JP7315741B2 - Wiring circuit board manufacturing method and wiring circuit sheet - Google Patents

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Description

本発明は、配線回路基板の製造方法および配線回路シートに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wired circuit board and a wired circuit sheet.

従来、平坦形状のベース部およびベース部の下面から下方に延びる櫛歯状のフィンを備える金属製ヒートシンクのベース部の上面に樹脂製の基板を配置し、かかる基板の上面に発熱素子を設けた放熱構造が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。 Conventionally, a heat dissipation structure is known in which a resin substrate is arranged on the upper surface of the base portion of a metal heat sink provided with a flat base portion and comb-shaped fins extending downward from the lower surface of the base portion, and a heat generating element is provided on the upper surface of the substrate (see, for example, Patent Document 1 below).

特開昭５５－１４０２５５号公報JP-A-55-140255

しかるに、ヒートシンクには高い耐腐食性（防錆性）が求められる。そのため、ヒートシンクの下面および側面に防錆層をウエットプロセスで形成することが試案される。 However, heat sinks are required to have high corrosion resistance (rust resistance). Therefore, it is proposed to form an antirust layer on the bottom surface and side surfaces of the heat sink by a wet process.

しかし、ヒートシンクのベース部の上面の周端縁と、基板の下面の周端縁との間には、微小な隙間が形成され易い。そして、防錆層をウエットプロセスで形成するときに、防錆成分を含む液は、上記した隙間に十分に進入できず、そのため、隙間に臨むベース部の上面の周端縁には、防錆層が形成されず、露出したままとなってしまう。そのため、ヒートシンクの上記した周端縁が腐食（錆）するという不具合がある。 However, a minute gap is likely to be formed between the peripheral edge of the upper surface of the base portion of the heat sink and the peripheral edge of the lower surface of the substrate. Then, when the antirust layer is formed by a wet process, the liquid containing the antirust component cannot sufficiently enter the gap, so that the antirust layer is not formed on the peripheral edge of the upper surface of the base portion facing the gap, and remains exposed. Therefore, there is a problem that the above-described peripheral edge of the heat sink is corroded (rusted).

本発明は、耐腐食性に優れる支持金属層を有する配線回路基板、その製造方法、および、配線回路基板を製造するための配線回路シートを提供する。 The present invention provides a wired circuit board having a supporting metal layer with excellent corrosion resistance, a method for manufacturing the same, and a wired circuit sheet for manufacturing the wired circuit board.

本発明（１）は、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属層と、前記支持金属層の少なくとも厚み方向一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の表面に配置される配線層と、前記支持金属層と前記絶縁層との間において、前記支持金属層の表面全面に配置される保護金属膜と、前記支持金属層において前記保護金属膜から露出する露出面に配置される保護薄膜とを備えるとを備える、配線回路基板を含む。 The present invention (1) includes a wired circuit board comprising: a supporting metal layer having a thermal conductivity of 5 W/m·K or more; an insulating layer disposed on at least one thickness direction side of the supporting metal layer; a wiring layer disposed on the surface of the insulating layer; a protective metal film disposed on the entire surface of the supporting metal layer between the supporting metal layer and the insulating layer;

この配線回路基板では、保護金属膜が、支持金属層と絶縁層との間において、支持金属層の表面に配置されている。そのため、保護薄膜をウエットプロセスで形成するときに、上記した「発明が解決しようとする課題」で記載した隙間に液が進入しないことに起因する、支持金属層の表面の周端縁の露出を防止することができ、その結果、上記した腐食を抑制することができる。さらに、保護薄膜は、支持金属層において保護金属膜から露出する露出面にも配置されている。 In this printed circuit board, the protective metal film is arranged on the surface of the supporting metal layer between the supporting metal layer and the insulating layer. Therefore, when the protective thin film is formed by a wet process, it is possible to prevent the peripheral edge of the surface of the supporting metal layer from being exposed due to the fact that the liquid does not enter the gap described in "Problems to be Solved by the Invention" above, and as a result, the above-described corrosion can be suppressed. Furthermore, the protective thin film is also disposed on the exposed surface of the supporting metal layer exposed from the protective metal film.

従って、支持金属層は、耐腐食性に優れる。 Therefore, the supporting metal layer has excellent corrosion resistance.

本発明（２）は、互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線体を備え、前記複数の配線体のそれぞれは、前記支持金属層と、前記絶縁層と、前記配線層と、前記保護金属膜と、前記保護薄膜とを備える、（１）に記載の配線回路基板を含む。 The present invention (2) includes the wired circuit board according to (1), comprising a plurality of wiring bodies arranged in parallel at intervals, each of the plurality of wiring bodies comprising the supporting metal layer, the insulating layer, the wiring layer, the protective metal film, and the protective thin film.

この配線回路基板の配線体における支持金属層は、耐腐食性に優れる。 The supporting metal layer in the wiring body of this wired circuit board has excellent corrosion resistance.

さらに、この配線回路基板では、配線体が互いに間隔を隔てて並列配置されることから、配線層で生じる熱を、複数の配線体間の空気を介して、対流させ、効率的な放熱を図ることができる。 Furthermore, in this wired circuit board, since the wiring bodies are arranged in parallel with each other at intervals, the heat generated in the wiring layer is caused to convect through the air between the plurality of wiring bodies, and efficient heat dissipation can be achieved.

本発明（３）は、前記保護薄膜が、めっき膜である、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。 The present invention (3) includes the printed circuit board according to (1) or (2), wherein the protective thin film is a plated film.

この配線回路基板では、保護薄膜が、めっき膜であれば、硬質のめっき膜が支持金属層の露出面を確実に保護することができる。そのため、めっき膜によって、支持金属層の耐腐食性を向上させることができる。 In this wiring circuit board, if the protective thin film is a plated film, the hard plated film can reliably protect the exposed surface of the supporting metal layer. Therefore, the plating film can improve the corrosion resistance of the supporting metal layer.

本発明（４）は、（２）または（３）に記載の配線回路基板を製造する方法であり、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属シートを準備する工程と、前記保護金属膜と、前記保護金属膜と間隔を隔てられ、第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜とを、前記支持金属シートの厚み方向一方面に、同一の金属薄膜から形成する工程と、前記絶縁層を前記保護金属膜の厚み方向一方面に配置する工程と、前記配線層を前記絶縁層の前記厚み方向一方面に配置する工程と、厚み方向に投影したときに前記第１開口部を含み、かつ、前記第１開口部の内端縁が厚み方向他方側に向かって露出するように、第２開口部を前記支持金属シートに形成する工程と、前記内端縁を位置決め基準として、エッチングレジストを、前記支持金属シートの厚み方向一方面および他方面に、厚み方向に投影したときに前記支持金属層と略同一パターンを有するように配置する工程と、前記エッチングレジストから露出する前記支持金属シートを、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、前記支持金属層を形成する工程と、前記保護薄膜を前記支持金属層の前記露出面にウエットプロセスで形成する工程とを備える、配線回路基板の製造方法を含む。 The present invention (4) is the method of manufacturing a printed circuit board according to (2) or (3), comprising the steps of: preparing a supporting metal sheet having a thermal conductivity of 5 W/m·K or more; forming the protective metal film and an alignment mark metal film having a first opening spaced from the protective metal film on one side in the thickness direction of the supporting metal sheet from the same thin metal film; disposing the insulating layer on one side in the thickness direction of the protective metal film; forming a second opening in the supporting metal sheet so as to include the first opening when projected in the thickness direction and to expose an inner edge of the first opening toward the other thickness direction side when projected in the thickness direction; disposing an etching resist on one and other thickness direction surfaces of the supporting metal sheet so as to have substantially the same pattern as the supporting metal layer when projected in the thickness direction, using the inner edge as a positioning reference; A method for manufacturing a printed circuit board, comprising: etching the exposed supporting metal sheet from one side and the other side in the thickness direction to form the supporting metal layer; and forming the protective thin film on the exposed surface of the supporting metal layer by a wet process.

この配線回路基板の製造方法では、アラインメントマーク金属膜の第１開口部の内端縁を位置決め基準として、エッチングレジストを、支持金属シートの厚み方向一方面および他方面に、厚み方向に投影したときに支持金属層と略同一パターンを有するように配置するので、エッチングレジストの位置精度が高い。そのため、エッチングレジストから露出する支持金属シートを、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、短時間で、支持金属層を高い精度で形成することができる。 In this wiring circuit board manufacturing method, the etching resist is arranged on one side and the other side in the thickness direction of the supporting metal sheet so as to have substantially the same pattern as the supporting metal layer when projected in the thickness direction, using the inner edge of the first opening of the alignment mark metal film as a positioning reference, so that the etching resist has high positional accuracy. Therefore, the supporting metal sheet exposed from the etching resist can be etched from one side and the other side in the thickness direction, and the supporting metal layer can be formed in a short time with high accuracy.

しかも、保護金属膜とアラインメントマーク金属膜とを同一の金属薄膜から同時に形成できるので、製造工程数を削減することができる。 Moreover, since the protective metal film and the alignment mark metal film can be simultaneously formed from the same metal thin film, the number of manufacturing steps can be reduced.

本発明（５）は、（２）または（３）に記載の配線回路基板を製造するための配線回路シートであり、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、第２開口部を有する支持金属シートと、前記支持金属シートの少なくとも厚み方向一方側に配置される前記絶縁層と、前記配線層と、前記絶縁層と前記支持金属シートとの間において前記第２開口部と間隔を隔てて配置される前記保護金属膜と、前記支持金属シートの厚み方向一方面に配置されており、厚み方向に投影したときに前記第２開口部に含まれる第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜であって、前記第１開口部の内端縁が前記第２開口部を介して厚み方向他方側に向かって露出する前記アラインメントマーク金属膜とを備える、配線回路シートを含む。 The present invention (5) is a wired circuit sheet for manufacturing the wired circuit board according to (2) or (3), which has a thermal conductivity of 5 W/m·K or more and has a second opening; the insulating layer arranged on at least one side in the thickness direction of the supporting metal sheet; the wiring layer; and an alignment mark metal film having a first opening included in the second opening when projected in the thickness direction, wherein the inner edge of the first opening is exposed toward the other side in the thickness direction through the second opening.

この配線回路シートは、第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜を備えるので、第１開口部の内端縁を、厚み方向一方側および他方側の両側から確認できる位置決め基準にすることができる。 Since this wiring circuit sheet includes the alignment mark metal film having the first opening, the inner edge of the first opening can be used as a positioning reference that can be confirmed from both sides in the thickness direction.

本発明の配線回路基板では、支持金属層は、耐腐食性に優れる。 In the wired circuit board of the present invention, the supporting metal layer has excellent corrosion resistance.

本発明の配線回路基板の製造方法は、支持金属層を高い精度で形成することができる。 The wiring circuit board manufacturing method of the present invention can form the supporting metal layer with high accuracy.

本発明の配線回路シートは、第１開口部の内端縁を、厚み方向一方側および他方側の両側から確認できる位置決め基準にすることができる。 In the wired circuit sheet of the present invention, the inner edge of the first opening can be used as a positioning reference that can be confirmed from both the one side and the other side in the thickness direction.

図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の断面図を示す。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a first embodiment of the wired circuit board of the present invention. 図２Ａ～図２Ｃは、図１に示す配線回路基板の製造方法の工程図であり、図２Ａが、支持金属層を準備する工程、図２Ｂが、保護金属膜を配置する工程、図２Ｃが、ベース絶縁層を配置する工程を示す。2A to 2C are process diagrams of the method for manufacturing the printed circuit board shown in FIG. 1, wherein FIG. 2A shows the step of preparing a supporting metal layer, FIG. 2B shows the step of placing a protective metal film, and FIG. 2C shows the step of placing an insulating base layer. 図３Ｄ～図３Ｆは、図２Ｃに引き続き、図１に示す配線回路基板の製造方法の工程図であり、図３Ｄが、配線層を配置する工程、図３Ｅが、カバー絶縁層を配置する工程、図３Ｆが、めっき膜を配置する工程を示す。3D to 3F are process diagrams of the method for manufacturing the wired circuit board shown in FIG. 1 following FIG. 2C, in which FIG. 3D shows the process of arranging the wiring layer, FIG. 3E shows the process of arranging the insulating cover layer, and FIG. 3F shows the process of arranging the plating film. 図４は、保護金属膜を備えない比較例１の配線回路基板の第１方向両端部の断面図を示す。FIG. 4 shows a cross-sectional view of both end portions in the first direction of the printed circuit board of Comparative Example 1 that does not include a protective metal film. 図５は、図２に示す配線回路基板の変形例の断面図を示す。FIG. 5 shows a cross-sectional view of a modification of the printed circuit board shown in FIG. 図６は、本発明の配線回路基板の第２実施形態の平面図を示す。FIG. 6 shows a plan view of a second embodiment of the wired circuit board of the present invention. 図７は、図６に示す配線回路基板のＸ－Ｘ線に沿う拡大断面図を示す。FIG. 7 shows an enlarged cross-sectional view of the wired circuit board shown in FIG. 6 along line XX. 図８Ａ～図８Ｆは、図７に示す配線回路基板の製造工程図であり、図８Ａが、支持金属シートを準備する工程図８Ｂが、金属薄膜を配置する工程、図８Ｃが、ベース絶縁層を配置する工程、図８Ｄが、配線層を配置する工程、図８Ｅが、保護金属膜およびアラインメントマーク金属膜を形成する工程、図８Ｆが、カバー絶縁部を配置する工程を示す。8A to 8F are manufacturing process diagrams of the printed circuit board shown in FIG. 7, in which FIG. 8A shows a process of preparing a supporting metal sheet, FIG. 8B shows a process of placing a metal thin film, FIG. 8C shows a process of placing an insulating base layer, FIG. 8D shows a process of placing a wiring layer, FIG. 図９Ｇ～図９Ｊは、図８Ｆに引き続き、図７に示す配線回路基板の製造工程図であり、図９Ｇが、エッチングレジストを配置する工程、図９Ｈが、第２開口部を形成する工程、図９Ｉが、エッチングレジストを除去する工程、図９Ｊが、第１および第２ドライフィルムレジストを準備し、これらに第１および第２フォトマスクを配置し、これらを介して第１および第２ドライフィルムレジストを露光する工程を示す。9G to 9J are manufacturing process diagrams of the wired circuit board shown in FIG. 7 following FIG. 8F, wherein FIG. 9G shows the step of placing an etching resist, FIG. 9H shows the step of forming a second opening, FIG. 9I shows the step of removing the etching resist, and FIG. 図１０Ｋ～図１０Ｎは、図９Ｊに引き続き、図７に示す配線回路基板の製造工程図であり、図１０Ｋが、第１および第２エッチングレジストを形成する工程、図１０Ｌが、支持金属シートをエッチングする工程、図１０Ｍが、第１および第２エッチングレジストを除去する工程、図１０Ｎが、めっき膜を形成する工程を示す。10K to 10N are manufacturing process diagrams of the wired circuit board shown in FIG. 7 following FIG. 9J, in which FIG. 10K shows the step of forming the first and second etching resists, FIG. 10L shows the step of etching the supporting metal sheet, FIG. 10M shows the step of removing the first and second etching resists, and FIG. 10N shows the step of forming the plating film. 図１１は、保護金属膜を備えない比較例２の配線回路基板の配線体の断面図を示す。FIG. 11 shows a cross-sectional view of a wiring body of a wired circuit board of Comparative Example 2 that does not have a protective metal film.

