JP7306712B2 - ヒータチップ及び接合層評価装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体部品、電子部品等の端子電極とプリント基板の電極とを接合する接合層（半田部等）の評価方法・測定方法及び接合層の評価装置に関するものである。接合層の構造または構成、接合層を評価することにより、接合層の劣化及び寿命の評価・測定方法等に関するものである。また、接合層評価装置に用いるヒータチップ、ヒータチップの構造、使用方法、当該製造方法、ヒータチップを有する評価装置及び当該評価方法等に関するものである。

電子機器は、現在、小形・薄型化、さらには高機能・高精度化の傾向にある。それを支える重要な技術が表面実装技術である。この表面実装技術は、高精度なプリント板に、ＩＣ、ＬＳＩ を中心としたチップ部品、電子部品を装着、接続する技術であり、高密度実装方式の切り札となっている。

電子回路基板の高精度化、実装部品の小型化、狭ピッチ化が進展し、チップ部品、電子部品の電極と電子回路基板の電極との接合が重要になってきている。そのため、電極と電極との接合層の接合状態を定量的に評価できる技術が求められている。

特開２０１２－１７８４４９

従来の電極間の接合層の劣化診断方法として半導体チップを含む電子部品を、電子回路基板上に形成されて配線部上にナノカーボンを含有する半田を介して実装し、電子部品または電子回路基板を加熱しながら、該電子部品の温度分布を測定し、温度分布の測定データに基づいて半田による接合層の劣化を検出していた。

しかし、半田接合層の熱伝導性を向上させるため、ナノカーボンを含有する半田を使用する必要があること、接合層のクラック等が発生するまで加熱しないと劣化診断ができないという課題があった。また、加熱する温度により劣化状態、劣化寿命が異なり、定量的に接合層の状態を評価できないという課題があった。

従来の接合層１０５の評価では、接合層１０５にナノカーボンを含有する半田を使用する必要があった。したがって、実際に使用する接合層１０５材料を使用することができなかった。そのため、評価結果と、実製品では評価結果の差異が発生していた。

また、従来の接合層１０５の評価では、接合層１０５を含む箇所を切断して研磨して光学観察あるいはＳＥＭ観察が行われていた。そのため、接合層１０５は破壊評価となり、非破壊では評価することができなかった。

本発明は、フェムト秒レーザ光等でＳｉＣ基板の両面を粗面加工し、粗面加工箇所にＮｉ－Ｐ膜で薄膜ヒータを形成する。薄膜ヒータの両端には端子電極を配置し、薄膜ヒータに電流を印加できるようにしてヒータチップを構成する。

銅プレートの表面のＮｉ－Ｐ膜と、ＳｉＣ基板の裏面部に半田等による接合層を形成する。ヒータチップのＳｉＣ基板、銅プレート及び半田接合層の端面は研磨する。端面の研磨部にポリイミド（ＰＩ）シート等を貼り付ける。

ヒータチップとしての薄膜ヒータに所定の定電流を印加し、定電流による発熱により、半田等による接合層を加熱しつつ、端面の研磨部を赤外線サーモグラフィティカメラ等で観察あるいは測定する。観察あるいは測定は、ポリイミドフィルムを介して行う。研磨部の接合層の温度を複数点測定し、複数点間の温度情報△Ｔを求める。

温度情報△Ｔとは、測定箇所、測定近傍箇所、測定箇所の所定深さ位置の温度、温度変化量、温度変化時間、温度変化割合、温度分布、温度傾斜等、印加電圧あるいは印加電流に対する温度変化等である。

ヒータチップより、半田等による接合層を加熱し、赤外線サーモグラフィティカメラ等で、接合層の温度を測定して、複数点間の温度情報（温度分布）△（デルタ）Ｔを求める。温度情報△Ｔにより、接合層の状態を非接触で定量的に評価することができる。

温度分布の温度情報（温度分布）△Ｔに基づいて、接合層の劣化あるいは接合層の特性を容易に検出することが可能となる。また、半田接合層の寿命等の評価を容易に行うことが可能となる。また、劣化状態の検知及び寿命の評価の信頼性も高い。

本発明の接合層評価装置の説明図である。 本発明のヒータチップの構成図及び断面図である。 本発明のヒータチップの製造方法の説明図である。 本発明のヒータチップの構成図及び断面図である。 本発明の他の実施例におけるヒータチップの平面図及び断面図である。 本発明の他の実施例におけるヒータチップの平面図である。 本発明の接合層評価装置の動作の説明図である。 本発明の接合層評価装置の動作の説明図である。 本発明の接合層の評価方法の説明図である。 本発明の接合層の評価方法の説明図である。 本発明の接合層の評価方法の説明図である。 本発明の接合層の熱シミュレーションの説明図である。 本発明の接合層の評価方法の説明図である。 本発明の接合層の評価方法の説明図である。 本発明のヒータチップの構成図及び断面図である。 本発明のヒータチップの構成図及び断面図である。 本発明のヒータチップの説明図である。 本発明のヒータチップの説明図である。 本発明のヒータチップの製造方法のフローチャートである。 本発明のヒータチップの製造方法の説明図である。 本発明の接合層評価装置の構成及び評価方法の説明図である。 本発明の他の実施例におけるヒータチップの製造方法の説明図である。 本発明の他の実施例におけるヒータチップの製造方法の説明図である。 本発明の他の実施例におけるヒータチップの製造方法の説明図である。 本発明の他の実施例におけるヒータチップの製造方法の説明図である。 本発明の他の実施例における接合層の評価方法の説明図である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態に係る接合層の評価方法及び接合層評価装置、本発明のヒータチップについて説明をする。

明細書で記載する実施形態では、半田により電極間に形成した接合層を評価するとして説明をする。しかし、本発明は半田等による接合層に限定するものではない。

例えば、銀ペーストあるいは銅ペーストにより接着した接合層、放電加工による形成した接合層、高周波誘導加熱による接合層、電磁誘導加熱による接合層、圧着により接着した接合層等に対しても適用できることは言うまでもない。接合層１０５は導電性材料には限定されず、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の有機絶縁物等であってもよい。

本発明は加温、あるいは加熱した電極間等に配置あるいは形成された接合層を、赤外線カメラ等を用いて観測するものである。したがって、電極を有する電子部品、配線基板等に限定されるものではない。

接合層１０５は接合部１０５と呼ぶこともある。接合層１０５は層状に限定されるものではなく、立体的に、あるいは独立して接合部１０５として形成または構成される場合もある。本発明は、接続部の多種多様な構成あるいは構造にも適用できる。

発明を実施するための形態を説明するための各図面において、同一の機能を有する要素には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、本発明の実施例は、それぞれの実施例の一部または全部をそれぞれ組み合わせることができる。

図２は本発明の接合層評価装置に使用する本発明のヒータチップ１０９の平面図及び断面図である。図２（ａ）はヒータチップ１０９の平面図である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡＡ’線における断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢＢ’線における断面図である。

ベース基板１０６として、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）が例示される。ＳｉＣはシリコン (Ｓｉ) と炭素 (Ｃ) で構成される化合物半導体材料である。ＳｉＣの単結晶は高熱伝導度であり、内部温度分布が小さく、また、耐熱温度も高く、ベース基板１０６として好ましい。その他、ベース基板１０６として絶縁性があり、熱伝導性の良好なサファイアガラス等のガラス基板、アルミナまたは窒化珪素からなるセラミック基板が例示される。

ＳｉＣセラミックスやＡlＮセラミックスあるいはＡlＮ（窒化アルミニウム）あるいはＡlＮを充填した基板のような材料は電気を通さないが、熱は良く通す物質のため、本発明のヒータチップ１０９の基板１０６として採用できる。

また、ベース基板１０６として、窒化アルミニウム（Ａluminum nitride, ＡlＮ）が例示される。ＡlＮはアルミニウムの窒化物あり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。ＡlＮは熱伝導率が２３０Ｗ／ｍＫと高い。
ベース基板１０６として、ＢｅＯ（ベリリウム酸化物：通称ベリリア）は熱伝導率が２７０ Ｗ／ｍＫと高く、使用できことができる。

ＡlＮは、ホットプレス等でディスク状に加工してセラミック製品にすることがあるが、その基本は粉末である。その粉末の粒径を制御することが求められるが、還元窒化法では０．１μｍ以下のものから１０μｍ程度のものまで製造できる。シリコン樹脂等にフィラーとして使う場合には、粒径の異なるＡlＮ粒を組み合わせて使うとフィラーの充填率は向上する。

還元窒化法は、アルミナ（Ａl_２Ｏ_３）とカーボン（Ｃ）を混ぜたものを窒化しＡlＮとする。その後、酸化して、ＡlＮ粒の表面を酸化膜で覆う。直接窒化法と比べ、表面酸化膜の厚さは２倍の１１Å（オングストローム）程度になる。最後の酸化処理によって、粒表面のイミド基（Ｎ－Ｈ）やアミド基（Ｎ－Ｈ_２）を除去し、純粋なＡlＮ粒ができる。

本明細書では、説明を容易にするため。ベース基板１０６は、ＳｉＣからなる基板として説明をする。しかし、ベース基板１０６は、先に例示したように熱伝導性が良好で、絶縁性または半導体性を有する基板であれば、いずれのものであっても採用できることは言うまでもない。また、ベース基板１０６は複数の材料からなる基板を重ねたものを採用してよい。

ベース基板１０６の厚みは、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下とする。ただし、ベース基板１０６の厚みは、薄い方が薄膜ヒータ１１７からの熱が接合層１０５に伝達されやすい。しかし、ベース基板１０６の厚みが薄いと、薄膜ヒータ１１７が形成されている箇所と形成されていない箇所で、接合層１０５での温度分布が発生しやすい。ヒータチップ１０９の大きさは、３ｍｍ角以上１０ｍｍ角以下のサイズが好ましい。

本発明は、ヒータチップ１０９の薄膜ヒータ１１７の配線幅、接合層１０５の形成面積、接合層１０５厚みを考慮して、熱シミュレーションを実施する。熱シミュレーションによりヒータチップ１０９の大きさ、厚みを設計している。図２において、一例として、ヒータチップ１０９のサイズは、幅Ｗ１は３ｍｍ以上３０ｍｍ以下、幅Ｗ２は３ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６はＮｉ（ニッケル）－Ｐ、またはＮｉで形成あるいは構成する。

ＳｉＣ基板１０６の裏面には、Ｎｉ－Ｐめっきによる薄膜（Ｎｉ－Ｐ膜１１１d）が形成され、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄの表面には金めっき膜１１２ｃが形成されている。なお、薄膜１１１は、Ｎｉ－Ｐ膜として説明するが、他に、ＮｉあるいはＮｉ－Ｂで薄膜１１１を形成してもよい。薄膜１１１は接合層１０５と密着良く接合できる材料であれば、いずれの材料物であってもよい。ニッケル（Ｎｉ）以外に、例えば、錫、銀、金、銅、鉛、亜鉛、あるいはこれらの合金等が例示される。ただし、適切な抵抗が存在する必要がある。薄膜ヒータ１１７等は発熱素子として使用するからである。
薄膜１１１は、接合層１０５と密着でき、抵抗値が比較的高いＮｉまたはＮｉ－Ｐを使用することが好ましい。
以後、本明細書あるいは図面では、説明を容易にするため、特に断りがない場合は、薄膜１１１は、Ｎｉ－Ｐ膜１１１として説明する。
Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄの膜厚は、１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚が好ましい。特に、２μｍ以上６μｍ以下の膜厚にすることが好ましい。

金めっき膜１１２ｃの膜厚は０．０１μｍ以上とする。金めっき膜１１２ｃはＮｉ－Ｐ膜１１１ｄの表面の酸化あるいは汚染を防止あるいは抑制する機能を有する。なお、金めっき膜１１２の膜厚は０．５μｍ以下とすることが好ましい。 ＳｉＣ基板１０６の表面には、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６が形成される。薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６は、Ｎｉ－Ｐめっきによる薄膜（Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄ）で形成される。Ｎｉの他、白金（Ｐｔ）で構成あるいは形成してもよい。その他、亜鉛、錫、鉛、クロム等も使用することができる。金属以外、例えば、炭素（Ｃ）等の有機材料で形成することもできる。
図３に図示するように薄膜ヒータ１１７の膜厚（μｍ）と薄膜ヒータ１１７の薄膜ヒータ１１７のシート抵抗値（Ω／ｓｑ）は、略線形の関係にある。

図３に図示するように、薄膜ヒータ１１７の膜厚が厚くなると、シート抵抗値（Ω／ｓｑ）が相対的に小さくなり非線形の関係となる傾向にある（薄膜ヒータ１１７の膜厚（μｍ）＞１０．０（μｍ））。また、薄膜ヒータ１１７の膜厚が薄くなると、シート抵抗値（Ω／ｓｑ）が相対的に高くなり非線形の関係となる傾向にある（薄膜ヒータ１１７の膜厚（μｍ）＜０．１（μｍ））。ＳｉＣ基板１０６の粗面化状態、薄膜ヒータ１１７が曲線状に形成されているためと思われる。

薄膜ヒータ１１７の膜厚とシート抵抗値（Ω／ｓｑ）とが線形の関係になる領域を採用することが好ましい。したがって、薄膜ヒータ１１７の膜厚は、０．１（μｍ）以上７．５（μｍ）以下とすることが好ましく、シート抵抗値（Ω／ｓｑ）は０．２５（Ω／ｓｑ）以上１．００（Ω／ｓｑ）とすることが好ましい。なお、薄膜ヒータ１１７の抵抗値は、５Ω以上３００Ω以下とすることが好ましい。

温度プローブ１１６は薄膜ヒータ１１７と同一材料、同一プロセス工程で形成される。薄膜ヒータ１１７がＮｉ－Ｐ膜の場合、温度プローブ１１６もＮｉ－Ｐ膜で形成される。薄膜ヒータ１１７と温度プローブ１１６を同一材料で形成することにより、低コストが可能になる。温度プローブ１１６は配線幅を細く形成することにより、温度プローブ１１６の抵抗値は薄膜ヒータの抵抗値よりも高く設計する。

温度プローブ１１６には定電流を印加する。温度プローブ１１６の抵抗値を高くすることにより、抵抗値変化が大きくなり、定電流に対する温度プローブ１１６端子間の電圧変化が大きくなる。したがって、温度プローブ１１６が検出する薄膜ヒータ１１７の温度変化に関する感度が良好になる。温度プローブ１１６の抵抗値は、２０Ω以上、１ｋΩ以下に作製する。

