JP7308092B2

JP7308092B2 - Crystal elements, crystal devices and electronic equipment

Info

Publication number: JP7308092B2
Application number: JP2019141707A
Authority: JP
Inventors: 雅俊湯村; 斉師吉田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2019-07-31
Filing date: 2019-07-31
Publication date: 2023-07-13
Anticipated expiration: 2039-07-31
Also published as: JP2021027413A

Description

本開示は、水晶素子、水晶素子を備えた水晶デバイス、及び、水晶デバイスを備えた電子機器に関する。水晶デバイスとしては、例えば水晶振動子又は水晶発振器などが挙げられる。 The present disclosure relates to a crystal element, a crystal device including the crystal element, and an electronic device including the crystal device. Crystal devices include, for example, crystal resonators and crystal oscillators.

厚みすべり振動モードの水晶素子は、ＡＴカットの水晶片の両主面に、金属膜パターンからなる励振電極を形成したものである。この種の水晶素子として、水晶片の側面に結晶面であるｍ面を有するもの（以下「関連技術１」という。）が知られている（例えば特許文献１の図３参照）。 The thickness-shear vibration mode crystal element is an AT-cut crystal piece on which excitation electrodes made of metal film patterns are formed on both main surfaces. As this type of crystal element, a crystal element having an m-plane, which is a crystal plane, on the side surface of a crystal piece (hereinafter referred to as "related art 1") is known (see FIG. 3 of Patent Document 1, for example).

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果及び逆圧電効果を利用して、特定の発振周波数を発生させる。一般的な水晶デバイスは、パッケージ内に水晶素子を収容し、これを蓋体によって気密封止した構造である（例えば特許文献１の図１参照）。 Crystal devices utilize the piezoelectric and inverse piezoelectric effects of crystal elements to generate specific oscillation frequencies. A general crystal device has a structure in which a crystal element is housed in a package and hermetically sealed with a lid (for example, see FIG. 1 of Patent Document 1).

特開２０１５－２１１３６２号公報JP 2015-211362 A

上述の水晶素子では、水晶片の側面で反射する振動が励振電極での主振動に影響しないように、水晶片の側面から励振電極までの距離を所定値に設定している。しかしながら、関連技術１では、側面の一部であるｍ面が主面に対して斜めになっているので、ｍ面で反射する振動が複雑な経路で伝搬することになる。そのため、ｍ面で反射する振動が励振電極に到達して、主振動を阻害したり、主振動に結合したりすることがある。その結果、関連技術１では、水晶素子の等価直列抵抗値の増加、周波数温度特性の劣化など、電気的特性の低下を招いていた。 In the crystal element described above, the distance from the side surface of the crystal blank to the excitation electrode is set to a predetermined value so that the vibration reflected by the side surface of the crystal blank does not affect the main vibration of the excitation electrode. However, in Related Art 1, since the m-plane, which is a part of the side surface, is inclined with respect to the main surface, the vibration reflected by the m-plane propagates along a complicated path. Therefore, the vibration reflected by the m-plane may reach the excitation electrode and interfere with or be coupled to the main vibration. As a result, in Related Art 1, deterioration in electrical characteristics such as an increase in the equivalent series resistance value of the crystal element and deterioration in the frequency temperature characteristic is caused.

そこで、本開示の目的は、ｍ面で反射する振動の影響を低減することにより、電気的特性を向上し得る水晶素子を提供することにある。 Accordingly, an object of the present disclosure is to provide a crystal element capable of improving electrical characteristics by reducing the influence of vibrations reflected by the m-plane.

本開示に係る水晶素子は、
平面視して長辺及び短辺からなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面及び前記二つの主面に挟まれた側面を有する水晶片と、
前記主面においてその中央に位置する励振電極と、
前記主面においてその周縁に位置する接続電極と、
前記接続電極と前記励振電極とを電気的に繋ぐ配線電極と、
前記長辺を含む前記側面の一部であり、前記長辺に沿って延びる結晶面であるｍ面と、
前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記長辺に沿って延びる振動抑制パターンと、
を備え、
前記接続電極は、前記主面の周縁において前記短辺側に位置し、
前記配線電極の一部は、前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記接続電極から前記長辺に沿って延び前記振動抑制パターンに繋がっているものである。 The crystal element according to the present disclosure is
a crystal piece that is substantially rectangular with long sides and short sides in plan view and has two main surfaces facing each other and side surfaces sandwiched between the two main surfaces;
an excitation electrode located in the center of the main surface;
A connection electrode located on the periphery of the main surface;
a wiring electrode that electrically connects the connection electrode and the excitation electrode;
an m-plane which is a part of the side surface including the long side and which is a crystal plane extending along the long side;
a vibration suppression pattern positioned on at least one of the m-plane and the side of the main surface contacting the m-plane and extending along the long side;
with
The connection electrode is positioned on the short side of the periphery of the main surface,
A portion of the wiring electrode is positioned on at least one of the m-plane and a side of the main surface that contacts the m-plane, and extends from the connection electrode along the long side and is connected to the vibration suppressing pattern. be.

本開示に係る水晶デバイスは本開示に係る水晶素子を備えたものであり、本開示に係る電子機器は本開示に係る水晶デバイスを備えたものである。 A crystal device according to the present disclosure includes the crystal element according to the present disclosure, and an electronic device according to the present disclosure includes the crystal device according to the present disclosure.

本開示に係る水晶素子によれば、主面のｍ面に接する側及びｍ面の少なくとも一方に位置し、長辺に沿って延びる振動抑制パターンを備えたことにより、ｍ面への振動の伝搬及びｍ面からの振動の反射を抑制できるので、電気的特性を向上できる。 According to the crystal element according to the present disclosure, the vibration suppressing pattern located on at least one of the m-plane side and the m-plane of the main surface and extending along the long side prevents the propagation of vibration to the m-plane. and the reflection of vibration from the m-plane can be suppressed, so the electrical characteristics can be improved.

