JP7315102B2

JP7315102B2 - 樹脂多層基板

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Publication number: JP7315102B2
Application number: JP2022531956A
Authority: JP
Inventors: 芳正西; 智浩永井
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2020-06-24
Filing date: 2021-06-21
Publication date: 2023-07-26
Anticipated expiration: 2041-06-21
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Description

本発明は、複数の樹脂層を有する樹脂多層基板及びその製造方法に関する。

従来の樹脂多層基板の一例が特許文献１に記載されている。この樹脂多層基板は、積層された複数の樹脂基材と、樹脂基材に貼付され、回路パターンが形成された金属箔と、を備える。

国際公開第２０１８／１６３９９９号

樹脂多層基板の製造には、樹脂基材の片面に銅箔を設けた銅張り基板が一般に用いられている。樹脂基材に銅箔を担持させるために、銅箔の片面を粗化処理し、樹脂基材と銅箔との密着強度を高めることも一般に行われている。

しかし、銅箔の種類によって、実現できる表面粗さが異なるので、所望の表面粗さが得られるわけではない。例えば、圧延製法で製造された圧延銅箔の場合、一方主面の表面粗さは極めて小さいが、他方主面を精度良く粗化処理することは困難である。一方、電解めっきによって製造された電解銅箔の場合、一方主面の表面粗さはそれほど小さくないが、他方主面を精度良く粗化処理することが可能である。

そこで、本発明の目的は、樹脂基材と金属箔との密着強度が確保され、かつ表面粗さについての設計自由度が向上した樹脂多層基板及びその製造方法を提供することにある。

本発明の樹脂多層基板は、
積層された複数の樹脂層と、
前記樹脂層に形成され、第１主面が第１の表面粗さ、第２主面が第２の表面粗さを有する第１の金属箔と、
前記樹脂層に形成され、第３主面が第３の表面粗さ、第４主面が第４の表面粗さを有する第２の金属箔と、を備え、
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立する。

本発明の樹脂多層基板の製造方法は、
第１主面が第１の表面粗さ、第２主面が第２の表面粗さを有する第１の金属箔、及び第３主面が第３の表面粗さ、第４主面が第４の表面粗さを有する第２の金属箔を用意する工程と、
前記第１の金属箔の前記第２主面が第１の樹脂基材の主面に面するように前記第１の金属箔を前記第１の樹脂基材の主面に配置し、前記第２の金属箔の前記第４主面が第２の樹脂基材の主面に面するように前記第２の金属箔を前記第２の樹脂基材の主面に配置する工程と、
前記第１の樹脂基材及び前記第２の樹脂基材を含む複数の樹脂基材を積層する工程と、を備え、
前記第１主面と前記第２の金属箔との距離は、前記第２主面と前記第２の金属箔との距離より短く、
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立する。

本発明によれば、樹脂基材と金属箔との密着強度が確保され、かつ表面粗さの設計自由度が向上した樹脂多層基板が得られる。

図１は本発明の第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０の模式的断面図である。図２（Ａ）は第１の比較例に係る樹脂多層基板５０の模式的断面図である。

図２（Ｂ）は第２の比較例に係る樹脂多層基板６０の模式的断面図である。
図３（Ａ）は、樹脂多層基板１０の実装構造の模式的側面図である。図３（Ｂ）は、樹脂多層基板１０の折り曲げ部１５の模式的な側面断面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は樹脂多層基板１０の製造方法を示す模式的断面図である。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は樹脂多層基板１０の製造方法を示す模式的断面図である。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は樹脂多層基板１０の製造方法を示す模式的断面図である。図７は本発明の第２の実施形態に係る樹脂多層基板４０の模式的断面図である。

以降、本発明を実施するための複数の形態を示す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能である。各々の実施形態では、その実施形態以前に説明した点と異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は本発明の第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０の模式的断面図である。樹脂多層基板１０は、樹脂層１１１，１１２，１１３，１１４、第１の銅箔１２、第２の銅箔１３、及び層間接続導体１４を備える。樹脂層１１１～１１４は下側から上側に向かってこの順で積層される。第１の銅箔１２は第１の銅箔１２１，１２２を含む。第１の銅箔１２１は樹脂層１１１の上面に配置される。第１の銅箔１２２は樹脂層１１４の下面に配置される。第２の銅箔１３は樹脂層１１２の上面に配置される。第１の銅箔１２１と第１の銅箔１２２とは互いに対向する。第２の銅箔１３は第１の銅箔１２１と第１の銅箔１２２との間に配置される。層間接続導体１４は、樹脂層１１１～１１４を貫通し、第１の銅箔１２１と第１の銅箔１２２とを接続する。