温度プローブ１１６の両端には端子電極１１４ａ、端子電極１１４ｂを形成する。薄膜ヒータ１１７の両端には端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂを形成する。

端子電極１１４の表面等には金めっき膜１１２を形成する。端子電極１１５の表面等には金めっき膜１１２を形成する。金めっき膜１１２ｃの膜厚は０．０１μｍ以上とする。

薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６上には、金めっき膜１１２は形成しない。金めっき膜１１２を形成すると、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６の抵抗値が低下し、発熱あるいは温度変化に関する感度が低下するからである。

薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６上には、０．０５μｍ以上５μｍ以下の厚みからなる、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜のうち、少なくとも１種類の膜を形成し、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６の表面が酸化あるいは汚染されることを抑制する。

１１７は薄膜ヒータとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ヒータ１１７は基板１０６を加熱するために配置または形成したものである。薄膜ヒータ１１７の代替えとして、ニクロム線を組み込んだ面ヒータ、ペルチェ素子を用いたヒータ等を使用してもよい。ニクロム線を組み込んだ面ヒータ、ペルチェ素子に流す電流によりベース基板１０６を加熱することができる。

端子電極１１４及び端子電極１１５には、リード線１２１を半田付け、あるいはプローブ（図示せず）を圧接し、電流電源装置８０３が出力する定電流を端子電極１１４または端子電極１１５に印加する。

図１９、図２０は、本発明のヒータチップ１０９の製造方法の説明図である。図１９はヒータチップの製造方法を示すフローチャートである。図２０（ａ）～図２０（ｆ）は、ヒータチップ１０９の製造方法を説明するための説明図である。

ＳｉＣ基板１０６の表面にマスク５０１を塗布する（図１９Ｓ１１、図２０（ｂ））。マスク５０１としては、アルカリ可溶タイプのアクリルポリマーを含むものが好ましい。

次に、フェムト秒レーザ装置を用いて、ＳｉＣ基板１０６の表面を粗化する（図１９Ｓ１２、図２０（ｃ））。フェムト秒レーザ光５０２またはピコ秒レーザ光５０２を照射し、ＳｉＣ基板１０６の表面の、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６、端子電極１１４、端子電極１１５に対応する部分を除去して、角溝状の凹部５０３を形成する。フェムト秒レーザ光５０２等の照射により、凹部５０３の底面及び側面は粗化（粗面化）される。

凹部５０３は溝状の形状として説明するが、溝状に限定されるものではなく、ＳｉＣ基板１０６の表面に傷、あるいは表面のみが粗面化された構成あるいは形状も含む。

フェムト秒レーザ光５０２による粗面化は、端子電極１１４、端子電極１１５に対応する箇所にも実施される。粗面化される箇所に、Ｎｉ－Ｐ膜１１１が形成される。

端子電極１１４、端子電極１１５部は粗化される面積が大きい。温度プローブ１１６部は粗化される線幅が細い。温度プローブ１１６部は粗化を大きくする（粗化により発生する凹凸を深くする）ように、粗化される面積に依存して粗化状態を変化させることが好ましい。
粗化状態は、フェムト秒レーザ光５０２のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することにより容易に実現できる。

ＳｉＣ基板１０６に裏面にも、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄが形成される。したがって、ＳｉＣ基板１０６のＮｉ－Ｐ膜１１１ｄが形成される箇所にも、フェムト秒レーザ光５０２による粗面化が実施される。

フェムト秒レーザ装置は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光５０２を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光５０２を材料に照射した場合、材料の熱拡散特性時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。

その結果、照射周辺部への熱影響を局限することが可能であり、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いので、ビームが集光されたところにのみ、選択的に加工することができる。

フェムト秒レーザ光５０２のパルスを照射することにより、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６を形成する部分に対応するマスク５０１の部分が除去され、凹部５０３が形成される。

配線のパターニング（薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６等）は、マスク５０１の表面に形成されたマークに基づいて行ってもよい。ＳｉＣ基板１０６上に形成された位置決めマーク１２４等に基づいて位置決めを行う。

ＳｉＣ基板１０６上に形成された位置決めマーク１２４をカメラで取り込み、位置決めマーク１２４を画像認識して位置決めマーク１２４位置と設計座標を比較し、パターニング（薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６等）位置（レーザ光を照射する箇所）に位置決めしてレーザ光５０２を照射する。
ＳｉＣ基板１０６に対し酸性脱脂剤を用い、例えば４５℃、５分の条件で脱脂を行う（図１９Ｓ１３）。
塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う（図１９Ｓ１４）。保持時間は、一例として、２分である。

次に、Ｓn－Ｐｄ触媒５０４を凹部５０３の表面、及びマスク５０１の残存している部分の表面に付与する（図１９Ｓ１５、図２０（ｄ））。Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４はコロイド状の粒子であり、Ｓｎ－Ｐｄの核部の表面にＳｎ－rich層、及びＳｎ2+層が順に形成されている。

次に、活性化を行う（図１９Ｓ１６）。Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４を付与したＳｉＣ基板１０６を塩酸系の溶液に浸漬することでＳｎの層が除去され、内部のＰｄ触媒が露出する。Ｐｄ触媒が露出するので、Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４が存在する部分において、無電解Ｎｉ－Ｐめっき液による反応が生じる。

アルカリ溶液を用いて、マスク５０１を剥離する（図１９Ｓ１７、図２０（ｅ））。ＳｉＣ基板１０６のマスク５０１が剥離された部分にはＳｎ－Ｐｄ触媒５０４が存在しない。

ＳｉＣ基板１０６の表面に無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行い、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６が形成される（図１９Ｓ１８、図２０（ｆ））。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液としては、酸性領域から中性領域で次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする還元析出型の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることができる。

キレート剤としては、リンゴ酸、またはクエン酸、またはマロン酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、または酢酸やコハク酸等のモノカルボン酸、アンモニアやグリシン等のアミン類を単独もしくは複数併用して用いることができる。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液中の還元剤がＳｉＣ基板１０６上で電子を放出するように触媒として機能するＰｄが付与されている。したがって、無電解Ｎｉめっき液中のＮｉイオンが、還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元され、ＳｉＣ基板１０６の表面に析出し、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６が形成される。
本実施形態によれば、難めっき材料からなるＳｉＣ基板１０６に対して、密着性が良好なＮｉ－Ｐめっきを行うことができる。

本実施の形態においては、マスク５０１を用い、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６に対応するＳｉＣ基板１０６の粗化部分のみにＳｎ－Ｐｄ触媒５０４を残存させて、めっきを行うので、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６のパターニングの精度が良好であり、表面研磨が不要である。

配線パターンに対応する部分以外の部分がマスク５０１により保護された状態で、配線パターンが容易に形成される。粗化部のみに無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行うので、所望の厚みの薄膜ヒータ１１７等を形成することができる。

ヒータチップ１０９は１つのＳｉＣ基板に複数個がマトリックス状に、かつ同時に作製される。各ヒータチップ１０９は、Ｎｉ－Ｐ膜が形成後、各ヒータチップ１０９の外枠部に、炭酸ガスレーザ光、ＹＡＧレーザ光等が照射されて削られ（レーザダイシング）、個片に分割される。また、ダイシング加工（湿式）、スクライブ（乾式）により、ヒータチップ１０９個片に分割してもよい。

図２１は、本発明の実施の形態に係る接合層評価装置の構成についての説明図である。図２１（ａ）は作製されたヒータチップ１０９を示す。図２１（ａ）のヒータチップ１０９は図２１（ｂ）に図示するように、銅プレート１０４と接合層１０５で接合される。

銅プレート１０４は０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下の銅板である。銅プレート１０４は、無酸素銅板であることが好ましい。銅プレート１０４の表面には、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａが形成される。また、銅プレート１０４の表面には、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｂが形成される。Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａ、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｂの膜厚、形成方法は、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａと同様であるので説明を省略する。また、Ｎｉ－Ｐ膜１１１の表面には金めっきで金を形成することが好ましい。

本発明の実施例では、１０４は銅プレートとして説明するが、これに限定するものではない。プレート１０４の表面に半田と接合するＮｉ－Ｐ膜１１１が良好に形成されており、熱伝導性が良好なプレートであれば、銅以外の材質でプレート１０４を形成してもよい。例えば、セラミックプレート、ステンレスプレート、ニッケルプレート、銀プレートが例示される。本明細書では説明を容易にするため、銅プレート１０４として説明をする。

Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａの表面には金めっき膜１１２ａが形成され、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｂの表面には金めっき膜１１２ｂが形成される。金めっき膜１１２ａ、金めっき膜１１２ｂの形成方法は、金めっき膜１１２ｃと同様であるので説明を省略する。

ヒータチップ１０９のＮｉ－Ｐ膜１１２ｃと銅プレート１０４のＮｉ－Ｐ膜１１２ａとの間に評価する接合層１０５が形成される。一例として、接合層１０５は半田であり、半田シート（半田クリーム）が銅プレート１０４上にスクリーン印刷される。半田シート上にヒータチップ１０９が実装される。実装後、銅プレート１０４とヒータチップ１０９は一体として、所定条件に設定されたリフロー炉に投入される。なお、半田シートの代わりに半田ペーストを用いても良い。

接合層１０５は、半田等による接合層に限定するものではない。例えば、銀ペーストあるいは銅ペーストにより接着した接合層、放電加工による形成した接合層、高周波誘導加熱による接合層、電磁誘導加熱による接合層等に対しても適用できることは言うまでもない。また、有機物を押圧して接着した接合層、絶縁物も接合層であり、赤外線サーモグラフティカメラ１０８等で温度情報△Ｔを測定することができる。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８は、接合層１０５等を２次元的な温度分布を測定できる。２次元的に測定することにより、Ａ点、Ｂ点等を中心に温度の変化を測定することができる。しかし、Ａ点、Ｂ点等、特定の位置の温度情報△Ｔを得る目的であれば、放射温度計で測定することにより温度情報△Ｔを取得できる。
本明細書では、説明を容易にするため、接合層１０５は半田クリームまたは半田シートをリフロー工程で加熱することにより形成したものとして説明をする。

以降の説明において、赤外線サーモグラフティカメラ１０８を用いて温度分布等を測定するとして説明するが、これに限定するものではなく、放射温度計等により温度を測定しても良いことは言うまでもない。

リフロー工程で半田付けする場合は、あらかじめ半田クリーム等を指定の場所に印刷しておき、それをリフロー炉で加熱し、半田クリーム等を溶かすことによって部品を接合する。

半田クリームは印刷された状態は一見、正常に半田付けされたように見えるが、半田は細かい粒の状態なので正常な機能を果たせない。これをリフロー炉で加熱することで粒同士だった半田が接合し、フラックスも熱で気化させることで、通常の半田と同じ状態なり、半田付けされる。
リフロー半田で溶けている半田の温度と、リフロー半田の炉の温度も異なる。使用部品の熱耐性を考慮し、適正な工程設計をすることが重要になる。
本発明の接合層評価装置で、接合層の温度情報△Ｔを測定することにより、接合層を定量的に評価し、また、接合層の詳細な設計ができるようになる。

本発明の接合層の評価方法及び接合層評価装置では、ヒータチップ１０９で接合層１０５を加熱し、加熱条件（リフロー炉条件）に対応する変化あるいは加熱状態を異ならせる。また、接合層の材料混合状態（フラックスと半田の混合割合等）、使用材料の差異（フラックスあるいは半田材料の差異等）を異ならせて形成した接合層１０５を形成する。形成した接合層１０５を赤外線サーモグラフティカメラ１０８等で測定し、温度分布状態、温度情報△Ｔ等を取得する。温度情報△Ｔの取得により、接合層の寿命、接合特性を定量的に評価する。

図２１（ｂ）に図示するように、ヒータチップ１０９と銅プレート１０４は接合層１０５で接合される。次に、図２１（ｃ）に図示するように、Ａ方向から、ヒータチップ１０９、銅プレート１０４、接合層１０５は同時に、薄膜ヒータ１１７端のＣＣ’線まで研磨加工される。

研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。この砥石車の表面には大きめの砥粒が無数につけられており、これによって対象物の表面の微小突起等を削ることができる。

好ましくは、研磨は、ＣＰ（Cross section polisher）加工（イオンミリング）で行うことが好ましい。ＣＰ加工（イオンミリング）とは、集束していないブロードなアルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削ることである。試料の表面にアルゴンイオンビームを入射させ、試料を作製する。ＣＰ加工では、研磨面に熱が発生せず、接合層１０５での熱による影響がない。

次に、図２１（ｄ）に図示するように、研磨加工した面に感光性ポリイミド膜を形成する。感光性ポリイミド膜は、スピンコート方法、スリットコート方法、スクリーン印刷による方法、インクジェットによる吹付ける方法、スプレーコート方法、ダイコート方法、ドクターナイフコート方法、フレキソ印刷等により、研磨加工した面に形成される。感光性ポリイミド膜を形成する箇所は少なくも接合層１０５を含む。

図２１（ｄ）の矢印に図示するように、露光は、任意のパターンを有するフォトマスクを介して、２００～２０００ｍＪの照射量、紫外線等を照射することにより行う。

現像液としては、アルカリ現像液、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ等の水溶液を用いることができる。現像は、１５℃～６０℃程度で０．５分間～１０分間程度行われる。硬化のための加熱は、１２０℃～２００℃程度で３０分間～１２０分間程度行われる。

物体はその表面から赤外線を放射しており、物体表面の温度は赤外線の量によって決まる。また、赤外線は空間を伝ってエネルギーを運ぶという特徴がある。この空間を伝ってきた赤外線を、赤外線サーモグラフティカメラ１０８は光学的に読み取り、物体と接触させることなく温度を測定する。赤外線サーモグラフティカメラ１０８はオートフォーカスの機能を有する。

測定対象物が放射する実際の熱放射エネルギー量と、同じ温度の完全放射体（黒体）の熱放射エネルギー量の比を放射率と呼ぶ。
完全放射体（黒体）はそこに入射する全てのエネルギーを吸収し、その温度に対応したエネルギーを熱放射する。赤外線サーモグラフティカメラ１０８では完全放射体（黒体）の放射率を１．０として校正されており、実際の物体測定では放射率を予め設定し、補正する。

研磨加工面の構成材料あるいは構成組成が異なると、熱放射エネルギー量の比である放射率が異なる。しかし、研磨加工面の構成材料あるいは構成組成に、補正をすると補正による差異が発生する可能性がある。また、研磨された金属のように反射率の高い物体は放射率の測定に適さない。

