JP7314109B2 - 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法 - Google Patents
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Description
例えば、極端紫外線(EUV:Extreme Ultra Violet)を用いて微細なパターンの転写を行うEUVリソグラフィ法において用いられる反射型マスクは、ルテニウムを含むキャッピング層(ストッパ層などとも称される)を有している。
この反射型マスクの製造においては、基板の主面に、反射層、キャッピング層、吸収層を順次形成し、吸収層をドライエッチング処理することで、所望のパターンを有するパターン領域を形成している。そして、吸収層とキャッピング層と反射層とをドライエッチング処理することで、パターン領域を囲む遮光領域(遮光枠などとも称される)を形成している。
ここで、吸収層をドライエッチング処理した際に用いられたレジストマスクは、オゾン水や、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄を行うことで除去している。
ところが、キャッピング層がルテニウムから形成されている場合にこの様な洗浄を行うと、ルテニウムが酸化して酸化ルテニウムが形成される。
そして、酸化ルテニウムが形成されると、反射率が低下するという問題が生じる。
反射型マスクに付着した有機物もオゾン水や、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄を行うことで除去している(例えば、特許文献1を参照)。
また、反射型マスクは、前述の洗浄工程やドライエッチング工程における処理や、処理装置間における搬送の途中で、酸素を含む雰囲気にさらされることがある。
ルテニウムを含むキャッピング層の一部は、吸収層から露出している。
そのため、露出した部分に酸化ルテニウムが形成されて、反射率が低下して、反射型マスクとしての光学特性が劣化するという問題が生じる。
電極と、前記電極に電力を供給してプラズマを発生させる電源と、前記プラズマが発生される空間に還元性ガスを供給するガス供給部と、を有し、前記キャッピング層が露出している前記反射マスクの表面に、前記キャッピング層に付着した前記付着物を除去し、前記酸化ルテニウムからなる層の一部を還元するように、前記プラズマにより前記還元性ガスから生成されたプラズマ生成物を供給するプラズマ生成物供給部と、
ノズルと、前記ノズルに還元性溶液を供給する供給部とを有し、前記プラズマ生成物供給部によって前記プラズマ生成物が供給された後の前記反射マスクの前記表面に、前記キャッピング層に残留する前記付着物の残渣を除去するように、前記還元性溶液を供給する溶液供給部と、を備えている。
被洗浄物Wは、酸化されやすい材料を含む層が露出したものとすることができる。
被洗浄物Wは、例えば、ルテニウムを含むキャッピング層を有する反射型マスク、ルテニウムを含むキャッピング層を有する基板(反射型マスクの製造過程にある基板)などとすることができる。
図1に示すように、基板201の一方の主面には、反射層202、キャッピング層203、吸収層204がこの順で積層されている。
また、基板201の他方の主面には、導電層205が形成されている。
反射層202は、モリブデン(Mo)層202aとシリコン(Si)層202bとが交互に積層されるようにして形成されたものである。例えば、反射層202は、モリブデン
層とシリコン層との対が、40対~50対程度積層されたものとすることができる。
吸収層204は、吸収体層204aと反射防止層204bとを有する。
吸収体層204aは、例えば、タンタルの窒化物(例えば、タンタルホウ素窒化物(TaBN)、窒化タンタル(TaN)など)やクロムの窒化物(例えば、窒化クロム(CrN)など)などを含む。
反射防止層204bは、例えば、タンタルの酸化物(例えば、タンタルホウ素酸化物(TaBO)、酸化タンタル(TaO)など)やクロムの酸化物(例えば、酸化クロム(CrOx)など)などを含む。
導電層205は、例えば、窒化クロムなどを含む。
遮光領域217は、パターン領域216を囲むように形成されている。