図１［Ａ］は実施形態１の水晶素子を示す斜視図、図１［Ｂ］は図１［Ａ］におけるＩｂ－Ｉｂ線拡大断面図である。1[A] is a perspective view showing the crystal element of Embodiment 1, and FIG. 1[B] is an enlarged sectional view taken along the line Ib-Ib in FIG. 1[A]. 図２［Ａ］は実施形態１の水晶素子の表側を示す平面図、図２［Ｂ］は実施形態１の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。2A is a plan view showing the front side of the crystal element of Embodiment 1, and FIG. 2B is a plan perspective view showing the back side of the crystal element of Embodiment 1. FIG. 図３［Ａ］は実施形態２の水晶素子の表側を示す平面図、図３［Ｂ］は実施形態２の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。3A is a plan view showing the front side of the crystal element of Embodiment 2, and FIG. 3B is a plan perspective view showing the back side of the crystal element of Embodiment 2. FIG. 図４［Ａ］は実施形態３の水晶素子の表側を示す平面図、図４［Ｂ］は実施形態３の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。4A is a plan view showing the front side of the crystal element of Embodiment 3, and FIG. 4B is a plan perspective view showing the back side of the crystal element of Embodiment 3. FIG. 図５［Ａ］は実施形態４の水晶素子の表側を示す平面図、図５［Ｂ］は実施形態４の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。5A is a plan view showing the front side of the crystal element of Embodiment 4, and FIG. 5B is a plan perspective view showing the back side of the crystal element of Embodiment 4. FIG. 図６［Ａ］は実施形態５の水晶デバイスを示す斜視図であり、図６［Ｂ］は図６［Ａ］におけるVIｂ－VIｂ線断面図である。6[A] is a perspective view showing the crystal device of Embodiment 5, and FIG. 6[B] is a cross-sectional view taken along line VIb-VIb in FIG. 6[A]. 図７［Ａ］は実施形態６の電子機器の第一例を示す正面図であり、図７［Ｂ］は実施形態６の電子機器の第二例を示す正面図である。FIG. 7A is a front view showing a first example of the electronic device of Embodiment 6, and FIG. 7B is a front view showing a second example of the electronic device of Embodiment 6. FIG.

以下、添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いることにより適宜説明を省略する。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。平面透視図では、表側から水晶片を透視して、裏側の電極を見た状態を示している。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form (henceforth "embodiment") for implementing this indication is demonstrated, referring an accompanying drawing. In addition, in the present specification and drawings, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate. The shapes depicted in the drawings are drawn so that those skilled in the art can easily understand them, so they do not necessarily match the actual dimensions and proportions. The plan perspective view shows a state in which the crystal piece is seen through from the front side and the electrodes on the back side are seen.

＜実施形態１＞
図１及び図２に示すように、本実施形態１の水晶素子１０は、水晶片１２と、励振電極１４ｅ，１４ｆと、接続電極１４ａ，１４ｂと、配線電極１４ｇ，１４ｈと、ｍ面１６ａ，１６ｂと、振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆと、備えたものである。 <Embodiment 1>
As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal element 10 of the first embodiment includes a crystal piece 12, excitation electrodes 14e and 14f, connection electrodes 14a and 14b, wiring electrodes 14g and 14h, m-planes 16a, 16b, and vibration suppression patterns 15e and 15f.

水晶片１２は、平面視して長辺１１ａ，１１ｂ及び短辺１１ｃ，１１ｄからなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面１３ｅ，１３ｆと、二つの主面１３ｅ，１３ｆに挟まれた側面１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄと、を有する。励振電極１４ｅ，１４ｆは、主面１３ｅ，１３ｆにおいてその中央に位置する。接続電極１４ａ，１４ｂは、主面１３ｅ，１３ｆにおいてその周縁に位置する。配線電極１４ｇ，１４ｈは、接続電極１４ａ，１４ｂと励振電極１４ｅ，１４ｆとを電気的に繋いでいる。振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側に位置し、長辺１１ａ，１１ｂに沿って延びている。 The crystal piece 12 has a substantially rectangular shape with long sides 11a and 11b and short sides 11c and 11d in plan view, and has two main surfaces 13e and 13f facing each other and side surfaces sandwiched between the two main surfaces 13e and 13f. 13a, 13b, 13c and 13d. The excitation electrodes 14e and 14f are located at the center of the main surfaces 13e and 13f. The connection electrodes 14a, 14b are located on the periphery of the main surfaces 13e, 13f. The wiring electrodes 14g, 14h electrically connect the connection electrodes 14a, 14b and the excitation electrodes 14e, 14f. The vibration suppression patterns 15e and 15f are located on the sides of the main surfaces 13e and 13f in contact with the m-planes 16a and 16b, and extend along the long sides 11a and 11b.

振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、励振電極１４ｅ，１４ｆ等と同じ金属膜からなり、励振電極１４ｅ，１４ｆ等と同時に形成される。また、振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、どの電極にも接続されておらず、電気的に浮いている（フローティング）。 The vibration suppression patterns 15e, 15f are made of the same metal film as the excitation electrodes 14e, 14f, etc., and are formed at the same time as the excitation electrodes 14e, 14f, etc. are formed. Also, the vibration suppressing patterns 15e and 15f are not connected to any electrodes and are electrically floating (floating).