＜第１実施形態＞
本発明の配線回路基板の第１実施形態を、図１を参照して説明する。 <First Embodiment>
A first embodiment of the printed circuit board of the present invention will be described with reference to FIG.

この配線回路基板１は、厚み方向に対向する厚み方向一方面および他方面を有しており、厚み方向に直交する面方向に延びる形状を有する。この配線回路基板１は、支持金属層２と、保護金属膜３と、保護薄膜の一例としてのめっき膜４と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７とを備える。好ましくは、配線回路基板１は、支持金属層２と、保護金属膜３と、めっき膜４と、ベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７とのみを備える。 The printed circuit board 1 has one thickness direction surface and the other thickness direction surface facing each other in the thickness direction, and has a shape extending in a plane direction orthogonal to the thickness direction. The printed circuit board 1 includes a supporting metal layer 2, a protective metal film 3, a plating film 4 as an example of a protective thin film, a base insulating layer 5 as an example of an insulating layer, a wiring layer 6, and an insulating cover layer 7. Preferably, the printed circuit board 1 includes only the supporting metal layer 2 , the protective metal film 3 , the plating film 4 , the insulating base layer 5 , the wiring layer 6 and the insulating cover layer 7 .

支持金属層２は、配線回路基板１を支持しつつ、配線層６からの熱を外部に拡散するヒートシンクである。支持金属層２は、断面略櫛形状を有する。支持金属層２は、基部８と、突出部９とを一体的に備える。基部８は、面方向に延びる略平板形状を有する。突出部９は、基部８の厚み方向他方面から厚み方向他方側に向かって延びる。突出部９は、第１方向（面方向に含まれる方向であって、後述する配線層６の並列方向に相当）に互いに間隔を隔てて複数並列配置されている。支持金属層２は、厚み方向一方面である第１支持面１０と、厚み方向他方面である第２支持面１１と、側面である支持側面１２とを一体的に有する。 The supporting metal layer 2 is a heat sink that supports the printed circuit board 1 and diffuses heat from the wiring layer 6 to the outside. The supporting metal layer 2 has a substantially comb-shaped cross section. The supporting metal layer 2 integrally includes a base portion 8 and a projecting portion 9 . The base 8 has a substantially flat plate shape extending in the plane direction. The projecting portion 9 extends from the other thickness direction surface of the base portion 8 toward the other thickness direction side. A plurality of protrusions 9 are arranged in parallel at intervals in a first direction (a direction included in the plane direction and corresponding to a parallel direction of wiring layers 6 described later). The support metal layer 2 integrally has a first support surface 10 that is one surface in the thickness direction, a second support surface 11 that is the other surface in the thickness direction, and a support side surface 12 that is a side surface.

第１支持面１０は、面方向に沿う平坦面である。第１支持面１０は、基部８の厚み方向一方面である。 The first support surface 10 is a flat surface along the planar direction. The first support surface 10 is one surface of the base portion 8 in the thickness direction.

第２支持面１１は、第１支持面１０の厚み方向他方側に間隔を隔てて配置されている。
第２支持面１１は、突出部９に対応する凹凸面である。 The second support surface 11 is arranged on the other side in the thickness direction of the first support surface 10 with a space therebetween.
The second support surface 11 is an uneven surface corresponding to the protrusion 9 .

支持側面１２は、第１支持面１０の周端縁と、第２支持面１１の周端縁とを連結する連結面である。また、支持側面１２は、支持金属層２の外周側面である。支持側面１２は、厚み方向に沿う平坦面である。 The support side surface 12 is a connection surface that connects the peripheral edge of the first support surface 10 and the peripheral edge of the second support surface 11 . Moreover, the support side surface 12 is the outer peripheral side surface of the support metal layer 2 . The support side surface 12 is a flat surface along the thickness direction.

第１支持面１０、第２支持面１１および支持側面１２は、支持金属層２の表面を形成している。 The first support surface 10 , the second support surface 11 and the support side surface 12 form the surface of the support metal layer 2 .

支持金属層２の熱伝導率は、５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。支持金属層２の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ未満であれば、支持金属層２が配線層６で生じた熱を、厚み方向他方側に向かって効率的に放出することができない。 The thermal conductivity of the supporting metal layer 2 is 5 W/m·K or more. If the thermal conductivity of the supporting metal layer 2 is less than 5 W/m·K, the supporting metal layer 2 cannot efficiently release the heat generated in the wiring layer 6 toward the other side in the thickness direction.

また、支持金属層２の熱伝導率は、好ましくは、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらには、１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、７５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好適である。また、支持金属層２の熱伝導率は、例えば、１００００Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。支持金属層２の熱伝導率が上記した下限以上であれば、支持金属層２が配線層６で生じた熱を、厚み方向他方側に向かって効率的に放出することができる。支持金属層２の熱伝導率は、ＪＩＳ Ｈ ７９０３：２００８（有効熱伝導率測定法）によって求められる。 The thermal conductivity of the supporting metal layer 2 is preferably 10 W/mK or more, more preferably 15 W/mK or more, 20 W/mK or more, 25 W/mK or more, 30 W/mK or more, 35 W/mK or more, 40 W/mK or more, 50 W/mK or more, 60 W/mK or more, 75 W/mK or more, 100 W/m K or more, 200 W/mK or more. /m·K or more, 300 W/m·K or more, or 350 W/m·K or more is suitable. Moreover, the thermal conductivity of the supporting metal layer 2 is, for example, 10000 W/m·K or less. If the thermal conductivity of the support metal layer 2 is equal to or higher than the above-described lower limit, the support metal layer 2 can efficiently release the heat generated in the wiring layer 6 toward the other side in the thickness direction. The thermal conductivity of the supporting metal layer 2 is determined according to JIS H 7903:2008 (effective thermal conductivity measurement method).

支持金属層２の材料としては、例えば、熱伝導性に優れる金属が挙げられる。また、支持金属層２の材料としては、後で詳説する保護金属膜３およびめっき膜４によって支持金属層２が保護（防錆加工）されることから、耐腐食性が低い金属でも許容される。具体的には、支持金属層２の材料としては、例えば、銅、銀、鉄、アルミニウム、クロム、それらの合金などの金属が挙げられる。好ましくは、良好な熱伝導性を得る観点から、銅、銅合金などの銅を含む金属が挙げられる。なお、基部８および突出部９の材料は、同一である。 Examples of materials for the supporting metal layer 2 include metals with excellent thermal conductivity. As the material of the supporting metal layer 2, a metal with low corrosion resistance is also acceptable because the supporting metal layer 2 is protected (corrosion-proofed) by the protective metal film 3 and the plating film 4, which will be described in detail later. Specifically, examples of materials for the supporting metal layer 2 include metals such as copper, silver, iron, aluminum, chromium, and alloys thereof. From the viewpoint of obtaining good thermal conductivity, metals containing copper such as copper and copper alloys are preferred. The materials of the base portion 8 and the projecting portion 9 are the same.

支持金属層２の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定される。基部８の厚みは、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下である。突出部９の、基部８の厚み方向他方面からの突出長さ（厚み方向長さ）は、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下である。 The dimensions of the supporting metal layer 2 are appropriately set according to the application and purpose. The thickness of the base 8 is, for example, 30 μm or more, preferably 100 μm or more, and is, for example, 10 mm or less. The protruding length (thickness direction length) of the protruding portion 9 from the other surface in the thickness direction of the base portion 8 is, for example, 100 μm or more, and is, for example, 100 mm or less.

保護金属膜３は、支持金属層２と次に説明するベース絶縁層５との間において、支持金属層２の表面全面に配置されている。具体的には、保護金属膜３は、支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。つまり、保護金属膜３は、第１支持面１０の全てを被覆している。 The protective metal film 3 is arranged over the entire surface of the support metal layer 2 between the support metal layer 2 and the base insulating layer 5 described below. Specifically, the protective metal film 3 is arranged on the entire first supporting surface 10 of the supporting metal layer 2 . That is, the protective metal film 3 covers the entire first support surface 10 .

保護金属膜３は、例えば、スパッタリング薄膜、めっき薄膜などであって、好ましくは、スパッタリング薄膜である。保護金属膜３の形成方法は、後述する。 The protective metal film 3 is, for example, a sputtering thin film, a plated thin film, or the like, preferably a sputtering thin film. A method for forming the protective metal film 3 will be described later.

保護金属膜３の材料としては、耐腐食性に優れる金属が挙げられる。具体的には、保護金属膜３の材料は、例えば、クロム、ニッケル、これらの合金などの金属が挙げられる。
また、金属は、上記した金属酸化物を含んでもよく、例えば、酸化クロムなども挙げられる。好ましくは、クロムが挙げられる。 As a material for the protective metal film 3, a metal having excellent corrosion resistance can be used. Specifically, examples of the material of the protective metal film 3 include metals such as chromium, nickel, and alloys thereof.
The metal may also include the metal oxides described above, such as chromium oxide. Chromium is preferred.

保護金属膜３の厚みは、例えば、面方向にわたって略同一長さである。保護金属膜３の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、２０ｎｍ以上、さらに好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、１００００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下、より好ましくは、５００ｎｍ以下である。 The thickness of the protective metal film 3 is, for example, approximately the same length across the surface direction. The thickness of the protective metal film 3 is, for example, 1 nm or more, preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, still more preferably 100 nm or more, and for example, 10000 nm or less, preferably 1000 nm or less, more preferably 500 nm or less.

めっき膜４は、支持金属層２において保護金属膜３から露出する露出面の一例である第２支持面１１および支持側面１２の耐腐食性を向上させる耐腐食性付与層（防錆層）である。めっき膜４は、支持金属層２の第２支持面１１と、支持側面１２とに配置されている。具体的には、めっき膜４は、第２支持面１１と、支持側面１２とに連続して接触して、これらの面を被覆している。めっき膜４は、第２支持面１１の凹凸面に追従して形成される。 The plating film 4 is a corrosion resistance imparting layer (rust prevention layer) that improves the corrosion resistance of the second support surface 11 and the support side surface 12, which are examples of exposed surfaces exposed from the protective metal film 3 in the support metal layer 2. The plated film 4 is arranged on the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 . Specifically, the plated film 4 is in continuous contact with the second support surface 11 and the support side surface 12 to cover these surfaces. The plated film 4 is formed so as to follow the uneven surface of the second support surface 11 .

そのため、支持金属層２の表面の全ては、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。つまり、支持金属層２の第１支持面１０は、保護金属膜３によって保護され、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２は、めっき膜４によって保護されている。 Therefore, the entire surface of the supporting metal layer 2 is protected (coated) by the protective metal film 3 and the plating film 4 . That is, the first support surface 10 of the support metal layer 2 is protected by the protective metal film 3 , and the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 are protected by the plating film 4 .

めっき膜４は、後述するめっきによって形成される層である。 The plated film 4 is a layer formed by plating, which will be described later.

めっき膜４は、単層または複層のいずれであってもよい。好ましくは、めっき膜４は、第２支持面１１および支持側面１２に順に形成される第１めっき膜および第２めっき膜を有する。 The plated film 4 may be either a single layer or multiple layers. Preferably, plating film 4 has a first plating film and a second plating film formed on second support surface 11 and support side surface 12 in that order.

めっき膜４の材料としては、例えば、ニッケル、金、これらの合金などの耐腐食性金属（防錆金属）が挙げられる。また、めっき膜４が第１めっき膜および第２めっき膜を有する場合には、好ましくは、第１めっき膜の材料がニッケルであり、第２めっき膜の材料が金である。 Examples of materials for the plating film 4 include corrosion-resistant metals (rust-proof metals) such as nickel, gold, and alloys thereof. Moreover, when the plated film 4 has a first plated film and a second plated film, preferably, the material of the first plated film is nickel and the material of the second plated film is gold.

めっき膜４の厚みは、特に限定されず、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。 The thickness of the plated film 4 is not particularly limited, and is, for example, 1 nm or more, preferably 10 nm or more, more preferably 100 nm or more, and for example, 1000 μm or less, preferably 100 μm or less.

ベース絶縁層５は、配線層６と保護金属膜３との絶縁、ひいては、配線層６と支持金属層２との絶縁を図る絶縁層である。 The insulating base layer 5 is an insulating layer that provides insulation between the wiring layer 6 and the protective metal film 3 and further insulation between the wiring layer 6 and the supporting metal layer 2 .

