JP7308771B2 - 光送信器及び光送信器の制御方法 - Google Patents

Description

本開示は、光送信器及び光送信器の制御方法に関する。

ＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）又はＱＡＭ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）を用いる光送信器は、Ｉｃｈ（ｉｎ－ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｎｅｌ）用のマッハツェンダ（ＭＺ）型光変調器であるＩｃｈ光変調器と、Ｑｃｈ（ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ－ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｎｅｌ）用のＭＺ型光変調器であるＱｃｈ光変調器と、Ｉｃｈ光変調器から出力した光とＱｃｈ光変調器から出力した光との位相差（「ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差」とも記す。）を制御する光位相制御部とを備える。ＱＰＳＫ信号又はＱＡＭ信号を生成するためには、Ｉｃｈ光変調器及びＱｃｈ光変調器に、出力する光の変調曲線における強度（すなわち、パワー）を極小にするようにバイアス電圧（すなわち、ＩｃｈバイアスとＱｃｈバイアス）を印加し、光位相制御部に、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差をπ／２にするようにバイアス電圧（すなわち、ＰＳバイアス）を印加することが必要である。

特許文献１は、光送信器において、Ｉｃｈ光変調器及びＱｃｈ光変調器に変調信号が入力されていない状態（すなわち、変調信号をオフにした状態）で、Ｉｃｈ光変調器、Ｑｃｈ光変調器、及び光位相制御部の各々に印加される所望のバイアス電圧を、短時間で決定する制御方法を提案している。

特開２０１５－１１４４９９号公報

しかしながら、特許文献１に記載の光送信器は、Ｉｃｈ光変調器及びＱｃｈ光変調器の各々において両方のアームに同じ大きさで逆符号の位相変調をかけるプッシュプル駆動方式の装置である。したがって、特許文献１に記載の制御方法を、Ｉｃｈ光変調器及びＱｃｈ光変調器の各々において一方のアームにのみ位相変調をかけるシングルエンド駆動方式の装置に適用した場合には、原理上避けることができない出力光の位相変調により、Ｉｃｈ光変調器、Ｑｃｈ光変調器、及び光位相制御部に印加されるバイアス電圧を最適値に設定することができないという課題がある。

本開示は、シングルエンド駆動方式のＭＺ型の第１及び第２の光変調器を有する光送信器において、第１の光変調器、第２の光変調器、及び光位相調整部にそれぞれ印加されるバイアス電圧を最適値に制御することを目的とする。

本開示の光送信器は、入力光を変調して出力光を出力する光変調部と、前記光変調部に変調信号を入力する変調信号駆動部と、前記光変調部及び前記変調信号駆動部を制御する制御部と、を備え、前記光変調部は、ともにシングルエンド駆動方式のマッハツェンダ型光変調器である、第１の光変調器及び第２の光変調器と、前記第２の光変調器に光導波路で接続された光位相調整部と、前記出力光の強度を検出する光強度検出部と、前記入力光を第１の光波と第２の光波に分岐して、前記第１の光波を前記第１の光変調器に入力し、前記第２の光波を前記第２の光変調器に入力する分岐導波路と、前記第１の光変調器を導波した前記第１の光波である第３の光波と、前記第２の光変調器及び前記光位相調整部を導波した前記第２の光波である第４の光波とを合波することで、前記出力光を生成する合波導波路と、を有し、前記制御部は、前記第１の光変調器及び前記第２の光変調器に前記変調信号が入力されていない状態で、前記第１の光変調器の第１のバイアス電圧の設定値、前記第２の光変調器の第２のバイアス電圧の設定値、及び前記光位相調整部の第３のバイアス電圧の設定値を決定するバイアス制御を行い、前記バイアス制御は、前記出力光の強度を極大にする前記第１のバイアス電圧の第１の値を探索する第１の探索又は前記出力光の強度を極大にする前記第２のバイアス電圧の第２の値を探索する第２の探索と、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第３の値を探索する第３の探索と、を交互に行うことで、前記第１の値及び前記第２の値を収束させる第１の処理と、前記出力光の強度を極小にする前記第１のバイアス電圧の第４の値を探索する第４の探索と、前記出力光の強度を極小にする前記第２のバイアス電圧の第５の値を探索する第５の探索と、を行う第２の処理と、前記第１のバイアス電圧を、収束した前記第１の値に設定し、前記第２のバイアス電圧を、収束した前記第２の値に設定した状態で、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第６の値を探索する第６の探索を行う第３の処理と、前記第４の値に基づいて前記第１のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第５の値に基づいて前記第２のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第６の値に基づいて前記第３のバイアス電圧の前記設定値を決定する第４の処理と、を有することを特徴とする。

本開示の光送信器の制御方法は、入力光を変調して出力光を出力する光変調部と、前記光変調部に変調信号を入力する変調信号駆動部と、前記光変調部及び前記変調信号駆動部を制御する制御部と、を備え、前記光変調部は、ともにシングルエンド駆動方式のマッハツェンダ型光変調器である、第１の光変調器及び第２の光変調器と、前記第２の光変調器に光導波路で接続された光位相調整部と、前記出力光の強度を検出する光強度検出部と、前記入力光を第１の光波と第２の光波に分岐して、前記第１の光波を前記第１の光変調器に入力し、前記第２の光波を前記第２の光変調器に入力する分岐導波路と、前記第１の光変調器を導波した前記第１の光波である第３の光波と、前記第２の光変調器及び前記光位相調整部を導波した前記第２の光波である第４の光波とを合波することで、前記出力光を生成する合波導波路と、を有し、前記制御部は、前記第１の光変調器及び前記第２の光変調器に前記変調信号が入力されていない状態で、前記第１の光変調器の第１のバイアス電圧の設定値、前記第２の光変調器の第２のバイアス電圧の設定値、及び前記光位相調整部の第３のバイアス電圧の設定値を決定するバイアス制御を行う、光送信器の制御方法であって、前記出力光の強度を極大にする前記第１のバイアス電圧の第１の値を探索する第１の探索又は前記出力光の強度を極大にする前記第２のバイアス電圧の第２の値を探索する第２の探索と、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第３の値を探索する第３の探索と、を交互に行うことで、前記第１の値及び前記第２の値を収束させる第１の処理と、前記出力光の強度を極小にする前記第１のバイアス電圧の第４の値を探索する第４の探索と、前記出力光の強度を極小にする前記第２のバイアス電圧の第５の値を探索する第５の探索と、を行う第２の処理と、前記第１のバイアス電圧を、収束した前記第１の値に設定し、前記第２のバイアス電圧を、収束した前記第２の値に設定した状態で、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第６の値を探索する第６の探索を行う第３の処理と、前記第４の値に基づいて前記第１のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第５の値に基づいて前記第２のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第６の値に基づいて前記第３のバイアス電圧の前記設定値を決定する第４の処理と、を有することを特徴とする。

