JP7305454B2 - マスクの洗浄方法 - Google Patents
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Description
マスクに付着した堆積物が透明導電膜の場合は、酸性のエッチング溶液を用いことにより、マスクの本体から透明導電膜の除膜が可能である。
ここで、IZOは酸化インジウム酸化亜鉛[indium zinc oxide]を、ITOは酸化スズドープ酸化インジウム[In2O3-SnO2]を、IGZOはインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、酸素(O)から構成される物質を、ZnOは酸化亜鉛[Zinc oxide]を、それぞれ意味する。
そこで、本発明者らは、マスクの本体に付着した堆積物の除去が可能であり、かつ、マスクの本体の溶損が抑制できる、マスクの洗浄方法の開発を行った。
洗浄液としてキレート剤を含むエッチング溶液を用い、前記マスクを前記洗浄液に浸漬する工程を少なくとも備え、前記マスクの本体が化学耐食性の低い鉄系材料であり、前記マスクに付着した堆積物がIZO、ITO、IGZO、ZnOから選択される酸化膜材料であり、前記エッチング溶液として、アルカリ領域でZnやInの溶解性を備える溶液を用い、前記キレート剤は、分子構成元素が、C,O,H,及びNaから構成され、主鎖以外にCを含まないものを用いる、
ことを特徴とする。
前記キレート剤が、ヒドロキシカルボン酸のグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)である、ことが好ましい。
前記洗浄液の温度が50℃以上60℃以下の範囲内である、ことが好ましい。
前記洗浄液のベースとなる純水を洗浄容器内に用意する工程Aと、
前記工程Aの洗浄液にアルカリ性(alkaline)の第一薬液(溶液)を投入する工程Bと、
前記工程Bの洗浄液にグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)からなる第二薬液(溶液)を投入する工程Cと、
前記工程Cの洗浄液を攪拌する工程Dと、
前記工程Dの洗浄液を所定の温度に加熱保持する工程Eと、
前記工程Eの洗浄液に前記マスクを浸漬し、80kHz~12kHzの周波数で超音波洗浄(Ultrasonic cleaning)を行う工程Fとを、
順に備えることが好ましい。
前記工程Fの洗浄液から取り出した前記マスクに対して純水を用いリンスすることにより薬液を除去する工程Gと、
前記工程Gを経た前記マスクに対して純水を用い再度リンスすることによりコンタミを除去する工程Hと、
前記工程Hを経た前記マスクを乾燥する工程Iとを、
さらに順に備えることが好ましい。
また、前記キレート剤として、分子構成元素が、C,O,H,及びNaから構成され、主鎖以外にCを含まないものを用いることにより、マスクの本体に対する残渣の影響が軽減される。ゆえに、マスクの本体の溶損が抑制される。
したがって、本発明は、上述した2つの問題(すなわち、堆積物の溶解が途中で停止し、堆積物が全て除去できない問題、及び、マスクの本体の溶損が生じるという問題)を同時に解消することが可能な、マスクの洗浄方法の提供に貢献する。
図6は、符号10は透明導電膜用のターゲット(たとえばITO)であり、符号20はターゲット10からスパッタリングされて飛翔したスパッタ粒子を表している。
マスク30の本体に設けた開口部を通過したスパッタ粒子20は、基板40上に堆積することにより、たとえば所望のパターンを有する透明導電膜50からなる電極が形成される。図5においては、マスク30の本体どうしの間にある空間が、マスク30の本体に設けた開口部を表している。
(a1)Zn,Inの水酸化物は、Alkaline領域で溶解性を有する。
(a2)しかし、溶解度積が小さいため溶解が飽和(Saturate)してしまう。
(a3)そこで、アルカリ溶液にChelate効果を有する材料を添加してはどうか。
(a4)これにより、溶解したZn,In,Ionを取り込みが可能になるのでは。
(a5)その結果、飽和(Saturate)が防止できるのはないか。
図4に基づき、
[Sn2+][OH-]2=6.3×10-27(mol/l)3 (25℃、イオン強度0の場合)
と算出された。
このような作用は、ITO材料にも有効と予想した。
ここでは、洗浄液としては、純水に、アルカリ溶液(第一薬液)としてKOHと、キレート材(第二薬液)としてグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)とを投入し、攪拌したものを用いた。試料としては、マスクの本体(Open mask材料)がInvarであり、堆積物がIZO膜であるものを用いた。
(b1)安価な処理液であること。
(b2)安全性が高い。