図２１（ｄ）に図示するように、本発明は、研磨加工面の接合層１０５に感光性ポリイミド膜１０７を形成する。感光性ポリイミド膜１０７の放射率を測定し、予め設定しておけば、研磨加工面の構成材料あるいは構成組成の影響を受けず、形成した接合層１０５を赤外線サーモグラフティカメラ１０８、放射温度計等で測定し、温度分布状態、温度情報△Ｔ等を精度よく取得することができる。温度情報△Ｔ等の取得により、接合層の寿命、接合特性を定量的に評価できる。

以上の実施例では、研磨加工面に感光性ポリイミド膜１０７を形成するとしたが、これに限定するものではない。例えば、耐熱性のポリイミドフィルム１０７を貼り付けてもよい。また、耐熱性のポリイミドフィルム１０７を接合層１０５等に密着して配置してもよい。

ポリイミドフィルム１０７あるいはポリアミドフィルム１０７として、米国デュポン社のカプトン（登録商標）、宇部興産のユーピレックス（登録商標）、ユニチカのユニアミド（登録商標）が例示される。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８、放射温度計は、赤外線放射を温度測定に利用するため、測温抵抗体や熱電対と比べ応答速度が早い。熱容量の小さい物体、熱伝導率の小さい物体、微小面積の物体の温度測定が可能である。非接触で温度測定を行うことができる。

図２１（ｃ）で説明したように、観察面はＣＣ’線で研磨される。研磨により表面に平滑化され、良好な観察ができる。研磨された接合層は、反射率が高い場合があり、この場合は放射率の測定に適さない。

本発明は研磨された観察する面に、感光性ポリイミド膜１０７、ポリイミドフィルム１０７、ポリアミドフィルム１０７等を形成または配置する。ポリイミドフィルム１０７等を観察面に形成または配置することにより、赤外線放射率が安定し、精度よく赤外線放射率を測定することができる。
なお、感光性ポリイミド膜１０７は、硬化させず、塗付状態であっても放射率は安定して測定することができる。

次に、図２１（ｅ）に図示するように、銅プレート１０４と加熱冷却プレート１０１とを取り付ける。取り付けは、一例として、放熱グリス１１８を使用する。放熱グリス１１８で、変性シリコンのグリスが例示される。このグリスに、熱伝導率の高い金属あるいは金属酸化物の粒子（フィラー）を混合したものを採用することが好ましい。

粒子として主に用いられるのは銅や銀、アルミニウム等の他に、アルミナや酸化マグネシウム、窒化アルミニウム等も用いられる。これらの単体、もしくは混合物を、それらの粒子直径に見合った分散方法を用いて分散させる。

塗布直後は適度な粘度を維持しても、使用後時間が経過すると劣化し硬化することがある。そのため固形化したグリスに、接合する材質の線膨張係数の差によってクラックが入る場合があり、伝導特性が低下する場合がある。

放熱グリス１１８との接続は、上下を押さえつけるだけでも良いが、特に高温が想定される場合は、低温リフローを実施し、確実な密着を確保することが好ましい。

図２１（ｅ）に図示するように、接合層１０５及び当該近傍を、ポリイミド、ポリアミドのフィルムまたは膜を介して、赤外線サーモグラフティカメラ１０８等で観察する。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８はＸＹＺステージ１１０に搭載される。ＸＹＺ（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）ステージ１１０は、Ｘ軸方向（左右方向）の移動と位置決め、Ｙ軸方向（接合層１０５とカメラ１０８の距離）の移動と位置決め、Ｚ軸方向（上下方向）の移動と位置決めを行う。ＸＹＺステージ１１０の軸移動は１μｍの位置決め精度を有する。また、必要に応じて、θ方向にも回転する。

加熱冷却プレート１０１をＸＹＺステージ１１０に搭載あるいは積載し、加熱冷却プレート１０１をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に移動あるいは位置決めしても良いことは言うまでもない。
図１は、本発明の接合層の評価方法及び接合層評価装置の説明図である。加熱冷却プレート１０１内には、循環水パイプ１０２が配置されている。

チラー（冷却・加温装置）１０３と、加熱冷却プレート１０１、加熱冷却プレート１０１とチラー１０３間を循環する循環水パイプ１０２を有する。加熱冷却プレート１０１には、評価対象物の接合層１０５を有するヒータチップ１０９及び銅プレート１０４が積載されている。

薄膜ヒータ１１７には、電流電源装置８０３ｂから端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂを介して、定電流Ｉｂ（図７参照）を印加する。温度プローブ１１６は、電流電源装置８０３ａから端子電極１１４ａ、端子電極１１４ｂを介して、定電流Ｉａ（図７を参照）を印加する。
薄膜ヒータ１１７に定電流Ｉａを流し、接合層１０５を加熱する。評価結果あるいは評価の途中に、評価サンプルの評価を停止、あるいは制御方法を変更する。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８で観察して取得される温度情報△Ｔあるいは温度情報△Ｔの変化で、評価サンプルの特性変化を判定あるいは判定する。あるいは、接合層１０５の特性、状態を評価する。
本発明の接合層の評価方法において、接合層１０５の劣化、あるいは特性変化にあわせて、外部条件を変更あるいは設定する。

例えば、接合層１０５の変化が大きい場合あるいは、接合層１０５の温度が所定値より高い場合は、ヒータチップ１０９に流す電流Ｉｂを小さくする。また、循環水パイプ１０２に流れる冷媒（水等）の温度を下げる。接合層１０５の変化が小さい場合、あるいは、接合層１０５の温度が所定値より低い場合は、ヒータチップ１０９に流す電流Ｉｂを大きくする。また、循環水パイプ１０２に流れる冷媒（水等）の温度を上げる。

チラー１０３は水や熱媒体の液温を管理しながら循環させることで、機器等の温度を一定に保つことができるように構成している。主に冷却に用いる場合が多いが、冷やすだけでなく温めることもできる。様々な温度の制御を実施できるように構成している。

なお、本明細書では循環水として説明するが、水に限定されるものではない。エチレングリコール、グリセリン等でも良いし、強制空冷であってもよい。チラー１０３は循環水パイプ１０２内の液体を、例えば、水温マイナス１℃からプラス１００℃までの範囲で制御して試験ユニットの加熱冷却プレート１０１に供給する。加熱冷却プレート１０１は十分に大きな熱容量を持っている。

本実施例では加熱冷却プレート１０１を使用したが、加熱プレートと冷却プレートを別体とし、加熱冷却プレート以外の熱源・冷熱源を用いて加熱・冷却するものであってもよい。

本発明の接合層の評価方法、接合層評価装置では、接合層１０５及び当該近傍の温度分布状態を測定、あるいは取得することにより、接合層１０５を定量的に評価する。

接合層１０５等は、接合層１０５内のボイドの状態、半田の金属材料の合金割合、フラックスの含有、半田の金属材料の種類、半田金属材料への不純物の溶融割合で特性等が異なる。これらは、リフロー条件（温度、時間、温度変化速度）等によっても変化あるいは異なる。

通常のボイドは主にガス化したフラックスがフィレット内にとどまって発生する。リードが細い、または小さい場合には、半田量が十分であれば融点以上を長くすることでかなり解消することができる。これは、フラックス効果で溶融半田の表面張力が抑えられ、熱対流することによってガスがフィレット内部から放出され、解消される。同時に、基板や部品リード表面からのガスも放出される。
パッケージあるいは実装部品形態であるＢＧＡ、ＣＳＰでは部品の下に半田が印刷されるため、発生したガスは部品下部にとどまりやすくなる。しかし、ボール分だけ部品と基板に隙間があるので、半田の流動性が保持される限りにおいて、ガスはボール内から外へ放出される。
逆に、リードレス部品やパワー系部品では部品と基板ランド間に隙間がない。そのため、発生ガスやフラックス残渣はそのまま部品下にとどまり、大きなボイドを形成する。
ボイドは実装時に発生したガスが、半田の流動性不足や溶融時間の短さ等の理由で外部に排出されなかった際に発生する。

電子部品、基板、半田ペーストが吸湿し、リフロー時に水蒸気として発生する。半田印刷時に発生した粒子間の隙間がリフロー後、ボイドとなる。プリント配線板や電子部品に凹部があり、その上に実装すると凹部と部品間に隙間ができ、半田が流れ込むことなくボイドとなる。クラックの経路にボイドがあるとクラックの進行が加速する。ボイドの占有率と疲労寿命の関係が示されている。

本発明の接合層の評価方法、接合層評価装置は、温度分布状態、温度情報△Ｔ等を取得することにより、接合層１０５及び当該接合層１０５近傍の状態を定量的に評価でき有効である。

熱疲労試験により接合層１０５に劣化が発生している部分とその周囲には、温度情報△Ｔが大きい。温度情報△Ｔはヒータチップ１０９による過熱（加熱）状態及び過熱（加熱）時間に対応して変化する。時間経過後の温度分布を測定することにより、接合部１０５の寿命予測ができる。

本発明の接合層の評価方法、接合層評価装置は用いると、クラックの発生が加熱の初期段階で確認できる。また、発明の接合層の評価方法、接合層評価装置を用いることにより、ボイドの分布状態、フラックスの分布状態、接合層１０５の金属あるいは組成材質、合金状態等による温度情報△Ｔ、温度分布データを取得あるいは測定することができる。

取得あるいは測定した温度情報△Ｔ、温度分布データにより、接合層１０５の状態を定量的に評価できる。また、接合層１０５の特性、寿命予測、故障率を定量的に評価、判定することができる。

本発明の接合層の評価方法、接合層評価装置は用いると、接合層１０５の劣化に関して、劣化が進行しているか、進展速度を算出して、残存寿命を非破壊で容易に把握、あるいは算出することができる。
接合層（接合層）１０５の劣化診断を行うためには、まず、温度分布の測定データから温度差分を抽出し、また、必要に応じて時間経過の温度差分を抽出する。

その後、抽出されたデータを解析することにより、接合層１０５の特性評価、接合層１０５の劣化あるいは変化を検出することができる。また、このデータの解析により、接合層の寿命を評価あるいは予測することも可能である。

赤外線サーモグラフィカメラの場合、温度分布の測定データを画像表示して、得られたデータ画像から時間経過の温度差分を抽出し、クラック、剥離等の発生している箇所を特定することができる。クラックの長さや大きさを計測することにより、温度分布の測定データの解析を行うことができる。また、接合層１０５の特性評価、接合層１０５の劣化あるいは変化を検出することができる。

図７は、本発明の接合層の評価方法及び接合層評価装置の動作の説明図である。制御回路８０４には、放射温度計、あるいは赤外線サーモグラフティカメラ１０８からの温度情報△Ｔが入力され、温度情報△Ｔに基づいてチラー１０３を制御する。あるいは、温度情報△Ｔを所定値にするように、チラー１０３を制御する。

制御回路８０４は、ＸＹＺステージ１１０を制御し、赤外線サーモグラフティカメラ１０８を移動し、接合層１０５に所定位置に位置決めする。また、所定間隔で接合層１０５位置を変化させ、温度情報△Ｔを取得する。

制御回路８０４は、電流電源装置８０３ａの定電流回路８０２ａ、スイッチ回路８０１ａを制御し、温度プローブ１１６に定電流Ｉａを印加する。定電流Ｉａは端子電極１１４ａと端子電極１１４ｂ間に印加される。

制御回路８０４は、電流電源装置８０３ｂの定電流回路８０２ｂ、スイッチ回路８０１ｂを制御し、薄膜ヒータ１１７に定電流Ｉｂを印加する。定電流Ｉａは端子電極１１５ａと端子電極１１５ｂ間に印加される。

薄膜ヒータ１１７は、定電流Ｉｂにより発熱し、発熱した熱は、ＳｉＣ基板１０６を伝熱し、接合層１０５を加熱する。薄膜ヒータ１１７の発熱温度は、温度プローブ１１６の抵抗値を増加させる。

温度プローブ１１６の周囲に薄膜ヒータ１１７が形成または配置されている。薄膜ヒータ１１７の温度と、温度プローブ１１６の抵抗値は線形の関係となるように、ヒータチップ１０９が構成されている。

温度プローブ１１６には、定電流Ｉａが供給されている。温度プローブ１１６の抵抗値が高くなると、温度プローブ１１６の端子電極１１４ａと端子電極１１４ｂ間の電圧も温度に比例して変化する。電圧計１２２ａで、温度プローブ１１６の端子電極１１４ａと端子電極１１４ｂ間の電圧を測定することにより、薄膜ヒータ１１７の発熱温度（ＳｉＣ基板１０６の温度）を取得できる。

本明細書では循環水パイプ１０２に流れる冷媒は循環水として説明するが、水に限定されるものではない。エチレングリコール、グリセリン、フロン等でもよいし、強制空冷であってもよい。

チラー１０３は循環水パイプ１０２内の液体を、例えば、水温マイナス１℃からプラス１００℃までの範囲で制御して、試験ユニットの加熱冷却プレート１０１に供給する。加熱冷却プレート１０１は十分に大きな熱容量を持っている。

本発明の実施形態では加熱冷却プレート１０１を使用したが、加熱プレートと冷却プレートを別体とし、加熱冷却プレート以外の熱源・冷熱源を用いて加熱・冷却するものであってもよい。

電流電源装置８０３は、薄膜ヒータ１１７または温度プローブ１１６に供給する定電流Ｉａまたは定電流Ｉｂを出力する。電流電源装置８０３は、制御回路８０４からの制御信号に同期させて、薄膜ヒータ１１７または温度プローブ１１６に電力（電流、電圧）を供給する。また、電流電源装置８０３は、出力する最大電圧値を設定することができる。

スイッチ回路８０１は、電流電源装置８０３が出力する定電流の供給をオン（供給）オフ（遮断）させる。スイッチ回路８０１は制御回路８０４からの信号に基づき、オン(定電流を出力)またはオフ（定電流を遮断）に設定または制御される。通常、スイッチ回路８０１は試験開始前にオンされ、接合層１０５の試験中はオン状態に維持される。

図７において、電流電源装置８０３ａ、電流電源装置８０３ｂは、各１台の電流電源装置を図示している。電流電源装置８０３は各１台に限定されるものではない。例えば、２台以上の電流電源装置８０３ａ、２台以上の電流電源装置８０３ｂを保有させてもよい。電流電源装置８０３ａ、電流電源装置８０３ｂの台数が増加するほど、多種多様な電流Ｉａ、電流Ｉｂの波形、あるいは電圧波形を発生させることができる。
本発明の実施例において、電流電源装置８０３として説明するが、電流電源装置８０３は定電流を出力するものに限定されるものではない。