本開示の光送信器及びその制御方法によれば、シングルエンド駆動方式のＭＺ型の第１及び第２の光変調器を有する光送信器において、第１の光変調器、第２の光変調器、及び光位相調整部にそれぞれ印加されるバイアス電圧を最適値に制御することができる。

実施の形態１に係る光送信器の構成を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、図１に示されるＩｃｈ光変調器及びＱｃｈ光変調器の構成を示す図である。 実施の形態１に係る光送信器におけるＩｃｈ光変調器、Ｑｃｈ光変調器、及び光位相調整部のバイアス制御を示すフローチャートである。 図３のステップＳ１１における処理を示すフローチャートである。 図３のステップＳ１６における処理を示すフローチャートである。 （Ａ）及び（Ｂ）は、比較例であるプッシュプル駆動方式の光変調部におけるコンスタレーションを示す図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）は、実施の形態１に係るシングルエンド駆動方式の光変調部におけるコンスタレーションを示す図である。 （Ａ）から（Ｆ）は、図４のバイアス制御の各ステップにおけるコンスタレーションを示す図である。 実施の形態１に係る光送信器の出力光のパワーの計算結果を示す図である。 実施の形態２に係る光送信器の構成を示す図である。 実施の形態２に係る光送信器におけるＰＳバイアスの制御を示すフローチャートである。

以下に、実施の形態に係る光送信器及び光送信器の制御方法を、図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は、例にすぎず、本開示の範囲内で種々の変更が可能である。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る光送信器の構成を示す図である。図１に示されるように、実施の形態１に係る光送信器は、光源３１と、光源３１から出力された光波である入力光Ｌ１０を変調して出力光Ｌ３０を出力する光変調部１０と、光変調部１０に変調信号Ｍ１及びＭ２を与える回路である変調信号駆動部３２と、光変調部１０及び変調信号駆動部３２を制御する回路である制御部２０とを備える。また、実施の形態１に係る光送信器は、光変調部１０から出力される出力光Ｌ３０の強度（すなわち、パワー）に対応するフィードバック信号であるモニタ電流Ｄ１をモニタ電圧Ｄ２に変換する回路である電流電圧変換部３３と、半導体メモリなどの記憶部３４と、計算機能部３５とを備える。計算機能部３５は、例えば、ソフトウェアとしてのプログラムを記憶するメモリと、このプログラムを実行する情報処理部としてのプロセッサとを有する。計算機能部３５は、コンピュータであってもよい。また、制御部２０の一部は、プログラムを実行するプロセッサによって実現されてもよい。

光変調部１０は、Ｉｃｈ（ｉｎ－ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｎｅｌ）用のＭＺ型の第１の光変調器であるＩｃｈ光変調器１１と、Ｑｃｈ（ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ－ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｎｅｌ）用のＭＺ型の第２の光変調器であるＱｃｈ光変調器１２と、光導波路１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ、１５ｇと、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差を制御する光位相調整部（ＰＳ（Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ）部）１３と、出力光Ｌ３０のパワーに対応するモニタ電流Ｄ１を出力する光強度検出部１４とを有する。電流電圧変換部３３は、光強度検出部１４から出力されたモニタ電流Ｄ１をモニタ電圧Ｄ２に変換して、モニタ電圧Ｄ２を制御部２０へ入力する。

光導波路１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、入力光Ｌ１０を第１の光波としての光波Ｌ２１と第２の光波としての光波Ｌ２２に分岐して、光波Ｌ２１をＩｃｈ光変調器１１に入力し、光波Ｌ２２をＱｃｈ光変調器１２に入力する分岐導波路を構成する。光源３１から出力され、光変調部１０の光導波路１５ａに入力した入力光Ｌ１０は、分岐して光波Ｌ２１及びＬ２２となる。光波Ｌ２１及びＬ２２は、光導波路１５ｂ及び１５ｃにそれぞれ進み、Ｉｃｈ光変調器１１及びＱｃｈ光変調器１２にそれぞれ入力する。

光導波路１５ｄ、１５ｆ、１５ｇは、Ｉｃｈ光変調器１１を導波した光波Ｌ２１である第３の光波としての光波Ｌ２１ａと、Ｑｃｈ光変調器１２及び光位相調整部１３を導波した光波Ｌ２２である第４の光波としての光波Ｌ２２ｂとを合波する合波導波路を構成する。Ｉｃｈ光変調器１１から出力された光波Ｌ２１ａは、光導波路１５ｄを介して光導波路１５ｇに進む。Ｑｃｈ光変調器１２から出力された光波Ｌ２２は、光導波路１５ｅを介してＰＳ部１３に入力し、位相調整されて光波Ｌ２２ｂとなる。光波Ｌ２２ｂは、光導波路１５ｆを介して光導波路１５ｇに進む。つまり、Ｉｃｈ光変調器１１から出力された光波Ｌ２１ａとＰＳ部１３から出力された光波Ｌ２２ｂとは、光導波路１５ｇにて合波し、合波された光波は、光変調部１０から出力光Ｌ３０として出力される。なお、ＰＳ部１３は、Ｑｃｈ光変調器１２ではなく、Ｉｃｈ光変調器１１に接続されることも可能である。

