JP7320862B2

JP7320862B2 - 膜及び製造プロセス

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Description

本発明は、エネルギー貯蔵ユニット用材料の技術分野に属し、具体的には、膜及び製造プロセスに関する。

工業の発展及び化石エネルギーの枯渇に伴い、環境汚染とエネルギー不足による圧力が高まっており、新しいエネルギーを見つけ、新しい省エネツールを開発することは急務となっている。

リチウムエネルギー貯蔵ユニットの負極材料が銅箔であり、従来の銅箔の最大厚さが６ミクロンしか達成できない。エネルギー貯蔵ユニット技術の発展に伴い、エネルギー貯蔵ユニットの体積及び重量の両方に対する要件が高まり、極薄エネルギー貯蔵ユニットの負極集電体構造が登場しており、プラスチック基材層上に銅層がメッキされていることにより、良好な厚さを実現できるものの、銅メッキ層は、プラスチック基材層との接合強度が低いので、エネルギー貯蔵ユニットの充放電中に剥離しやすい。
従来技術では、銅メッキ層は機能層であり、一回のメッキプロセス、即ち一回の電気メッキにより所望の厚さの銅層を製造するが、プロセスが複雑であり、コストが高く、また、一回のメッキにより膜面にしわやピンホールが多く発生し、抵抗率が低いなどの問題が生じる。

本発明の目的は、従来技術に存在している問題を解決して、コストが低く、プロセスがシンプルであり、外観性に優れる膜を提供することである。

本発明の別の目的は、コストが低く、プロセスがシンプルであり、外観性に優れる膜の製造プロセスを提供することである。

本発明の技術案は以下のとおりである。
膜であって、基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第１の複合銅層と第２の複合銅層とで構成され、前記第１の複合銅層は、金属銅を接着層の表面に加工することを１～５００回繰り返して形成するように構成され、前記第２の複合銅層は、金属銅を第１の複合銅層の表面に加工することを１～５００回繰り返して形成するように構成される。

第１の複合銅層は、ＰＶＤプロセスを１～３０回繰り返して形成され、第２の複合銅層は電気メッキプロセスを１～１０回繰り返して形成される。

前記機能層は、第１の複合銅層と、その外層に位置する第２の複合銅層で構成され、まず、接着層上に第１の複合銅層を堆積し、次に、第１の複合銅層上に第２の複合銅層をメッキしたものであり、前記第１の複合銅層の厚さが、第２の複合銅層の厚さより小さい。

第１の複合銅層と第２の複合銅層との厚さの和は３０～２５００ｎｍである。

膜であって、基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第１の複合銅層で構成され、前記第１の複合銅層は、金属銅を接着層の表面に加工することを２～５００回繰り返して形成するように構成される。

第１の複合銅層の厚さは１５～１５００ｎｍである。

基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第２の複合銅層で構成され、前記第２の複合銅層は、金属銅を接着層の表面に加工することを２～５００回繰り返して形成するように構成される。

第２の複合銅層の厚さは１５～１５００ｎｍである。前記接着層は金属材料層であり、前記金属材料層の金属は、ＴＩ、Ｗ、Ｃｒ、ＮＩ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種である。

前記接着層は非金属材料層であり、前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮＩＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である。

前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、ＴＩ、Ｗ、Ｃｒ、ＮＩ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属はＰＶＤＣ、ＮＩＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である。

前記金属材料層は、１～１０層の金属材料で構成される。

前記金属材料層は、１～２層の金属材料で構成される。

前記金属材料層の金属は前記Ｎｉ合金であり、前記Ｎｉ合金はＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＶ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＮｉＣｕ合金である場合、６０％～８０％のＮｉと、２０％～４０％のＣｕとからなり、
ＮｉＣｒ合金である場合、７０％～９０％のＮｉと、１０％～３０％のＣｒとからなり、
ＮｉＶ合金である場合、８０％～９５％のＮｉと、５％～２０％のＶとからなる。

前記金属材料層の金属は前記Ｃｒ合金であり、前記Ｃｒ合金は、ＣｒＣｕ合金、ＣｒＶ合金又はＣｒＣｏ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＣｒＣｕ合金である場合、６０％～９０％のＣｒと１０％～４０％のＣｕからなり、
ＣｒＶ合金である場合、４０％～８０％のＣｒと２０％～６０％のＶからなり、
ＣｒＣｏ合金である場合、６０％～９０％のＣｒと１０％～４０％のＣｏからなり、金属材料層の厚さは３～４０ｎｍである。

前記非金属材料層の非金属材料がＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）である場合、非金属材料層の厚さは１０～４０ｎｍである。

前記非金属材料層の非金属材料がＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である場合、非金属材料層の厚さは３～４０ｎｍである。

前記非金属材料層は１～１０層に設定される。

前記非金属材料層は１～２層に設定される。

非金属材料層の厚さは３～４０ｎｍである。

前記金属材料層は１～１０層に設定され、前記非金属材料層は１～１０層に設定される。

金属材料層の厚さは１．５～２８．５ｎｍであり、非金属材料層の厚さは１．５～３０ｎｍである。

前記保護層は金属材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｃｒ、ＮＩ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種である。

前記保護層は非金属材料層であり、前記保護層が非金属材料層である場合、前記非金属材料は、ブドウ糖錯体、二クロム酸カリウムのうちの１種である。

前記保護層は機能層外に設けられ、コーティングプロセスを１～２０回繰り返して形成される。

前記保護層の厚さは２～１００ｎｍである。

前記基材層の材料は、ＯＰＰ、ＰＥＴ、ＰＩ、ＰＳ、ＰＰＳ、ＣＰＰ、ＰＥＮ、ＰＶＣ、ＳＰＳ、ＰＥＥＫ、ＰＥＳ、ＰＰＳＵ、ＰＥ、不織布のうちの１種又は２種以上であり、２種以上の場合、共押出プロセスによって基材層を製造する。

前記基材層の厚さは１．２～１２μｍである。

好ましい基材層の厚さは１．２～６μｍである。

本発明の別の目的は下記技術案によって実現され、
膜製造方法であって、
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を２～５００回繰り返して形成した第１の複合銅層の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
金属材料保護層又は非金属材料保護層を機能層外に形成するステップ３とを含む。

膜製造方法であって、
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を２～５００回繰り返して形成した第２の複合銅層の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
機能層外に保護層を形成するステップ３とを含む。