例えば、電流電源装置８０３に最大電圧を設定できるものを使用する。一定の条件で、設定された最大電圧において、所定の定電流を出力できるように機能させることが例示される。また、定電流を出力する場合に、出力端子電圧を所定の最大電圧を設定できるように構成することが例示される。

本発明において、電流電源装置８０３は、定電流のみ出力する装置ではなく、電圧、電流を出力あるいは設定できる電源装置であってもよいことは言うまでもない。

図７の実施例において、電流電源装置８０３で定電流を発生させるとして説明するが、定電流は、薄膜ヒータ１１７の抵抗の状態に応じて、印加電圧を調整することによっても実現できる。したがって、本発明において、電流を出力する電流電源装置８０３に限定するものではなく、電圧出力の電源装置で構成してもよいことはいうまでもない。また、電流＋電圧出力の電源装置で構成してもよいことはいうまでもない。

電流電源装置８０３ｂは、定電流Ｉｂを薄膜ヒータ１１７に供給する。薄膜ヒータ１１７は印加される定電流Ｉｂに対応して発熱する。発熱した熱は、ＳｉＣ基板１０６を伝熱し、接合層１０５を加熱する。ＳｉＣ基板１０６は熱伝導性が高い。一方、銅プレート１０４は加熱冷却プレート１０１により一定温度に保持される。

接合層１０５の上側は、ＳｉＣ基板１０６側からの薄膜ヒータ１１７の熱により加熱され、接合層１０５の下側は、銅プレート１０４により、一定温度に維持される。したがって、接合層１０５は上側から下側に温度情報△Ｔが発生する。放射温度計、赤外線サーモグラフティカメラ１０８等は、主として接合層１０５上側の温度と接合層１０５下側の温度を測定する。当該温度差を温度情報△Ｔとして取得する。

薄膜ヒータ１１７に定電流Ｉｂが印加され、薄膜ヒータ１１７が発熱する。温度プローブ１１６には定電流Ｉａが印加される。定電流Ｉａは比較的小さい電流であり、当該定電流Ｉａで温度プローブ１１６が発熱することはほとんどないか、発熱は発生しない。薄膜ヒータ１１７に定電流Ｉｂが印加され、薄膜ヒータ１１７が発熱する薄膜ヒータ１１７の発熱により温度プローブ１１６が加熱される。温度プローブ１１６は加熱される温度プローブ１１６の端子間電圧と温度の関係は予め取得しておく。

温度プローブ１１６が加熱されると、温度プローブ１１６の端子間電圧（電圧計１２２ａで測定）が変化する。制御回路８０４は端子間電圧を取得し、ＳｉＣ基板１０６が所定の温度となるように、薄膜ヒータ１１７に流す定電流Ｉｂを調整する。定電流Ｉｂは、０．２Ａ以上２Ａ以下である。定電流Ｉｂの設定刻みは、１ｍＡ以下とすることが好ましい。
以上の実施例では、定電流Ｉｂの調整は、温度プローブ１１６の端子間電圧を測定して、薄膜ヒータ１１７に流す定電流Ｉｂを調整するとした。

定電流Ｉｂの設定及び調整は、放射温度計、赤外線サーモグラフティカメラ１０８等でＳｉＣ基板１０６の温度あるいは接合部１０５の温度を測定することによっても実施できる。赤外線サーモグラフティカメラ１０８で温度情報△Ｔを測定し、温度情報△Ｔが所定値あるいは所定の範囲内か否かで、薄膜ヒータ１１７に流す定電流Ｉｂを調整する。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８等による温度情報△Ｔと、温度プローブ１１６の端子間電圧（電圧計１２２ａで測定）の両方を加味して、薄膜ヒータ１１７に流す定電流Ｉｂを調整しても良いことは言うまでもない。
スイッチ回路８０１ｂをオンオフして、薄膜ヒータ１１７に流す定電流Ｉｂをオンオフし、薄膜ヒータ１１７の発熱を調整あるいは設定してもよい。

本発明のヒータチップ１０９は図２の構成だけではなく、多種多様な構成が例示される。例えば、図４、図５、図６、図１２、図１５、図１６等の構成あるいは構造が例示される。ヒータチップ１０９の基板１０６は、ＳｉＣ、ＡlＮ等で構成されている。

図４の基板１０６の表面には薄膜ヒータ１１７が渦巻き状あるいは同心状に形成または配置されている。同様に温度プローブ１１６も渦巻き状または同心状に形成または配置されている。

薄膜ヒータ１１７を、渦巻き状あるいは同心状に構成あるいは形成することにより、ＳｉＣ基板１０６等を均一に加熱することができる。薄膜ヒータ１１７には端子電極１１５ａ及び端子電極１１５ｂに定電流Ｉｂを印加する。

薄膜ヒータ１１７には端子電極１１５ａ及び端子電極１１５ｂに定電流Ｉｂを印加する。温度プローブ１１６には端子電極１１４ａ及び端子電極１１４ｂに定電流Ｉａを印加する。

なお、薄膜ヒータ１１７は、ジグザグ状に形成する構成、四角形状に形成する構成、放射状に形成する構成も例示される。また、ヒータチップ１０９に複数の薄膜ヒータ１１７を形成または配置してもよいことは言うまでもない。以上の事項は、温度プローブ１１６に関しても同様である。

一例として、図７は、１つの銅プレート１０４に、１つのＳｉＣ基板１０６と接合層１０５が配置された実施例を図示している。しかし、本発明はこれに限定するものではない。

図８は、加熱冷却プレート１０１に１つの銅プレート１０４が配置され、１つの銅プレート１０４に複数の接合層１０５が形成された実施例である。各接合層１０５はそれぞれヒータチップ１０９に挟持されている。

接合層１０５ａはヒータチップ１０９ａと銅プレート１０４間に挟持されている。接合層１０５ｂはヒータチップ１０９ｂと銅プレート１０４間に挟持されている。接合層１０５ｃはヒータチップ１０９ｃと銅プレート１０４間に挟持されている。接合層１０５ｄはヒータチップ１０９ｄと銅プレート１０４間に挟持されている。接合層１０５ｅはヒータチップ１０９ｅと銅プレート１０４間に挟持されている。

それぞれの接合層１０５のＡ点及びＢ点の温度は、赤外線サーモグラフティカメラ１０８等で測定される。ＸＹＺステージ１１０に赤外線サーモグラフティカメラ１０８が配置され、ＸＹＺステージ１１０上を赤外線サーモグラフティカメラ１０８が移動し、各接合層１０５のＡ点、Ｂ点位置の温度情報△Ｔを取得する。

各接合層１０５（接合層１０５ａ～接合層１０５ｅ）は、接合層１０５を構成する材料あるいは組成を異ならせることにより、多様な接合層１０５の情報（特性、寿命等）を同時に得ることができる。

また、各接合層１０５（接合層１０５ａ～接合層１０５ｅ）のヒータチップ１０９の温度を異ならせることにより、接合層１０５を加温する温度に対して、多様な接合層１０５の情報（特性、寿命等）を同時に得ることができる。

なお、赤外線サーモグラフティカメラ１０８で接合層１０５の温度を測定するとしてが、温度に限定するものではない。温度に相関あるいは比例する値もしくは情報であればいずれのデータであっても良いことは言うまでもない。
なお、図８の本発明は、図１７、図１８で説明する事項あるいは内容を適用することにより、より効果を発揮できる。

図９は、本発明の接合層の評価方法及び接合層評価装置の説明図である。Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄと接合層１０５間には金めっき膜１１２ｃが形成され、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａと接合層１０５間には金めっき膜１１２ａが形成される。接合層１０５の形成により、金が接合層１０５に拡散するため、金の層は消滅するため、図示していない。

薄膜ヒータ１１７に定電流Ｉｂが印加されることにより、薄膜ヒータ１１７が発熱し、発生した熱はＳｉＣ基板１０６に伝熱される。発熱した熱により接合層１０５に拡散部９０１が発生する。拡散部９０１では、熱により接合層１０５を構成する材料、組成が移動し、あるいは特性が変化する。また、クラック発生、ボイドの拡大、フラックス等の流出等が発生する。これらの変化あるいは発生により、接合層１０５の温度状態、温度情報△Ｔが変化する。

接合層１０５の構造あるいは材料により、初期状態（薄膜ヒータ１１７で加熱し、接合層１０５が所定の温度になった状態）として特有の温度情報△Ｔ、あるいは温度情報△Ｔの差異が発生する。当該初期状態の温度情報△Ｔで接合層１０５を定量的に評価あるいは接合層１０５の特性を把握することができる。

以上のように、本発明は、初期状態の温度情報△Ｔで接合層１０５を定量的に評価あるいは接合層１０５の特性を把握することができる。また、接合層１０５を加熱、あるいは加温することにより接合層１０５が変化する。温度情報△Ｔの取得により、変化状態を定量的に測定でき、寿命あるいは特性劣化状態あるいは経時変化を定量的に把握することができる。

接合層１０５は、上側が薄膜ヒータ１１７により加熱される。銅プレート１０４は加熱冷却プレート１０１により所定温度に維持されている。したがって、接合層１０５は上側から下側に温度分布が発生する、また、接合層１０５は上側から下側に温度情報△Ｔが変化する。

接合層１０５が均一に形成されていると熱移動は容易になり、また、熱分布は均一となり、温度情報△Ｔも均一となる。接合層１０５にクラックあるいはボイドが発生していると、クラックあるいはボイド部分で熱移動が小さくなる。したがって、熱分布は不均一となり、温度情報△Ｔも接合層１０５の各部分で異なる。

図１０に図示するように、薄膜ヒータ１１７が発熱することにより、接合層１０５に点線で示すような温度分布が発生する。温度分布は接合層１０５の組成、構造、材料を示す。

図１０に図示するように、接合層１０５のＡ点、Ｂ点での温度を赤外線サーモグラフティカメラ１０８で測定をする。Ａ点、Ｂ点の温度（温度情報△Ｔ）から温度情報△Ｔを求める。温度情報△Ｔで接合層１０５の状態を定量的に把握することができる。

接合層１０５において、赤外線サーモグラフティカメラ１０８で複数個所の温度情報△Ｔを取得し、接合層１０５の複数点間で温度情報△Ｔを求めることにより、接合層１０５を定量的に評価することができる。また、接合層１０５を加熱または過熱し、所定の時間の経過後と初期状態での温度情報△Ｔを比較することにより、接合層１０５の寿命あるいは劣化を定量的に測定することができる。

図１０では、放射温度計、赤外線サーモグラフティカメラ１０８で、Ａ点及びＢ点の温度情報△Ｔを測定するとした。詳細に接合層１０５の特性、構造、寿命等を測定あるいは把握するには、図１１に図示するように、３点以上の箇所で温度情報△Ｔを取得する。

図１１では、９点の測定点を等間隔（ｄ／２）で測定している。ｄは略接合層１０５の膜厚とする。図１１に図示するように、接合層１０５をマトリックス状に温度情報△Ｔを取得する。取得した各点の温度情報△Ｔから各点間の温度情報△Ｔを求める。
温度情報△Ｔは、故障率と相関がある。図１４は温度情報△Ｔと故障率との関係を模式的に図示した説明図である。

温度情報△Ｔが小さい場合、接合層１０５が均一、ボイドあるいはクラック等が発生してないか、または少ない。温度情報△Ｔが大きい場合、温度情報△Ｔが不均一な場合等は、接合層１０５に不均一材料混合、ボイド、クラック等が発生している場合が多い。

図１４に図示するように、温度情報△Ｔが△Ｔ１以下の場合は、故障率がＦ１までと一定以下である。しかし、温度情報△Ｔが△Ｔ１以上の場合、△Ｔ１を超えると急激に故障率が大きくなる。
接合部１０５は、所定の故障率Ｆ２以下に収める必要があるとすると、温度情報△Ｔは△Ｔ２以下となるようにする必要がある。

各接合層１０５を作製し、赤外線サーモグラフティカメラ１０８で温度情報△Ｔを取得することにより、接合層１０５を定量的に評価でき、故障率を把握できる。また、薄膜ヒータ１１７で接合層１０５を過熱することにより、接合層１０５の寿命、劣化を定量的に測定あるいは把握することができ、故障率を予測することができる。

図１４のグラフを、作製した接合部１０５の試料の温度情報△Ｔと当該故障率を測定、あるいは取得して作成する。グラフを作成することにより、新たに作製した接合部１０５を赤外線サーモグラフティカメラ１０８等で温度情報△Ｔを取得することにより、故障率が定量的に予測することができる。

図１２は、薄膜ヒータ１１７で接合層１０５を加熱した状態を熱シミュレーションした状態を図示したものである。薄膜ヒータ１１７により、接合層１０５には、温度分布が発生する。

熱シミュレーションは、Ｎｉ－Ｐ膜１１１の膜厚・配置位置、薄膜ヒータ１１７の膜厚・配置位置、ヒータチップ１０９の形状・配置位置、ヒータチップ１０９に印加電流、温度プローブ１１６の形状・配置位置、接合層１０５の材料あるいは組成と膜厚等の情報のうち、少なくとも１つ以上の情報を設定することにより、実現することができる。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８で取得するＡ点、Ｃ点、Ｂ点の温度情報△Ｔも熱シミュレーションで求めることができる。熱シミュレーションした値と赤外線サーモグラフティカメラ１０８で測定した値との相関をとることができる。

図７に図示するように、赤外線サーモグラフティカメラ１０８は接合層１０５の端面の温度情報△Ｔを取得する。取得した温度情報△Ｔを用いて、薄膜ヒータ１１７に印加する定電流Ｉｂを可変あるいは設定する。

赤外線サーモグラフティカメラ１０８の測定と、変化させる定電流Ｉｂとは同期を取ることが好ましい。定電流Ｉｂを変化させたタイミングに同期して、赤外線サーモグラフティカメラ１０８の測定を実施する。また、変化させる定電流Ｉｂと温度プローブ１１６の端子電圧の測定も同期させることが好ましい。

薄膜ヒータ１１７に印加する定電流Ｉｂの設定は、図７、図１３に図示するように、端面からｔ距離離れた位置（深さ方向）である接合層１０５の中央部Ｄ点での温度情報△Ｔを取得し、中央部Ｄ点の温度情報△Ｔを用いて定電流Ｉｂを設定できることが好ましい。

中央部Ｄ点での温度情報△Ｔは直接測定することはできない。本発明は図１２に図示するように、熱シミュレーションを実施し、図１３に図示するように端面ｂ１からｔ距離離れたＤ点の下層での熱シミュレーションによるＡ点、Ｂ点、Ｃ点の温度情報△Ｔを求める。