実施の形態１に係る光送信器から光信号としての出力光を送信するときには、Ｉｃｈ光変調器１１及びＱｃｈ光変調器１２は、変調信号駆動部３２から変調信号Ｍ１及びＭ２がそれぞれ入力され、変調信号Ｍ１及びＭ２に基づいて、入力された光波Ｌ２１及びＬ２２の強度変調を行う。ただし、実施の形態１に係る送信器のバイアス制御（後述の図３に示される処理）は、変調信号駆動部３２からＩｃｈ光変調器１１及びＱｃｈ光変調器１２に変調信号を印加しない状態、すなわち、変調信号をオフにした状態で行われる。

制御部２０は、同期検波部２１と、バイアス印加部２２ａ、２２ｂ、２２ｃと、低周波信号生成部２３ａ、２３ｂ、２３ｃと、加算部２５ａ、２５ｂ、２５ｃと、電流電圧変換部３３から入力されるモニタ電圧Ｄ２を受信するモニタ部２４と、ロック判定部２６とを有する。

バイアス印加部２２ａから出力されたバイアス電圧Ｂ１と低周波信号生成部２３ａで生成された低周波信号であるディザ信号とは、加算部２５ａで重畳されてディザ信号が重畳された第１のバイアス電圧Ｃ１となり、第１のバイアス電圧Ｃ１がＩｃｈ光変調器１１に印加される。バイアス印加部２２ｂから出力されたバイアス電圧Ｂ２と低周波信号生成部２３ｂで生成された低周波信号であるディザ信号とは、加算部２５ｂで重畳されてディザ信号が重畳された第２のバイアス電圧Ｃ２となり、第２のバイアス電圧Ｃ２がＱｃｈ光変調器１２に印加される。バイアス印加部２２ｃから出力されたバイアス電圧Ｂ３と低周波信号生成部２３ｃで生成された低周波信号であるディザ信号とは、加算部２５ｃで重畳されてディザ信号が重畳された第３のバイアス電圧Ｃ３となり、第３のバイアス電圧Ｃ３がＰＳ部１３に印加される。

なお、バイアス印加部２２ａ、２２ｂ、２２ｃから出力されるバイアス電圧Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３とディザ信号との重畳は、加算部２５ａ、２５ｂ、２５ｃにおいて、デジタル信号処理により行われる。また、バイアス電圧Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３は、制御部２０に備えられたＤＡＣ（ｄｉｇｉｔａｌ－ｔｏ－ａｎａｌｏｇ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）から出力される。モニタ部２４に備えられたＡＤＣ（ａｎａｌｏｇｕｅ－ｔｏ－ｄｉｇｉｔａｌ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）は、電流電圧変換部３３から入力されるモニタ電圧Ｄ２をデジタル値Ｄ３に変換する。ロック判定部２６は、予め決められた閾値ＴＨに基づきバイアス制御のロック判定を行う。ロック判定は、後述する図４のステップＳ１１４の判定である。

同期検波部２１は、低周波信号生成部２３ａ、２３ｂ、２３ｃで生成されるディザ信号とモニタ部２４で取得されるモニタ信号であるデジタル値Ｄ３を同期検波して誤差信号を検出し、誤差信号が０になるようにバイアス印加部２２ａ、２２ｂ、２２ｃから出力されるバイアス電圧Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３を制御する。同期検波部２１は、バイアス電圧Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３の制御により、Ｉｃｈ光変調器１１、Ｑｃｈ光変調器１２、ＰＳ部１３に印加される第１から第３のバイアス電圧Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を制御する。第１から第３のバイアス電圧Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３は、それぞれＩｃｈバイアス、Ｑｃｈバイアス、ＰＳバイアスとも言う。

図２（Ａ）及び（Ｂ）は、図１に示されるＩｃｈ光変調器１１及びＱｃｈ光変調器１２の構成を示す図である。図２（Ａ）に示されるように、Ｉｃｈ光変調器１１は、Ｉｃｈアーム＃１とＩｃｈアーム＃２とを有する。Ｉｃｈアーム＃２は、Ｉｃｈ位相調整部１１１を有する。Ｉｃｈ光変調器１１は、Ｉｃｈアーム＃１に入力した光波を位相変調せず、Ｉｃｈアーム＃２に入力した光波をＩｃｈ位相調整部１１１で位相変調することによって、光波Ｌ２１が強度変調された光波Ｌ２１ａを出力するシングルエンド駆動方式のＭＺ型光変調器である。図２（Ｂ）に示されるように、Ｑｃｈ光変調器１２は、Ｑｃｈアーム＃１とＱｃｈアーム＃２とを有する。Ｑｃｈアーム＃２は、Ｑｃｈ位相調整部１２１を有する。Ｑｃｈ光変調器１２は、Ｑｃｈアーム＃１に入力した光波を位相変調せず、Ｑｃｈアーム＃２に入力した光波をＱｃｈ位相調整部１２１で位相変調することによって、光波Ｌ２２が強度変調された光波Ｌ２２ａを出力するシングルエンド駆動方式のＭＺ型光変調器である。

次に、光送信器におけるバイアス制御、すなわち、実施の形態１に係る光送信器の制御方法を説明する。図３は、実施の形態１に係る光送信器におけるバイアス制御を示すフローチャートである。図４は、図３のステップＳ１１における処理を示すフローチャートである。図５は、図３のステップＳ１６における処理を示すフローチャートである。

先ず、バイアス制御の概要を説明する。バイアス制御は、Ｉｃｈ光変調器１１、Ｑｃｈ光変調器１２、及びＰＳ部１３にそれぞれ印加される第１から第３のバイアス電圧Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を、バイアス印加部２２ａ、２２ｂ、２２ｃから出力されるバイアス電圧Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３を調整することによって最適値に設定する処理である。

