JP7291030B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理液にて処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid.

半導体ウェハ等の基板に配線やバンプを形成する手法として、比較的安価で処理時間が短い電解めっき法が広く用いられている。電解めっき工程において上流工程から供給された基板を基板ホルダにセットし、処理槽へと搬送して基板にめっきする装置が知られている。めっき処理が完了すると、処理槽から基板ホルダを取り出して基板着脱位置へと搬送し、その基板ホルダから基板を取り出す。この一連の工程は、ロボットアームや搬送機構を駆動することでなされる。 Electroplating, which is relatively inexpensive and takes a short processing time, is widely used as a technique for forming wiring and bumps on a substrate such as a semiconductor wafer. 2. Description of the Related Art There is known an apparatus that sets a substrate supplied from an upstream process in an electrolytic plating process in a substrate holder, conveys the substrate to a processing bath, and then plates the substrate. When the plating process is completed, the substrate holder is taken out of the processing tank, transported to the substrate loading/unloading position, and the substrate is taken out of the substrate holder. This series of steps is performed by driving the robot arm and transport mechanism.

ところで、めっき処理後に基板ホルダから取り出した基板は、洗浄および乾燥する必要がある。処理基板が円形基板の場合には、ＳＲＤ（Spin Rinse Dryer）による回転洗浄および乾燥が行われる。しかし、製品の用途に応じて基板形状も変わる。近年では大型の矩形基板にめっき処理を施すことも求められている。そこで、ＳＲＤに代えてローラによる水平搬送機構を採用し、その搬送過程で基板の水平姿勢を保ちつつ洗浄および乾燥処理を実行する装置が提案されている（例えば特許文献１）。 By the way, the substrate taken out from the substrate holder after plating needs to be washed and dried. When the substrate to be processed is a circular substrate, spin cleaning and drying are performed by an SRD (Spin Rinse Dryer). However, the substrate shape also changes according to the application of the product. In recent years, there has also been a demand for plating large rectangular substrates. Therefore, an apparatus has been proposed in which a horizontal transport mechanism using rollers is employed in place of the SRD, and cleaning and drying processes are performed while the substrate is maintained in a horizontal posture during the transport process (for example, Patent Document 1).

特開２０１８－６４０４号JP 2018-6404

しかしながら、大型で特に薄い基板は撓みやすく、変形しやすい。このため、めっき前あるいはめっき後の洗浄および乾燥処理において、ローラによる水平搬送機構を採用すると、その搬送過程で基板がローラ等の構造物と干渉し、正常な搬送に支障をきたすなどの懸念があった。なお、このような問題は、矩形基板に限らず、薄型基板を採用する場合には同様に生じうる。また、洗浄および乾燥処理に限らず、処理液にて薄型基板を処理する装置においては同様に生じうる。 However, large and particularly thin substrates are susceptible to bending and deformation. Therefore, if a horizontal transport mechanism using rollers is used for cleaning and drying before or after plating, there is a concern that the board will interfere with structures such as rollers during the transport process, hindering normal transport. there were. Incidentally, such a problem is not limited to rectangular substrates, and can occur similarly when thin substrates are used. Moreover, this problem is not limited to cleaning and drying processes, and can occur similarly in apparatuses that process thin substrates with a processing liquid.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、薄型基板であっても安定に処理を行える基板処理装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and one of its objects is to provide a substrate processing apparatus capable of stably processing even thin substrates.

本発明のある態様は基板処理装置である。この基板処理装置は、基板を水平姿勢にて載置させる載置面を有する支持部と、基板に処理液を供給して基板を処理するための処理槽と、基板を処理槽内へ降下および処理槽から上昇させるために支持部を昇降させる昇降部と、処理槽の上方において、支持部に支持された基板の外周部を把持して支持部から基板を受け取る把持部と、把持部により把持された基板に気体を噴きつけて基板を乾燥させる第１のノズルと、を備える。 One aspect of the present invention is a substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus includes a support portion having a mounting surface on which a substrate is placed in a horizontal position, a processing bath for supplying a processing liquid to the substrate to process the substrate, and a substrate lowered into the processing bath. a lifting part for lifting the supporting part so as to be lifted from the processing tank; a gripping part for receiving the substrate from the supporting part by gripping the outer periphery of the substrate supported by the supporting part above the processing tank; and a first nozzle for blowing gas onto the coated substrate to dry the substrate.

本発明の基板処理装置によれば、薄型基板であっても安定に処理を行える。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, even thin substrates can be stably processed.

第１実施例に係るめっき装置を模式的に表す平面図である。1 is a plan view schematically showing a plating apparatus according to a first embodiment; FIG. 洗浄装置の全体構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing the whole cleaning equipment composition. 洗浄ユニットの構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing the structure of a washing unit. 洗浄ユニットの構成を表す斜視図である。It is a perspective view showing the structure of a washing unit. 洗浄装置の構成を表す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view showing the structure of a cleaning apparatus. クランプ機構の構成および動作を表す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the configuration and operation of a clamp mechanism; 支持機構の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of a support mechanism. クランプ機構の構成および動作を表す図である。4A and 4B are diagrams showing the configuration and operation of a clamping mechanism; FIG. クランプ機構の構成および動作を表す図である。4A and 4B are diagrams showing the configuration and operation of a clamping mechanism; FIG. 乾燥処理時の状態を表す図である。It is a figure showing the state at the time of drying processing. 前洗浄処理の流れを表すフローチャートである。4 is a flow chart showing the flow of a pre-cleaning process; 前洗浄工程における制御方法を表す図である。It is a figure showing the control method in a pre-cleaning process. 前洗浄工程における制御方法を表す図である。It is a figure showing the control method in a pre-cleaning process. 変形例に係るクランプ構造を表す断面図である。It is a sectional view showing the clamp structure concerning a modification. 第２実施例に係る洗浄ユニットの構成を表す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing the configuration of a cleaning unit according to a second embodiment; 洗浄ユニットの洗浄中の動作を表す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing the operation of the washing unit during washing;

本発明の一実施形態は、基板を処理液にて処理する基板処理装置である。この処理は、基板を処理液に浸漬するものでもよい。具体的には、基板を洗浄液に浸漬する洗浄処理でもよい。基板をめっき液に浸漬するめっき処理でもよい。基板を冷却水に浸漬する冷却処理でもよい。あるいは、基板の表面に処理液を噴き付けるものでもよい。処理液による処理後、基板の乾燥がなされる。基板処理装置は、一連の処理のために処理槽、処理液供給部、処理液排出部、支持部、把持部、昇降部、および第１のノズルを備える。 One embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus that processes a substrate with a processing liquid. This treatment may involve immersing the substrate in a treatment liquid. Specifically, a cleaning process in which the substrate is immersed in a cleaning liquid may be used. A plating treatment in which the substrate is immersed in a plating solution may also be used. A cooling treatment in which the substrate is immersed in cooling water may also be used. Alternatively, the processing liquid may be sprayed onto the surface of the substrate. After treatment with the treatment liquid, the substrate is dried. A substrate processing apparatus includes a processing tank, a processing liquid supply section, a processing liquid discharge section, a support section, a grip section, an elevating section, and a first nozzle for a series of processes.

処理液供給部が処理槽に処理液を供給する。基板を処理液に浸漬して処理する場合、処理液を清浄に保つために、処理槽から処理液をオーバーフローさせるオーバーフロー槽を設けてもよい。オーバーフローした処理液はそのまま廃棄されてもよい。あるいは、オーバーフローした処理液をフィルタ等で浄化して処理槽に戻す循環機構を設けてもよい。処理が終了すると、処理液の供給が停止され、処理液排出部が処理槽から処理液を排出する。基板に処理液を噴き付けて処理する場合、処理槽内にて基板の表面に処理液を噴き付けるための処理液噴射ノズルが設けられる。 A processing liquid supply unit supplies the processing liquid to the processing bath. When the substrate is treated by being immersed in the treatment liquid, an overflow tank for overflowing the treatment liquid from the treatment tank may be provided in order to keep the treatment liquid clean. The overflowed treatment liquid may be discarded as it is. Alternatively, a circulation mechanism may be provided for purifying the overflowed processing liquid with a filter or the like and returning it to the processing tank. When the treatment is completed, the supply of the treatment liquid is stopped, and the treatment liquid discharger discharges the treatment liquid from the treatment tank. When processing the substrate by spraying the processing liquid, a processing liquid injection nozzle is provided for spraying the processing liquid onto the surface of the substrate in the processing tank.

本実施形態では、一連の処理過程で基板を持ち替える必要があるため、支持部と把持部との間で基板の受け渡しが行われる。支持部は処理液による処理時に基板を支持し、把持部は乾燥処理時に基板を支持する。支持部は、処理槽の上方で基板を受け取る。 In this embodiment, the substrate is transferred between the supporting portion and the gripping portion because it is necessary to change the substrate in a series of processing steps. The support portion supports the substrate during processing with the processing liquid, and the grip portion supports the substrate during drying processing. The support receives the substrate above the processing bath.

支持部は、基板を水平姿勢にて載置させる載置面を有する。支持部は、薄型基板の載置状態を安定に保つための複数のクランプ部（第１クランプ機構）を含む。第１クランプ機構は、載置面との間で基板の周縁部を挟持する。複数の第１クランプ機構により、基板に対して周縁方向（外向き）のテンションをかけてもよい。それにより、薄型基板であっても撓ませることなく、安定に保持できる。 The support has a mounting surface on which the substrate is mounted in a horizontal posture. The supporting section includes a plurality of clamping sections (first clamping mechanism) for stably maintaining the mounted state of the thin substrate. The first clamping mechanism clamps the peripheral portion of the substrate with the mounting surface. A plurality of first clamping mechanisms may apply circumferential (outward) tension to the substrate. As a result, even a thin substrate can be stably held without bending.

基板を処理する際、基板を載置した支持部を昇降部により降下させる。基板を処理液に浸漬して処理する場合、処理槽に予め処理液を貯留しておき、その処理液に向けて基板を降下させてもよいが、そうすると基板の下面に気泡が付着しやすくなる。また、液跳ねが生じて処理液が他の構造物に付着し、悪影響を及ぼす可能性もある。このため、基板の降下後に処理液を供給するのが好ましい。また、基板の下面よりも下方から処理液を供給するのが好ましい。このようにすることで、液面の上昇過程で処理液の流れにより気泡を効率よく除去できる。液跳ねが生じる可能性も低い。複数種類の処理液により基板を処理してもよい。その場合、基板を処理槽内に保持しつつ、各処理液の供給および排出を順次実行するとよい。 When processing the substrate, the support section on which the substrate is placed is lowered by the elevating section. When the substrate is treated by immersing it in the treatment liquid, the treatment liquid may be stored in advance in the treatment tank and the substrate may be lowered toward the treatment liquid. . In addition, liquid splashing may occur, and the processing liquid may adhere to other structures, adversely affecting them. Therefore, it is preferable to supply the processing liquid after the substrate is lowered. Moreover, it is preferable to supply the processing liquid from below the lower surface of the substrate. By doing so, bubbles can be efficiently removed by the flow of the treatment liquid in the process of raising the liquid level. The possibility of liquid splashing is also low. A substrate may be processed with a plurality of types of processing liquids. In this case, it is preferable to sequentially supply and discharge the processing liquids while holding the substrates in the processing bath.

処理液による処理が終了すると、昇降部により支持部を上昇させる。その後、支持部から把持部への基板の受け渡しがなされる。支持部に基板を載置したまたでは基板の下面を乾燥し難いためである。把持部は、基板の外周部を把持し、基板の上下面を開放させる。把持部は、複数のクランプ部（第２クランプ機構）を含んでもよい。複数の第２クランプ機構により、基板に対して周縁方向（外向き）のテンションをかけてもよい。第１のノズルは、把持部に水平に把持された基板に気体を噴きつけ、その基板を乾燥させる。 When the treatment with the treatment liquid is finished, the lifting section raises the supporting section. After that, the substrate is transferred from the supporting section to the gripping section. This is because it is difficult to dry the bottom surface of the substrate when the substrate is placed on the supporting portion. The gripping portion grips the outer peripheral portion of the substrate and opens the upper and lower surfaces of the substrate. The gripping portion may include a plurality of clamping portions (second clamping mechanisms). A plurality of second clamping mechanisms may apply circumferential (outward) tension to the substrate. The first nozzle sprays gas onto the substrate horizontally gripped by the gripper to dry the substrate.

この態様によれば、基板を載置面に載置させることで水平姿勢を維持したまま昇降させ、処理液による処理を行うことができる。乾燥処理に際しての基板の受け渡しも、基板を載置面に載置したまま行われるため、載置から把持に安定に切り替えることができる。このため、一連の処理過程で基板が撓み、他の構造物と干渉することもない。すなわち、薄型基板であっても安定に処理を行うことができる。 According to this aspect, by placing the substrate on the placement surface, the substrate can be moved up and down while maintaining the horizontal posture, and the processing using the processing liquid can be performed. Since the substrate is transferred while being placed on the placement surface during the drying process, it is possible to stably switch from placing to holding. Therefore, the substrate does not bend and interfere with other structures during a series of processing steps. That is, even a thin substrate can be stably processed.

