JP7297074B2 - 検査装置の自己診断方法および検査装置 - Google Patents

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Description

本開示は、検査装置の自己診断方法および検査装置に関する。
半導体ウエハ等の基板同士を接合することによって重合基板を形成する接合装置と、この接合装置によって形成された重合基板の検査を行う検査装置とを備えた接合システムが知られている（特許文献１参照）。
特開２０１１－１８７７１６号公報
本開示は、検査装置の測定精度の維持を容易化することができる技術を提供する。
本開示の一態様による検査装置の自己診断方法は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を検査する検査装置の自己診断方法であって、配置する工程と、照射する工程と、受光する工程と、光量の異常を判定する工程とを含む。配置する工程は、重合基板の外周部を保持する保持部であって、光を減衰させる減衰部材を有する診断部が設けられた保持部を移動させることにより、保持部の上方および下方の一方に配置され、保持部に保持された重合基板に光を照射する照明部と、保持部の上方および下方の他方において照明部と対向する位置に配置され、保持部に保持された重合基板を撮像する撮像部との間に、減衰部材を配置する。照射する工程は、配置する工程の後、照明部から設定光量にて光を照射する。受光する工程は、照射する工程の後、照明部から照射されて減衰部材を透過した光を撮像部を用いて受光する。光量の異常を判定する工程は、受光する工程の後、撮像部にて受光された光の受光量に基づいて、照明部から照射される光の光量の異常を判定する。
本開示によれば、検査装置の測定精度の維持を容易化することができる。
図１は、実施形態に係る接合システムの構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係る第１基板および第２基板の接合前の状態を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る接合装置の構成を示す模式図である。 図４は、実施形態に係る検査装置の構成を示す模式図である。 図５は、実施形態に係る検査装置の保持部の構成を示す模式図である。 図６は、測定マークの撮像方法の一例を示す図である。 図７は、測定マークの一例を示す図である。 図８は、実施形態に係る減衰部材の構成を示す図である。 図９は、減衰部材に形成された校正マークの一例を示す図である。 図１０は、実施形態に係る制御装置の構成を示すブロック図である。 図１１は、接合システムが実行する処理のうち、接合装置によって重合基板が形成されるまでの処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、光量チェック処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１３は、光軸チェック処理の手順の一例を示すフローチャートである。
以下に、本開示による検査装置の自己診断方法および検査装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による検査装置の自己診断方法および検査装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
＜接合システムの構成＞
まず、実施形態に係る接合システムの構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る接合システムの構成を示す模式図である。また、図２は、実施形態に係る第１基板および第２基板の接合前の状態を示す模式図である。
図１に示す接合システム１は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合することによって重合基板Ｔを形成する（図２参照）。
第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、たとえばシリコンウエハや化合物半導体ウエハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板である。第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、略同径である。なお、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の一方は、たとえば電子回路が形成されていない基板であってもよい。
以下では、図２に示すように、第１基板Ｗ１の板面のうち、第２基板Ｗ２と接合される側の板面を「接合面Ｗ１ｊ」と記載し、接合面Ｗ１ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ１ｎ」と記載する。また、第２基板Ｗ２の板面のうち、第１基板Ｗ１と接合される側の板面を「接合面Ｗ２ｊ」と記載し、接合面Ｗ２ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ２ｎ」と記載する。
図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、検査ステーション４を備える。搬入出ステーション２は、処理ステーション３のＸ軸負方向側に配置され、処理ステーション３と一体的に接続される。また、検査ステーション４は、処理ステーション３のＸ軸正方向側に配置され、処理ステーション３と一体的に接続される。
搬入出ステーション２は、載置台１０と、搬送領域２０とを備える。載置台１０は、複数の載置板１１を備える。各載置板１１には、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣ１～Ｃ４がそれぞれ載置される。カセットＣ１は複数枚の第１基板Ｗ１を収容可能であり、カセットＣ２は複数枚の第２基板Ｗ２を収容可能であり、カセットＣ３は複数枚の重合基板Ｔを収容可能である。カセットＣ４は、たとえば、不具合が生じた基板を回収するためのカセットである。なお、載置板１１に載置されるカセットＣ１～Ｃ４の個数は、図示のものに限定されない。
搬送領域２０は、載置台１０のＸ軸正方向側に隣接して配置される。搬送領域２０には、Ｙ軸方向に延在する搬送路２１と、搬送路２１に沿って移動可能な搬送装置２２とが設けられる。搬送装置２２は、Ｙ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能である。搬送装置２２は、載置板１１に載置されたカセットＣ１～Ｃ４と、後述する処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３との間で、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔの搬送を行う。
処理ステーション３には、たとえば３つの処理ブロックＧ１，Ｇ２，Ｇ３が設けられる。第１処理ブロックＧ１は、処理ステーション３の背面側（図１のＹ軸正方向側）に配置される。また、第２処理ブロックＧ２は、処理ステーション３の正面側（図１のＹ軸負方向側）に配置され、第３処理ブロックＧ３は、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１のＸ軸負方向側）に配置される。