ベース絶縁層５は、保護金属膜３の厚み方向一方面に配置されている。具体的には、ベース絶縁層５は、保護金属膜３の厚み方向一方面全面に接触している。また、ベース絶縁層５は、支持金属層２の厚み方向一方側に間隔（保護金属膜３が形成される間隔）を隔てて隣接配置されている。ベース絶縁層５は、面方向に沿って延びるシート形状を有する。 The insulating base layer 5 is arranged on one surface of the protective metal film 3 in the thickness direction. Specifically, the insulating base layer 5 is in contact with the entire one surface of the protective metal film 3 in the thickness direction. The insulating base layer 5 is adjacently arranged on one side of the supporting metal layer 2 in the thickness direction with a gap (a gap at which the protective metal film 3 is formed). The insulating base layer 5 has a sheet shape extending along the surface direction.

ベース絶縁層５の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの絶縁性樹脂などが挙げられる。また、ベース絶縁層５の材料は、透明性を有する透明性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂などが挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。 Examples of materials for the insulating base layer 5 include insulating resins such as thermosetting resins and thermoplastic resins. Moreover, the material of the insulating base layer 5 includes a transparent resin having transparency. Examples of thermosetting resins include epoxy resins and thermosetting polyimide resins. Examples of thermoplastic resins include acrylic resins. Thermosetting resins are preferred, and thermosetting polyimide resins are more preferred.

配線層６は、例えば、電気信号を伝送する。 The wiring layer 6 transmits electric signals, for example.

配線層６は、ベース絶縁層５の表面の一例としての厚み方向一方面に配置されている。配線層６は、第１方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、配線層６は、第２方向（面方向に含まれる方向であって、第１方向および厚み方向に直交する方向。図１における紙面奥行き方向。）に延びており、配線層６の第２方向両端縁には、図示しない端子が連続する。 The wiring layer 6 is arranged on one side in the thickness direction, which is an example of the surface of the insulating base layer 5 . The wiring layers 6 are arranged in parallel and spaced apart from each other in the first direction. In addition, the wiring layer 6 extends in a second direction (a direction included in the surface direction and orthogonal to the first direction and the thickness direction; the depth direction of the paper surface in FIG. 1), and terminals (not shown) are connected to both edges of the wiring layer 6 in the second direction.

配線層６の材料としては、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、それらの合金などが挙げられる。好ましくは、良好な電気特性を得る観点から、銅が挙げられる。 Materials for the wiring layer 6 include, for example, copper, silver, gold, iron, aluminum, chromium, and alloys thereof. Copper is preferred from the viewpoint of obtaining good electrical properties.

配線層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。配線層６の幅および間隔は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。 The thickness of the wiring layer 6 is, for example, 1 μm or more, preferably 5 μm or more, and is, for example, 50 μm or less, preferably 3 μm or less. The width and spacing of the wiring layers 6 are, for example, 1 μm or more, preferably 5 μm or more, and are, for example, 200 μm or less, preferably 100 μm or less.

カバー絶縁層７は、配線層６の表面を保護する絶縁層である。カバー絶縁層７は、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に、配線層６を被覆するように、配置されている。詳しくは、カバー絶縁層７は、配線層６の厚み方向一方面および側面と、配線層６の周囲におけるベース絶縁層５の厚み方向一方面とに接触している。カバー絶縁層７の材料は、ベース絶縁層５の材料と同様である。カバー絶縁層７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。 The insulating cover layer 7 is an insulating layer that protects the surface of the wiring layer 6 . The insulating cover layer 7 is arranged on one surface of the insulating base layer 5 in the thickness direction so as to cover the wiring layer 6 . Specifically, the insulating cover layer 7 is in contact with one thickness direction surface and side surface of the wiring layer 6 and one thickness direction surface of the insulating base layer 5 around the wiring layer 6 . The material of the insulating cover layer 7 is the same as the material of the insulating base layer 5 . The thickness of the insulating cover layer 7 is, for example, 1 μm or more, preferably 5 μm or more, and is, for example, 100 μm or less, preferably 50 μm or less.

次に、配線回路基板１を製造する方法を、図２Ａ～図３Ｆを参照して説明する。 Next, a method of manufacturing the printed circuit board 1 will be described with reference to FIGS. 2A to 3F.

配線回路基板１の製造方法は、支持金属層２を準備する工程（図２Ａ参照）、保護金属膜３を配置する工程（図２Ｂ参照）、ベース絶縁層５を配置する工程（図２Ｃ参照）、配線層６を配置する工程（図３Ｄ参照）、カバー絶縁層７を配置する工程（図３Ｅ参照）、および、めっき膜４を配置する工程（図３Ｆ参照）を含む。この製造方法では、上記した工程を上記した順に実施する。 The method for manufacturing the printed circuit board 1 includes a step of preparing a supporting metal layer 2 (see FIG. 2A), a step of placing a protective metal film 3 (see FIG. 2B), a step of placing an insulating base layer 5 (see FIG. 2C), a step of placing a wiring layer 6 (see FIG. 3D), a step of placing an insulating cover layer 7 (see FIG. 3E), and a step of placing a plating film 4 (see FIG. 3F). In this manufacturing method, the steps described above are performed in the order described above.

図２Ａに示すように、支持金属層２を準備する工程では、例えば、厚肉の板部材を準備し、続いて、突出部９が形成されるように外形加工して、基部８および突出部９を備えるる支持金属層２を形成する。 As shown in FIG. 2A , in the step of preparing the support metal layer 2, for example, a thick plate member is prepared and then contoured to form the protrusions 9, thereby forming the support metal layer 2 including the base 8 and the protrusions 9.

図２Ｂに示すように、次いで、保護金属膜３を配置する工程では、例えば、ドライプロセス、ウエットプロセスなどの金属薄膜形成方法が用いられる。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着などが挙げられる。ウエットプロセスとしては、例えば、めっきなどが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、ドライプロセス、より好ましくは、スパッタリングが挙げられる。 As shown in FIG. 2B, in the step of disposing the protective metal film 3, for example, a metal thin film forming method such as a dry process or a wet process is used. Dry processes include, for example, sputtering, ion plating, and vacuum deposition. Examples of wet processes include plating. These can be used alone or in combination. A dry process is preferred, and sputtering is more preferred.

上記した金属薄膜形成方法により、保護金属膜３を、支持金属層２の第１支持面１０全面に形成する。なお、上記した金属薄膜形成方法によっても、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２は、保護金属膜３が形成されず、露出されたままである。 The protective metal film 3 is formed on the entire first supporting surface 10 of the supporting metal layer 2 by the metal thin film forming method described above. It should be noted that the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 are not formed with the protective metal film 3 and remain exposed even by the metal thin film formation method described above.

図２Ｃに示すように、次いで、ベース絶縁層５を配置する工程では、例えば、まず、上記した絶縁性樹脂を保護金属膜３の厚み方向一方面に塗布して乾燥し、皮膜を形成し、その後、必要により、加熱する。また、絶縁性樹脂が熱硬化性樹脂であれば、上記した塗布および乾燥により、Ｂステージの皮膜を形成し、続いて、加熱によりＣステージ化する。 As shown in FIG. 2C, in the step of disposing the insulating base layer 5, for example, first, the insulating resin described above is applied to one surface in the thickness direction of the protective metal film 3, dried to form a film, and then heated if necessary. If the insulating resin is a thermosetting resin, a B-stage coating is formed by the coating and drying described above, and then heated to a C-stage.

図３Ｄに示すように、次いで、配線層６を配置する工程では、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの配線形成方法が用いられる。 Next, as shown in FIG. 3D, in the step of arranging the wiring layer 6, a wiring forming method such as an additive method or a subtractive method is used.

図３Ｅに示すように、次いで、カバー絶縁層７を配置する工程では、例えば、まず、上記した絶縁性樹脂を保護金属膜３の厚み方向一方面に塗布および乾燥して、皮膜を形成し、その後、必要により、加熱する。 As shown in FIG. 3E, in the step of disposing the insulating cover layer 7, for example, first, the insulating resin described above is applied to one surface in the thickness direction of the protective metal film 3 and dried to form a film, and then, if necessary, heated.

これにより、支持金属層２、保護金属膜３、ベース絶縁層５、配線層６およびカバー絶縁層７を備えるめっき準備体２２を作製する。 Thus, a plating preparatory body 22 including the supporting metal layer 2, the protective metal film 3, the insulating base layer 5, the wiring layer 6 and the insulating cover layer 7 is produced.

図３Ｆに示すように、その後、めっき膜４を配置する工程では、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２をめっきして、第２支持面１１および支持側面１２にめっき膜４を形成する。 As shown in FIG. 3F, after that, in the step of disposing the plating film 4, the second supporting surface 11 and the supporting side surface 12 of the supporting metal layer 2 are plated to form the plating film 4 on the second supporting surface 11 and the supporting side surface 12.

めっきとしては、例えば、電解めっき、無電解めっきが挙げられる。好ましくは、無電解めっきが挙げられる。 Examples of plating include electrolytic plating and electroless plating. Electroless plating is preferred.

具体的には、めっき準備体２２を、めっき浴（めっき液）に浸漬する。 Specifically, the plating preparation body 22 is immersed in a plating bath (plating solution).

めっき液は、上記した耐腐食性金属および／またはそのイオンを含有する。上記した各成分の配合比、めっき条件などは、適宜設定される。 The plating solution contains the above-described corrosion-resistant metal and/or its ions. The compounding ratio of each component described above, the plating conditions, and the like are appropriately set.

めっきでは、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２から、耐腐食性金属（めっき）が成長することにより、めっき膜４が形成される。 In plating, the plating film 4 is formed by growing a corrosion-resistant metal (plating) from the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 .

これにより、配線回路基板１が得られる。 Thus, the printed circuit board 1 is obtained.

そして、図４の比較例１で示すように、配線回路基板１が保護金属膜３（図１参照）を備えず、ベース絶縁層５の厚み方向他方面が支持金属層２の第１支持面１０に隣接する場合には、ベース絶縁層５の厚み方向他方面の周端縁と、第１支持面１０の周端縁との間に微小な隙間１９が形成され易い。すると、図３Ｆが参照されるような、支持金属層２の支持側面１２へのめっきにおいて、めっき液が隙間１９に十分に進入できず、そのため、第１支持面１０において隙間１９に臨む周端縁には、めっき膜４（めっき）が形成されず、露出したままとなってしまう。そうすると、かかる第１支持面１０の周端縁が腐食の起点となり、ひいては、支持金属層２全体が腐食する。 As shown in Comparative Example 1 of FIG. 4, when the printed circuit board 1 does not include the protective metal film 3 (see FIG. 1) and the other surface of the insulating base layer 5 in the thickness direction is adjacent to the first supporting surface 10 of the supporting metal layer 2, a minute gap 19 is likely to be formed between the peripheral edge of the other insulating base layer 5 in the thickness direction and the peripheral edge of the first supporting surface 10. Then, in plating the supporting side surface 12 of the supporting metal layer 2 as shown in FIG. 3F, the plating solution cannot sufficiently enter the gap 19, so that the plating film 4 (plating) is not formed on the peripheral edge of the first supporting surface 10 facing the gap 19, and remains exposed. Then, the peripheral edge of the first supporting surface 10 becomes a starting point of corrosion, and the entire supporting metal layer 2 is corroded.

しかし、図１に示すように、第１実施形態の配線回路基板１では、保護金属膜３が、支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。そのため、図３Ｆに示すように、めっき膜４をめっきで形成するときに、上記した隙間１９にめっき液が進入しなくとも、支持金属層２の第１支持面１０の周端縁の露出を防止することができ、その結果、上記した腐食を抑制することができる。 However, as shown in FIG. 1, in the printed circuit board 1 of the first embodiment, the protective metal film 3 is arranged on the entire first supporting surface 10 of the supporting metal layer 2 . Therefore, as shown in FIG. 3F, when the plating film 4 is formed by plating, the peripheral edge of the first support surface 10 of the support metal layer 2 can be prevented from being exposed even if the plating solution does not enter the gap 19. As a result, the corrosion can be suppressed.

さらに、めっき膜４は、支持金属層２の第２支持面１１と、支持側面１２とにも配置されている。 Furthermore, the plated film 4 is also arranged on the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 .

従って、支持金属層２は、耐腐食性に優れる。 Therefore, the supporting metal layer 2 is excellent in corrosion resistance.

このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板１は、例えば、電子機器用配線回路基板（電子部品用配線回路基板）、電気機器用配線回路基板（電気部品用配線回路基板）などの各種用途で用いられる。電子機器用配線回路基板および電気機器用配線回路基板としては、例えば、位置情報センサー、障害物検知センサー、温度センサーなどのセンサーで用いられるセンサー用配線回路基板、例えば、自動車、電車、航空機、工作車両などの輸送車両で用いられる輸送車両用配線回路基板、例えば、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、投影型映像機器などの映像機器で用いられる映像機器用配線回路基板、例えば、ネットワーク機器、大型通信機器などの通信中継機器で用いられる通信中継機器用配線回路基板、例えば、コンピュータ、タブレット、スマートフォン、家庭用ゲームなどの情報処理端末で用いられる情報処理端末用配線回路基板、例えば、ドローン、ロボットなどの可動型機器で用いられる可動型機器用配線回路基板、例えば、ウェアラブル型医療用装置、医療診断用装置などの医療機器で用いられる医療機器用配線回路基板、例えば、冷蔵庫、洗濯機、掃除機、空調機器などの電気機器で用いられる電気機器用配線回路基板、例えば、デジタルカメラ、ＤＶＤ録画装置などの録画電子機器で用いられる録画電子機器用配線回路基板などが挙げられる。 The use of such a printed circuit board 1 is not particularly limited, and it is used in various fields. The wired circuit board 1 is used in various applications such as, for example, a wired circuit board for electronic equipment (wired circuit board for electronic parts) and a wired circuit board for electric equipment (wired circuit board for electric parts). Examples of wired circuit boards for electronic devices and wired circuit boards for electric devices include sensors used in sensors such as position information sensors, obstacle detection sensors, and temperature sensors; wiring circuit boards for transportation vehicles, such as automobiles, trains, aircraft, and work vehicles; wiring circuit boards for video equipment, such as flat panel displays, flexible displays, and projection video equipment; Wiring circuit boards for information processing terminals used in information processing terminals such as smartphones and home games; wiring circuit boards for movable devices such as drones and robots; wiring circuit boards for medical devices such as wearable medical devices and medical diagnostic devices; wiring circuit boards for medical devices used in medical devices such as devices for medical diagnosis;

変形例
以下の各変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。 MODIFIED EXAMPLES In the following modified examples, the same reference numerals are given to the same members and steps as in the above-described first embodiment, and detailed description thereof will be omitted. Moreover, each modification can have the same effects as those of the first embodiment, unless otherwise specified. Furthermore, the first embodiment and modifications can be combined as appropriate.