キレート材(第二薬液)として用いたグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)は、食品にも使用されているものであり、上記2点の条件を満足している。
実験例1は、処理液が5%KOHであり、処理液の温度が50℃の場合である。実験例1のねらいは、母材(マスクの本体)保護である。
実験例2は、処理液が10%KOHであり、処理液の温度が50℃の場合である。実験例1のねらいは、母材(マスクの本体)保護である。
実験例3は、処理液が5%KOHと、Al(NO3)3とからなり、処理液の温度が50℃の場合である。実験例3のねらいは、酸化性付与である。
実験例4は、処理液が5%KOHと、Al(NO3)3と、H2O2からなり、処理液の温度が50℃の場合である。実験例4のねらいは、酸化性付与である。
実験例5は、処理液が5%KOHと、1%グルコン酸ナトリウム(表1でが「G.A.」と略記)であり、処理液の温度が50℃の場合である。実験例5のねらいは、キレート効果確認である。
実験例6は、処理液が10%KOHと、1%グルコン酸ナトリウム(表1でが「G.A.」と略記)であり、処理液の温度が50℃の場合である。実験例6のねらいは、キレート効果確認である。
(c1)処理液がKOHのみの場合は、母材損耗は達成できるが、除膜性が不十分である(実験例1、2)。
(c2)処理液がKOHとAl(NO3)3とからなる場合は、母材損耗は達成できるが、除膜性が不十分である(実験例3)。
(c3)処理液がKOHとAl(NO3)3とH2O2とからなる場合は、母材損耗は達成できるが、除膜性が不十分である(実験例4)。
(c4)処理液がKOHとグルコン酸ナトリウムとからなる場合は、母材損耗が達成できると共に、除膜性も十分にある(実験例5、6)。
すなわち、実験例5、6によれば、酸性エッチング溶液で除膜可能であるが、Open mask材料(Invar)の溶損が起こるという課題が解決できることが分かった。その解決法は、アルカリ(Alkaline)溶液を基本とし、sodium gluconateを添加することで、母材溶損を抑え、IZO膜の除膜が可能となるものである。これにより、Open mask材料の溶損を抑え、約1hrでIZO膜の除膜が可能となる効果が得られる。
したがって、本発明は、前述した課題である2つの問題(すなわち、堆積物の溶解が途中で停止し、堆積物が全て除去できない問題、及び、マスクの本体の溶損が生じるという問題)を同時に解消することが可能な、マスクの洗浄方法をもたらす。
(d1)Zn,Inの水酸化物は、Alkaline領域で溶解性を有する。
(d2)しかし、溶解度積が小さいため溶解が飽和(Saturate)してしまう。
(d3)そこで、Chelate効果を有する材料を添加した。
(d4)これにより、溶解したZn,In,Ionを取り込み。
(d5)その結果、飽和(Saturate)を防止できる。
・Alkaline濃度:1~10%
・Alkaline種類:NaOH、KOH
・sodium gluconate濃度:0.1~5%
・処理液温度:25~60℃
・今回のアルカリ領域(ph14以上を含む)では、ヒドロキシカルボン酸のsodium gluconateが、ph領域において有効である。
・Chelate材の主鎖以外にCを含まず、基材に対する残渣の影響が最も少ない。分子構造元素はC、O、H、Naであり、Naは最終精密洗浄でIonとなって除去可能のため。
・無機系は使用例が多いが、りん酸Ionはコンタミ(Contami)元素として注目されるため、本発明では好ましくない。
・純水→Alkaline投入→sodium gluconate投入→攪拌→加温(~60℃)
→U.S.(80-120kHz)→純水Rinse(薬液除去)→純水Rinse(Contami除去)→乾燥
本発明に係るマスクの洗浄方法の流れ図(図2)を参照し、各処理工程の詳細については、以下に説明する。
前記洗浄液のベースとなる純水を洗浄容器内に用意する工程Aと、
前記工程Aの洗浄液にアルカリ性(alkaline)の第一薬液を投入する工程Bと、
前記工程Bの洗浄液にグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)からなる第二薬液を投入する工程Cと、
前記工程Cの洗浄液を攪拌する工程Dと、
前記工程Dの洗浄液を所定の温度に加熱保持する工程Eと、
前記工程Eの洗浄液に前記マスクを浸漬し、80kHz~12kHzの周波数で超音波洗浄(Ultrasonic cleaning:U.S.とも略記する)を行う工程Fとを、
順に備える。
工程A:純水(たとえば半導体洗浄グレード)を用いる。
工程B:半導体洗浄グレードのNaOH溶液を投入する。
工程C:純度95%以上のグルコン酸ナトリウムを用いる。
工程D:循環ポンプで攪拌する。
工程E:加熱ヒーター等を用いて処理液を所定の温度に加温する。
工程F:循環ポンプを動かしながら洗浄槽に具備されたU.S.80kHzを照射する。