第１処理ブロックＧ１には、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを改質する表面改質装置３０が配置される。表面改質装置３０は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊにおけるＳｉＯ２の結合を切断して単結合のＳｉＯとすることで、その後親水化され易くするように接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを改質する。
具体的には、表面改質装置３０では、たとえば減圧雰囲気下において処理ガスである酸素ガスまたは窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。そして、かかる酸素イオンまたは窒素イオンが、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊに照射されることにより、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊがプラズマ処理されて改質される。
また、第１処理ブロックＧ１には、表面親水化装置４０が配置される。表面親水化装置４０は、たとえば純水によって第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを親水化するとともに、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを洗浄する。具体的には、表面親水化装置４０は、たとえばスピンチャックに保持された第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２を回転させながら、当該第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２上に純水を供給する。これにより、第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２上に供給された純水が第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ上を拡散し、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊが親水化される。
ここでは、表面改質装置３０と表面親水化装置４０とが横並びで配置される場合の例を示したが、表面親水化装置４０は、表面改質装置３０の上方に積層されてもよい。
第２処理ブロックＧ２には、接合装置４１が配置される。接合装置４１は、親水化された第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを分子間力により接合する。かかる接合装置４１の構成については、後述する。
第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２および第３処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、搬送領域６０が形成される。搬送領域６０には、搬送装置６１が配置される。搬送装置６１は、たとえば鉛直方向、水平方向および鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有する。かかる搬送装置６１は、搬送領域６０内を移動し、搬送領域６０に隣接する第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２および第３処理ブロックＧ３内の所定の装置に第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔを搬送する。
検査ステーション４には、検査装置８０が設けられる。検査装置８０は、接合装置４１によって形成された重合基板Ｔの検査を行う。
また、接合システム１は、制御装置７０を備える。制御装置７０は、接合システム１の動作を制御する。制御装置７０の構成については後述する。
＜接合装置の構成＞
次に、接合装置４１の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る接合装置４１の構成を示す模式図である。
図３に示すように、接合装置４１は、第１保持部１４０と、第２保持部１４１と、ストライカー１９０とを備える。
第１保持部１４０は、本体部１７０を有する。本体部１７０は、支持部材１８０によって支持される。支持部材１８０および本体部１７０には、支持部材１８０および本体部１７０を鉛直方向に貫通する貫通孔１７６が形成される。貫通孔１７６の位置は、第１保持部１４０に吸着保持される第１基板Ｗ１の中心部に対応している。貫通孔１７６には、ストライカー１９０の押圧ピン１９１が挿通される。
ストライカー１９０は、支持部材１８０の上面に配置され、押圧ピン１９１と、アクチュエータ部１９２と、直動機構１９３とを備える。押圧ピン１９１は、鉛直方向に沿って延在する円柱状の部材であり、アクチュエータ部１９２によって支持される。
アクチュエータ部１９２は、たとえば電空レギュレータ（図示せず）から供給される空気により一定方向（ここでは鉛直下方）に一定の圧力を発生させる。アクチュエータ部１９２は、電空レギュレータから供給される空気により、第１基板Ｗ１の中心部と当接して当該第１基板Ｗ１の中心部にかかる押圧荷重を制御することができる。また、アクチュエータ部１９２の先端部は、電空レギュレータからの空気によって、貫通孔１７６を挿通して鉛直方向に昇降自在になっている。
アクチュエータ部１９２は、直動機構１９３に支持される。直動機構１９３は、たとえばモータを内蔵した駆動部によってアクチュエータ部１９２を鉛直方向に沿って移動させる。
ストライカー１９０は、直動機構１９３によってアクチュエータ部１９２の移動を制御し、アクチュエータ部１９２によって押圧ピン１９１による第１基板Ｗ１の押圧荷重を制御する。これにより、ストライカー１９０は、第１保持部１４０に吸着保持された第１基板Ｗ１の中心部を押圧して第２基板Ｗ２に接触させる。
本体部１７０の下面には、第１基板Ｗ１の上面（非接合面Ｗ１ｎ）に接触する複数のピン１７１が設けられている。複数のピン１７１は、たとえば、径寸法が０．１ｍｍ～１ｍｍであり、高さが数十μｍ～数百μｍである。複数のピン１７１は、たとえば２ｍｍの間隔で均等に配置される。
第１保持部１４０は、これら複数のピン１７１が設けられている領域のうちの一部の領域に、第１基板Ｗ１を吸着する複数の吸着部を備える。具体的には、第１保持部１４０における本体部１７０の下面には、第１基板Ｗ１を真空引きして吸着する複数の外側吸着部３０１および複数の内側吸着部３０２が設けられている。複数の外側吸着部３０１および複数の内側吸着部３０２は、平面視において円弧形状の吸着領域を有する。複数の外側吸着部３０１および複数の内側吸着部３０２は、ピン１７１と同じ高さを有する。
複数の外側吸着部３０１は、本体部１７０の外周部に配置される。複数の外側吸着部３０１は、真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続され、真空引きによって第１基板Ｗ１の外周部を吸着する。
複数の内側吸着部３０２は、複数の外側吸着部３０１よりも本体部１７０の径方向内方において、周方向に沿って並べて配置される。複数の内側吸着部３０２は、真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続され、真空引きによって第１基板Ｗ１の外周部と中心部との間の領域を吸着する。