基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を接着層外に加工することを１～５００回繰り返した第１の複合銅層と、金属銅を第１の複合銅層に加工することを１～５００回繰り返した第２の複合銅層とである機能層を接着層外に形成するステップ２と、
金属材料保護層又は非金属材料保護層を機能層外に形成するステップ３とを含む膜製造方法。

前記ステップ１であるＳ１において、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス又はＡＬＤプロセスのうちの１種によって基材層の正面と裏面に接着層を形成し、
前記ステップ２であるＳ２において、Ｓ１で接着層がメッキされている基材層について、ＰＶＤプロセス、水電気メッキプロセス又はＣＶＤプロセスのうちの１種によって、接着層がメッキされている基材層面に一層の銅メッキ層を形成し、必要に応じて毎回５～２５００ｎｍ堆積し、２～５００回繰り返して、総厚さが標準に達する機能層を得る。

前記ステップ３であるＳ３において、Ｓ２で処理した機能層付きの基材層について、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、電気メッキプロセス又は表面塗布プロセスのうちの１種によって、機能層面上に保護層を形成する。

前記接着層が金属材料層である場合、そのプロセスはマグネトロンスパッタリングプロセスであり、前記接着層が非金属材料層である場合、前記非金属材料層のプロセス方法は、ＣＶＤプロセス、又はＡＬＤプロセスのうちの１種であり、ＣＶＤプロセスは、ＣＶＤ直接反応酸化物製造プロセス、ＣＶＤイオン支援酸化プロセス、ＣＶＤ反応による他の化合物製造プロセス、酸化反応マグネトロンプロセスのうちの１種を含む。

前記機能層が第１の複合銅層と第２の複合銅層である場合、前記第１の複合銅層のプロセス方法はＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセスのうちの１種であり、第２の複合銅層のプロセス方法は、水電気メッキプロセス、化学メッキプロセスのうちの１種である。

機能層の表面層が第１の複合銅層である場合、前記保護層は金属材料層であり、機能層の表面層が第２の複合銅層である場合、保護層は非金属材料層である。

前記保護層が金属材料層である場合、その製造プロセス方法はＰＶＤプロセスであり、前記保護層が非金属材料層である場合、その製造プロセス方法は水電気メッキプロセスと表面塗布プロセスのうちの１種である。本発明の有益な効果は以下のとおりである。
１、本発明では、従来の単一銅層の代わりに複合銅層が使用されることにより、その製造コストが大幅に下がり、プロセスがシンプルであり、加工効率が高くなる。また、単一プロセスの代わりにマルチプロセスが使用されることにより、銅メッキ効率がより高くなり、コストがより低くなる、それにより、プロセスの複雑さ、難度が大幅に低下し、プロセスコストが低減し、また銅メッキ効率が向上する。

２、本発明によれば、膜の導電性を満たすとともに、製品の膜面にしわが発生することはなく、ピンホールや欠陥が減少し、外観性に優れる。

３、このように製造して成形された膜は、両面ともに導電特性を有し、膜面のスクエア抵抗が１００００～５ｍΩであり、膜面抵抗率が１．８×１０Ｅ^－８～２．５×１０Ｅ^－８Ω・ｍであり、膜面ＴＤとＭＤ破断伸びが６％以上であり、膜面ＴＤとＭＤ抗張強度が２００ＭＰａ以上であり、表面張力試験ダイン値が４２以上である。

本発明のＰＡＢ１Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡＢ２Ｂ１Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡＢ１Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡＢ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２ＢＣ構造模式図である。本発明のＰＡ２Ａ１ＢＣ構造模式図である。本発明のＰＡ１ＢＣ構造模式図である。本発明のＰＡ２ＢＣ構造模式図である。本発明のＰＡＢＣ１構造模式図である。本発明のＰＡＢＣ２構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２Ｂ１Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２Ｂ１Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ｂ１Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ｂ１Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ２Ｂ１Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ２Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ２Ｂ１Ｂ２Ｃ構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２ＢＣ１構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２ＢＣ２構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２Ｂ１Ｂ２Ｃ１構造模式図である。本発明のＰＡ１Ａ２Ｂ１Ｂ２Ｃ２構造模式図である。

本発明の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下、図面及び実施例を参照しながら、本発明をさらに詳しく説明する。なお、ここで説明される具体的な実施例は本発明を解釈するためのものに過ぎず、本発明を限定するものではない。

実施例１
図１に示すように、膜は、前記構造基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに、接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第１の複合銅層及び／又は第２の複合銅層で構成される。

本実施例の形態として、機能層は第１の複合銅層で構成され、第１の複合銅層は堆積プロセスを２～５００回繰り返して形成される。

一回のメッキを複数回のメッキに変更し、つまり、毎回厚さの小さい銅層をメッキし、次に二層目の銅層をメッキし、２～５００回繰り返すことにより、膜が求められる導電性を満たすとともに、プロセスを簡素化させ、コストを削減させ、また、膜面にしわが発生することはなく、ピンホールがなく、外観性に優れており、このように製造して成形された膜は、両面ともに導電特性を有し、膜面のスクエア抵抗が１００００～５ｍΩであり、膜面抵抗率が１．８×１０Ｅ^－８～２．５×１０Ｅ^－８Ω・ｍであり、膜面ＴＤとＭＤ破断伸びが３％以上であり、膜面ＴＤとＭＤ抗張強度が２００ＭＰａ以上であり、表面張力試験ダイン値が３８以上である。

上記した機能層の表面スクエア抵抗及び抵抗率は、テストした結果、いずれもエネルギー貯蔵ユニットの加工パラメータに達し、極薄負極集電体に求められる性能を満たす。

各繰り返し加工回数の場合の第１の複合銅層のパラメータ及び外観性を下記表に示す。

上記データから、第１の複合銅層の加工厚さが一致している場合、回数が多いほど、プロセスコストの増加が大きく、外観性がいずれも良好な状態に維持されることが分かった。厚さの一致性が低くなる。したがって、好ましくは２～３０回繰り返す。

機能層が第１の複合銅層である場合、第１の複合銅層の厚さは１５～１５００ｎｍであり、
膜製造方法は、
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を２～５００回繰り返して加工した第１の複合銅層の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
金属材料保護層又は非金属材料保護層を機能層外に形成するステップ３とを含む。

実施例２
本発明の膜の一実施形態として、図２に示すように、本実施例の主要な技術案は実施例１とほぼ同じであり、本実施例において説明されていない特徴については、実施例１に記載の説明を参照すればよく、ここでは再度言及しない。本実施例では、機能層は第２の複合銅層で構成され、第２の複合銅層は堆積プロセスによって２～５００回繰り返して形成される点で実施例１と異なる。

