JP7307152B2 - 量子アプリケーションにおける高密度接続のためのストリップライン形成 - Google Patents
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Description
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Claims (16)
- 量子アプリケーションで使用するためのストリップラインであって、
第1のポリイミド膜と、
第2のポリイミド膜と、
前記第1のポリイミド膜と前記第2のポリイミド膜との間に形成された第1の中心導体および第2の中心導体と、
前記第2のポリイミド膜の第1の凹部を介して前記第1の中心導体と電気的かつ熱的に接触するように構成された第1のピンと
を備え、
前記第1および第2の中心導体は、1マイクロメートル未満の厚さを有し、
前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間のマイクロ波クロストークを-50デシベル未満とするように、前記第1の中心導体の幅と、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間の分離距離との合計の3倍が、前記第1および第2のポリイミド膜の厚さならびに前記第1または第2の中心導体の厚さの合計した厚さBの2倍より大きくなるように、Bが選択される、
ストリップライン。 - 前記第1のポリイミド膜の厚さが、前記厚さBの少なくとも半分である、請求項1に記載のストリップライン。
- 前記第1の凹部が、第2の接地平面および前記第2のポリイミド膜を介して前記第1の中心導体の一部分を露出させるように形成された前記第1の凹部をさらに備える、請求項1または2に記載のストリップライン。
- 弾性ピンをさらに備え、前記弾性ピンが、前記第1のピンとして使用され、前記弾性ピンが、はんだ付けすることなく、前記第1の中心導体に圧力を加えることのみによって電気的かつ熱的に接触する、請求項1ないし3のいずれか1項に記載のストリップライン。
- コネクタをさらに備え、前記コネクタは、マイクロ波ラインを前記第1のピンに接続する、請求項1ないし4のいずれか1項に記載のストリップライン。
- 前記第1のポリイミド膜の第1の側に第1の接地平面をさらに備え、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第1のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項1ないし5のいずれか1項に記載のストリップライン。
- 前記第2のポリイミド膜の第1の側に第2の接地平面をさらに備え、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第2のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項6に記載のストリップライン。
- 前記第1および第2の接地平面の少なくとも一方は、超伝導材料を含む、請求項7に記載のストリップライン。
- 量子アプリケーションで使用するためのストリップラインを製造する方法であって、
第1のポリイミド膜を形成することと、
第2のポリイミド膜を形成することと、
前記第1のポリイミド膜と前記第2のポリイミド膜との間に第1の中心導体および第2の中心導体を形成することと、
前記第2のポリイミド膜の第1の凹部を介して前記第1の中心導体と電気的かつ熱的に接触するように、第1のピンを構成することと
を含み、
前記第1および第2の中心導体は、1マイクロメートル未満の厚さを有し、
前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間のマイクロ波クロストークを-50デシベル未満とするように、前記第1の中心導体の幅と、前記第1の中心導体と前記第2の中心導体との間の分離距離との合計の3倍が、前記第1および第2のポリイミド膜の厚さならびに前記第1または第2の中心導体の厚さの合計した厚さBの2倍より大きくなるように、Bが選択される、
方法。 - 前記第1のポリイミド膜の厚さが、前記厚さBの少なくとも半分である、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の凹部を形成することをさらに含み、前記第1の凹部が、第2の接地平面および前記第2のポリイミド膜を介して前記第1の中心導体の一部分を露出させるように形成される、請求項9または10に記載の方法。
- 弾性ピンを構成することをさらに含み、前記弾性ピンが、前記第1のピンとして使用され、前記弾性ピンが、はんだ付けすることなく、前記第1の中心導体に圧力を加えることのみによって電気的かつ熱的に接触する、請求項9ないし11のいずれか1項に記載の方法。
- コネクタを使用して、マイクロ波ラインを前記第1のピンに接続すすることをさらに含む、請求項9ないし12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のポリイミド膜の第1の側に第1の接地平面を形成することをさらに含み、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第1のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項9ないし13のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2のポリイミド膜の第1の側に第2の接地平面を形成することをさらに含み、前記第1の中心導体および前記第2の中心導体が、前記第2のポリイミド膜の、前記第1の側の反対側に形成される、請求項14に記載の方法。
- 前記第1および第2の接地平面の少なくとも一方は、超伝導材料を含む、請求項15に記載の方法。
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