振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、次のようにしてもよい。振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆの形成位置は、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側に限らず、ｍ面１６ａ，１６ｂでもよいし、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの両方でもよい。振動抑制パターン１５ｅの平面形状は、側面１３ａに沿った直線状に限らず、側面１３ａ，１３ｂに沿ったニの字状にしてもよいし、側面１３ａ，１３ｄに沿ったＬ字状にしてもよいし、側面１３ａ，１３ｂ，１３ｄに沿ったコの字状などにしてもよい。振動抑制パターン１５ｆの平面形状についても同様である。主面１３ｅに位置する振動抑制パターン１５ｅと主面１３ｆに位置する振動抑制パターン１５ｆとは、平面透視して互いに重ならない部分に形成されているが、平面透視して互いに重なる部分に形成してもよい。つまり、主面１３ｅに位置する振動抑制パターン１５ｅと主面１３ｆに位置する振動抑制パターン１５ｆとで、水晶片１２の周縁を挟むようにしてもよい。材質は、金属膜に限らず、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜としてもよい。 The vibration suppression patterns 15e and 15f may be configured as follows. The formation positions of the vibration suppressing patterns 15e and 15f are not limited to the sides of the principal surfaces 13e and 13f in contact with the m-planes 16a and 16b. Both the contact side and the m-surfaces 16a and 16b may be used. The planar shape of the vibration suppressing pattern 15e is not limited to a linear shape along the side surface 13a, but may be a V shape along the side surfaces 13a and 13b, or an L shape along the side surfaces 13a and 13d. Alternatively, it may be U-shaped along the side surfaces 13a, 13b, and 13d. The same applies to the planar shape of the vibration suppression pattern 15f. The vibration suppression pattern 15e located on the main surface 13e and the vibration suppression pattern 15f located on the main surface 13f are formed in portions that do not overlap each other when viewed through the plane, but are formed in portions that overlap each other when viewed through the plane. good too. In other words, the periphery of crystal piece 12 may be sandwiched between vibration suppression pattern 15e located on main surface 13e and vibration suppression pattern 15f located on main surface 13f. The material is not limited to a metal film, and may be an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.

長辺１１ａ，１１ｂを含む二つの側面１３ａ，１３ｂは、水晶片１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）に斜めとなるｍ面１６ａ，１６ｂと、水晶片１２の厚み方向に略平行となる垂直面１７ａ，１７ｂとを有する。ｍ面１６ａ，１６ｂは結晶面のｍ面であり、垂直面１７ａ，１７ｂは結晶面のＲ面に直角な面を含む。換言すると、ｍ面１６ａ，１６ｂは主面１３ｅ，１３ｆに対して斜めであり、垂直面１７ａ，１７ｂは主面１３ｅ，１３ｆに対して略垂直である。 Two side surfaces 13a and 13b including the long sides 11a and 11b are m-planes 16a and 16b that are oblique to the thickness direction (Y′-axis direction) of the crystal piece 12 and vertical surfaces that are substantially parallel to the thickness direction of the crystal piece 12. It has surfaces 17a and 17b. The m-planes 16a and 16b are m-planes of crystal planes, and the vertical planes 17a and 17b include planes perpendicular to the R-planes of crystal planes. In other words, the m-planes 16a and 16b are oblique to the main surfaces 13e and 13f, and the vertical planes 17a and 17b are substantially perpendicular to the main surfaces 13e and 13f.

次に、水晶素子１０について更に詳しく説明する。 Next, the crystal element 10 will be described in more detail.

水晶片１２は、ＡＴカット水晶板である。すなわち、水晶において、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）及びＺ軸（光軸）からなる直交座標系ＸＹＺを、Ｘ軸回りに３０°以上かつ５０°以下（一例として、３５°１５′）回転させて直交座標系ＸＹ’Ｚ’を定義したとき、ＸＺ’平面に平行に切り出されたウェハが水晶片１２の原材料となる。そして、長辺１１ａ，１１ｂがＸ軸に平行、短辺１１ｃ，１１ｄがＺ’軸に平行、厚み方向がＹ’軸に平行である。水晶片１２の外形寸法を例示すれば、長辺１１ａ，１１ｂは６５０～９２０μｍ、短辺１１ｃ，１１ｄは５５０～６９０μｍ、厚みは発振周波数に応じて異なる。例えば、発振周波数が１００ＭＨｚ以上の場合は、励振電極１４ｅ，１４ｆが位置する部分の水晶片１２の厚みは１７μｍ以下である。 The crystal blank 12 is an AT-cut crystal plate. That is, in crystal, the orthogonal coordinate system XYZ consisting of the X-axis (electrical axis), Y-axis (mechanical axis), and Z-axis (optical axis) is 30° or more and 50° or less (for example, 35° 15') When an orthogonal coordinate system XY'Z' is defined by rotation, a wafer cut out parallel to the XZ' plane becomes the raw material of the crystal blank 12. The long sides 11a and 11b are parallel to the X-axis, the short sides 11c and 11d are parallel to the Z'-axis, and the thickness direction is parallel to the Y'-axis. As an example of the outer dimensions of the crystal piece 12, the long sides 11a and 11b are 650 to 920 μm, the short sides 11c and 11d are 550 to 690 μm, and the thickness varies depending on the oscillation frequency. For example, when the oscillation frequency is 100 MHz or more, the thickness of the crystal blank 12 at the portions where the excitation electrodes 14e and 14f are located is 17 μm or less.

一対の励振電極１４ｅ，１４ｆは、平面視して略矩形であり、両主面１３ｅ，１３ｆのそれぞれ略中央に設けられている。励振電極１４ｅ，１４ｆからは、励振に寄与しない配線電極１４ｇ，１４ｈが、長辺１１ａ，１１ｂに沿って短辺１１ｃの接続電極１４ａ，１４ｂまで延びている。つまり、接続電極１４ａは配線電極１４ｇを介して励振電極１４ｅに導通し、接続電極１４ｂは配線電極１４ｈを介して励振電極１４ｆに導通している。なお、励振電極１４ｅ，１４ｆは、略矩形に限らず、例えば略円形又は略楕円形などであってもよい。 The pair of excitation electrodes 14e and 14f are substantially rectangular in plan view, and are provided substantially at the centers of the main surfaces 13e and 13f, respectively. Wiring electrodes 14g and 14h that do not contribute to excitation extend from the excitation electrodes 14e and 14f to the connection electrodes 14a and 14b on the short side 11c along the long sides 11a and 11b. That is, the connection electrode 14a is electrically connected to the excitation electrode 14e via the wiring electrode 14g, and the connection electrode 14b is electrically connected to the excitation electrode 14f via the wiring electrode 14h. The excitation electrodes 14e and 14f are not limited to substantially rectangular shapes, and may be substantially circular or substantially elliptical, for example.