樹脂層１１１～１１４は、例えば液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂で構成されるが、他の樹脂材料で構成されてもよい。

層間接続導体１４は、スルーホールであるが、貫通孔に充填した導体ペーストを硬化又は焼結したビアホール導体でもよい。

なお、本願明細書において、「上側」及び「下側」という文言は、一方側と他方側とを区別するための便宜的なものである。同様に、「上面」及び「下面」という文言は、一方側の主面と他方側の主面とを区別するための便宜的なものである。

第１の銅箔１２は、第１の表面粗さを有する第１主面Ｓ１、及び第２の表面粗さを有する第２主面Ｓ２を有する。第２の銅箔１３は、第３の表面粗さを有する第３主面Ｓ３、及び第４の表面粗さを有する第４主面Ｓ４を有する。第１の表面粗さをＳＲ１、第２の表面粗さをＳＲ２、第３の表面粗さをＳＲ３、第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３＜ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立する。ただし、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立してもよい。本願では、表面粗さのパラメータとして、十点平均粗さＲｚｊｉｓ（ＪＩＳＢ０６０１－２００１）を用いる。表面粗さは、例えば、銅箔の表面を用いて評価できる。

第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１は第２の銅箔１３の第４主面Ｓ４に対向する。第１の銅箔１２２の第１主面Ｓ１は第２の銅箔１３の第３主面Ｓ３に対向する。第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１と第２の銅箔１３との距離は、第１の銅箔１２１の第２主面Ｓ２と第２の銅箔１３との距離より短い。第１の銅箔１２２の第１主面Ｓ１と第２の銅箔１３との距離は、第１の銅箔１２２の第２主面Ｓ２と第２の銅箔１３との距離より短い。

例えば、第１の銅箔１２は圧延銅箔であり、第２の銅箔１３は電解銅箔である。第１の銅箔１２の第１主面Ｓ１及び第２の銅箔１３の第３主面Ｓ３は、粗化処理されない面である。第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２及び第２の銅箔１３の第４主面Ｓ４は、粗化処理された面である。圧延銅箔の粗化処理されない面の表面粗さは、電解銅箔の粗化処理されない面の表面粗さより小さい。このため、ＳＲ１＜ＳＲ３の関係が成立する。電解銅箔の粗化処理されない面の表面粗さは、電解銅箔の粗化処理された面の表面粗さより小さい。このため、ＳＲ３＜ＳＲ４の関係が成立する。電解銅箔の粗化処理の精度は圧延銅箔の粗化処理の精度より高い。その結果、電解銅箔の粗化処理された面の表面粗さは、圧延銅箔の粗化処理された面の表面粗さより小さい。このため、ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立する。

なお、第１の銅箔１２及び第２の銅箔１３は、それぞれ、圧延銅箔及び電解銅箔に限定されず、表面粗さについて上記の関係を満たす他の種類の銅箔でもよい。

樹脂多層基板１０は、高周波伝送線路、より具体的にトリプレート型伝送線路を構成している。トリプレート型伝送線路は、互いに対向するグランド導体、及びグランド導体間に設けられた少なくとも１つの信号線を有する。グランド導体は第１の銅箔１２１，１２２で構成され、信号線は第２の銅箔１３で構成される。

図２（Ａ）は第１の比較例に係る樹脂多層基板５０の模式的断面図である。図２（Ｂ）は第２の比較例に係る樹脂多層基板６０の模式的断面図である。樹脂多層基板５０は、グランド導体が第２の銅箔１３で構成される点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０と異なる。樹脂多層基板６０は、信号線が第１の銅箔１２で構成される点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０と異なる。

トリプレート型伝送線路を信号が伝搬する際、主に、信号線の両主面、及びグランド導体における信号線に対向する主面に、電流が流れる。そして、電流が流れる表面の表面粗さが大きいほど、導体損失が大きくなる。