図１に示す配線回路基板１では、本発明の保護薄膜の一例としてめっき膜４を挙げているが、例えば、有機系材料からなる樹脂保護薄膜であってもよい。有機系材料としては、例えば、エポキシ系ポリマー、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマーなどのポリマー（樹脂）が挙げられる。 In the wiring circuit board 1 shown in FIG. 1, the plating film 4 is used as an example of the protective thin film of the present invention, but a resin protective thin film made of, for example, an organic material may be used. Examples of organic materials include polymers (resins) such as epoxy polymers, acrylic polymers, and urethane polymers.

また、第１実施形態では、支持金属層２は、突出部９を有するが、例えば、図示しないが、突出部９を備えず、基部８のみから形成されていてもよい。この場合には、支持金属層２は、断面略矩形状であり、第２支持面は、第１支持面１０に平行する平坦面である。 Also, in the first embodiment, the supporting metal layer 2 has the protruding portion 9, but for example, although not shown, the supporting metal layer 2 may be formed only of the base portion 8 without the protruding portion 9. FIG. In this case, the support metal layer 2 has a substantially rectangular cross section, and the second support surface is a flat surface parallel to the first support surface 10 .

また、第１実施形態では、保護薄膜の一例であるめっき膜４を、めっきにより形成しているが、例えば、保護薄膜（具体的には、樹脂保護薄膜）を、めっき以外のウエットプロセスで形成することができる。 Further, in the first embodiment, the plating film 4, which is an example of the protective thin film, is formed by plating, but for example, the protective thin film (specifically, the resin protective thin film) can be formed by a wet process other than plating.

好ましくは、保護薄膜は、めっき膜４である。保護薄膜が、めっき膜であれば、硬質のめっき膜４が支持金属層２の露出面を確実に密着することができる。そのため、めっき膜４によって、支持金属層２の耐腐食性を向上させることができる。 Preferably, the protective thin film is the plated film 4 . If the protective thin film is a plated film, the hard plated film 4 can reliably adhere to the exposed surface of the supporting metal layer 2 . Therefore, the plating film 4 can improve the corrosion resistance of the supporting metal layer 2 .

また、保護薄膜に関し、支持金属層２の露出面（第２支持面１１および支持側面１２）を保護できれば、作用の観点から、耐腐食性付与層（防錆層）に限定されず、例えば、コーティング剤（防錆コーティング剤）、耐摩耗層、耐薬品層、耐候性層、マーキング付与層、静電気対策層であってもよい。 Regarding the protective thin film, as long as it can protect the exposed surface (the second support surface 11 and the support side surface 12) of the support metal layer 2, it is not limited to the corrosion resistance imparting layer (rust prevention layer) from the viewpoint of function.

また、第１実施形態では、図１に示すように、絶縁層（ベース絶縁層５）は、支持金属層２の厚み方向一方側のみに配置さているが、支持金属層２の少なくとも厚み方向一方側に配置されていればよく、図５に示すように、例えば、支持金属層２の厚み方向一方側および他方側の両側に絶縁層（ベース絶縁層５および次に説明する第２ベース絶縁層３６）が配置されていてもよい。 In the first embodiment, the insulating layer (insulating base layer 5) is arranged only on one side in the thickness direction of the supporting metal layer 2, as shown in FIG.

図５に示すように、この変形例では、支持金属層２の厚み方向両側に絶縁層が配置される配線回路基板１は、上記した各層に加え、さらに、第２保護金属膜３５と、第２ベース絶縁層３６と、第２配線層３７と、第２カバー絶縁層３８とを備える。 As shown in FIG. 5, in this modification, the wired circuit board 1 in which the insulating layers are arranged on both sides in the thickness direction of the supporting metal layer 2 further includes a second protective metal film 35, a second insulating base layer 36, a second wiring layer 37, and a second insulating cover layer 38 in addition to the layers described above.

第２保護金属膜３５は、支持金属層２の第２支持面１１のうち、配線層６と厚み方向に対向する突出部９における第２支持面１１全面に配置されている。なお、配線層６と厚み方向に対向する突出部９における第２支持面１１全面には、めっき膜４が形成されておらず、第２保護金属膜３５が形成されている。第２保護金属膜３５の材料、寸法などは、保護金属膜３のそれらと同様である。 The second protective metal film 35 is disposed on the entire surface of the second support surface 11 of the support metal layer 2 in the projecting portion 9 facing the wiring layer 6 in the thickness direction. The plated film 4 is not formed on the entire surface of the second support surface 11 in the projecting portion 9 facing the wiring layer 6 in the thickness direction, but the second protective metal film 35 is formed. The material, dimensions, etc. of the second protective metal film 35 are the same as those of the protective metal film 3 .

支持金属層２の表面の全ては、第２保護金属膜３５、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。 The entire surface of the supporting metal layer 2 is protected (coated) with the second protective metal film 35 , the protective metal film 3 and the plated film 4 .

第２ベース絶縁層３６は、第２保護金属膜３５の厚み方向他方面に配置されている。これにより、第２ベース絶縁層３６は、支持金属層２の厚み方向他方側に第２保護金属膜３５を介して配置されている。第２保護金属膜３５は、突出部９と第２ベース絶縁層３６との間において、上記した突出部９の第２支持面１１全面に配置される。第２ベース絶縁層３６の第１方向長さ（幅）は、突出部９のそれと同様である。第２ベース絶縁層３６の材料、厚みなどは、ベース絶縁層５のそれらと同様である。 The second insulating base layer 36 is arranged on the other side in the thickness direction of the second protective metal film 35 . Thereby, the second insulating base layer 36 is arranged on the other side in the thickness direction of the supporting metal layer 2 with the second protective metal film 35 interposed therebetween. The second protective metal film 35 is arranged on the entire second supporting surface 11 of the projecting portion 9 between the projecting portion 9 and the second insulating base layer 36 . The length (width) of the second insulating base layer 36 in the first direction is the same as that of the protrusion 9 . The material, thickness, etc. of the second insulating base layer 36 are the same as those of the insulating base layer 5 .

第２配線層３７は、第２ベース絶縁層３６の表面の一例としての厚み方向他方面に配置されている。第２配線層３７の第１方向長さ（幅）は、配線層６で例示した範囲から適宜選択される。第２配線層３７の材料、厚みなどは、配線層６のそれらと同様である。 The second wiring layer 37 is arranged on the other side in the thickness direction, which is an example of the surface of the second insulating base layer 36 . The first direction length (width) of the second wiring layer 37 is appropriately selected from the range illustrated for the wiring layer 6 . The material, thickness, etc. of the second wiring layer 37 are the same as those of the wiring layer 6 .

第２カバー絶縁層３８は、第２ベース絶縁層３６の厚み方向他方面に、第２配線層３７を被覆するように、配置されている。第２カバー絶縁層３８の材料、厚みなどは、カバー絶縁層７のそれらと同様である。 The second insulating cover layer 38 is arranged on the other side in the thickness direction of the second insulating base layer 36 so as to cover the second wiring layer 37 . The material, thickness, etc. of the second insulating cover layer 38 are the same as those of the insulating cover layer 7 .

図５に示す配線回路基板１を製造するには、例えば、支持金属層２を準備し、次いで、保護金属膜３および第２保護金属膜３５を配置し、次いで、ベース絶縁層５および第２ベース絶縁層３６を配置し、次いで、配線層６および第２配線層３７を配置し、次いで、カバー絶縁層７および第２カバー絶縁層３８を配置し、その後、めっき膜４を配置する。 To manufacture the wired circuit board 1 shown in FIG. 5, for example, the supporting metal layer 2 is prepared, then the protective metal film 3 and the second protective metal film 35 are placed, then the insulating base layer 5 and the second insulating base layer 36 are placed, then the wiring layer 6 and the second wiring layer 37 are placed, then the insulating cover layer 7 and the second insulating cover layer 38 are placed, and then the plating film 4 is placed.

第２保護金属膜３５を配置するには、例えば、まず、支持側面１２と、第２保護金属膜３５を形成しない第２支持面１１とをマスクした後、マスクから露出する第２支持面１１に第２保護金属膜３５を形成する。その後、マスクを除去する。なお、第２保護金属膜３５は、保護金属膜３と同時に形成することができる。 To dispose the second protective metal film 35, for example, first, after masking the support side surface 12 and the second support surface 11 on which the second protective metal film 35 is not formed, the second protective metal film 35 is formed on the second support surface 11 exposed from the mask. After that, the mask is removed. The second protective metal film 35 can be formed simultaneously with the protective metal film 3 .

そして、この配線回路基板１では、第２保護金属膜３５が、支持金属層２の上記した突出部９における第２支持面１１全面に配置されている。そのため、めっき膜４をめっきで形成するときに、上記した隙間にめっき液が進入しなくとも、突出部９の第２支持面１１の周端縁の露出を防止することができ、その結果、上記した腐食を抑制することができる。 In this wired circuit board 1 , the second protective metal film 35 is arranged on the entire surface of the second supporting surface 11 in the projecting portion 9 of the supporting metal layer 2 . Therefore, when the plating film 4 is formed by plating, the peripheral edge of the second support surface 11 of the projecting portion 9 can be prevented from being exposed even if the plating solution does not enter the above-described gap, and as a result, the above-described corrosion can be suppressed.

さらに、めっき膜４は、支持金属層２の支持側面１２と、第２保護金属膜３５から露出する第２支持面１１とにも配置されている。 Furthermore, the plating film 4 is also arranged on the support side surface 12 of the support metal layer 2 and the second support surface 11 exposed from the second protective metal film 35 .

従って、支持金属層２は、耐腐食性に優れる。 Therefore, the supporting metal layer 2 is excellent in corrosion resistance.

＜第２実施形態＞
本発明の配線回路基板およびその製造方法の第２実施形態を、図６～図１０Ｎを参照して、説明する。 <Second embodiment>
A second embodiment of the printed circuit board and its manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 10N.

なお、以下の第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第２実施形態は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態および第２実施形態を適宜組み合わせることができる。 In the following second embodiment, the same reference numerals are given to the same members and steps as in the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted. Moreover, the second embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment, unless otherwise specified. Furthermore, the first embodiment and the second embodiment can be combined as appropriate.

図６に示すように、配線回路基板１は、配線回路基板集合体シート２０に複数備えられる。 As shown in FIG. 6 , a plurality of wired circuit boards 1 are provided on a wired circuit board assembly sheet 20 .

配線回路基板集合体シート２０は、厚み方向一方面および他方面を有しており、厚み方向に直交する面方向（第１方向および第２方向を含む方向）に延びる略矩形シート形状を有する。 The wired circuit board assembly sheet 20 has one side and the other side in the thickness direction, and has a substantially rectangular sheet shape extending in a plane direction (direction including the first direction and the second direction) orthogonal to the thickness direction.

配線回路基板集合体シート２０は、複数の配線回路基板１と、複数のアラインメントマーク２１とを備える集合体シートである。また、図７に示すように、配線回路基板集合体シート２０は、上記した支持金属層２、保護金属膜３、めっき膜４、ベース絶縁層５、配線層６およびカバー絶縁層７を備える。 The wired circuit board aggregate sheet 20 is an aggregate sheet including a plurality of wired circuit boards 1 and a plurality of alignment marks 21 . Further, as shown in FIG. 7, the wired circuit board assembly sheet 20 includes the supporting metal layer 2, the protective metal film 3, the plating film 4, the insulating base layer 5, the wiring layer 6 and the insulating cover layer 7 described above.

配線回路基板１は、配線回路基板集合体シート２０において互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。配線回路基板１は、配線回路基板集合体シート２０において、配線回路基板１の周囲の配線回路基板集合体シート２０に対して、図示しないジョイントによって連結されている。配線回路基板１は、第２方向に長く延びる形状を有する。配線回路基板１は、第２方向に間隔を隔てて配置される２つの連結体２３と、配線体２４とを一体的に備える。 A plurality of wired circuit boards 1 are aligned and spaced from each other on the wired circuit board assembly sheet 20 . The wired circuit board 1 is connected to the wired circuit board assembly sheet 20 around the wired circuit board 1 by a joint (not shown) at the wired circuit board assembly sheet 20 . The printed circuit board 1 has a shape elongated in the second direction. The wired circuit board 1 integrally includes two connecting bodies 23 and a wiring body 24 that are spaced apart in the second direction.

連結体２３は、配線回路基板１の第２方向両端部を形成する。連結体２３は、第１方向にやや長い平面視略矩形平板形状を有する。連結体２３は、端子部３４を備える。各連結体２３において、端子部３４は、第１方向に間隔を隔てて並列配置されている。各端子部３４は、平面視略矩形（ランド）形状を有する。 The connecting bodies 23 form both ends of the printed circuit board 1 in the second direction. The connecting body 23 has a substantially rectangular flat plate shape slightly elongated in the first direction in a plan view. The connecting body 23 has a terminal portion 34 . In each connecting body 23, the terminal portions 34 are arranged in parallel with a gap in the first direction. Each terminal portion 34 has a substantially rectangular (land) shape in plan view.