励振電極１４ｅ，１４ｆは、例えばクロム（Ｃｒ）からなる下地層と、金（Ａｕ）からなる導体層と、の積層体を成している。つまり、水晶片１２上に下地層が位置し、下地層上に導体層が位置している。下地層は、主に水晶片１２との密着力を得る役割を果たす。導体層は、主に電気的導通を得る役割を果たす。接続電極１４ａ，１４ｂ及び配線電極１４ｇ，１４ｈも、励振電極１４ｅ，１４ｆと同様に、下地層と導体層との積層体としてもよい。 The excitation electrodes 14e and 14f form a laminate of, for example, a base layer made of chromium (Cr) and a conductor layer made of gold (Au). That is, the base layer is positioned on the crystal piece 12, and the conductor layer is positioned on the base layer. The underlayer mainly plays a role of obtaining adhesion to the crystal piece 12 . The conductor layer mainly plays the role of obtaining electrical continuity. The connection electrodes 14a, 14b and the wiring electrodes 14g, 14h may also be a laminate of a base layer and a conductor layer, like the excitation electrodes 14e, 14f.

励振電極１４ｅ，１４ｆ等の製造工程としては、水晶片１２に成膜後にフォトレジストパターンを形成してエッチングする方法、水晶片１２にフォトレジストパターンを形成後に成膜してリフトオフする方法、又は、水晶片１２をメタルマスクで覆い成膜する方法などが挙げられる。成膜には、スパッタ又は蒸着などが用いられる。 As the manufacturing process of the excitation electrodes 14e, 14f, etc., there is a method of forming a photoresist pattern on the crystal piece 12 and then etching it, a method of forming a photoresist pattern on the crystal piece 12 and then forming a film and then lifting off the film, or A method of forming a film by covering the crystal piece 12 with a metal mask can be used. Sputtering, vapor deposition, or the like is used for film formation.

ｍ面１６ａ，１６ｂ及び垂直面１７ａ，１７ｂは、ウェットエッチング時（外形加工工程）に主面１３ｅのマスク（耐食膜）と主面１３ｆのマスク（耐食膜）とをＺ’軸方向に少しずらすことによって得られる。 For the m-planes 16a and 16b and the vertical planes 17a and 17b, the mask (corrosion-resistant film) on the main surface 13e and the mask (corrosion-resistant film) on the main surface 13f are slightly shifted in the Z'-axis direction during wet etching (outer shape processing step). obtained by

水晶素子１０は、例えば、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて次のように製造することができる。 The crystal element 10 can be manufactured as follows using, for example, photolithography technology and etching technology.

まず、ＡＴカットの水晶ウェハ全面に耐食膜を設け、その上にフォトレジストを設ける。続いて、そのフォトレジストの上に水晶片１２のパターンが描かれたマスクを重ね、露光及び現像をすることにより一部の耐食膜を露出させ、この状態で耐食膜に対するウェットエッチングをする。その後、残った耐食膜をマスクにして、水晶ウェハに対してウェットエッチングをすることにより、水晶片１２の外形を形成する（外形加工工程）。 First, a corrosion-resistant film is provided on the entire surface of an AT-cut crystal wafer, and a photoresist is provided thereon. Subsequently, a mask having a pattern of the crystal piece 12 is superimposed on the photoresist, exposed and developed to partially expose the corrosion resistant film, and wet etching is performed on the corrosion resistant film in this state. Thereafter, using the remaining corrosion-resistant film as a mask, the crystal wafer is wet-etched to form the outer shape of the crystal piece 12 (outer shape processing step).

その後、残った耐食膜を水晶ウェハから除去し、励振電極１４ｅ，１４ｆ等となる金属膜を水晶ウェハ全面に設ける。続いて、励振電極１４ｅ，１４ｆ等のパターンからなるフォトレジストマスクを金属膜上に形成し、不要な金属膜をエッチングによって除去することにより、下地層及び導体層からなる励振電極１４ｅ，１４ｆ等を形成する。その後、不要なフォトレジストを除去することにより、水晶ウェハに複数の水晶素子１０を形成する。最後に、この水晶ウェハから各水晶素子１０に個片化することで、単体の水晶素子１０が得られる。 After that, the remaining corrosion-resistant film is removed from the crystal wafer, and a metal film, which becomes the excitation electrodes 14e, 14f, etc., is provided on the entire surface of the crystal wafer. Subsequently, a photoresist mask having a pattern of the excitation electrodes 14e, 14f, etc. is formed on the metal film, and the unnecessary metal film is removed by etching, thereby forming the excitation electrodes 14e, 14f, etc. composed of the base layer and the conductor layer. Form. Thereafter, by removing unnecessary photoresist, a plurality of crystal elements 10 are formed on the crystal wafer. Finally, the individual crystal elements 10 are obtained by singulating the crystal wafer into individual crystal elements 10 .

水晶素子１０の動作は次のとおりである。励振電極１４ｅ，１４ｆを介して、水晶片１２に交番電圧を印加する。すると、水晶片１２は、両主面１３ｅ，１３ｆが互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の発振周波数を発生させる。このように、水晶素子１０は、水晶片１２の圧電効果及び逆圧電効果を利用して、一定の発振周波数の信号を出力するように動作する。このとき、励振電極１４ｅ，１４ｆ間の水晶片１２の板厚が薄いほど、高い発振周波数となる。 The operation of crystal element 10 is as follows. An alternating voltage is applied to the crystal piece 12 via the excitation electrodes 14e and 14f. Then, the crystal piece 12 causes thickness-shear vibration so that both principal surfaces 13e and 13f are displaced from each other, and generates a specific oscillation frequency. Thus, the crystal element 10 operates to output a signal with a constant oscillation frequency using the piezoelectric effect and the inverse piezoelectric effect of the crystal element 12 . At this time, the thinner the plate thickness of the crystal piece 12 between the excitation electrodes 14e and 14f, the higher the oscillation frequency.

次に、水晶素子１０の作用及び効果について説明する。 Next, the action and effect of the crystal element 10 will be described.