樹脂多層基板１０では、グランド導体における信号線に対向する主面は、第１の銅箔１２の第１主面Ｓ１であり、第１の表面粗さを有する。樹脂多層基板５０では、グランド導体における信号線に対向する主面は、第２の銅箔１３の第３主面Ｓ３であり、第３の表面粗さを有する。このため、樹脂多層基板１０のトリプレート型伝送線路の導体損失は、樹脂多層基板５０のトリプレート型伝送線路の導体損失より小さい。

樹脂多層基板１０の信号線は第２の銅箔１３で構成される。この場合、信号線の両主面の表面粗さが比較的小さく抑えられるので、導体損失はそれほど大きくない。樹脂多層基板６０の信号線は第１の銅箔１２で構成される。この場合、電流が信号線を構成する第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２を流れることで、導体損失が大きくなる。このため、樹脂多層基板１０のトリプレート型伝送線路の導体損失は、樹脂多層基板６０のトリプレート型伝送線路の導体損失より小さい。

このように、第１の実施形態によれば、電流が流れる表面に、表面粗さが他と比べて小さい第１主面Ｓ１と、表面粗さが比較的小さく抑えられた第２主面Ｓ２及び第３主面Ｓ３とを適宜配置することで、伝送特性に優れたトリプレート型伝送線路を形成できる。なお、樹脂多層基板６０は、マイクロストリップ型伝送線路を形成してもよい。この場合、第１の銅箔１２は、１個でよい。

なお、樹脂多層基板には、配線、インダクタ、キャパシタ、又は他の構造が形成されてもよい。その場合、例えば、次のように第１の銅箔１２と第２の銅箔１３とを使い分けてもよい。即ち、第１の銅箔１２の第１主面Ｓ１を活用するために、基本的には第１の銅箔１２を用いる。但し、第１の銅箔１２を用いると、第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２の影響により樹脂多層基板の特性が劣化する場所には、第２の銅箔１３を用いる。

図３（Ａ）は、樹脂多層基板１０の実装構造の模式的側面図である。樹脂多層基板１０は、上記のように高周波伝送線路を構成しており、回路基板２１１と回路基板２１２とを電気的に接続するように実装されてもよい。樹脂多層基板１０にはコネクタ２２１が設けられ、回路基板２１１，２１２にはコネクタ２２２が設けられ、コネクタ２２１はコネクタ２２２に電気的に接続される。樹脂多層基板１０は折り曲げ部１５を有してもよい。これにより、回路基板２１１のコネクタ２２２と回路基板２１２のコネクタ２２２とが異なる高さに配置されていても、樹脂多層基板１０の実装が容易になる。

図３（Ｂ）は、樹脂多層基板１０の折り曲げ部１５の模式的な側面断面図である。樹脂多層基板１０に配置される銅箔の主面の中で、第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２が樹脂多層基板１０の表層に最も近接する。

樹脂多層基板が曲げられると、樹脂多層基板の表層に近いほど応力が大きくなる。その結果、一般に、樹脂多層基板の表層に近いほど銅箔と樹脂層の間の剥離が起こりやすい。

第１の実施形態によれば、上記のように、第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２が樹脂多層基板１０の表層に最も近い。第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２の第２の表面粗さは他と比べて大きいので、第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２と樹脂層との密着強度は他と比べて大きい。このため、樹脂多層基板１０が曲げられた場合でも、銅箔と樹脂層の間の剥離が抑制される。

また、第１の銅箔１２，１２１，１２２及び第２の銅箔１３が銅箔であるので、樹脂多層基板１０を安価に製造することができる。

図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図６（Ａ）、及び図６（Ｂ）は、樹脂多層基板１０の製造方法を示す模式的断面図である。

図４（Ａ）から図６（Ｂ）では、便宜上、１つの樹脂多層基板１０を製造する工程を示している。しかし、実際には、複数の樹脂多層基板１０の構造を形成した集合基板を個片に分離することで、個別の樹脂多層基板１０を製造する。

まず、図４（Ａ）に示すように、第１の銅箔１２及び第２の銅箔１３を用意する。例えば、第１の銅箔１２は圧延製法で製造される。具体的には、インゴットの鋳造、熱間圧延、並びに冷間圧延及び焼鈍の繰り返しによって銅箔を形成した後、電解めっきによる粗化処理を行う。例えば、第２の銅箔１３は電解めっきによって製造される。具体的には、ドラム状の陰極とその陰極に対向する陽極との間に、電解液を流し込み、電流を印加することで、陰極表面に銅を析出させる。陰極表面からその銅を銅箔として剥離した後、電解めっきによる粗化処理を行う。