配線体２４は、配線回路基板１の第２方向中間部を形成する。配線体２４は、平面視において、２つの連結体２３の間に配置されている。配線体２４は、第２方向に延びる形状を有する。配線体２４は、２つの連結体２３を第２方向に架橋している。また、配線体２４は、第１方向において互いに間隔を隔てて複数並列配置されている。複数の配線体２４の第２方向両端部のそれぞれは、連結体２３のそれぞれによって第２方向に連結されている。 The wiring body 24 forms a second direction intermediate portion of the printed circuit board 1 . The wiring body 24 is arranged between the two connecting bodies 23 in plan view. The wiring body 24 has a shape extending in the second direction. The wiring body 24 bridges the two connecting bodies 23 in the second direction. Moreover, the wiring bodies 24 are arranged in parallel with each other at intervals in the first direction. Each of the second direction end portions of the plurality of wiring bodies 24 is connected in the second direction by each of the connecting bodies 23 .

また、隣接する配線体２４間には、開口部２５が形成されている。開口部２５は、例えば、第１方向に配線体２４を隔てて複数並列して形成されている。複数の開口部２５のそれぞれは、第２方向に延びる形状を有し、配線回路基板１を厚み方向に貫通している。配線体２４および開口部２５は、第２方向において交互に配列されている。 An opening 25 is formed between adjacent wiring bodies 24 . For example, a plurality of openings 25 are formed in parallel with the wiring body 24 interposed therebetween in the first direction. Each of the plurality of openings 25 has a shape extending in the second direction and penetrates the wired circuit board 1 in the thickness direction. The wiring bodies 24 and the openings 25 are alternately arranged in the second direction.

複数の配線体２４のそれぞれの第１方向長さ（幅）は、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下であり、また、例えば、１０μｍ以上である。複数の開口部２５のそれぞれの第１方向長さ（幅）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、より好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。配線体２４の第１方向長さの、開口部２５の第１方向長さに対する比は、例えば、４０以下、好ましくは、１０以下であり、また、例えば、０．１以上、好ましくは、０．５以上である。 The first direction length (width) of each of the plurality of wiring bodies 24 is, for example, 500 μm or less, preferably 300 μm or less, more preferably 100 μm or less, and is, for example, 10 μm or more. The first direction length (width) of each of the plurality of openings 25 is, for example, 10 μm or more, preferably 50 μm or more, more preferably 100 μm or more, and is, for example, 1000 μm or less. The ratio of the length of the wiring body 24 in the first direction to the length of the opening 25 in the first direction is, for example, 40 or less, preferably 10 or less, and is, for example, 0.1 or more, preferably 0.5 or more.

アラインメントマーク２１は、４つの隅部のそれぞれに配置されている。複数のアラインメントマーク２１のそれぞれは、平面視略円形状を有する。 Alignment marks 21 are located at each of the four corners. Each of the plurality of alignment marks 21 has a substantially circular shape in plan view.

配線体およびアラインメントマークの層構成
配線体２４およびアラインメントマーク２１のそれぞれの詳細を、図７を参照して説明する。一方、連結体２３については、簡単に説明する。 Layer Configuration of Wiring Body and Alignment Mark Details of each of the wiring body 24 and the alignment mark 21 will be described with reference to FIG. On the other hand, the connector 23 will be briefly described.

複数の配線体２４のそれぞれは、支持金属層２と、保護金属膜３と、めっき膜４と、ベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７とを互いに独立して備える。 Each of the plurality of wiring bodies 24 includes a supporting metal layer 2, a protective metal film 3, a plating film 4, an insulating base layer 5, a wiring layer 6, and an insulating cover layer 7 independently of each other.

配線体２４において、支持金属層２は、配線体２４を支持しつつ、配線層６からの熱を外部に拡散するヒートシンクである。支持金属層２は、断面視略矩形状を有する。支持金属層２は、第１支持面１０と第２支持面１１と支持側面１２とを一体的に有する。第２支持面１１は、第１支持面１０に平行する平坦面である。配線体２４における第１支持面１０と第２支持面１１と支持側面１２とは、配線体２４における支持金属層２の表面を形成している。 In the wiring body 24 , the supporting metal layer 2 is a heat sink that supports the wiring body 24 and diffuses heat from the wiring layer 6 to the outside. The supporting metal layer 2 has a substantially rectangular cross-sectional shape. The support metal layer 2 integrally has a first support surface 10, a second support surface 11, and a support side surface 12. As shown in FIG. The second support surface 11 is a flat surface parallel to the first support surface 10 . The first supporting surface 10 , the second supporting surface 11 and the supporting side surface 12 of the wiring body 24 form the surface of the supporting metal layer 2 of the wiring body 24 .

配線体２４における支持金属層２の厚みは、後述する支持金属シート４２を厚み方向両側からエッチングすることにより形成されることから、比較的厚いことが許容される。支持金属層２の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上、好ましくは、２５０μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上、好ましくは、１０００μｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下である。また、支持金属層２の厚みの、幅に対する比（アスペクト比）は、例えば、２以上、好ましくは、２．５以上、より好ましくは、３以上、さらに好ましくは、３．５以上であり、また、例えば、１０００以下である。 The thickness of the support metal layer 2 in the wiring body 24 is allowed to be relatively thick because it is formed by etching the support metal sheet 42 to be described later from both sides in the thickness direction. The thickness of the supporting metal layer 2 is, for example, 50 μm or more, preferably 100 μm or more, preferably 250 μm or more, preferably 500 μm or more, preferably 1000 μm or more, and for example, 10 mm or less. The ratio (aspect ratio) of the thickness to the width of the supporting metal layer 2 is, for example, 2 or more, preferably 2.5 or more, more preferably 3 or more, still more preferably 3.5 or more, and for example, 1000 or less.

支持金属層２の第１方向長さ（幅）は、上記した配線体２４の第１方向長さで例示した範囲から適宜選択され、具体的には、配線体２４の第１方向長さと同一である。 The first-direction length (width) of the supporting metal layer 2 is appropriately selected from the range exemplified for the first-direction length of the wiring body 24 described above, and specifically, is the same as the first-direction length of the wiring body 24 .

配線体２４において、保護金属膜３は、支持金属層２とベース絶縁層５との間において、支持金属層２の表面全面に配置されている。具体的には、保護金属膜３は、配線体２４において、支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。つまり、保護金属膜３は、支持金属層２の第１支持面１０の全てを被覆している。 In the wiring body 24 , the protective metal film 3 is arranged over the entire surface of the supporting metal layer 2 between the supporting metal layer 2 and the insulating base layer 5 . Specifically, the protective metal film 3 is arranged on the entire first support surface 10 of the support metal layer 2 in the wiring body 24 . That is, the protective metal film 3 covers the entire first supporting surface 10 of the supporting metal layer 2 .

配線体２４において、めっき膜４は、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２の耐腐食性を向上させる耐腐食性付与層（防錆層）である。めっき膜４は、支持金属層２から露出する露出面の一例としての第２支持面１１と支持側面１２とに配置されている。めっき膜４は、配線体２４において、厚み方向一方側に向かって開く断面略コ字形状を有する。 In the wiring body 24 , the plating film 4 is a corrosion resistance imparting layer (rust prevention layer) that improves the corrosion resistance of the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 . The plated film 4 is arranged on a second support surface 11 and a support side surface 12 as an example of an exposed surface exposed from the support metal layer 2 . The plating film 4 has a substantially U-shaped cross section opening toward one side in the thickness direction of the wiring body 24 .

そのため、配線体２４における支持金属層２の表面の全ては、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。つまり、配線体２４における支持金属層２の第１支持面１０は、保護金属膜３によって保護され、配線体２４における支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２は、めっき膜４によって保護されている。 Therefore, the entire surface of the supporting metal layer 2 in the wiring body 24 is protected (covered) by the protective metal film 3 and the plating film 4 . That is, the first support surface 10 of the support metal layer 2 in the wiring body 24 is protected by the protective metal film 3, and the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 in the wiring body 24 are protected by the plating film 4.

配線体２４において、ベース絶縁層５は、配線層６と保護金属膜３との絶縁、ひいては、配線層６と支持金属層２との絶縁を図る絶縁層である。ベース絶縁層５は、保護金属膜３の厚み方向一方面に配置されている。 In the wiring body 24 , the insulating base layer 5 is an insulating layer for insulating the wiring layer 6 and the protective metal film 3 and further insulating the wiring layer 6 and the supporting metal layer 2 . The insulating base layer 5 is arranged on one surface of the protective metal film 3 in the thickness direction.

配線体２４において、配線層６は、ベース絶縁層５の表面の一例としての厚み方向一方面に配置されている。配線層６は、例えば、１つの配線体２４に１つ設けられている。配線層６の第２方向両端縁は、端子部３４（図６参照）に連続する。 In the wiring body 24 , the wiring layer 6 is arranged on one surface in the thickness direction, which is an example of the surface of the insulating base layer 5 . One wiring layer 6 is provided in one wiring body 24, for example. Both edges of the wiring layer 6 in the second direction are continuous with the terminal portion 34 (see FIG. 6).

配線体２４において、カバー絶縁層７は、配線層６の厚み方向一方面および側面を保護する絶縁層である。カバー絶縁層７は、配線層６の厚み方向一方面および側面と、配線層６の周囲のベース絶縁層５の厚み方向一方面とに接触している。 In the wiring body 24 , the insulating cover layer 7 is an insulating layer that protects one surface and side surfaces of the wiring layer 6 in the thickness direction. The insulating cover layer 7 is in contact with one surface and side surfaces of the wiring layer 6 in the thickness direction and one surface of the insulating base layer 5 surrounding the wiring layer 6 in the thickness direction.

なお、連結体２３は、上記した各層（配線層６を除く）および各膜に対応する部材を備える。なお、連結体２３は、配線層６と同一の層から形成される端子部３４を備える。 The connecting body 23 includes members corresponding to the layers (excluding the wiring layer 6) and the films described above. In addition, the connecting body 23 includes a terminal portion 34 formed from the same layer as the wiring layer 6 .

アラインメントマーク２１は、支持金属層２から露出するアラインメントマーク金属膜３１から形成されている。 The alignment mark 21 is formed from an alignment mark metal film 31 exposed from the supporting metal layer 2 .

すなわち、アラインメントマーク金属膜３１が配置されている支持金属層２には、第２開口部４１が形成されている。 That is, the second opening 41 is formed in the support metal layer 2 on which the alignment mark metal film 31 is arranged.

第２開口部４１は、支持金属層２を厚み方向に関する貫通孔であって、底面視においてアラインメントマーク開口部３３（後述）を含むように、アラインメントマーク開口部３３より大きい寸法を有する。具体的には、第２開口部４１の面方向における最大長さ（平面視略円形状であれば、内径）は、例えば、０．０２ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上、より好ましくは、２ｍｍ以上であり、また、例えば、５０ｍｍ以下、好ましくは、２５ｍｍ以下である。 The second opening 41 is a through hole in the thickness direction of the supporting metal layer 2 and has a dimension larger than that of the alignment mark opening 33 so as to include the alignment mark opening 33 (described later) in a bottom view. Specifically, the maximum length in the surface direction of the second opening 41 (the inner diameter if the shape is substantially circular in plan view) is, for example, 0.02 mm or more, preferably 0.2 mm or more, more preferably 2 mm or more, and for example, 50 mm or less, preferably 25 mm or less.

アラインメントマーク金属膜３１は、アラインメントマーク開口部３３を中央部に有する。 The alignment mark metal film 31 has an alignment mark opening 33 in the center.

一方、アラインメントマーク金属膜３１の外形（外端縁）形状は、上記したアラインメントマーク開口部３３を有すれば、特に限定されない。また、アラインメントマーク金属膜３１は、アラインメントマーク開口部３３が底面視において第２開口部４１に含まれることから、底面視において第２開口部４１から露出するフランジ部１３を備える。なお、アラインメントマーク金属膜３１は、配線体２４における保護金属膜３とともに、同一の金属薄膜４３（後述、図８Ａ参照）から上記した形状に形成されている。 On the other hand, the outer shape (outer edge) of the alignment mark metal film 31 is not particularly limited as long as it has the alignment mark opening 33 described above. Further, since the alignment mark opening 33 is included in the second opening 41 in bottom view, the alignment mark metal film 31 includes the flange portion 13 exposed from the second opening 41 in bottom view. The alignment mark metal film 31 and the protective metal film 3 in the wiring body 24 are formed from the same metal thin film 43 (described later, see FIG. 8A) into the shape described above.

アラインメントマーク金属膜３１は、支持金属層２の第１支持面１０に配置される部分と、第１支持面１０に支持されず、第２開口部４１から露出するフランジ部１３とを一体的に備える。 The alignment mark metal film 31 integrally includes a portion of the support metal layer 2 placed on the first support surface 10 and a flange portion 13 not supported by the first support surface 10 and exposed from the second opening 41 .

そして、アラインメントマーク金属膜３１のフランジ部１３において、アラインメントマーク開口部３３に臨む内端縁（内周端面）４０が、アラインメントマーク２１を構成する。内端縁４０の形状としては、特に限定されず、例えば、平面視（あるいは底面視）略円形状が挙げられる。 In the flange portion 13 of the alignment mark metal film 31 , an inner edge (inner peripheral end face) 40 facing the alignment mark opening 33 constitutes the alignment mark 21 . The shape of the inner edge 40 is not particularly limited, and includes, for example, a substantially circular shape in plan view (or bottom view).

アラインメントマーク金属膜３１（フランジ部１３）の内端縁４０は、第２開口部４１を介して厚み方向他方側に向かって露出（面）している。 The inner edge 40 of the alignment mark metal film 31 (flange portion 13 ) is exposed (faced) through the second opening 41 toward the other side in the thickness direction.