熱シミュレーションを実施することにより、例えば、図１３（ｂ１）がｂ１線での熱シミュレーションによる温度分布状態、図１３（ｂ２）がｂ２線での熱シミュレーションによる温度分布状態、図１３（ｂ３）がｂ３線での熱シミュレーションによる温度分布状態として求まる。また、ｂ１線での温度分布情報に赤外線サーモグラフィカメラによる温度情報△Ｔを使用して、熱シミュレーションによりｂ２線及びｂ３線の温度分布状態を求めてもよい。この場合、実測値に基づいた熱シミュレーションになるため、より正確にｂ１線及びｂ３線の温度分布状態を求めることができる。

本発明は、熱シミュレーションにより接合層１０５の中央部または任意の箇所の温度情報△Ｔを求め、求めた温度情報△Ｔに基づき薄膜ヒータ１１７の定電流Ｉｂを制御する。したがって、温度制御を精度よく実施することができる。

薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６はベース基板１０６の上面に形成するとしたが、これに限定するものではない。例えば、ベース基板１０６が接合層１０５に接する面に形成してもよい。例えば、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄとベース基板１０６間に、薄膜ヒータ１１７と温度プローブ１１６のうち少なくとも一方を形成してもよい。この構成の場合は、ベース基板１０６の下面に、薄膜ヒータ１１７等を形成し、薄膜ヒータ１１７等上にＳｉＯ_２等の絶縁膜を形成し、その上に、Ｎｉ－Ｐ膜１１１ｄを形成する。

銅プレート１０４にはＮｉ－Ｐ膜１１１ａ、ベース基板１０６にはＮｉ－Ｐ膜１１１ｄを形成するとした。Ｎｉ－Ｐ膜１１１は接合層１０５の電極または金属層（金属膜）として想定される。Ｎｉ－Ｐ膜１１１は接合層１０５と密着性を良好なものとするために形成する。

接合層１０５に種類に応じて、適時、適切な材料を選定すればよいことは言うまでもない。例えば、接合層１０５が半田の場合は、ニッケル（Ｎｉ）、錫、鉛等が例示される。接合層１０５がエポキシ樹脂等の有機物の場合は、エポキシ樹脂用プライマーが例示される。この場合は、エポキシ樹脂用プライマー１１１は電極ではなく、接触層（接触層）として機能する。

本明細書及び図面等において、ベース基板１０６は基板として説明するがこれに限定するものではない。ベース基板１０６は、フィルムとしてベースフィルム１０６であってもよい。少なくとも、部材に薄膜ヒータ１１７等の発熱材と、接合のための仲介層１１１ｄを有するものであればいずれの構成であってもよい。

本明細書及び図面等において、銅プレート１０４として説明するが、銅プレート１０４はプレートに限定されるものではない。プレートはフィルムあるいはシートであってもよい。また、厚みのある個体部材であってもよいことは言うまでもない。銅プレート１０４は、一方の面に接合のための仲介層１１１ａを有するものであればいずれの構成であってもよい。

薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６は薄膜に限定されるものではない。線材等で構成され、一定の厚みを有する構成物であってもよいことは言うまでもない。薄膜ヒータ１１７は面状発熱体ヒータ、セラミックヒータ、フィルムヒータ、面状発光体カーボン、ペルチェ素子からなるヒータ等が例示される。なお、ヒータとは加熱手段であればいずれのものであってもよい。温度プローブ１１６は、熱電対、放射温度計等であっても良いことは言うまでもない。

本明細書等において、銅プレート１０４の裏面に加熱冷却プレート１０１を配置し、銅プレート１０４を所定温度に維持するとしたが、これに限定するものではない。例えば、加熱冷却プレート１０１の表面にＮｉ－Ｐ膜１１１ａを直接形成し、当該Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａとＳｉＣ基板１０６のＮｉ－Ｐ膜１１１ｄ間に接合層１０５を配置してもよい。

銅プレート１０４の機能として、１つは接合層１０５の片面を、均一な所定温度にするために採用する。したがって、銅プレート１０４は金属に限定されるものではない。例えば、ＡlＮ、ＳｉＣ、セラミック等伝熱性が高いプレート、あるいはシートを採用することができる。プレート１０４は、少なくとも接合層１０５との接触面積以上の面積があり、当該面積部において均質な熱伝導率を有する部材である。

ポリイミドシート１０７はシートに限定されるものではない。板状の樹脂部材を粘着材等で接合層１０５に貼り付けても良い。また、アクリル系、エポキシ系等の樹脂を塗布してもよい。また、ポリイミドに限定されるものでななく、前駆体のポリアミド等を採用してもよい。

温度を測定あるいは取得する手段として、赤外線サーモグラフティカメラ１０８を例示した。しかし、接合層１０５及び当該近傍の温度を、非接触で測定できるものであればいずれのものでも採用できる。例えば、放射温度計が例示される。

図５は、本発明の他の実施例におけるヒータチップ１０９の平面図（図５（ａ）、図５（ｂ））、及び断面図（図５（ｃ））である。なお、図５（ｃ）は図５（ａ）または図５（ｂ）のＡＡ’線での断面図である。なお、図５、図６において、温度プローブ１１６等は図示することを省略している。

図２等との差異は、主として薄膜ヒータ１１７部の厚みを端子電極１１５部よりも薄くし、薄膜ヒータ１１７の抵抗値を高くした点である。薄膜ヒータ１１７は、無電解Ｎｉ－Ｐで形成されている。薄膜ヒータ１１７のａ部（端子電極１１５下）の無電解Ｎｉ－Ｐは厚く、薄膜ヒータ１１７のｂ部（主として発熱に寄与する部分）の無電解Ｎｉ－Ｐは薄く形成されている。少なくともａ部よりｂ部の無電解Ｎｉ－Ｐ膜は薄くなるように形成されている。ｂ部の膜厚を薄く形成することにより抵抗値が高くなる。したがって、薄膜ヒータ１１７に定電流を印加した際に、ｂ部の抵抗値が高いことからｂ部の発熱を大きくすることができる。

なお、図５（ｂ）において、幅Ｌ１部と幅Ｌ２部の膜厚を異ならしてもよい。幅Ｌ２部よりも幅Ｌ２部の膜厚を薄くすることにより、幅Ｌ２の発熱が大きくなる。

温度プローブ１１６、薄膜ヒータ１１７は、表面にレーザ光を照射する、あるいは表面を研磨して、抵抗値を高くしても良い。 本明細書、図面に記載して説明載する事項は、他の図面、明細書との差異を中心に説明する。したがって、図５、図６等で説明あるいは記載する事項は、本明細書、図面の記載あるいは内容を流用、あるいは、全部または一部を組み合わせることができることは言うまでもない。

なお、以上の事項は本発明の明細書、図面に関して同様である。本発明の明細書及び図面に記載した事項は、相互に流用、組み合わせ、入れ替えをすることができる。

図５（ａ）に図示するヒータチップ１０９は、薄膜ヒータ１１７が幅Ｌ１で形成されるとともに、厚みｂで形成されている。また、厚みａに対応する無電解Ｎｉ－Ｐは端子部であり、表面に端子電極（金めっき膜）１１５が形成されている。

図５（ｂ）に図示するヒータチップ１０９は、薄膜ヒータ１１７が幅Ｌ１の部分と幅Ｌ２の部分で形成されている。薄膜ヒータ１１７の幅Ｌ２は、幅Ｌ１よりも狭く形成されている。幅Ｌ２部を幅Ｌ１部よりも幅を狭くしていることより、幅Ｌ２部の抵抗値が高くなり、幅Ｌ２部に集中して発熱させることができる。

薄膜ヒータ１１７は、厚みｂで形成されている。また、厚みａに対応する無電解Ｎｉ－Ｐは端子部であり、表面に端子電極（金めっき膜）１１５が形成されている。

図５（ｂ）の構成では、端子電極１１５ａと端子電極１１５ｂ間に定電流を印加した場合、幅Ｌ２部分で抵抗値が高いため、幅Ｌ２部分での発熱が大きくなる。したがって、ヒータチップ１０９の薄膜ヒータ１１７の幅Ｌ２部での発熱が大きく、幅Ｌ２部の下のサンプルの接合層１０５への加温あるいは加熱もしくは過熱状態が良好となる。
図５の実施例では、端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂ間の薄膜ヒータ１１７は１本であった。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
図５の実施例では、薄膜ヒータ１１７の太さは、２段階であったが、図６（ｂ）に図示するように３段階以上であってもよい。

また、図５、図６の実施例は、主として薄膜ヒータ１１７に関して説明しているが、これに限定するものではなく、例えば、温度プローブ１１６についても同様に適用することができることは言うまでもない。

図５では、薄膜ヒータ１１７は、1本であるが、図６（ａ）、図６（ｂ）に図示するように、端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂ間に形成または配置する薄膜ヒータ１１７は複数本にしてもよい。

また、図６（ｂ）では、薄膜ヒータ１１７の幅は２段階（幅Ｌ１、幅Ｌ２）であったが、図６（ｂ）に図示するように、３段階（幅Ｌ１、幅Ｌ２、幅Ｌ３）以上としてもよい。定電流駆動の場合、薄膜ヒータ１１７の幅が狭い部分は、単位配線幅あたりに流れる電流の大きさが大きくなる。したがって、幅が狭い箇所での発熱量が大きくなる。図６（ｂ）では、幅Ｌ３部の下のサンプルの接合層１０５への加温が良好となる。

図６（ａ）において、端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂ間に薄膜ヒータ１１７ａ、薄膜ヒータ１１７ｂの２本が、形成または配置されている。薄膜ヒータ１１７は、幅Ｌ１の部分と幅Ｌ２の部分を有する。幅Ｌ１の部分は、長さが短い。また、端子電極１１５の近傍に配置されている。幅Ｌ１の部分は、端子電極１１５から薄膜ヒータ１１７の幅Ｌ２部分に流入する電流が集中することを回避するために形成されている。

図６では、端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂ間に薄膜ヒータ１１７ａ、薄膜ヒータ１１７ｂの２本が形成または配置されているとしているが、これに限定するものではない。３本以上であっても良いことは言うまでもない。

図６（ｂ）において、端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂ間に薄膜ヒータ１１７ａ、薄膜ヒータ１１７ｂの２本が、形成または配置されている。薄膜ヒータ１１７は、幅Ｌ１の部分と幅Ｌ２と幅Ｌ３の部分を有する。幅Ｌ１の部分は、長さが短い。また、端子電極１１５の近傍に配置されている。幅Ｌ１の部分は、端子電極１１５から薄膜ヒータ１１７の幅Ｌ２部分に流入する電流の集中を回避するために形成されている。

幅Ｌ１の部分と幅Ｌ２と幅Ｌ３の部分の３段階に限定されるものではなく、４段階以上であってもよい。また、滑らかに幅を変化させたものであっても良いことは言うまでもない。また、薄膜ヒータ１１７の中央部あるいは途中に端子１１５等を形成あるいは配置してもよい。また、薄膜ヒータ１１７は、複数の幅が繰り返して形状に構成してもよい。 幅Ｌ３の部分は、幅Ｌ２の部分より細く形成されている。したがって、定電流駆動の場合、薄膜ヒータ１１７の幅が狭い部分は、単位配線幅あたりに流れる電流の大きさが大きくなる。したがって、幅Ｌ３部の発熱が最も大きくなり、幅Ｌ３部の下のサンプルの接合層１０５への加温が良好となる。
以上の薄膜ヒータ１１７の形状等に関する事項は、温度プローブ１１６に対しても適用できることは言うまでもない。

以下、図面を参照しながら、本発明のヒータチップの他の実施例について説明をする。主として先に記載した実施例との差異点を中心に説明し、同一あるいは類似の場合は、説明を省略する場合がある。特に記載のない事項は、先に説明した実施例と同一あるいは類似である。

図１５は、第２の実施例における本発明のヒータチップの平面図及び断面図である。図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＡＡ’線における断面図であり、図１５（ｃ）は図１５（ａ）のＢＢ’線における断面図である。

ベース基板１０６は、図２の実施例と同様に、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、サファイアガラス等のガラス基板、ＡｌＮセラミックスあるいはＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の絶縁基板あるいは半導体基板が例示される。

ベース基板１０６は、ＳｉＣからなる基板として説明をする。しかし、ベース基板１０６は熱伝導性が良好で、絶縁性または半導体性を有する基板であれば、いずれのものであっても採用できることは言うまでもない。

ベース基板１０６の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下とする。ただし、ベース基板１０６の厚みは、薄い方が薄膜ヒータ１１７からの熱が接合層に伝達されやすい。しかし、ベース基板１０６の厚みが薄いと、薄膜ヒータ１１７が形成されている箇所と形成されていない箇所で、接合層での温度分布が発生しやすい。

薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６はＮｉ（ニッケル）－Ｐ、またはＮｉで形成あるいは構成する。Ｎｉ－Ｐ膜１１１ａの膜厚は、１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚が好ましい。特に、２μｍ以上６μｍ以下の膜厚にすることが好ましい。
金めっき膜１１２の膜厚は０．０１μｍ以上とする。金めっき膜１１２はＮｉ－Ｐ膜１１１の表面の酸化あるいは汚染を防止あるいは抑制する機能を有する。

ＳｉＣ基板１０６の表面には、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６が形成される。薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６は、Ｎｉ－Ｐめっきによる薄膜（Ｎｉ－Ｐ膜１１１d）で形成される。Ｎｉの他、白金（Ｐｔ）で構成あるいは形成してもよい。その他、亜鉛、錫、鉛、クロム等も使用することができる。金属以外、例えば、炭素（Ｃ）で形成することができることは言うまでもない。

温度プローブ１１６は薄膜ヒータ１１７と同一材料、同一プロセス工程で形成される。薄膜ヒータ１１７がＮｉ－Ｐ膜の場合、温度プローブ１１６もＮｉ－Ｐ膜で形成される。温度プローブ１１６は配線幅を細く形成し、全長での抵抗値を高くする。

温度プローブ１１６には定電流を印加する。温度プローブ１１６の抵抗値を高くすることにより、抵抗値変化が大きくなり、定電流に対する温度プローブ１１６端子間の電圧変化が大きくなる。