前記機能層は、コーティングプロセスを２～５００回繰り返して形成される。

機能層が第２の複合銅層である場合、第２の複合銅層の厚さは１５～１５００ｎｍである。

第２の複合銅層の加工厚さが一致している場合、回数が異なると、回数が多いほど、プロセスコストの増加が多く、好ましくは２～５０回である。

前記接着層は非金属材料層であり、前記非金属は、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である。非金属材料層は接着層として、化学安定性により優れ、耐食性を有し、エネルギー貯蔵ユニット構造における接着層の安定性が効果的に向上し、負極集電体全体の耐用年数が長くなる。

前記非金属材料層は１～１０層に設定され、好ましくは１～２層に設定される。このように設計される非金属材料層は、性能に優れ、コストが低く、プロセスがシンプルである。

非金属材料層の厚さは３～３０ｎｍである。膜製造方法は、
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を２～５００回繰り返して加工した第２の複合銅層の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
機能層外に保護層を形成するステップ３と、を含む。

実施例３
本発明の膜の一実施形態として、図３に示すように、本実施例の主要な技術案は実施例１、実施例２とほぼ同じであり、本実施例において説明されていない特徴については、実施例１、実施例２に記載の説明を参照すればよく、再度言及しない。本実施例は最良な実施例である点で実施例１、実施例２と異なる。本実施例の形態として、機能層は第１の複合銅層と第２の複合銅層とで構成され、第１の複合銅層はＰＶＤプロセスによって１～５００回堆積して形成され、第２の複合銅層は電気メッキプロセスを１～５００回経て形成される。

好ましくは、第１の複合銅層は堆積プロセスを１～３０回繰り返したものであり、第２の複合銅層はコーティングプロセスを１～１０回繰り返したものである。

前記機能層は、第１の複合銅層と、その外層に付着された第２の複合銅層で構成され、まず、接着層上に第１の複合銅層を堆積し、次に、第１の複合銅層上に第２の複合銅層をメッキし、第１の複合銅層の厚さが、第２の複合銅層の厚さより小さい。ＰＶＤプロセスは、電気メッキプロセスよりもコストが高く、このため、第１の複合銅層の厚さが第２の複合銅層の厚さより小さい場合、総加工コストが効果的に下がる。前記複合銅層は第１の複合銅層と第２の複合銅層であり、前記第１の複合銅層のプロセス方法は、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセスのうちの１種であり、第２の複合銅層のプロセス方法は、水電気メッキプロセス、化学メッキプロセスのうちの１種である。

機能層が第１の複合銅層と第２の複合銅層である場合、第１の複合銅層と第２の複合銅層との厚さの和は３０～２５００ｎｍである。

第１の複合銅層と第２の複合銅層の加工厚さが一致している場合、回数が異なって、比較データを下記表に示す。

前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｃｒ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１つである。金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層は、金属材料層の導電性、物理的性能を備えるとともに、非金属材料層の耐食特性を有し、使用する際に、接着強度を効果的に確保し、適用範囲が広く、性能に優れている。

接着層のコストが大幅に低下し、ニッケルに比べて、合金及び非金属材料を使用することにより、接着層のコストを約２０％低下させ、堆積効率を２０％高める。

前記金属材料層は１～１０層の金属材料で構成される。本発明の金属材料層は、コーティング又は堆積プロセスによって、金属材料をプラスチック基材層の表面に堆積したものである。

前記金属材料層は１～２層の金属材料で構成される。結合強度及びプロセスコストから、１～２層が好ましい。

前記金属材料層の金属は前記Ｎｉ合金であり、前記Ｎｉ合金は、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＶ合金のうちの１種であり、
前記金属材料層の金属は前記Ｎｉ合金であり、前記Ｎｉ合金は、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＶ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＮｉＣｕ合金である場合、６０％～８０％のＮｉと、２０％～４０％のＣｕからなり、
ＮｉＣｒ合金である場合、７０％～９０％のＮｉと、１０％～３０％のＣｒからなり、
ＮｉＶ合金である場合、８０％～９５％のＮｉと、５％～２０％のＶからなる。

前記金属材料層の金属は前記Ｃｒ合金であり、前記Ｃｒ合金は、ＣｒＣｕ合金、ＣｒＶ合金又はＣｒＣｏ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＣｒＣｕ合金である場合、６０％～９０％のＣｒと、１０％～４０％のＣｕからなり、
ＣｒＶ合金である場合、４０％～８０％のＣｒと、２０％～６０％のＶからなり、
ＣｒＣｏ合金である場合、６０％～９０％のＣｒと、１０％～４０％のＣｏからなる。

上記成分のクロム合金を用いると、堆積効率は約２０％向上し、プロセスの難度は大幅に低下する。

金属材料層の厚さは３～３０ｎｍである。上記のような範囲を採用する手段による金属材料層は、スクエア抵抗が良好であり、安定性に優れ、コストが低く、約５０％の原料コストを下げることができ、より薄くすることができ、繰り返して堆積又はメッキすることにより、結合強度を保持しながら、より薄くし、原料コストを下げる。

金属材料層は１～２層であり、非金属材料層は１～２層である。このような設計によれば、コスト及び性能の優位性を兼ねる。

金属材料層の厚さは１．５～２８．５ｎｍであり、非金属材料層の厚さは１．５～３０ｎｍであり、非金属材料層の材料がＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である場合、非金属材料層の厚さは８～１５ｎｍ、接着層の厚さは３～４０ｎｍである。

実施例４
本発明の膜の一実施形態として、本実施例の主要な技術案は実施例１、実施例２、実施例３とほぼ同じであり、本実施例において説明されていない特徴については、実施例１、実施例２、実施例３に記載の説明を参照すればよく、再度言及しない。本実施例では、前記基材層は、ＯＰＰ、ＰＥＴ、ＰＩ、ＰＳ、ＰＰＳ、ＣＰＰ、ＰＥＮ、ＰＶＣ、ＳＰＳ、ＰＥＥＫ、ＰＥＳ、ＰＰＳＵ、不織布のうちの１種又は２種以上であり、共押出プロセスにより加工されるものである点で実施例１、実施例２、実施例３と異なる。上記基材層の材料は、物理的性能を満たすとともに、より薄くすることができ、加工がより容易になり、物理的性能及び化学的性能に優れる。