図1中のA部に示すように、パターン領域216においては、ルテニウムを含むキャッピング層203が露出している。
そのため、オゾン水や過硫酸を用いた洗浄を行うと、キャッピング層203の露出している部分が酸化されて酸化ルテニウムが形成される場合がある。
また、被洗浄物Wが、ドライエッチング時の搬送工程などで酸素を含む雰囲気にさらされて、洗浄する前に、キャッピング層203の露出している部分が酸化されて酸化ルテニウムが形成されている場合がある。
酸化ルテニウムが形成されると、反射率が低下するという問題が生じる。
すなわち、反射型マスク210の光学特性が劣化してしまうという問題が生じる。
洗浄装置101は、枚葉処理方式の洗浄装置である。
図2に示すように、洗浄装置101には、洗浄部10、第1の供給部20、第2の供給部30、および制御部40が設けられている。
載置部11には、載置台11a、回転軸11b、および駆動部11cが設けられている。
載置台11aは、板状を呈している。
また、載置台11aの一方の主面には凹部が設けられ、凹部の底面が被洗浄物Wを載置する載置面11a1となっている。
そのため、載置台11aの凹部の内部に被洗浄物Wを収納することで、被洗浄物Wの載置と被洗浄物Wの機械的な保持ができるようになっている。
この場合、被洗浄物Wは、酸化されやすい材料を含む層(例えば、ルテニウムを含むキャッピング層203)をノズル13の側に向けて載置される。
なお、載置台11aに設けられた図示しない真空チャックや静電チャックにより被洗浄物Wを保持するようにしてもよい。
回転軸11bの一方の端部は、載置台11aの載置面11a1と対峙する面に接続されている。
回転軸11bは、挿通部12bの内部を通り、カバー12の外部に延びている。
回転軸11bの他方の端部は、カバー12の外部において駆動部11cと接続されている。
駆動部11cの回転力は、回転軸11bを介して載置台11aに伝達される。
そのため、駆動部11cにより載置台11a、ひいては載置台11aに載置された被洗浄物Wを回転させることができる。
また、駆動部11cは、回転と回転の停止のみならず、回転数(回転速度)を変化させることができるものとすることができる。この場合、駆動部11cは、サーボモータなどの制御モータを有するものとすることができる。
カバー12は、被洗浄物Wに供給され、被洗浄物Wが回転することで被洗浄物Wの外部に排出された第1の溶液303、第2の溶液304、および被洗浄物Wの表面から除去した付着物300を受け止める。
カバー12の側壁の上部には、中心方向に向けて屈曲する屈曲部12aが設けられている。屈曲部12aを設けるようにすれば、被洗浄物Wの上方に飛び散る第1の溶液303、第2の溶液304、および除去した付着物300の捕捉が容易となる。
カバー12の底面の中央部分には、カバー12の内部に向けて突出する筒状の挿通部12bが設けられている。
挿通部12bは、カバー12の内部に向けて突出しているので、回転軸11bがカバー12の外部に出る部分から第1の溶液303や第2の溶液304が漏れるのを抑制することができる。
排出口12cには、開閉弁12dを設けることができる。
また、開閉弁12dに配管12eを接続し、配管12eを介して開閉弁12dと図示しない工場配管や回収装置などとを接続することもできる。
この場合、カバー12の底面に排出口12cに向けて傾斜する傾斜面を設けることもできる。この様な傾斜面を設けるようにすれば、カバー12の底面側に流出した第1の溶液303、第2の溶液304、および除去した付着物300の排出が容易となる。
カバー12を昇降させる図示しない昇降装置を設けるようにすれば、被洗浄物Wの搬入搬出時にはカバー12を下降させ、載置台11aがカバー12から露出するようにすることができる。
そのため、被洗浄物Wの載置台11aへの受け渡しを容易とすることができる。
ノズル13は、吐出口13aが載置台11aの載置面11a1に向くように設けられている。
また、ノズル13は、第1の溶液303を供給するための供給口13b、第2の溶液304を供給するための供給口13cを有する。
また、第1の溶液303を吐出するノズルと、第2の溶液304を吐出するノズルを別個に設けることもできる。
ノズル13は、所定の位置に固定されていてもよいし、載置台11aの上方を移動できるように設けられていてもよい。