支持部は、枠体を含んでもよい。その枠体の上面に複数の突起部を設け、それらの突起部の上面により載置面を構成してもよい。「枠体」は外枠のみ有する形状を有してもよいし、格子形状を有してもよい。後者の場合、枠体の外枠を架け渡す一または複数の架橋部を設ける。架橋部の有無およびその数については、支持対象となる基板の大きさに応じて適宜設定できる。突起部は、基板の接触可能領域（回路等の非実装領域）に合わせて配置するとよい。このような構成により、基板の下面の大部分を処理液に開放でき、処理液を基板の上下面全体に行きわたらせることができる。 The support may include a frame. A plurality of protrusions may be provided on the upper surface of the frame, and the upper surface of the protrusions may constitute the mounting surface. The "frame body" may have a shape having only an outer frame, or may have a lattice shape. In the latter case, one or more bridging portions are provided to bridge the outer frame of the frame. The presence or absence of the bridging portions and the number thereof can be appropriately set according to the size of the substrate to be supported. The protruding portion is preferably arranged in accordance with a contactable area (a non-mounting area such as a circuit) of the substrate. With such a configuration, most of the lower surface of the substrate can be exposed to the processing liquid, and the processing liquid can be spread over the entire upper and lower surfaces of the substrate.

基板処理装置は、各部（各機構）を駆動制御する制御部を備える。制御部は、支持部から把持部への基板の受け渡しをさせた後に支持部を降下させ、第１のノズルに基板を乾燥させる。その際、支持部が降下設定位置に到達しなくとも、把持部に干渉しない位置まで降下した段階で第１のノズルを駆動してもよい。それにより、全体として処理効率を高めることができる。 The substrate processing apparatus includes a control section that drives and controls each section (each mechanism). After transferring the substrate from the supporting portion to the gripping portion, the control portion lowers the supporting portion and causes the first nozzle to dry the substrate. In this case, the first nozzle may be driven at the stage where the supporting portion has fallen to a position where it does not interfere with the gripping portion even if the supporting portion does not reach the lowered setting position. Thereby, the processing efficiency can be improved as a whole.

支持部の上昇前又は上昇後に処理槽から処理液を排出してもよい。そして、支持部から把持部へ基板が受け渡された後、支持部を処理槽へ降下させてもよい。これにより、処理槽の空きスペースを利用して支持部を退避させることができる。処理槽において使用済みの処理液を予め排出しておくことで、支持部を退避させた際に載置面を清浄な状態に保つこともできる。 The processing liquid may be discharged from the processing tank before or after the support is lifted. After the substrate is transferred from the supporting part to the gripping part, the supporting part may be lowered into the processing tank. As a result, the support portion can be retracted using the empty space of the processing bath. By discharging the used processing liquid in the processing tank in advance, the mounting surface can be kept clean when the support portion is retracted.

第１のノズルとは別に第２のノズルを設け、支持部の載置面を乾燥させてもよい。そして、第１のノズルによる基板の乾燥処理（第１乾燥処理）と、第２のノズルによる載置面の乾燥処理（第２乾燥処理）とを並行させてもよい。２つの乾燥処理を並行させることで、各乾燥処理による液跳ねの影響を互いに抑制できる。例えば、第１乾燥処理による基板からの液跳ねが、第２乾燥処理の対象である載置面を濡らす等の弊害を抑制できる。特に送風による乾燥を行う場合に有効である。 A second nozzle may be provided separately from the first nozzle to dry the mounting surface of the support. Then, the drying process of the substrate by the first nozzle (first drying process) and the drying process of the mounting surface by the second nozzle (second drying process) may be performed in parallel. By performing two drying processes in parallel, the effects of liquid splashing due to each drying process can be suppressed. For example, it is possible to suppress adverse effects such as wetting of the placement surface, which is the target of the second drying process, caused by liquid splashing from the substrate due to the first drying process. It is particularly effective when drying by blowing air.

支持部の降下中に第１乾燥処理を開始し、支持部の降下完了後に第２乾燥処理を開始してもよい。すなわち、載置面よりも基板の乾燥が重要であるため、第１乾燥処理のほうが第２乾燥処理よりも長い処理時間を要する場合がある。このような場合に、第２乾燥処理に先立って第１乾燥処理を開始することで全体の処理時間を短縮でき、効率化を図れる。 The first drying process may be started while the support part is being lowered, and the second drying process may be started after the support part is completely lowered. That is, since the drying of the substrate is more important than the mounting surface, the first drying process may require a longer processing time than the second drying process. In such a case, by starting the first drying process prior to the second drying process, the overall processing time can be shortened, and efficiency can be improved.

基板処理装置は、基板搬送部を備える。この基板搬送部は、基板の上面を支持する支持面を有する。基板搬送部は、基板を水平姿勢に保持しつつ支持部の載置面に受け渡し、またその載置面から基板を受け取る。「支持面」は、基板の上面を非接触状態で吸引可能な「吸引面」であってもよい。あるいは、基板の上面に接触して吸着可能な「吸着面」であってもよい。基板の清浄性を厳格に保つ観点からは、支持面が非接触タイプであることが好ましい。 The substrate processing apparatus includes a substrate transfer section. The substrate transfer section has a support surface that supports the upper surface of the substrate. The substrate transfer section holds the substrate in a horizontal position and transfers it to the mounting surface of the support section, and receives the substrate from the mounting surface. The "support surface" may be a "suction surface" capable of sucking the upper surface of the substrate in a non-contact state. Alternatively, it may be a "suction surface" capable of contacting and sucking the upper surface of the substrate. From the viewpoint of strictly maintaining the cleanliness of the substrate, it is preferable that the supporting surface is of the non-contact type.

制御部は、乾燥処理後に支持部を上昇させ、把持部から支持部への基板の受け渡しをさせる。このとき、基板を載置面に再度載置させることで水平姿勢を維持する。そして、このようにして載置面に支持された基板を基板搬送部に受け取らせる。このような構成により、搬送ローラ等を用いなくとも基板の受け渡しができる。 After the drying process, the control section raises the support section to transfer the substrate from the grip section to the support section. At this time, the horizontal posture is maintained by placing the substrate on the placement surface again. Then, the substrate supported on the mounting surface in this manner is received by the substrate transfer section. With such a configuration, the substrate can be transferred without using a conveying roller or the like.

以下、図面を参照しつつ、本実施形態を具体化した実施例について説明する。なお、以下の実施例およびその変形例において、ほぼ同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。 Hereinafter, examples embodying the present embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, in the following embodiments and modifications thereof, substantially the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

［第１実施例］
図１は、第１実施例に係るめっき装置を模式的に表す平面図である。
めっき装置１は、基板着脱部２、めっき処理部４および制御部６を備える。本実施例のめっき装置１は、基板上に突起状の電極（バンプ）を形成するためのバンプめっき装置である。基板着脱部２の前方に基板受渡台８が設けられ、基板受渡台８に隣接するように前洗浄部１０および後洗浄部１２が設けられている。なお、めっき装置１の前方には、上流工程で処理された基板を基板受渡台８に受け渡す装置が設けられるが、その説明については省略する。 [First embodiment]
FIG. 1 is a schematic plan view of a plating apparatus according to a first embodiment.
The plating apparatus 1 includes a board attaching/detaching section 2 , a plating processing section 4 and a control section 6 . A plating apparatus 1 of this embodiment is a bump plating apparatus for forming projecting electrodes (bumps) on a substrate. A substrate transfer table 8 is provided in front of the substrate attaching/detaching part 2 , and a pre-cleaning part 10 and a post-cleaning part 12 are provided so as to be adjacent to the substrate transfer table 8 . A device for transferring the substrate processed in the upstream process to the substrate transfer table 8 is provided in front of the plating apparatus 1, but the description thereof will be omitted.

基板受渡台８は、半導体ウェハ等の基板Ｗを水平姿勢にて載置する。本実施例では、基板Ｗは比較的大きな薄型基板であり撓みやすい。本実施例では、基板Ｗとして５００ｍｍ×５００ｍｍ、厚みが１ｍｍ程度の矩形基板が用いられるが、大きさ、厚み、形状はこれに限られない。基板Ｗは、ウェハの上面に銅のシード層が設けられ、その上にレジストのパターンが形成されたものである。基板Ｗにめっきする際にレジストの開口部内に気泡が存在していると、正常なめっきを行うことができない。また、シード層に有機物等が付着していると、正常なめっきを行うことができない場合がある。 The substrate transfer table 8 mounts a substrate W such as a semiconductor wafer in a horizontal posture. In this embodiment, the substrate W is a relatively large thin substrate and is easily bent. In this embodiment, a rectangular substrate having a size of 500 mm×500 mm and a thickness of about 1 mm is used as the substrate W, but the size, thickness and shape are not limited thereto. The substrate W is a wafer with a copper seed layer on top and a resist pattern formed thereon. If air bubbles exist in the openings of the resist when plating the substrate W, normal plating cannot be performed. In addition, if an organic substance or the like adheres to the seed layer, it may not be possible to perform normal plating.

前洗浄部１０は、洗浄装置１４を有し、基板Ｗの表面に付着する有機物等をめっき処理に先立って取り除く前洗浄を行う。後洗浄部１２は、洗浄装置１６を有し、めっき処理後に基板ホルダ２４から取り外された基板Ｗを洗浄する。基板着脱部２からめっき処理部４にわたってホルダ搬送機構１８が設けられている。制御部６は、各部の動作を制御する。 The pre-cleaning unit 10 has a cleaning device 14, and performs pre-cleaning for removing organic matter and the like adhering to the surface of the substrate W prior to plating. The post-cleaning section 12 has a cleaning device 16 and cleans the substrate W removed from the substrate holder 24 after plating. A holder transport mechanism 18 is provided from the substrate attaching/detaching section 2 to the plating processing section 4 . A control unit 6 controls the operation of each unit.

基板着脱部２は、着脱機構２０、基板搬送ロボット２２および移動機構２３を含む。基板搬送ロボット２２は、ロボットハンド２２ａを有する。基板搬送ロボット２２は、「基板搬送部」として機能し、基板受渡台８との基板Ｗの受け渡し、および各機構との基板Ｗの受け渡しを行う。ロボットハンド２２ａは、基板Ｗを水平姿勢のまま保持するための非接触チャックを有する。本実施例では、この非接触チャックとしてベルヌーイタイプを採用するが、サイクロンタイプとしてもよい。基板Ｗに対する清浄性が保てる場合には、接触式の吸着パッド（真空パッド）としてもよい。 The substrate attaching/detaching section 2 includes an attaching/detaching mechanism 20 , a substrate transport robot 22 and a moving mechanism 23 . The substrate transport robot 22 has a robot hand 22a. The substrate transport robot 22 functions as a "substrate transport section" and transfers the substrate W to and from the substrate transfer table 8 and to each mechanism. The robot hand 22a has a non-contact chuck for holding the substrate W in a horizontal posture. In this embodiment, a Bernoulli type chuck is used as the non-contact chuck, but a cyclone type chuck may be used. If the cleanliness of the substrate W can be maintained, a contact type suction pad (vacuum pad) may be used.

移動機構２３は、基板Ｗの受け渡し位置に応じて基板搬送ロボット２２を移動させる。基板搬送ロボット２２は、前洗浄工程においては前洗浄部１０の近傍に移動し、後洗浄工程においては後洗浄部１２の近傍に移動する。 The moving mechanism 23 moves the substrate transport robot 22 according to the transfer position of the substrate W. As shown in FIG. The substrate transport robot 22 moves to the vicinity of the pre-cleaning section 10 in the pre-cleaning process, and moves to the vicinity of the post-cleaning section 12 in the post-cleaning process.

着脱機構２０の下方には、基板ホルダ２４を収容するためのストッカ２５が設けられている。着脱機構２０は、基板ホルダ２４に対して基板Ｗを着脱させる。ホルダ搬送機構１８は、基板ホルダ２４を把持する把持機構２６と、基板ホルダ２４をめっき処理部４の各槽に搬送する搬送機構２８を有する。着脱機構２０は、また、把持機構２６に対して基板ホルダ２４を着脱させる。 A stocker 25 for storing the substrate holder 24 is provided below the attachment/detachment mechanism 20 . The attachment/detachment mechanism 20 attaches and detaches the substrate W to/from the substrate holder 24 . The holder transport mechanism 18 has a gripping mechanism 26 that grips the substrate holder 24 and a transport mechanism 28 that transports the substrate holder 24 to each bath of the plating processing section 4 . The attachment/detachment mechanism 20 also attaches and detaches the substrate holder 24 to/from the gripping mechanism 26 .

