２は、例えば、可撓性を有する金属板である。金属層１２１、１２２は、例えば、アルミニウム、チタン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、銅、鉄などの単体、またはこれらを２種以上含む合金などを含む。合金の具体例としては、ステンレス鋼（Stainless Used Steel：ＳＵＳ）、アルミニウム合金、マグネシウム合金またはチタン合金などが挙げられる。

金属層１２１の厚みは、例えば３０μｍである。金属層１２２の厚みは、例えば金属層１２１の厚みと同様か、または金属層１２１の厚みよりも厚い。

なお、センサ１２０が、金属層１２１、１２２に代えて、第１の実施形態の電極基材２１、２２を備えるようにしてもよい。電極基材２１、２２としては、ＰＥＴフィルムと金属層とを備える導電性フィルム（例えばパナック株式会社製のアルペット（登録商標））が好ましい。電極基材２２の厚みは、例えば電極基材２１の厚みと同様か、または電極基材２１の厚みよりも厚い。

（支持体）
複数の支持体１２３は、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２の両端に対応する位置にて金属層１２１を支持可能なように、センサ１２０の長手方向に離して設けられている。支持体１２３は、例えば、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。支持体１２３は、センシング面１２０Ｓに加わる圧力により弾性変形してもよい。

（接着層）
接着層１２４は、例えば、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。接着層１２４は、センシング面１２０Ｓに加わる圧力により弾性変形してもよい。支持体１２３および接着層１２４としては共に、例えば厚さ３０μｍの両面テープを用いることができる。また、支持体１２３として例えば厚さ３０μｍの両面テープを用い、接着層１２４として例えば厚さ１００μｍの両面テープを用いることもできる。両面テープの厚みは、ＰＥＴ基材の有無またはＰＥＴ基材の厚みで調整するようにしてもよい。両面テープの具体例としては、日栄化工株式会社の商品名Ｎｅｏ Ｆｉｘの両面テープが挙げられる。

（センサ電極層）
センサ電極層１３０の一方の主面には、図２８に示すように、第１、第２電極１３４、１３５が設けられ、これらの第１、第２電極１３４、１３５により第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２が構成されている。センサ電極層１３０の一方の主面に、第１、第２電極１３４、１３５を覆うカバーレイフィルムなどの絶縁層（図示せず）がさらに設けられていてもよい。

第１、第２電極１３４、１３５は、櫛歯状を有し、櫛歯の部分を噛み合わせるようにして配置されている。具体的には、第１電極１３４は、線状を有する複数のサブ電極１３４Ａを備える。第２電極１３５は、線状を有する複数のサブ電極１３５Ａを備える。複数のサブ電極１３４Ａ、１３５Ａは、Ｘ軸方向に延設され、Ｙ軸方向に向かって所定間隔で交互に離間して設けられている。隣接するサブ電極１３４Ａ、１３５Ａは、容量結合を形成可能に構成されている。

隣接するサブ電極１３４Ａ、１３５Ａは、相互容量方式の２つの電極として動作するほか、自己容量方式の１つの電極として動作することもできる。また、隣接するサブ電極１３４Ａ、１３５Ａとの間の結合による静電容量を利用して、センシング兼ＬＣ共振回路の共振用のコンデンサーとして活用できる。

センサ電極層１３０が、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２に代えて、グランド電極端子１３１Ａ、１３１Ｂのような矩形の薄膜状の電極を備えるようにしてもよい。なお、薄膜状の電極の形状は、矩形状に限定されるものではなく、矩形状以外の形状を採用することも可能である。また、センサ電極層１３０の一方の主面に配置される薄膜状の電極の個数は、１個であってもよいし、複数個であってもよい。

また、ＦＰＣ１４０の一方の主面には、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２の周囲を囲むように線状のグランド電極１３６が設けられている。グランド電極１３６は、図２８Ｂに示すように、グランド電極端子１３１Ａに接続されている。また、図示しないが、グランド電極１３６は、グランド電極端子１３１Ｂにも接続されている。

第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２は、センサ１２０の長手方向に列を構成するようにして設けられている。隣接する第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２の間は、所定の間隔離されている。第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２はそれぞれ、窪み１１１Ａ、１１１Ｂに対応して設けられている。具体的には、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２がそれぞれ、側壁部１１１Ｒの厚さ方向に窪み１１１Ａ、１１１Ｂに重なるように設けられている。