第２保持部１４１について説明する。第２保持部１４１は、第２基板Ｗ２と同径もしくは第２基板Ｗ２より大きい径を有する本体部２００を有する。ここでは、第２基板Ｗ２よりも大きい径を有する第２保持部１４１を示している。本体部２００の上面は、第２基板Ｗ２の下面（非接合面Ｗ２ｎ）と対向する対向面である。
本体部２００の上面には、第２基板Ｗ２の下面（非接合面Ｗｎ２）に接触する複数のピン２０１が設けられている。複数のピン２０１は、たとえば、径寸法が０．１ｍｍ～１ｍｍであり、高さが数十μｍ～数百μｍである。複数のピン２０１は、たとえば２ｍｍの間隔で均等に配置される。
また、本体部２００の上面には、下側リブ２０２が複数のピン２０１の外側に環状に設けられている。下側リブ２０２は、環状に形成され、第２基板Ｗ２の外周部を全周に亘って支持する。
また、本体部２００は、複数の下側吸引口２０３を有する。複数の下側吸引口２０３は、下側リブ２０２によって囲まれた吸着領域に複数設けられる。複数の下側吸引口２０３は、図示しない吸引管を介して真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続される。
第２保持部１４１は、下側リブ２０２によって囲まれた吸着領域を複数の下側吸引口２０３から真空引きすることによって吸着領域を減圧する。これにより、吸着領域に載置された第２基板Ｗ２は、第２保持部１４１に吸着保持される。
下側リブ２０２が第２基板Ｗ２の下面の外周部を全周に亘って支持するため、第２基板Ｗ２は外周部まで適切に真空引きされる。これにより、第２基板Ｗ２の全面を吸着保持することができる。また、第２基板Ｗ２の下面は複数のピン２０１に支持されるため、第２基板Ｗ２の真空引きを解除した際に、第２基板Ｗ２が第２保持部１４１から剥がれ易くなる。
なお、ここでは図示を省略するが、接合装置４１は、図３に示す第１保持部１４０や第２保持部１４１等の前段に、トランジション、反転機構および位置調節機構等を備える。トランジションは、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔを一時的に載置する。位置調節機構は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の水平方向の向きを調節する。反転機構は、第１基板Ｗ１の表裏を反転させる。
＜検査装置の構成＞
次に、検査装置の構成について図４および図５を参照して説明する。図４は、実施形態に係る検査装置の構成を示す模式図である。また、図５は、実施形態に係る検査装置の保持部の構成を示す模式図である。なお、図４は、検査装置を側方から見た模式図であり、図５は、検査装置の保持部を上方から見た模式図である。
図４に示すように、検査装置８０は、保持部４００と、撮像ユニット５００と、照明ユニット６００とを備える。また、図５に示すように、検査装置８０は、診断部７００を備える。
図４および図５に示すように、保持部４００は、重合基板Ｔを水平に保持する。保持部４００は、本体部４１０と、複数の支持部材４２０とを備える。
本体部４１０は、重合基板Ｔよりも大径の開口４１１を有する平板枠状の部材である。本体部４１０は、移動機構４４０に接続されており、移動機構４４０によって水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）への移動および鉛直軸を中心とする回転が可能である。
複数の支持部材４２０は、開口４１１の中心に向かって延在するように本体部４１０に設けられる。重合基板Ｔは、複数の支持部材４２０の先端部に外周部が支持される。複数の支持部材４２０の先端部は、吸引管４６０を介して真空ポンプ等の吸引装置４８０に接続され、真空引きによって重合基板Ｔの下面外周部を吸着する。
撮像ユニット５００は、マクロ撮像部５１０と、マイクロ撮像部５２０と、固定部５３０と、昇降機構５４０とを備える。
マクロ撮像部５１０およびマイクロ撮像部５２０は、保持部４００の上方に配置される。マクロ撮像部５１０は、マクロ撮像用のカメラレンズ５１１と、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子５１２とを備える。マイクロ撮像部５２０は、マイクロ撮像用のカメラレンズ５２１と、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子５２２とを備える。マクロ撮像部５１０が備えるカメラレンズ５１１の倍率は、たとえば１０倍である。また、マイクロ撮像部５２０が備えるカメラレンズ５２１の倍率は、たとえば５０倍である。
マクロ撮像部５１０およびマイクロ撮像部５２０は、カメラレンズ５１１，５２１を鉛直下方に向けた状態で固定部５３０に固定される。固定部５３０は、昇降機構５４０に接続されており、昇降機構５４０によって鉛直方向に沿って移動（昇降）する。撮像ユニット５００は、昇降機構５４０を用いて固定部５３０を昇降させることにより、マクロ撮像部５１０およびマイクロ撮像部５２０と重合基板Ｔとの距離を調整することができる。
照明ユニット６００は、マクロ照明部６１０と、マイクロ照明部６２０と、固定部６３０と、昇降機構６４０とを備える。
マクロ照明部６１０およびマイクロ照明部６２０は、保持部４００の下方に配置される。具体的には、マクロ照明部６１０は、保持部４００に保持された重合基板Ｔを挟んでマクロ撮像部５１０と対向する位置に配置される。また、マイクロ照明部６２０は、保持部４００に保持された重合基板Ｔを挟んでマイクロ撮像部５２０と対向する位置に配置される。
マクロ照明部６１０は、光源６１１と、集光部６１２とを備える。光源６１１は、たとえば、１０００～１２００ｎｍの近赤外光を照射する。集光部６１２は、たとえば集光レンズであり、光源６１１から発せられた光を一点に収束させる。マイクロ照明部６２０は、マクロ照明部６１０と同様の構成を有する。すなわち、マイクロ照明部６２０は、光源６２１および集光部６２２を備えており、これらの構成は、マクロ照明部６１０が備える光源６１１および集光部６１２と同様である。
なお、光源６１１，６２１は、マクロ照明部６１０およびマイクロ照明部６２０の外部に配置されてもよい。この場合、光源６１１，６２１は、光ファイバ等を介してマクロ照明部６１０およびマイクロ照明部６２０の内部に光を供給してもよい。
マクロ照明部６１０およびマイクロ照明部６２０は、光軸を鉛直方向に向けた状態で固定部６３０に固定される。固定部６３０は、昇降機構６４０に接続されており、昇降機構６４０によって鉛直方向に沿って移動（昇降）する。照明ユニット６００は、昇降機構６４０を用いて固定部６３０を昇降させることにより、マクロ照明部６１０およびマイクロ照明部６２０と重合基板Ｔとの距離を調整することができる。
検査装置８０は、マイクロ撮像部５２０およびマイクロ照明部６２０を用いて、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２にそれぞれ形成された測定マークを撮像する。図６は、測定マークの撮像方法の一例を示す図である。また、図７は、測定マークの一例を示す図である。なお、マクロ撮像部５１０およびマクロ照明部６１０は、測定マークの場所を特定する処理に用いられるが、この点については後述する。