前記基材層の厚さは１．２～１２μｍである。好ましくは基材層の厚さは１．２～６μｍである。

実施例５
本発明の膜の一実施形態として、本実施例の主要な技術案は実施例１、実施例２、実施例３とほぼ同じであり、本実施例において説明されていない特徴については、実施例１、実施例２、実施例３に記載の説明を参照すればよく、再度言及しない。本実施例では、前記保護層は金属材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍ合金、Ｃｒ合金のうちの１種である点で実施例１、実施例２、実施例３と異なる。前記保護層は非金属材料層であってもよく、前記非金属材料層の非金属材料は、ブドウ糖錯体、二クロム酸カリウムのうちの１種である。

前記保護層は機能層外に設けられ、コーティングプロセスを１～２０回繰り返したものである。

前記保護層の厚さは２～１００ｎｍである。

前記金属材料層の金属は前記Ｎｉ合金であり、前記Ｎｉ合金は、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＶ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＮｉＣｕ合金である場合、６０％～８０％のＮｉと、２０％～４０％のＣｕからなり、
ＮｉＣｒ合金である場合、７０％～９０％のＮｉと、１０％～３０％のＣｒからなり、
ＮｉＶ合金である場合、８０％～９５％のＮｉと、５％～２０％のＶからなる。

非金属材料層は、化学安定性が高く、極めて優れた耐食性を有する一層の有機物保護層を、機能層の表面に形成する。合金金属層は、高温では防腐性を発揮する一層のハイブリッドパッシベーション膜を機能層の表面に形成する。

元素金属は、高温では防腐性を発揮する一層のハイブリッドパッシベーション膜を機能層の表面に形成する。

実施例６
本発明の膜の一実施形態として、本実施例の主要な技術案は実施例１、実施例２、実施例３とほぼ同じであり、本実施例において説明されていない特徴については、実施例１、実施例２、実施例３に記載の説明を参照すればよく、再度言及しない。本実施例では、以下の点で実施例１、実施例２、実施例３と異なる。
膜製造方法であって、
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を接着層外に加工することを１～５００回繰り返した第１の複合銅層と、金属銅を第１の複合銅層に加工することを２～５００回繰り返した第２の複合銅層とである機能層を接着層外に形成するステップ２と、
金属材料保護層又は非金属材料保護層を機能層外に形成するステップ３とを含む。

上記プロセスを用いると、材料コストを効果的に下げ、従来技術よりも優れた物理的性能及び化学的性能を得ることができ、材料コストを効果的に下げることができ、
前記ステップ１であるＳ１において、抵抗式蒸発プロセス、高周波坩堝蒸発プロセス、電子ビーム熱蒸発プロセス、ＣＶＤ直接反応酸化物製造プロセス、ＣＶＤイオン支援酸化プロセス、ＣＶＤ反応他の化合物の製造プロセス、マグネトロンスパッタリングプロセス、酸化反応マグネトロンプロセス、又はＡＬＤプロセスのうちの１種によって、基材層の正面と裏面に接着層を形成し、
技術パラメータは、ニッケルを接着層として用いる場合とほぼ同じであるが、材料コストを効果的に下げ、従来技術よりも優れた物理的性能及び化学的性能を得ることができ、材料コストを効果的に下げる。

前記ステップ２であるＳ２において、Ｓ１で接着層がメッキされている基材層については、ＰＶＤプロセス、水電気メッキプロセス又はＣＶＤプロセスのうちの１種によって、接着層又は一部の機能層がメッキされている基材層面に一層の銅メッキ層を形成し、必要に応じて毎回５～２５００ｎｍ堆積し、２～５００回繰り返して、総厚さが標準に達する機能層を得る。

前記ステップ３であるＳ３において、Ｓ２で処理した機能層付きの膜については、ＰＶＤプロセス、水電気メッキプロセス、表面塗布プロセス又は化学反応プロセスのうちの１種によって、機能層面上に一層のメッキ層である保護層を形成する。

前記接着層が金属材料層である場合、そのプロセスはマグネトロンスパッタリングプロセスであり、前記接着層が非金属材料層である場合、前記非金属材料層のプロセス方法は、ＣＶＤ直接反応酸化物製造プロセス、ＣＶＤイオン支援酸化プロセス、ＣＶＤ反応他の化合物の製造プロセス、酸化反応マグネトロンプロセス、ＡＬＤプロセスのうちの１種である。上記プロセスの組み合わせを用いる場合、加工効率が最高である。

前記複合銅層は第１の複合銅層と第２の複合銅層であり、前記第１の複合銅層のプロセス方法は、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセスのうちの１種であり、第２の複合銅層のプロセス方法は、水電気メッキプロセス、化学メッキプロセスのうちの１種である。上記プロセスの組み合わせを用いる場合、加工効率が高い。

機能層の表面層が第１の複合銅層である場合、前記保護層は金属材料層であり、機能層の表面層が第２の複合銅層である場合、保護層は非金属材料層である。上記プロセスの組み合わせを用いる場合、加工効率が高い。

前記保護層が金属材料層である場合、その製造プロセス方法はＰＶＤプロセスであり、前記保護層が非金属材料層である場合、その製造プロセス方法は、水電気メッキプロセスと表面塗布プロセスのうちの１種である。上記プロセスの組み合わせを用いる場合、加工効率が最高であり、プロセスコストが低くなる。