［２．２ センサ、弾性体およびスペーサの配置手順］
まず、センサ１２０の他の主面に、弾性体１５１の一方の主面を貼り合わせる。次に、センシング面１２０Ｓが内側面１１１ＳＢに対向するように、センサ１２０を溝部１１２に挿入する。続いて、弾性体１５１と溝部１１２の側面との間に、スペーサ１５２を楔状となった一端が溝部１１２の底部に対向するようにして圧入する。

［２．３ 電子機器の動作］
以下、図２９を参照して、ボリューム操作時における電子機器１１０の動作について説明する。ここでは、図２９に示した処理は、例えば１フレーム内に実行されるものとする。

まず、ステップＳ６１において、ＩＣ１３ａは、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２の出力値（デルタ値）を検出する。次に、ステップＳ６２において、ＩＣ１３ａは、第１のセンシング部１３０ＳＥ１の出力値が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ６２にて第１のセンシング部１３０ＳＥ１の出力値が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ６３において、ＩＣ１３ａは、窪み１１１Ａが押圧されたことをＣＰＵ１３ｂに通知する。そして、通知を受けたＣＰＵ１３ｂは、ボリュームアップ処理を実行する。

ステップＳ６２にて第１のセンシング部１３０ＳＥ１の出力値が閾値以上でないと判断された場合には、ステップＳ６４において、ＩＣ１３ａは、第２のセンシング部１３０ＳＥ２の出力値が閾値以上であるか否かを判断する。

ステップＳ６４にて第２のセンシング部１３０ＳＥ２の出力値が閾値以上であると判断された場合には、ステップＳ６５において、ＩＣ１３ａは、窪み１１１Ｂが押圧されたことをＣＰＵ１３ｂに通知する。そして、通知を受けたＣＰＵ１３ｂは、ボリュームダウン処理を実行する。ステップＳ６４にて第２のセンシング部１３０ＳＥ２の出力値が閾値以上でないと判断された場合には、処理は終了となる。

［２．４ 効果］
第２の実施形態では、側壁部１１１Ｒの外側面１１１ＳＡには窪み１１１Ａ、１１１Ｂが設けられ、側壁部１１１Ｒの内側面１１１ＳＢには第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２を有するセンサ１２０が設けられている。そして、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２の位置はそれぞれ、窪み１１１Ａ、１１１Ｂの位置に対応している。これにより、窪み１１１Ａ、１１１Ｂに擬似的なボリュームボタンとしての機能を付与することができる。

［２．５ 変形例］
第２の実施形態では、センサ１２０が第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２を備える構成を例として説明したが、センシング部の数はこれに限定されるものではなく、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。

筐体１１１が金属筐体である場合には、センサ１２０が、金属層１２１を備えないようにしてもよい。この場合、支持体１２３が内側面１１１ＳＢに押し当てられ、内側面１１１ＳＢが支持体１２３により支持される。
また、スペーサ１５２が金属により構成されている場合は、金属層１２２を備えないようにしてもよい。この場合、スペーサ１５２が、接着層１２４によりセンサ電極層１３０に貼り合わされる。

スペーサ１５２に代えて、板ばねを用いるようにしてもよい。板バネとしては、例えば、Ｕ字状またはＷ字状などに曲げられた金属板を用いることができる。なお、金属板が長尺状を有する場合、金属板の曲げ方向は長手方向であってもよいし、幅方向であってもよい。

図３０Ａに示すように、センサ１２０が、センシング面１２０Ｓ（すなわち、金属層１２１の両主面のうち、センサ電極層１３０側とは反対側となる主面）に、複数の凸部１２５と複数の凸部１２６とを備えるようにしてもよい。

凸部１２５は、センシング部１３０ＳＥに対応する位置に設けられている。具体的には、凸部１２５は、センサ２０の厚さ方向にセンシング部１３０ＳＥと重なるように設けられている。一方、凸部１２６は、支持体１２３に対応する位置に設けられている。具体的には、凸部１２６は、センサ１２０の厚さ方向に支持体１２３と重なるように設けられている。