図６に示すように、マイクロ照明部６２０は、光源６２１から発せられる光の光軸Ａｘが鉛直方向を向くように固定部６３０（図４参照）に固定される。また、マイクロ撮像部５２０は、光軸Ａｘがカメラレンズ５２１の中心を通り、かつ、カメラレンズ５２１および撮像素子５２２に対して垂直に交わるように固定部５３０（図４参照）に固定される。なお、ここでは、重合基板Ｔの上方に撮像ユニット５００が配置され、重合基板Ｔの下方に照明ユニット６００が配置される場合の例を示したが、重合基板Ｔの上方に照明ユニット６００が配置され、重合基板Ｔの下方に撮像ユニット５００が配置されてもよい。
マイクロ撮像部５２０とマイクロ照明部６２０との距離は、たとえば人手による事前の調整作業等により、カメラレンズ５２１の焦点と集光部６２２の焦点とが一致する距離に設定される。検査装置８０は、昇降機構５４０および昇降機構６４０を連動させることにより、カメラレンズ５２１の焦点と集光部６２２の焦点とが一致する距離を保った状態でマイクロ撮像部５２０およびマイクロ照明部６２０を昇降させる。
検査装置８０は、固定部５３０および昇降機構５４０を用いてマイクロ撮像部５２０およびマイクロ照明部６２０を一体的に昇降させることで、重合基板Ｔに形成された測定マークＭ１，Ｍ２にカメラレンズ５２１および集光部６２２の焦点を位置させる。そして、検査装置８０は、測定マークＭ１，Ｍ２を撮像する。具体的には、マイクロ照明部６２０から鉛直上方に照射された光は、第２基板Ｗ２および第１基板Ｗ１を介してマイクロ撮像部５２０の撮像素子５２２へ到達する。すなわち、マイクロ撮像部５２０は、重合基板Ｔを透過した透過光により測定マークＭ１，Ｍ２を撮像する。マイクロ撮像部５２０によって撮像された画像データは、制御装置７０に出力される。
図７に示すように、画像データには、第１基板Ｗ１に形成された測定マークＭ１および第２基板Ｗ２に形成された測定マークＭ２の画像が含まれる。制御装置７０は、画像データに対し、エッジ検出等の画像認識処理を行うことにより、測定マークＭ１，Ｍ２の重心点Ｇ１，Ｇ２の座標、重心点Ｇ１，Ｇ２のずれ量等の測定結果を取得し、取得した測定結果に基づき、重合基板Ｔの接合状態を検査する。
ところで、マイクロ照明部６２０の光源６２１から発せられる光の光量が変化すると、画像データに含まれる測定マークＭ１や測定マークＭ２の輪郭の太さが変化し、エッジ検出によって検出されるエッジの位置が変化するおそれがある。この場合、重心点Ｇ１，Ｇ２の座標や重心点Ｇ１，Ｇ２のずれ量等の測定結果にずれが生じるおそれがある。このため、検査装置８０の測定精度を維持するためには、マイクロ照明部６２０の光源６２１から発せられる光の光量が常に一定であることが望ましい。
しかしながら、マイクロ照明部６２０が備える光源６２１は、使用するに連れて徐々に劣化し、これに伴い、実際に得られる光量が設定された光量よりも低くなる。すなわち、マイクロ照明部６２０が備える光源６２１の光量は、使用に伴い変化（低下）する。
また、仮に、マイクロ照明部６２０の光軸が鉛直方向からずれた場合にも、検査装置８０の測定結果にずれが生じるおそれがある。
そこで、接合システム１では、検査装置８０に診断部７００を設け、かかる診断部７００を用いてマイクロ照明部６２０の光量チェックおよび光軸チェックを行うこととした。
図５に示すように、診断部７００は、保持部４００の本体部４１０に設けられ、開口４１１の中心に向かって延在する取付部７１０と、取付部７１０の先端部に取り付けられた減衰部材７２０とを備える。取付部７１０は、隣り合う２つの支持部材４２０の間に配置される。取付部７１０は、支持部材４２０よりも短く、減衰部材７２０は、平面視において複数の支持部材４２０に支持された重合基板Ｔから露出する位置に配置される。これにより、検査装置８０は、保持部４００に重合基板Ｔが保持された状態であっても、診断部７００を用いた光量チェックや光軸チェックを行うことができる。
図８は、実施形態に係る減衰部材７２０の構成を示す図である。また、図９は、減衰部材７２０に形成された校正マークの一例を示す図である。
図８に示すように、減衰部材７２０は、ガラス板７２１と、複数（ここでは２つ）のシリコン板７２２とを備える。ガラス板７２１および２つのシリコン板７２２は、下方からシリコン板７２２、ガラス板７２１およびシリコン板７２２の順に積層される。
光量チェックは、光源６２１から照射され減衰部材７２０を透過した光をマイクロ撮像部５２０で受光し、受光した光の光量をチェックすることによって行われる。光源６２１の光量は、重合基板Ｔを透過させるために比較的高い値に設定される。このため、光量チェックの際に、光源６２１から発せられる光をマイクロ撮像部５２０で直接撮像した場合、光量が強すぎて適切な画像が得られないおそれがある。そこで、検査装置８０では、光源６２１から発せられる光をシリコン板７２２を用いて重合基板Ｔと同じように減衰させることとした。これにより、光量チェックを適切に行うことができる。なお、減衰部材７２０は、少なくとも１つのシリコン板７２２を備えていればよい。
検査装置８０は、予め決められた時刻（たとえば、毎日２４時）が到来する毎に光量チェックを行ってもよい。また、検査装置８０は、重合基板Ｔの処理枚数または処理ロット数が予め決められた数に達する毎に光量チェックを行ってもよい。また、検査装置８０は、予め決められた時間間隔で（たとえば、１２時間ごとに）光量チェックを行ってもよい。上述したように、検査装置８０は、保持部４００に重合基板Ｔが保持された状態であっても光量チェックを行うことができるため、重合基板Ｔの有無にかかわらず、定期的に光量チェックを行うことが容易である。
ガラス板７２１には校正マークＭ３が形成される。校正マークＭ３は、たとえば蒸着によってガラス板７２１に形成される。このように、ガラス板７２１に校正マークＭ３を形成することで、たとえばシリコン板７２２に校正マークＭ３を形成する場合と比べて安価に減衰部材７２０を形成することができる。なお、減衰部材７２０は、必ずしもガラス板７２１を備えることを要せず、シリコン板７２２に校正マークＭ３が形成されたものであってよい。
図９に示すように、校正マークＭ３は、たとえば、第１の四角Ｍ３ａと、第２の四角Ｍ３ｂとを含む。第１の四角Ｍ３ａおよび第２の四角Ｍ３ｂは、均一な厚みを持った四角の枠形状を有する。第２の四角Ｍ３ｂは、第１の四角Ｍ３ａよりも小さく、第１の四角Ｍ３ａの内部に配置される。また、第１の四角Ｍ３ａの重心Ｇ３ａの位置と、第２の四角Ｍ３ｂの重心Ｇ３ｂの位置とは、一致する。
光軸チェックは、マイクロ撮像部５２０によって撮像された画像データに基づき算出される、第１の四角Ｍ３ａの重心Ｇ３ａの座標と、第２の四角Ｍ３ｂの重心Ｇ３ｂの座標とのずれの程度をチェックすることによって行われる。すなわち、仮に、マイクロ照明部６２０の光軸が傾いている場合、画像データに含まれる第１の四角Ｍ３ａ、第２の四角Ｍ３ｂの枠の太さが不均一になることで、重心Ｇ３ａ，Ｇ３ｂの座標が一致しなくなる。検査装置８０は、かかる重心Ｇ３ａ，Ｇ３ｂの座標のずれをチェックすることによって光軸の傾きの有無を判定することができる。
光源６２１の劣化に起因する光量の低下は、経時的に起こるのに対し、光軸のずれは、たとえば、メンテナンス時に人が接触した場合等、突発的に起こるケースが多い。このため、検査装置８０は、光量チェックの実行頻度と比較して光軸チェックの実行頻度を少なくしてもよい。たとえば、検査装置８０は、光量チェックを複数回行う毎に、光軸チェックを１回行うようにしてもよい。また、検査装置８０は、電源投入時に光軸チェックを行うようにしてもよい。
＜制御装置の構成＞
次に、制御装置７０の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、実施形態に係る制御装置７０の構成を示すブロック図である。なお、図１０には、制御装置７０が備える構成のうち、検査装置８０に関連する構成を示している。