制御部２０は、Ｉｃｈ光変調器１１及びＱｃｈ光変調器１２のいずれにも、変調信号駆動部３２からの変調信号が入力されていない状態で、Ｉｃｈ光変調器１１のＩｃｈバイアスの設定値、Ｑｃｈ光変調器１２のＱｃｈバイアスの設定値、及びＰＳ部１３のＰＳバイアスの設定値を決定するバイアス制御を行う。実施の形態１では、バイアス制御は、以下の第１から第４の処理を有する。

第１の処理は、図３のステップＳ１１、Ｓ１２及び図４に示される。第１の処理は、出力光Ｌ３０のパワーを極大にする（つまり、Ｉｃｈ光変調器１１から出力される光波のパワーを極大にする）Ｉｃｈバイアスの第１の値を探索する第１の探索（ステップＳ１１２）又は出力光Ｌ３０のパワーを極大にする（つまり、Ｑｃｈ光変調器１２から出力される光波のパワーを極大にする）Ｑｃｈバイアスの第２の値を探索する第２の探索（ステップＳ１１２）と、出力光Ｌ３０のパワーを極大にする（つまり、ＰＳ部１３から出力される光波のパワーを極大にする）ＰＳバイアスの第３の値を探索する第３の探索（ステップＳ１１３）と、を交互に行うことで、第１の値（Ｖｉ＿ｐｅａｋ）及び第２の値（Ｖｑ＿ｐｅａｋ）を収束させる処理である。

第２の処理は、図３のステップＳ１３、Ｓ１４に示される。第２の処理は、出力光Ｌ３０のパワーを極小にする（つまり、Ｉｃｈ光変調器１１から出力される光波のパワーを極小にする）Ｉｃｈバイアスの第４の値（Ｖｉ＿ｎｕｌｌ）を探索する第４の探索（ステップＳ１３）と、出力光Ｌ３０のパワーを極小にする（つまり、Ｑｃｈ光変調器１２から出力される光波のパワーを極小にする）Ｑｃｈバイアスの第５の値（Ｖｑ＿ｎｕｌｌ）を探索する第５の探索（ステップＳ１４）とを行う処理である。

第３の処理は、図３のステップＳ１５、Ｓ１６、図５のステップＳ１６１、Ｓ１６２に示される。第３の処理は、Ｉｃｈバイアスを、収束した第１の値であるＶｉ＿ｐｅａｋに設定し、Ｑｃｈバイアスを、収束した第２の値であるＶｑ＿ｐｅａｋに設定した状態で（ステップＳ１５）、出力光Ｌ３０のパワーを極大にする（つまり、ＰＳ部１３から出力される光波のパワーを極大にする）ＰＳバイアスの第６の値（Ｖｐ＿ｐｅａｋ）を探索する第６の探索（ステップＳ１６、Ｓ１６１）を行い、出力光Ｌ３０のパワーを極小にする（つまり、ＰＳ部１３から出力される光波のパワーを極小にする）ＰＳバイアスの第７の値（Ｖｐ＿ｎｕｌｌ）を探索する第７の探索（ステップＳ１６、Ｓ１６２）を行う処理である。

第４の処理は、図３のステップＳ１７、図５のステップＳ１６３に示される。第４の処理は、Ｖｐ＿ｐｅａｋとＶｐ＿ｎｕｌｌとに基づいて決定された値（例えば、Ｖｐ＿ｐｅａｋとＶｐ＿ｎｕｌｌの中間値）をＰＳバイアスの設定値Ｖｐｓとして設定し（ステップＳ１６１）、Ｉｃｈバイアスを第４の値であるＶｉ＿ｎｕｌｌに基づく値（例えば、Ｖｉ＿ｎｕｌｌ）に設定し、Ｑｃｈバイアスを第５の値であるＶｑ＿ｎｕｌｌに基づく値（例えば、Ｖｑ＿ｎｕｌｌ）に設定する処理である（ステップＳ１７）。

次に、図３から図５を用いて光送信器におけるバイアス制御を詳細に説明する。図３に示されるように、バイアス制御に際しては、制御部２０は、変調信号駆動部３２からの変調信号Ｍ１及びＭ２の出力をオフにした状態で、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーを極大にするようにＩｃｈバイアス、Ｑｃｈバイアス、ＰＳバイアスを制御する（ステップＳ１１）。

図４を用いてステップＳ１１を詳細に説明する。ステップＳ１１では、制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極大にするＰＳバイアスの値であるＶｐ＿ｏｌｄを探索し、これを記憶部３４に保存する（ステップＳ１１１）。

次に、制御部２０は、Ｉｃｈバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極大にするＩｃｈバイアスの値であるＶｉ＿ｐｅａｋを探索する（ステップＳ１１２）。

次に、制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極大にするＰＳバイアスの値であるＶｐ＿ｎｅｗを探索し、これを記憶部３４に保存する（ステップＳ１１３）。

次に、ロック判定部２６は、Ｖｐ＿ｏｌｄとＶｐ＿ｎｅｗとの差（すなわち、ＰＳバイアスの値の変化量）を計算し、差の絶対値｜Ｖｐ＿ｎｅｗーＶｐ＿ｏｌｄ｜を予め決められた閾値ＴＨと比較する（ステップＳ１１４）。比較の結果、差の絶対値｜Ｖｐ＿ｎｅｗーＶｐ＿ｏｌｄ｜が閾値ＴＨ以上である場合、制御部２０は、Ｖｐ＿ｎｅｗの値をＶｐ＿ｏｌｄに上書きし（ステップＳ１１５）、処理をステップＳ１１２に戻す。差の絶対値｜Ｖｐ＿ｎｅｗーＶｐ＿ｏｌｄ｜が閾値ＴＨよりも小さい場合、Ｖｉ＿ｐｅａｋは収束したとみなして、ステップＳ１１におけるＩｃｈバイアスの制御は完了する。

次に、Ｑｃｈについても、Ｉｃｈと同様に、ステップＳ１１１～Ｓ１１５の処理を行うことで、Ｑｃｈバイアスを制御する。また、Ｑｃｈバイアスを制御して出力光Ｌ３０のパワーを極大にした（ステップＳ１１２）ときのＱｃｈバイアスの値をＶｑ＿ｐｅａｋと記す。