めっき処理部４は、基板着脱部２の側から順にプリウェット槽３０、プリソーク槽３２、リンス槽３４、ブロー槽３６、リンス槽３８、オーバーフロー槽４０を有する。オーバーフロー槽４０の内側に複数列のめっき槽４２が設けられている。プリウェット槽３０は、基板Ｗを脱気水に浸漬させて濡らすことで基板表面のレジスト開口部内も脱気水で満たすことができる。プリソーク槽３２は、基板Ｗの表面に生成された酸化膜を薬液でエッチング除去する。 The plating section 4 has a pre-wet tank 30 , a pre-soak tank 32 , a rinse tank 34 , a blow tank 36 , a rinse tank 38 and an overflow tank 40 in this order from the board attaching/detaching part 2 side. Plural rows of plating baths 42 are provided inside the overflow bath 40 . The pre-wet tank 30 can also fill the inside of the resist opening on the substrate surface with the degassed water by immersing the substrate W in the degassed water to wet it. The presoak tank 32 etch-removes the oxide film formed on the surface of the substrate W with a chemical solution.

リンス槽３４，３８は、基板Ｗの表面を脱イオン水で洗浄する。リンス槽３４はめっき処理前の水洗、リンス槽３８はめっき処理後の水洗を行う。ブロー槽３６は、洗浄後の基板Ｗの水切りを行う。めっき槽４２にはめっき液が貯留される。めっき槽４２に基板Ｗを浸漬させ、めっき液をオーバーフロー槽４０にオーバーフローさせつつ循環させることで、めっきを施すことができる。めっき処理は一般に、洗浄や乾燥その他の処理と比較して処理時間が長い。このため、めっき槽４２を複数設け、複数の基板Ｗを同時並行的にめっき処理できるようにしている。 The rinse tanks 34 and 38 clean the surface of the substrate W with deionized water. The rinse tank 34 is used for washing before plating, and the rinse tank 38 is used for washing after plating. The blow tank 36 drains the substrate W after cleaning. A plating solution is stored in the plating bath 42 . Plating can be performed by immersing the substrate W in the plating bath 42 and circulating the plating solution while overflowing it into the overflow bath 40 . Plating generally takes longer processing times than cleaning, drying, and other processes. Therefore, a plurality of plating baths 42 are provided so that a plurality of substrates W can be plated simultaneously.

搬送機構２８は、例えばリニアモータ方式の機構であり、基板ホルダ２４をめっき処理部４の各槽に搬送する。搬送機構２８は、各めっき槽４２での処理のタイムラグを利用して、基板ホルダ２４を次々と搬送する。 The transport mechanism 28 is, for example, a linear motor type mechanism, and transports the substrate holder 24 to each bath of the plating processing section 4 . The transport mechanism 28 transports the substrate holders 24 one after another using the time lag of the processing in each plating bath 42 .

制御部６は、マイクロコンピュータからなり、各種演算処理を実行するＣＰＵ、制御プログラム等を格納するＲＯＭ、データ格納やプログラム実行のためのワークエリアとして利用されるＲＡＭ、電源遮断後も記憶内容を保持する不揮発性メモリ、入出力インタフェース、計時用のタイマ等を備える。なお、本実施例では制御部６が各機構を駆動制御することとしたが、機構ごとに制御部を備えてもよい。その場合、各機構の制御部を統括する統括制御部を備えてもよい。 The control unit 6 consists of a microcomputer, and includes a CPU that executes various arithmetic processes, a ROM that stores control programs and the like, a RAM that is used as a work area for storing data and executing programs, and retains memory contents even after the power is turned off. It has a non-volatile memory, an input/output interface, a timer for clocking, and so on. In this embodiment, the controller 6 drives and controls each mechanism, but a controller may be provided for each mechanism. In that case, an integrated control section that integrates the control sections of each mechanism may be provided.

以上のような構成により、めっき装置１は、概略以下の動作を行う。
まず、基板搬送ロボット２２が基板受渡台８からめっき対象の基板Ｗを取り出し、洗浄装置１４にセットする。洗浄装置１４は、基板Ｗを受け取ると、有機物等を除去する前洗浄処理を実行する。この洗浄処理の詳細については後述する。前洗浄が終了すると、基板搬送ロボット２２が洗浄装置１４から基板Ｗを受け取り、着脱機構２０に渡す。着脱機構２０は、基板Ｗを基板ホルダ２４にセットし、把持機構２６に装着する。 With the configuration as described above, the plating apparatus 1 generally performs the following operations.
First, the substrate transport robot 22 takes out the substrate W to be plated from the substrate transfer table 8 and sets it in the cleaning device 14 . Upon receiving the substrate W, the cleaning device 14 performs a pre-cleaning process for removing organic matter and the like. The details of this cleaning process will be described later. After the pre-cleaning is completed, the substrate transport robot 22 receives the substrate W from the cleaning device 14 and transfers it to the loading/unloading mechanism 20 . The attaching/detaching mechanism 20 sets the substrate W on the substrate holder 24 and attaches it to the gripping mechanism 26 .

搬送機構２８は、把持機構２６をリフトアップして基板ホルダ２４を搬送し、基板Ｗを基板ホルダ２４ごとプリウェット槽３０に浸漬させる。それにより、脱気水によるプリウェット処理がなされる。なお、本実施例ではプリウェット槽３０に脱気水を貯留するが、基板表面のレジスト開口部内の空気と置換でき、レジスト開口部内も液体で満たすプリウェット処理を行えるものであれば、これに限る必要はない。 The transport mechanism 28 lifts up the gripping mechanism 26 to transport the substrate holder 24 and immerse the substrate W together with the substrate holder 24 in the pre-wet tank 30 . Thereby, a pre-wetting process is performed with degassed water. In this embodiment, the deaerated water is stored in the pre-wetting tank 30. However, if the pre-wetting process can replace the air in the resist opening on the substrate surface and fill the inside of the resist opening with liquid, it can be used. No need to limit.

なお、後述するように、洗浄装置１４におけるプリウェット処理が十分であれば、プリウェット槽３０は設けなくてもよい。 As will be described later, the pre-wet tank 30 may not be provided if the pre-wet treatment in the cleaning device 14 is sufficient.

搬送機構２８は、続いてプリウェット槽３０から基板ホルダ２４を取り出して搬送し、プリソーク槽３２に浸漬させる。プリソーク槽３２には、硫酸や塩酸などの薬液が貯留されている。基板Ｗのシード層（導電層）に酸化膜が生じている場合、この薬液によるプリソーク処理がなされることで除去される。それにより、シード層の清浄な金属面を露出させることができる。 The transport mechanism 28 then takes out the substrate holder 24 from the pre-wet bath 30 and transports it to be immersed in the pre-soak bath 32 . The pre-soak tank 32 stores chemical solutions such as sulfuric acid and hydrochloric acid. If an oxide film is formed on the seed layer (conductive layer) of the substrate W, it is removed by performing a pre-soak treatment with this chemical solution. A clean metal surface of the seed layer can thereby be exposed.

搬送機構２８は、続いてプリソーク槽３２から基板ホルダ２４を取り出して搬送し、リンス槽３４に浸漬させる。それにより、基板Ｗに付着した薬液が脱イオン水で洗い流される。搬送機構２８は、続いて基板Ｗを空いためっき槽４２に浸漬させる。なお、本実施例ではこのめっき処理において銅めっきがなされるが、めっき槽４２に供給するめっき液を変更することで、ニッケル、金めっきその他のめっきを施すこともできる。 The transport mechanism 28 then takes out the substrate holder 24 from the presoak bath 32 and transports it to be immersed in the rinse bath 34 . As a result, the chemical adhering to the substrate W is washed away with deionized water. The transport mechanism 28 subsequently immerses the substrate W in the empty plating tank 42 . In this embodiment, copper plating is performed in this plating process, but by changing the plating solution supplied to the plating tank 42, nickel, gold plating, or other plating can be performed.

このようにしてめっきが施された基板Ｗは、リンス槽３８で洗浄された後、ブロー槽３６で水切りがなされる。その後、着脱機構２０へと搬送される。着脱機構２０は、把持機構２６から基板ホルダ２４を取り外し、その基板ホルダ２４から基板Ｗを取り出す。基板搬送ロボット２２は、着脱機構２０からその基板Ｗを受け取り、洗浄装置１６にセットする。洗浄装置１６は、基板Ｗを受け取ると、後洗浄処理を実行する。 The substrate W plated in this manner is washed in the rinse bath 38 and then drained in the blow bath 36 . After that, it is transported to the attachment/detachment mechanism 20 . The attaching/detaching mechanism 20 removes the substrate holder 24 from the gripping mechanism 26 and takes out the substrate W from the substrate holder 24 . The substrate transport robot 22 receives the substrate W from the attachment/detachment mechanism 20 and sets it in the cleaning device 16 . After receiving the substrate W, the cleaning device 16 performs a post-cleaning process.

次に、洗浄装置１４の構成および動作について詳細に説明する。
図２は、洗浄装置１４の全体構成を表す斜視図である。
洗浄装置１４は、平板状のベース５０と、ベース５０に搭載された洗浄ユニット５２と、洗浄ユニット５２の上方で基板Ｗを支持する支持機構５４と、洗浄ユニット５２の上方で基板Ｗを乾燥させる乾燥機構５６を備える。支持機構５４は、乾燥処理時に基板Ｗを支持する機構であり、「把持部」として機能する。乾燥機構５６は、基板Ｗを乾燥させる機構である。 Next, the configuration and operation of cleaning device 14 will be described in detail.
FIG. 2 is a perspective view showing the overall configuration of the cleaning device 14. As shown in FIG.
The cleaning apparatus 14 includes a flat base 50, a cleaning unit 52 mounted on the base 50, a support mechanism 54 supporting the substrate W above the cleaning unit 52, and drying the substrate W above the cleaning unit 52. A drying mechanism 56 is provided. The support mechanism 54 is a mechanism that supports the substrate W during the drying process, and functions as a "gripping section". The drying mechanism 56 is a mechanism for drying the substrate W. As shown in FIG.

ベース５０の四隅に支柱５８が立設され、左右の支柱５８を架け渡すように一対のガイド部材６０ａ，６０ｂが設けられている（これらを特に区別しないときには「ガイド部材６０」と総称する）。ガイド部材６０ａ，６０ｂは、それぞれ水平に延在し、互いに平行とされている。支持機構５４は、乾燥処理時に基板Ｗを水平に保持するための一対の把持ユニット６２ａ，６２ｂを有する（これらを特に区別しないときには「把持ユニット６２」と総称する）。把持ユニット６２ａはガイド部材６０ａに吊持され、把持ユニット６２ｂはガイド部材６０ｂに吊持されている。 Supports 58 are erected at the four corners of the base 50, and a pair of guide members 60a and 60b are provided so as to bridge the left and right supports 58 (collectively referred to as "guide members 60" when not distinguished). The guide members 60a and 60b each extend horizontally and are parallel to each other. The support mechanism 54 has a pair of gripping units 62a and 62b for horizontally holding the substrate W during the drying process (these are collectively referred to as "gripping units 62" when not distinguished). The gripping unit 62a is suspended by the guide member 60a, and the gripping unit 62b is suspended by the guide member 60b.

把持ユニット６２は、ガイド部材６０と平行に延在する支持台６４と、支持台６４の延在方向に配設された一対のクランプ機構６６を有する。一対の把持ユニット６２が有する合計４つのクランプ機構６６により基板Ｗを上下から挟み、水平に支持できる。なお、クランプ機構６６の詳細については後述する。 The gripping unit 62 has a support base 64 extending parallel to the guide member 60 and a pair of clamp mechanisms 66 arranged in the extending direction of the support base 64 . A total of four clamping mechanisms 66 of the pair of gripping units 62 hold the substrate W from above and below and support it horizontally. Details of the clamp mechanism 66 will be described later.

乾燥機構５６は、一対のガイド部材６０に沿って移動可能に支持されている。ガイド部材６０ａの上面には、乾燥機構５６を駆動するリニアモータ６８が設けられている。ガイド部材６０ｂの上面には、乾燥機構５６の駆動をガイドするガイドレール７０が設けられている。乾燥機構５６は、一対のガイド部材６０に吊持される支持台７２と、支持台７２に支持された上下一対のエアナイフ７４ａ，７４ｂを有する（これらを特に区別しないときには「エアナイフ７４」と総称する）。エアナイフ７４ａ，７４ｂは、「第１のノズル」として機能し、乾燥処理時に水平に保持された基板Ｗに対して上下方向からエアを噴出する。 The drying mechanism 56 is movably supported along a pair of guide members 60 . A linear motor 68 for driving the drying mechanism 56 is provided on the upper surface of the guide member 60a. A guide rail 70 for guiding the driving of the drying mechanism 56 is provided on the upper surface of the guide member 60b. The drying mechanism 56 has a support base 72 suspended by a pair of guide members 60, and a pair of upper and lower air knives 74a and 74b supported by the support base 72 (these are collectively referred to as "air knives 74" when not distinguished). ). The air knives 74a and 74b function as "first nozzles" and eject air from above and below the substrate W held horizontally during the drying process.