図１０に示すように、制御装置７０は、制御部７１と、記憶部７２とを備える。制御部７１は、測定制御部７１ａと、診断制御部７１ｂとを備える。また、記憶部７２は、光量初期情報７２ａを記憶する。
なお、制御装置７０は、たとえば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、入出力ポートなどを有するコンピュータや各種の回路を含む。
コンピュータのＣＰＵは、たとえば、ＲＯＭに記憶されたプログラムを読み出して実行することによって、制御部７１の測定制御部７１ａおよび診断制御部７１ｂとして機能する。なお、測定制御部７１ａおよび診断制御部７１ｂの少なくともいずれか一つまたは全部は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のハードウェアで構成されてもよい。
また、記憶部７２は、たとえば、ＲＡＭやＨＤＤに対応する。ＲＡＭやＨＤＤは、光量初期情報７２ａを記憶することができる。なお、制御装置７０は、有線や無線のネットワークで接続された他のコンピュータや可搬型記録媒体を介して上記したプログラムや各種情報を取得することとしてもよい。
（測定制御部について）
測定制御部７１ａは、重合基板Ｔの板面上に複数（たとえば、５～１３点）の測定点を設定し、検査装置８０に対し、各測定点において重合基板Ｔの測定を行わせる。
具体的には、検査装置８０では、まず、重合基板Ｔの搬入処理が行われる。重合基板Ｔは、搬送装置６１（図１参照）によって検査装置８０の内部に搬送される。検査装置８０は、図示しないリフターを用いて搬送装置６１から重合基板Ｔを受け取り、リフターを移動させて、複数の支持部材４２０上に重合基板Ｔを載置する。その後、吸引装置４８０が吸引管４６０を介して重合基板Ｔを真空引きすることにより、重合基板Ｔが保持部４００に吸着保持される。
つづいて、検査装置８０では、θアライメント処理が行われる。θアライメント処理は、重合基板Ｔの回転方向における位置を調整する処理である。具体的には、検査装置８０は、重合基板Ｔ上に存在する複数の基準点（たとえば、重合基板Ｔの中心部に位置する基準点とその隣に位置する基準点）をマクロ撮像部５１０により撮像する。そして、検査装置８０は、得られた画像から重合基板Ｔの回転角度を計算し、この回転角度が０度となるように、移動機構４４０を用いて重合基板Ｔを回転させる。この基準点は、たとえば、第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２上に露光処理によってパターンを形成する際に、パターンとともに１ショットごとに第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２上に形成されるものである。すなわち、検査装置８０は、１ショットごとのパターンの並び方向が常に同じ方向となるように、重合基板Ｔを回転させる。
つづいて、検査装置８０では、測定処理が行われる。具体的には、検査装置８０は、移動機構４４０を用いて保持部４００を水平移動させることにより、１つ目の測定点の鉛直線上にマイクロ撮像部５２０およびマイクロ照明部６２０を位置させる。その後、検査装置８０は、マイクロ撮像部５２０のフォーカス合わせや保持部４００の位置補正等を行ったうえで、マイクロ撮像部５２０およびマイクロ照明部６２０を用いて１つ目の測定点に位置する測定マークＭ１，Ｍ２の撮像を行う。
検査装置８０は、残りの測定点についても同様の処理を行う。すなわち、検査装置８０は、上述した処理を測定点数分繰り返す。
測定制御部７１ａは、検査装置８０から測定結果としての画像データを取得する。そして、測定制御部７１ａは、取得した画像データに基づき、重合基板Ｔにおける第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とのずれ量を含む検査結果を導出する。具体的には、測定制御部７１ａは、画像データを解析することにより、各測定点における、測定マークＭ１のＸ座標（ｘ１）ならびにＹ座標（ｙ１）、測定マークＭ２のＸ座標（ｘ２）ならびにＹ座標（ｙ２）を算出する。また、測定制御部７１ａは、測定マークＭ１，Ｍ２のＸ座標のずれ量（Δｘ）および測定マークＭ１，Ｍ２のＹ座標のずれ量（Δｙ）を算出する。そして、測定制御部７１ａは、予め用意された計算モデルに、第１の測定点数分（ここでは、５点分）の算出結果（ｘ１，ｙ１，ｘ２，ｙ２，Δｘ，Δｙ）を代入する。
計算モデルは、たとえば、第２基板Ｗ２に対する第１基板Ｗ１のずれ量を、Ｘ軸方向のずれ（Ｘシフト）、Ｙ軸方向のずれ（Ｙシフト）、鉛直軸を中心とする回転方向へのずれ（ロテート）、伸び縮みによるずれ（スケーリング）の各成分に分解するものである。測定制御部７１ａは、この計算モデルを用いて、上記成分ごとの検査結果を取得し、取得した検査結果を記憶部７２に記憶させる。
（診断制御部について）
診断制御部７１ｂは、検査装置８０による光量チェックおよび光軸チェックの動作を制御する。
記憶部７２に記憶された光量初期情報７２ａは、光量チェックにおいて用いられる。光量初期情報７２ａは、マイクロ照明部６２０が備える光源６２１の設定光量と、この設定光量にて光源６２１から発せられた光を減衰部材７２０を介してマイクロ撮像部５２０が受光した場合の受光量との関係を示す情報である。設定光量とは、光源６２１に対して出力される光量の指令値である。たとえば、光量初期情報７２ａには、光源６２１の設定光量「１００」と、マイクロ撮像部５２０における受光量「８０」とが関連づけられているものとする。
光量初期情報７２ａは、光源６２１の劣化が生じる前の、光源６２１の設定光量とマイクロ撮像部５２０における受光量との初期の関係を示す情報であり、たとえば接合システム１の立ち上げ時や初回使用時に生成される。光源６２１が使用によって劣化した場合、設定光量「１００」にて発光するよう光源６２１に対して指令を出したとしても、実際に得られる光量、すなわち、マイクロ撮像部５２０における受光量は、「８０」を下回るようになる。
なお、光量チェック処理および光軸チェック処理の具体的な手順については、図１２および図１３を用いて後述する。
＜接合システムの具体的動作＞
次に、接合システム１の具体的な動作について説明する。まず、接合装置４１によって重合基板Ｔが形成されるまでの処理手順について図１１を参照して説明する。図１１は、接合システム１が実行する処理のうち、接合装置４１によって重合基板Ｔが形成されるまでの処理の手順の一例を示すフローチャートである。図１１に示す各種の処理は、制御装置７０による制御に基づいて実行される。
まず、複数枚の第１基板Ｗ１を収容したカセットＣ１、複数枚の第２基板Ｗ２を収容したカセットＣ２、および空のカセットＣ３が、搬入出ステーション２の所定の載置板１１に載置される。その後、搬送装置２２によりカセットＣ１内の第１基板Ｗ１が取り出され、第３処理ブロックＧ３に配置されたトランジション装置に搬送される。
次に、第１基板Ｗ１は、搬送装置６１によって第１処理ブロックＧ１の表面改質装置３０に搬送される。表面改質装置３０では、所定の減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオンが第１基板Ｗ１の接合面に照射されて、当該接合面がプラズマ処理される。これにより、第１基板Ｗ１の接合面が改質される（ステップＳ１０１）。