図３のステップＳ１１の次に、制御部２０は、ステップＳ１１で得られた値である収束したＶｉ＿ｐｅａｋ及び収束したＶｑ＿ｐｅａｋを記憶部３４に保存する（ステップＳ１２）。

次に、制御部２０は、Ｉｃｈバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極小にするＩｃｈバイアスの値であるＶｉ＿ｎｕｌｌを探索し、これを記憶部３４に保存する（ステップＳ１３）。次に、制御部２０は、Ｑｃｈバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極小にするＱｃｈバイアスの値であるＶｑ＿ｎｕｌｌを探索して、これを記憶部３４に保存する（ステップＳ１４）。

次に、制御部２０は、Ｉｃｈバイアスの値をＶｉ＿ｐｅａｋに戻し、Ｑｃｈバイアスの値をＶｑ＿ｐｅａｋに戻す（ステップＳ１５）。

次に、制御部２０は、光波Ｌ２１ａと光波Ｌ２２ｂとの位相差（すなわち、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差）がπ／２になるようにＰＳバイアスを制御する（ステップＳ１６）。

図５を用いてステップＳ１６のＰＳバイアス制御を詳細に説明する。制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極大にするＰＳバイアスの値であるＶｐ＿ｐｅａｋを探索して、これを記憶部３４に保存する（ステップＳ１６１）。

次に、制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを極小にするＰＳバイアスの値であるＶｐ＿ｎｕｌｌを探索して、これを記憶部３４に保存する（ステップＳ１６２）。

次に、計算機能部３５は、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差がπ／２になるＰＳバイアスの値である設定値Ｖｐｓを計算する。制御部２０のバイアス印加部２２ｃは、ＰＳバイアスとして計算された設定値Ｖｐｓを出力する。例えば、計算機能部３５は、光変調部１０が電圧制御で駆動する場合は、Ｖｐ＿ｎｕｌｌとＶｐ＿ｐｅａｋとの中間値を設定値Ｖｐｓとして算出する（ステップＳ１６３）。また、計算機能部３５は、光変調部１０が電力制御で駆動する場合は、Ｖｐ＿ｎｕｌｌの２乗とＶｐ＿ｐｅａｋの２乗との中間値を設定値Ｖｐｓとして算出する。

図３のステップＳ１６の次に、制御部２０は、Ｉｃｈバイアス及びＱｃｈバイアスを、記憶部３４に保存しているＶｉ＿ｎｕｌｌ及びＶｑ＿ｎｕｌｌにそれぞれ設定する（ステップＳ１７）。

以上により、実施の形態１に係る光送信器におけるＩｃｈバイアス、Ｑｃｈバイアス、及びＰＳバイアスの設定、すなわち、バイアス制御を完了する。設定完了後に、制御部２０は、変調信号駆動部３２から変調信号Ｍ１及びＭ２を出力させる。すなわち、光変調部１０は、変調信号Ｍ１及びＭ２に基づいて入力光Ｌ１０を変調して、信号光としての出力光Ｌ３０を出力する。

次に、図３のステップＳ１１に示される制御について詳細に説明する。シングルエンド駆動方式のＭＺ型光変調器では、原理上、強度変調に伴う位相変化（すなわち、周波数チャープ）が生じる。図６（Ａ）及び（Ｂ）は、比較例であるプッシュプル駆動方式の光変調部におけるコンスタレーションを示す図である。また、図６（Ｃ）及び（Ｄ）は、実施の形態１に係るシングルエンド駆動方式の光変調部１０におけるコンスタレーションを示す図である。なお、図６（Ａ）から（Ｄ）において、横軸はｉｎ－ｐｈａｓｅ軸（すなわち、Ｉ軸）であり、縦軸はｑｕａｄｒａｔｕｒｅ－ｐｈａｓｅ軸（すなわち、Ｑ軸）である。

図６（Ａ）に示されるように、プッシュプル駆動方式のＭＺ型光変調器は、アーム＃１を進む光波及びアーム＃２を進む光波に対し同じ大きさで逆向きの位相変化を与えるため、図６（Ｂ）に示されるように、アーム＃１を進む光波とアーム＃２を進む光波とを合波して得られた光波の軌跡は、ｉｎ－ｐｈａｓｅ軸に重なる。つまり、プッシュプル駆動方式のＭＺ型光変調器では、原理上、周波数チャープは生じない。なお、光波の軌跡は、光波のコンスタレーションの位置の軌跡であり、図における矢印の先端の位置の軌跡である。

一方、図６（Ｃ）に示されるように、シングルエンド駆動方式のＭＺ型光変調器では、アーム＃１を進む光波は位相変化しないので光波の軌跡はｉｎ－ｐｈａｓｅ軸上で固定されており、アーム＃２を進む光波のみ位相変化する。このため、図６（Ｄ）に示されるように、アーム＃１を進む光波とアーム＃２を進む光波とを合波して得られた光波の軌跡は、アーム＃１の光波を示す矢印の先端の位置を中心とする円となる。つまり、シングルエンド駆動方式のＭＺ型光変調器では、原理上、周波数チャープが生じる。したがって、ＰＳバイアスを制御した後に、Ｉｃｈバイアスの制御又はＱｃｈバイアスの制御を実行すると、ＰＳバイアスが相対的に変化することになり、ＰＳ部１３を導波した光波の位相がずれる。

しかし、シングルエンド駆動方式のＭＺ型光変調器では、ＭＺ型光変調器から出力された光のパワーの変調曲線のピーク点（すなわち、極大点及び極小点）のみで、光波の軌跡がｉｎ－ｐｈａｓｅ軸上に存在し、位相成分を持たない。したがって、Ｉｃｈバッファ及びＱｃｈバッファを制御して、出力光Ｌ３０のパワーを変調曲線のピーク点に調整すれば、周波数チャープの影響を受けずにＰＳバイアスを制御することが可能である。図６（Ｃ）及び（Ｄ）を用いた上記説明から、シングルエンド駆動方式のＭＺ型の２つの光変調器を用いた光変調部１０において、周波数チャープの影響を受けることなくＩｃｈバイアス、Ｑｃｈバイアス、及びＰＳバイアスの制御を行うことが可能であることがわかる。