なお、付着物の除去に関する詳細は後述する(図5を参照)。
収納部21は、第1の溶液303を収納する。
第1の溶液303は、イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol)などのアルコール、アセトン(acetone)などの有機溶剤、または界面活性剤とすることができる。
溶液供給部22は、第1の溶液303に対する耐性を有するポンプなどとすることができる。溶液供給部22は、例えば、ケミカルポンプなどとすることができる。
ただし、溶液供給部22は、ポンプに限定されるわけではない。例えば、溶液供給部22は、収納部21の内部にガスを供給し、収納部21の内部に収納された第1の溶液303を圧送するものとすることもできる。
また、流量調整部23は、第1の溶液303の供給と供給の停止をも行えるものとすることもできる。
配管24の一端は、流量調整部23に接続されている。配管24の他端は、ノズル13の供給口13bに接続されている。
収納部31は、第2の溶液304を収納する。
第2の溶液304は、例えば、還元性溶液や、酸素を含まない溶液とすることができる。
還元性溶液は、例えば、水素含有水などとすることができる。水素含有水は、例えば、超純水に水素ガスを添加することで生成されたものとすることができる。
酸素を含まない溶液は、例えば、脱酸素水などとすることができる。
溶液供給部32は、ポンプなどとすることができる。
ただし、溶液供給部32は、ポンプに限定されるわけではない。例えば、溶液供給部32は、収納部31の内部にガスを供給し、収納部31の内部に収納された第2の溶液304を圧送するものとすることもできる。
また、流量調整部33は、第2の溶液304の供給と供給の停止をも行えるものとすることもできる。
配管34の一端は、流量調整部33に接続されている。配管34の他端は、ノズル13の供給口13cに接続されている。
例えば、制御部40は、駆動部11cを制御して、載置台11a、ひいては載置台11aに載置された被洗浄物Wの回転、回転の停止、および回転数(回転速度)を制御する。
制御部40は、開閉弁12dを制御して、第1の溶液303や第2の溶液304などのカバー12からの排出を制御する。
制御部40は、溶液供給部22を制御して、第1の溶液303の供給と、供給の停止、供給時間などを制御する。
制御部40は、流量調整部23を制御して、第1の溶液303の流量(供給量)を制御する。
制御部40は、溶液供給部32を制御して、第2の溶液304の供給と、供給の停止、供給時間などを制御する。
制御部40は、流量調整部33を制御して、第2の溶液304の流量(供給量)を制御する。
例えば、ノズル13や載置台11aなどに超音波振動装置を内蔵させることができる。
また、カバー12の排出口12cから排出された第1の溶液303および第2の溶液304を回収して再利用する回収装置を設けることもできる。
まず、図示しない搬送装置により、被洗浄物Wが載置台11aの載置面11a1に載置される。
この際、被洗浄物Wは、付着物300が付着した面をノズル13の側に向けて載置される。
この際、溶液供給部22は、収納部21の内部に収納されている第1の溶液303をノズル13に向けて供給する。
流量調整部23は、溶液供給部22により供給される第1の溶液303の流量を調整する。
溶液供給部22または流量調整部23により、第1の溶液303の供給時間が制御される。
なお、第1の溶液303の供給時間は、予め実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
被洗浄物Wを回転させることで、供給された第1の溶液303が被洗浄物Wの表面の全域に行き渡る。また、被洗浄物Wを回転させることで、被洗浄物Wに供給された第1の溶液303が被洗浄物Wの外部に排出される。
また、第1の溶液303により溶解された付着物300も被洗浄物Wの外部に排出される。
被洗浄物Wの外部に排出された第1の溶液303と付着物300は、カバー12により受け止められ、排出口12cから排出される。
この際、溶液供給部32は、収納部31の内部に収納されている第2の溶液304をノズル13に向けて供給する。
流量調整部33は、溶液供給部32により供給される第2の溶液304の流量を調整する。