接着層のプロセスの手順は以下のとおりである。
Ｓ１－１．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－４～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、蒸発源として坩堝高周波加熱、抵抗加熱又は電子ビーム加熱を用いて、蒸発源の蒸着原料としてクロム、ニッケル合金、クロム合金又は非金属ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｓｉ０_２又はＡ_１２０_３（純度≧９９．９％）とし、巻き取り・巻き出し速度を適切に調整して、蒸発した原子又は分子が移動している基材層上に一層の接着層を形成する。（ＰＶＤ）
Ｓ１－２．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－４～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、蒸発源として坩堝高周波加熱、抵抗加熱又は電子ビーム加熱を用いて、蒸発源付近又は蒸発源からドラムに密着している膜の表面までの間又はメインドラム付近の酸素供給機構の酸素導入構造により圧縮酸素ガスを導入し、通気量を適切に調整する。蒸発源の蒸着原料として金属アルミ線、アルミインゴット、ケイ素（純度≧９９．９％）を用い、巻き取り・巻き出し速度を適切に調整して、蒸発した原子が酸素と反応して移動している基材層上に一層のＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）又はＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である接着層を形成する。（ＣＶＤ直接反応酸化物製造）
Ｓ１－３．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－４～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、蒸発源として坩堝高周波加熱、抵抗加熱又は電子ビーム加熱を用いて、蒸発源付近又は蒸発源からドラムに密着している膜の表面までの間又はメインドラム付近の酸素供給機構の酸素導入構造により圧縮酸素ガスを導入し、また蒸発源付近又は蒸発源からドラムに密着している膜の表面までの間又はメインドラム付近にイオン支援堆積設備を増設して酸素をイオン化し、電流、電圧及び通気量を適切に調整する。蒸発源の蒸着原料として金属アルミ線、アルミインゴット、ケイ素（純度≧９９．９％）を用い、巻き取り・巻き出し速度を調整して、蒸発した原子が酸素と反応して、移動している基材層上に一層のＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）又はＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である接着層を形成する。（ＣＶＤイオン支援酸化）
Ｓ１－４．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面を往復可能なＣＶＤ装置に入れる。（１）一酸化ケイ素、トリメチルアルミニウム又は塩化アルミニウムを原料、酸素、オゾン、水分、又は二酸化炭素を反応ガス源として用い、反応配合比、巻き取り速度、巻き出し速度を適切に調整し、化学気相堆積方法を用いて膜上に一層のＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）又はＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）を堆積することができ、（２）塩化ケイ素とメタンを原料、アルゴンガス又は水素ガスを反応ガス源として用い、反応配合比、巻き取り速度、巻き出し速度を適切に調整し、化学気相堆積方法を用いて膜上に一層のＳｉＣを堆積することができ、（３）塩化ケイ素を原料、窒素ガスと水素ガスを反応ガス源として用い、反応配合比、巻き取り速度、巻き出し速度を適切に調整し、化学気相堆積方法を用いて膜上に一層のＳｉ_３Ｎ_４を堆積することができ、（４）水素化ケイ素とアンモニアガスを原料、アルゴンガスと水素ガスを反応ガス源として用い、反応配合比、巻き取り速度、巻き出し速度を適切に調整し、化学気相堆積方法を用いて膜上に一層のＳｉ_３Ｎ_４である接着層を堆積することができる。（ＣＶＤ反応他の化合物の製造）
Ｓ１－５．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－５～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって基材層の表面上にコーティングし、ターゲット材は金属である場合、ニッケル、クロム又はニッケル合金、クロム合金を含み、ターゲット材は非金属である場合、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）又はＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ、及びメラミンを含み、不活性ガスとして、スパッタリングガス、たとえば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを用いる。巻き出し速度、巻き取り速度を適切に調整し、スパッタリングしたイオンが移動している基材層上にマグネトロンスパッタリングメッキ層である接着層を形成する。ターゲット材が金属である場合、純度≧９９．９％、ターゲット材が非金属である場合、純度≧９９．８％である（マグネトロンスパッタリング）。
Ｓ１－６．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－５～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって基材層の表面上にコーティングし、ターゲット材としてアルミ、又はケイ素（純度≧９９．９％）、スパッタリングガスとして酸素、オゾン又はイオン化した酸素を用い、ターゲット材のスパッタリング過程においてターゲット材を酸化する。巻き出し速度、巻き取り速度を適切に調整し、スパッタリングしたターゲット材のイオンが、導入しているガス分子又はイオンと反応して、移動している基材層上に一層のマグネトロンスパッタリングメッキ層ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）又はＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である接着層を形成する。（酸化反応マグネトロン）
Ｓ１－７．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面又は両面往復可能なＡＬＤ装置に入れて、装置内に原料である一酸化ケイ素又はトリメチルアルミニウム、及び酸素源の酸素又は水を導入し、原料と酸素源を反応室に順次導入し、最後に、膜上に反応させて一層のＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）又はＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である接着層を生成する。（ＡＬＤ）
Ｓ２－１．Ｓ１で接着層がメッキされている、又はＳ２における他の方式により一部の機能層がメッキされている膜ロール材を、片面又は両面往復可能なプラズマ装置付きの真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－４～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、蒸発領域に入れる前に、プラズマ設備によって不活性ガス、たとえば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等をイオン化し、膜面をクリーニングする。次に蒸着領域に入れて、坩堝高周波加熱、抵抗加熱、又は電子銃で加速された電子を蒸発源として、蒸発方式により純度９９．９％以上の銅を加熱し、巻き出し速度、巻き取り速度、及び蒸発量を適切に調整し、蒸発源にて銅を持続的に溶融して蒸発させ、接着層又は一部の機能層がメッキされている膜面に一層の銅メッキ層を形成し、必要に応じて毎回５～２５００ｎｍ堆積でき、２～５００回繰り返して、総厚さが標準に達する機能層を得る。（ＰＶＤ）
Ｓ２－２．Ｓ１で接着層がメッキされている、又はＳ２における他の方式により一部の機能層がメッキされている膜ロール材を、片面又は両面往復可能なプラズマ装置付き真空マグネトロンスパッタリングコータの真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－５～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、コーティング領域に入れる前に、プラズマ設備によって不活性ガスたとえば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等をイオン化し、膜面をクリーニングする。次にコーティング領域に入れて、マグネトロンスパッタリングによって純度９９．９％以上の銅を励起させ、巻き出し速度、巻き取り速度、及び蒸発量を適切に調整し、接着層又は一部の機能層がメッキされている膜面に一層の銅メッキ層を形成し、必要に応じて毎回２～２５００ｎｍ堆積でき、２～５００回繰り返して総厚さが標準に達する機能層を得る。（マグネトロンスパッタリング）
Ｓ２－３．Ｓ１で金属又は金属合金接着層がメッキされている、又はＳ２で一部の機能層がメッキされている、膜面のスクエア抵抗が１００００～５．５ｍΩであることを特徴とする導電性膜のロール材を、ロールツーロール型水電気メッキ設備に入れて、巻き取り・巻き出し速度、電流、銅イオン濃度、光沢剤濃度、助剤濃度、ｐＨ値、及び電解液の温度を適切に調整し、必要に応じて毎回２～２５００ｎｍ堆積でき、２～５００回繰り返して、総厚さが標準に達する機能層を得る。（水電気メッキ）
Ｓ２－４．Ｓ１で接着層がメッキされている、又はＳ２における他の方式により一部の機能層がメッキされている膜ロール材をＣＶＤ装置に入れる。塩化第一銅、塩化銅、ブチル銅又はヨウ化銅を原料、水素ガス又はアルゴンガスを反応ガス源として用い、反応配合比、巻き取り速度、巻き出し速度を適切に調整し、化学気相堆積方法を用いて膜上に一層の銅メッキ層である機能層を堆積することができる。（ＣＶＤ）
Ｓ２－５．Ｓ１で金属又は金属合金接着層がメッキされている、又はＳ２で一部の機能層がメッキされている膜ロール材を、ロールツーロール型化学コーティング設備に入れて、ナトリウム塩を主塩、硫酸銅を主原料、酒石酸カリウムナトリウムとＥＤＴＡ二ナトリウム塩などを錯化剤として、水酸化ナトリウムで適切なｐＨ値である１１．５～１３に調整し、ホルムアルデヒドを還元剤、フェロシアン化カリウム、ａ、ａ’－ビピリジン、メチルジクロロシランなどを安定化剤として、巻き取り・巻き出し速度を適切に調整し、必要に応じて毎回２～２５００ｎｍ堆積でき、２～５００回繰り返して、総厚さが標準に達する機能層を得る。（化学メッキ）
Ｓ３－１．Ｓ２で処理した機能層付きロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－４～１０^－１Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、坩堝高周波加熱、抵抗加熱、又は電子ビーム加熱を蒸発源として、蒸発源の蒸着原料として金属ニッケル、クロム、ニッケル合金、クロム合金（純度≧９９．９％）を用い、巻き出し速度、巻き取り速度を適切に調整し、蒸発した原子又は分子が、機能層の表面上に一層のメッキ層である保護層を形成する。（ＰＶＤ）
Ｓ３－２．Ｓ２で処理した機能層付きロール材を、片面又は両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が１０^－５～１０^－1Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって膜面の機能層上にコーティングし、純度９９．９％以上のターゲット材としてニッケル、クロム又はニッケル合金、クロム合金を用い、巻き出し速度、巻き取り速度を適切に調整し、スパッタリングしたイオンが、機能層の表面上に一層のマグネトロンスパッタリングメッキ層である保護層を形成する。（マグネトロンスパッタリング）
Ｓ３－３．Ｓ２で処理した機能層付きロール材を、ロールツーロール型水電気メッキ設備又は装置に入れる。前記ロールツーロール型水電気メッキ装置は、Ｓ２プロセスの水電気メッキ設備に含まれてもよく、独立した設備としてもよく、巻き取って搬送する方式によって、適切な濃度の二クロム酸カリウム、又はブドウ糖、又は抗酸化性能を有する他の有機物を溶解した溶液タンクの溶液に材料を浸漬し、巻き取り・巻き出し速度、電流、濃度、ｐＨ値、及び温度を適切に調整し、機能層の表面上に一層のメッキ層である保護層を形成することができる。（水電気メッキ）
Ｓ３－４．Ｓ２で処理した機能層付きロール材を、片面又は両面のロールツーロール型表面塗布設備又は装置に入れる。前記ロールツーロール型表面塗布装置はＳ２プロセスの設備に含まれてもよく、独立した設備としてもよく、巻き取って搬送する方式によって、適切な濃度の二クロム酸カリウム、又はブドウ糖、又は抗酸化性能を有する他の有機物を機能層の表面に均一に塗布することができる塗布装置を材料を通過させ、巻き取り・巻き出し速度を適切に調整し、機能層の表面上に一層の塗布層である保護層を形成することができる。（表面塗布）