図７（Ａ）から（Ｆ）は、図４のバイアス制御の各ステップにおけるコンスタレーションを示す図である。図７（Ａ）から（Ｆ）では、Ｉｃｈアーム＃１を導波した光波の位相を基準位相としている。図７（Ａ）に示されるように、バイアス制御を開始する前は、Ｉｃｈアーム＃１、Ｉｃｈアーム＃２、Ｑｃｈアーム＃１、及びＱｃｈアーム＃２を進む光波は、バラバラな位相状態で合波されている。

次に、図７（Ｂ）及び図４のステップＳ１１１に示されるように、制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、Ｉｃｈ光変調器１１で変調された光波Ｌ２１ａと、Ｑｃｈ光変調器１２で変調されＰＳ部１３で位相調整された光波Ｌ２２ｂとを同位相にする。このとき、光波Ｌ２１ａと光波Ｌ２２ｂの合波によって得られた出力光Ｌ３０のパワーは、極大である。

次に、図７（Ｃ）及び図４のステップＳ１１２に示されるように、制御部２０は、Ｉｃｈバイアスを制御して、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーを極大にする。ただし、周波数チャープにより、このときに光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーを極大にするＩｃｈバイアスの値は、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーを極大にするために採用される最終的なＩｃｈバイアスの値とは必ずしも一致しない。

次に、図７（Ｄ）及び図４のステップＳ１１３に示されるように、制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、Ｉｃｈ光変調器１１から出力される光波Ｌ２１ａとＱｃｈ光変調器１２及びＰＳ部１３を導波した光波Ｌ２２ｂとを再び同位相にする。すなわち、制御部２０は、ＰＳバイアスを制御して、周波数チャープによって生じたＩｃｈ光変調器１１から出力された光波の位相変化を打ち消す。Ｉｃｈ光変調器１１から出力される光波Ｌ２１ａのパワーが変調曲線のピーク点になると、Ｉｃｈバイアスの制御による位相変化がなくなる。その結果、ＰＳバイアス制御において変調曲線のピーク点を探索した結果として得られたＰＳバイアスの値の変化が小さくなる。

次に、図４のステップＳ１１４に示されるように、制御部２０のロック判定部２６は、ＰＳバイアスの値の変化が十分に小さいか否かを判定する。つまり、ロック判定部２６は、ＰＳバイアスの差の絶対値｜Ｖｐ＿ｎｅｗーＶｐ＿ｏｌｄ｜が予め決められた閾値ＴＨ以上である場合、図７（Ｅ）に示されるように、再度、ステップＳ１１２で、Ｉｃｈバイアス制御を実行し、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーを極大にする。

その後、図４のステップＳ１１３で、制御部２０は、再びＰＳバイアスを制御し、図７（Ｆ）に示されるように、Ｉｃｈ光変調器１１から出力される光波Ｌ２１ａとＱｃｈ光変調器１２及びＰＳ部１３を導波した光波Ｌ２２ｂとを再び同位相にする。制御部２０は、図４のステップＳ１１４で、ＰＳバイアスの差の絶対値｜Ｖｐ＿ｎｅｗーＶｐ＿ｏｌｄ｜が閾値ＴＨより小さければ、Ｉｃｈ光変調器１１から出力される光波Ｌ２１ａのパワーは、ピーク点に収束したと判断する。

Ｑｃｈについても、Ｉｃｈと同様に図４の処理を行うことで、Ｑｃｈ光変調器１２及びＰＳ部１３を導波した光波Ｌ２２ｂのパワーは、ピーク点に収束する。

次に、Ｉｃｈバイアスの制御における、光波Ｌ２１ａのパワーと光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーとの相関について説明する。前述の周波数チャープにより、Ｉｃｈバイアスに依存して、Ｉｃｈ光変調器１１を導波した光波Ｌ２１ａとＱｃｈ光変調器１２及びＰＳ部１３を導波した光波Ｌ２２ｂとの位相関係が変化するため、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーは、Ｉｃｈ光変調器１１を導波した光波Ｌ２１ａとＱｃｈ光変調器１２及びＰＳ部１３を導波した光波Ｌ２２ｂとの位相関係が光波Ｌ２１ａのパワーと、ＩｃｈとＱｃｈとの間の位相差とによって決定される。

図８は、実施の形態１に係る光送信器の出力光Ｌ３０のパワーの計算結果を示す図である。図８は、Ｉｃｈアーム＃１を導波した光波の位相であるＩｃｈ位相を基準位相とし、基準位相に対する光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーの計算結果を、Ｑｃｈ位相ごとに示している。例えば、Ｑｃｈ位相が＋０．２５πである条件で、Ｉｃｈバイアスの制御を行って光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーの極大点を探索すると、Ｉｃｈ位相が＋０．０８５π（かつ、Ｉｃｈアーム＃２を導波した光波の位相が＋０．１７π）で、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーが極大になる。すなわち、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーの極大点は、必ずしも、図８に示されるＩｃｈの変調曲線上のピーク点に一致しない。

図８は、任意のＱｃｈ位相（例えば、Ｑ＝０，±０．２５π，±０．５π，±０．７５π）に対して、光変調部１０の出力光Ｌ３０のパワーが極大となるＩｃｈ位相は、Ｑｃｈ位相が大きくなるほど減少し、絶対値が０に近づくことも示している。したがって、図３のステップＳ１１に示されるように、任意のＱｃｈ位相においてＩｃｈバイアスの制御を実行した後、ＰＳバイアスの制御でＩｃｈ光変調器１１を導波した光波Ｌ２１ａとＱｃｈ光変調器１２及びＰＳ部１３を導波した光波Ｌ２２ｂとを再び同位相にし、その後、再びＩｃｈバイアスの制御を実行する、という制御を繰り返すことで、Ｉｃｈアーム＃１及びＩｃｈアーム＃２を進んで合波された光波Ｌ２１ａの位相とＱｃｈアーム＃１及びＱｃｈアーム＃２を進んで合波された光波Ｌ２２ｂの位相の両方を、基準位相であるＩｃｈアーム＃１の位相に収束させることができる。