アラインメントマーク開口部３３の面方向における最大長さ（平面視略円形状であれば、内径）は、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上、より好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、２５ｍｍ以下、好ましくは、１０ｍｍ以下である。
また、アラインメントマーク開口部３３の最大長さは、第２開口部４１の面方向における最大長さに対して小さく、アラインメントマーク開口部３３の最大長さの第２開口部４１の最大長さに対する比は、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下、より好ましくは、０．８以下、さらに好ましくは、０．７以下であり、また、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上である。 The maximum length in the surface direction of the alignment mark opening 33 (the inner diameter if the shape is substantially circular in plan view) is, for example, 0.01 mm or more, preferably 0.1 mm or more, more preferably 1 mm or more, and for example, 25 mm or less, preferably 10 mm or less.
In addition, the maximum length of the alignment mark opening 33 is smaller than the maximum length of the second opening 41 in the plane direction, and the ratio of the maximum length of the alignment mark opening 33 to the maximum length of the second opening 41 is, for example, less than 1, preferably 0.9 or less, more preferably 0.8 or less, still more preferably 0.7 or less, or, for example, 0.1 or more, preferably 0.2 or more.

なお、第２開口部４１に面する内周面にも、めっき膜４が配置されている。 The plating film 4 is also arranged on the inner peripheral surface facing the second opening 41 .

一方、アラインメントマーク金属膜３１の厚み方向一方面には、アラインメントマーク開口部３３と平面視同一形状を有する絶縁開口部５０を有するベース絶縁層５が形成されている。 On one side of the alignment mark metal film 31 in the thickness direction, an insulating base layer 5 having an insulating opening 50 having the same shape as the alignment mark opening 33 in plan view is formed.

次に、この配線回路基板集合体シート２０および配線回路基板１を製造する方法を、図８Ａ～図１０Ｎを参照して説明する。なお、配線回路基板１の製造方法では、枚葉式（バッチ式）（図６の実線参照）およびロール・トゥ・ロール式（図６の仮想線参照）のいずれでも実施することができる。 Next, a method for manufacturing the wired circuit board assembly sheet 20 and the wired circuit board 1 will be described with reference to FIGS. 8A to 10N. The method for manufacturing the printed circuit board 1 can be performed by either a single-wafer process (batch process) (see the solid line in FIG. 6) or a roll-to-roll process (see the phantom line in FIG. 6).

この配線回路基板１の製造方法は、支持金属シート４２を準備する工程（図８Ａ参照）、金属薄膜４３を配置する工程（図８Ｂ参照）、ベース絶縁層５を配置する工程（図８Ｃ参照）、配線層６を配置する工程（図８Ｄ参照）、保護金属膜３およびアラインメントマーク金属膜３１を形成する工程（図８Ｅ参照）、および、カバー絶縁層７を配置する工程（図８Ｆ参照）を備える。 The method for manufacturing the printed circuit board 1 includes a step of preparing a supporting metal sheet 42 (see FIG. 8A), a step of placing a metal thin film 43 (see FIG. 8B), a step of placing an insulating base layer 5 (see FIG. 8C), a step of placing a wiring layer 6 (see FIG. 8D), a step of forming a protective metal film 3 and an alignment mark metal film 31 (see FIG. 8E), and a step of placing an insulating cover layer 7 (see FIG. 8F).

また、配線回路基板１の製造方法は、第２開口部４１を支持金属シート４２に形成する工程（図９Ｇ～図９Ｉ参照）、および、エッチングレジストの一例としての第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５を配置する工程（図９Ｊ～図１０Ｋ参照）を備える。 Further, the method for manufacturing the printed circuit board 1 includes a step of forming the second opening 41 in the supporting metal sheet 42 (see FIGS. 9G to 9I), and a step of disposing a first etching resist 45 and a second etching resist 55 (see FIGS. 9J to 10K).

さらに、配線回路基板１の製造方法は、支持金属シート４２を厚み方向一方側および他方側からエッチングする工程（図１０Ｌ～図１０Ｍ参照）、めっき膜４を形成する工程（図１０Ｎ参照）、および、配線回路基板１を配線回路基板集合体シート２０から取り出す工程を備える。 Further, the method for manufacturing the wired circuit board 1 includes a step of etching the supporting metal sheet 42 from one side and the other side in the thickness direction (see FIGS. 10L to 10M), a step of forming the plating film 4 (see FIG. 10N), and a step of removing the wired circuit board 1 from the wired circuit board assembly sheet 20.

この配線回路基板１の製造方法では、上記した工程を上記した順に実施する。 In the method for manufacturing the printed circuit board 1, the above-described steps are performed in the above-described order.

図８Ａに示すように、支持金属シート４２を準備する工程では、面方向に延びる略シート（板）形状の支持金属シート４２を準備する。 As shown in FIG. 8A, in the step of preparing the support metal sheet 42, the support metal sheet 42 having a substantially sheet (plate) shape extending in the plane direction is prepared.

支持金属シート４２は、配線体２４の支持金属層２と、アラインメントマーク２１の第２開口部４１とを形成するための支持金属準備体シートである。とりわけ、支持金属シート４２は、第２開口部４１をエッチングにより形成するためのエッチングシートである。
支持金属シート４２は、第１支持面１０および第２支持面１１を有する。支持金属シート４２の熱伝導率および材料は、上記した支持金属層２のそれらと同様である。 The support metal sheet 42 is a support metal preparation sheet for forming the support metal layer 2 of the wiring body 24 and the second opening 41 of the alignment mark 21 . Above all, the support metal sheet 42 is an etching sheet for forming the second openings 41 by etching.
The support metal sheet 42 has a first support surface 10 and a second support surface 11 . The thermal conductivity and material of the support metal sheet 42 are similar to those of the support metal layer 2 described above.

図８Ｂに示すように、金属薄膜４３を配置する工程では、金属薄膜４３を、支持金属シート４２の第１支持面１０全面に、上記した金属薄膜形成方法（好ましくは、スパッタリング）により、形成する。金属薄膜４３は、保護金属膜３およびアラインメントマーク金属膜３１を形成するための準備薄膜である。 As shown in FIG. 8B, in the step of disposing the metal thin film 43, the metal thin film 43 is formed on the entire first support surface 10 of the support metal sheet 42 by the above metal thin film forming method (preferably sputtering). The metal thin film 43 is a preparatory thin film for forming the protective metal film 3 and the alignment mark metal film 31 .

図８Ｃに示すように、ベース絶縁層５を配置する工程では、上記したパターンで、ベース絶縁層５を、金属薄膜４３の厚み方向一方面に形成する。例えば、保護金属膜３の厚み方向一方面に感光性の樹脂を塗布し、露光および現像するフォトリソ加工により、配線体２４に対応するベース絶縁層５を形成する。なお、ベース絶縁層５には、絶縁開口部５０を形成する。 As shown in FIG. 8C, in the step of disposing the insulating base layer 5, the insulating base layer 5 is formed on one surface of the metal thin film 43 in the thickness direction in the pattern described above. For example, a photosensitive resin is applied to one surface of the protective metal film 3 in the thickness direction, and the insulating base layer 5 corresponding to the wiring body 24 is formed by photolithography processing such as exposure and development. An insulating opening 50 is formed in the base insulating layer 5 .

図８Ｄに示すように、配線層６を配置する工程では、配線層６を、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に形成する。 As shown in FIG. 8D, in the step of arranging the wiring layer 6, the wiring layer 6 is formed on one surface of the insulating base layer 5 in the thickness direction.

図８Ｅに示すように、保護金属膜３およびアラインメントマーク金属膜３１を形成する工程では、ベース絶縁層５から露出する金属薄膜４３を除去する。例えば、配線体２４のベース絶縁層５の周囲の金属薄膜４３と、絶縁開口部５０から露出する金属薄膜４３とを、同時に除去する。金属薄膜４３の上記した除去には、ベース絶縁層５をマスク（レジスト）とするエッチング、剥離などが用いられる。これによって、配線体２４に対応する保護金属膜３と、アラインメントマーク開口部３３を有するアラインメントマーク金属膜３１とが、同一の金属薄膜４３から同時に形成される。 As shown in FIG. 8E, in the step of forming protective metal film 3 and alignment mark metal film 31, metal thin film 43 exposed from base insulating layer 5 is removed. For example, the metal thin film 43 around the insulating base layer 5 of the wiring body 24 and the metal thin film 43 exposed from the insulating opening 50 are removed at the same time. For the above-described removal of the metal thin film 43, etching, peeling, or the like using the base insulating layer 5 as a mask (resist) is used. Thereby, the protective metal film 3 corresponding to the wiring body 24 and the alignment mark metal film 31 having the alignment mark opening 33 are simultaneously formed from the same metal thin film 43 .

図８Ｆに示すように、カバー絶縁層７を配置する工程では、カバー絶縁層７をベース絶縁層５の厚み方向一方面に、配線層６を被覆するように、形成する。 As shown in FIG. 8F , in the step of disposing the insulating cover layer 7 , the insulating cover layer 7 is formed on one surface of the insulating base layer 5 in the thickness direction so as to cover the wiring layer 6 .

図９Ｇ～図９Ｉに示すように、第２開口部４１を支持金属層２に形成する工程では、例えば、エッチングが用いられる。 As shown in FIGS. 9G to 9I, for example, etching is used in the step of forming the second opening 41 in the supporting metal layer 2 .

エッチングにより第２開口部４１を形成するには、まず、図９Ｇに示すように、エッチングレジスト４４を、支持金属シート４２の第１支持面１０に、保護金属膜３の側面と、ベース絶縁層５の側面と、カバー絶縁層７の側面および厚み方向一方面とを被覆するように、面方向全体に連続して配置する。 In order to form the second openings 41 by etching, first, as shown in FIG. 9G, an etching resist 44 is continuously placed on the first supporting surface 10 of the supporting metal sheet 42 in the entire planar direction so as to cover the side surface of the protective metal film 3, the side surface of the insulating base layer 5, the side surface of the insulating cover layer 7, and one surface in the thickness direction.

同時に、エッチングレジスト４４を、支持金属シート４２の第２支持面１１に、次に形成する第２開口部４１と底面視において同一パターンを有するエッチングレジスト開口部５１が形成されるように、配置する。 At the same time, the etching resist 44 is placed on the second supporting surface 11 of the supporting metal sheet 42 so that the etching resist openings 51 having the same pattern in bottom view as the second openings 41 to be formed next are formed.

次いで、図９Ｈに示すように、エッチングレジスト４４から露出する支持金属シート４２をエッチングする。具体的には、エッチングレジスト開口部５１から露出する支持金属シート４２を、厚み方向他方側からエッチングにより除去する。 Then, as shown in FIG. 9H, the supporting metal sheet 42 exposed from the etching resist 44 is etched. Specifically, the supporting metal sheet 42 exposed from the etching resist opening 51 is removed by etching from the other side in the thickness direction.

これにより、第２開口部４１を支持金属シート４２に形成する。 Thereby, the second opening 41 is formed in the supporting metal sheet 42 .

すると、アラインメントマーク開口部３３の内端縁４０が、厚み方向他方側に向かって露出する。そのため、内端縁４０は、第２開口部４１を介して、厚み方向他方側から視認されるアラインメントマーク２１となる。他方、内端縁４０は、ベース絶縁層５が透明性を有するので、厚み方向一方側からも視認される。 Then, the inner edge 40 of the alignment mark opening 33 is exposed toward the other side in the thickness direction. Therefore, the inner edge 40 becomes the alignment mark 21 that is visually recognized from the other side in the thickness direction through the second opening 41 . On the other hand, since the insulating base layer 5 has transparency, the inner edge 40 is visible from one side in the thickness direction.

その後、図９Ｉに示すように、エッチングレジスト４４を除去する。 After that, as shown in FIG. 9I, the etching resist 44 is removed.

これによって、支持金属シート４２と、ベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７と、保護金属膜３と、アラインメントマーク金属膜３１とを備える配線回路シート６０が得られる。配線回路シート６０は、配線体２４、めっき膜４および開口部２５をまだ備えていない。配線回路シート６０は、配線回路基板集合体シート２０を製造するための準備シートである。 As a result, the wiring circuit sheet 60 including the supporting metal sheet 42, the insulating base layer 5, the wiring layer 6, the insulating cover layer 7, the protective metal film 3, and the alignment mark metal film 31 is obtained. The wiring circuit sheet 60 does not have the wiring body 24, the plating film 4 and the opening 25 yet. The wired circuit sheet 60 is a preparation sheet for manufacturing the wired circuit board assembly sheet 20 .

図９Ｊ～図１０Ｋに示すように、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５を配置する工程では、アラインメントマーク金属膜３１の内端縁４０を位置決め基準として、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５のそれぞれを、支持金属シート４２の厚み方向一方側および他方側のそれぞれに、厚み方向に投影したときに、次に形成する支持金属層２と略同一パターンを有するように配置する。 As shown in FIGS. 9J to 10K, in the step of disposing the first etching resist 45 and the second etching resist 55, using the inner edge 40 of the alignment mark metal film 31 as a positioning reference, the first etching resist 45 and the second etching resist 55 are disposed so as to have substantially the same pattern as the supporting metal layer 2 to be formed next when projected in the thickness direction on one side and the other side of the supporting metal sheet 42 in the thickness direction.

具体的には、図９Ｊに示すように、まず、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９のそれぞれを、支持金属シート４２の厚み方向一方面全面および他方面全面のそれぞれに配置する。第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９としては、例えば、ネガ型のフォトレジスト（ネガティブフォトレジスト）が挙げられる。第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９のそれぞれは、面方向に連続して形成されている。また、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９は、ともに、内端縁４０を厚み方向両側から視認できる程度の透光性（透明性）を有する。 Specifically, as shown in FIG. 9J, first, the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 are respectively arranged on the entire thickness direction of one side and the other side of the supporting metal sheet 42 . Examples of the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 include a negative photoresist (negative photoresist). Each of the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 is continuously formed in the plane direction. Moreover, both the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 have translucency (transparency) to the extent that the inner edge 40 can be visually recognized from both sides in the thickness direction.