したがって、温度プローブ１１６が検出する薄膜ヒータ１１７の温度変化に関する感度が良好になる。温度プローブ１１６の抵抗値は、５Ω以上、１ｋΩ以下に作製する。

温度プローブ１１６の両端には端子電極１１４ａ、端子電極１１４ｂを形成する。薄膜ヒータ１１７の両端には端子電極１１５ａ、端子電極１１５ｂを形成する。

端子電極１１４の表面等には金めっき膜１１２を形成する。金めっき１１２は、端子電極１１４部だけでなく、延長して温度プローブ１１６部のａ部まで形成されている。

端子電極１１５の表面等には金めっき膜１１２を形成する。金めっき１１２は、端子電極１１５部だけでなく、延長して薄膜ヒータ１１７部のｂ部まで形成されている。

ただし、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６上には、金めっき膜１１２は形成しない。金めっき膜１１２を形成すると、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６の抵抗値が低下し、発熱あるいは温度変化に関する感度が低下するからである。薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６のシート抵抗値は、電極端子のシート抵抗値より高くする。

薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６上には、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜からなる単層または多層膜を形成してもよい。ＳｉＯ_２膜等の無機薄膜を形成することにより、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６の表面が酸化あるいは汚染されることを抑制できる。

ＳｉＣ基板１０６には薄膜ヒータ１１７を形成するとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ヒータ１１７は基板１０６を加熱するために配置または形成したものである。

薄膜ヒータ１１７の代替えとして、ニクロム線を組み込んだ面ヒータ、ペルチェ素子を用いたヒータ等を使用してもよい。ニクロム線を組み込んだ面ヒータ、ペルチェ素子に流す電流によりベース基板１０６を加熱することができる。

研磨加工した端面Ｃにポリイミド（ＰＩ）テープ（シート）１０７等を貼り付ける。ヒータチップ１０９としての薄膜ヒータ１１７に所定の定電流を印加し、定電流による発熱により、半田等による接合層等を加熱しつつ、端面の研磨部を赤外線サーモグラフィティカメラ等で観察あるいは測定する。観察あるいは測定は、ポリイミドフィルムを介して行う。研磨部の接合層の温度を複数点測定し、複数点間の温度情報△Ｔを求める。

また、研磨加工した端面Ｃには、感光性ポリイミド膜１０７を形成する。感光性ポリイミド膜１０７は、スピンコート方法、スリットコート方法、スクリーン印刷による方法、インクジェットによる吹付ける方法、スプレーコート方法、ダイコート方法、ドクターナイフコート方法、フレキソ印刷等により、研磨加工した面に形成または配置される。

感光性ポリイミド膜１０７とポリイミド（ＰＩ）テープ（シート）１０７は、基本的には機能が同一または類似である。以下、主にポリイミドテープ１０７を例示して説明する。なお、ポリイミドテープ１０７をポリイミド膜１０７に置き換えても良いことは言うまでもない。

図１８は、本発明の接合層等の評価方法の説明図である。赤外線カメラ１０８で接合層の温度を測定する。赤外線カメラ１０８で測定する温度は、試験時間に伴い温度が上昇する。設定する所定電流の印加により、温度は上昇する。通常、図１８の実線で示すように赤外線カメラ１０８で測定する温度は、２分以内に定常値となる。

一方、温度プローブ１１６で温度をモニターする。温度プローブ１１６でモニターする温度は、試験時間に伴い温度が上昇する。温度プローブ１１６に流す所定の定電流の印加により、温度は上昇し、通常、図１８の点線で示すようにモニターする温度は、２分以内に定常値となる。

温度プローブ１１６は、ヒータチップ１０９に形成または配置されている。試験前は、赤外線カメラ１０８で温度を測定し、定常値になる時間ｔで、温度プローブ１１６での温度モニターに切り替える（制御対象切換え）。

以上のように、温度プローブ１１６を搭載したヒータチップ１０９を利用することで、高価な赤外線カメラ１０８を占有する必要がなくなる。例えば、図８の本発明の実施例のように、複数のヒータチップ１０９による測定あるいは評価試験の場合、１台の赤外線カメラ１０８で測定あるいは評価等を実施できる。
試験開始前には赤外線カメラ１０８で温度を制御し、目標の試験温度に調整する。この際、温度プローブ１１６による温度モニターも実施している状態である。

目標試験温度に到達した時刻ｔで、温度プローブ１１６の温度を一定に制御するようにプログラマブルな直流電源装置８０３に命令を出す。この時点で試験が開始したとする。つまり、温度プローブ１１６による制御に切替える。
なお、任意の基準で一定時間経過後や、直流電源の出力の継時変化等、再度、赤外線カメラ１０８での温度制御に変更しても良いことは言うまでもない。

図１６に図示するように、端子電極１１４、端子電極１１５には、高温半田１２６が形成または配置され、高温半田１２６には配線１２７が取り付けられる。各配線１２７には電流電源装置８０３が配置され、電流電源装置８０３が出力する定電流を端子電極１１４または端子電極１１５に印加する。

高温半田は、鉛含有量が９０％以上、更に好ましくは９５％以上の半田を使用することが好ましい。鉛含有率が高くなると、融点が３００℃と高くなり、柔らかいという特性から熱疲労に強くなる。

端子電極１１５ａには高温半田１２６ｄが形成または配置され、高温半田１２６ｄには配線１２７ｄが取り付けられる。端子電極１１５ｂには高温半田１２６ｅが形成または配置され、高温半田１２６ｅには配線１２７ｅが取り付けられる。

端子電極１１４ａには高温半田１２６ｆが形成または配置され、高温半田１２６ｆには配線１２７ｆが取り付けられる。端子電極１１４ｂには高温半田１２６ｇが形成または配置され、高温半田１２６ｇには配線１２７ｇが取り付けられる。
図１６において、ａａ’間が温度プローブ１１６となる。ａａ’間抵抗は、５Ω以上１０００Ω以下が好ましい。特に、１０Ω以上５００Ω以下が好ましい。
主として、ｂｂ’間が薄膜ヒータ１１７として機能する。ｂｂ’間抵抗は、５Ω以上５００Ω以下が好ましい。特に、１０Ω以上２００Ω以下が好ましい。

Ｎｉ－Ｐ層１１１は、めっき後の配線抵抗の熱安定性に乏しい。薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６は、試験時に１００℃以上３００℃以下となり、試験中に温度プローブ１１６等の配線抵抗が減少する。
そのため、温度プローブを利用した温度測定(電圧から温度への換算)と、制御アプリによる温度制御が困難になる。

本発明は、Ｎｉ－Ｐ層１１１のめっき後のヒータチップ１０９を２５０℃以上３５０℃以下の温度で、６時間以上、熱処理を行っている。更に好ましくは、１０時間以上の熱処理を行う。
熱処理を行うことにより、薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６の配線抵抗が安定する。図１７は、熱処理による抵抗の変化を示すグラフである。

図１６に図示する斜線内に半田付けした状態を“半田付け後”と記載している。熱処理前に、半田付けを行う。半田付け無しで熱処理すると端子電極１１４部、端子電極１１５部で、半田が濡れなくなる、または、濡れ性が悪化するためである。

図１６の斜線内に半田付けすることにより、温度プローブ１１６、薄膜ヒータ１１７の抵抗値が低下する。例えば、温度プローブ１１６は、配線抵抗が１３０Ωから半田付けにより約５０Ωに低下する。薄膜ヒータ１１７は、配線抵抗が約５０Ωから半田付けにより約２５Ωに低下する。

半田付け後、熱処理を行うことにより、薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６の抵抗値は低下する。熱処理時間が、６時間で配線（薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６）の抵抗値は、ほぼ安定し、熱処理時間が１０時間で配線（薄膜ヒータ１１７及び温度プローブ１１６）の抵抗値は完全に安定する。また、半田付け無しで熱処理すると端子電極部で、半田が濡れなくなる。

なお、熱処理時間は３００℃下での熱処理時間に対する配線抵抗変化を事前に調査した上で決定している。Ｎｉ－Ｐめっきを使用したヒータチップとして成立させるために必須な処理工程である。

端子電極１１４及び端子電極１１５には、リード線１２１を半田付け、あるいはプローブ（図示せず）を圧接し、電流電源装置８０３が出力する定電流を端子電極１１４、端子電極１１５、端子電極１２４等に印加する。
以下、図面を参照しながら、図５、図６等に図示する本発明のヒータチップ１０９の作製方法について説明する。

図２２、図２３、図２４、図２５において、各図の左側の図面は、ヒータチップの側面図を示しており、各図の左側の図面は、ヒータチップ１０９の平面図を示している。

図２２（ａ１）、図２２（ａ２）は、ＳｉＣ基板１０６である。なお、図２、図２０、図２１等で説明したように、ＳｉＣ基板に限定されるものではない。また、図２２等は薄膜ヒータ１１７を中心に説明するが、図２等と同様に温度プローブ１１６にも適用できることは言うまでもない。

以下、図２２、図２３、図２４、図２５、図２６等で記載する事項は、主として、他の図面、明細書との差異を中心に説明し、以前に説明した事項と同一あるいは類似の場合は説明を省略する場合がある。

以下に説明あるいは記載する事項は、流用あるいは適時、組み合わせることができることは言うまでもない。また、図２２、図２３、図２４、図２５、図２６等の記載事項を本明細書、図面の他の実施例に適用できることは言うまでもない。

図２２（ｂ１）、図２２（ｂ２）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６の表面にマスク５０１ａを塗布する。同様に、ＳｉＣ基板１０６の裏面にマスク５０１ｂを塗布する。マスク５０１としては、アルカリ可溶タイプのアクリルポリマーを含むものが好ましい。

次に、フェムト秒レーザ装置（図示せず）を用いて、ＳｉＣ基板１０６の表面を粗化する（図２２（ｃ１）、図２２（ｃ２））。フェムト秒レーザ光５０２またはピコ秒レーザ光５０２を照射し、ＳｉＣ基板１０６の表面の、薄膜ヒータ１１７、端子電極１１５に対応する部分を粗面化する。なお、図２２（ｃ１）は、図２２（ｃ２）のＡＡ’線での断面図である。

フェムト秒レーザ光５０２等の照射により、ＳｉＣ基板１０６の端子電極１１５、薄膜ヒータ１１７の形成位置が、粗化（粗面化）され、粗化面１１９ａが形成される。

フェムト秒グリーンレーザは、第二高調波であるため、比較的高出力を取り出すことができ、ＳｉＣ基板１０６に対しても、照射したレーザ光の吸収が良好である。

フェムト秒グリーンレーザが出射する光の波長は５００ｎｍ～５３０ｎｍであるのが好ましい。パルス幅は、１フェムト秒～１０００フェムト秒であるのが好ましい。

また、ピコ秒レーザを用いる場合、ピコ秒レーザが出射する光の波長は５００ｎｍ～５３０ｎｍであるのが好ましい。パルス幅は、１ピコ秒～１０ピコ秒であるのが好ましい。

ＳｉＣ基板１０６の表面は、パルス幅の単位がピコ秒であるピコ秒レーザ光、又はフェムト秒であるフェムト秒レーザ光により粗化される。粗化された算術平均粗さＲａは０．２μｍ以上である。算術平均粗さＲａは、０．３μｍ以上、０．４μｍ以上、０．５μｍ以上の順により好ましい。

フェムト秒レーザ装置は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光５０２を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光５０２を材料に照射した場合、材料の熱拡散特性時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。

図６（ｂ）の幅Ｌ３のような、幅が細い箇所も良好に粗面化できる。また、図６（ｂ）に図示する幅Ｌ１、幅Ｌ２、幅Ｌ３のように、幅を容易に、かつ粗面化を安定して形成できる。

フェムト秒レーザ光５０２は、照射周辺部への熱影響が局限することが可能で、高精度な微細加工が実現できる。フェムト秒レーザ光５０２のパルスを照射することにより、薄膜ヒータ１１７等を形成する部分に対応するマスク５０１の部分が除去され、凹部が形成される。

配線のパターニング（薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６等）は、マスク５０１の表面に形成されたマークに基づいて行ってもよい。ＳｉＣ基板１０６上に形成された位置決めマーク１２４等に基づいて位置決めを行う。

位置決めマーク１２４は一例として十字マークである。位置決めマーク１２４は少なくとも、対角線状（図６（ａ）参照）あるいは線対称位置（図５（ｂ）参照）等に２箇所を設ける。また、本発明の製造方法では、位置決めマーク１２４を使用して、薄膜の形成、レーザ照射位置の位置決め、パターニングを行う。

ＳｉＣ基板１０６等上に形成された位置決めマーク１２４をカメラで取り込み、位置決めマーク１２４を画像認識して位置決めマーク１２４位置と設計座標を比較し、パターニング（薄膜ヒータ１１７、温度プローブ１１６等）位置（レーザ光を照射する箇所）に位置決めしてレーザ光５０２を照射する。

同様に、図２２（ｄ１）、図２２（ｄ２）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６に裏面にも、フェムト秒レーザ光５０２が照射され、粗化（粗面化）される。ＳｉＣ基板１０６の裏面も粗化面１１９が形成される。

ＳｉＣ基板１０６に裏面にも、Ｎｉ－Ｐ膜１１１が形成される。したがって、ＳｉＣ基板１０６のＮｉ－Ｐ膜１１１が形成される箇所にも、フェムト秒レーザ光５０２による粗面化が実施される。
図２２（ｄ１）は、図２２（ｄ２）のＡＡ’線での断面図である。なお、断面図の断面位置に関しては、他の図面においても同様である。

次に、図２３（ｅ１）、図２３（ｅ２）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６の裏面にマスキングテープ１２０ｂを貼り付ける。マスキングテープ１２０として、例えば、日東電工Ｎ－３００が例示される。

マスキングテープ１２０は、めっき液の浸入を防ぐために使用する。したがって、めっき液の浸入を防止し、防止後、剥離できるものであればいずれのものであってもよい。例えば、マスキングテープ１２０の代替えとして重合前のポリイミドからなる液を塗布し、ポリイミドからなる液を硬化させたものを使用してもよい。

図２２（ｅ２）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６の表面において、端子電極１１５、薄膜ヒータ１１７が形成される部分が、レーザ光の照射により粗化面１１９ａとなっている。他の部分は、マスク５０１ａが残存している。

以上のように、フェムト秒レーザ光５０２による粗面化は、端子電極１１４、端子電極１１５に対応する箇所にも実施される。粗面化される箇所に、Ｎｉ－Ｐ膜１１１が形成される。

端子電極１１５部は粗化される面積が大きい。薄膜ヒータ１１７部は粗化される線幅が細い。薄膜ヒータ１１７部は粗化を大きくする（粗化により発生する凹凸を深くする）ように、粗化される面積に依存して粗化状態を変化させることが好ましい。粗化される面積に基づいて算術平均粗さＲａを異ならせる。