Ｑｃｈアーム＃１及びＱｃｈアーム＃２についてもＩｃｈアーム＃１及びＩｃｈアーム＃２と同様に制御することで、Ｉｃｈアーム＃１及びＩｃｈアーム＃２とＱｃｈアーム＃１及びＱｃｈアーム＃２である計４つのアームを導波した４つの光波の位相を、全て同位相に収束させることができる。

実施の形態１では、図３のステップＳ１１、Ｓ１３、Ｓ１４において、Ｉｃｈバイアス制御の後にＱｃｈバイアス制御を実行する例を示したが、Ｑｃｈバイアス制御の後にＩｃｈバイアス制御を行ってもよい。

以上に説明したように、実施の形態１に係る光送信器及びその制御方法では、制御部２０にロック判定部２６を用いた構成で、Ｉｃｈバイアスの制御とＰＳバイアスの制御を交互に繰り返してＰＳバイアスの閾値判定（図４のステップＳ１１４）を行い、Ｑｃｈバイアスの制御とＰＳバイアスの制御を交互に繰り返してＰＳバイアスの閾値判定（図４のステップＳ１１４）を行う。その結果、シングルエンド駆動方式の２つのＭＺ型光変調器を用いた光変調部１０における周波数チャープの影響を除去し、最適なＩｃｈバイアス、Ｑｃｈバイアス、及びＰＳバイアスを設定することが可能である。

実施の形態２．
実施の形態１に係る光送信器では、図５に示されるように、計算機能部３５が、記憶部３４に保存されているＶｐ＿ｎｕｌｌの値とＶｐ＿ｐｅａｋの値とに基づいて、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差をπ／２にするＰＳバイアスの値を計算し、制御部２０が計算された値をＰＳバイアスの設定値として設定している。これに対し、実施の形態２に係る光送信器では、制御部２０ａは、ＰＳバイアスを、出力光Ｌ３０のパワーを極大にする電圧値ＰＳ＿ｐｅａｋに対し－３ｄＢに相当する値になるように、ＰＳバイアスの設定値を調整することで、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差をπ／２にする。

図９は、実施の形態２に係る光送信器の構成を示す図である。図９において、図１に示される構成要素と同一又は対応する構成要素には、図１に示される符号と同じ符号が付されている。実施の形態２に係る光送信器は、計算機能部３５を備えていない点で、実施の形態１に係る光送信器と異なる。実施の形態２においては、制御部２０ａは、モニタ部２４のＡＤＣから出力されるデジタル値Ｄ３に対し－３ｄＢに相当する値ＰＳ＿－３ｄＢを予め記憶部３４ａに保存する。実施の形態２に係る光送信器のバイアス制御は、図３に示される通りであるが、図３におけるステップＳ１６の内容の点で、実施の形態１に係る光送信器のバイアス制御と異なる。言い換えれば、実施の形態２に係る光送信器のバイアス制御は、実施の形態１に係る光送信器のバイアス制御と同様に第１から第４の処理を有するが、第３の処理の内容の点点で、実施の形態１に係る光送信器のバイアス制御と異なる。

図１０は、実施の形態２に係る光送信器におけるＰＳバイアスの制御を示すフローチャートである。ステップＳ１６では、図１０に示されるように、制御部２０ａは、ＰＳバイアスを制御して、出力光Ｌ３０のパワーが極大になるときのモニタ部２４でのＡＤ変換後の電圧値ＰＳ＿ｐｅａｋを求め、記憶部３４ａに保存する（ステップＳ２６１）。次に、制御部２０ａは、ＰＳバイアスを、モニタ部２４でのＡＤ変換後の電圧値ＰＳ＿ｐｅａｋに対し－３ｄＢに相当する値ＰＳ＿－３ｄＢを減算した値になるよう調整する（ステップＳ２６２）。以上により、制御部２０ａは、ＰＳバイアスを、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差をπ／２にする値に制御することができる。

以上に説明したように、実施の形態２に係る送信器及びその制御方法では、記憶部３４ａにモニタ部２４のＡＤ変換後の電圧値ＰＳ＿ｐｅａｋに対し－３ｄＢに相当する値ＰＳ＿－３ｄＢを減算した値を保存することで、計算機能部３５を設けずにＰＳバイアスを、ＩｃｈとＱｃｈの間の位相差をπ／２にする値に制御することができる。また、実施の形態２に係る光送信器は、計算機能部３５を設けていないので、構成を簡素にすることができる。

１０ 光変調部、 １１ Ｉｃｈ光変調器、 １１１ Ｉｃｈ位相調整部、 １２ Ｑｃｈ光変調器、 １２１ Ｑｃｈ位相調整部、 １３ ＰＳ部、 １４ 光強度検出部、 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ、１５ｆ、１５ｇ 光導波路、 ２０、２０ａ 制御部、 ２１ 同期検波部、 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ バイアス印加部、 ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ 低周波信号生成部、 ２４ モニタ部、 ２５ａ、２５ｂ、２５ｃ 加算部、 ２６ ロック判定部、 ３１ 光源、 ３２ 変調信号駆動部、 ３３ 電流電圧変換部、 ３４、３４ａ 記憶部、 ３５ 計算機能部、 Ｌ１０ 入力光、 Ｌ２１、Ｌ２１ａ、Ｌ２２、Ｌ２２ａ、Ｌ２２ｂ 光波、 Ｌ３０ 出力光。

Claims (8)