凸部１２５、１２６は、例えば、金属層１２１の一方の主面に樹脂材料を印刷する、または片面もしくは両面粘着フィルムなどの樹脂片を貼り合わせることで形成される。

凸部１２５の大きさは、センシング面１２０Ｓの長手方向の両端から中央に向かうにしたがって小さくなるようにしてもよい。これにより、センシング部１３０ＳＥの感度を調整することができる。また、凸部１２５は、凸部１２６よりも高いことが好ましい。

上述のように凸部１２５をセンシング面１２０Ｓに設けることで、溝部１１２やセンサ２１０などの寸法のバラツキ（公差）により生じる隙間（空隙）を埋め、センシング面１２０Ｓと側壁部１１１Ｒの内側面１１１Ｓとの接触を維持することができる。また、上述のように凸部１２６をセンシング面１２０Ｓに設けることで、凸部１２５を設けたことによりセンシング面１２０Ｓが変形しすぎてしまうことを抑制できる。したがって、ダイナミックレンジの低下を抑制できる。また、センシング面１２０Ｓの押圧時に、側壁部１１１Ｒの内側面１１１ＳＢを凸部１２６により支持することができる。したがって、側壁部１１１Ｒの内側面１１１ＳＢの変形をセンシング部１２０ＳＥに対応する部分に集中させることができる。

また、センシング面１２０Ｓに凸部１２５、１２６を設ける代わりに、側壁部１１１Ｒの内側面１１１ＳＢに凸部１２５、１２６を設けるようにしてもよい。

図３０Ｂに示すように、センサ１２０が、センシング面１２０Ｓとは反対側となる裏面（すなわち、金属層１２２の両主面のうち、センサ電極層１３０側とは反対側となる主面）に、変形層１２８をさらに備えるようにしてもよい。変形層１２８としては、第１の実施形態の第１の変形層２８と同様のものを用いることができる。変形層１２８としては、厚さ０．５ｍｍであるマイクロセルポリマーシート（株式会社ロジャースイノアック製、ＰＯＲＯＮ（登録商標））を用いることが好ましい。センサ１２０が変形層１２８を備えることで、溝部１１２やセンサ１２０などの寸法のバラツキ（公差）により生じる隙間を埋めることができる。

センサ１２０が変形層１２８を備える場合、金属層１２２と変形層１２８との間に複数の支持体１２７を備えるようにしてもよい。支持体１２７は、支持体１２３に対応する位置に設けられる。具体的には、支持体１２７は、センサ１２０の厚さ方向に支持体１２３と重なるように設けられる。支持体１２７としては、支持体１２３と同様のものを用いることができる。センサ１２０が支持体１２７を備えることで、変形層１２８によりセンサ１２０の裏面が押圧されて、金属層１２２がセンシング部１３０ＳＥに向けて変形することを抑制できる。

図３１に示すように、センサ１２０が、接着層１２４に代えて、複数の支持体１２９を備えるようにしてもよい。複数の支持体１２９は、金属層１２２とセンサ電極層１３０との主面間に設けられ、金属層１２２とセンサ電極層１３０との間が離間するように、金属層１２２をセンサ電極層１３０の他方の主面にて支持する。支持体１２９は、例えば、絶縁性を有する接着剤または両面接着テープにより構成される。支持体１２９は、センシング面１２０Ｓに加わる圧力により弾性変形してもよい。

図３２に示すように、センサ１２０と弾性体１５１とスペーサ１５２とを予め貼り合わせて積層体１５０を構成しておき、スペーサ１５２の幅方向の一端をセンサ１２０の方向に向けて屈曲または湾曲させることで、積層体１５０の幅方向の一端が楔状となるようにしてもよい。このような構成を採用することで、センサ１２０、弾性体１５１およびスペーサ１５２を溝部１１２に容易に圧入することができる。上記構成は、スペーサ１５２が薄い場合に特に有効である。スペーサ１５２が薄い場合には、第１の実施形態におけるようにスペーサ１５２を単体として溝部１１２に圧入することは難しい場合があるからである。