溶液供給部32または流量調整部33により、第2の溶液304の供給時間が制御される。
なお、第2の溶液304の供給時間は、予め実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
被洗浄物Wを回転させることで、供給された第2の溶液304が被洗浄物Wの表面の全域に行き渡る。また、被洗浄物Wを回転させることで、第2の溶液304と付着物300の残渣が被洗浄物Wの外部に排出される。
被洗浄物Wの外部に排出された第2の溶液304と付着物300の残渣は、カバー12により受け止められ、排出口12cから排出される。
また、第1の溶液303と、第2の溶液304の供給を繰り返し行う場合は、予め設定された所定の時間が経過した場合、あるいは、図示しない検出装置によって付着物300がなくなったことを検出した場合に、これらの供給を止めるようにしてもよい。
次に、図示しない搬送装置により、被洗浄物Wが載置台11aの載置面11a1から取り出され、洗浄装置101の外部に搬出される。
洗浄部10と第1の供給部20が設けられた洗浄装置は、図2に例示をした洗浄装置101から第2の供給部30に関する部分を除けばよい。
洗浄部10と第2の供給部30が設けられた洗浄装置は、図2に例示をした洗浄装置101から第1の供給部20に関する部分を除けばよい。
洗浄装置は、バッチ処理方式の洗浄装置とすることもできる。
例えば、第1の溶液303が収納された槽と、第2の溶液304が収納された槽と、第1の溶液303が収納された槽および第2の溶液304が収納された槽に被洗浄物Wを投入したり、槽から被洗浄物Wを取り出したりする搬送装置を備えたものとすることができる。
すなわち、還元性ガスを用いるドライ洗浄装置102と、洗浄部10と第2の供給部30が設けられた洗浄装置(ウェット洗浄装置)とを有するものとすることもできる。
図3に例示をするドライ洗浄装置102は、二周波プラズマ処理装置である。
図3に示すように、ドライ洗浄装置102には、洗浄容器161、ゲートバルブ177、ガス供給部168、排気部169、および制御部140が設けられている。
処理ガスGは、供給部168から処理ガス導入口162を介して洗浄容器161の内部に供給される。処理ガスGが洗浄容器161の内部に供給される際には、ガス供給部168に内蔵された調整装置により処理ガスGの流量や圧力などが調整される。
処理ガスGは、還元性ガスとすることができる。
還元性ガスは、例えば、アンモニアガス、水素ガス、アンモニアガスと窒素ガスの混合ガス、水素ガスと窒素ガスの混合ガスなどである。すなわち、アンモニアまたは水素を含むガスであればよく、アンモニアガスのみのガス、水素ガスのみのガス、または、アンモニアガスおよび水素ガスの少なくともいずれか一つと窒素ガスの混合ガスなどであればよい。
空間163の下方には電極部182が設けられている。電極部182には高周波電源181が整合器183を介して接続されている。また、洗浄容器161は接地されている。 ドライ洗浄装置102は、上部に誘導結合型電極を有し、下部に容量結合型電極を有する二周波プラズマ処理装置である。すなわち、電極部182と洗浄容器161とが容量結合型電極を構成し、また、コイル165が誘導結合型電極を構成する。
高周波電源180は、100KHz~100MHz程度の周波数を有し、1KW~5KW程度の高周波電力をコイル165に印加するものとすることができる。
整合器166、183にはチューニング回路が内蔵されており、チューニング回路により反射波を制御することで、プラズマPに対する制御ができるようになっている。
第3の供給部は、前述した第1の供給部20と同様の役割を果たす。すなわち、第3の供給部は、被洗浄物Wの表面に付着している付着物300の除去を行う。
電極部182は、周囲を絶縁リング184で覆われている。電極部182には被洗浄物Wが載置可能であり、被洗浄物Wを保持するための保持機構(例えば、静電チャック)や被洗浄物Wの受け渡しを行うための受け渡し部(例えば、リフトピン)などが内蔵されている。