次に、図４（Ｂ）に示すように、第１の銅箔１２１と樹脂基材（樹脂シート）３１１とを加熱しながらロールプレスすることによって、第１の銅箔１２１と樹脂基材３１１とを圧着し、銅張り基板を形成する。同様に、第２の銅箔１３と樹脂基材３１２とを圧着する。第１の銅箔１２２と樹脂基材３１４とを圧着する。樹脂基材３１１，３１４は本発明の「第１の樹脂基材」の一例である。樹脂基材３１２は本発明の「第２の樹脂基材」の一例である。この際、第１の銅箔１２１の第２主面Ｓ２が樹脂基材３１１の主面に面するように第１の銅箔１２１を樹脂基材３１１の主面に配置する。第２の銅箔１３の第４主面Ｓ４が樹脂基材３１２の主面に面するように第２の銅箔１３を樹脂基材３１２の主面に配置する。第１の銅箔１２２の第２主面Ｓ２が樹脂基材３１４の主面に面するように第１の銅箔１２２を樹脂基材３１４の主面に配置する。

次に、図４（Ｂ）及び図５（Ａ）に示すように、例えばフォトリソグラフィ技術で、第１の銅箔１２１，１２２及び第２の銅箔１３をパターニングする。図５（Ａ）では、第１の銅箔１２１，１２２が設けられた樹脂基材３１１，３１４の図示を省略している。

次に、図５（Ｂ）及び図６（Ａ）に示すように、樹脂基材３１１，３１２，３１３，３１４を積層する。そして、樹脂基材３１１～３１４を加熱しながらロールプレスすることによって、樹脂基材３１１～３１４を一括して圧着し、積層体３６を形成する。

次に、図６（Ｂ）に示すように、積層体３６に貫通孔を形成し、その貫通孔の内壁に銅めっきを施すことによって、層間接続導体１４を形成する。これにより、樹脂多層基板１０が得られる。

第１の実施形態によれば、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立している。第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２が樹脂基材の主面に面するように第１の銅箔１２を樹脂基材に担持させ、第２の銅箔１３の第３主面Ｓ３又は第４主面Ｓ４が樹脂基材の主面に面するように第２の銅箔１３を樹脂基材に担持させることで、銅箔と樹脂基材との密着強度が確保される。

特に、第２の銅箔１３の第４主面Ｓ４の第４の表面粗さは第２の銅箔１３の第３主面Ｓ３の第３の表面粗さより大きい。第１の銅箔１２の第２主面Ｓ２が樹脂基材の主面に面するように第１の銅箔１２を樹脂基材に担持させ、第２の銅箔１３の第４主面Ｓ４が樹脂基材の主面に面するように第２の銅箔１３を樹脂基材に担持させることで、銅箔と樹脂基材との密着強度がより確保される。

また、第１の実施形態によれば、銅箔として、表面粗さの異なる第１の銅箔１２と第２の銅箔１３とが使用される。第１の銅箔１２と第２の銅箔１３とを使い分けることによって、表面粗さについての設計自由度が高まる。

さらに、上記のように、第１の銅箔１２と第２の銅箔１３が適宜配置されることによって、伝送特性に優れたトリプレート型伝送線路が得られる。

《第２の実施形態》
図７は本発明の第２の実施形態に係る樹脂多層基板４０の模式的断面図である。樹脂多層基板４０は、樹脂層４７１，４７２をさらに備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０と異なる。

樹脂層１１２は第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１に面する。樹脂層４７１は、第１の銅箔１２１と樹脂層１１２との間に配置され、第１の銅箔１２１及び樹脂層１１２に接する。樹脂層４７１と樹脂層１１１～１１４とは特性の異なる材料で構成される。例えば、樹脂層１１１～１１４は液晶ポリマーであり、樹脂層４７１はエポキシ樹脂である。樹脂層４７１は、第１の銅箔１２１と樹脂層１１２との接合を高める接着層として働く。同様に、樹脂層４７２と樹脂層１１１～１１４とは特性の異なる材料で構成される。樹脂層４７２は、第１の銅箔１２２と樹脂層１１３との接合を高める接着層として働く。樹脂層１１２，１１３は本発明の「第１の樹脂層」の一例である。樹脂層４７１，４７２は本発明の「第２の樹脂層」の一例である。