ｍ面１６ａ，１６ｂで反射した振動は、近傍の振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆが錘となることにより減衰する。そのため、ｍ面１６ａ，１６ｂで反射する振動が励振電極１４ｅ，１４ｆに到達して、主振動を阻害したり主振動に結合したりすることを、抑えられる。その結果、関連技術１と比較して、等価直列抵抗値の低減、及び、周波数温度特性の向上などを達成できる。よって、水晶素子１０によれば、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置し、長辺１１ａ，１１ｂに沿って延びる振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆを備えたことにより、ｍ面１６ａ，１６ｂへの振動の伝搬及びｍ面１６ａ，１６ｂからの振動の反射を抑制できるので、電気的特性を向上できる。 The vibrations reflected by the m-planes 16a and 16b are attenuated by the nearby vibration suppression patterns 15e and 15f serving as weights. Therefore, it is possible to prevent the vibration reflected by the m-planes 16a and 16b from reaching the excitation electrodes 14e and 14f and inhibiting or coupling with the main vibration. As a result, it is possible to achieve a reduction in the equivalent series resistance value and an improvement in the frequency temperature characteristic, etc., as compared with Related Art 1. Therefore, according to the crystal element 10, the vibration suppression patterns 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 15e, 18e, 18e, and 18e are located on the sides of the main surfaces 13e and 13f in contact with the m-planes 16a and 16b and on at least one of the m-planes 16a and 16b, respectively, and extend along the long sides 11a and 11b. By providing 15f, propagation of vibration to the m-planes 16a and 16b and reflection of vibration from the m-planes 16a and 16b can be suppressed, so that electrical characteristics can be improved.

また、長辺１１ａ，１１ｂを含む二つの側面１３ａ，１３ｂが、水晶片１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）に斜めとなるｍ面１６ａ，１６ｂと、水晶片１２の厚み方向に略平行となる垂直面１７ａ，１７ｂとを有することにより、換言すると、結晶面のｍ面であるｍ面１６ａ，１６ｂと、結晶面のＲ面に直角な面を含む垂直面１７ａ，１７ｂと、を備えたことにより、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）が実質的に薄くなる。よって、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）での振動変位が大きく減衰するため、振動エネルギの閉じ込め効果によって、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値を低減できる。この効果により、いわゆるコンベックス形状、ベベル形状又はメサ型などの構造を採らなくてもよくなるので、製造工程を簡素化できる。この効果は、水晶片１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）においてｍ面１６ａ，１６ｂの厚みと垂直面１７ａ，１７ｂの厚みとが等しくなる場合に、最も大きくなる。このとき、図１［Ｂ］に示すように、水晶片１２の重心に対して左右が点対称となることにより、水晶片１２の上半分と下半分とで振動の状態が同じになるので、振動バランスを向上できる。これに加え、水晶素子１０によれば、前述したように振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆによって等価直列抵抗値を低減できるので、上記振動エネルギの閉じ込め効果と相俟ってよりＣＩ値をより低減できる。 Two side surfaces 13a and 13b including the long sides 11a and 11b are substantially parallel to the thickness direction of the crystal piece 12 and the m-planes 16a and 16b that are oblique to the thickness direction (Y'-axis direction) of the crystal piece 12. In other words, it has m-planes 16a and 16b that are m-planes of crystal planes and vertical planes 17a and 17b that include planes perpendicular to the R-planes of crystal planes. As a result, both ends (both side surfaces 13a and 13b) are substantially thinned. Therefore, since the vibration displacement at both ends (both side surfaces 13a and 13b) is greatly attenuated, the CI (crystal impedance) value can be reduced by the confinement effect of vibration energy. This effect eliminates the need to employ a so-called convex, bevel, or mesa structure, thereby simplifying the manufacturing process. This effect is maximized when the thickness of the m-planes 16a and 16b and the thickness of the vertical planes 17a and 17b are equal in the thickness direction (Y'-axis direction) of the crystal piece 12. FIG. At this time, as shown in FIG. 1B, the left and right sides of the crystal piece 12 are symmetrical with respect to the center of gravity of the crystal piece 12, so that the upper half and the lower half of the crystal piece 12 vibrate in the same state. Vibration balance can be improved. In addition, according to the crystal element 10, the equivalent series resistance value can be reduced by the vibration suppression patterns 15e and 15f as described above.

＜実施形態２＞
図３に示すように、本実施形態２の水晶素子２０は、次の点で実施形態１と異なる。振動抑制パターン２５ｅ，２５ｆは、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの両方に位置する。つまり、振動抑制パターン２５ｅ，２５ｆは、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの両方に跨って、長辺１１ａ，１１ｂに沿って直線状に延びている。 <Embodiment 2>
As shown in FIG. 3, the crystal element 20 of Embodiment 2 differs from Embodiment 1 in the following points. The vibration suppressing patterns 25e and 25f are located on both the sides of the main surfaces 13e and 13f contacting the m-planes 16a and 16b and the m-planes 16a and 16b. That is, the vibration suppressing patterns 25e and 25f extend linearly along the long sides 11a and 11b across both the sides of the principal surfaces 13e and 13f in contact with the m-planes 16a and 16b and the m-planes 16a and 16b. .

水晶素子２０によれば、錘の機能を果たす振動抑制パターン２５ｅ，２５ｆを、ｍ面１６ａ，１６ｂ上にも直接形成したので、ｍ面１６ａ，１６ｂへの振動の伝搬及びｍ面１６ａ，１６ｂからの振動の反射をより抑制できる。水晶素子２０の斜視図及び断面図は、図１に準ずる。本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。 According to the crystal element 20, since the vibration suppressing patterns 25e and 25f functioning as weights are also formed directly on the m-planes 16a and 16b, the vibration is propagated to the m-planes 16a and 16b and from the m-planes 16a and 16b. reflection of vibration can be suppressed more. A perspective view and a cross-sectional view of the crystal element 20 conform to FIG. Other configurations, actions and effects of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.