前記工程Fの洗浄液から取り出した前記マスクに対して純水を用いリンスすることにより薬液を除去する工程Gと、
前記工程Gを経た前記マスクに対して純水を用い再度リンスすることによりコンタミを除去する工程Hと、
前記工程Hを経た前記マスクを乾燥する工程Iとを、
さらに順に備える。
工程G:純水浸漬または純水シャワーによる薬液除去を行う。
工程H:純水U.S.によるリンス処理(2~3槽)を行う。
工程I:HFE(Hydro Fluoro Ether)またはIPA(Isopropyl Alcohol)を用いた
水分除去およびマスク乾燥を行う。
堆積膜を形成する成膜法には依存しない。成膜法としては、スパッタ法、蒸着法、CVD法などが挙げられる。
Claims (5)
- マスクに付着した堆積物を除去するマスクの洗浄方法であって、
洗浄液としてキレート剤を含むエッチング溶液を用い、
前記マスクを前記洗浄液に浸漬する工程を少なくとも備え、
前記マスクの本体が化学耐食性の低い鉄系材料であり、
前記マスクに付着した堆積物がIZO、ITO、IGZO、ZnOから選択される酸化膜材料であり、
前記エッチング溶液として、アルカリ領域でZnやInの溶解性を備える溶液を用い、
前記キレート剤は、分子構成元素が、C,O,H,及びNaから構成され、主鎖以外にCを含まないものを用いる、ことを特徴とするマスクの洗浄方法。 - 前記キレート剤が、ヒドロキシカルボン酸のグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)である、
ことを特徴とする請求項1に記載のマスクの洗浄方法。 - 前記マスクを前記洗浄液に浸漬する工程において、
前記洗浄液の温度が50℃以上60℃以下の範囲内である、ことを特徴とする請求項1に記載のマスクの洗浄方法。 - 前記マスクを前記洗浄液に浸漬する工程は、
前記洗浄液のベースとなる純水を洗浄容器内に用意する工程Aと、
前記工程Aの洗浄液にアルカリ性(alkaline)の第一薬液を投入する工程Bと、
前記工程Bの洗浄液にグルコン酸ナトリウム(sodium gluconate)からなる第二薬液を投入する工程Cと、
前記工程Cの洗浄液を攪拌する工程Dと、
前記工程Dの洗浄液を所定の温度に加熱保持する工程Eと、
前記工程Eの洗浄液に前記マスクを浸漬し、80kHz~12kHzの周波数で超音波洗浄(Ultrasonic cleaning)を行う工程Fとを、
順に備えることを特徴とする請求項1に記載のマスクの洗浄方法。 - 前記マスクを前記洗浄液に浸漬する工程は、
前記工程Fの洗浄液から取り出した前記マスクに対して純水を用いリンスすることにより薬液を除去する工程Gと、
前記工程Gを経た前記マスクに対して純水を用い再度リンスすることによりコンタミを除去する工程Hと、
前記工程Hを経た前記マスクを乾燥する工程Iとを、
さらに順に備えることを特徴とする請求項4に記載のマスクの洗浄方法。
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Families Citing this family (1)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002159923A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-04 | Haipaatekku Kk | 塗装用マスクの洗浄方法およびその装置 |
JP2018021093A (ja) | 2016-08-01 | 2018-02-08 | 花王株式会社 | スクリーン版用洗浄剤組成物 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11106897A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Ehime General Service Kk | スパッタリングマスクの再生方法 |
JPH11172479A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-06-29 | Advanced Display Inc | 防着板の洗浄方法 |
US6277799B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-08-21 | International Business Machines Corporation | Aqueous cleaning of paste residue |
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Patent Citations (2)
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