図３および図４は、洗浄ユニット５２の構成を表す斜視図である。これらの図は、図２における洗浄ユニット５２を抜き出し、基板Ｗを取り外した状態を示す。図３は洗浄ユニット５２の支持機構が上昇した状態を示し、図４は下降した状態を示す。 3 and 4 are perspective views showing the configuration of the cleaning unit 52. FIG. These figures show the state in which the cleaning unit 52 in FIG. 2 is pulled out and the substrate W is removed. 3 shows a state in which the support mechanism of the cleaning unit 52 is lifted, and FIG. 4 shows a state in which it is lowered.

図３に示すように、洗浄ユニット５２は、内部機構を収容するケース８０と、ケース８０内に配設された処理槽８２と、処理槽８２に洗浄液を供給する供給機構８４と、処理槽８２から洗浄液を排出させる排出機構８６と、基板Ｗを水平姿勢にて支持可能な支持機構８８と、支持機構８８を昇降させる昇降機構９０を備える。供給機構８４は「処理液供給部」として機能し、排出機構８６は「処理液排出部」として機能する。支持機構８８は「支持部」として機能し、昇降機構９０は「昇降部」として機能する。 As shown in FIG. 3, the cleaning unit 52 includes a case 80 that houses internal mechanisms, a processing tank 82 that is disposed in the case 80, a supply mechanism 84 that supplies cleaning liquid to the processing tank 82, and a processing tank 82. A discharge mechanism 86 for discharging the cleaning liquid, a support mechanism 88 capable of supporting the substrate W in a horizontal position, and an elevating mechanism 90 for elevating the support mechanism 88 are provided. The supply mechanism 84 functions as a "treatment liquid supply section", and the discharge mechanism 86 functions as a "treatment liquid discharge section". The support mechanism 88 functions as a "support section", and the elevating mechanism 90 functions as a "elevating section".

処理槽８２は、洗浄液が供給される洗浄槽９２と、洗浄液がオーバーフローされるオーバーフロー槽９４を含む。洗浄槽９２におけるオーバーフロー槽９４とは反対側の側壁には、洗浄液の供給口９６が設けられている。本実施例では、供給口９６として横長形状のものが３つ設けられている。これらの供給口９６は、後述の支持部材１０４が降下したときに基板Ｗの下面よりも低位置となるよう位置決めされている。 The processing bath 82 includes a cleaning bath 92 to which the cleaning liquid is supplied and an overflow bath 94 into which the cleaning liquid overflows. A cleaning liquid supply port 96 is provided on the side wall of the cleaning tank 92 opposite to the overflow tank 94 . In this embodiment, three horizontally long supply ports 96 are provided. These supply ports 96 are positioned so as to be lower than the lower surface of the substrate W when the support member 104, which will be described later, is lowered.

供給機構８４は、供給口９６に連通する供給管９８、供給管９８の上流側に設けられた制御弁（供給弁および切替弁）を有する（図示せず）。切替弁は、複数種類の洗浄液のうちいずれを供給するかを切り替える。本実施例では、洗浄液として脱気水、オゾン水および脱イオン水（ＤＩＷ）の３種類が用意されている。切替弁により供給路が開放された処理液が供給管９８に供給され、供給弁の開弁により洗浄槽９２に供給される。 The supply mechanism 84 has a supply pipe 98 communicating with the supply port 96 and a control valve (a supply valve and a switching valve) provided upstream of the supply pipe 98 (not shown). The switching valve switches which of the multiple types of cleaning liquids to supply. In this embodiment, three types of cleaning liquids are prepared: degassed water, ozone water, and deionized water (DIW). The processing liquid whose supply path is opened by the switching valve is supplied to the supply pipe 98, and is supplied to the cleaning tank 92 when the supply valve is opened.

洗浄槽９２の底部中央に排出口１００が設けられている。排出機構８６は、排出口１００に連通するドレイン管、そのドレイン管に設けられた制御弁（排出弁）を有する（図示せず）。排出弁が開弁されることにより、洗浄槽９２内の処理液が排出される。 A discharge port 100 is provided at the center of the bottom of the cleaning tank 92 . The discharge mechanism 86 has a drain pipe communicating with the discharge port 100 and a control valve (discharge valve) provided in the drain pipe (not shown). The processing liquid in the cleaning tank 92 is discharged by opening the discharge valve.

昇降機構９０は、処理槽８２の周囲の四隅に設けられた昇降軸１０２と、昇降軸１０２を昇降させるエアシリンダ（図示せず）を含む。支持機構８８は、矩形板状の支持部材１０４と、支持部材１０４の周囲の四隅に配置されたクランプ機構１０６を含む。昇降軸１０２の昇降により、支持部材１０４とクランプ機構１０６が一体で昇降する。４つのクランプ機構１０６は、洗浄処理時に基板Ｗを支持部材１０４に対して固定するものである。洗浄槽９２に供給される洗浄液の水圧により、基板Ｗの位置がずれないようにするものである。 The elevating mechanism 90 includes elevating shafts 102 provided at four corners around the processing bath 82 and air cylinders (not shown) for elevating the elevating shafts 102 . The support mechanism 88 includes a rectangular plate-shaped support member 104 and clamp mechanisms 106 arranged at four corners around the support member 104 . As the lifting shaft 102 moves up and down, the support member 104 and the clamping mechanism 106 move up and down together. The four clamping mechanisms 106 fix the substrate W to the support member 104 during the cleaning process. The water pressure of the cleaning liquid supplied to the cleaning tank 92 prevents the position of the substrate W from shifting.

４つのクランプ機構１０６は、４つの昇降軸１０２にそれぞれ支持されている。支持部材１０４は、４つの昇降軸１０２に四隅を支持され、水平姿勢を維持する。具体的には、各昇降軸１０２の頂部にＬ字状の吊持部材１０５がそれぞれ固定され、４つの吊持部材１０５が支持部材１０４の四隅にそれぞれ連結されている。 The four clamp mechanisms 106 are supported by the four elevating shafts 102 respectively. The support member 104 is supported at its four corners by the four elevating shafts 102 and maintains a horizontal posture. Specifically, an L-shaped suspension member 105 is fixed to the top of each elevation shaft 102 , and the four suspension members 105 are connected to the four corners of the support member 104 .

支持部材１０４の上面には、その格子形状に沿って複数の突起部１０８が設けられている。これらの突起部１０８に基板Ｗが載置される。なお、支持部材１０４およびクランプ機構１０６の詳細については後述する。 A plurality of protrusions 108 are provided on the upper surface of the support member 104 along the lattice shape. A substrate W is placed on these protrusions 108 . Details of the support member 104 and the clamp mechanism 106 will be described later.

図４に示すように、洗浄槽９２の周囲に乾燥機構１１０が設けられている。乾燥機構１１０は、支持部材１０４の載置面（突起部１０８）を乾燥させる機構である。なお、本実施例では、基板Ｗの乾燥（第１乾燥処理）と、支持部材１０４の乾燥処理（第２乾燥処理）とを個別に実行する。基板Ｗを支持部材１０４から離脱させることにより、基板Ｗの上下面全体を効率良く乾燥させるものである。また、基板Ｗの乾燥後に支持部材１０４に再度載置するため、その載置面（突起部１０８）を乾燥させておくものである。 As shown in FIG. 4, a drying mechanism 110 is provided around the cleaning tank 92 . The drying mechanism 110 is a mechanism that dries the mounting surface (projections 108 ) of the support member 104 . In this embodiment, the drying of the substrate W (first drying process) and the drying process of the support member 104 (second drying process) are performed separately. By removing the substrate W from the support member 104, the entire upper and lower surfaces of the substrate W can be efficiently dried. Further, since the substrate W is to be placed on the support member 104 again after being dried, the placement surface (projections 108) is dried.

乾燥機構１１０は、洗浄槽９２の手前側と奥側にそれぞれ３列ずつ配置されたエアノズル１１２を含む。エアノズル１１２は、「第２のノズル」として機能する。図示のように支持部材１０４が降下状態にあるとき、６つのエアノズル１１２から複数の突起部１０８に向けてエアを均一に噴射でき（二点鎖線参照）、その上面の水分を除去できる。そのように各エアノズル１１２の角度が調整されている。 The drying mechanism 110 includes air nozzles 112 arranged in three rows on each of the front side and the back side of the cleaning tank 92 . The air nozzle 112 functions as a "second nozzle". When the support member 104 is in the lowered state as shown in the drawing, air can be uniformly jetted from the six air nozzles 112 toward the plurality of projections 108 (see two-dot chain lines), and moisture on the upper surface can be removed. The angle of each air nozzle 112 is adjusted in such a manner.

なお、支持部材１０４についてもエアナイフで上方からエアを吹き付けることにより乾燥が可能である。しかし、支持部材１０４が枠体であること、その枠体に散点的に配置された突起部１０８が乾燥対象であること等を考慮すると、層状のエアを噴出させる必要はなく、逆に非効率ともいえる。このため、本実施例では、乾燥機構１１０についてはエアノズル１１２を採用している。乾燥機構１１０の詳細については後述する。 The support member 104 can also be dried by blowing air from above with an air knife. However, considering that the support member 104 is a frame and that the projecting portions 108 scatteredly arranged on the frame are to be dried, it is not necessary to blow out layered air. Also known as efficiency. Therefore, in this embodiment, the drying mechanism 110 employs the air nozzle 112 . Details of the drying mechanism 110 will be described later.

図５は、洗浄装置１４の構成を表す縦断面図であり、図１のＡ－Ａ矢視断面に対応する。図６は、クランプ機構６６の構成および動作を表す側面図である。図６（ａ）はアンクランプ状態を示し、図６（ｂ）はクランプ状態を示す。
図５に示すように、洗浄槽９２の排出口１００に連通するようにドレイン管１１４が設けられている。洗浄槽９２の処理液は、ドレイン管１１４を介して排出される。また、オーバーフロー槽９４の底部にも排出口１１６およびドレイン管１１８が設けられている。洗浄槽９２からオーバーフローした処理液は、ドレイン管１１８を介して排出される。 FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing the structure of the cleaning device 14, and corresponds to the cross section taken along line AA in FIG. FIG. 6 is a side view showing the configuration and operation of the clamp mechanism 66. FIG. FIG. 6(a) shows the unclamped state, and FIG. 6(b) shows the clamped state.
As shown in FIG. 5, a drain pipe 114 is provided so as to communicate with an outlet 100 of the cleaning tank 92 . The processing liquid in the cleaning bath 92 is discharged through the drain pipe 114 . A discharge port 116 and a drain pipe 118 are also provided at the bottom of the overflow tank 94 . The processing liquid overflowing from the cleaning tank 92 is discharged through the drain pipe 118 .

エアナイフ７４は、スリット状のノズルを有し、圧縮されたエアを薄い層状に噴出する。エアナイフ７４ａのノズルは斜め下方に向けて開口し、エアナイフ７４ｂのノズルは斜め上方に向けて開口する。両者の傾斜角度は水平方向に対してほぼ同角度とされている。 The air knife 74 has a slit-like nozzle and ejects compressed air in a thin layer. The nozzle of the air knife 74a opens diagonally downward, and the nozzle of the air knife 74b opens diagonally upward. The inclination angles of both are substantially the same with respect to the horizontal direction.

クランプ機構６６は、支持台６４に固定されるベース１２０と、ベース１２０に支持される上下一対の把持部１２２と、把持部１２２を駆動するエアシリンダ１２４を有する。把持部１２２は、Ｔ字状のアーム１２６と、アーム１２６の先端部に固定された挟持部材１２８を含む。アーム１２６の基端部がベース１２０に回動可能に接続されている。挟持部材１２８はロッド状の部材である。アーム１２６の先端部がＵ字状に形成され、その両端を架け渡すように挟持部材１２８が設けられている。挟持部材１２８の長手方向に沿って複数のＯリング１３０（シールリング）が設けられている。 The clamp mechanism 66 has a base 120 fixed to the support table 64 , a pair of upper and lower grips 122 supported by the base 120 , and an air cylinder 124 that drives the grips 122 . The grip part 122 includes a T-shaped arm 126 and a clamping member 128 fixed to the distal end of the arm 126 . A proximal end of the arm 126 is rotatably connected to the base 120 . The holding member 128 is a rod-shaped member. A tip portion of the arm 126 is formed in a U shape, and a holding member 128 is provided so as to span both ends thereof. A plurality of O-rings 130 (seal rings) are provided along the longitudinal direction of the holding member 128 .