レーザ光５０２による粗化は、薄膜が剥離しにくいように、例えば、薄膜プローブ１１７、温度プローブ１１６の両端の粗化状態を大きくし、他の部分の粗化状態を両端よりも小さくする等粗化位置により変化させることが好ましい。
例えば、図５（ｂ）、図６（ｂ）では、薄膜ヒート１１７の幅Ｌ１、幅Ｌ２、幅Ｌ３の箇所の粗化状態あるいは算術平均粗さＲａを異ならせてもよい。

図５（ｂ）のように、線幅Ｌ１の箇所と、線幅Ｌ２の箇所では算術平均粗さＲａを異ならせる。図６のように、線幅Ｌ１の箇所と、線幅Ｌ２の箇所あるいは線幅Ｌ３の箇所では算術平均粗さＲａを異ならせる。また、温度プローブ１１６と薄膜ヒート１１７で算術平均粗さＲａを異ならせてもよい。
粗化状態の可変は、フェムト秒レーザ光５０２のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することにより容易に実現できる。

ＳｉＣ基板１０６に対し酸性脱脂剤を用い、例えば４５℃、５分の条件で脱脂を行う。塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う。保持時間は、一例として２分である。

ＳｉＣ基板１０６に対し酸性脱脂剤を用い、例えば４５℃、５分の条件で脱脂を行う。塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う。保持時間は、一例として２分である。

次に、図２３（ｆ１）、図２３（ｆ２）に図示するように、Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４を粗面化された粗化面１１９、及びマスク５０１ａの残存している部分の表面に付与、塗布あるいは形成する。
Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４はコロイド状の粒子であり、Ｓｎ－Ｐｄの核部の表面にＳｎ－rich層、及びＳｎ2+層が順に形成されている。

Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４を付与したＳｉＣ基板１０６を塩酸系の溶液に浸漬することでＳｎの層が除去され、内部のＰｄ触媒が露出する。Ｐｄ触媒が露出するので、Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４が存在する部分において、後述する無電解Ｎｉ－Ｐめっき液による反応が生じる。

次に、図２３（ｇ１）、図２３（ｇ２）に図示するように、アルカリ溶液を用いて、マスク５０１ａを剥離する。図２３（ｇ１）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６のマスク５０１が剥離された部分にはＳｎ－Ｐｄ触媒５０４ａが存在しない。
次に、図２３（ｈ１）、図２３（ｈ２）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６の表面に無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行い、薄膜ヒータ１１７が形成される。
無電解Ｎｉ－Ｐめっき液としては、酸性領域から中性領域で次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする還元析出型の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることができる。

キレート剤としては、リンゴ酸、またはクエン酸、またはマロン酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、または酢酸やコハク酸等のモノカルボン酸、アンモニアやグリシン等のアミン類を単独もしくは複数併用して用いることができる。

無電解Ｎｉ－Ｐめっき液中の還元剤がＳｉＣ基板１０６上で電子を放出するように触媒として機能するＰｄが付与されている。無電解Ｎｉめっき液中のＮｉイオンが、還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元され、ＳｉＣ基板１０６の表面に析出し、薄膜ヒータ１１７、端子電極が形成される。

図５、図６では、温度プローブ１１６を図示していないが、図５、図６の本発明のヒータチップ１０９は、温度プローブ１１６を備えてもよいことは言うまでもない。また、以上の図５、図６で記載した事項は、薄膜ヒータ１１７だけでなく、温度プローブ１１６にも適用できることは言うまでもない。以上の事項は、以下の記載、図面においても同様である。

本実施形態によれば、フェムト秒レーザ光５０２で粗化面１１９を形成することにより、難めっき材料からなるＳｉＣ基板１０６に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、容易に、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきを行うことができる。

本実施の形態においては、マスク５０１ａを使用して、薄膜ヒータ１１７、端子電極部に対応するＳｉＣ基板１０６の粗化面１１９に、Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４ａを残存させる。Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４ａにめっき膜を形成する。したがって、薄膜ヒータ１１７のパターニングの精度が良好であり、表面研磨が不要である。

本実施の形態においては、配線パターンに対応する部分以外の部分がマスク５０１ａにより保護された状態で、めっきパターンが形成される。したがって、粗化部分のみに無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行うため所望の厚みの薄膜ヒータ１１７等を形成することができる。

次に、図２４（ｉ１）、図２４（ｉ２）に図示するように、薄膜ヒータ１１７を形成する箇所を中心として、マスキングテープ１２０ａを形成または配置する。端子電極１１５を形成する部分にはマスキングテープ１２０ａは形成または配置されない。

図２４（ｊ１）、図２４（ｊ２）に図示するように、図２３（ｈ１）、図２３（ｈ２）と同様に、ＳｉＣ基板１０６の表面に無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行い、端子電極１１５部に無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜が形成される。

無電解Ｎｉ－Ｐめっき液としては、図２３（ｈ１）、図２３（ｈ２）の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いる。また、キレート剤等もついても同様であるので、説明を省略する。

図２４（ｊ１）に図示するように、薄膜ヒータ１１７部は無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ａが形成される。端子電極１１５部は、無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ａと無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ｂとが積層されて形成される。したがって、端子電極１１５部は、薄膜ヒータ１１７部よりも抵抗値が低くなる。端子電極１１５部は、抵抗値が小さいため、所定の定電流を印加しても発熱が発生しない。薄膜ヒータ１１７部は、抵抗値が高いため、所定の定電流の印加により、良好に発熱する。

図２４（ｋ１）、図２４（ｋ２）に図示するように、端子電極部に置換Ａｕ膜（端子電極１１５）が形成される。端子電極に対応する箇所のＮｉ－Ｐ膜１１１ａの表面には端子電極としての金めっき膜１１５が形成される。

次に、図２４（ｌ１）、図２４（ｌ２）に図示するように、マスキングテープ１２０ａを剥離させる。マスキングテープ１２０ａの剥離におり、薄膜ヒータとしてのＮｉ－Ｐめっき膜１１１ａが露出する。

以上の工程により、端子電極１１５及び薄膜ヒータ１１７がＳｉＣ基板１０６上に形成される。次に、ＳｉＣ基板１０６の裏面にＮｉ－Ｐ膜１１１ｃを形成する工程を実施する。

図２５（ｍ１）、図２５（ｍ２）に図示するように、端子電極１１５及び薄膜ヒータ１１７としてのＮｉ－Ｐめっき膜１１１ａ上に、マスキングテープ１２０ｃを配置または形成する。また、コーティング剤を塗布する。

次に、図２５（ｎ１）、図２５（ｎ２）に図示するように、Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４ｂを粗面化された粗化面１１９ｂの表面に付与、塗布あるいは形成する。Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４ｂはコロイド状の粒子であり、Ｐｄ－Ｓｎの核部の表面にＳｎ－rich層、及びＳｎ2+層が順に形成されている。

Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４ｂを付与したＳｉＣ基板１０６を塩酸系の溶液に浸漬することでＳｎの層が除去され、内部のＰｄ触媒が露出する。Ｐｄ触媒が露出するので、Ｓｎ－Ｐｄ触媒５０４ｂが存在する部分において、無電解Ｃｕめっき液による反応が生じる。

図２５（ｏ１）、図２５（ｏ２）に図示するように、ＳｉＣ基板１０６の裏面に無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ｃが形成される。また、無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ｃ上に金めっき膜１１２が形成される。
次に、図２５（ｐ１）、図２５（ｐ２）に図示するように、マスキングテープ１２０ｃを剥離させて、ヒータチップ１０９が完成する。

図２６は、本発明の他の実施例における接合層評価装置の構成についての説明図である。図２６（ｃ１）、図２６（ｃ２）はヒータチップ１０９を図示している。ヒータチップ１０９の裏面には、Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ｃ、Ｎｉ－Ｐめっき膜１１１ｃの表面に金めっき膜１１２が形成されているが、図が煩雑になるため省略している。

図２６（ｃ２）に図示するように、端子電極１１５には、リード線１２１を電気的に接続するための半田１２３が形成され、または配置される。なお、半田１２３に限定されるものではなく、導電性があり、リード線１２１と端子電極１１５とが電気的接続が取れるものであればいずれの構成、材料等であってもよい。例えば、ボンディングワイヤで接続する構成が例示され、異方向性樹脂（ＡＣＦ）で接続する構成、材料が例示される。
図２６（ａ）に図示するように、無酸素銅板１０４ａと無酸素銅板１０４ｂ間に半田等の接合層１０５が配置または形成される。
無酸素銅板１０４において、接合層１０５と接する面に、Ｎｉ－Ｐ膜１１１、金めっき膜１１２が形成されるが、図面が煩雑となるため図示していない。

無酸素銅板１０４ｂの表面にＮｉ－Ｐ膜１１１が形成され、Ｎｉ－Ｐ膜１１１に金めっき膜１１２が形成されている。２つの金めっき膜１１２間に、接合層１０５が配置される。なお、金めっき膜１１２は接合層１０５が半田場合、半田内に拡散される。
無酸素銅板１０４ａは、主として放熱板として機能し、無酸素銅板１０４ｂはヒータチップ１０９からの熱を接合層１０５に伝達する機能を有する。

無酸素銅板１０４は、熱伝導性が良好なプレートであれば、銅以外の材質でプレートを形成してもよい。例えば、セラミックプレート、ステンレスプレート、ニッケルプレート、銀プレートが例示される。本明細書では説明を容易にするため、また、理解を容易にするため、無酸素銅板１０４として説明をする。

無酸素銅板１０４は０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下の銅板である。無酸素銅板１０４ａの表面には、Ｎｉ－Ｐ膜１１１が形成される。Ｎｉ－Ｐ膜１１１は無酸素銅板１０４ａの表面の全域に形成してもよいし、ヒータチップ１０９を実装する領域あるいは範囲に特定して形成してもよい。
図２６（ｂ）に図示するように、無酸素銅板１０４ｂ上に、放熱グリス１１８を塗布、あるいは放熱グリス１１８を配置する。

放熱グリス１１８で、ベースとなるのは、常温からある程度の高温まで、粘度の変化が少ない変性シリコンのグリスである。このグリスに、熱伝導率の高い金属あるいは金属酸化物の粒子（フィラー）を混ぜ込んだものを採用することが好ましい。

粒子として主に用いられるのは銅や銀、アルミニウム等の他に、アルミナや酸化マグネシウム、窒化アルミニウム等も用いられる。これらの単体、もしくは混合物を、それらの粒子直径に見合った分散方法を用いて分散させる。

無酸素銅板１０４ｂ上に、焼結銀（Ａｇ）ペーストを採用することも好ましい。焼結銀ペーストとして、例えば、三ツ星ベルトのＭＤｏｔシリーズ（ＭＤｏｔ－Ｓ５１７１）が例示される。ＭＤｏｔ－Ｓ５１７１は、熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高い。
なお、焼結ペーストの熱伝導率は、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものを使用することが好ましい。焼結Ａｇペーストの他、焼結銅（Ｃｕ）ペーストを用いてもよい。

焼結ペーストは、放熱グリスに比べて、熱伝導性が良好であり、ヒータチップ１０９の温度を低減できるという特徴を有する。例えば、放熱グリスの場合、半田層を２００℃とする場合、放熱グリスの耐熱温度、配線部の半田部の耐熱が不足する場合がある。焼結ペーストの場合は、この課題が発生しない。または、発生が抑制される。

図２６（ｂ）では、無酸素銅板１０４ａ上に、焼結Ａｇペースト１１８等を配置するとしたが、ヒータチップ１０９の裏面に焼結Ａｇペースト１１８等を塗布し、無酸素銅板１０４ｂとヒータチップ１０９を接合させても良いことは言うまでもない。

図２６（ｃ３）に図示するように、無酸素銅板１０４ｂに配置された放電グリスまたは焼結ペースト１１８に図２６（ｃ２）のヒータチップ１０９を配置する。例えば、１０８が焼結ペーストの場合は、例えば、２００℃で６０分間、低温で焼結させる。焼結により、ヒータチップ１０９と無酸素銅板１０４ｂとが熱的に接続される。

接合層１０５は一例として半田シートである。加熱することにより、半田からなる接合層１０５となる。半田シートが無酸素銅板１０４ｂ上に配置される。半田シートの代わりに半田ペーストを用いても良い。

図２６（ｄ）に図示するように、ヒータチップ１０９と無酸素銅板１０４ｂは接合層１０５で接合される。また、図２６（ｄ）に図示するように、ヒータチップ１０９、無酸素銅板１０４ｂ、接合層１０５は同時に研磨加工され、端面研磨される。端面研磨により、接合層１０５は鏡面化される。また、必要に応じて、接合層１０５はＣＰ加工が実施される。

次に、図２６（ｄ）に図示するように、研磨加工した面にポリイミドフィルム１０７が貼り付けられる。もしくは、接合層１０５面に感光性ポリイミド膜を形成する。

感光性ポリイミド膜は、スピンコート工法、スリットコート工法、スクリーン印刷による工法、インクジェットによる吹付ける工法、スプレーコート工法、ダイコート工法、ドクターナイフコート工法、フレキソ印刷工法等により、研磨加工した面に形成される。感光性ポリイミド膜を形成する箇所は少なくも接合層１０５を含む。

図２６（ｅ）に図示するように、端子電極１１５上の半田１２３を介してリード線１２１が取り付けられる。リード線１２１には電流電源装置８０３が接続され、薄膜ヒータ１１７に定電流等が印加される。
赤外線サーモグラフティカメラ１０８は、ポリイミドフィルム１０７を介して、接合層１０５の２次元的な温度分布を測定する。

接合層１０５は、半田等による接合層に限定するものではない。例えば、銀ペーストあるいは銅ペーストにより接着した接合層、焼結ペーストからなる接合層、ボンディングワイヤ等の接続部、放電加工による接続部、高周波誘導加熱による接合層、電磁誘導加熱による融着部に対しても適用できることは言うまでもない。また、有機物あるいは無機物を圧着あるいは接触させた接合面に対しても適用できることは言うまでもない。絶縁物、誘電体材料からなる層も接合層であり、赤外線サーモグラフティカメラ１０８等で温度情報△Ｔを測定することができる。
以下、本発明の接合層評価装置を使用した接合層の評価方法の実施例について説明する。
発熱源として、本発明のＳｉＣ製ヒータチップ１０９（表面に薄膜ヒータ１１７、裏面にＡｇ層を有する）を使用した。

