JP7317180B2 - 量子ビットシステムの寄生容量の低減 - Google Patents
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Description
210 第一量子ビット
211 第一電極
212 第二電極
220 第二量子ビット
230 第三量子ビット
240 第四量子ビット
241 第一電極
242 第二電極
245 SQUID
247 第一接合
249 第二接合
281、282、283、284 コプレーナ導波路アーム
290 接地面
295 ギャップ
Claims (18)
- 複数の量子ビットを備える量子ビットアレイを備えるシステムであって、
前記量子ビットアレイが、二つの電極を備える第一量子ビットと、二つの電極を備える第二量子ビットとを備え、
前記第一量子ビットの第一電極と前記第二量子ビットの第一電極との間の距離が、前記第一量子ビットの第一電極と前記第二量子ビットの第二電極との間の距離と同じである、システム。 - 前記第一量子ビットの第一電極が、前記第二量子ビットの第一電極及び第二電極と共通接地を共有していない、請求項1に記載のシステム。
- 第一AC電位が前記第一量子ビットの第一電極に印加され、前記第一AC電位と異なる第二AC電位が前記第一量子ビットの第二電極に印加される、請求項1又は2に記載のシステム。
- 前記第一量子ビットの第一電極がジョセフソン接合で前記第一量子ビットの第二電極に結合されている、請求項1から3のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一量子ビットの第一電極及び前記第一量子ビットの第二電極が第一方向に沿って細長であり、前記第二量子ビットの第一電極及び前記第二量子ビットの第二電極が前記第一方向と異なる第二方向に沿って細長である、請求項1から4のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一方向が前記第二方向と直交している、請求項5に記載のシステム。
- 前記第二量子ビットが前記第一量子ビットの次近接量子ビットである、請求項1から6のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一量子ビットが差動量子ビットである、請求項1から7のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一量子ビットがエックスモン(Xmon)量子ビットである、請求項8に記載のシステム。
- 前記量子ビットアレイが、複数の行の量子ビットと複数の列の量子ビットとを備える二次元量子ビットアレイである、請求項1から9のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記量子ビットアレイが不規則なグリッドである、請求項1から9のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一量子ビットが複数のコプレーナ導波路アームを備え、少なくとも一つのコプレーナ導波路アームが前記第一量子ビットの各電極から外向きに延伸している、請求項1から11のいずれか一項に記載のシステム。
- 第三量子ビットを更に備え、
前記第三量子ビットが前記第一量子ビットの最近接量子ビットであり、前記第三量子ビットが二つの電極を備える、請求項12に記載のシステム。 - 前記第三量子ビットが複数のコプレーナ導波路アームを備え、少なくとも一つのコプレーナ導波路アームが前記第三量子ビットの各電極から外向きに延伸し、
前記第一量子ビットのコプレーナ導波路アームの端が前記第三量子ビットのコプレーナ導波路アームの端と向き合う、請求項13に記載のシステム。 - 前記第一量子ビットと前記第二量子ビットとの間の結合強度が、略1GHzから略20GHzの間の周波数に同調させた前記第一量子ビットについて0MHz超0.01MHz未満である、請求項1から14のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一量子ビットと前記第一量子ビットから最近接の他の量子ビットとの間の結合強度が、略1GHzから略20GHzの間の周波数に同調させた前記第一量子ビットについて0MHz超30MHz未満である、請求項1から15のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記第一量子ビット及び前記第二量子ビットを囲む接地面を更に備える請求項1から16の一項に記載のシステム。
- 接地面を更に備え、
前記接地面が、前記量子ビットアレイの量子ビットが位置する量子ビット面とは異なる面である、請求項1から16のいずれか一項に記載のシステム。
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