図６（ａ）に示すように、クランプ機構６６の非駆動状態においては、エアシリンダ１２４のロッドが進出する。このため、上側のアーム１２６ａが回動軸１３２ａを中心に図中時計回りに回動し、下側のアーム１２６ｂが回動軸１３２ｂを中心に図中反時計回りに回動する。その結果、クランプ機構６６が開放された状態（アンクランプ状態）となる。 As shown in FIG. 6A, when the clamp mechanism 66 is in a non-driving state, the rod of the air cylinder 124 is advanced. As a result, the upper arm 126a rotates clockwise around the rotation shaft 132a, and the lower arm 126b rotates counterclockwise around the rotation shaft 132b. As a result, the clamp mechanism 66 is brought into an open state (unclamped state).

一方、図６（ｂ）に示すように、クランプ機構６６の駆動状態においては、エアシリンダ１２４のロッドが後退する。このため、アーム１２６ａが図中反時計回りに回動し、アーム１２６ｂが図中時計回りに回動する。その結果、基板Ｗを挟持可能な状態（クランプ状態）となる。このクランプ状態においては、上下複数対のＯリング１３０が基板Ｗの外周部を挟持する。 On the other hand, as shown in FIG. 6B, the rod of the air cylinder 124 is retracted when the clamp mechanism 66 is driven. Therefore, the arm 126a rotates counterclockwise in the drawing, and the arm 126b rotates clockwise in the drawing. As a result, the substrate W can be held (clamped state). In this clamping state, a plurality of pairs of upper and lower O-rings 130 hold the outer peripheral portion of the substrate W therebetween.

図７は、支持機構８８の構成を表す平面図である。図７（ａ）は基板Ｗが載置されていない状態を示し、図７（ｂ）は基板Ｗが載置された状態を示す。
図７（ａ）に示すように、支持部材１０４は、長方形状の外枠１４０と、外枠１４０を左右に架け渡す架橋部１４２と、外枠１４０の前後に架け渡す２つの架橋部１４４を有し、全体として格子状に形成されている。外枠１４０と架橋部１４２，１４４とに囲まれる６つの空領域が比較的大きな面積を有し、処理液の流通を促進する。 FIG. 7 is a plan view showing the configuration of the support mechanism 88. As shown in FIG. FIG. 7(a) shows a state in which the substrate W is not placed, and FIG. 7(b) shows a state in which the substrate W is placed.
As shown in FIG. 7A, the support member 104 includes a rectangular outer frame 140, a bridging portion 142 bridging the outer frame 140 from side to side, and two bridging portions 144 bridging the front and rear sides of the outer frame 140. and is formed in a lattice shape as a whole. The six empty areas surrounded by the outer frame 140 and the bridging portions 142 and 144 have relatively large areas and promote the flow of the treatment liquid.

支持部材１０４の上面には、複数の突起部１０８が散点的に設けられている。突起部１０８は角柱あるいは円筒形状であってもよく、半球形状であってもよい。すなわち、外枠１４０の周縁部に沿って複数の突起部１０８ａが設けられ、架橋部１４２，１４４の長手方向に沿って複数の突起部１０８ｂが設けられている。突起部１０８ｂは、突起部１０８ａよりもやや小さい。 A plurality of protrusions 108 are provided in a scattered manner on the upper surface of the support member 104 . The protrusion 108 may be prismatic, cylindrical, or hemispherical. That is, a plurality of projecting portions 108a are provided along the peripheral portion of the outer frame 140, and a plurality of projecting portions 108b are provided along the longitudinal direction of the bridge portions 142 and 144. As shown in FIG. Projection 108b is slightly smaller than projection 108a.

一方、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの下面には、複数の突起部１０８の配列に対応するように帯状（格子状）の接触可能領域１４８が設定されている。接触可能領域１４８は、基板の搬送等のために接触の許された領域であり、例えば配線やバンプ等の回路が実装されていない領域である。基板Ｗは、その接触可能領域１４８において複数の突起部１０８に載置される。すなわち、基板Ｗの実装部分が支持部材１０４の表面から浮く状態となり、洗浄液が確実に行きわたるようにされている。 On the other hand, as shown in FIG. 7B, a band-like (lattice-like) contactable area 148 is set on the lower surface of the substrate W so as to correspond to the arrangement of the plurality of protrusions 108 . The contactable area 148 is an area where contact is permitted for substrate transfer or the like, and is an area where circuits such as wiring and bumps are not mounted. The substrate W rests on the plurality of protrusions 108 in its contactable area 148 . That is, the mounting portion of the substrate W is in a state of floating from the surface of the support member 104, so that the cleaning liquid can be reliably spread.

なお、本実施例では、基板Ｗの上面にも下面と同様の接触可能領域が形成されている。基板Ｗの両面のいずれを支持部材１０４に載置しても、同様に洗浄・乾燥ができるようにするものである。 In addition, in this embodiment, the upper surface of the substrate W also has a contactable area similar to that on the lower surface. The substrate W can be washed and dried in the same way regardless of which side of the substrate W is placed on the support member 104 .

図８および図９は、クランプ機構１０６の構成および動作を表す図である。図８（ａ）はアンクランプ状態を示し、図８（ｂ）はクランプ状態を示す。図９（ａ）は洗浄・乾燥時のクランプ機構１０６の機能および動作を示す断面図である。図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ部拡大図である。 8 and 9 are diagrams showing the configuration and operation of the clamp mechanism 106. FIG. FIG. 8(a) shows the unclamped state, and FIG. 8(b) shows the clamped state. FIG. 9(a) is a sectional view showing the function and operation of the clamping mechanism 106 during cleaning and drying. FIG. 9(b) is an enlarged view of the B portion of FIG. 9(a).

図８（ａ）に示すように、クランプ機構１０６は、昇降軸１０２の上部に設けられたアクチュエータ１５０と、アクチュエータ１５０により駆動されるアーム１５２を有する。アクチュエータ１５０はエアシリンダからなり、シリンダボディ１５４と、シリンダボディ１５４に設けられた支持部１５６と、シリンダボディ１５４から延出するピストンロッド１５８を有する。 As shown in FIG. 8( a ), the clamp mechanism 106 has an actuator 150 provided above the elevation shaft 102 and an arm 152 driven by the actuator 150 . Actuator 150 is an air cylinder, and has cylinder body 154 , support portion 156 provided on cylinder body 154 , and piston rod 158 extending from cylinder body 154 .

アーム１５２は、Ｌ字状の本体１６０を有する。本体１６０は、Ｌ字状の連結部材１６２を介してピストンロッド１５８に接続されている。連結部材１６２は、その一端が本体１６０に固定され、その中央において支持部１５６に回動可能に軸支されている。連結部材１６２の他端にはスリット１６３が設けられ、ピストンロッド１５８の先端が摺動可能に挿通されている。 Arm 152 has an L-shaped body 160 . Body 160 is connected to piston rod 158 via an L-shaped connecting member 162 . One end of the connecting member 162 is fixed to the main body 160 , and the center thereof is rotatably supported by the supporting portion 156 . A slit 163 is provided at the other end of the connecting member 162, and the tip of the piston rod 158 is slidably inserted therethrough.

アクチュエータ１５０の一方向への駆動によりピストンロッド１５８が進出すると、連結部材１６２が図中時計回りに回動する。それにより、アーム１５２がクランプ方向に作動する。図８（ｂ）に示すように、アーム１５２の先端は、支持部材１０４に支持された基板Ｗの上面に近接する。アクチュエータ１５０の他方向への駆動によりピストンロッド１５８が後退すると、連結部材１６２が図中反時計回りに回動する。それにより、図８（ａ）に示すように、アーム１５２がアンクランプ方向に作動する。 When the piston rod 158 advances by driving the actuator 150 in one direction, the connecting member 162 rotates clockwise in the figure. Arm 152 thereby operates in the clamping direction. As shown in FIG. 8B, the tip of the arm 152 approaches the upper surface of the substrate W supported by the support member 104. As shown in FIG. When the piston rod 158 is retracted by driving the actuator 150 in the other direction, the connecting member 162 rotates counterclockwise in the figure. Thereby, as shown in FIG. 8(a), the arm 152 operates in the unclamping direction.

図９（ａ）に示すように、本体１６０をその先端から後端にかけて貫通する流体通路１６４が形成されている。本体１６０の後端には配管継手１６６が設けられている。配管継手１６６には図示しない配管が接続され、流体通路１６４にドライエア（ＣＤＡ）又は脱イオン水（ＤＩＷ）を供給できる。 As shown in FIG. 9(a), a fluid passage 164 is formed through the main body 160 from its front end to its rear end. A pipe joint 166 is provided at the rear end of the main body 160 . A pipe (not shown) is connected to the pipe joint 166 so that dry air (CDA) or deionized water (DIW) can be supplied to the fluid passage 164 .

なお、このように、アーム１５２と基板Ｗとは非接触状態となるが、本体１６０の先端から流体が噴出されるため、流体圧力がクランプ力として作用するため、アーム１５２と支持部材１０４との間で基板Ｗを挟持できる。本実施例では、支持部材１０４を洗浄槽９２に降下させて基板Ｗを処理液に浸漬させている間、流体通路１６４に脱イオン水を供給する。一方、支持部材１０４の昇降中や上昇位置では、流体通路１６４にドライエアを供給する。すなわち、クランプ機構１０６が基板Ｗを開放するとき以外、いずれかの流体を噴き付けて基板Ｗを支持部材１０４に押し付ける。それにより、基板Ｗを支持する。 Although the arm 152 and the substrate W are thus in a non-contact state, since the fluid is ejected from the tip of the main body 160, the fluid pressure acts as a clamping force. A substrate W can be sandwiched between them. In this embodiment, deionized water is supplied to the fluid passage 164 while the support member 104 is lowered into the cleaning tank 92 and the substrate W is immersed in the processing liquid. On the other hand, dry air is supplied to the fluid passage 164 while the support member 104 is moving up and down or at the raised position. That is, except when the clamping mechanism 106 releases the substrate W, any fluid is sprayed to press the substrate W against the support member 104 . The substrate W is thereby supported.

図９（ｂ）に示すように、本体１６０の先端面にＯリング１６８（シールリング）が設けられている。これにより、クランプ作動時に本体１６０の回動が勢い余ったとしても、その先端が基板Ｗに直接接触して傷つけるような事態を防止できる。 As shown in FIG. 9B, an O-ring 168 (seal ring) is provided on the tip surface of the main body 160 . As a result, even if the rotation of the main body 160 is excessive during the clamping operation, it is possible to prevent the tip of the main body 160 from directly contacting the substrate W and damaging it.

図１０は、乾燥処理時の状態を表す図である。
基板Ｗの乾燥時には、クランプ機構６６により基板Ｗを支持した状態で乾燥機構５６を駆動する。このとき、図示のように乾燥機構５６がガイドレール７０に沿って移動しつつ、エアナイフ７４が基板Ｗに向けてエアを噴射する。この乾燥過程において、基板Ｗはエアナイフ７４ａとエアナイフ７４ｂとの間に位置する。このため、両エアナイフによりその上下面が効率的に乾燥される。 FIG. 10 is a diagram showing the state during the drying process.
When drying the substrate W, the drying mechanism 56 is driven while the substrate W is supported by the clamping mechanism 66 . At this time, the air knife 74 jets air toward the substrate W while the drying mechanism 56 moves along the guide rail 70 as shown. During this drying process, the substrate W is positioned between the air knives 74a and 74b. Therefore, the upper and lower surfaces are efficiently dried by both air knives.

またその間、支持部材１０４はドレイン済の洗浄槽９２に退避しており、乾燥機構１１０による乾燥が行われる。エアノズル１１２から噴射されたエアにより、突起部１０８に付着した水滴が除去される。このように、乾燥機構５６による第１乾燥処理と、乾燥機構１１０による第２乾燥処理とが並行する。 During this time, the support member 104 is retracted into the drained cleaning tank 92 and dried by the drying mechanism 110 . Air jetted from the air nozzle 112 removes the water droplets adhering to the protrusion 108 . Thus, the first drying process by the drying mechanism 56 and the second drying process by the drying mechanism 110 are performed in parallel.

次に、洗浄制御の流れについて説明する。
図１１は、前洗浄処理の流れを表すフローチャートである。図１２および図１３は、前洗浄工程における制御方法を表す図である。各図の（ａ）～（ｄ）は処理過程を示す。便宜上、供給弁１７０、排出弁１７２および切替弁１７４については、図１２（ａ）にのみ示し、その他の図では記載を省略している。以下、図１１に基づき、図１２，図１３を適宜参照しながら説明する。 Next, the flow of cleaning control will be described.
FIG. 11 is a flow chart showing the flow of the pre-cleaning process. 12 and 13 are diagrams showing the control method in the pre-cleaning process. (a) to (d) of each figure show the process. For convenience, the supply valve 170, the discharge valve 172 and the switching valve 174 are shown only in FIG. Hereinafter, based on FIG. 11, description will be made with appropriate reference to FIGS. 12 and 13. FIG.