なお、接着層として働く樹脂層が第２の銅箔１３と樹脂層１１３との間に設けられてもよい。

第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１の第１の表面粗さは他と比べて小さいので、樹脂層１１２が第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１に直接に接合する場合、樹脂層１１２は第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１から剥離しやすくなる。その結果、樹脂層１１２は樹脂層１１１から剥離しやすくなる。同様に、樹脂層１１３が第１の銅箔１２２の第１主面Ｓ１に直接に接合する場合、樹脂層１１３は樹脂層１１４から剥離しやすくなる。

第２の本実施形態によれば、樹脂層１１２が樹脂層４７１を介して第１の銅箔１２１の第１主面Ｓ１に接合するので、樹脂層１１１，１１２間の剥離が抑制される。同様に、樹脂層１１３，１１４間の剥離が抑制される。

最後に、上記の実施形態の説明は、すべての点で例示であり、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上記の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

なお、例えば溶剤により、樹脂多層基板１０，４０の樹脂層を除去できる。これにより、第１の銅箔１２の表面粗さ及び第２の銅箔１３の表面粗さを測定できる。

なお、第１の銅箔１２，１２１，１２２及び第２の銅箔１３は、金属箔であってもよい。金属箔は、例えば、銅以外の金属（例えば、アルミニウム）でもよい。

なお、第１の銅箔１２，１２１，１２２及び第２の銅箔１３は、銅箔を主体としていればよい。従って、第１の銅箔１２，１２１，１２２及び第２の銅箔１３は、防錆のために銅箔の表面にメッキが施された金属箔であってもよい。金属箔は、例えば、銅以外の金属（例えば、アルミニウム）でもよい。

なお、第１の銅箔１２及び第２の銅箔１３が信号線であってもよい。この場合、第１の銅箔１２及び第２の銅箔１３は、差動伝送線路を形成する。表面粗さの小さな第１主面Ｓ１が第２の銅箔１３に面していればよい。これにより、第１の銅箔１２において発生する損失が低減される。

なお、２個以上の第２の銅箔１３が、グランド導体である第１の銅箔１２１，１２２の間において図１の左右方向に並んでいてもよい。２個以上の第２の銅箔１３は、信号線である。そして、２個以上の第２の銅箔１３は、差動伝送線路を形成する。

なお、２個以上の第２の銅箔１３が、図１の上下方向に並んでいてもよい。この場合、２個以上の第２の銅箔１３は、第１の銅箔１２１と第１の銅箔１２２との間に位置する。２個以上の第２の銅箔１３は、信号線である。そして、２個以上の第２の銅箔１３は、差動伝送線路を形成する。

なお、３個以上の第２の銅箔１３が、図１の左右方向に並んでいてもよい。左端に位置する第２の銅箔１３及び右端に位置する第２の銅箔１３は、グランド導体である。残余の第２の銅箔１３は、信号線である。

Ｓ１…第１主面
Ｓ２…第２主面
Ｓ３…第３主面
Ｓ４…第４主面
１０，４０，５０，６０…樹脂多層基板
１１１，１１２，１１３，１１４，４７１，４７２…樹脂層
１２，１２１，１２２…第１の銅箔
１３…第２の銅箔
１４…層間接続導体
１５…折り曲げ部
２１１，２１２…回路基板
２２１，２２２…コネクタ
３１１，３１２，３１３，３１４…樹脂基材
３６…積層体