＜実施形態３＞
図４に示すように、本実施形態３の水晶素子３０は、次の点で実施形態１と異なる。接続電極３４ａ，３４ｂは、主面１３ｅ，１３ｆの周縁において短辺１１ｃ側に位置する。配線電極３４ｇ，３４ｈの一部は、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置し、接続電極３４ａ，３４ｂから長辺１１ａ，１１ｂに沿って延び振動抑制パターン３５ｅ，３５ｆに繋がっている。振動抑制パターン３５ｅ，３５ｆは、配線電極３４ｇ，３４ｈに一体化され電気的に接続されている。 <Embodiment 3>
As shown in FIG. 4, the crystal element 30 of Embodiment 3 differs from Embodiment 1 in the following points. The connection electrodes 34a and 34b are positioned on the short side 11c side at the peripheral edges of the main surfaces 13e and 13f. Parts of the wiring electrodes 34g and 34h are located on the sides of the main surfaces 13e and 13f in contact with the m-planes 16a and 16b and at least one of the m-planes 16a and 16b, and extend from the connection electrodes 34a and 34b along the long sides 11a and 11b. , and connected to the vibration suppressing patterns 35e and 35f. The vibration suppression patterns 35e and 35f are integrated and electrically connected to the wiring electrodes 34g and 34h.

本実施形態３では、接続電極３４ａ，３４ｂから配線電極３４ｇ，３４ｈを経て振動抑制パターン３５ｅ，３５ｆまで、隙間なく一体化された状態で、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置している。そのため、水晶素子３０によれば、ｍ面１６ａ，１６ｂへの振動の伝搬及びｍ面１６ａ，１６ｂからの振動の反射をより抑制できる。水晶素子３０の斜視図及び断面図は、図１に準ずる。本実施形態３のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。 In the third embodiment, the connection electrodes 34a and 34b, the wiring electrodes 34g and 34h, and the vibration suppressing patterns 35e and 35f are integrated without gaps, and the sides of the main surfaces 13e and 13f in contact with the m-surfaces 16a and 16b are integrated. and m-planes 16a and 16b. Therefore, according to the crystal element 30, propagation of vibration to the m-planes 16a and 16b and reflection of vibration from the m-planes 16a and 16b can be further suppressed. A perspective view and a cross-sectional view of the crystal element 30 conform to FIG. Other configurations, actions and effects of the third embodiment are the same as those of the first embodiment.

＜実施形態４＞
図５に示すように、本実施形態４の水晶素子４０は、次の点で実施形態１と異なる。接続電極４４ａ，４４ｂは、主面１３ｅ，１３ｆの周縁において一方の短辺１１ｃ側に位置する。配線電極４４ｇ，４４ｈの一部は、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置し、振動抑制パターン４５ｅ，４５ｆと並んでかつ接して接続電極４４ａ，４４ｂから長辺１１ａ，１１ｂに沿って延び、他方の短辺１１ｄ側で励振電極１４ｅ，１４ｆに繋がっている。振動抑制パターン４５ｅ，４５ｆは、配線電極４４ｇ，４４ｈに一体化され電気的に接続されている。 <Embodiment 4>
As shown in FIG. 5, the crystal element 40 of Embodiment 4 differs from Embodiment 1 in the following points. The connection electrodes 44a and 44b are located on one short side 11c side of the peripheral edges of the main surfaces 13e and 13f. Parts of the wiring electrodes 44g and 44h are located on the sides of the main surfaces 13e and 13f contacting the m-planes 16a and 16b and at least one of the m-planes 16a and 16b, and are connected alongside and in contact with the vibration suppressing patterns 45e and 45f. It extends from the electrodes 44a and 44b along the long sides 11a and 11b, and is connected to the excitation electrodes 14e and 14f on the other short side 11d. The vibration suppressing patterns 45e and 45f are integrated and electrically connected to the wiring electrodes 44g and 44h.

水晶素子４０によれば、接続電極４４ａ，４４ｂから励振電極１４ｅ，１４ｆまでの距離を長くできるので、接続電極４４ａ，４４ｂをパッケージに接着又は接合した際の影響を低減できる。例えば、導電性接着剤を用いて接続電極４４ａ，４４ｂをパッケージに実装する際に、導電性接着剤が接続電極４４ａ，４４ｂを這い上がって励振電極１４ｅ，１４ｆに到達する距離を稼げるので、不良品の発生を抑制できる。水晶素子４０の斜視図及び断面図は、図１に準ずる。本実施形態４のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。 According to the crystal element 40, the distance from the connection electrodes 44a, 44b to the excitation electrodes 14e, 14f can be increased, so that the influence of bonding or bonding the connection electrodes 44a, 44b to the package can be reduced. For example, when the connection electrodes 44a and 44b are mounted on the package using a conductive adhesive, the distance that the conductive adhesive crawls up the connection electrodes 44a and 44b and reaches the excitation electrodes 14e and 14f is increased. It is possible to suppress the occurrence of non-defective products. A perspective view and a cross-sectional view of the crystal element 40 conform to FIG. Other configurations, actions and effects of the fourth embodiment are the same as those of the first embodiment.

＜実施形態５＞
図６に示すように、本実施形態５の水晶デバイス６０は、実施形態１の水晶素子１０と、水晶素子１０が位置する基体６１と、基体６１とともに水晶素子１０を気密封止する蓋体６２と、を備えている。基体６１は、パッケージとも呼ばれ、基板６１ａと枠体６１ｂとからなる。基板６１ａの上面と枠体６１ｂの内側面と蓋体６２の下面とによって囲まれた空間が、水晶素子１０の収容部６３となる。水晶素子１０は、例えば、電子機器等で使用する基準信号を出力する。 <Embodiment 5>
As shown in FIG. 6, the crystal device 60 of the fifth embodiment includes the crystal element 10 of the first embodiment, a base 61 on which the crystal element 10 is positioned, and a lid body 62 hermetically sealing the crystal element 10 together with the base 61. and has. The base 61 is also called a package and consists of a substrate 61a and a frame 61b. A space surrounded by the upper surface of the substrate 61 a , the inner surface of the frame 61 b , and the lower surface of the lid 62 serves as the housing portion 63 for the crystal element 10 . The crystal element 10 outputs, for example, a reference signal used in electronic equipment and the like.