制御部６は、前洗浄処理の開始にあたり、昇降機構９０および基板搬送ロボット２２を駆動して洗浄装置１４に基板Ｗをロードする（Ｓ１０）。図１２（ａ）に示すように、昇降機構９０は、支持部材１０４をロード位置まで上昇させる。基板搬送ロボット２２は、基板受渡台８から基板Ｗを水平姿勢に保持しつつ取り出し、支持部材１０４に載置する。本実施例では、ロボットハンド２２ａが基板Ｗの上面側に位置して基板Ｗを保持するようになっている。このとき、流体通路１６４を介してもドライエアの供給がなされ、クランプ機構１０６が基板Ｗをクランプする（Ｓ１２）。この時点で洗浄槽９２は空である。 At the start of the pre-cleaning process, the controller 6 drives the elevating mechanism 90 and the substrate transport robot 22 to load the substrate W into the cleaning device 14 (S10). As shown in FIG. 12(a), the lifting mechanism 90 lifts the support member 104 to the load position. The substrate transport robot 22 takes out the substrate W from the substrate transfer table 8 while holding it in a horizontal posture, and places it on the support member 104 . In this embodiment, the robot hand 22a is positioned on the upper surface side of the substrate W to hold the substrate W. As shown in FIG. At this time, dry air is also supplied through the fluid passage 164, and the clamping mechanism 106 clamps the substrate W (S12). At this point, the cleaning tank 92 is empty.

続いて、制御部６は、基板Ｗのクランプ状態を維持させたまま昇降機構９０を駆動し、支持部材１０４を洗浄槽９２へ降下させる（Ｓ１４）。図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗが洗浄槽９２内に配置される。そして図１２（ｃ）に示すように、制御部６は、供給弁１７０を開弁させて洗浄槽９２に脱気水を供給し、オーバーフローさせながらプリウェット処理を実行する（Ｓ１６）。このとき、流体通路１６４を介して脱イオン水の供給がなされ、クランプ機構１０６が基板Ｗのクランプ状態を維持する。これにより、基板Ｗのレジスト開口部内は脱気水で満たされ、気泡が除去される。本実施例では、このプリウェット処理の時間を６０秒としている。プリウェット処理が終了すると、供給弁１７０を閉じ、排出弁１７２を開いて排水する（Ｓ１８）。 Subsequently, the controller 6 drives the elevating mechanism 90 while maintaining the clamped state of the substrate W to lower the support member 104 into the cleaning tank 92 (S14). As shown in FIG. 12(b), the substrate W is placed in the cleaning tank 92. As shown in FIG. Then, as shown in FIG. 12(c), the control unit 6 opens the supply valve 170 to supply the degassed water to the cleaning tank 92, and performs the pre-wetting process while causing the water to overflow (S16). At this time, deionized water is supplied through the fluid passage 164, and the clamping mechanism 106 maintains the clamped state of the substrate W. FIG. As a result, the inside of the resist opening of the substrate W is filled with degassed water, and air bubbles are removed. In this embodiment, the pre-wetting time is set to 60 seconds. When the pre-wetting process is completed, the supply valve 170 is closed and the discharge valve 172 is opened to drain water (S18).

続いて、制御部６は、切替弁１７４を作動させて処理液をオゾン水に切り替える。また、排出弁１７２を閉じ、供給弁１７０を開いて洗浄槽９２にオゾン水を供給し、オーバーフローさせながら洗浄処理を行う（Ｓ２０）。基板Ｗのレジスト開口部内はすでに脱気水で満たされているので、脱気水はオゾン水と置換され、オゾン水の作用により基板Ｗの表面に付着した有機物等が除去され、親水性が高められる。本実施例では、この洗浄処理の時間を６０秒としている。洗浄処理が終了すると、供給弁１７０を閉弁させ、排出弁１７２を開弁させて排水する（Ｓ２２）。 Subsequently, the control unit 6 operates the switching valve 174 to switch the treatment liquid to ozone water. Also, the discharge valve 172 is closed, the supply valve 170 is opened, the ozone water is supplied to the cleaning tank 92, and the cleaning process is performed while overflowing (S20). Since the inside of the resist opening of the substrate W is already filled with degassed water, the degassed water is replaced with ozonized water, and the action of the ozonized water removes the organic substances adhering to the surface of the substrate W, thereby increasing the hydrophilicity. be done. In this embodiment, the cleaning time is set to 60 seconds. When the cleaning process is finished, the supply valve 170 is closed and the discharge valve 172 is opened to drain water (S22).

続いて、制御部６は、切替弁１７４を作動させて処理液を脱イオン水（ＤＩＷ）に切り替える。また、排出弁１７２を閉じ、供給弁１７０を開いて洗浄槽９２に脱イオン水を供給し、オーバーフローさせながらリンス処理を行う（Ｓ２４）。このとき、クランプ機構１０６の流体通路１６４を介しても脱イオン水の供給がなされる。本実施例では、このリンス処理の時間を３０秒としている。リンス処理が終了すると、供給弁１７０を閉弁させ、排出弁１７２を開弁させて排水する（Ｓ２６）。流体通路１６４を介しての脱イオン水の供給も停止され、ドライエアの供給に切り替えられる。 Subsequently, the control unit 6 operates the switching valve 174 to switch the treatment liquid to deionized water (DIW). Also, the discharge valve 172 is closed, the supply valve 170 is opened, deionized water is supplied to the cleaning tank 92, and the rinse process is performed while causing the water to overflow (S24). At this time, deionized water is also supplied through the fluid passage 164 of the clamp mechanism 106 . In this embodiment, the rinse time is 30 seconds. When the rinsing process is finished, the supply valve 170 is closed and the discharge valve 172 is opened to drain water (S26). The supply of deionized water through fluid passage 164 is also stopped and switched to the supply of dry air.

図１２（ｄ）に示すように、制御部６は、その排水と並行して昇降機構９０を駆動し、支持部材１０４を乾燥位置へ上昇させる（Ｓ２８）。そして、支持機構８８から支持機構５４への基板Ｗの受け渡しを行う（Ｓ３０）。このとき、クランプ機構６６に基板Ｗをクランプさせ、クランプ機構１０６のクランプを解除する。流体通路１６４を介したドライエアの供給は停止される。基板Ｗの受け渡しが完了すると、図１３（ａ）に示すように、支持部材１０４を降下させる（Ｓ３２）。なお、本実施例では、このときの支持部材１０４の高さを洗浄時の高さと一致させている。変形例においては、その高さを異ならせてもよい。 As shown in FIG. 12(d), the controller 6 drives the elevating mechanism 90 in parallel with the drainage to raise the support member 104 to the drying position (S28). Then, the substrate W is transferred from the support mechanism 88 to the support mechanism 54 (S30). At this time, the clamping mechanism 66 is caused to clamp the substrate W, and the clamping of the clamping mechanism 106 is released. The supply of dry air through fluid passage 164 is stopped. When the transfer of the substrate W is completed, the support member 104 is lowered (S32), as shown in FIG. 13(a). In this embodiment, the height of the support member 104 at this time is made to match the height at the time of cleaning. In a variant, the height may be different.

支持部材１０４が洗浄槽９２に退避すると、制御部６は、乾燥機構５６および乾燥機構１１０を同時に駆動する（Ｓ３４）。図１３（ｂ）に示すように、エアナイフ７４が基板Ｗを乾燥させ、エアノズル１１２が支持部材１０４（突起部１０８）を乾燥させる。このとき、クランプ機構１０６の流体通路１６４を介してもエアの供給がなされる。このように第１，第２乾燥処理が同時並行的になされることで、それぞれの乾燥処理で発生する液跳ねの影響を互いに抑制できる。本実施例では、これらの乾燥処理の時間を３０秒としている。 When the support member 104 is retracted into the cleaning tank 92, the controller 6 simultaneously drives the drying mechanism 56 and the drying mechanism 110 (S34). As shown in FIG. 13B, the air knife 74 dries the substrate W, and the air nozzle 112 dries the support member 104 (projections 108). At this time, air is also supplied through the fluid passage 164 of the clamp mechanism 106 . By performing the first and second drying processes simultaneously in this manner, the effects of liquid splashing generated in each drying process can be suppressed. In this embodiment, the time for these drying processes is 30 seconds.

エアナイフ７４は、基板Ｗに対して往復作動はせず、一方向作動で乾燥処理を終了する。一方向作動が終了すると、エアブローを停止し、元の位置に戻る。これらの乾燥処理が終了すると、流体通路１６４を介してのエアの供給を停止する。図１３（ｃ）に示すように、制御部６は、昇降機構９０を駆動して支持部材１０４をロード位置へ上昇させる（Ｓ３６）。そして、支持機構５４から支持機構８８への基板Ｗの受け渡しを行う（Ｓ３８）。基板Ｗが支持部材１０４に再度載置された後、クランプ機構６６のクランプを解除する。 The air knife 74 does not reciprocate with respect to the substrate W, and completes the drying process in one direction. When the one-way operation is finished, the air blow is stopped and it returns to its original position. After completing these drying processes, the supply of air through the fluid passage 164 is stopped. As shown in FIG. 13(c), the controller 6 drives the lifting mechanism 90 to lift the support member 104 to the load position (S36). Then, the substrate W is transferred from the support mechanism 54 to the support mechanism 88 (S38). After the substrate W is placed on the support member 104 again, the clamping mechanism 66 is released.

図１３（ｄ）に示すように、制御部６は、基板搬送ロボット２２を駆動して基板Ｗをアンロードする（Ｓ４０）。基板搬送ロボット２２は、支持部材１０４から基板Ｗを取り出し、着脱機構２０へ搬送する。その後、上述しためっき処理が開始される。 As shown in FIG. 13D, the controller 6 drives the substrate transport robot 22 to unload the substrate W (S40). The substrate transport robot 22 takes out the substrate W from the support member 104 and transports it to the loading/unloading mechanism 20 . After that, the plating process described above is started.

めっき処理の終了後、基板Ｗが洗浄装置１６に搬送され、後洗浄処理が行われる。洗浄装置１６の構成および動作は洗浄装置１４とほぼ同様であるが、洗浄槽９２に供給する処理液は脱イオン水（ＤＩＷ）のみである。後洗浄処理は、リンス槽３８で除去しきれなかっためっき液の成分やパーティクルを基板Ｗから除去する。 After finishing the plating process, the substrate W is transported to the cleaning device 16 and subjected to a post-cleaning process. The configuration and operation of the cleaning device 16 are substantially the same as those of the cleaning device 14, but the processing liquid supplied to the cleaning tank 92 is only deionized water (DIW). The post-cleaning process removes from the substrate W components of the plating solution and particles that have not been removed in the rinse bath 38 .

以上説明したように、本実施例によれば、基板Ｗを支持部材１０４に載置させることで水平姿勢を維持したまま昇降させ、洗浄処理を行うことができる。乾燥処理に際しての基板Ｗの受け渡しも、基板Ｗを支持部材１０４に載置したまま行われるため、支持態様を載置から把持に安定に切り替えることができる。このため、一連の処理過程で基板Ｗが撓み、他の構造物と干渉することもない。すなわち、基板Ｗが大型で薄い基板であっても安定に処理できる。 As described above, according to the present embodiment, the substrate W can be placed on the support member 104 and moved up and down while maintaining the horizontal posture, thereby performing the cleaning process. Since the substrate W is transferred while being placed on the support member 104 during the drying process, the support mode can be stably switched from placing to holding. Therefore, the substrate W does not bend and interfere with other structures during a series of processing steps. That is, even if the substrate W is large and thin, it can be processed stably.

また、支持部材１０４に複数の突起部１０８を散点的に設け、その突起部１０８を載置面とすることで、基板Ｗの下面の大部分を洗浄液に開放でき、基板Ｗの上下面全体に洗浄液を行きわたらせることができ、洗浄効果を高められる。 Further, by providing a plurality of protrusions 108 in a scattered manner on the support member 104 and using the protrusions 108 as a mounting surface, most of the lower surface of the substrate W can be exposed to the cleaning liquid, and the entire upper and lower surfaces of the substrate W can be exposed. It is possible to spread the cleaning liquid over the surface, and the cleaning effect can be enhanced.

また、基板Ｗの乾燥時に支持部材１０４を洗浄槽９２に退避させる構成としたため、支持部材１０４の退避スペースを別途設ける必要がない。また、脱気水によるプリウェット処理、オゾン水による洗浄処理、および脱イオン水によるリンス処理を洗浄槽９２にて行うようにしたため、各処理の処理槽を設ける必要がない。このような構成により、洗浄装置１４全体として省スペース化を図ることができる。 Further, since the supporting member 104 is retracted to the cleaning tank 92 when the substrate W is dried, there is no need to separately provide a retracting space for the supporting member 104 . Further, since the pre-wetting process with degassed water, the cleaning process with ozone water, and the rinsing process with deionized water are performed in the cleaning tank 92, there is no need to provide treatment tanks for each process. With such a configuration, it is possible to save the space of the cleaning device 14 as a whole.