次に、第１基板Ｗ１は、搬送装置６１によって第２処理ブロックＧ１の表面親水化装置４０に搬送される。表面親水化装置４０では、スピンチャックに保持された第１基板Ｗ１を回転させながら、第１基板Ｗ１上に純水を供給する。これにより、第１基板Ｗ１の接合面が親水化される。また、当該純水によって、第１基板Ｗ１の接合面が洗浄される（ステップＳ１０２）。
次に、第１基板Ｗ１は、搬送装置６１によって第２処理ブロックＧ２の接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された第１基板Ｗ１は、トランジションを介して位置調節機構に搬送され、位置調節機構によって水平方向の向きが調節される（ステップＳ１０３）。
その後、位置調節機構から反転機構に第１基板Ｗ１が受け渡され、反転機構によって第１基板Ｗ１の表裏面が反転される（ステップＳ１０４）。具体的には、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊが下方に向けられる。
その後、反転機構から第１保持部１４０に第１基板Ｗ１が受け渡される。第１基板Ｗ１は、ノッチ部を予め決められた方向に向けた状態で、第１保持部１４０に吸着保持される（ステップＳ１０５）。
第１基板Ｗ１に対するステップＳ１０１～Ｓ１０５の処理と重複して、第２基板Ｗ２の処理が行われる。まず、搬送装置２２によりカセットＣ２内の第２基板Ｗ２が取り出され、第３処理ブロックＧ３に配置されたトランジション装置に搬送される。
次に、第２基板Ｗ２は、搬送装置６１によって表面改質装置３０に搬送され、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊが改質される（ステップＳ１０６）。その後、第２基板Ｗ２は、搬送装置６１によって表面親水化装置４０に搬送され、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊが親水化されるとともに当該接合面が洗浄される（ステップＳ１０７）。
その後、第２基板Ｗ２は、搬送装置６１によって接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された第２基板Ｗ２は、トランジションを介して位置調節機構に搬送される。そして、位置調節機構によって、第２基板Ｗ２の水平方向の向きが調節される（ステップＳ１０８）。
その後、第２基板Ｗ２は、第２保持部１４１に搬送され、ノッチ部を予め決められた方向に向けた状態で第２保持部１４１に吸着保持される（ステップＳ１０９）。
つづいて、第１保持部１４０に保持された第１基板Ｗ１と第２保持部１４１に保持された第２基板Ｗ２との水平方向の位置調節が行われる（ステップＳ１１０）。
次に、第１保持部１４０に保持された第１基板Ｗ１と第２保持部１４１に保持された第２基板Ｗ２との鉛直方向位置の調節を行う（ステップＳ１１１）。具体的には、第１移動部１６０が第２保持部１４１を鉛直上方に移動させることによって、第２基板Ｗ２を第１基板Ｗ１に接近させる。
次に、複数の内側吸着部３０２による第１基板Ｗ１の吸着保持を解除した後（ステップＳ１１２）、ストライカー１９０の押圧ピン１９１を下降させることによって、第１基板Ｗ１の中心部を押下する（ステップＳ１１３）。
第１基板Ｗ１の中心部が第２基板Ｗ２の中心部に接触し、第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部とがストライカー１９０によって所定の力で押圧されると、押圧された第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部との間で接合が開始される。すなわち、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊはそれぞれステップＳ１０１，Ｓ１０９において改質されているため、まず、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ同士が接合される。さらに、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊはそれぞれステップＳ１０２，Ｓ１１０において親水化されているため、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ間の親水基が水素結合し、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ同士が強固に接合される。このようにして、接合領域が形成される。
その後、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間では、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の中心部から外周部に向けて接合領域が拡大していくボンディングウェーブが発生する。その後、複数の外側吸着部３０１による第１基板Ｗ１の吸着保持が解除される（ステップＳ１１４）。これにより、外側吸着部３０１によって吸着保持されていた第１基板Ｗ１の外周部が落下する。この結果、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊが全面で当接し、重合基板Ｔが形成される。
その後、押圧ピン１９１を第１保持部１４０まで上昇させ、第２保持部１４１による第２基板Ｗ２の吸着保持を解除する。その後、重合基板Ｔは、搬送装置６１によって接合装置４１から搬出される。こうして、一連の接合処理が終了する。
次に、検査装置８０における光量チェック処理の手順について図１２を参照して説明する。図１２は、光量チェック処理の手順の一例を示すフローチャートである。なお、ここでは、一例として、マイクロ照明部６２０の光量チェックを行う場合の処理手順を示すが、同様の処理手順にてマクロ照明部６１０の光量チェックが行われてもよい。光量チェック処理は、診断制御部７１ｂによる制御に従って行われる。
図１２に示すように、検査装置８０では、まず、移動機構４４０（図４参照）が診断部７００を移動させることにより、診断部７００の減衰部材７２０をマイクロ照明部６２０の上方（マイクロ撮像部５２０の下方）に配置させる（ステップＳ２０１）。
つづいて、検査装置８０では、マイクロ撮像部５２０のフォーカス合わせ等を行ったうえで、マイクロ照明部６２０の光源６２１を設定光量にて発光させる（ステップＳ２０２）。光源６２１から発せられた光は、減衰部材７２０を透過してマイクロ撮像部５２０の撮像素子５２２によって受光される。
つづいて、診断制御部７１ｂは、マイクロ撮像部５２０によって撮像された画像データに基づき、マイクロ撮像部５２０における受光量（以下、「測定受光量」と記載する）を算出する（ステップＳ２０３）。また、診断制御部７１ｂは、算出した測定受光量と、光量初期情報７２ａに含まれる受光量（以下、「初期受光量」と記載する）との差分を算出する（ステップＳ２０４）。そして、診断制御部７１ｂは、測定受光量と初期受光量との差分が閾値（以下、「光量閾値」と記載する）未満であるか否かを判定する（ステップＳ２０５）。