第１ドライフィルムレジスト４９を、絶縁開口部５０およびアラインメントマーク開口部３３を充填するが、第２開口部４１の厚み方向一端縁を閉塞するように、第１支持面１０に配置する。また、第１ドライフィルムレジスト４９を、保護金属膜３の側面と、ベース絶縁層５の側面と、カバー絶縁層７の厚み方向一方面および側面とを被覆するように、支持金属シート４２の第１支持面１０に配置する。 A first dry film resist 49 is placed on the first supporting surface 10 so as to fill the insulating openings 50 and the alignment mark openings 33 but close one edge in the thickness direction of the second openings 41 . Also, the first dry film resist 49 is placed on the first supporting surface 10 of the supporting metal sheet 42 so as to cover the side surface of the protective metal film 3, the side surface of the insulating base layer 5, and one thickness direction surface and side surface of the insulating cover layer 7.

第２ドライフィルムレジスト５９を、第２開口部４１の厚み方向他端縁を閉塞するように、第２支持面１１に配置する。 A second dry film resist 59 is placed on the second support surface 11 so as to close the other edge in the thickness direction of the second opening 41 .

続いて、第１透光部４７および第１遮光部４８を有する第１フォトマスク４６を、第１ドライフィルムレジスト４９の厚み方向一方側に配置する。第１透光部４７は、第１ドライフィルムレジスト４９を露光するときに、光を透過する部分であって、第１エッチングレジスト４５に次に形成される第１エッチングレジスト開口部５２（さらには、図１０Ｌに示す開口部２５）に対応するパターンを有する。第１遮光部４８は、第１ドライフィルムレジスト４９を露光するときに、光を遮る部分であって、開口部２５に対応するパターンを有する。 Subsequently, a first photomask 46 having a first light-transmitting portion 47 and a first light-shielding portion 48 is placed on one side of the first dry film resist 49 in the thickness direction. The first light-transmitting portion 47 is a portion that transmits light when the first dry film resist 49 is exposed, and has a pattern corresponding to the first etching resist opening 52 (furthermore, the opening 25 shown in FIG. 10L) formed next in the first etching resist 45. The first light shielding portion 48 is a portion that shields light when the first dry film resist 49 is exposed, and has a pattern corresponding to the opening 25 .

同時に、第２透光部５７および第２遮光部５８を有する第２フォトマスク５６を、第２ドライフィルムレジスト５９の厚み方向他方側に配置する。第２透光部５７は、第２ドライフィルムレジスト５９を露光するときに、光を透過する部分であって、第１透光部４７と同一パターンを有する。第２遮光部５８は、第２ドライフィルムレジスト５９を露光するときに、光を遮る部分であって、第１遮光部４８と同一パターンを有する。 At the same time, a second photomask 56 having a second light-transmitting portion 57 and a second light-shielding portion 58 is placed on the other side of the second dry film resist 59 in the thickness direction. The second light transmitting portion 57 is a portion that transmits light when the second dry film resist 59 is exposed, and has the same pattern as the first light transmitting portion 47 . The second light shielding portion 58 is a portion that shields light when the second dry film resist 59 is exposed, and has the same pattern as the first light shielding portion 48 .

このとき、内端縁４０を、第１透光部４７および第１遮光部４８と、第２透光部５７および第２遮光部５８との面方向における位置決め基準として、第１フォトマスク４６および第２フォトマスク５６を配置する。 At this time, the first photomask 46 and the second photomask 56 are arranged using the inner edge 40 as a positioning reference in the surface direction of the first light transmitting portion 47 and the first light shielding portion 48 and the second light transmitting portion 57 and the second light shielding portion 58 .

具体的には、内端縁４０を位置決め基準として、厚み方向に投影したときに、第１透光部４７および第２透光部５７を、互いに重複（合致）するように、面方向において位置決めする。同時に、内端縁４０を位置決め基準として、厚み方向に投影したときに、第１遮光部４８および第２遮光部５８を、互いに重複（合致）するように、面方向において位置決めする。 Specifically, using the inner edge 40 as a positioning reference, the first light-transmitting portion 47 and the second light-transmitting portion 57 are positioned in the plane direction so that they overlap (match) each other when projected in the thickness direction. At the same time, using the inner edge 40 as a positioning reference, the first light shielding portion 48 and the second light shielding portion 58 are positioned in the plane direction so that they overlap (match) each other when projected in the thickness direction.

この際、内端縁４０は、ベース絶縁層５および第１ドライフィルムレジスト４９を通して、厚み方向一方側から、カメラ（図示）により観察される。 At this time, the inner edge 40 is observed with a camera (illustrated) from one side in the thickness direction through the insulating base layer 5 and the first dry film resist 49 .

また、内端縁４０は、第２ドライフィルムレジスト５９および第２開口部４１を通して、厚み方向他方側から、カメラにより観察される。 In addition, the inner edge 40 is observed with a camera from the other side in the thickness direction through the second dry film resist 59 and the second opening 41 .

続いて、図９Ｊの矢印で示すように、第１ドライフィルムレジスト４９を第１フォトマスク４６を介して露光する。また、第２ドライフィルムレジスト５９を第２フォトマスク５６を介して露光する。 Subsequently, as indicated by arrows in FIG. 9J, the first dry film resist 49 is exposed through the first photomask 46 . Also, the second dry film resist 59 is exposed through the second photomask 56 .

すると、第１ドライフィルムレジスト４９には、第１透光部４７を透過した光によって感光された感光部分と、第１遮光部４８に対応する未感光部分とが形成される。また、第２ドライフィルムレジスト５９には、第２透光部５７を透過した光によって感光された感光部分と、第２遮光部５８に対応する未感光部分とが形成される。 As a result, the first dry film resist 49 is formed with an exposed portion exposed by the light transmitted through the first light transmitting portion 47 and an unexposed portion corresponding to the first light shielding portion 48 . Also, the second dry film resist 59 is formed with a photosensitive portion exposed by the light transmitted through the second light transmitting portion 57 and an unexposed portion corresponding to the second light shielding portion 58 .

その後、必要により、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９を露光後加熱する。 Thereafter, if necessary, the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 are heated after exposure.

図１０Ｋに示すように、その後、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９を現像する。これにより、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９において、未感光部分が除去され、感光部分が残存する。 As shown in FIG. 10K, the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 are then developed. As a result, in the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59, the unexposed portions are removed and the exposed portions remain.

これによって、第１ドライフィルムレジスト４９から、第１エッチングレジスト開口部５２を有する第１エッチングレジスト４５が形成される。また、第２ドライフィルムレジスト５９から、第２エッチングレジスト開口部５３を有する第２エッチングレジスト５５が形成される。第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５は、支持金属層２と略同一のパターンを有する。 As a result, the first etching resist 45 having the first etching resist openings 52 is formed from the first dry film resist 49 . Also, a second etching resist 55 having a second etching resist opening 53 is formed from the second dry film resist 59 . The first etching resist 45 and the second etching resist 55 have substantially the same pattern as the supporting metal layer 2 .

次いで、図１０Ｌに示すように、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５から露出する支持金属シート４２をエッチングする工程では、第１エッチングレジスト開口部５２に対応する支持金属シート４２を、厚み方向一方側からエッチングすると同時に、第２エッチングレジスト開口部５３に対応する支持金属シート４２を、厚み方向他方側からエッチングする。 Next, as shown in FIG. 10L, in the step of etching the supporting metal sheet 42 exposed from the first etching resist 45 and the second etching resist 55, the supporting metal sheet 42 corresponding to the first etching resist openings 52 is etched from one thickness direction side, and the supporting metal sheet 42 corresponding to the second etching resist openings 53 is etched from the other thickness direction side.

この際、エッチングが過剰に進行するオーバーエッチングによって、配線体２４を構成する支持金属層２の支持側面１２がより第１方向内側に後退することが許容される。 At this time, overetching, in which etching progresses excessively, allows the supporting side surface 12 of the supporting metal layer 2 forming the wiring body 24 to recede further inward in the first direction.

これにより、支持金属シート４２から、配線体２４の支持金属層２を形成する。 Thereby, the supporting metal layer 2 of the wiring body 24 is formed from the supporting metal sheet 42 .

図１０Ｍに示すように、その後、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５を除去する。これにより、めっき膜４を形成される前のめっき準備体２２を作製する。 As shown in FIG. 10M, the first etching resist 45 and the second etching resist 55 are then removed. Thus, the plating preparatory body 22 before the plating film 4 is formed is produced.

図１０Ｎに示すように、その後、めっき膜４を形成する工程では、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２をめっきする。 Then, as shown in FIG. 10N, in the step of forming the plating film 4, the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 are plated.

これにより、配線回路基板１およびアラインメントマーク２１を備えるアラインメントマーク２１を得る。 As a result, the wiring circuit board 1 and the alignment mark 21 including the alignment mark 21 are obtained.

その後、ジョイント（図示せず）を切断して、配線回路基板１をその周囲から切り離して、配線回路基板集合体シート２０から取り出す。これより、配線回路基板１を製造する。 After that, the joint (not shown) is cut to separate the wired circuit board 1 from its surroundings and take it out from the wired circuit board assembly sheet 20 . Thus, the printed circuit board 1 is manufactured.

そして、図１１の比較例２で示すように、配線体２４が保護金属膜３（図７参照）を備えず、ベース絶縁層５の厚み方向他方面が支持金属層２の第１支持面１０に隣接する場合において、ベース絶縁層５を形成する際のフォトリソ加工（露光および現像）における現像時に、ベース絶縁層５の厚み方向他方面の周端縁が過度に除去（過現像）されるために、ベース絶縁層５の厚み方向他方面の周端縁と、第１支持面１０の周端縁との間に微小な隙間１９が形成され易い。すると、図１０Ｎが参照されるような、支持金属層２の支持側面１２へのめっきにおいて、めっき液が隙間１９に十分に進入できず、そのため、第１支持面１０において隙間１９に臨む周端縁には、めっき膜４が形成されず、露出されたままとなってしまう。そうすると、かかる第１支持面１０の周端縁が腐食の起点となり、ひいては、複数の配線体２４のそれぞれにおける支持金属層２が腐食する。 As shown in Comparative Example 2 of FIG. 11, in the case where the wiring body 24 does not include the protective metal film 3 (see FIG. 7) and the other surface of the insulating base layer 5 in the thickness direction is adjacent to the first support surface 10 of the supporting metal layer 2, the peripheral edge of the other surface in the thickness direction of the insulating base layer 5 is excessively removed (overdeveloped) during development in the photolithographic processing (exposure and development) for forming the insulating base layer 5. A small gap 19 is likely to be formed between the supporting surface 10 and the peripheral edge. Then, in plating the supporting side surface 12 of the supporting metal layer 2 as shown in FIG. 10N, the plating solution cannot sufficiently enter the gap 19, so that the plating film 4 is not formed on the peripheral edge of the first supporting surface 10 facing the gap 19, and remains exposed. Then, the peripheral edge of the first support surface 10 becomes a starting point of corrosion, and eventually the support metal layer 2 in each of the plurality of wiring bodies 24 is corroded.

しかし、図７に示すように、第２実施形態の配線回路基板１では、保護金属膜３が、複数の配線体２４のそれぞれにおける支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。そのため、隙間１９（図１１参照）の形成に起因する、支持金属層２の第１支持面１０の周端縁の腐食を抑制することができる。さらに、めっき膜４が、支持金属層２の第２支持面１１と支持側面１２とに配置されている。 However, as shown in FIG. 7, in the printed circuit board 1 of the second embodiment, the protective metal film 3 is arranged on the entire first support surface 10 of the support metal layer 2 in each of the plurality of wiring bodies 24 . Therefore, corrosion of the peripheral edge of the first support surface 10 of the support metal layer 2 due to the formation of the gap 19 (see FIG. 11) can be suppressed. Further, a plating film 4 is arranged on the second support surface 11 and the support side surface 12 of the support metal layer 2 .

従って、配線体２４における支持金属層２は、耐腐食性に優れる。 Therefore, the supporting metal layer 2 in the wiring body 24 is excellent in corrosion resistance.

さらに、この配線回路基板１では、配線体２４が互いに間隔を隔てて並列配置されることから、配線層６で生じる熱を、複数の配線体２４間の空気を介して、対流させ、効率的な放熱を図ることができる。 Furthermore, in the wired circuit board 1, since the wiring bodies 24 are arranged in parallel with each other at intervals, the heat generated in the wiring layer 6 is caused to convect through the air between the plurality of wiring bodies 24, and heat can be efficiently dissipated.

また、図９Ｊ～図１０Ｋに示すように、この配線回路基板１の製造方法では、内端縁４０を位置決め基準として、第１エッチングレジスト開口部５２を有する第１エッチングレジスト４５、および、第２エッチングレジスト開口部５３を有する第２エッチングレジスト５５を、支持金属シート４２の第１支持面１０および第２支持面１１に、厚み方向に投影したときに支持金属層２と略同一パターンを有するように配置する。そのため、第１エッチングレジスト開口部５２および第２エッチングレジスト開口部５３の位置精度が高い。そのため、第１エッチングレジスト開口部５２および第２エッチングレジスト開口部５３から露出する支持金属シート４２を、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、短時間で、支持金属層２を高い精度で形成することができる。 As shown in FIGS. 9J to 10K, in the method for manufacturing the printed circuit board 1, the inner edge 40 is used as a positioning reference, and the first etching resist 45 having the first etching resist opening 52 and the second etching resist 55 having the second etching resist opening 53 are arranged so as to have substantially the same pattern as the supporting metal layer 2 when projected in the thickness direction on the first supporting surface 10 and the second supporting surface 11 of the supporting metal sheet 42. Therefore, the positional accuracy of the first etching resist opening 52 and the second etching resist opening 53 is high. Therefore, the supporting metal sheet 42 exposed from the first etching resist opening 52 and the second etching resist opening 53 is etched from one side and the other side in the thickness direction, and the supporting metal layer 2 can be formed in a short time with high accuracy.

しかも、図８Ｂおよび図８Ｅに示すように、保護金属膜３とアラインメントマーク開口部３３とを、同一の金属薄膜４３から同時に形成するので、製造工程数を削減することができる。 Moreover, as shown in FIGS. 8B and 8E, since the protective metal film 3 and the alignment mark openings 33 are simultaneously formed from the same metal thin film 43, the number of manufacturing steps can be reduced.