さらに、基板Ｗの乾燥と支持部材１０４（突起部１０８）の乾燥とを同時並行させるため、特に基板Ｗからの液跳ねが、突起部１０８を濡らす等の弊害を抑制できる。支持部材１０４の乾燥を洗浄槽９２内で行うようにしたため、その際に吹き飛ばされた水滴を洗浄槽９２内に留め、そのまま排出口１００から排出できる。洗浄槽９２外の構造物を汚染することもない。 Furthermore, since drying of the substrate W and drying of the support member 104 (projections 108 ) are performed in parallel, it is possible to suppress adverse effects such as wetting the projections 108 especially by liquid splashing from the substrate W. Since the support member 104 is dried in the cleaning tank 92 , the water droplets blown off at that time are retained in the cleaning tank 92 and can be discharged from the discharge port 100 as they are. Structures outside the cleaning tank 92 are not contaminated.

［第２実施例］
図１５は、第２実施例に係る洗浄ユニットの構成を表す斜視図である。
本実施例は、洗浄ユニットが基板を洗浄液に浸漬するタイプではなく、洗浄液を基板の表面に噴射するタイプ（「シャワー式」ともいう）である点で第１実施例と異なる。以下、第１実施例との相異点を中心に説明する。本実施例において特に言及しない限り、第１実施例と同様の構成を適用することができる。 [Second embodiment]
FIG. 15 is a perspective view showing the configuration of the washing unit according to the second embodiment.
The present embodiment differs from the first embodiment in that the cleaning unit is not of the type in which the substrate is immersed in the cleaning liquid, but of the type in which the cleaning liquid is sprayed onto the surface of the substrate (also referred to as "shower type"). The following description will focus on differences from the first embodiment. Unless otherwise specified in this embodiment, the same configuration as in the first embodiment can be applied.

本実施例の洗浄ユニット２５２では、ケース８０が「処理槽８２（洗浄槽９２）」として機能する。処理槽８２には、供給機構２８４、昇降機構９０、および支持機構２８８が配設されている。供給機構２８４は、第１供給機構２１１および第２供給機構２１２を含む。第１供給機構２１１は、一対の可動の供給管２１４ａ，２１４ｂを備える（これらを特に区別しない場合には「供給管２１４」と総称する）。供給管２１４ａ，２１４ｂは、処理槽８２の２つの角部にそれぞれ鉛直方向の回転軸を有する。これらの回転軸は、処理槽８２の一つの対角線に沿って離間するように配置されている。 In the cleaning unit 252 of this embodiment, the case 80 functions as a "processing tank 82 (cleaning tank 92)". A supply mechanism 284 , an elevating mechanism 90 and a support mechanism 288 are arranged in the processing tank 82 . Supply mechanism 284 includes first supply mechanism 211 and second supply mechanism 212 . The first supply mechanism 211 includes a pair of movable supply pipes 214a and 214b (collectively referred to as "supply pipes 214" unless otherwise distinguished). The supply pipes 214a and 214b have vertical rotation axes at two corners of the processing tank 82, respectively. These rotating shafts are arranged along one diagonal line of the processing tank 82 so as to be separated from each other.

供給管２１４は、その回転軸から水平方向に延出している。供給管２１４は、処理槽８２の上部に位置する。供給管２１４の下面には、その延在方向に沿って複数のノズル２１８が設けられている。ノズル２１８は、「処理液噴射ノズル」として機能する。供給管２１４からは下方に向けて洗浄液が供給される。供給管２１４ａ，２１４ｂの双方が回動したときに互いに干渉しないよう、図示のように、供給管２１４ｂのほうが、供給管２１４ａよりも高い位置にある。 The supply pipe 214 extends horizontally from the axis of rotation. The supply pipe 214 is positioned above the processing bath 82 . A plurality of nozzles 218 are provided on the lower surface of the supply pipe 214 along its extending direction. The nozzle 218 functions as a "treatment liquid injection nozzle". The cleaning liquid is supplied downward from the supply pipe 214 . As shown, feed tube 214b is higher than feed tube 214a so that when both feed tubes 214a and 214b rotate, they do not interfere with each other.

第２供給機構２１２は、処理槽８２の底部に並設された複数の供給管２２４を有する。供給管２２４の上面には、その延在方向に沿って複数のノズル２２８が設けられている。ノズル２２８は、「処理液噴射ノズル」として機能する。供給管２２４からは上方に向けて洗浄液が供給される。処理槽８２の底面には、図示しない排出口が設けられている。供給管２１４，２２４から供給された洗浄液は、基板を洗浄した後に処理槽８２の底面を流れ、その排出口から排出される。 The second supply mechanism 212 has a plurality of supply pipes 224 arranged side by side at the bottom of the processing bath 82 . A plurality of nozzles 228 are provided on the upper surface of the supply pipe 224 along its extending direction. The nozzle 228 functions as a "treatment liquid injection nozzle". The cleaning liquid is supplied upward from the supply pipe 224 . A discharge port (not shown) is provided on the bottom surface of the processing tank 82 . The cleaning liquid supplied from the supply pipes 214 and 224 flows through the bottom surface of the processing tank 82 after cleaning the substrates and is discharged from the discharge port.

支持機構２８８は、矩形板状の支持部材２０４と、支持部材２０４の周囲の四隅に配置されたクランプ機構１０６を含む。支持部材２０４は、４つの空領域を有する格子状に形成されている。支持部材２０４の上面には、その格子形状に沿って複数の突起部２０８が設けられている。支持部材２０４の２辺には、突起部２０８を架け渡すロッド状の補強部材２０６が設けられている。これらの突起部２０８に基板が載置される。 The support mechanism 288 includes a rectangular plate-shaped support member 204 and clamp mechanisms 106 arranged at four corners around the support member 204 . The support member 204 is formed in a lattice shape with four empty areas. A plurality of protrusions 208 are provided on the upper surface of the support member 204 along the lattice shape. A rod-shaped reinforcing member 206 is provided on two sides of the supporting member 204 so as to span the protrusion 208 . A substrate is placed on these protrusions 208 .

図１６は、洗浄ユニット２５２の洗浄中の動作を表す斜視図である。
基板Ｗが支持部材２０４の載置面（突起部２０８）に載置され、クランプ機構１０６にクランプされた状態で洗浄ユニット２５２が駆動されると、供給管２１４が回動しつつノズル２１８から洗浄液を噴射する。供給管２２４のノズル２２８からも同時に洗浄液が噴射される。それにより、基板Ｗの上下面に洗浄液が噴き付けられる。このとき、供給管２１４は、約９０度回動しながら基板Ｗの上面をスキャンする態様で洗浄液を噴き付ける（図中二点鎖線矢印参照）。なお、供給管２１４を繰り返しスキャンさせて洗浄液を基板に噴き付けても良い。その場合、基板上の洗浄液を一方向に押し流して排出するため、供給管２１４をスキャンさせる方向を一方向とすることが好ましい。また、基板表面における洗浄液の排出性を向上させるために、支持部材２０４を水平からやや傾けた状態で洗浄処理を行うのが好ましい。 FIG. 16 is a perspective view showing the operation of the cleaning unit 252 during cleaning.
When the cleaning unit 252 is driven while the substrate W is placed on the placement surface (projections 208 ) of the support member 204 and clamped by the clamping mechanism 106 , the supply pipe 214 rotates and the cleaning liquid is supplied from the nozzle 218 . to inject. The cleaning liquid is also jetted from the nozzle 228 of the supply pipe 224 at the same time. As a result, the cleaning liquid is sprayed onto the upper and lower surfaces of the substrate W. As shown in FIG. At this time, the supply pipe 214 sprays the cleaning liquid in such a manner as to scan the upper surface of the substrate W while rotating about 90 degrees (see the two-dot chain line arrow in the drawing). Note that the supply pipe 214 may be repeatedly scanned to spray the cleaning liquid onto the substrate. In that case, it is preferable that the direction in which the supply pipe 214 is scanned is set to one direction in order to wash away the cleaning liquid on the substrate in one direction and discharge it. Further, in order to improve the dischargeability of the cleaning liquid on the substrate surface, it is preferable to perform the cleaning process with the support member 204 slightly tilted from the horizontal.

本実施例によれば、洗浄方式が異なるものの、洗浄時の基板Ｗの姿勢（水平姿勢であること）や、乾燥方法等は第１実施例と同様である。このため、第１実施例と同様の効果を得ることができる。 According to this embodiment, although the cleaning method is different, the attitude of the substrate W during cleaning (horizontal attitude), the drying method, etc. are the same as those of the first embodiment. Therefore, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発明はその特定の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能であることはいうまでもない。 Although preferred embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to these specific embodiments, and that various modifications are possible within the scope of the technical concept of the present invention. Nor.

図１４は、変形例に係るクランプ構造を表す断面図である。図１４（ａ）は第１変形例を示し、図１４（ｂ）は第２変形例を示す。
上記実施例のクランプ機構では、図９（ｂ）に示したように、アーム１５２の先端にＯリング１６８を設け、基板Ｗへの接触に対処した。第１変形例では、Ｏリングを設けることなく、アーム２６０の先端に拡径部２１０を設ける。これにより、基板Ｗにおいて流体圧力が作用する面積を大きくできるため、アーム２６０による把持力を高めることができる。この場合、アーム２６０における少なくとも先端部の材質を低硬度のものとするのが好ましい。 FIG. 14 is a cross-sectional view showing a clamp structure according to a modification. FIG. 14(a) shows a first modification, and FIG. 14(b) shows a second modification.
In the clamping mechanism of the above embodiment, an O-ring 168 is provided at the tip of the arm 152 to prevent contact with the substrate W, as shown in FIG. 9(b). In the first modified example, the enlarged diameter portion 210 is provided at the tip of the arm 260 without providing an O-ring. As a result, the area on which the fluid pressure acts on the substrate W can be increased, so that the gripping force of the arm 260 can be increased. In this case, it is preferable that the material of at least the tip portion of the arm 260 has a low hardness.

第２変形例では、アーム２６２に流体通路を設けることなく、その先端を球面形状とする。本変形例では、クランプ機構によるドライエアや脱イオン水の供給はなされない。アーム２６２と支持部材１０４とにより基板Ｗの周縁部を挟持する。本変形例によれば、アーム２６２を基板Ｗに対して点接触状態とすることで接触面積が小さく抑えられるため、基板Ｗの傷つきを抑制し、接触による汚染を最小限とすることができる。この場合も、アーム２６２における少なくとも先端部の材質を低硬度のものとするのが好ましい。 In the second modification, the tip of the arm 262 is formed into a spherical shape without providing a fluid passage. In this modified example, dry air and deionized water are not supplied by the clamping mechanism. The peripheral portion of the substrate W is held between the arm 262 and the support member 104 . According to this modification, the arm 262 is brought into point contact with the substrate W, so that the contact area can be kept small. Also in this case, it is preferable that the material of at least the tip portion of the arm 262 has a low hardness.

上記実施例では、めっき装置１において、前洗浄部１０とめっき処理部４とを別領域に設定した。変形例においては、めっき処理部に前洗浄部１０の機能を組み入れてもよい。例えば、図１に示しためっき処理部４において、プリウェット槽３０とプリソーク槽３２との間に前洗浄槽を設け、オゾン水洗浄およびリンス処理を行うようにしてもよい。 In the above embodiment, in the plating apparatus 1, the pre-cleaning section 10 and the plating processing section 4 are set in separate areas. In a modification, the function of the pre-cleaning section 10 may be incorporated into the plating processing section. For example, in the plating section 4 shown in FIG. 1, a pre-cleaning bath may be provided between the pre-wet bath 30 and the pre-soak bath 32 to perform ozone water cleaning and rinsing.

上記第１実施例では、図７（ａ）に示したように、支持部材１０４を６つの枠領域に分割した格子形状（枠形状）としたが、枠領域の数については６つに限らず、基板Ｗに設定する接触可能領域１４８の配置に応じて適宜設定できる。 In the first embodiment, as shown in FIG. 7A, the support member 104 has a lattice shape (frame shape) in which the support member 104 is divided into six frame regions, but the number of frame regions is not limited to six. , can be appropriately set according to the arrangement of the contactable area 148 set on the substrate W.