膜製造方法であって、ステップＳ１－Ｓ３を含む。
Ｓ１．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、両面真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が５×１０^－３Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって基材層の表面上にコーティングし、ターゲット材としてニッケル含有量２０％、銅含有量８０％のニッケル銅合金を用い、ターゲット材の純度（ニッケル＋銅の含有量）を９９．９９５％以上にし、膜の巻き取り・巻き出し搬送速度を１００ｍ／ｍｉｎ、ターゲットパワーを３０Ｋｗ、アルゴンガス量を２０００ＳＣＣＭとし、アルゴンガスを導入して膜を搬送するときの作動真空を６×１０^－３Ｐａ～８×１０^－３Ｐａとし、スパッタリングしたイオンが、移動している基材層上に一層のマグネトロンスパッタリングメッキ層を約３ｎｍで形成する。１回のプロセスが完了した後、設備を開いてクリーニングし、上記プロセスの条件で１０回繰り返し、１回ごとに一層の３ｎｍのマグネトロンスパッタリングメッキ層を得ることができ、１０回繰り返すと、膜の両面ともに合計３０ｎｍのニッケルメッキ層である接着層を得ることができ、この接着層の膜面のスクエア抵抗は６～１Ωである。
Ｓ２．Ｓ１で金属合金接着層がメッキされている膜ロール材を、ロールツーロール型水電気メッキ設備に入れて、巻き取り・巻き出し速度を１０ｍ／ｍｉｎ、電流を５０００００Ａ、銅イオン濃度、光沢剤濃度、助剤濃度を適切に調整して、ｐＨ値を７～１３、電解液温度を１５～２５℃に調整し、一回だけで膜の両面ともに１５００ｎｍの機能層を得る。
Ｓ３．Ｓ２で処理した機能層付きロール材を、片面ロールツーロール型表面塗布設備又は装置に入れて、巻き取って搬送する方式によって、適切な濃度の二クロム酸カリウム溶液を機能層の表面に均一に塗布できる塗布装置を材料を通過させ、巻き取り・巻き出し速度を８０ｍ／ｍｉｎとし、機能層の表面上に対応する厚さが５～８ｎｍの一層の保護層を塗布することができる。