さらに、図９Ｉに示すように、この配線回路シート６０は、アラインメントマーク開口部３３を有するアラインメントマーク金属膜３１を備えるので、アラインメントマーク金属膜３１の内端縁４０を、厚み方向一方側および他方側の両側から確認できる位置決め基準とすることができる。具体的には、図９Ｊ～図１０Ｋに示すように、内端縁４０を位置決め基準にして、第１フォトマスク４６および第２フォトマスク５６を配置して、露光および現像により、第１エッチングレジスト開口部５２および第２エッチングレジスト開口部５３を形成することができる。 Furthermore, as shown in FIG. 9I, since this wiring circuit sheet 60 includes the alignment mark metal film 31 having the alignment mark opening 33, the inner edge 40 of the alignment mark metal film 31 can be used as a positioning reference that can be confirmed from both sides in the thickness direction. Specifically, as shown in FIGS. 9J to 10K, a first photomask 46 and a second photomask 56 are placed with the inner edge 40 as a positioning reference, and the first etching resist opening 52 and the second etching resist opening 53 can be formed by exposure and development.

この配線回路基板１の用途も、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板１は、例えば、電子機器用配線回路基板（電子部品用配線回路基板）、電気機器用配線回路基板（電気部品用配線回路基板）などの各種用途で用いられる。 The use of this wired circuit board 1 is not particularly limited either, and it is used in various fields. The wired circuit board 1 is used in various applications such as, for example, a wired circuit board for electronic equipment (wired circuit board for electronic parts) and a wired circuit board for electric equipment (wired circuit board for electric parts).

変形例
以下の各変形例において、上記した第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１、第２実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。 MODIFIED EXAMPLES In the following modified examples, the same reference numerals are given to the same members and steps as in the above-described second embodiment, and detailed description thereof will be omitted. Also, each modification can achieve the same effects as the second embodiment unless otherwise specified. Furthermore, the first and second embodiments and modifications can be combined as appropriate.

第２実施形態では、配線回路基板集合体シート２０は、アラインメントマーク２１を複数（具体的には４つ）備えるが、その数は、特に限定されない。 In the second embodiment, the wired circuit board assembly sheet 20 has a plurality of (specifically, four) alignment marks 21, but the number is not particularly limited.

また、配線回路基板集合体シート２０は、アラインメントマーク２１を備えるが、製造途中の配線回路シート６０がアラインメントマーク２１（内端縁４０）を備えていればよく、図示しないが、複数の配線回路基板１を配線回路基板集合体シート２０に設けた後、アラインメントマーク２１を除去することもできる。つまり、この場合には、配線回路基板集合体シート２０は、アラインメントマーク２１を備えない。 The wired circuit board assembly sheet 20 is provided with the alignment mark 21, but it is sufficient that the wiring circuit sheet 60 in the process of manufacturing is provided with the alignment mark 21 (the inner edge 40). Although not shown, the alignment mark 21 can be removed after a plurality of wired circuit boards 1 are provided on the wired circuit board assembly sheet 20. That is, in this case, the wired circuit board assembly sheet 20 does not have the alignment marks 21 .

第２実施形態では、図９Ｇ～図９Ｉに示すように、エッチング（ウエットプロセス）により、第２開口部４１を形成しているが、例えば、図示しないが、レーザー加工（ドライプロセス）、ウォータージェット（ウォーターカッター）、プレス打ち抜きによって第２開口部４１を形成することもできる。好ましくは、エッチングが挙げられる。エッチングであれば、第２開口部４１を形成するが、アラインメントマーク金属膜３１を確実に残存させることができる。 In the second embodiment, as shown in FIGS. 9G to 9I, the second opening 41 is formed by etching (wet process), but for example, although not shown, the second opening 41 can also be formed by laser processing (dry process), water jet (water cutter), or press punching. Etching is preferred. Etching forms the second opening 41, but the alignment mark metal film 31 can be reliably left.

第２実施形態では、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９として、ネガ型のフォトレジスト（ネガティブフォトレジスト）を用いているが、例えば、ポジ型のフォトレジスト（ポジティブフォトレジスト）を用いることもできる。 In the second embodiment, a negative photoresist (negative photoresist) is used as the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59, but for example, a positive photoresist (positive photoresist) can also be used.

第２実施形態では、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５からフォトリソ加工により第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９を形成したが、例えば、第１エッチングレジスト開口部５２が予め形成された第１ドライフィルムレジスト４９と、第２エッチングレジスト開口部５３が予め形成された第２ドライフィルムレジスト５９とを、内端縁４０を位置基準として、支持金属シート４２の厚み方向両側に配置することもできる。 In the second embodiment, the first dry film resist 49 and the second dry film resist 59 are formed from the first etching resist 45 and the second etching resist 55 by photolithography. However, for example, the first dry film resist 49 in which the first etching resist opening 52 is formed in advance and the second dry film resist 59 in which the second etching resist opening 53 is formed in advance can be arranged on both sides in the thickness direction of the supporting metal sheet 42 with the inner edge 40 as a positional reference.

配線層６は、１つの配線体２４に１つ設けているが、例えば、図示しないが、１つの配線体２４に複数設けることもできる。 Although one wiring layer 6 is provided for one wiring body 24, for example, a plurality of wiring layers 6 may be provided for one wiring body 24, although not shown.

また、第２実施形態では、保護薄膜の一例であるめっき膜４をめっきにより形成しているが、例えば、保護薄膜（具体的には、樹脂保護薄膜）を、めっき以外のウエットプロセスで形成することができる。 Further, in the second embodiment, the plating film 4, which is an example of the protective thin film, is formed by plating, but for example, the protective thin film (specifically, the resin protective thin film) can be formed by a wet process other than plating.

図示しないが、例えば、配線回路基板集合体シート２０（図７および図１０Ｎ参照）および／または配線回路シート６０（図９Ｉ参照）は、支持金属層２の厚み方向他方側に配置される、第２保護金属膜３５、第２ベース絶縁層３６、第２配線層３７および第２カバー絶縁層３８（以上図５参照）をさらに備えることもできる。この場合には、配線体２４における支持金属層２の表面の全ては、第２保護金属膜３５、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。 Although not shown, for example, the wired circuit board assembly sheet 20 (see FIGS. 7 and 10N) and/or the wired circuit sheet 60 (see FIG. 9I) may further include a second protective metal film 35, a second insulating base layer 36, a second wiring layer 37 and a second insulating cover layer 38 (see FIG. 5 above), which are arranged on the other side of the supporting metal layer 2 in the thickness direction. In this case, the entire surface of the supporting metal layer 2 in the wiring body 24 is protected (covered) by the second protective metal film 35 , the protective metal film 3 and the plating film 4 .

１ 配線回路基板
２ 支持金属層
３ 保護金属膜
４ めっき膜（保護薄膜）
５ ベース絶縁層
６ 配線層
１０ 第１支持面
１１ 第２支持面
１２ 支持側面
２４ 配線体
３１ アラインメントマーク金属膜
３３ アラインメントマーク開口部
３５ 第２保護金属膜
３６ 第２ベース絶縁層
３７ 第２配線層
４０ 内端縁
４１ 第２開口部
４２ 支持金属シート
４３ 金属薄膜
４５ 第１エッチングレジスト
５５ 第２エッチングレジスト
６０ 配線回路シート 1 wiring circuit board 2 supporting metal layer 3 protective metal film 4 plating film (protective thin film)
5 Base insulating layer 6 Wiring layer 10 First supporting surface 11 Second supporting surface 12 Supporting side surface 24 Wiring body 31 Alignment mark metal film 33 Alignment mark opening 35 Second protective metal film 36 Second insulating base layer 37 Second wiring layer 40 Inner edge 41 Second opening 42 Supporting metal sheet 43 Metal thin film 45 First etching resist 55 Second etching resist 60 Wiring circuit sheet

Claims (4)

熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属層と、
前記支持金属層の少なくとも厚み方向一方側に配置される絶縁層と、
前記絶縁層の表面に配置される配線層と、
前記支持金属層と前記絶縁層との間において、前記支持金属層の表面全面に配置される保護金属膜と、
前記支持金属層において前記保護金属膜から露出する露出面に配置される保護薄膜とを備える配線回路基板を製造する方法であり、
互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線体を備える配線回路基板の製造方法であり、
前記複数の配線体のそれぞれは、前記支持金属層と、前記絶縁層と、前記配線層と、前記保護金属膜と、前記保護薄膜とを備える配線回路基板の製造方法であって、
熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属シートを準備する工程と、
金属薄膜を前記支持金属シートの前記厚み方向一方面に配置する工程と、
前記絶縁層を前記金属薄膜の厚み方向一方面に配置する工程と、
前記配線層を前記絶縁層の前記厚み方向一方面に配置する工程と、
前記保護金属膜と、前記保護金属膜と間隔を隔てられ、第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜とを、前記支持金属シートの厚み方向一方面に、同一の前記金属薄膜から形成する工程と、
厚み方向に投影したときに前記第１開口部を含み、かつ、前記第１開口部の内端縁が厚み方向他方側に向かって露出するように、第２開口部を前記支持金属シートに形成する工程と、
前記内端縁を位置決め基準として、エッチングレジストを、前記支持金属シートの厚み方向一方面および他方面に、厚み方向に投影したときに前記支持金属層と略同一パターンを有するように配置する工程と、
前記エッチングレジストから露出する前記支持金属シートを、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、前記支持金属層を形成する工程と、
前記保護薄膜を前記支持金属層の前記露出面にウエットプロセスで形成する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 a supporting metal layer having a thermal conductivity of 5 W/m·K or more;
an insulating layer disposed on at least one thickness direction side of the supporting metal layer;
a wiring layer disposed on the surface of the insulating layer;
a protective metal film disposed on the entire surface of the supporting metal layer between the supporting metal layer and the insulating layer;
a protective thin film disposed on the exposed surface of the supporting metal layer exposed from the protective metal film, and
A method for manufacturing a wired circuit board including a plurality of wiring bodies arranged in parallel with a space therebetween,
Each of the plurality of wiring bodies includes a supporting metal layer, an insulating layer, a wiring layer, a protective metal film, and a protective thin film in the wiring circuit board manufacturing method,
preparing a supporting metal sheet having a thermal conductivity of 5 W/m·K or more;
disposing a metal thin film on one surface of the supporting metal sheet in the thickness direction;
disposing the insulating layer on one surface in the thickness direction of the metal thin film ;
disposing the wiring layer on one surface of the insulating layer in the thickness direction;
a step of forming the protective metal film and an alignment mark metal film spaced apart from the protective metal film and having a first opening on one surface of the supporting metal sheet in the thickness direction from the same thin metal film;
forming a second opening in the supporting metal sheet so as to include the first opening when projected in the thickness direction and to expose the inner edge of the first opening toward the other side in the thickness direction;
using the inner edge as a positioning reference, arranging an etching resist on one side and the other side in the thickness direction of the supporting metal sheet so as to have substantially the same pattern as the supporting metal layer when projected in the thickness direction;
a step of etching the supporting metal sheet exposed from the etching resist from one side and the other side in the thickness direction to form the supporting metal layer;
and forming the protective thin film on the exposed surface of the supporting metal layer by a wet process. 前記保護薄膜が、めっき膜であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。 2. The method of manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein said protective thin film is a plated film. 熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属層と、
前記支持金属層の少なくとも厚み方向一方側に配置される絶縁層と、
前記絶縁層の表面に配置される配線層と、
前記支持金属層と前記絶縁層との間において、前記支持金属層の表面全面に配置される保護金属膜と、
前記支持金属層において前記保護金属膜から露出する露出面に配置される保護薄膜とを備える配線回路基板を製造するための配線回路シートであり、
互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線体を備える配線回路基板を製造するための配線回路シートであり、
前記複数の配線体のそれぞれは、前記支持金属層と、前記絶縁層と、前記配線層と、前記保護金属膜と、前記保護薄膜とを備える配線回路基板を製造するための配線回路シートであって、
熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、第２開口部を有する支持金属シートと、
前記支持金属シートの少なくとも厚み方向一方側に配置される前記絶縁層と、
前記配線層と、
前記絶縁層と前記支持金属シートとの間において前記第２開口部と間隔を隔てて配置される前記保護金属膜と、
前記支持金属シートの厚み方向一方面に配置されており、厚み方向に投影したときに前記第２開口部に含まれる第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜であって、前記第１開口部の内端縁が前記第２開口部を介して厚み方向他方側に向かって露出する前記アラインメントマーク金属膜と
を備えることを特徴とする、配線回路シート。 a supporting metal layer having a thermal conductivity of 5 W/m·K or more;
an insulating layer disposed on at least one thickness direction side of the supporting metal layer;
a wiring layer disposed on the surface of the insulating layer;
a protective metal film disposed on the entire surface of the supporting metal layer between the supporting metal layer and the insulating layer;
A wired circuit sheet for manufacturing a wired circuit board comprising a protective thin film disposed on the exposed surface of the supporting metal layer exposed from the protective metal film,
A wired circuit sheet for manufacturing a wired circuit board having a plurality of wiring bodies arranged in parallel with each other at intervals,
Each of the plurality of wiring bodies is a wiring circuit sheet for manufacturing a wiring circuit board comprising the supporting metal layer, the insulating layer, the wiring layer, the protective metal film, and the protective thin film,
a supporting metal sheet having a thermal conductivity of 5 W/m·K or more and having a second opening;
the insulating layer disposed on at least one side in the thickness direction of the supporting metal sheet;
the wiring layer;
the protective metal film spaced apart from the second opening between the insulating layer and the supporting metal sheet;
An alignment mark metal film disposed on one side in the thickness direction of the supporting metal sheet and having a first opening included in the second opening when projected in the thickness direction, wherein the inner edge of the first opening is exposed toward the other side in the thickness direction through the second opening. 前記保護薄膜が、めっき膜であることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路シート。 4. The wired circuit sheet according to claim 3 , wherein said protective thin film is a plating film.
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