例えば、センサ１２０の厚みを０．５ｍｍ、弾性体１５１の厚みを０．５ｍｍ、スペーサ１５２の厚みを０．２ｍｍ、溝部１１２の幅を１ｍｍとした場合には、積層体１５０を溝部１１２に圧入した場合には、弾性体１５１が０．２ｍｍ潰れる。

スペーサ１５２の一端に設けられた屈曲部分または湾曲部分は、センサ１２０の裏面を押圧せず、かつセンサ１２０の裏面に接触もしないように設けられていることが好ましい。具体的には例えば、スペーサ１５２の屈曲部分または湾曲部分よりも内側の位置に弾性体１５１の幅方向の一端が位置するようにし、かつ屈曲部分の屈曲量または湾曲部分の湾曲量を、溝部１１２に積層体１５０を圧入した状態における弾性体１５１の厚さ以下とすることが好ましい。上記構成を採用することで、屈曲部分または湾曲部分が弾性体１５１を介してセンサ１２０の裏面を押圧しないようにすることができるため、センサ１２０のダイナミックレンジの低下を抑制することができる。

図３３Ａ、３３Ｂに示すように、電子機器１１０が、センサ１２０と弾性体１５１とをそれぞれの主面が内側面１１１ＳＢと平行になるように支持すると共に、弾性体１５１を介してセンサ１２０を内側面１１１ＳＢに対して押し付ける支持部材１５３を備えるようにしてもよい。この場合、センサ１２０のセンシング面１２０Ｓに凸部１２５が設けられていてもよい。

筐体１１１には、側壁部１１１Ｒの内側面１１１ＳＢの近傍に孔部１１３Ａ、１１３Ｂが設けられている。支持部材１５３は長尺の板状を有し、支持部材１５３の長手方向の両端には貫通孔１５３Ａ、１５３Ｂが設けられている。支持部材１５３は、ネジ１５４Ａ、１５４Ｂをそれぞれ貫通孔１５３Ａ、１５３Ｂを通すようにして孔部１１３Ａ、１１３Ｂに固定することで、内側面１１１ＳＢの近傍に固定される。

側壁部１１１Ｒの外側面１１１ＳＡが３つの窪み１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃを備えると共に、センサ１２０が窪み１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃに対応する３つのセンシング部を備えるようにしてもよい。この場合、窪み１１１Ａ、１１１Ｂの押圧によりボリューム増減の操作を行うことができ、窪み１１１Ｃの押圧により電源のオン／オフの操作を行うことができるようにしてもよい。

第２の実施形態では、側壁部１１１Ｒの外側面１１１ＳＡが、押圧位置（すなわち第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２に対応する位置）に窪み１１１Ａ、１１１Ｂを設ける構成を例として説明したが、押圧部を触覚的に把握可能とする構成はこれに限定されるものではない。例えば、凹凸の引っ掛かりを外側面１１１ＳＡに設けるようにしてもよいし、突起を外側面１１１ＳＡに設けるようにしてもよい。また、押圧部とその周辺部分との表面粗さを変化させてもよい。例えば、押圧部とその周辺部分とのうちの一方をざらついた表面とし、他方を平滑な表面としてもよい。また、押圧部とその周辺部分との体感温度を変えるようにしてもよい。例えば、押圧部とその周辺部分とのうちの一方を金属で構成し、他方を高分子樹脂で構成するようにしてもよい。

押圧部を触覚的に把握可能とする代わりに、押圧部を視覚的に把握可能としてもよいし、押圧部を触覚的および視覚的に把握可能としてもよい。押圧部を視覚的に把握可能とするためには、例えば、記号、文字、マーク、模様および色のうちの少なくとも１種を筐体１１１の外側面１１１ＳＡに印刷すればよい。また、押圧部に記号、文字、マークおよび模様のうちの少なくとも１種を筐体１１１の外側面１１１ＳＡに刻印するようにしてもよい。例えば押圧部にボリュームボタンの機能が付与されている場合には、押圧部に“＋”または“－”の記号を印刷または刻印すればよい。

センサ１２０が、静電容量変化により温度を検出するための温度検出用の電極部をさらに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、温度検出用の電極部の静電容量変化に基づき温度を検出し、検出した温度に基づき閾値（窪み１１１Ａ、１１１Ｂの押圧を判別するための閾値）を補正するようにしてもよい。温度検出用の電極部としては、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２と同様の構成を有する電極部を用いるようにしてもよい。