膜製造方法であって、ステップＳ１－Ｓ３を含む。
Ｓ１．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、片面真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が８×１０^－３～１×１０^－２Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、坩堝加熱を蒸発源として、蒸発源付近の酸素導入構造によって圧縮酸素ガスを１２０００ＳＣＣＭの酸素導入量で導入した。蒸発源の蒸着原料として金属アルミ線（純度≧９９．９９％）を用い、巻き取り・巻き出し速度を１２００ｍ／ｍｉｎとし、蒸発した原子が酸素と反応して、移動している基材層上に一層ＡｌＯ_ｘ（ｘ＝１～１．５）である接着層を形成し、接着層の厚さは２～３０ｎｍである。
Ｓ２．Ｓ１で接着層がメッキされている膜ロール材を、両面往復可能なプラズマ装置付き真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が８×１０^－３～１×１０^－２Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、蒸発領域に入れる前に、プラズマ設備によって、不活性ガス、たとえば乾燥空気をイオン化し、乾燥空気の導入量を３０００ＳＣＣＭ、プラズマパワーを５０Ｋｗとして、膜面をクリーニングする。次に蒸着領域に入れて、黒鉛坩堝中周波加熱を蒸発源とし、坩堝加熱蒸発方式によって純度９９．９９％以上の銅インゴットを加熱し、膜の巻き取り・巻き出し搬送速度を８００ｍ／ｍｉｎ、一般的な冷却温度を－５０℃、中周波電源の電流を３０Ａに設定し、蒸発源にて銅を持続的に溶融して蒸発させ、接着層がメッキされている膜の上下面に一層の銅メッキ層を形成し、１回ごとに１０ｎｍのメッキ層を得ることができ、設備が１０回繰り返すと、総厚さが９０～１００ｎｍの機能層Ｂ１を得ることができ、このとき、膜面のスクエア抵抗は３００～２００ｍΩである。
Ｓ２．Ｓ２で一部の金属機能層がメッキされている膜ロール材を、ロールツーロール型水電気メッキ設備に入れて、巻き取り・巻き出し速度を２０ｍ／ｍｉｎ、電流を３０００Ａ、銅イオン濃度、光沢剤濃度、助剤濃度を適切、ｐＨ値を７～１３、電解液温度を１５～２５℃に調整し、一回だけで膜の両面ともに１５００ｎｍの機能層Ｂ２を得ることができ、このとき、Ｂ１とＢ２はと共に１６００ｎｍの機能層となる。
Ｓ３．Ｓ２で処理した機能層付きロール材を、片面ロールツーロール型表面塗布設備又は装置に入れて、巻き取って搬送する方式によって、適切な濃度の二クロム酸カリウム溶液を機能層の表面に均一に塗布することができる塗布装置を材料を通過させ、巻き取り・巻き出し速度を８０ｍ／ｍｉｎとし、機能層の表面上に対応する厚さが５～８ｎｍの一層の保護層を塗布することができる。

膜製造方法であって、ステップＳ１－Ｓ４を含む。
Ｓ１．コロナ又はプラズマで処理した基材層又は未処理の基材層ロール材を、両面真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が５×１０^－３Ｐａとなるように段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって基材層の表面上にコーティングし、純度が９９．９９５％以上のターゲット材としてアルミナを用い、膜の巻き取り・巻き出し搬送速度を１０ｍ／ｍｉｎ、ターゲットパワーを８０Ｋｗ、酸素量を２０００ＳＣＣＭ、酸素を導入して膜を搬送するときの作動真空を６×１０^－３Ｐａ～９×１０^－３Ｐａとし、スパッタリングした酸素イオンが、移動している基材層上に一層のマグネトロンスパッタリングメッキ層を約５ｎｍで形成する。一回のプロセスが完了した後、設備を開いてクリーニングし、上記プロセスの条件で５回繰り返し、１回ごとに一層の５ｎｍのマグネトロンスパッタリングメッキ層を得ることができ、５回繰り返すと、膜の両面ともに合計２５ｎｍのアルミナメッキ層である接着層Ａ２を得ることができる。
Ｓ２．Ｓ１で処理した接着層Ａ２付きロール材を、両面真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が５×１０^－３Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって膜面上にコーティングし、ターゲット材として金属クロムを用い、クロムターゲット材の純度を９９．９９％以上にし、膜の巻き取り・巻き出し搬送速度を３０ｍ／ｍｉｎ、ターゲットパワーを２０Ｋｗ、アルゴンガス量を６００ＳＣＣＭ、アルゴンガスを導入して膜を搬送するときの作動真空を６×１０^－３Ｐａ～９×１０^－３Ｐａとし、スパッタリングしたイオンが、移動している基材層上に一層のマグネトロンスパッタリングメッキ層を約５～９ｎｍで形成する。一回のプロセスが完了した後、設備を開いてクリーニングし、上記プロセスの条件で２回繰り返し、１回ごとに一層の５～９ｎｍのマグネトロンスパッタリングメッキ層を得ることができ、２回繰り返すと、膜の両面ともに、合計１０～１８ｎｍのクロムメッキ層である接着層Ａ１を得ることができる。このとき、Ａ２とＡ１はとともに３５～４３ｎｍの接着層となる。
Ｓ３．Ｓ１で処理した３５～４３ｎｍ接着層付きロール材を、両面往復可能な真空コーティング機の真空室に入れて、真空室を密閉させ、真空度が５×１０^－３Ｐａとなるまで段階的に真空吸引し、マグネトロンスパッタリングによって膜面上にコーティングし、ターゲット材として金属銅を用い、銅ターゲット材の純度を９９．９９５％以上にし、膜の巻き取り・巻き出し搬送速度を１０ｍ／ｍｉｎ、ターゲットパワーを１０Ｋｗ、アルゴンガス量を５３０ＳＣＣＭ、アルゴンガスを導入して膜を搬送するときの作動真空を６×１０^－３Ｐａ～９×１０^－３Ｐａとし、スパッタリングしたイオンが、移動している基材層上に一層のマグネトロンスパッタリング銅メッキ層を６０ｎｍで形成する。一回のプロセスが完了した後、設備を開いてクリーニングし、上記プロセスの条件で２０回繰り返し、１回ごとに一層の６０ｎｍのマグネトロンスパッタリングメッキ層を得ることができ、２０回繰り返すと、膜の両面ともに合計１２００ｎｍの銅メッキ層である機能層１、即ちＢ１を得ることができ、このとき、膜面のスクエア抵抗は１５～１７ｍΩである。
Ｓ４．Ｓ３で処理した機能層付きロール材を、片面ロールツーロール型表面塗布設備又は装置に入れて、巻き取って搬送する方式によって、適切な濃度の二クロム酸カリウム溶液を機能層の表面に均一に塗布することができる塗布装置を材料を通過させ、巻き取り・巻き出し速度を８０ｍ／ｍｉｎとし、機能層の表面上に対応する厚さが５～８ｎｍの一層の保護層を塗布することができる。

以上のように、本発明の好適な具体的な実施形態に過ぎず、本発明の保護範囲はこれに制限されず、当業者であれば、本発明で開示された技術的範囲を逸脱することなく、容易に想到しうる変化や置換はすべて本発明の保護範囲に含まれる。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に準じるべきである。