洗浄容器161の側壁には、被洗浄物Wを搬入搬出するための搬入搬出口179が設けられ、搬入搬出口179を気密に閉鎖できるようゲートバルブ177が設けられている。ゲートバルブ177は、O(オー)リングのようなシール部材174を備える扉173を有している。扉173は、図示しないゲート開閉機構により開閉される。扉173が閉まった時には、シール部材174が搬入搬出口179の壁面に押しつけられ、搬入搬出口179は気密に閉鎖される。
例えば、制御部140は、供給部168を制御して、洗浄容器161の内部に処理ガスGを供給する。
この際、制御部140は、ガス供給部168に内蔵された調整装置により処理ガスGの流量や圧力などを制御する。
制御部140は、高周波電源180を制御して、コイル165に高周波電力を印加する。
この際、制御部140は、整合器166を制御して、プラズマPに対する制御を行う。
制御部140は、高周波電源181を制御して、電極部182に高周波電力を印加する。
この際、制御部140は、整合器183を制御して、プラズマPに対する制御を行う。
制御部140は、排気部169を制御して、洗浄容器161の内部を排気する。
この際、制御部140は、圧力コントローラ170を制御して、洗浄容器161の内部圧力を制御する。
制御部140は、図示しないゲート開閉機構を制御して、扉173の開閉を制御する。
まず、ゲートバルブ177の扉173を、図示しないゲート開閉機構により開く。
図示しない搬送装置により、搬入搬出口179から被洗浄物Wを洗浄容器161内に搬入する。被洗浄物Wは電極部182上に載置され、電極部182に内蔵された保持機構により保持される。
次に、図示しないゲート開閉機構によりゲートバルブ177の扉173を閉じる。
続いて、排気部169により洗浄容器161内を排気する。
処理ガスGは、還元性ガスとすることができる。
還元性ガスは、例えば、アンモニアガス、水素ガス、アンモニアガスと窒素ガスの混合ガス、水素ガスと窒素ガスの混合ガスなどである。
また、高周波電源180は3KW程度の高周波電力を印加し、高周波電源181は1KW程度の高周波電力を印加するものとすることができる。
この生成されたプラズマ生成物305が、空間163内を下降して被洗浄物Wの表面に到達し、ドライ洗浄が行われる。なお、プラズマPの制御は、整合器166、183に内蔵されているチューニング回路で反射波を制御することにより行う。
まず、比較例に係る洗浄方法について説明する。
図4(a)~(c)は、比較例に係る洗浄方法を例示するための模式工程断面図である。
なお、図4は、図1におけるA部の拡大図である。
図4(a)に示すように、反射型マスク210(被洗浄物W)の表面に有機物を含む付着物300が付着している場合がある。
付着物300は、例えば、吸収層204をドライエッチング処理した際に用いられたレジストマスクの残渣や、露光工程において反射型マスク210に付着した有機物などである。
まず、図4(b)に示すように、オゾン水や、硫酸と過酸化水素水の混合液(Sulfuric Acid Peroxide Mixture:SPM)などの酸化性物質を含む溶液301を反射型マスク210の表面に供給して洗浄を行う。
有機物を含む付着物300は、溶液301により溶解され、反射型マスク210の表面から除去される。
ところが、酸化ルテニウムからなる層203bが溶液301と接触するので、層203bが溶解される。そのため、層203bの表面に窪みなどが形成される。
また、ルテニウムからなる層203aの上部が溶液301により酸化され、酸化ルテニウムからなる層203bとなる。
また、ルテニウムからなる層203aの厚みは、新たに層203bが形成された分減少することになる。
そのため、キャッピング層203における層203bの割合が増加することになる。
層203bの割合が増加したり、層203bの表面に窪みなどが形成されたりすれば、反射率が低下することになる。
すなわち、反射型マスク210の光学特性が悪くなるおそれがある。
アンモニア過酸化水素水洗浄を行う場合には、酸化性物質を含む溶液302として、アンモニア水と過酸化水素水と水の混合液を用いる。
塩酸過酸化水素水洗浄を行う場合には、酸化性物質を含む溶液302として、塩酸と過酸化水素水と水の混合液を用いる。
以上に説明したように、酸化されやすい材料を含む層が露出した被洗浄物Wを酸化性物質を含む溶液で洗浄すると、酸化されやすい材料を含む層の割合が変化したり、酸化されやすい材料を含む層の表面に窪みなどが形成されたりすることになる。