基板１３が温度検出部をさらに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、温度検出部により温度を検出し、検出した温度に基づき閾値（窪み１１１Ａ、１１１Ｂの押圧を判別するための閾値）を補正するようにしてもよい。

センサ１２０が、筐体１１１（具体的にはセンサ１２０）に加えられたねじり歪みで変形するが、外部から押圧されないように構成された歪み検出用の電極部をさらに備えるようにしてもよい。この場合、ＩＣ１３ａが、歪み検出用の電極部の静電容量変化に基づき歪みを検出し、検出した歪みに基づき閾値（窪み１１１Ａ、１１１Ｂの押圧を判別するための閾値）を補正するようにしてもよい。歪み検出用の電極部としては、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２と同様の構成を有する電極部を用いるようにしてもよい。

センサ１２０、弾性体１５１およびスペーサ１５２は、溝部１１２の長さ方向に複数に分割されていてもよい。これにより、筐体１１１に加えられたねじり歪みによるセンサ１２０の測定誤差を抑制することができる。また、溝部１１２が複数設けられ、それぞれの溝部１１２にセンサ１２０、弾性体１５１およびスペーサ１５２が収容されていてもよい。

センサ１２０においてセンサ電極層１３０の第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２は渦巻き状のコイル配線でもよい。この場合、第１、第２のセンシング部１３０ＳＥ１、１３０ＳＥ２の渦巻き状のコイル配線は、金属層１２１、１２２の変形を電界ではなく磁界の変動で検出する。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下のサンプルにおいて、弾性率（２５％ＣＬＤ）は、ＪＩＳ Ｋ ６２５４に準拠して測定された値である。

［サンプル１－１～１－４］
図２１に示す構成を有するセンサを作製した。なお、第１、第２の変化層としては、具体的には以下のものを使用した。
＜第１の変形層＞
材料：発泡体（株式会社イノアックコーポレーション製、PureCell Sシリーズ）
弾性率（２５％ＣＬＤ）：０．０１５ＭＰａ
厚み：０μｍ、６０μｍ、１００μｍ、２００μｍ
面積占有率：１００％
＜第２の変形層＞
材料：発泡体（株式会社イノアックコーポレーション製、PureCell S006）
弾性率（２５％ＣＬＤ）：０．０２８ＭＰａ
厚み：６０μｍ
面積占有率：１００％

［サンプル２－１～２－５］
第１の変形層として以下のものを使用したこと以外はサンプル１－１と同様にしてセンサを作製した。
＜第１の変形層＞
材料：発泡体（株式会社イノアックコーポレーション製、PureCell 020,S006,S010,S020または株式会社ロジャースイノアック製、PORON SR-S-20P）
弾性率（２５％ＣＬＤ）：０．０３６ＭＰａ、０．０２８ＭＰａ、０．０１５ＭＰａ、０．０１２ＭＰａ、０．００６ＭＰａ
厚み：２００μｍ
面積占有率：１００％

［サンプル３－１～３－４］
第１の変形層として以下のものを使用したこと以外はサンプル１－１と同様にしてセンサを作製した。
＜第１の変形層＞
材料：発泡体（株式会社イノアックコーポレーション製、PureCell S006）
弾性率（２５％ＣＬＤ）：０．０２８ＭＰａ
面積占有率：１００％。７５％、５０％、１０％

［サンプル４］
第１の変形層として厚み２０μｍ、面積占有率１１０％のＰＥＴ基材を使用したこと以外はサンプル１－１と同様にしてセンサを作製した。なお、上記ＰＥＴ基材の弾性率（２５％ＣＬＤ）は測定不可能であった。

［評価］
上述のようにして作製されたセンサについて、荷重と変位量との関係、および荷重とデルタとの関係を求めた。その結果を表１～表４、図２２に示す。

表１は、サンプル１－１～１－４のセンサの評価結果を示す。

表２は、サンプル１－１～１－４のセンサの構成および評価結果を示す。

表３は、サンプル２－１～２－５のセンサの構成および評価結果を示す。

表４は、サンプル３－１～３－４、４のセンサの構成および評価結果を示す。

図２２から、荷重変化に対するデルタは、第１の変形層の厚みによらずほぼ一定であるのに対して、荷重変化に対する変位は、第１の変形層の厚みの増加に応じて増加することがわかる。したがって、サンプル３－２～３－４では、第２の変形層の潰れを抑制でき、筐体およびセンサの厚みバラつきがあっても、感度を一定に保持できることがわかる。