1. 入力光を変調して出力光を出力する光変調部と、
   前記光変調部に変調信号を入力する変調信号駆動部と、
   前記光変調部及び前記変調信号駆動部を制御する制御部と、
   を備え、
   前記光変調部は、
   ともにシングルエンド駆動方式のマッハツェンダ型光変調器である、第１の光変調器及び第２の光変調器と、
   前記第２の光変調器に光導波路で接続された光位相調整部と、
   前記出力光の強度を検出する光強度検出部と、
   前記入力光を第１の光波と第２の光波に分岐して、前記第１の光波を前記第１の光変調器に入力し、前記第２の光波を前記第２の光変調器に入力する分岐導波路と、
   前記第１の光変調器を導波した前記第１の光波である第３の光波と、前記第２の光変調器及び前記光位相調整部を導波した前記第２の光波である第４の光波とを合波することで、前記出力光を生成する合波導波路と、
   を有し、
   前記制御部は、前記第１の光変調器及び前記第２の光変調器に前記変調信号が入力されていない状態で、前記第１の光変調器の第１のバイアス電圧の設定値、前記第２の光変調器の第２のバイアス電圧の設定値、及び前記光位相調整部の第３のバイアス電圧の設定値を決定するバイアス制御を行い、
   前記バイアス制御は、
   前記出力光の強度を極大にする前記第１のバイアス電圧の第１の値を探索する第１の探索又は前記出力光の強度を極大にする前記第２のバイアス電圧の第２の値を探索する第２の探索と、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第３の値を探索する第３の探索と、を交互に行うことで、前記第１の値及び前記第２の値を収束させる第１の処理と、
   前記出力光の強度を極小にする前記第１のバイアス電圧の第４の値を探索する第４の探索と、前記出力光の強度を極小にする前記第２のバイアス電圧の第５の値を探索する第５の探索と、を行う第２の処理と、
   前記第１のバイアス電圧を、収束した前記第１の値に設定し、前記第２のバイアス電圧を、収束した前記第２の値に設定した状態で、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第６の値を探索する第６の探索を行う第３の処理と、
   前記第４の値に基づいて前記第１のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第５の値に基づいて前記第２のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第６の値に基づいて前記第３のバイアス電圧の前記設定値を決定する第４の処理と、
   を有する
   ことを特徴とする光送信器。
2. 前記制御部は、前記第１の処理において、前記第１の探索によって発生した前記第３の値の変化量の絶対値が予め決められた閾値より小さくなったときに、前記第１の値が収束したと判定し、前記第２の探索によって発生した前記第３の値の変化量の絶対値が前記閾値より小さくなったときに、前記第２の値が収束したと判定することを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
3. 前記制御部は、
   前記第３の処理において、前記出力光の強度を極小にする前記第３のバイアス電圧の第７の値を探索する第７の探索を行い、
   前記第４の処理において、前記第６の値と前記第７の値とに基づいて前記第３のバイアス電圧の前記設定値を決定する
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光送信器。
4. 前記制御部は、前記第４の処理において、前記第３のバイアス電圧の前記設定値を、前記第６の値と前記第７の値との中間値に設定することを特徴とする請求項３に記載の光送信器。
5. 前記制御部は、前記第４の処理において、前記第３のバイアス電圧の前記設定値を、前記第６の値の２乗と前記第７の値の２乗の中間値に設定することを特徴とする請求項３に記載の光送信器。
6. 前記制御部は、前記第４の処理において、前記第３のバイアス電圧の前記設定値を、前記第６の値から－３ｄＢに相当する値を減算して得られた値に調整することを特徴とする請求項１又は２に記載の光送信器。
7. 前記制御部は、前記第４の処理において、前記第１のバイアス電圧の前記設定値を前記第４の値に設定し、前記第２のバイアス電圧の前記設定値を前記第５の値に設定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光送信器。
8. 入力光を変調して出力光を出力する光変調部と、前記光変調部に変調信号を入力する変調信号駆動部と、前記光変調部及び前記変調信号駆動部を制御する制御部と、を備え、
   前記光変調部は、ともにシングルエンド駆動方式のマッハツェンダ型光変調器である、第１の光変調器及び第２の光変調器と、前記第２の光変調器に光導波路で接続された光位相調整部と、前記出力光の強度を検出する光強度検出部と、前記入力光を第１の光波と第２の光波に分岐して、前記第１の光波を前記第１の光変調器に入力し、前記第２の光波を前記第２の光変調器に入力する分岐導波路と、前記第１の光変調器を導波した前記第１の光波である第３の光波と、前記第２の光変調器及び前記光位相調整部を導波した前記第２の光波である第４の光波とを合波することで、前記出力光を生成する合波導波路と、を有し、
   前記制御部は、前記第１の光変調器及び前記第２の光変調器に前記変調信号が入力されていない状態で、前記第１の光変調器の第１のバイアス電圧の設定値、前記第２の光変調器の第２のバイアス電圧の設定値、及び前記光位相調整部の第３のバイアス電圧の設定値を決定するバイアス制御を行う、光送信器の制御方法であって、
   前記出力光の強度を極大にする前記第１のバイアス電圧の第１の値を探索する第１の探索又は前記出力光の強度を極大にする前記第２のバイアス電圧の第２の値を探索する第２の探索と、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第３の値を探索する第３の探索と、を交互に行うことで、前記第１の値及び前記第２の値を収束させる第１の処理と、
   前記出力光の強度を極小にする前記第１のバイアス電圧の第４の値を探索する第４の探索と、前記出力光の強度を極小にする前記第２のバイアス電圧の第５の値を探索する第５の探索と、を行う第２の処理と、
   前記第１のバイアス電圧を、収束した前記第１の値に設定し、前記第２のバイアス電圧を、収束した前記第２の値に設定した状態で、前記出力光の強度を極大にする前記第３のバイアス電圧の第６の値を探索する第６の探索を行う第３の処理と、
   前記第４の値に基づいて前記第１のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第５の値に基づいて前記第２のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第６の値に基づいて前記第３のバイアス電圧の前記設定値を決定する第４の処理と、
   を有することを特徴とする光送信器の制御方法。

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