そのため、反射型マスク210(被洗浄物W)の光学特性が劣化するおそれがある。
図5(a)~(c)は、第1の溶液303および第2の溶液304を用いた洗浄方法を例示するための模式工程断面図である。
例えば、図5は、洗浄装置101を用いた洗浄方法を例示するための模式工程断面図である。
そのため、以下の手順により付着物300の除去、すなわち、洗浄を行う。
有機物を含む付着物300は、第1の溶液303により溶解され、反射型マスク210の表面から除去される。
第1の溶液303は、イソプロピルアルコールなどのアルコール、アセトンなどの有機溶剤、または界面活性剤である。
そのため、有機物を含む付着物300は溶解されるが、酸化ルテニウムからなる層203bが溶解されたり、ルテニウムからなる層203aが酸化されたりすることを抑制することができる。
つまり、酸化性物質を含む溶液301、302を用いる場合とは異なり、層203bの割合が増加したり、層203bの表面に窪みなどが形成されたりすることを抑制することができる。
反射型マスク210の表面に残留する第1の溶液303と付着物300の残渣は、第2の溶液304により洗い流される。
第2の溶液304は、還元性溶液や、酸素を含まない溶液である。
そのため、第2の溶液304を用いるようにすれば、酸化ルテニウムからなる層203bが溶解されたり、ルテニウムからなる層203aが酸化されたりすることを抑制することができる。
つまり、第2の溶液304を用いるようにすれば、酸化性物質を含む溶液301、302を用いる場合とは異なり、層203bの割合が増加したり、層203bの表面に窪みなどが形成されたりすることを抑制することができる。
図6中の「O3W」はオゾン水、「SPM」は過酸化水素水と硫酸の混合液、「SC1」はアンモニア水と過酸化水素水と水の混合液、「SC2」は塩酸と過酸化水素水と水の混合液を表している。
また、「H2W」は水素含有水を表している。
また、図6中のa、bの破線は、水の生成、分解に関わる2つの反応の電位を表す。すなわち、aとbとの間の領域が水の安定領域であることを表している。
また、図6の縦軸は、酸化還元電位(Oxidation-reduction Potential; ORP)、横軸は水素イオン濃度指数を指す。
また、図6は、corrosion(ルテニウムの腐食速度が大きい領域)、passivation(ルテニウムに酸化被膜が生成される領域)、immunity(無垢のルテニウムが安定する領域)の三つの領域に分かれている。水素含有水は、immunityの領域に属し、さらに還元性が他の溶液よりも高い。
図6から分かるように、還元性溶液である水素含有水を用いるようにすれば、ルテニウムからなる層203が溶解したり、酸化したりすることを抑制することができる。
そのため、酸化性物質を含む溶液301、302を用いない場合であっても、酸化ルテニウムが形成される場合がある。
この様な場合、第2の溶液304として水素含有水などの還元性溶液を用いるようにすると、酸化ルテニウムの一部が還元されてルテニウムが形成される。
すなわち、第2の溶液304として水素含有水などの還元性溶液を用いるようにすると、ルテニウムからなる層203の修復を図ることができる。
そして、搬送装置により、複数の反射型マスク210(被洗浄物W)を第1の溶液303が収納された槽から取り出し、第2の溶液304が収納された槽に複数の被洗浄物Wを投入する。
第2の溶液304が収納された槽に複数の反射型マスク210(被洗浄物W)を投入することで、複数の被洗浄物Wの表面に残留する第1の溶液303と付着物300の残渣を除去する。
すなわち、本実施の形態に係る洗浄方法によれば、反射型マスクに設けられたルテニウムを含むキャッピング層の光学特性の劣化を抑制することができる。
図7(a)~(c)は、還元性ガスを用いたドライ洗浄と、第2の溶液304を用いたウェット洗浄を行う洗浄方法を例示するための模式工程断面図である。
例えば、図7は、ドライ洗浄装置102と、少なくとも洗浄部10と第2の供給部30が設けられた洗浄装置(例えば、図2に例示をした洗浄装置101から第1の供給部20に関する部分が除かれた装置)を用いた洗浄方法を例示するための模式工程断面図である。