ステップＳ２０５において、測定受光量と初期受光量との差が光量閾値以上である場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、すなわち、光源６２１の光量が正常でない場合、診断制御部７１ｂは、現在のモードが自動調整モードであるか否かを判定する（ステップＳ２０６）。ステップＳ２０６において、自動調整モード中であると判定した場合（ステップＳ２０６，Ｙｅｓ）、診断制御部７１ｂは、光源６２１の設定光量を変更する（ステップＳ２０７）。具体的には、診断制御部７１ｂは、光源６２１の設定光量を上げる。たとえば、診断制御部７１ｂは、測定受光量と初期受光量との差分だけ設定光量を上げてもよい。また、診断制御部７１ｂは、予め決められた量だけ設定光量を上げてもよい。ステップＳ２０６の処理を終えると、診断制御部７１ｂは、ステップＳ２０２に戻り、変更後の設定光量にて光源６２１を発光させる。
一方、ステップＳ２０６において、自動調整モード中でない場合（ステップＳ２０６，Ｎｏ）診断制御部７１ｂは、報知処理を行う（ステップＳ２０８）。たとえば、診断制御部７１ｂは、報知処理として、接合システム１にネットワークを介して接続される上位装置に対し、光源６２１の光量が低下している旨の情報を送信してもよい。また、診断制御部７１ｂは、報知処理として、接合システム１に設けられた図示しない警報装置（アラームやランプ等）を作動させてもよい。
ステップＳ２０８の処理を終えた場合、または、ステップＳ２０５において、測定受光量と初期受光量との差が光量閾値未満である場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、すなわち、光源６２１の光量が正常である場合、診断制御部７１ｂは、光量チェック処理を終える。
次に、検査装置８０における光軸チェック処理の手順について図１３を参照して説明する。図１３は、光軸チェック処理の手順の一例を示すフローチャートである。
図１３に示すように、検査装置８０では、まず、移動機構４４０（図４参照）が診断部７００を移動させることにより、診断部７００の減衰部材７２０をマイクロ照明部６２０の上方（マイクロ撮像部５２０の下方）に配置させる（ステップＳ３０１）。
つづいて、検査装置８０では、マイクロ撮像部５２０のフォーカス合わせ等を行ったうえで、マイクロ照明部６２０の光源６２１を設定光量にて発光させる（ステップＳ３０２）。そして、検査装置８０では、減衰部材７２０に形成された校正マークＭ３をマイクロ撮像部５２０が撮像する（ステップＳ３０３）。
つづいて、診断制御部７１ｂは、マイクロ撮像部５２０によって撮像された画像データに基づき、第１の四角Ｍ３ａの重心Ｇ３ａおよび第２の四角Ｍ３ｂの重心Ｇ３ｂ間の距離をマーク測定値として算出する（ステップＳ３０４）。また、診断制御部７１ｂは、算出したマーク測定値と、重心Ｇ３ａ，Ｇ３ｂ間の距離の正常値（以下、「Ｒｅｆ値」と記載する）との差分を算出する（ステップＳ３０５）。なお、本実施形態では、Ｒｅｆ値が０である場合、すなわち、重心Ｇ３ａと重心Ｇ３ｂとが一致する場合を例に挙げて説明したが、Ｒｅｆ値は必ずしも０であることを要しない。
つづいて、診断制御部７１ｂは、マーク測定値とＲｅｆ値との差分が閾値（以下、「光軸閾値」と記載する）未満であるか否かを判定する（ステップＳ３０６）。この処理において、マーク測定値とＲｅｆ値との差分が光軸閾値未満でない場合（ステップＳ３０６，Ｎｏ）、診断制御部７１ｂは、報知処理を行う（ステップＳ３０７）。たとえば、診断制御部７１ｂは、報知処理として、接合システム１にネットワークを介して接続される上位装置に対し、光源６２１の光軸が傾いている旨の情報を送信してもよい。また、診断制御部７１ｂは、報知処理として、接合システム１に設けられた図示しない警報装置（アラームやランプ等）を作動させてもよい。
ステップＳ３０７の処理を終えた場合、または、ステップＳ３０６において、マーク測定値とＲｅｆ値との差分が光軸閾値未満である場合（ステップＳ３０６，Ｙｅｓ）、診断制御部７１ｂは、光軸チェック処理を終える。
上述してきたように、実施形態に係る検査装置（一例として、検査装置８０）の自己診断方法は、第１基板（一例として、第１基板Ｗ１）と第２基板（一例として、第２基板Ｗ２）とが接合された重合基板（一例として、重合基板Ｔ）を検査する検査装置の自己診断方法であって、配置する工程と、照射する工程と、受光する工程と、光量の異常を判定する工程とを含む。配置する工程は、重合基板の外周部を保持する保持部であって、光を減衰させる減衰部材（一例として、減衰部材７２０）を有する診断部（一例として、診断部７００）が設けられた保持部（一例として、保持部４００）を移動させることにより、保持部の上方および下方の一方に配置され、保持部に保持された重合基板に光を照射する照明部（一例として、マクロ照明部６１０またはマイクロ照明部６２０）と、保持部の上方および下方の他方において照明部と対向する位置に配置され、保持部に保持された重合基板を撮像する撮像部（一例として、マクロ撮像部５１０またはマイクロ撮像部５２０）との間に、減衰部材を配置する。照射する工程は、配置する工程の後、照明部から設定光量にて光を照射する。受光する工程は、照射する工程の後、照明部から照射されて減衰部材を透過した光を撮像部を用いて受光する。光量の異常を判定する工程は、受光する工程の後、撮像部にて受光された光の受光量に基づいて、照明部から照射される光の光量の異常を判定する。
実施形態に係る検査装置の自己診断方法によれば、検査装置に内蔵された診断部を用いて、照明部の光量チェックを容易に行うことができる。したがって、検査装置の測定精度の維持を容易化することが可能である。
光量の異常を判定する工程は、照明部から設定光量にて照射され、減衰部材を透過して撮像部にて受光された光の受光量として予め記憶された初期受光量（一例として、光量初期情報７２ａに含まれる初期受光量）と、撮像する工程において撮像部にて受光された光の受光量（一例として、測定受光量）との差分を算出し、差分が光量閾値以上である場合に、照明部から照射される光の光量が異常であると判定してもよい。これにより、照明部の光源の使用による劣化を容易に発見することができる。
実施形態に係る検査装置の自己診断方法は、光量の異常を判定する工程において、照明部から照射される光の光量が異常であると判定した場合に、設定光量を変更する工程をさらに含んでいてもよい。これにより、照明部から発せられる光の光量が常に一定である状態を容易に維持することができる。
減衰部材は、校正マークを有していてもよい。この場合、実施形態に係る検査装置の自己診断方法は、撮像する工程と、光軸の傾きを判定する工程とをさらに含んでいてもよい。撮像する工程は、照射する工程の後、撮像部を用いて校正マークを撮像する。光軸の傾きを判定する工程は、撮像する工程の後、撮像部によって撮像された校正マークに基づき、照明部の光軸の傾きを判定する。これにより、光量チェックを行うための診断部を用いて、光軸の傾きのチェックも行うことができる。
また、実施形態に係る検査装置（一例として、検査装置８０）は、第１基板（一例として、第１基板Ｗ１）と第２基板（一例として、第２基板Ｗ２）とが接合された重合基板（一例として、重合基板Ｔ）を検査する検査装置であって、保持部（一例として、保持部４００）と、照明部（一例として、マクロ照明部６１０またはマイクロ照明部６２０）と、撮像部（一例として、マクロ撮像部５１０またはマイクロ撮像部５２０）と、移動機構（一例として、移動機構４４０）と、診断部（一例として、診断部７００）とを備える。保持部は、重合基板の外周部を保持する。照明部は、保持部の上方および下方の一方に配置され、保持部に保持された重合基板に光を照射する。撮像部は、保持部の上方および下方の他方において照明部と対向する位置に配置され、保持部に保持された重合基板を撮像する。移動機構は、保持部を移動させる。診断部は、保持部に設けられ、照明部から照射される光を減衰させる減衰部材（一例として、減衰部材７２０）を有する。
