JP7318705B2 - 判定装置及び判定方法 - Google Patents
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Description
PONの光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバの任意位置において、前記光ファイバの他端側に対して光入出力を可能とする光入出力部と、
前記光入出力部を介して前記光ファイバに複数の波長の試験光を入射し、前記試験光により前記光ファイバで発生した戻り光をそれぞれ受光する測定部と、
前記測定部が受光した前記戻り光のうち、前記光ファイバの他端で反射した反射光の光強度から前記光ファイバの他端における反射率を波長毎に取得し、異なる波長の前記反射率の比率から前記光ファイバの他端の状態を判定する判定部と、
を備える。
PONの光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバの任意位置において、前記光ファイバの他端側に対して複数の波長の試験光を入射し、
前記試験光により前記光ファイバで発生した戻り光をそれぞれ受光し、
前記戻り光のうち、前記光ファイバの他端で反射した反射光の光強度から前記光ファイバの他端における反射率を波長毎に取得し、
異なる波長の前記反射率の比率から前記光ファイバの他端の状態を判定する
ことを特徴とする。
λ1、λ2及びλ3の前記反射率をそれぞれR1、R2及びR3とすると、
前記判定部は、
前記比率のうちR1/R2が所定値Aより大きい場合、前記光ファイバの他端に終端装置が接続されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値Bより大きい場合、前記光ファイバの他端に帯域反射型フィルタが配置されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値B以下の場合、前記光ファイバの他端に配置された光コネクタが開放状態、もしくは前記光ファイバの他端が切断された状態と判定することを特徴とする。
λ1及びλ2の前記反射率をそれぞれR1及びR2とすると、
前記判定部は、
前記比率のうちR1/R2が所定値Aより大きい場合、前記光ファイバの他端に終端装置が接続されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下の場合、前記光ファイバの他端に帯域反射型フィルタが配置されている状態、前記光ファイバの他端に配置された光コネクタが開放状態、もしくは前記光ファイバの他端が切断された状態と判定することを特徴とする。
PONの光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバの任意位置において、前記光ファイバの他端側に対して光入出力を可能とする光入出力部と、
前記光入出力部を介して前記光ファイバに複数の波長の試験光を入射し、前記試験光により前記光ファイバで発生した戻り光をそれぞれ受光する測定部と、
前記測定部が受光した前記戻り光のうち、前記光ファイバの他端で反射した反射光の光強度から前記光ファイバの他端における反射減衰量を波長毎に取得しており、
前記試験光が波長の短いものからλ1及びλ2の2波長で、前記反射減衰量をそれぞれRL1及びRL2とした場合、
前記反射減衰量のRL1が所定値aより大きい場合、前記光ファイバの他端が切断された状態と判定し、
前記反射減衰量のRL1が所定値a以下かつ前記反射減衰量のRL2が所定値b以下の場合、前記光ファイバの他端に配置された光コネクタが開放状態であると判定し、
前記反射減衰量のRL1が所定値a以下かつ前記反射減衰量のRL2が所定値bより大きい場合、前記光ファイバの他端に終端装置が接続されている状態と判定する判定部と、
を備えることを特徴とする。
PONの光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバの任意位置において、前記光ファイバの他端側に対して複数の波長の試験光を入射し、
前記試験光により前記光ファイバで発生した戻り光をそれぞれ受光し、
前記戻り光のうち、前記光ファイバの他端で反射した反射光の光強度から前記光ファイバの他端における反射減衰量を波長毎に取得し、
前記試験光が波長の短いものからλ1及びλ2の2波長で、前記反射減衰量をそれぞれRL1及びRL2とした場合、
前記反射減衰量のRL1が所定値aより大きい場合、前記光ファイバの他端が切断された状態と判定し、
前記反射減衰量のRL1が所定値a以下かつ前記反射減衰量のRL2が所定値b以下の場合、前記光ファイバの他端に配置された光コネクタが開放状態であると判定し、
前記反射減衰量のRL1が所定値a以下かつ前記反射減衰量のRL2が所定値bより大きい場合、前記光ファイバの他端に終端装置が接続されている状態と判定することを特徴とする。
図1は、本実施形態の判定装置101を説明する図である。判定装置101は、光ファイバ心線50の終端状態を判定する。判定装置101は、
PONの光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバ50の任意位置において、光ファイバ50の他端(終端51)側に対して光入出力を可能とする光入出力部11と、
光入出力部11を介して光ファイバ50に複数の波長の試験光を入射し、前記試験光により光ファイバ50で発生した戻り光をそれぞれ受光する測定部12と、
測定部12が受光した前記戻り光のうち、光ファイバ50の他端(終端51)で反射した反射光の光強度から光ファイバ50の他端(終端51)における反射率を波長毎に取得し、異なる波長の前記反射率の比率から光ファイバ50の他端(終端51)の状態を判定する判定部13と、
を備える。
λ1、λ2及びλ3の前記反射率をそれぞれR1、R2及びR3とすると、
判定部13は、
前記比率のうちR1/R2が所定値Aより大きい場合、光ファイバ50の他端(終端51)に終端装置(ONU102)が接続されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値Bより大きい場合、光ファイバ50の他端(終端51)に帯域反射型フィルタが配置されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値B以下の場合、光ファイバ50の他端(終端51)に配置された光コネクタが開放状態、もしくは光ファイバ50の他端(終端51)が切断された状態と判定することを特徴とする。