上記実施例では述べなかったが、基板の種類に応じて取り替え可能な複数種類の支持部材を用意し、洗浄ユニットに着脱可能としてもよい。基板の種類によって実装領域と非実装領域のレイアウトが異なることを考慮したものである。複数種類の支持部材は、いずれかの基板の非実装領域（接触可能領域）に対応したサイズ、形状および突起部のレイアウトを有する。このような構成により、多種多様なサイズや実装レイアウトの基板に対応できる。 Although not described in the above embodiments, a plurality of types of support members that can be replaced according to the type of substrate may be prepared and detachable from the cleaning unit. This takes into consideration that the layout of the mounting area and the non-mounting area differs depending on the type of board. The plurality of types of support members have sizes, shapes, and protrusion layouts corresponding to non-mounting regions (contactable regions) of any one of the substrates. With such a configuration, substrates of various sizes and mounting layouts can be handled.

上記実施例では述べなかったが、上流工程において基板Ｗの洗浄を行ってから、めっき装置１に基板Ｗが受け渡されるまで時間に応じ、前洗浄処理におけるオゾン水洗浄の有無を決定してもよい。上流工程において基板Ｗの洗浄を行っても、時間の経過に伴い、再び基板Ｗのレジスト開口部に露出したシード層上に有機物が付着する場合がある。よって、具体的には、制御部（管理部）が、各基板Ｗについて上流工程で基板Ｗが洗浄された時間情報を入手し、基板受渡台８にセットされるまでの経過時間を計算する。その経過時間が所定時間以上であればオゾン洗浄を実行し、所定時間未満であればオゾン洗浄を省略してもよい。すなわち、推定される基板Ｗの汚染レベルに応じてオゾン水洗浄の有無を決定してもよい。あるいはオゾン洗浄の時間を汚染レベルに応じて変更してもよい。過剰なオゾン洗浄はシード層（導通層）にダメージを与える可能性があるため、このように最適な洗浄条件を設定するのが好ましい。 Although not described in the above embodiment, whether or not to perform ozone water cleaning in the pre-cleaning process may be determined depending on the time from the cleaning of the substrate W in the upstream process to the delivery of the substrate W to the plating apparatus 1. good. Even if the substrate W is cleaned in the upstream process, organic matter may adhere to the seed layer exposed in the resist opening of the substrate W again over time. Specifically, therefore, the control unit (management unit) obtains information on the time the substrate W was cleaned in the upstream process for each substrate W, and calculates the elapsed time until it is set on the substrate transfer table 8 . If the elapsed time is longer than or equal to a predetermined time, ozone cleaning may be performed, and if the elapsed time is shorter than the predetermined time, ozone cleaning may be omitted. That is, the presence or absence of cleaning with ozone water may be determined according to the estimated contamination level of the substrate W. FIG. Alternatively, the ozone cleaning time may be changed according to the contamination level. Since excessive ozone cleaning may damage the seed layer (conducting layer), it is preferable to set the optimum cleaning conditions in this manner.

上記第１実施例では述べなかったが、洗浄槽９２に処理液を供給する際、少なくとも基板Ｗが浸漬するまで基板Ｗをわずかに傾けてもよい。具体的には、図５に示す状態において、４つの昇降軸１０２の作動を調整し、支持部材１０４を水平面に対して微小角度傾ける（例えば１／１０００～１／１００程度）。このとき、オーバーフロー槽９４側（右側）が低くなるようにする。 Although not described in the first embodiment, when the processing liquid is supplied to the cleaning tank 92, the substrate W may be slightly tilted at least until the substrate W is immersed. Specifically, in the state shown in FIG. 5, the operation of the four elevating shafts 102 is adjusted to tilt the support member 104 by a small angle (for example, about 1/1000 to 1/100) with respect to the horizontal plane. At this time, the overflow tank 94 side (right side) is lowered.

それにより、基板Ｗの右側から左側に向けて徐々に処理液に浸かるようになる。このことは、基板Ｗの下面と処理液の液面との間の空間が徐々に左側に移ること、つまり空気をオーバーフロー槽９４とは反対側に移動させることを意味する。それにより、気泡がオーバーフロー槽９４に流れ難くできる。すなわち、オーバーフロー槽９４に気泡だまりができてオーバーフローの効率を低下させることを防止又は抑制できる。その場合、基板Ｗが処理液に十分に浸かった後、基板Ｗを水平に戻すとよい。脱気水洗浄が終わった後に水平に戻してもよい。 As a result, the substrate W is gradually immersed in the processing liquid from the right side to the left side. This means that the space between the lower surface of the substrate W and the liquid surface of the processing liquid gradually shifts to the left, that is, the air moves to the opposite side of the overflow tank 94 . This makes it difficult for air bubbles to flow into the overflow tank 94 . That is, it is possible to prevent or suppress a decrease in the efficiency of overflow due to accumulation of air bubbles in the overflow tank 94 . In that case, after the substrate W is sufficiently immersed in the processing liquid, the substrate W should be returned to the horizontal position. After the degassed water washing is completed, it may be returned to the horizontal position.

このようなクランプ機構を備える基板処理装置によれば、基板本体の処理と同時にクランプ部も処理でき、基板処理全体の効率が高まる。 According to the substrate processing apparatus having such a clamping mechanism, the clamping portion can be processed simultaneously with the processing of the substrate main body, and the efficiency of the entire substrate processing is improved.

なお、本発明は上記実施例や変形例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。上記実施例や変形例に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成してもよい。また、上記実施例や変形例に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention. Various inventions may be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments and modifications. Also, some constituent elements may be deleted from all the constituent elements shown in the above embodiments and modifications.

１ めっき装置、２ 基板着脱部、４ めっき処理部、６ 制御部、８ 基板受渡台、１０ 前洗浄部、１２ 後洗浄部、１４ 洗浄装置、１６ 洗浄装置、１８ ホルダ搬送機構、２０ 着脱機構、２２ 基板搬送ロボット、２３ 移動機構、２４ 基板ホルダ、２８ 搬送機構、３０ プリウェット槽、３２ プリソーク槽、３４ リンス槽、３６ ブロー槽、３８ リンス槽、４０ オーバーフロー槽、４２ めっき槽、５２ 洗浄ユニット、５４ 支持機構、５６ 乾燥機構、６０ ガイド部材、６６ クランプ機構、７４ エアナイフ、８２ 処理槽、８４ 供給機構、８６ 排出機構、８８ 支持機構、９０ 昇降機構、９２ 洗浄槽、９４ オーバーフロー槽、９６ 供給口、９８ 供給管、１００ 排出口、１０２ 昇降軸、１０４ 支持部材、１０６ クランプ機構、１０８ 突起部、１１０ 乾燥機構、１１２ エアノズル、１１４ ドレイン管、１１６ 排出口、１１８ ドレイン管、１２２ 把持部、１２４ エアシリンダ、１２６ アーム、１２８ 挟持部材、１３０ Ｏリング、１４８ 接触可能領域、１５０ アクチュエータ、１５２ アーム、１６４ 流体通路、１６８ Ｏリング、１７０ 供給弁、１７２ 排出弁、１７４ 切替弁、２０４ 支持部材、２０８ 突起部、２１０ 拡径部、２１１ 第１供給機構、２１２ 第２供給機構、２１４ 供給管、２１８ ノズル、２２４ 供給管、２２８ ノズル、２５２ 洗浄ユニット、２６０ アーム、２６２ アーム、２８４ 供給機構、２８８ 支持機構、Ｗ 基板。 1 plating device 2 substrate attaching/detaching unit 4 plating processing unit 6 control unit 8 substrate transfer table 10 pre-cleaning unit 12 post-cleaning unit 14 cleaning device 16 cleaning device 18 holder transport mechanism 20 attachment/detachment mechanism 22 substrate transport robot, 23 moving mechanism, 24 substrate holder, 28 transport mechanism, 30 pre-wet tank, 32 pre-soak tank, 34 rinse tank, 36 blow tank, 38 rinse tank, 40 overflow tank, 42 plating tank, 52 cleaning unit, 54 support mechanism, 56 drying mechanism, 60 guide member, 66 clamp mechanism, 74 air knife, 82 treatment tank, 84 supply mechanism, 86 discharge mechanism, 88 support mechanism, 90 lifting mechanism, 92 cleaning tank, 94 overflow tank, 96 supply port , 98 supply pipe, 100 discharge port, 102 elevating shaft, 104 support member, 106 clamp mechanism, 108 protrusion, 110 drying mechanism, 112 air nozzle, 114 drain pipe, 116 discharge port, 118 drain pipe, 122 gripping portion, 124 air Cylinder, 126 Arm, 128 Clamping member, 130 O-ring, 148 Contactable area, 150 Actuator, 152 Arm, 164 Fluid passage, 168 O-ring, 170 Supply valve, 172 Discharge valve, 174 Switching valve, 204 Support member, 208 Protrusion Part 210 Expanded Diameter Part 211 First Supply Mechanism 212 Second Supply Mechanism 214 Supply Pipe 218 Nozzle 224 Supply Pipe 228 Nozzle 252 Cleaning Unit 260 Arm 262 Arm 284 Supply Mechanism 288 Support Mechanism , W substrate.

Claims (9)

基板を水平姿勢にて載置させる載置面を有する支持部と、
基板に処理液を供給して基板を処理するための処理槽と、
基板を前記処理槽内へ降下および前記処理槽から上昇させるために前記支持部を昇降させる昇降部と、
前記処理槽の上方において、前記支持部に支持された基板の外周部を把持して前記支持部から基板を受け取る把持部と、
前記把持部により把持された基板に気体を噴きつけて前記基板を乾燥させる第１のノズルと、
を備える基板処理装置。 a support portion having a mounting surface on which the substrate is mounted in a horizontal posture;
a processing tank for supplying a processing liquid to the substrate to process the substrate;
an elevating unit for elevating the support to lower the substrate into and out of the processing bath;
a gripping portion above the processing tank that grips an outer peripheral portion of the substrate supported by the supporting portion and receives the substrate from the supporting portion;
a first nozzle for blowing gas onto the substrate gripped by the gripping unit to dry the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 前記支持部は、
枠体と、
前記枠体の上面に突出し、前記載置面を構成する複数の突起部と、
を含む請求項１に記載の基板処理装置。 The support part is
a frame;
a plurality of protrusions protruding from the upper surface of the frame and forming the mounting surface;
The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising: 制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記把持部が前記基板を把持した後に前記支持部を降下させるように前記昇降部を制御する、
請求項２に記載の基板処理装置。 further comprising a control unit,
The control unit controls the lifting unit so that the support unit is lowered after the gripping unit grips the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 2. 前記処理槽に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理槽から処理液を排出する処理液排出部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記支持部の上昇前又は上昇後に前記処理槽内の処理液を排出するように前記処理液排出部を制御する、
請求項３に記載の基板処理装置。 a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the processing bath;
a processing liquid discharge unit for discharging the processing liquid from the processing tank;
further comprising
The control unit controls the processing liquid discharge unit so as to discharge the processing liquid in the processing tank before or after the support unit is lifted.
The substrate processing apparatus according to claim 3. 前記支持部の載置面に気体を噴きつけて前記載置面を乾燥させる第２のノズルをさらに備える、請求項４に記載の基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a second nozzle for blowing gas onto the mounting surface of said support to dry said mounting surface. 前記第２のノズルは、処理液が排出された前記処理槽内に降下した前記支持部の前記載置面を乾燥させる、請求項５に記載の基板処理装置。 6. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein said second nozzle dries said mounting surface of said support portion that has fallen into said processing bath from which the processing liquid has been discharged. 基板の上面を支持する支持面を有し、前記基板を水平姿勢に維持しながら前記基板を前記支持部の載置面に受け渡し、および前記載置面から受け取る基板搬送部を備え、
前記制御部は、
前記第２のノズルにより前記載置面を乾燥させた後、前記支持部を上昇させ、前記把持部に把持された基板を前記支持部の前記載置面にて支持するように前記昇降部を制御し、
前記基板搬送部は、前記載置面に支持された基板を受け取る、請求項５又は６に記載の基板処理装置。 a substrate transfer unit having a support surface for supporting the upper surface of a substrate, and delivering the substrate to and from the mounting surface of the support unit while maintaining the substrate in a horizontal posture;
The control unit
After the mounting surface is dried by the second nozzle, the support section is lifted, and the elevating section is moved so that the mounting surface of the support section supports the substrate gripped by the gripping section. control and
7. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein said substrate transfer section receives the substrate supported on said mounting surface. 前記処理槽は基板洗浄槽を含み、
前記処理液供給部は、複数種類の洗浄液を順次前記基板洗浄槽に供給する、請求項４～７のいずれかに記載の基板処理装置。 the processing bath includes a substrate cleaning bath;
8. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein said processing liquid supply unit sequentially supplies a plurality of types of cleaning liquids to said substrate cleaning bath. 前記処理槽内にて前記支持部に支持された基板の表面に処理液を噴き付ける処理液噴射ノズルをさらに備える、請求項１～３のいずれかに記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a processing liquid spray nozzle for spraying a processing liquid onto the surface of the substrate supported by said support in said processing tank.
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