表１、表２から、第１の変形層の厚みを厚くするに従って、センサの変位量が大きくなることがわかる。表３から、第１の変形層の弾性率を低くするに従って、センサの変位量が大きくなることがわかる。表４から、第１の変形層の面積占有率を小さくするに従って、センサの変位量が大きくなることがわかる。

以上、本技術の実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
外装体と、
第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
を備え、
前記感圧センサは、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
リファレンス電極層と、
前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
を備え、
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
（２）
前記第１の変形層および前記第２の変形層は、発泡樹脂を含んでいる（１）に記載の電子機器。
（３）
前記第１の変形層は、形状パターンを有している（１）または（２）に記載の電子機器。
（４）
前記外装体は、金属または高分子樹脂を含んでいる（１）から（３）のいずれかに記載の電子機器。
（５）
前記外装体は、側壁部を有し、
前記感圧センサおよび前記第１の変形層は、前記側壁部に設けられている（１）から（４）のいずれかに記載の電子機器。
（６）
前記外装体は、筐体である（１）から（５）のいずれかに記載の電子機器。
（７）
前記外装体は、該外装体を前記第１の面に向けて押圧することで、前記第１の面を押圧可能に構成されている（１）から（６）のいずれかに記載の電子機器。
（８）
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、上記式（１）から（３）のうちの少なくとも２つの関係を満たす（１）から（７）のいずれかに記載の電子機器。
（９）
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、上記式（１）から（３）のすべての関係を満たす（１）から（７）のいずれかに記載の電子機器。
（１０）
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（４）から（６）のうちの少なくとも１つの関係を満たす（１）から（９）のいずれかに電子機器。
前記第１の変形層の弾性率＜前記第２の変形層の弾性率 ・・・（４）
前記第１の変形層の厚み＞前記第１の変形層の厚み ・・・（５）
前記第１の変形層の面積占有率＜前記第１の変形層の面積占有率 ・・・（６）
（１１）
前記第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、
前記第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の電子機器。
（１２）
外装体と、
第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられ、導電材料を含む第１の変形層と
を備え、
前記感圧センサは、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
前記第１の変形層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
を備え、
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
（１３）
第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、
前記第１の面および前記第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
を備え、
前記感圧センサ本体は、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
リファレンス電極層と、
前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
を備え、
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサ。
前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
（１４）
外装体と、
第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
を備え、
前記感圧センサは、
センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
リファレンス電極層と、
前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
を備え、
前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす入力装置。
前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）

１０ 電子機器
１１ 外装体
１１Ｍ 主面部
１１Ｒ、１１Ｌ 側壁部
１１ＳＲ、１１ＳＬ 内側面
１１ＶＲ 音量調整領域
１１ＣＲ カメラ保持領域
１１ＳＨＲ シャッター操作領域
１２ フレーム
１２ＳＲ、１２ＳＬ 支持面
１３ 基板
１３ａ コントローラＩＣ
１３ｂ ＣＰＵ
１４ フロントパネル
１４ａ 表示装置
２０ センサ
２０Ｓ センシング面
２１、２２ 電極基材
２１ａ、２２ａ 基材
２１ｂ、２２ｂ リファレンス電極層
２３、２４ 第２の変形層
２５～２７ 接着層
２８ 第１の変形層
３０ センサ電極部
３０ＳＥ センシング部
３１ 基材
３２ パルス電極（第１電極）
３３ センス電極（第２電極）

Claims (18)