ヒータチップ１０９の裏面、及び無酸素銅板１０４へ無電解Ｎｉ－Ｐ膜１１１／置換金めっき膜１１２処理し、ヒータチップ１０９を無酸素銅板１０４上に半田付けしてサンプルを作製した。

また、ヒータチップ１０９近傍に無電解Ｎｉ－Ｐ膜１１１／置換金めっき膜１１２処理した両面銅張基板も同時に半田付けした。半田組成はＳｎ－０．７Ｃｕ半田、使用する半田シ－トの厚みは１００μｍとした。

半田付けは大気圧リフロー（ピーク温度２５０℃１０ｓｅｃ）にて実施し、半田付け後のヒータチップ１０９／無酸素銅板１０４間の半田厚が１００±２０μｍになったサンプルを使用した。

サンプルの端面を鏡面仕上げ後、ヒータチップ１０９の薄膜ヒータ１１７と上述した両面銅張板間をＡｕワイヤボンディング（Φ２５μｍ）により結線して、加熱冷却プレート１０１上に配置した。

接合層１０５と接するＮｉ－Ｐ膜１１１ｄ及びＮｉ－Ｐ膜１１１ａと接合層１０５は研磨または平坦化する。研磨または平坦化することにより、接合層１０５及び近傍部は平坦になり、鏡面になる。平坦、鏡面にすることにより、接合層１０５等から放射する赤外線量が、接合層１０５の温度と良好に相関する。したがって、外線サーモグラフティカメラ１０８の測定温度精度が向上する。

その後、ヒータチップ１０９の表面に形成または配置された薄膜ヒータ１１７に、電流電源装置８０３ｂで直流電流を印加して、ヒータチップ１０９を発熱させ、ヒータチップ１０９裏面をＨｏｔ側（加熱側）、銅プレート１０４側をＣｏｌｄ側（冷却側）とする温度勾配を半田接合層へ生じさせた。

生じた温度勾配を可視化するために、サンプルの鏡面仕上げ面を赤外線サーモグラフティカメラ１０８により観察し、ヒータチップ１０９裏面のＮｉ－Ｐ膜１１１層（Ｈｏｔ側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層）と銅プレート１０４側のＮｉ－Ｐ膜１１１層（Ｃｏｌｄ側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層）間の温度差から温度勾配を決定した。
断面の放射率を確保するためにポリイミドテ－プを貼り付けて赤外線サーモグラフティカメラ１０８による温度測定を実施した。

ヒータチップ１０９裏面での温度が２００℃、銅プレート１０４温度1４５℃程度でＨｏｔ側とＣｏｌｄ側のＮｉ－Ｐ膜１１１層間の温度勾配が２５７１℃／ｃｍになった。
本条件にてＴＭ（サーモマイグレーション）試験を実施した。

ＴＭ（サーモマイグレーション）試験時間は５ｈとした。さらに、温度勾配の有無による影響を把握するため、温度勾配を意図的に発生させない条件として、２００℃に設定した恒温槽内に５ｈ保持する２００℃放置試験を実施したサンプルも用意した。

ＴＭ（サーモマイグレーション）試験及び２００℃放置試験後、サンプルの端面を再度鏡面仕上げし、断面ＳＥＭ観察により半田接合層を観察した。その際、半田接合層の成分分析はエネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＳ）により実施した。さらに、各試験前後での半田接合層におけるＮｉの分布をＥＤＳにより調査した。

初期ではチップ裏面及び銅プレート１０４側のＮｉ－Ｐ膜１１１層で、ともに合金層（Ｃｕ、Ｎｉ）_６Ｓｎ_５が形成していることが確認できた。２００℃放置試験後では、チップ裏面の合金層が（Ｎｉ、Ｃｕ）_３Ｓｎ_４に変化しており、銅プレート１０４側では（Ｃｕ、Ｎｉ）_６Ｓｎ_５層の下に（Ｎｉ、Ｃｕ）_３Ｓｎ_４が形成している。（Ｃｕ、Ｎｉ）_６Ｓｎ_５層の成長に伴う半田中のＣｕ濃度の減少に起因すると推察される。

ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後では、Ｈｏｔ側であるヒータチップ１０９裏面のＮｉ－Ｐ膜１１１層が消失していることが判明した。また、Ｃｏｌｄ側である銅プレート１０４側のＮｉ－Ｐ膜１１１層はＰリッチ層の成長と縦状のボイドの形成及びＮｉ－Ｐ膜１１１層の薄化が確認できるもが、Ｎｉ－Ｐ膜１１１層自体は残存している。

このことから、ＴＭ（サーモマイグレーション）試験によってＨｏｔ側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層の温度を２００℃として、Ｎｉ－Ｐ膜１１１層間に２０００－３０００℃／ｃｍ程度の温度勾配を発生させると、Ｈｏｔ側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層が消失することが明らかになった。

さらに、初期ではヒータチップ１０９裏面のＮｉ－Ｐ膜１１１層上には合金層（Ｃｕ、Ｎｉ）_６Ｓｎ_５が形成していたが、ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後ではヒータチップ１０９裏面のＮｉ－Ｐ膜１１１層上に合金層が確認されていない。それに対して、ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後の銅プレート１０４側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層上は（Ｎｉ、Ｃｕ）_３Ｓｎ_４が１０－３０μｍ程度の厚みで形成していた。
これらのことから、２００℃放置試験後とＴＭ（サーモマイグレーション）試験後ではＮｉの分布に差異があるように見受けられる。

初期及び各試験後での半田接合層でのＮｉの分布を明らかにするため、ＥＤＳによりＮｉの分布を調べた結果、２００℃放置試験後では、ニッケル（Ｎｉ）は、ヒータチップ１０９裏面及び銅プレート１０４側のＮｉ－Ｐ膜１１１層、及びＮｉ－Ｐ膜１１１層上の合金層部のみに存在していた。ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後ではヒータチップ１０９裏面側のＮｉ－Ｐ膜１１１層が消失し、銅プレート１０４側にＮｉが拡散していた。

これらのことから、初期にヒータチップ１０９裏面でＮｉ－Ｐ膜１１１層もしくは（Ｃｕ、Ｎｉ）_６Ｓｎ_５として存在していたＮｉは、ＴＭ（サーモマイグレーション）試験によってＣｏｌｄ側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層上へ拡散したことがわかる。

ＴＭ（サーモマイグレーション）試験中におけるＣｕの拡散について検討した。初期ではヒータチップ１０９裏面に（Ｃｕ、Ｎｉ）_６Ｓｎ_５としてＣｕは存在していた。ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後ではヒータチップ１０９裏面にＣｕは存在していなかった。

銅プレート１０４側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層上では（Ｎｉ、Ｃｕ）_３Ｓｎ_４がＴＭ（サーモマイグレーション）試験により１０－３０μｍ程度にまで厚くなっていたことから、銅プレート１０４側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層上に存在するＣｕの量が増加したと考えられる。

したがって、ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後では、ヒータチップ１０９裏面にＣｕは存在しなくなる一方で、銅プレート１０４側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層上に存在するＣｕが増加していることから、ＴＭ（サーモマイグレーション）試験によりＣｕはＨｏｔ側であるヒータチップ１０９裏面からＣｏｌｄ側である銅プレート１０４上へ拡散したと推察される。

本試験では温度勾配が２０００－３０００℃／ｃｍであり、ＣｕのＴＭ（サーモマイグレーション）発生時の温度勾配として１０００℃／ｃｍを超えている。さらに、移動方向がＣｏｌｄ側であることも考慮すると、銅プレート１０４側へのＣｕの拡散はＣｕのＴＭ（サーモマイグレーション）に起因する。

ＴＭ（サーモマイグレーション）試験後ではヒータチップ１０９裏面のＮｉ－Ｐ膜１１１層及びＡｇ層が消失し、ヒータチップ１０９裏面にはＳｎのみが確認できる。このことから、ＳｎはＣｕとＮｉとは反対の拡散方向であるヒータチップ１０９裏面側へＴＭ（サーモマイグレーション）試験中に拡散している。

Ｓｎは１０００℃／ｃｍ以上で高温側へ拡散すると推測される本試験での温度勾配が２０００－３０００℃／ｃｍであることから、ＳｎのＨｏｔ側への拡散はＳｎのＴＭ（サーモマイグレーション）に起因する。

ＮｉのＴＭ（サーモマイグレーション）に必要な温度勾配は８０５０℃／ｃｍと見積られている。本試験の温度勾配が２０００－３０００℃／ｃｍ程度であることを考慮すると、ＮｉのＴＭ（サーモマイグレーション）が発生しているとは考えにくい。

現時点では、ヒータチップ１０９裏面へＳｎが拡散する環境下ではＮｉ－Ｐ膜１１１層上の合金層が剥離しやすい状態ではないかと考えられる。その場合、合金層が剥離したＮｉ－Ｐ膜１１１層上では新たにＮｉを含む合金層が形成すると予想される。２００℃放置試験よりもＮｉ－Ｐ膜１１１層が消費されやすい環境であったと考えられる。

以上のことから、Ｓｎ－０．７Ｃｕ／Ｎｉ－Ｐ膜１１１半田接合層において、Ｈｏｔ側を２００℃とする２０００－３０００℃／ｃｍ程度の温度勾配を発生させると、Ｈｏｔ側Ｎｉ－Ｐ膜１１１層が消失することが判明した。
以上のように、本発明の接合層の評価方法及び接合層評価装置は、接合層の評価、構成、寿命等を定量的に評価できる。

以上、本明細書において、実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
本明細書及び図面に記載した事項あるいは内容は、相互に組み合わせることができることは言うまでもない。

電極間の接合層１０５を、温度分布の測定データに基づいて、非破壊で、接合層の劣化を容易に検出することが可能となる。また、半田接合層１０５の寿命の評価を容易に行うことが可能となる。また、劣化の検知及び寿命の評価の信頼性評価に利用できる。

１０１ 加熱冷却プレート
１０２ 循環水パイプ
１０３ チラー
１０４ 銅プレート
１０５ 半田層（接合層）
１０６ ＳｉＣ基板
１０７ ポリイミドシート（ポリアミド）
１０８ 赤外線サーモグラフティカメラ
１０９ ヒータチップ
１１０ ＸＹＺステージ
１１１ Ｎｉ－Ｐ膜（めっき膜）
１１２ 金めっき膜
１１４ 温度プローブ端子電極（金めっき膜）
１１５ 薄膜ヒータ端子電極（金めっき膜）
１１６ 温度プローブ（Ｎｉ－Ｐ膜）
１１７ 薄膜ヒータ（Ｎｉ－Ｐ膜）
１１８ 放熱グリス
１１９ 粗化面
１２０ マスキングテープ
１２１ リード線
１２２ 電圧計
１２３ 半田
１２４ 位置決めマーク
１２６ 高温半田
１２７ 配線
５０１ マスク（アルカリ可溶性タイプアクリルポリマー含む）
５０２ レーザ光（フェムト秒レーザ光）
５０３ 凹部
５０４ Ｓｎ－Ｐｄ触媒
８０１ スイッチ回路
８０２ 定電流回路
８０３ 電流電源装置
８０４ 制御回路
９０１ 拡散部

Claims (8)

1. シリコンカーバイト（ＳｉＣ）からなるベース基板と、
   前記ベース基板の側面に接して配置された樹脂膜または樹脂フィルムと、
   前記ベース基板の第１の面に配置された温度プローブと、
   前記温度プローブの周囲に配置された薄膜ヒータと、
   前記ベース基板の第２の面に配置された第１の薄膜と、
   前記第１の薄膜の表面に形成された金めっき膜を具備し、
   前記温度プローブおよび前記薄膜ヒータは、ＮｉとＮｉ－Ｐのうち、少なくともいずれかで形成され、
   前記第１の薄膜は、Ｎｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂのいずれかで形成されていることを特徴とするヒータチップ。
2. 絶縁性または半導体性を有するベース基板と、
   前記ベース基板の側面に接して配置された樹脂膜または樹脂フィルムと、
   前記ベース基板の第１の面に配置された温度プローブと、
   前記温度プローブの周囲に配置された薄膜ヒータを具備し、
   前記温度プローブと前記薄膜ヒータとは同一材料で形成され、
   前記薄膜ヒータの膜厚は、０．１（μｍ）以上７．５（μｍ）以下であり、
   前記薄膜ヒータの膜厚のシート抵抗値（Ω／ｓｑ）は、０．２５（Ω／ｓｑ）以上１．００（Ω／ｓｑ）であることを特徴とするヒータチップ。
3. 前記薄膜ヒータおよび前記温度プローブ上に、０．０５μｍ以上５μｍ以下の厚みからなる、ＳｉＯ_２膜、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜のうち、少なくとも１種類の膜で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のヒータチップ。
4. 前記薄膜ヒータは、同心状に構成あるいは形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のヒータチップ。
5. 絶縁性または半導体性を有するベース基板と、
   前記ベース基板の第１の面に配置された温度プローブと、
   前記温度プローブの周囲に配置された薄膜ヒータと、
   第１の部材と、
   前記ベース基板と前記第１の部材間に配置された接合層と、
   前記接合層に接して配置された樹脂膜または樹脂フィルムと、
   前記温度プローブに第１の電流を供給する第１の電流供給装置と、
   前記薄膜ヒータに第２の電流を供給する第２の電流供給装置と、
   前記温度プローブの端子電圧を測定する電圧測定装置と、
   前記接合層の温度を測定する温度測定装置を具備することを特徴とする接合層評価装置。
6. 温度プローブおよび薄膜ヒータを有する複数のヒータチップと、
   第１の部材と、
   前記ヒータチップと前記第１の部材間に配置された接合層と、
   前記接合層に接して配置された樹脂膜または樹脂フィルムと、
   前記温度プローブに第１の電流を供給する第１の電流供給装置と、
   前記薄膜ヒータに第２の電流を供給する第２の電流供給装置と、
   前記温度プローブの端子電圧を測定する電圧測定装置と、
   前記接合層の温度を測定する温度測定装置と、
   前記温度測定装置を積載する移動ステージを具備し、
   前記温度測定装置が測定した温度により、前記第２の電流を変化させることを特徴とする接合層評価装置。
7. 前記第２の電流供給装置は、前記第２の電流を供給する第１の端子と第２の端子を有し、
   前記第１の端子と前記第２の端子間に、複数の前記薄膜ヒータが配置されていることを特徴とする請求項５または請求項６記載の接合層評価装置。
8. 前記第１の部材は、銅プレートであり、
   前記接合層は、半田であり、
   前記接合層は、研磨加工されていることを特徴とする請求項５または請求項６記載の接合層評価装置。

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