換言すると、水晶デバイス６０は、上面に一対の電極パッド６１ｄ及び下面に四つの外部端子６１ｃを有する基板６１ａと、基板６１ａの上面の外周縁に沿って位置する枠体６１ｂと、一対の電極パッド６１ｄに導電性接着剤６１ｅを介して実装される水晶素子１０と、水晶素子１０を枠体６１ｂとともに気密封止する蓋体６２と、を備えている。 In other words, the crystal device 60 includes a substrate 61a having a pair of electrode pads 61d on the upper surface and four external terminals 61c on the lower surface, a frame 61b positioned along the outer periphery of the upper surface of the substrate 61a, and a pair of electrode pads. A crystal element 10 is mounted on 61d via a conductive adhesive 61e, and a lid 62 hermetically seals the crystal element 10 together with the frame 61b.

基板６１ａ及び枠体６１ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラスセラミックス等のセラミック材料からなり、一体的に形成されて基体６１となる。基体６１及び蓋体６２は、平面視して概ね矩形状である。外部端子６１ｃと電極パッド６１ｄ及び蓋体６２とは、基体６１の内部又は側面に形成された導体を介して電気的に接続される。詳しく言えば、基板６１ａの下面の四隅に外部端子６１ｃがそれぞれ位置する。それらのうちの二つの外部端子６１ｃが水晶素子１０に電気的に接続され、残りの二つの外部端子６１ｃが蓋体６２に電気的に接続される。外部端子６１ｃは、電子機器等のプリント配線板などに実装するために用いられる。 The substrate 61a and the frame 61b are made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass ceramics, and integrally formed to form the base 61. As shown in FIG. The base 61 and the lid 62 are generally rectangular in plan view. The external terminal 61c, the electrode pad 61d, and the lid 62 are electrically connected via a conductor formed inside or on the side surface of the base 61. As shown in FIG. Specifically, the external terminals 61c are positioned at the four corners of the lower surface of the substrate 61a. Two of these external terminals 61 c are electrically connected to the crystal element 10 , and the remaining two external terminals 61 c are electrically connected to the lid 62 . The external terminal 61c is used for mounting on a printed wiring board of an electronic device or the like.

水晶素子１０は、前述したように、水晶片１２と、水晶片１２の上面に形成された励振電極１４ｅと、水晶片１２の下面に形成された励振電極１４ｆとを有する。そして、水晶素子１０は、導電性接着剤６１ｅを介して電極パッド６１ｄ上に接合され、安定した機械振動と圧電効果により、電子機器等の基準信号を発振する役割を果たす。 Crystal element 10 has crystal element 12, excitation electrode 14e formed on the upper surface of crystal element 12, and excitation electrode 14f formed on the lower surface of crystal element 12, as described above. The crystal element 10 is bonded onto the electrode pad 61d via a conductive adhesive 61e, and plays a role of oscillating a reference signal for electronic equipment or the like by stable mechanical vibration and piezoelectric effect.

電極パッド６１ｄは、基体６１に水晶素子１０を実装するためのものであり、基板６１ａの一辺に沿うように隣接して一対が位置する。そして、一対の電極パッド６１ｄは、それぞれ接続電極１４ａ，１４ｂを接続して水晶素子１０の一端を固定端とし、水晶素子１０の他端を基板６１ａの上面から離間した自由端とすることにより、片持ち支持構造にて水晶素子１０を基板６１ａ上に固定する。 The electrode pads 61d are for mounting the crystal element 10 on the substrate 61, and a pair of electrode pads are positioned adjacent to each other along one side of the substrate 61a. The pair of electrode pads 61d connects the connection electrodes 14a and 14b, respectively, and has one end of the crystal element 10 as a fixed end, and the other end of the crystal element 10 as a free end separated from the upper surface of the substrate 61a. The crystal element 10 is fixed on the substrate 61a with a cantilever support structure.

導電性接着剤６１ｅは、例えば、シリコーン樹脂等のバインダの中に、導電フィラとして導電性粉末が含有されたものである。蓋体６２は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、シーム溶接などによって枠体６１ｂと接合することにより、真空状態にある又は窒素ガスなどが充填された収容部６３を気密的に封止する。 The conductive adhesive 61e is, for example, a binder such as silicone resin containing conductive powder as a conductive filler. The lid body 62 is made of an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, for example, and is joined to the frame body 61b by seam welding or the like, so that the housing part 63 is in a vacuum state or filled with nitrogen gas or the like. hermetically sealed.

水晶デバイス６０によれば、水晶素子１０を備えたことにより、安定した電気特性を発揮できる。なお、水晶デバイス６０は、実施形態１の水晶素子１０に限らず、他の実施形態の水晶素子を備えたものとしてもよい。 According to the crystal device 60, by including the crystal element 10, stable electrical characteristics can be exhibited. Note that the crystal device 60 is not limited to the crystal element 10 of the first embodiment, and may include crystal elements of other embodiments.

＜実施形態６＞
図７に示すように、本実施形態６の電子機器７１，７２はそれぞれ水晶デバイス６０を備えている。図７［Ａ］に例示した電子機器７１はスマートフォンであり、図７［Ｂ］に例示した電子機器７２はパーソナルコンピュータである。 <Embodiment 6>
As shown in FIG. 7, electronic devices 71 and 72 of Embodiment 6 each include a crystal device 60 . The electronic device 71 illustrated in FIG. 7A is a smart phone, and the electronic device 72 illustrated in FIG. 7B is a personal computer.

図６に示すように構成された水晶デバイス６０は、はんだ付け、金（Ａｕ）バンプ又は導電性接着剤などによってプリント基板に外部端子６１ｃの底面が固定されることによって、電子機器７１，７２を構成するプリント基板の表面に実装される。そして、水晶デバイス６０は、例えば、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、時計、ゲーム機、通信機、又はカーナビゲーションシステム等の車載機器などの種々の電子機器で発振源として用いられる。 In the crystal device 60 configured as shown in FIG. 6, the electronic devices 71 and 72 are connected by fixing the bottom surface of the external terminals 61c to the printed circuit board by soldering, gold (Au) bumps, conductive adhesive, or the like. It is mounted on the surface of the constituent printed circuit board. The crystal device 60 is used as an oscillation source in various electronic devices such as smartphones, personal computers, clocks, game machines, communication devices, and in-vehicle devices such as car navigation systems.

