JP7308771B2 - 光送信器及び光送信器の制御方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る光送信器の構成を示す図である。図1に示されるように、実施の形態1に係る光送信器は、光源31と、光源31から出力された光波である入力光L10を変調して出力光L30を出力する光変調部10と、光変調部10に変調信号M1及びM2を与える回路である変調信号駆動部32と、光変調部10及び変調信号駆動部32を制御する回路である制御部20とを備える。また、実施の形態1に係る光送信器は、光変調部10から出力される出力光L30の強度(すなわち、パワー)に対応するフィードバック信号であるモニタ電流D1をモニタ電圧D2に変換する回路である電流電圧変換部33と、半導体メモリなどの記憶部34と、計算機能部35とを備える。計算機能部35は、例えば、ソフトウェアとしてのプログラムを記憶するメモリと、このプログラムを実行する情報処理部としてのプロセッサとを有する。計算機能部35は、コンピュータであってもよい。また、制御部20の一部は、プログラムを実行するプロセッサによって実現されてもよい。
実施の形態1に係る光送信器では、図5に示されるように、計算機能部35が、記憶部34に保存されているVp_nullの値とVp_peakの値とに基づいて、IchとQchの間の位相差をπ/2にするPSバイアスの値を計算し、制御部20が計算された値をPSバイアスの設定値として設定している。これに対し、実施の形態2に係る光送信器では、制御部20aは、PSバイアスを、出力光L30のパワーを極大にする電圧値PS_peakに対し-3dBに相当する値になるように、PSバイアスの設定値を調整することで、IchとQchの間の位相差をπ/2にする。
Claims (8)
- 入力光を変調して出力光を出力する光変調部と、
前記光変調部に変調信号を入力する変調信号駆動部と、
前記光変調部及び前記変調信号駆動部を制御する制御部と、
を備え、
前記光変調部は、
ともにシングルエンド駆動方式のマッハツェンダ型光変調器である、第1の光変調器及び第2の光変調器と、
前記第2の光変調器に光導波路で接続された光位相調整部と、
前記出力光の強度を検出する光強度検出部と、
前記入力光を第1の光波と第2の光波に分岐して、前記第1の光波を前記第1の光変調器に入力し、前記第2の光波を前記第2の光変調器に入力する分岐導波路と、
前記第1の光変調器を導波した前記第1の光波である第3の光波と、前記第2の光変調器及び前記光位相調整部を導波した前記第2の光波である第4の光波とを合波することで、前記出力光を生成する合波導波路と、
を有し、
前記制御部は、前記第1の光変調器及び前記第2の光変調器に前記変調信号が入力されていない状態で、前記第1の光変調器の第1のバイアス電圧の設定値、前記第2の光変調器の第2のバイアス電圧の設定値、及び前記光位相調整部の第3のバイアス電圧の設定値を決定するバイアス制御を行い、
前記バイアス制御は、
前記出力光の強度を極大にする前記第1のバイアス電圧の第1の値を探索する第1の探索又は前記出力光の強度を極大にする前記第2のバイアス電圧の第2の値を探索する第2の探索と、前記出力光の強度を極大にする前記第3のバイアス電圧の第3の値を探索する第3の探索と、を交互に行うことで、前記第1の値及び前記第2の値を収束させる第1の処理と、
前記出力光の強度を極小にする前記第1のバイアス電圧の第4の値を探索する第4の探索と、前記出力光の強度を極小にする前記第2のバイアス電圧の第5の値を探索する第5の探索と、を行う第2の処理と、
前記第1のバイアス電圧を、収束した前記第1の値に設定し、前記第2のバイアス電圧を、収束した前記第2の値に設定した状態で、前記出力光の強度を極大にする前記第3のバイアス電圧の第6の値を探索する第6の探索を行う第3の処理と、
前記第4の値に基づいて前記第1のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第5の値に基づいて前記第2のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第6の値に基づいて前記第3のバイアス電圧の前記設定値を決定する第4の処理と、
を有する
ことを特徴とする光送信器。 - 前記制御部は、前記第1の処理において、前記第1の探索によって発生した前記第3の値の変化量の絶対値が予め決められた閾値より小さくなったときに、前記第1の値が収束したと判定し、前記第2の探索によって発生した前記第3の値の変化量の絶対値が前記閾値より小さくなったときに、前記第2の値が収束したと判定することを特徴とする請求項1に記載の光送信器。