実施形態に係る検査装置によれば、検査装置に内蔵された診断部を用いて、照明部の光量チェックを容易に行うことができる。したがって、検査装置の測定精度の維持を容易化することが可能である。
減衰部材は、シリコン（一例として、シリコン板７２２）を含んでいてもよい。照明部から発せられる光をシリコンを用いて重合基板と同じように減衰させることで、光量チェックを適切に行うことができる。
減衰部材は、シリコンと、シリコンに積層されたガラス（一例として、ガラス板７２１）と、ガラスに形成された校正マーク（一例として、校正マークＭ３）とを含んでいてもよい。ガラスに校正マークを形成することで、たとえばシリコンに校正マークを形成する場合と比べて安価に減衰部材を形成することができる。
保持部は、本体部（一例として、本体部４１０）と、複数の支持部材（一例として、支持部材４２０）とを備えていてもよい。本体部は、重合基板よりも大径の開口（一例として、開口４１１）を有する。複数の支持部材は、本体部に設けられ、開口の中心に向かって延在し、先端部において重合基板の外周部を支持する。この場合、診断部は、隣り合う２つの支持部材の間に配置されてもよい。これにより、検査装置８０の大型化を抑制することができる。
診断部は、取付部（一例として、取付部７１０）と、減衰部材（一例として、減衰部材７２０）とを備えていてもよい。取付部は、保持部に設けられ、開口の中心に向かって延在する。減衰部材は、取付部の先端部に取り付けられる。この場合、減衰部材は、重合基板の板面に対して垂直な方向から検査装置を見た平面視（一例として、図５）において、重合基板から露出する位置に配置されてもよい。これにより、保持部に重合基板が保持された状態であっても、診断部を用いた自己診断を行うことができる。
なお、上述した実施形態では、第１基板の中心部をストライカーにより押圧して第２基板に接触させて、表面が改質された第１基板および第２基板の接合面間に生じる分子間力を用いて第１基板と第２基板とを接合する接合装置を例に挙げて説明した。これに限らず、接合装置は、たとえば、第１基板および第２基板を接着剤を介して接合するタイプの接合装置であってもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ１ 第１基板
Ｗ２ 第２基板
Ｔ 重合基板
１ 接合システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
４ 検査ステーション
４１ 接合装置
７０ 制御装置
７１ 制御部
７１ａ 測定制御部
７１ｂ 診断制御部
７２ 記憶部
７２ａ 光量初期情報
８０ 検査装置
４００ 保持部
４１０ 本体部
４２０ 支持部材
４６０ 吸引管
５００ 撮像ユニット
５１０ マクロ撮像部
５２０ マイクロ撮像部
６００ 照明ユニット
６１０ マクロ照明部
６２０ マイクロ照明部
７００ 診断部
７１０ 取付部
７２０ 減衰部材

Claims (7)

  1. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板を検査する検査装置の自己診断方法であって、
    前記重合基板の外周部を保持する保持部であって、光を減衰させる減衰部材を有する診断部が設けられた前記保持部を移動させることにより、前記保持部の上方および下方の一方に配置され、前記保持部に保持された前記重合基板に光を照射する照明部と、前記保持部の上方および下方の他方において前記照明部と対向する位置に配置され、前記保持部に保持された前記重合基板を撮像する撮像部との間に、前記減衰部材を配置する工程と、
    前記配置する工程の後、前記照明部から設定光量にて光を照射する工程と、
    前記照射する工程の後、前記照明部から照射されて前記減衰部材を透過した光を前記撮像部を用いて受光する工程と、
    前記受光する工程の後、前記撮像部にて受光された光の受光量に基づいて、前記照明部から照射される光の光量の異常を判定する工程と
    を含み、
    前記減衰部材は、校正マークを有しており、
    前記照射する工程の後、前記撮像部を用いて前記校正マークを撮像する工程と、
    前記撮像する工程の後、前記撮像部によって撮像された前記校正マークに基づき、前記照明部の光軸の傾きを判定する工程と
    をさらに含む、検査装置の自己診断方法。
  2. 前記光量の異常を判定する工程は、
    前記照明部から前記設定光量にて照射され、前記減衰部材を透過して前記撮像部にて受光された光の受光量として予め記憶された初期受光量と、前記受光する工程において前記撮像部にて受光された光の受光量との差分を算出し、前記差分が光量閾値以上である場合に、前記照明部から照射される光の光量が異常であると判定する、請求項１に記載の検査装置の自己診断方法。
  3. 前記光量の異常を判定する工程において、前記照明部から照射される光の光量が異常であると判定した場合に、前記設定光量を変更する工程
    をさらに含む、請求項１または２に記載の検査装置の自己診断方法。
  4. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板を検査する検査装置であって、
    前記重合基板の外周部を保持する保持部と、
    前記保持部の上方および下方の一方に配置され、前記保持部に保持された前記重合基板に光を照射する照明部と、
    前記保持部の上方および下方の他方において前記照明部と対向する位置に配置され、前記保持部に保持された前記重合基板を撮像する撮像部と、
    前記保持部を移動させる移動機構と、
    前記保持部に設けられ、前記照明部から照射される光を減衰させる減衰部材を有する診断部と
    を備え、
    前記減衰部材は、シリコンを含む、検査装置。
  5. 前記減衰部材は、
    前記シリコンに積層されたガラスと、
    前記ガラスに形成された校正マークと
    を含む、請求項４に記載の検査装置。
  6. 第１基板と第２基板とが接合された重合基板を検査する検査装置であって、
    前記重合基板の外周部を保持する保持部と、
    前記保持部の上方および下方の一方に配置され、前記保持部に保持された前記重合基板に光を照射する照明部と、
    前記保持部の上方および下方の他方において前記照明部と対向する位置に配置され、前記保持部に保持された前記重合基板を撮像する撮像部と、
    前記保持部を移動させる移動機構と、
    前記保持部に設けられ、前記照明部から照射される光を減衰させる減衰部材を有する診断部と
    を備え、
    前記保持部は、
    前記重合基板よりも大径の開口を有する本体部と、
    前記本体部に設けられ、前記開口の中心に向かって延在し、先端部において前記重合基板の外周部を支持する複数の支持部材と
    を備え、
    前記診断部は、
    隣り合う２つの前記支持部材の間に配置される、検査装置。
  7. 前記診断部は、
    前記保持部に設けられ、前記開口の中心に向かって延在する取付部と、
    前記取付部の先端部に取り付けられた前記減衰部材と
    を備え、
    前記減衰部材は、
    前記重合基板の板面に対して垂直な方向から前記検査装置を見た平面視において、前記重合基板から露出する位置に配置される、請求項６に記載の検査装置。
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