Claims

少なくとも第１樹脂層、第２樹脂層及び第３樹脂層が積層された複数の樹脂層と、
第１主面が第１の表面粗さ、第２主面が第２の表面粗さを有する第１の金属箔と、
第３主面が第３の表面粗さ、第４主面が第４の表面粗さを有する第２の金属箔と、を備え、
前記第１主面が前記第２樹脂層に接触するように前記第１の金属箔が前記第１樹脂層に担持され、
前記第３主面又は前記第４主面が前記第３樹脂層に接触するように前記第２の金属箔が前記第２樹脂層に担持され、
前記第１の金属箔と前記第２の金属箔との間には、前記第２樹脂層が設けられ、
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立し、
前記第１の金属箔は圧延金属箔で構成され、前記第２の金属箔は電解金属箔で構成される、
樹脂多層基板。
前記複数の樹脂層は液晶ポリマーで構成される、
請求項１に記載の樹脂多層基板。
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３＜ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立する、
請求項１又は２のいずれかに記載の樹脂多層基板。
前記第１の金属箔及び前記第２の金属箔は、銅箔を主体とする、
請求項１から３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
前記第１主面と前記第２の金属箔との距離は、前記第２主面と前記第２の金属箔との距離より短い、
請求項１から４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
少なくとも第１樹脂層、第２樹脂層及び第３樹脂層が積層された複数の樹脂層と、
第１主面が第１の表面粗さ、第２主面が第２の表面粗さを有する第１の金属箔と、
第３主面が第３の表面粗さ、第４主面が第４の表面粗さを有する第２の金属箔と、を備え、
前記第１主面が前記第２樹脂層に接触するように前記第１の金属箔が前記第１樹脂層に担持され、
前記第３主面又は前記第４主面が前記第３樹脂層に接触するように前記第２の金属箔が前記第２樹脂層に担持され、
前記第１の金属箔と前記第２の金属箔との間には、前記第２樹脂層が設けられ、
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立し、
折り曲げ部を有する、
樹脂多層基板。
前記樹脂多層基板に配置される金属箔の主面の中で、前記第１の金属箔の前記第２主面が前記樹脂多層基板の表層に最も近接する、
請求項６に記載の樹脂多層基板。
少なくとも第１樹脂層、第２樹脂層及び第３樹脂層が積層された複数の樹脂層と、
第１主面が第１の表面粗さ、第２主面が第２の表面粗さを有する第１の金属箔と、
第３主面が第３の表面粗さ、第４主面が第４の表面粗さを有する第２の金属箔と、を備え、
前記第１主面が前記第２樹脂層に接触するように前記第１の金属箔が前記第１樹脂層に担持され、
前記第３主面又は前記第４主面が前記第３樹脂層に接触するように前記第２の金属箔が前記第２樹脂層に担持され、
前記第１の金属箔と前記第２の金属箔との間には、前記第２樹脂層が設けられ、
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立し、
高周波伝送線路を構成している、
樹脂多層基板。
少なくとも一つの信号線を有するトリプレート型伝送線路を構成しており、
前記少なくとも一つの信号線は前記第２の金属箔で構成される、
請求項８に記載の樹脂多層基板。
前記第１主面と前記第２の金属箔との距離は、前記第２主面と前記第２の金属箔との距離より短く、
グランド導体は、前記第１の金属箔で構成される、
請求項９に記載の樹脂多層基板。
少なくとも第１樹脂層、第２樹脂層及び第３樹脂層が積層された複数の樹脂層と、
第１主面が第１の表面粗さ、第２主面が第２の表面粗さを有する第１の金属箔と、
第３主面が第３の表面粗さ、第４主面が第４の表面粗さを有する第２の金属箔と、を備え、
前記第１主面が前記第２樹脂層に接触するように前記第１の金属箔が前記第１樹脂層に担持され、
前記第３主面又は前記第４主面が前記第３樹脂層に接触するように前記第２の金属箔が前記第２樹脂層に担持され、
前記第１の金属箔と前記第２の金属箔との間には、前記第２樹脂層が設けられ、
前記第１の表面粗さをＳＲ１、前記第２の表面粗さをＳＲ２、前記第３の表面粗さをＳＲ３、前記第４の表面粗さをＳＲ４としたとき、ＳＲ１＜ＳＲ３≦ＳＲ４＜ＳＲ２の関係が成立し、
前記第１樹脂層は、前記第１の金属箔の前記第２主面に面し、
前記第２樹脂層は、前記第１の金属箔と前記第３樹脂層との間に配置され、
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とは特性の異なる材料で構成される、
樹脂多層基板。
前記第１主面と前記第３主面とが向かい合っている、
請求項１から１１のいずれかに記載の樹脂多層基板。
前記第１主面と前記第４主面とが向かい合っている、
請求項１から１１のいずれかに記載の樹脂多層基板。