- 前記制御部は、
前記第3の処理において、前記出力光の強度を極小にする前記第3のバイアス電圧の第7の値を探索する第7の探索を行い、
前記第4の処理において、前記第6の値と前記第7の値とに基づいて前記第3のバイアス電圧の前記設定値を決定する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光送信器。 - 前記制御部は、前記第4の処理において、前記第3のバイアス電圧の前記設定値を、前記第6の値と前記第7の値との中間値に設定することを特徴とする請求項3に記載の光送信器。
- 前記制御部は、前記第4の処理において、前記第3のバイアス電圧の前記設定値を、前記第6の値の2乗と前記第7の値の2乗の中間値に設定することを特徴とする請求項3に記載の光送信器。
- 前記制御部は、前記第4の処理において、前記第3のバイアス電圧の前記設定値を、前記第6の値から-3dBに相当する値を減算して得られた値に調整することを特徴とする請求項1又は2に記載の光送信器。
- 前記制御部は、前記第4の処理において、前記第1のバイアス電圧の前記設定値を前記第4の値に設定し、前記第2のバイアス電圧の前記設定値を前記第5の値に設定することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の光送信器。
- 入力光を変調して出力光を出力する光変調部と、前記光変調部に変調信号を入力する変調信号駆動部と、前記光変調部及び前記変調信号駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記光変調部は、ともにシングルエンド駆動方式のマッハツェンダ型光変調器である、第1の光変調器及び第2の光変調器と、前記第2の光変調器に光導波路で接続された光位相調整部と、前記出力光の強度を検出する光強度検出部と、前記入力光を第1の光波と第2の光波に分岐して、前記第1の光波を前記第1の光変調器に入力し、前記第2の光波を前記第2の光変調器に入力する分岐導波路と、前記第1の光変調器を導波した前記第1の光波である第3の光波と、前記第2の光変調器及び前記光位相調整部を導波した前記第2の光波である第4の光波とを合波することで、前記出力光を生成する合波導波路と、を有し、
前記制御部は、前記第1の光変調器及び前記第2の光変調器に前記変調信号が入力されていない状態で、前記第1の光変調器の第1のバイアス電圧の設定値、前記第2の光変調器の第2のバイアス電圧の設定値、及び前記光位相調整部の第3のバイアス電圧の設定値を決定するバイアス制御を行う、光送信器の制御方法であって、
前記出力光の強度を極大にする前記第1のバイアス電圧の第1の値を探索する第1の探索又は前記出力光の強度を極大にする前記第2のバイアス電圧の第2の値を探索する第2の探索と、前記出力光の強度を極大にする前記第3のバイアス電圧の第3の値を探索する第3の探索と、を交互に行うことで、前記第1の値及び前記第2の値を収束させる第1の処理と、
前記出力光の強度を極小にする前記第1のバイアス電圧の第4の値を探索する第4の探索と、前記出力光の強度を極小にする前記第2のバイアス電圧の第5の値を探索する第5の探索と、を行う第2の処理と、
前記第1のバイアス電圧を、収束した前記第1の値に設定し、前記第2のバイアス電圧を、収束した前記第2の値に設定した状態で、前記出力光の強度を極大にする前記第3のバイアス電圧の第6の値を探索する第6の探索を行う第3の処理と、
前記第4の値に基づいて前記第1のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第5の値に基づいて前記第2のバイアス電圧の前記設定値を決定し、前記第6の値に基づいて前記第3のバイアス電圧の前記設定値を決定する第4の処理と、
を有することを特徴とする光送信器の制御方法。
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JP2020008870A JP7308771B2 (ja) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 光送信器及び光送信器の制御方法 |
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JP2015114499A (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 三菱電機株式会社 | 光送信器および光送信器の制御方法 |
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