1. 高分子樹脂を含む外装体と、
   第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
   前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
   前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
   を備え、
   前記感圧センサは、
   センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
   リファレンス電極層と、
   前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
   を備え、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
   前記第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
   前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
   前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
   前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
2. 高分子樹脂を含む外装体と、
   第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
   前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
   前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
   を備え、
   前記感圧センサは、
   センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
   リファレンス電極層と、
   前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
   を備え、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
   前記第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
   前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
   前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
   前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
3. 高分子樹脂を含む外装体と、
   第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
   前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
   前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
   を備え、
   前記感圧センサは、
   センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
   リファレンス電極層と、
   前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
   を備え、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
   前記第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下であり、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
   前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
   前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
   前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
4. 金属を含む外装体と、
   第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
   前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
   前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
   を備え、
   前記感圧センサは、
   センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
   リファレンス電極層と、
   前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
   を備え、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
   前記第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
   前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
   前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
   前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
5. 金属を含む外装体と、
   第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
   前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
   前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
   を備え、
   前記感圧センサは、
   センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
   リファレンス電極層と、
   前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
   を備え、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
   前記第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
   前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
   前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
   前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
6. 金属を含む外装体と、
   第１の面および第２の面を有する感圧センサと、
   前記外装体と前記第１の面とが対向するように前記感圧センサを支持する支持体と、
   前記第１の面と前記外装体との間および前記第２の面と前記支持体との間の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
   を備え、
   前記感圧センサは、
   センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
   リファレンス電極層と、
   前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
   を備え、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
   前記第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下であり、
   前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たす電子機器。
   前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
   前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
   前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
7. 前記高分子樹脂は、アクリロニトリル、ブタジエンおよびスチレンの共重合合成樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ＰＣ－ＡＢＳアロイ樹脂のいずれか１つを含む請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
8. 前記金属は、アルミニウム、チタン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、銅、鉄、またはこれらを２種以上含む合金のいずれか１つを含む請求項４から６のいずれか１項に記載の電子機器。
9. 前記誘電体は、発泡樹脂を含む請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
10. 前記誘電体は、絶縁性エラストマを含む請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
11. 前記第１の変形層に含まれる前記誘電体は、絶縁性エラストマを含み、
    前記第２の変形層に含まれる前記誘電体は、発泡樹脂を含む請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
12. 前記外装体は、該外装体を前記第１の面に向けて押圧することで、前記第１の面を押圧可能に構成されている請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
13. 前記第１の変形層および前記第２の変形層が、上記式（１）から（３）のうちの少なくとも２つの関係を満たす請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
14. 前記第１の変形層および前記第２の変形層が、上記式（１）から（３）のすべての関係を満たす請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
15. 前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（４）から（６）のうちの少なくとも１つの関係を満たす請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
    前記第１の変形層の弾性率＜前記第２の変形層の弾性率 ・・・（４）
    前記第１の変形層の厚み＞前記第２の変形層の厚み ・・・（５）
    前記第１の変形層の面積占有率＜前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（６）
16. 第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、
    前記第１の面および前記第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
    を備え、
    前記感圧センサ本体は、
    センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
    リファレンス電極層と、
    前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
    を備え、
    前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
    前記第１の変形層の弾性率が、０．０４ＭＰａ以下であり、
    前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサ。
    前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
    前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
    前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
17. 第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、
    前記第１の面および前記第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
    を備え、
    前記感圧センサ本体は、
    センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
    リファレンス電極層と、
    前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
    を備え、
    前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
    前記第１の変形層の厚みが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、
    前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサ。
    前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
    前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
    前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）
18. 第１の面および第２の面を有する感圧センサ本体と、
    前記第１の面および前記第２の面の少なくとも一方に設けられた第１の変形層と
    を備え、
    前記感圧センサ本体は、
    センシング部を有する静電容量式のセンサ電極部と、
    リファレンス電極層と、
    前記リファレンス電極層と前記センサ電極部との間に設けられた第２の変形層と
    を備え、
    前記第１の変形層および前記第２の変形層が誘電体を含み、
    前記第１の変形層の面積占有率が、１０％以上１００％以下であり、
    前記第１の変形層および前記第２の変形層が、以下の式（１）から（３）のうちの少なくとも１つの関係を満たすセンサ。
    前記第１の変形層の弾性率≦前記第２の変形層の弾性率 ・・・（１）
    前記第１の変形層の厚み≧前記第２の変形層の厚み ・・・（２）
    前記第１の変形層の面積占有率≦前記第２の変形層の面積占有率 ・・・（３）

Images