そのため、以下の手順により付着物300の除去、すなわち、洗浄を行う。
そして、プラズマ生成物305を反射型マスク210の表面に供給して付着物300を分解除去する。
プラズマ生成物305は、還元性ガスから生成されるので、還元性を有する。
そのため、酸化ルテニウムからなる層203bの一部が還元される。
すなわち、層203bの表面に窪みが形成されることなく、さらに層203bの厚みが減少し、ルテニウムからなる層203aの厚みが増加することになる。
つまり、キャッピング層203における層203bの割合が減少することになる。
この場合、キャッピング層203における層203bの割合が減少すると、反射率は高くなる。
そのため、反射型マスク210の光学特性を向上させることができる。
なお、第2の溶液304による洗浄は、図5(c)において例示をしたものと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、洗浄装置101、ドライ洗浄装置102に設けられた各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
例えば、洗浄装置101は回転を用いるものに限られず、超音波振動を用いて洗浄を行うものであってもよい。また、例えば、ドライ洗浄装置102は、二周波プラズマ処理装置に限られず、リモートプラズマ処理装置、表面波プラズマ(SWP)処理装置、容量結合プラズマ(CCP)処理装置、誘導結合プラズマ(ICP)処理装置などに適宜変更することができる。
また、例えば、付着物300が付着した面は、パターン領域216が形成された面とは反対側(被洗浄物Wの裏面)でもよい。その場合は、裏面をノズル13の側に向けて洗浄部10の載置台11aに被処理物Wを載置するようにすることができる。
11 載置部
12 カバー
13 ノズル
20 第1の供給部
21 収納部
22 溶液供給部
23 流量調整部
30 第2の供給部
31 収納部
32 溶液供給部
33 流量調整部
40 制御部
101 洗浄装置
102 ドライ洗浄装置
140 制御部
161 洗浄容器
168 ガス供給部
169 排気部
210 反射型マスク
203 キャッピング層
203a ルテニウムからなる層
203b 酸化ルテニウムからなる層
300 付着物
303 第1の溶液
304 第2の溶液
G 処理ガス
W 被洗浄物
Claims (2)
- ルテニウムを含み表面に酸化ルテニウムからなる層が形成されて成るキャッピング層が露出している反射型マスクであって、前記反射型マスクの前記キャッピング層に付着している、有機物を含む付着物を除去する反射型マスクの洗浄装置において、
電極と、前記電極に電力を供給してプラズマを発生させる電源と、前記プラズマが発生される空間に還元性ガスを供給するガス供給部と、を有し、前記キャッピング層が露出している前記反射マスクの表面に、前記キャッピング層に付着した前記付着物を除去し、前記酸化ルテニウムからなる層の一部を還元するように、前記プラズマにより前記還元性ガスから生成されたプラズマ生成物を供給するプラズマ生成物供給部と、
ノズルと、前記ノズルに還元性溶液を供給する供給部とを有し、前記プラズマ生成物供給部によって前記プラズマ生成物が供給された後の前記反射マスクの前記表面に、前記キャッピング層に残留する前記付着物の残渣を除去するように、前記還元性溶液を供給する溶液供給部と、
を備えた反射型マスクの洗浄装置。 - ルテニウムを含み表面に酸化ルテニウムからなる層が形成されて成るキャッピング層が露出している反射型マスクであって、前記反射型マスクの前記キャッピング層に付着している、有機物を含む付着物を除去する反射型マスクの洗浄方法において、
前記キャッピング層が露出している前記反射マスクの表面に、前記キャッピング層に付着した前記付着物を除去し、前記酸化ルテニウムからなる層の一部を還元するように、還元性ガスから生成されたプラズマ生成物を供給する工程と、
前記プラズマ生成物が供給された後の前記反射マスクの前記表面に、前記キャッピング層に残留する前記付着物の残渣を除去するように、還元性溶液を供給する工程と、
を備えた反射型マスクの洗浄方法。
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