Ｐ－基材層
Ａ１－金属材料接着層
Ａ２－非金属材料接着層
Ｂ１－第１の複合銅層
Ｂ２－第２の複合銅層
Ｃ１－金属材料保護層
Ｃ２－非金属材料保護層

Claims

基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに、接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第１の複合銅層と第２の複合銅層で構成され、前記第１の複合銅層は、金属銅を接着層の表面に加工することを１～５００回繰り返して形成するように構成され、前記第２の複合銅層は、金属銅を第１の複合銅層の表面に加工することを１～５００回繰り返して形成するように構成され、
前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮｉＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である、ことを特徴とする膜。
第１の複合銅層は、ＰＶＤプロセスを１～３０回繰り返して形成され、第２の複合銅層は電気メッキプロセスを１～１０回繰り返して形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の膜。
前記機能層は、第１の複合銅層と、その外層に位置する第２の複合銅層で構成され、まず、接着層上に第１の複合銅層を堆積し、次に、第１の複合銅層上に第２の複合銅層をメッキしたものであり、前記第１の複合銅層の厚さが、第２の複合銅層の厚さより小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の膜。
第１の複合銅層と第２の複合銅層との厚さの和は３０～２５００ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の膜。
基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに、接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第１の複合銅層で構成され、前記第１の複合銅層は、金属銅を接着層の表面に加工することを２～５００回繰り返して形成するように構成され、
前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮｉＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である、ことを特徴とする膜。
第１の複合銅層の厚さは１５～１５００ｎｍである、ことを特徴とする請求項５に記載の膜。
基材層を含み、前記基材層の正面と裏面のそれぞれに、接着層、機能層、保護層が順次設けられ、前記機能層は第２の複合銅層で構成され、前記第２の複合銅層は、金属銅を接着層の表面に加工することを２～５００回繰り返して形成するように構成され、
前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮｉＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である、ことを特徴とする膜。
第２の複合銅層の厚さは１５～１５００ｎｍである、ことを特徴とする請求項７に記載の膜。
前記金属材料層は、１～１０層の金属材料で構成される、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記金属材料層は、１～２層の金属材料で構成される、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記金属材料層の金属は前記Ｎｉ合金であり、前記Ｎｉ合金は、ＮｉＣｕ合金、ＮｉＣｒ合金、ＮｉＶ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＮｉＣｕ合金である場合、６０％～８０％のＮｉと、２０％～４０％のＣｕからなり、
ＮｉＣｒ合金である場合、７０％～９０％のＮｉと、１０％～３０％のＣｒからなり、
ＮｉＶ合金である場合、８０％～９５％のＮｉと、５％～２０％のＶからなる、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記金属材料層の金属は前記Ｃｒ合金であり、前記Ｃｒ合金は、ＣｒＣｕ合金、ＣｒＶ合金又はＣｒＣｏ合金のうちの１種であり、
質量百分率で、ＣｒＣｕ合金である場合、６０％～９０％のＣｒと１０％～４０％のＣｕからなり、
ＣｒＶ合金である場合、４０％～８０％のＣｒと２０％～６０％のＶからなり、
ＣｒＣｏ合金である場合、６０％～９０％のＣｒと１０％～４０％のＣｏからなる、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
金属材料層の厚さは３～４０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記非金属材料層の非金属材料がＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）である場合、非金属材料層の厚さは１０～４０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記非金属材料層の非金属材料がＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）である場合、非金属材料層の厚さは３～４０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記非金属材料層は１～１０層に設定される、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記非金属材料層は１～２層に設定される、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
非金属材料層の厚さは３～４０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
金属材料層の厚さは１．５～２８．５ｎｍであり、非金属材料層の厚さは１．５～３０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記保護層は金属材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種である、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記基材層の厚さは１．２～１２μｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
前記基材層の厚さは１．２～６μｍである、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の膜。
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を２～５００回繰り返し加工した第１の複合銅層の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
金属材料保護層又は非金属材料保護層を機能層外に形成するステップ３とを含み、
前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮｉＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である、ことを特徴とする膜製造方法。
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を２～５００回繰り返し加工した第２の複合銅層の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
機能層外に保護層を形成するステップ３とを含み、
前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮｉＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である、ことを特徴とする膜製造方法。
基材層上に接着層を形成するステップ１と、
金属銅を接着層外に加工することを１～５００回繰り返して形成した第１の複合銅層と、金属銅を第１の複合銅層に加工することを１～５００回繰り返して形成した第２の複合銅層である機能層を接着層外に形成するステップ２と、
金属材料保護層又は非金属材料保護層を機能層外に形成するステップ３とを含み、
前記接着層は金属材料層と非金属材料層で構成される複合材料層であり、前記金属材料層の金属は、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ合金のうちの１種であり、前記非金属材料層の前記非金属は、ＰＶＤＣ、ＮｉＯ、Ｓｉ、ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＥ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘ（１．５≦ｘ≦２）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）、ＡｌＯ_ｘ（１≦ｘ≦１．５）とメラミンとの組み合わせのうちの１種である、ことを特徴とする膜製造方法。
前記ステップ１において、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス又はＡＬＤプロセスのうちの１種によって基材層の正面と裏面に接着層を形成する、ことを特徴とする請求項２３～２５のいずれか１項に記載の膜製造方法。
前記ステップ２において、ステップ１で接着層が設けられた基材層について、ＰＶＤプロセス、電気メッキプロセス又はＣＶＤプロセスのうちの１種によって、接着層面に一層の銅メッキ層を形成し、所定厚さに応じて毎回５～２５００ｎｍ堆積し、２～５００回繰り返して、所定の総厚さの機能層を得る、ことを特徴とする請求項２３～２５のいずれか１項に記載の膜製造方法。
前記ステップ３において、ステップ２で処理した機能層付き基材層について、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、電気メッキプロセス又は表面塗布プロセスのうちの１種によって、機能層面上に保護層を形成する、ことを特徴とする請求項２３～２５のいずれか１項に記載の膜製造方法。
前記接着層が金属材料層である場合、そのプロセスはＰＶＤプロセスであり、前記接着層が非金属材料層である場合、前記非金属材料層のプロセス方法は、ＣＶＤ直接反応酸化物製造プロセス、ＣＶＤイオン支援酸化プロセス、ＣＶＤ反応他の化合物の製造プロセス、ＡＬＤプロセスのうちの１種である、ことを特徴とする請求項２６に記載の膜の製造プロセス。
前記機能層は第１の複合銅層と第２の複合銅層であり、前記第１の複合銅層のプロセス方法はＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセスのうちの１種であり、第２の複合銅層のプロセス方法は電気メッキプロセス、化学メッキプロセスのうちの１種である、ことを特徴とする請求項２５に記載の膜の製造プロセス。
前記保護層が金属材料層である場合、その製造プロセス方法はＰＶＤプロセスであり、前記保護層が非金属材料層である場合、その製造プロセス方法は電気メッキプロセスと表面塗布プロセスのうちの１種である、ことを特徴とする請求項２８に記載の膜の製造プロセス。