JP7315148B2 - セラミックス、セラミックスコーティング方法、およびセラミックスコーティング装置 - Google Patents
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Description
12 炉本体
14 断熱材
16a、16b 貫通孔
18 るつぼ
20 るつぼ受軸
24 導入口
26 セラミックス材
28 保持軸
30 排出口
32、32a、32b 発熱体
Claims (16)
- セラミックス材の表面がSiC多結晶膜でコーティングされ、
前記SiC多結晶膜の炭素の一部が窒素で置換されていること
を特徴とするセラミックス。 - セラミックス材の表面がSiC多結晶膜でコーティングされ、
前記SiC多結晶膜が電気抵抗値の異なる複数層からなること
を特徴とするセラミックス。 - セラミックス材の表面がSiC多結晶膜でコーティングされ、
前記SiC多結晶膜が粒径の異なる複数層からなること
を特徴とするセラミックス。 - 断熱性を有する炉本体内に、ケイ素を収容した炭素からなるるつぼを配置する工程と、
前記るつぼの上方に、セラミックス材を配置する工程と、
前記炉本体内に、不活性ガスを導入する工程と、
不活性ガス雰囲気下で前記るつぼを加熱し、ケイ素を融解し、該ケイ素の融解液内に前記るつぼから炭素を溶出させると共に、前記融解液からケイ素および炭素を上方に配置した前記セラミックス材の表面に蒸着させてSiC多結晶膜を形成する工程と、を含むこと
を特徴とするセラミックスコーティング方法。 - 前記るつぼの温度領域よりも前記セラミックス材の温度領域を低温にすること
を特徴とする請求項4記載のセラミックスコーティング方法。 - 請求項4または請求項5記載のセラミックスコーティング方法において、
前記るつぼおよび前記セラミックス材の温度を変化させることによって、前記SiC多結晶膜を粒径の異なる複数層に形成すること
を特徴とするセラミックスコーティング方法。 - 請求項4または請求項5記載のセラミックスコーティング方法において、
前記るつぼと前記セラミックス材との間の距離を変化させることによって、前記SiC多結晶膜を粒径の異なる複数層に形成すること
を特徴とするセラミックスコーティング方法。 - 請求項4または請求項5記載のセラミックスコーティング方法において、
不活性ガスに窒素ガスを混合した雰囲気下で前記るつぼを加熱することによって、前記SiC多結晶膜の炭素の一部を窒素で置換すること
を特徴とするセラミックスコーティング方法。 - 請求項4または請求項5記載のセラミックスコーティング方法において、
不活性ガスに窒素ガスを混合した雰囲気下で前記るつぼを加熱することによって、前記SiC多結晶膜を電気抵抗値の異なる複数層に形成すること
を特徴とするセラミックスコーティング方法。 - セラミックス材の表面がSiC多結晶膜でコーティングされたセラミックスの製造方法であって、
前記コーティングを、請求項4~9のいずれか一項に記載のセラミックスコーティング法によって行うこと
を特徴とするセラミックスの製造方法。 - 断熱性を有する炉本体と、
前記炉本体内に配設された一または複数の発熱体と、
前記炉本体内に不活性ガスを導入する導入口と、
前記炉本体内のガスを排出する排出口と、
前記炉本体内の下部を貫通して設けられたるつぼ受軸と、
該るつぼ受軸上に配置され、前記発熱体により加熱される炭素からなるるつぼと、
前記炉本体の上部を貫通して設けられ、前記るつぼの上方に位置して、セラミックス材を保持する保持軸と、を備えること
を特徴とするSiC多結晶膜によるセラミックスコーティング装置。 - 前記るつぼ受軸および前記保持軸の一方または両方が、上下動自在に構成されていること
を特徴とする請求項11記載のSiC多結晶膜によるセラミックスコーティング装置。 - 前記るつぼ受軸および前記保持軸の一方または両方が、軸回転自在に構成されていること
を特徴とする請求項11または請求項12記載のSiC多結晶膜によるセラミックスコーティング装置。 - 前記発熱体が、前記炉本体内の上方側と下方側とにそれぞれ独立して配設されていることによって、前記炉本体内の上部および下部の温度を独立して調整可能に構成されていること
を特徴とする請求項11~13のいずれか一項に記載のSiC多結晶膜によるセラミックスコーティング装置。 - 前記導入口が、アルゴンガスおよび窒素ガスが導入可能に構成されていること
を特徴とする請求項11~14のいずれか一項に記載のSiC多結晶膜によるセラミックスコーティング装置。 - セラミックス材の表面がSiC多結晶膜でコーティングされたセラミックスの製造方法であって、
前記コーティングを、請求項11~15のいずれか一項に記載のSiC多結晶膜によるセラミックスコーティング装置を用いて行うこと
を特徴とするセラミックスの製造方法。
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---|---|---|---|---|
US5670253A (en) | 1995-12-20 | 1997-09-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ceramic wafers and thin film magnetic heads |
JP2002249387A (ja) | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素質部材の製造方法 |
JP2002274994A (ja) | 2001-03-23 | 2002-09-25 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置並びに炭化珪素単結晶インゴット |
JP2003247062A (ja) | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Sony Corp | 薄膜形成方法及びその装置 |
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---|---|---|---|---|
JPH0323267A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-31 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化珪素焼結体 |
JP3823345B2 (ja) * | 1995-08-22 | 2006-09-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 単結晶成長方法および単結晶成長装置 |
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2019
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5670253A (en) | 1995-12-20 | 1997-09-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ceramic wafers and thin film magnetic heads |
JP2002249387A (ja) | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素質部材の製造方法 |
JP2002274994A (ja) | 2001-03-23 | 2002-09-25 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置並びに炭化珪素単結晶インゴット |
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