電子機器７１，７２によれば、水晶デバイス６０を備えたことにより、安定した電気特性に基づく高性能かつ高信頼性の動作を実現できる。 According to the electronic devices 71 and 72, by including the crystal device 60, high-performance and highly reliable operation based on stable electrical characteristics can be realized.

＜その他＞
以上、上記各実施形態を参照して本開示を説明したが、本開示はこれらに限定されるものではない。本開示の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本開示には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。 <Others>
Although the present disclosure has been described with reference to the above embodiments, the present disclosure is not limited to these. Various changes that can be understood by those skilled in the art can be added to the configuration and details of the present disclosure. In addition, the present disclosure also includes appropriate combinations of part or all of the configurations of the above-described embodiments.

１０，２０，３０，４０水晶素子
１１ａ，１１ｂ長辺
１１ｃ，１１ｄ短辺
１２水晶片
１３ｅ，１３ｆ主面
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ側面
１４ａ，１４ｂ，３４ａ，３４ｂ，４４ａ，４４ｂ接続電極
１４ｅ，１４ｆ励振電極
１４ｇ，１４ｈ，３４ｇ，３４ｈ，４４ｇ，４４ｈ配線電極
１５ｅ，１５ｆ，２５ｅ，２５ｆ，３５ｅ，３５ｆ，４５ｅ，４５ｆ振動抑制パターン
１６ａ，１６ｂｍ面
１７ａ，１７ｂ垂直面
６０水晶デバイス
６１基体
６１ａ基板
６１ｂ枠体
６１ｃ外部端子
６１ｄ電極パッド
６１ｅ導電性接着剤
６２蓋体
６３収容部
７１，７２電子機器 10, 20, 30, 40 crystal elements 11a, 11b long sides 11c, 11d short sides 12 crystal pieces 13e, 13f main surfaces 13a, 13b, 13c, 13d side surfaces 14a, 14b, 34a, 34b, 44a, 44b connection electrodes 14e, 14f excitation electrode 14g, 14h, 34g, 34h, 44g, 44h wiring electrode 15e, 15f, 25e, 25f, 35e, 35f, 45e, 45f vibration suppression pattern 16a, 16b m-plane 17a, 17b vertical plane 60 crystal device 61 substrate 61a Substrate 61b Frame 61c External terminal 61d Electrode pad 61e Conductive adhesive 62 Lid 63 Housing 71, 72 electronic equipment

Claims

平面視して長辺及び短辺からなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面及び前記二つの主面に挟まれた側面を有する水晶片と、
前記主面においてその中央に位置する励振電極と、
前記主面においてその周縁に位置する接続電極と、
前記接続電極と前記励振電極とを電気的に繋ぐ配線電極と、
前記長辺を含む前記側面の一部であり、前記長辺に沿って延びる結晶面であるｍ面と、
前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記長辺に沿って延びる振動抑制パターンと、
を備え、
前記接続電極は、前記主面の周縁において前記短辺側に位置し、
前記配線電極の一部は、前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記接続電極から前記長辺に沿って延び前記振動抑制パターンに繋がっている水晶素子。 a crystal piece that is substantially rectangular with long sides and short sides in plan view and has two main surfaces facing each other and side surfaces sandwiched between the two main surfaces;
an excitation electrode located in the center of the main surface;
A connection electrode located on the periphery of the main surface;
a wiring electrode that electrically connects the connection electrode and the excitation electrode;
an m-plane which is a part of the side surface including the long side and which is a crystal plane extending along the long side;
a vibration suppression pattern positioned on at least one of the m-plane and the side of the main surface contacting the m-plane and extending along the long side;
with
The connection electrode is positioned on the short side of the periphery of the main surface,
A part of the wiring electrode is located on at least one of the m-plane and the main surface, and extends from the connection electrode along the long side and connects to the vibration suppressing pattern. .

平面視して長辺及び短辺からなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面及び前記二つの主面に挟まれた側面を有する水晶片と、
前記主面においてその中央に位置する励振電極と、
前記主面においてその周縁に位置する接続電極と、
前記接続電極と前記励振電極とを電気的に繋ぐ配線電極と、
前記長辺を含む前記側面の一部であり、前記長辺に沿って延びる結晶面であるｍ面と、
前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記長辺に沿って延びる振動抑制パターンと、
を備え、
前記接続電極は、前記主面の周縁において一方の前記短辺側に位置し、
前記配線電極の一部は、前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記振動抑制パターンと並んでかつ接して前記接続電極から前記長辺に沿って延び、他方の前記短辺側で前記励振電極に繋がる水晶素子。 a crystal piece that is substantially rectangular with long sides and short sides in plan view and has two main surfaces facing each other and side surfaces sandwiched between the two main surfaces;
an excitation electrode located in the center of the main surface;
A connection electrode located on the periphery of the main surface;
a wiring electrode that electrically connects the connection electrode and the excitation electrode;
an m-plane which is a part of the side surface including the long side and which is a crystal plane extending along the long side;
a vibration suppression pattern positioned on at least one of the m-plane and the side of the main surface contacting the m-plane and extending along the long side;
with
The connection electrode is positioned on one of the short sides of the periphery of the main surface,
A portion of the wiring electrode is positioned on at least one of the main surface and the m-plane, and extends along the long side from the connection electrode in parallel with and in contact with the vibration suppressing pattern. , a crystal element connected to the excitation electrode on the other short side .

請求項１又は２に記載の水晶素子と、
前記水晶素子が位置する基体と、
前記基体とともに前記水晶素子を気密封止する蓋体と、
を備えた水晶デバイス。 A crystal element according to claim 1 or 2 ;
a base on which the crystal element is located;
a lid that hermetically seals the crystal element together with the base;
A crystal device with

請求項３記載の水晶デバイスを備えた電子機器。 An electronic device comprising the crystal device according to claim 3 .