図1は、本実施形態の構成でもある。本実施形態では、前記試験光が波長の短いものからλ1及びλ2の2波長であり、
λ1及びλ2の前記反射率をそれぞれR1及びR2とすると、
判定部13は、
前記比率のうちR1/R2が所定値Aより大きい場合、光ファイバ50の他端(終端51)に終端装置(ONU102)が接続されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下の場合、光ファイバ50の他端(終端51)に帯域反射型フィルタが配置されている状態、光ファイバ50の他端(終端51)に配置された光コネクタが開放状態、もしくは光ファイバ50の他端(終端51)が切断された状態と判定することを特徴とする。
図1は、本実施形態の構成でもある。本実施形態の判定装置101は、
PONの光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバ50の任意位置において、光ファイバ50の他端(終端51)側に対して光入出力を可能とする光入出力部11と、
光入出力部11を介して光ファイバ50に複数の波長の試験光を入射し、前記試験光により光ファイバ50で発生した戻り光をそれぞれ受光する測定部12と、
測定部12が受光した前記戻り光のうち、光ファイバ50の他端で反射した反射光の光強度から光ファイバ50の他端(終端51)における反射減衰量を波長毎に取得しており、
前記試験光が波長の短いものからλ1及びλ2の2波長で、前記反射減衰量をそれぞれRL1及びRL2とした場合、
前記反射減衰量のRL1が所定値aより大きい場合、光ファイバ50の他端が切断された状態と判定し、
前記反射減衰量のRL1が所定値a以下かつ前記反射減衰量のRL2が所定値b以下の場合、光ファイバ50の他端に配置された光コネクタが開放状態であると判定し、
前記反射減衰量のRL1が所定値a以下かつ前記反射減衰量のRL2が所定値bより大きい場合、光ファイバ50の他端(終端51)に終端装置(ONU102)が接続されている状態と判定する判定部13と、
を備える。
[式(1)]
RL=-α+10log(10H/10-1) (dB)
ここで、σは波長およびパルス幅に依存するレイリー後方散乱光係数であり、Hはレイリー後方散乱光レベルから反射光のピークレベルまでの高さである(図9(b)~(d)を参照)。例えば、光ファイバ心線50がシングルモードファイバの場合、σは波長1310、1550nmでそれぞれ-70、-73dBである。
本発明によれば、所外SP下部の光ファイバ心線の終端51に電源OFFのONUが接続されているか否かを、所外SP下部の光ファイバ心線が露出している任意の箇所から判定することが可能となる。
12:測定部
13:判定部
31:プローブファイバ
32:GRINレンズ
33:凸型ブロック
34:凹型ブロック
50:光ファイバ心線
51:終端
81:レーザ光源
82:光パルス化回路
83:偏波制御器
84:サーキュレータ
85:光経路切替器
86:合分波器
87:光周波数制御回路
88:バランス型光受信回路
89:数値化処理器
90:数値演算処理器
101:判定装置
102:ONU
Claims (2)
- PON(Passive Optical Network)の光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバの任意位置において、前記光ファイバの他端側に対して光入出力を可能とする光入出力部と、
前記光入出力部を介して前記光ファイバに複数の波長の試験光を入射し、前記試験光により前記光ファイバで発生した戻り光をそれぞれ受光する測定部と、
前記測定部が受光した前記戻り光のうち、前記光ファイバの他端で反射した反射光の光強度から前記光ファイバの他端における反射率を波長毎に取得し、異なる波長の前記反射率の比率から前記光ファイバの他端の状態を判定する判定部と、
を備える判定装置であって、
前記光入出力部は、前記光ファイバの任意位置に形成した曲げ形状にて前記光入出力を行うこと、
前記測定部は、OTDR(Optical Time Domain Reflectometer)であること
を特徴とし、
前記試験光が波長の短いものからλ1、λ2及びλ3の3波長であり、
λ1、λ2及びλ3の前記反射率をそれぞれR1、R2及びR3とすると、
前記判定部は、
前記比率のうちR1/R2が所定値Aより大きい場合、前記光ファイバの他端に終端装置が接続されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値Bより大きい場合、前記光ファイバの他端に帯域反射型フィルタが配置されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値B以下の場合、前記光ファイバの他端に配置された光コネクタが開放状態、もしくは前記光ファイバの他端が切断された状態と判定することを特徴とする判定装置。 - PON(Passive Optical Network)の光分岐スプリッタの分岐側に一端を接続する光ファイバの任意位置において、前記光ファイバの他端側に対して光入出力を可能とする光入出力部を介し、前記光ファイバに複数の波長の試験光を入射し、
前記光入出力部を介し、前記試験光により前記光ファイバで発生した戻り光を測定部でそれぞれ受光し、
前記戻り光のうち、前記光ファイバの他端で反射した反射光の光強度から前記光ファイバの他端における反射率を波長毎に取得し、
異なる波長の前記反射率の比率から前記光ファイバの他端の状態を判定する
ことを特徴とする判定方法であって、
前記光入出力部は、前記光ファイバの任意位置に形成した曲げ形状にて前記光入出力を行うこと、
前記測定部は、OTDR(Optical Time Domain Reflectometer)であること
を特徴とし、
前記試験光が波長の短いものからλ1、λ2及びλ3の3波長であり、
λ1、λ2及びλ3の前記反射率をそれぞれR1、R2及びR3とすると、
前記比率のうちR1/R2が所定値Aより大きい場合、前記光ファイバの他端に終端装置が接続されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値Bより大きい場合、前記光ファイバの他端に帯域反射型フィルタが配置されている状態と判定し、
前記比率のうちR1/R2が所定値A以下かつ前記比率のうちR3/R1が所定値B以下の場合、前記光ファイバの他端に配置された光コネクタが開放状態、もしくは前記光ファイバの他端が切断された状態と判定することを特徴とする判定方法。
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